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模拟电子技术基础试题汇总

一.选择题

1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( A )。

A 增大

B 减小

C 不变

D 等于零

2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )

A. 处于放大区域

B. 处于饱和区域

C. 处于截止区域

D. 已损坏

3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )

A.放大区

B.饱和区

C.截止区

D.区域不定

4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性

5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。

( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真

6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高

C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( C )

A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈

B. 放大直流信号时才有的负反馈

C. 直流通路中的负反馈

D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈

9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )

A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声

C. 反馈环外的干扰和噪声

D. 输出信号中的干扰和噪声

10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( A )

A. －2.5V

B. －5V

C. －6.5V

D. －7.5V

11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输

入电压△υid 为( B )

A. 10mV

B. 20mV

C. 70mV

D. 140mV

12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入

( C )。

A. 共射电路

B. 共基电路

C. 共集电路

D. 共集-共基串联电路

13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( D )

A. 有可能产生相位失真

B. 有可能产生幅度失真和相位失真

C. 一定会产生非线性失真

D. 不会产生线性失真

14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运

放通常工作在( A )。

A. 开环或正反馈状态

B. 深度负反馈状态

C. 放大状态

D. 线性工作状态

15. 多级负反馈放大电路在( A )情况下容易引起自激。

A. 回路增益F A 大 B 反馈系数太小

C. 闭环放大倍数很大

D. 放大器的级数少

16. LC 正弦波振荡电路如图1-9所示，该电路( D )。

A. 由于无选频网络不能产生正弦波振荡

B. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡

C. 满足振荡条件能产生正弦波振荡

D. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡

图1-9 图1-10

17. 图1-10所示电路出现故障，经测量得知V E =0，V C =V CC ，故障的可能原因为

( D )。

A. R c 开路

B. R c 短路

C. R e 短路

D. R b1开路

18. 与甲类功率放大方式比较，乙类OCL 互补对称功率放大方式的主要优点是( C )。

A. 不用输出变压器

B. 不用输出端大电容

C. 效率高

D. 无交越失真

19. 共模抑制比K CMR 越大，表明电路( C )。

A. 放大倍数越稳定

B. 交流放大倍数越大

C. 抑制温漂能力越强

D. 输入信号中的差模成分越大

20. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带( B )。

A. 变宽

B. 变窄

C. 不变

D. 与各单级放大电路无关

21. 双端输入.双端输出差分放大电路如图所示。已知静态时，V o =V c1－V c ２＝０，设差模

电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压

o V 为( D )。

A. 125mV

B. 1000 mV

C. 250 mV

D. 500 mV

22. 对于图所示的复合管，假设1CEO I 和2CEO I 分别表示T 1.T 2单管工作时的穿透电流，

则复合管的穿透电流CEO I 为( D )。

A.2CEO CEO I I =

B. 21CEO CEO CEO I I I +=

C. 1CEO CEO I I =

D. 21)1(CEO CEO CEO I I I ++=β

23. 某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选( A )。

A. 电流串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电压串联负反馈

24. 多级放大电路与组成它的任何一个单级放大电路相比，通频带( B )。

( A)变宽 ( B)变窄 ( C)不变 ( D)与单级放大电路无关

25. 电流源电路的特点是输出电流恒定，交流等效电阻( D )。

( A)等于零 ( B)比直流等效电阻小

( C)等于直流等效电阻 ( D)远远大于直流等效电阻

26. 放大电路产生零点漂移的主要原因是( A )。

( A)采用了直接耦合方式 ( B)采用了阻容耦合方式

( C)采用了正.负双电源供电 ( D)增益太大

27. 二阶压控电压源低通有源滤波器通带外幅频响应曲线的斜率为( D )。

( A)20dB/十倍频程 ( B)-20dB/十倍频程

( C)40dB 十倍频程 ( D)-40dB/十倍频程

28. 当有用信号的频率低于100Hz 时，应采用( A )滤波电路。

( A)低通 ( B)高通 ( C)带通 ( D)带阻

29. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后( C )，则说明引入的反馈是正反馈。

Ａ输入电阻增大Ｂ输出电阻增大

Ｃ净输入量增大Ｄ净输入量减小

30.若要求放大电路取用信号源的电流小，而且输出电压基本不随负载变化而变化，在放

大电路中应引入的负反馈类型为( B )。

A 电流串联

B 电压串联

C 电流并联

D 电压并联

31.如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V 、内阻为0的电池正向连接，则该管

( C )。

A 、击穿

B 、电流为0

C 、电流过大使管子烧坏

D 、正常导通

32. 差分放大器左管输入电压+100mV ，右管输入-300mV ，其共模输入 ( B )。

A 、100mV

B 、-100mV

C 、200mV

D 、-200mV

33. 电流串联负反馈电路的放大参量为 ( D )。

A 、电压放大倍数

B 、电流放大倍数

C 、转移电阻

D 、转移电导

34. 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ( A )。

A 恒流区

B 可变电阻区

C 夹断区

D 击穿区

35. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ( C )。

A 电阻阻值有误差

B 晶体管参数的分散性

C 晶体管参数受温度影响

D 受输入信号变化的影响

36. 差动放大电路的主要特点是 ( A )。

A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；

B 既放大差模信号，又放大共模信号

C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；

D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

37. 互补输出级采用射极输出方式是为了使 ( D )。

A 电压放大倍数高

B 输出电流小

C 输出电阻增大

D 带负载能力强

38. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( C )。

A 可获得较高增益

B 可使温漂变小

C 在集成工艺中难于制造大电容

D 可以增大输入电阻

39. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后( B )，则说明引入的是负反馈。

A 输入电阻增大

B 净输入量减小

C 净输入量增大

D 输出量增大

40. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍

数必须满足( D )才能起振。

A A V = 1

B A V = 3

C A V ＜ 3

D A V ＞3

41．滞回比较器有2个门限电压，因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，

其输出状态将发生( A )次跃变。

A 1

B 2

C 3

D 0

42．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是 ( B )

