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大学模电题库模拟电路考试试题10套和答案

、填空（本题共20分，每空1分）：

1. _________________________________________________ 整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电 __________________ ;滤波电路的任务是—滤除脉动直流电中的交流成分 ______________________ 。

2. 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ____________ _载流子的浓度差而产生的，漂移运动是 ______ 内电场的电场力 —

作用下产生的。 3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _____ _线性失真和非线性失真。

4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是

_耦合电容__和旁路电容 _________ 的影响；使高频区电压增益下

降的主要原因是__三极管的级间电容 __________ 的影响。

5. _________________________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _稳定静态工作点 _______________________________________________________________________ ;引入交流负反馈的作用是 —稳定增益、抑制非线性失

真、—改变输入输岀电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声 __。 6. _______________________________________ 正弦波振荡电路一般由选频网络 ________________ 、__放大电路 __________ 、正反馈网络 ______________________________________________ 、__稳幅电路 _________ 这四个部分组

成。 7. ______________________________________________________________________________________________________ 某多级放大器中各级电压增益为：第一级 25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 _100 ________________________________ ，总的放大倍

数为 __________ 。 8. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻

R e 对__差模输入 __________ 信号的放大无影响，对_共模输入 ____________

信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比

K CMR 为_差模增益与共模增益 ____________ 之比。

9. 某放大电路的对数幅频特性如图

1 （在第三页上）所示，

当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为

_37 ________ dB 。

数基本相同，则实用中应选（ B ）

试卷编号

1、 2、 3、

、

、、判断（y （y

（

（n （

（（（（

（本题共10分，每小题1分，正确的打"，错误的打X ）

）

构成各种半导体器件的基础是 PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。

40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。

yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有 n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 yn ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 y ）要使放大电路的输岀电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 y ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。

y n ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于 1MHz 时，应选用RC 正弦波振荡电路。 10、（

三、选择（本题共20分，每个选择2 分）: 在放大电路中，测得

某三极管的三个电极的静态电位分别为

A. NPN 型硅管；

B. NPN 型锗管；

C. PNP 型硅管；

为了使放大电路 Q 点上移，应使基本放大电路中偏置电阻 A.增大 B.不变

典型的差分放大电路中 Re （ B ）°

A.对差模信号起抑制作用

2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. C.减小 B.对共模信号起抑制作用 0V ，- 10V ，—，则此三极管是（ A ）

D. PNP 型锗管； R b 的值（C

在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为 20V ，则其共模输入电压为（ A. 40V B. 20V 电流源的特点是（ A ）°

A .交流电阻大，直流电阻小；

C.交流电阻大，直流电阻大；影响放大电路高频特性的主要因素是

A.耦合电容和旁路电容的存在；

C.半导体管的非线性特性；关于理想运算放大器的错误叙述是（

A ?输入阻抗为零，输出阻抗也为零； C .频带宽度从零到无穷大；有T1、T2和T3三只晶体管，T1的B

C. 10V C.对差模信号和共模信号均无作用 C

D. 5V B .交流电阻小，直流电阻大; D.交流电阻小，直流电阻小。 D ） °

B.放大电路的静态工作点不合适；

D.半导体管极间电容和分布电容的存在；

A ） °

B .输入信号为零时，输岀处于零电位； D ?开环电压放大倍数无穷大

200，I CEO = 200 卩 A ； T2 的^= 100，I CEO = 10 卩 A ； T3 的^= 10，|CEO = 100 卩 A ，其它参

1. （本小题10分）电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益 A usf °

2. （本小题10分）电路

如图3所示，U 2=10V ，在下列情况下，测得输出电压平均值 U o 的数值各为多少?