A ． f ＝fs 时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器

B ． f ＝fs 时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器

C ． fs

D ． fs

二.填空题

1．当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β 增大，反向

饱和电流I CBO 增大，I B 不变时，发射结正向电压V BE 减小。

2．某差动放大电路的输入信号,10,2021mV v mV v i i -== 则该差动放大电路的差模信号

=id v 30 mV , =ic v 5 mV 如果该差动放大电路的差模增益为100倍，共模

增益为10倍，则输出电压为 3050 mV 。

3. 某放大电路的对数幅频特性如图所示。由图可知，该电路的中频电压增益Vm A = 100

倍。上限截止频率f H = 2×106 Hz ，下限截止频率f L = 20 Hz 。

4. 串联负反馈只有在信号源内阻很小时，其反馈效果才显著，并联负反馈只有在

信号源内阻很大时，其反馈效果才显著。

5. 图16中各电路的交流反馈类型和极性( 反馈组态)分别为：图( a)为电流串联负

反馈，图( b)为电流并联负反馈，图( c)为电压并联负反馈。

6. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz 时，宜选用低

通滤波器；当希望抑制50Hz 交流电源的干扰时，宜选用带阻滤波器；当

希望抑制1kHz 以下的信号时，宜选用高通滤波器。

7．饱和失真与截止失真属于非线性失真，而幅频失真与相频失真属于线性失真。

8．负反馈按采样和求和方式的不同有四种类型分别为电压串联负反馈、电流串联

负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。

9．正弦波振荡电路的起振条件为 1=F A 。 10．为避免产生交越失真，互补推挽功率放大电路一般工作在甲乙类类

状态。

11．理想运放工作在线性区时有两个主要的特点，分别为虚短

和虚断。

12．在串联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为 L ；而在并

联型石英晶体振荡电路中，晶体等效为 R 。

13．放大器的输入电阻反映放大器向信号源索取电流的大小；而输出电阻反映出

放大器的带负载的能力能力。

14. 场效应管被称为单极型晶体管是因为场效应管仅靠多数载流子导电。

15. 晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在饱和区时，b C I I β<。

16. 场效应管可分为绝缘栅型场效应管和结型场效应管两种类型。

17. 在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基基本放大电路只能放

大电压不能放大电流。

18. 在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的电容视为开路，电感

视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。

19. 电流源电路是模拟集成电路的基本单元电路，其特点是电流变化小，动态输出

电阻很大，并具有温度补偿作用。常作为放大电路的有源负载或为放大电路提供

稳定的直流偏置。

20. 晶体管是利用基极电流来控制集电极电流从而实现放大的半导体器件。

21. 放大电路的交流通路用于研究放大电路的动态参数。

22. 为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，

看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为电压反馈。

23. 仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为交流反馈。

24. 通用集成运放电路由输入级 .中间级 .输出级和偏置电路四部分组成。

25. 如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端

是同相输入端，否则该输入端是反相输入端。

26. 差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，差模放大倍数越大越

好，共模放大倍数越小越好。

27. 为了保证PNP 型三极管工作在放大区，要求三极管的U BE < 0 ，U BC > 0 。

28. 在三种组态基本放大电路中，共射组态同时有电压和电流放大作用，共集

组态向信号索取的电流小，带负载能力强。

29. 集成运放的输入级都采用差动放大电路，输出级通常采用甲乙类互补电

路。

30. 已知某差动放大电路的差模电压放大倍数A d =100，共模抑制比K CMR =60dB ，则其共

模信号放大倍数A C = 0.1 。

31. 为稳定电路的输出信号，电路应采用负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路

应采用正反馈。

32. 直流负反馈的作用是稳定静态工作点。

33. 在模拟运算电路时，集成运算放大器工作在线性区，而在比较器电路中，集成

运算放大器工作在非线性区。

34. 在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是甲类，失真最小的

是甲乙类。

35. 滞回比较器与单限比较器相比，它具有抗干扰能力强的特点。

36. 理想运放工作在线性区时的两个特点是虚短和虚断。

37. 正弦波振荡电路一般由四部分组成，即放大电路、反馈网络、选频网络和

稳幅环节。

38. 不管是单相半波整流电路或是单相全波和单相桥式整流电路，都是利用二极管具有

单向导电性，将交流电压变换为单向脉冲电压。

39. 为了得到频率稳定度高的正弦波信号，应采用石英晶体振荡电路。

40. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，

故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

41. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位

条件是()πω?±=T 。

42. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成

电路中通常采用直接耦合。

43. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

44. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推

挽放大器。

45．某三极管共基电流放大系数98.0=α，则共射电流放大系数=β 49 。当

该三极管处于放大区时，如果基极电流为20uA ，则集电极电流为 0.98 mA ，发

射极电流为 1 mA 。

46. 为了稳定放大电路的直流分量应该引入直流负反馈；为了稳定电路的输出

交流电压应该引入电压负反馈；为了提高电路的输入电阻应该引入串联

负反馈。

47. 某差动放大电路的输入信号,10,2021mV v mV v i i -== 则该差动放大电路的差模信

号=id v 30 mV , =ic v 5 mV 如果该差动放大电路的差模增益为100倍，

共模增益为10倍，则输出电压为 3050 mV 。

48．为了抑制1000Hz 以下的信号应选用高通滤波器，为了抑制50Hz 的交流电源

的干扰，应选用帶阻滤波器。

49. 在模拟运算电路时，集成运算放大器工作在线性区，而在比较器电路中，集成

运算放大器工作在非线性区。

50．理想电压型集成运算放大器的参数：vd A ∞ ，=vc A 0 ，=0R 0 。 51．二极管最显著的特性是单向导电性，当硅二极管在正向导通时其两端的电压为

0.7 V 。

52．场效应管属于电压控制器件。场效应管从结构上分成结型和绝缘栅型

两大类型。

53．绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型，两者区别是耗尽型有原始沟道而增

强型没有原始沟道。

54．若希望减小放大电路从信号源索取的电流，应采取交流串联负反馈；若希望取

得较强的反馈作用而信号源内阻又很大，应采用交流并联负反馈；当负载变

化时，若希望输出电流稳定。应采用交流电流负反馈。

三.判断题

1、在P 型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N 型半导体。 ( √ )

2、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子扩散运动形成的。 ( × )

3、放大电路只要能放大信号功率就可以称其有放大作用。 ( √ )

4、由于阻容耦合多级放大电路有耦合电容，所以不适合放大频率低的信号。

( √ )

5、若放大电路的放大倍数为正，则引入的反馈一定是正反馈。 ( × )

6. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ( × )

7. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变

化. ( × )

8. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈 ( × )

9. 电路产生自激振荡的条件是：幅度条件为1=F A

，相位条件为πn F A

arg 2±= (n=0,1,2,…)。 ( √ ) 10.二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到。 ( √ )