A. T1 管；

B. T2 管； 9 .交流反馈是指（

C ）

A ?只存在于阻容耦合电路中的负反馈；

C ?交流通路中的负反馈；

10. RC 桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即

A.基本共射放大电路；

B.基本共集放大电路;

四、分析与计算（本题共 50分）: C. T3 管

B ?变压器耦合电路中的负反馈； D .放大正弦信号时才有的负反馈； R

C 串并联选频网络和（

D ） C.反相比例运算电路； D.同相比例运算电路; 1）正常情况时；（2）电容

虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时

3. （本小题12分）如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc = 16V , R L= 8Q, R i= 10k Q, R2= 100k Q,三极管的饱和管压降U CES= 0V, U o=- 10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A 输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率P CM值。

4. （本小题18分）电路图5中，C1、C3和C E的容量足够大，晶体管的50, r bb J 200 Q, V BEQ =, R S= 2k Q, R B1= 25k Q, R B2= 5k Q, R C= 5k Q, R L = 5k Q, R E1=Q, R E2=300 Q, V CC= 12V。计算：（1）电路的静态工作点；（2）电压放大倍数 A us、输入电阻R i和输出电阻R O。

1 ?本征半导体中，自由电子浓度—等于_______ 空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度__小于

试卷编号02 ___________

、填空（本题共18分，每空1分）：

______ 空穴浓度；在N型半导体中, 图1 图2

图3 图4

自由电子浓度—大于_______ 空穴浓度。

2. ______________________________________________________________________________________________ 放大电路中，测得三极管三个电极1,2,3的电位为U i

3.5V,U2 2.8V,U3 12V ;则该三极管是______________________________________________ 型，电极1为

____________________________________________________________________________________________________________ ,

2为________ ,3为___________ 。

3. 射极输出器的特点是：电压放大倍数_______ 近似为1 ____________ ，输入电阻__大，输出电阻—小。

4. __________________________ 半导体三极管属—电流 ______________ 控制器件，而场效应管属__电压控制器件。

5?正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是AF __1 _______ A+?B=___________ 2n n ___ 。

6?若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输岀电流，应选用_电流串联负反馈_______ 反馈。

7 ?文氏电桥正弦波振荡器用_RC串并联 _________ 网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数 F =__1/3

，

F= ___ 0___ 。

二、简答（本题共10分,每小题5分）:/ \

1?什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？

直接耦合放大电路中，前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输岀端产生零点漂移。抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。

2. 什么是交越失真，如何克服交越失真？

由于三极管存在死区电压，在OCL电路中，工作于乙类时，输入信号在过零时，将产生失真，称为交越失真。克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。

三、分析与计算（本题共72分）: \

1.（本小题15 分）放大电路如图示1，R b18k ,R b252k ，R C=Q，R e= Q，r bb300 ，+V

CC =+15V，

P =20，U BE=，

电容容量足够大，求：

⑴静态工作点；⑵电压放大倍数A u；⑶输入电阻R i和R o;⑷若R S=1k Q，求A us;⑸若C e开路，求A u。

2 .（本小题12分）电路如图2所示，R b1 R b2 5k , R C1 R C2 30k , R e 20k , T1和T2的性能一致，

V CC 15V,V EE15V；r be1 r be2 4 k， 1 2 50；试求：

⑴：求A ud，R id:⑵：电路改成从T2的集电极与地之间输出时A ud

+即cc

-UEE

图1 图2

3. （本小题15分）电路如图3所示，已知：V cc 20V, V CC 20V，R L8 ，输入电压5

10i2sinwt（V），「

和T2的性能一致，死区影响和U CES均可忽略。试求：输出功率P。，电源消耗功率P V及能量转换效率n,每管功耗P T。

4. （本小题15分）反馈电路如图4所示，试回答：

⑴：该电路引入了何种反馈（极性和组态）；

⑵：该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）；

⑶：在深度负反馈条件下，求电压增益 A uf。

C C

11 0

5.（本小题15分）电路如图5所示，集成运放均为理想运放，试写岀输岀电压

试卷编号

图5

U 01, U 02 ,U o 的表达

式。

一、填空（本题共20分，每空1分）：

构成各种半导体器件的基础是 PN 结，它具有单向导电和反向击穿_ 稳压二极管根据击穿机理可以分为齐纳击穿和雪崩击穿。三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是反射级正偏 ________ 和集电极反偏多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容在集成电路中，高阻值电阻多用 BJT 或FET 等有源器件组成的电流源 _____________ 电路来代替。 1、 2、

3、

、 5、

6、 7、

8、特

性。耦合。乙类互补对称功率放大电路的输岀波形会岀现交越失真 _______ ，在整个信号周期内，三极管的导通角 B 等于180度在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服

零点漂移现象。负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的

_附加相移来破坏电路自激振荡的条件。 ,要消除它，则必须采用频率补偿的方法

9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于

反馈系数 10、正弦波振荡电路主要由放大电路、正反馈网络

二、单项选择（本题共 20分，每小题2分）：

当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ 2.