11.功率放大电路的主要任务是向负载提供足够大的输出功率，因而采用微变效法来分析。 ( × )

12. 三极管工作在放大区的条件是外加直流电源的极性应使三极管发射结正向

偏置，集电极反向偏置。 ( √ )

13. 硅二极管的开启电压为0.5V 左右，锗二极管为0.1V 左右。 ( √ )

14. 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 ( × )

15. 功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的

最大交流功率。 ( × )

16. 外加反向电压，PN 结中的耗尽层宽度将变宽。 ( √ )

17. 当二极管的外加反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加( 反向击穿)，所以二极管

不能工作在反向击穿区。 ( × )

18．在H 参数中，h ie 为基极—发射极间的直流输入电阻。 ( × )

19．场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。 ( √ )

20．设反馈系数为F ，电流负反馈时放大器输入阻抗上升1+F A 倍 ( √ )

21．振荡器具有较稳定振荡的原因，是振荡系统中具有选频网络。 ( √ )

22．全波整流电路有4个整流管，所以流过每个整流管的电流为负载电流的四分之一。 ( × )

23．只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。 ( × )

24．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 ( × )

25．负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。( √) 26．在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。( ×)

27. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。( √)

28. 只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。( ×)

29. 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。( ×)

30. 电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。( √)

31. 使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。( ×)

32. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。( √)

33. 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。( √)

34. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。( √)

35. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。( ×)

36. 集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。( √)

37. 只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。( ×)

38. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。( √)

39. 稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定度。( √)

40. 只要工作点合适，晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。( ×)

41. 同一放大电路，若要其增益增大，则其通频带宽度将减小。( √)

42 差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关，而与输入方式无关。

( √)

43. 为使输出电压稳定，稳压电源的输出电阻应愈大愈好。( ×)

三.分析计算题

1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图2-1 a.b.c所示，试判断它们分别工作在什么状态( 饱和.放大.载止.倒置)。设所有的三极管和二极管均为硅管。

图2-1

解答：1．T1截止，T2倒置，T3饱和

1．从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。

（1）是锗管还是硅管？

（2）是NPN型还是PNP型？

（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是

烧断还是短路？）提示：注意在放大区，硅管V 70E B BE .U U U ≈-=，锗管V 30BE .U ≈，且E C CE U U U -=>0.7V ；而处于饱和区时，V 70CE .U ≤。

解： (a) NPN 硅管，工作在饱和状态；

(b) PNP 锗管，工作在放大状态；

(d) NPN 硅管，工作在放大状态；

(e) PNP 锗管，工作在截止状态；

(f) PNP 锗管，工作在放大状态；

(g) NPN 硅管，工作在放大状态；

(h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。

十、二极管电路如图所示，设二极管均为理想二极管，v s =10sin ωt （V ）。

（1）画出负载R L 两端电压v o 的波形。

（2）若D 3开路，试重画v o 的波形。

（3）若D 3被短路，会出现什么现象？

（3）若D 3被短路，则在输入电压的正半周将使电源短路，烧坏电源。

2．共射放大电路如图所示。

( 1)试确定电路的静态工作点( 写出I BQ .I CQ 和V CEQ 的表达式)；

( 2)画出该放大器的小信号等效电路；

( 3)画出该放大器的输入电阻.输出电阻.电压增益A v 及源电压增益A vs 的表达式( 设电容

的容抗可忽略不计)；

( 4)用直流电压表测量时，若出现V CEQ ≈0V 或V CEQ ≈24V ，说明三极管工作在什么状态？ ( 5)用示波器观察O v 端波形时，若出现图b 所示情况，为何种失真？应如何消除？ ( 6)若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？

( a) ( b)

解答：( 1)EE e2e1BQ BE b BQ 1V )R R (I )(V R I =+?+++β

)R R )((R V V I e b e21BE EE BQ 1+++-=β BQ CQ

I I β= )R R R (I )V V (V e2e1C C EE CC CEQ ++-+= ( 2)

+ –

υo ( 3)

])1(//[e1be b i R r R R β++=

C O R R =

e1be 1R )(r R //R A L C ββυ++-= S i i S R R R A A +?=υυ ( 4)

截止饱和

V V V 240CE CE ≈=

( 5)阻值增加饱和失真

e2R ( 6)的容量增大改善低频321L C ,C ,C f ↓→→

五、判断图示各电路的反馈极性及交、直流反馈（若是两级放大电路只需判断级间反馈）。

解：（a ）R 3、A 2引入交、直流负反馈（b ）R 6引入交、直流负反馈

（c ）R 2引入交、直流正反馈（d ）R 2、C 引入交流负反馈

六、试分别判断图示各电路中的反馈类型。

解：（a）交、直流并联电流负反馈；

（b）交、直流串联电流负反馈；

（c）交、直流串联电压负反馈；

（d）R1、R2: 交、直流并联电压负反馈；R4、R5: 交、直流串联电压负反馈。

2.实验电路如图8(a)所示，示波器( 已校准)X轴扫描档位为0.25ms/div，输入.输出信号对应通道的Y轴档位分别为10mV/div和1V/div，图8(b)是甲同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i( 上)和输出信号u o( 下)；图8(c)是乙同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号u i( 上)和输出信号u o( 下)。

( 1)甲.乙两同学哪个同学实验电路参数调整的合理？并根据该同学观察到的波形求输入信号的频率f及电压放大倍数

A 。( 6分)

( 2)电路参数调整的不合理的同学所观察到的输出波形出现了何种失真？如何调整ω

R才能消除这种失真？( 4分)

(a) (b) (c)

解：

（1）甲同学电路参数调整的合理；( 共6分)

由图知：mS

T5.0

=，mV

ipp

5.1=

=，V

opp

2.3

2.3=

信号的频率

5.0

3.21152.3-==-=mV

V Ui U A pp opp u ( 2)电路参数调整的不合理的同学，也就是乙同学，观察到的输出波形发生了饱和失真；调整ωR 使之增大可以消除该失真。( 共4分)

三、电路如图所示，晶体管的β＝60，Ω100b b ='r 。

（1）求解Q 点；

（2）画出微变等效电路，并求u

A 、R i 和R o ；（3）设U s ＝10mV （有效值），求U I 、U O ；若C 3开路，求U I 、U O 、R i 和R o 。

解：（1）Q 点：

484)(mA 881 A μ 31)1(e c CQ CC CEQ BQ CQ e b BEQ CC BQ .R R I U U .I I R R U U I =+-≈≈=

≈++-=

ββ （2）微变等效电路：

k Ω

3 8

95)( Ω

939 Ω939mV 26)

1( c o be L c u be b i EQ bb'be ==-≈-=≈=≈++=R R .r R R A r R R I r r ∥∥ββ （3）设U S ＝10mV （有效值），则

mV 306 mV 23 i u o s i s i i ≈=≈?+=

U A U .U R R R U

若C 3开路，则

51k Ω

351])1([e

L c u e be b i .R R R A .R r R R -=-≈≈++=∥∥ β

mV 414mV 69i u o i s i i .U A U .U R R R U s ≈=≈?+=

18．图所示电路中，100=β，V BE =0.6V ，r bb’=100Ω,试求：

( 1)静态工作点；

( 2)中频段的i o /V V A V =；

( 3)输入电阻R i 及输出电阻R o ；

( 4)中频段的s o /V V A VS =

解答： (1)V R R R V V b b b CC B 48.2100333310212=+?=+?

≈

mA 94.08.12.06.048.2e F BE B E C =+-=+-=

≈R R V V I I μA

94C B ≈=βI I V 3.5594.010)(e R c C CC CE =?--=++-≈R R R I V V

Ω≈?+=++='k 9.294.02610110026)

1(E b b be I r r β

(2) F be L C F be L i o )(1r )//()(1r R R R R R V V A V ββββ++-=++'-==

5.62.01019.25.1100-≈?+?-=

(3) Ω≈++=k 12])1(//[//F be b2b1i R r R R R β

Ω=≈k 3c o R R (4)

9.4s i i s o VS -≈+?==R R R A V V A V

四、一双电源互补对称功率放大电路如图所示，设已知U CC =12V ，R L =16Ω，u I 为正弦波。求：

(1)在三极管的饱和压降U CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =?；(2)每个管子允许的管耗P Tm 至少应为多少? (3)每个管子的耐压｜U (BR)CEO ｜应大于多少

解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度U om =12V

(W 5416

21222

L 2om om .R U P =?==) (2) (W)9020om TM .P .P =≈ ∴P CM ≥0.9W

(3) V 24(BR)CEO ≥U

1．电路如图所示，其中R 1=10k Ω ，R 2= R 3= R 4=51k Ω 。

试求：

（1）输入电阻R i ；

（2）v o 与v i 之间的比例系数。

（3）平衡电阻R '。

解：(1) R i =R 1=10k Ω

(2) ???????-=--=-+-24n 1

n i 3o 44424n 0 R v v R v v R v v R v R v v i 4o i i 124315315v .v v v .v R R v -==-=-= (3) ()k Ω8482

3214321.R //

R R //R R //R R ==+='

22.(本题满分9分)

设图22所示电路中，A 1.A 2.A 3均为理想运放。

(1) A 1.A 2.A 3分别组成何种基本运算电路；

(2)列出υo1.υo2.υo3的表达式

图22

解答： (1) A 1——同相比例运算电路

A 2——反相求和电路

A 3——差分运算电路(或减法电路

)

(2) 11o13υυ=

)(1312o2υυυ+-=

)23(2)(50100131211o1o2o3υυυυυυ++-=-=

3.( 本题10分)

已知V u V u V u I I I 3,2,1321===，分别求图(a)和图(b)中的输出电压o u 。

(a) (b)

解：( a)

u u u u R R u R R u R R u 93

5221252213

I2I1I33

f I22f I11f O =?+?-?-=+--=?+?-?-=( 共5分) ( b)

u u u u R R u R R u R R u 133

210110101013

I2I1I33

f I22f I11f O =+?+?-=++-=?+?+?-=( 共5分)

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础习题册.docx

专业姓名学号成绩 1-1 、写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。 1-2 、在单相桥式整流电路中，已知输出电压平均值U O（AV）＝15V，负载电流平均值 I L（AV）＝100mA。（1）变压器副边电压有效值U2≈ （2）设电网电压波动范围为±10％。在选择二极管的参数时，其最大整流平均电流 I F和最高反向电压 U R的下限值约为多少 1-3 、电路如图所示，变压器副边电压有效值为 2U2。（1）画出u2、u D 1和u O的波形；（2）求出输出电压平均值U O（AV）和输出电流平均值I L（（3）二极管的平均电流I D（AV）和所承受的最大反向电压AV）的表达式；U Rmax 的表达式。

1-4 、电路如图所示，变压器副边电压有效值U21＝50V，U22＝20V。试问：（1）输出电压平均值U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（2）各二极管承受的最大反向电压为多少 1-5 、试在如图所示电路中，标出各电容两端电压的极性和数值，并分析负载电阻上能够获得几倍压的输出。 1-6 、已知稳压管的稳压值U＝6V，稳定电流的最小值I Zmin ＝ 5mA。求图所示电路中U和 U Z O1O2各为多少伏。

专业姓名学号成绩 I Zmin＝5mA，最大稳定电流1-7 、已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流 I Zmax＝25mA。（1）分别计算U I为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O的值；（2）若U I＝ 35V 时负载开路，则会出现什么现象为什么 1-8 、电路如图所示。（1）分别标出u O1和u O2对地的极性；（2）u O1、u O2分别是半波整流还是全波整流（3）当U21＝U22＝ 20V 时，U O1（AV）和U O2（AV）各为多少（4 ）当U2 1＝ 18V ，U2 2＝ 22V 时，画出u O1、u O2的波形；并求出U O1（AV）和U O2（AV）各为多少

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章多级放大电路自测题一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试试题复习资料

第1页共5页一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、场效应管被称为单极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作在区时， b I Ic β<。 3、场效应管可分为型场效应管和结型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路只能放大电压不能放大电流。 5、在绘制电子放大电路的直流通路时，电路中出现的视为开路，视为短路，信号源可视为为短路但应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、和耦合等。 7、晶体管是利用极电流来控制极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚断是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈不复存在则为。 11、仅存在于放大电路的交流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由、、输出级和偏置电路四部分组成。 13、如果集成运放的某个输入端瞬时极性为正时，输出端的瞬时极性也为正，该输入端是相输入端，否则该输入端是相输入端。 14、差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的，越大越好，越小越好。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管如果采用正向接法，稳压二极管将。 A ：稳压效果变差 B ：稳定电压变为二极管的正向导通压降 C ：截止 D ：稳压值不变，但稳定电压极性发生变化 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结正向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为。 A ： PNP 型硅管 B ：NPN 型锗管 C ： NPN 型硅管 D ：PNP 型锗管

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的：本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材：杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社主要参考书目：康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社，张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社，谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社，孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社，谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社，绪论本章的教学目标和要求：要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点：放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。本章教学方式：课堂讲授本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法；介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究。 9、理想运放的两个输入端虚短是指。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是。

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA 变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空。（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈；【】 A.2V B.3V C.6V U ＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，（2）当 i 则输出电压的幅值将；【】 A.减小 B.不变 C.增大 U ＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大（3）在 i 输入电压，则输出电压波形将；【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】 A．输入电阻增大B．输出量增大 C．净输入量增大D．净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。【】 A．共射放大电路 B. 共集放大电路C．共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的反馈是负反馈。【】

模拟电子技术基本练习题(解)

电子技术基础（模拟部分）综合练习题 2010-12-12 一．填空题：（将正确答案填入空白中） 1．N型半导体是在本征半导体中掺入3价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体是在本征半导体中掺入5价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。 3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 5．某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA，其基极电流为0.04mA，该管的β值为49。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为0.05mA，该管的α值为0.99。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为 50。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。其输入电阻很高。 9.晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。 10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。 11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。 12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路, 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。 13．在一个三级放大电路中，已知A v1=20；A v2=-100；Av3=1，则可知这三级放大电路中A1是共基极组态；A2是共射极组态；A3是共集电极组态。14．正弦波振荡电路一般是由如下四部分组成放大器；反馈网络；稳幅电路和选频网络。 15．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入电流串联负反馈。 16．PNP三极管基区中的多数载流子是电子。少数载流子是空穴。17．对于放大电路，所谓开环是指放大电路没有反馈支路。18．为稳定放大电路的输出电压和增大输入电阻，应引入电压串联负反馈。19．单相桥式整流电路中，设变压器的副边电压为V2，则输出直流电压的平均值为0.9V2。 20K CMR是指差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值。

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.sodocs.net/doc/b510406268.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.sodocs.net/doc/b510406268.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.sodocs.net/doc/b510406268.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.sodocs.net/doc/b510406268.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.sodocs.net/doc/b510406268.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1 所示，已知u i ＝5sin ωt (V) ，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1 所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1 和u I2 的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u 的波形，并标出幅值。 O 图P1.2 解：u 的波形如解图P1.2 所示。 O

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA，最大功耗P ZM＝150mW。试求图P1.3 所示电路中电阻R的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM＝P ZM/ U Z＝25mA 电阻R的电流为I ZM～I Zmin，所以其取值范围为 R U U I ～ Z 0 .36 1.8k I Z 1.4 已知图P1.4 所示电路中稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝25mA。（1）别计算U I 为10V、15V、35V三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 U R L O U R R L I 3. 33V 当U I＝15V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 R U U 5V

学习《电子技术基础》的一些心得体会

学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的专业基础课程电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。三.电子技术基础是比较难学的课程。无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。

模拟电子技术基础习题(全集) (1)

模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章应用篇

第一章半导体二极管及其应用电路一、填空： 1．半导体是导电能力介于_______ 和_______之间的物质。 2．利用半导体的_______ 特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______ 特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______ 特性,制成热敏电阻。3．PN 结加正向电压时_______ ，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。 4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通

5．二极管正向导通的最小电压称为______ 电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______ 电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。 7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.7

8．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流的正向压降约为_______V 。 9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。 10．稳压管工作在伏安特性的________ 区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_ ______。 0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变

模拟电子技术基础试题与答案解析

电子电工专业试卷说明：本试卷分第Ⅰ卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，第Ⅰ卷XXX页，第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分，考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上，Ⅱ卷答案写在试卷上。第Ⅰ卷（选择题，共35分）注意事项：每小题选出答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，请用橡皮擦干净后，再选择其答案标号，如果答案不涂写在答题卡上，成绩无效。一、选择题（本大题共10小题，每小题3分，共计30分。每小题只有一个正确答案。） 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结正偏，集电结正偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源V CC应当（） A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（） A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）（5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）二、选择正确答案填入空内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管（5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小（7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4