3. 5. 6. ，而与开环增益基本无关。 _、选频网络 ___________ 和稳幅电路这四个部分组成。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（ C A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿

直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ A 电阻阻值有误差

C 晶体管参数受温度影响

差动放大电路的主要特点是（A ）o

A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；

C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；互补输出级采用射极输出方式是为了使（

A 电压放大倍数高 B

集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ C

B 晶体管参数的分散性 D 受输入信号变化的影响

正向偏置且被击穿 B 既放大差模信号，又放大共模信号 D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 B 输岀电流小

D )o A C )o

C 输岀电阻增大

D 带负载能力强

A可获得较高增益

C在集成工艺中难于制造大电容

放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（

A耦合电容和旁路电容的影响

C晶体管的非线性特性当信号频率等于放大电路的

A 倍

B 倍f L 和f H

C 倍

B可使温漂变小

D可以增大输入电阻

B ）。

B晶体管极间电容和分布电容的影响

时,

D放大电路的静态工作点设置不合适

放大倍数的数值将下降到中频时的（

D 倍

D ），则说明引入的是负反馈。

C净输入量增大D净输入量减小

B )。

在输入量不变的情况下，若引入反馈后（

A输入电阻增大B输出量增大

10.在RC桥式正弦波振荡电路中，当相位平衡条件满足时，放大电路的电压放大倍数（

A 等于1/3

B 等于1

C 等于3

D 略大于3

三、分析与计算（本题共60分）：/

1. （本小题20分）如图1所示电路中，设电路中V cc= 12V，各个电容的容量足够大，

R f= 300 Q，晶体管的片100，U BE=，r bb= 100 Q。

（1 ）估算电路静态工作点；

（2）画岀简化的h参数等效电路；

（3）计算电压放大倍数 A u、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

A D）时电路可以起振。

R bi= Rc= R L = 5 k Q, R b2= 25 k Q , Re= 1 k Q , 2. （本小题10分）电路如图2所示，其中A1、A2、A3、A4均为理想运放，试推导出输出电压U O与输入电压u I1、U I2的关系式。

图2

3.（本小题10分）试判断图3所示的两个电路是否有可能产生正弦波振荡，如可能振荡，指岀该电路属于什么类型，并写岀其振荡频

率的近似表达式，设电容C b，C e很大，在交流通路中可视为短路，图（a）中L1、L2之间的互感为M。

图 3 (a) 图 3 (b)

4.（本小题20分）电路如图4所示，已知R= Q，C= g F，集成运算放大器的性能理想，运放的电源电压为土8V，由A1组成的电路能够产生稳定的正弦波输出，R4=R5=10k Q，U R=2V，稳压管的稳定电压为土6V,试回答下列问题：

（1）在图中标出A1的同相输入端和反相输入端（上“ + ”下“一”还是上“一”下“ + ”？）；

⑵写岀R t与R1的关系表达式，指岀R t应具有正还是负温度系数；

⑶求岀输岀正弦波的频率f0 ；

⑷画岀输岀电压u o与u O1的传输特性曲线；

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五２、在P 型半导体中,自由电子浓度Ｃ空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于３、本征半导体温度升高以后，Ｃ。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将Ａ。Ａ. 变窄Ｂ．基本不变 C. 变宽 D ．无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在Ｃ。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏Ｂ. 前者正偏、后者反偏Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ．前者反偏、后者正偏８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ．增大 B ．不变 C. 减小 D. 都有可能９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０１0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为Ｄ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是Ｄ器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路１4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是Ｂ。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

浙江大学城市学院模电习题及答案1

诚信应考考出水平考出风格浙大城市学院期末试卷课程名称：《模拟电子技术基础》开课单位：信电分院；考试形式：闭卷；考试时间：年月日；所需时间：120分钟题序第1题第2题第3题第4题第5题第6题第7题第8题得分总得分参考答案及评分标准评阅人签名 **************************************************************************** 得分一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分） 1．半导体器件中有二种载流子，分别是自由电子和空穴；掺杂半导体可分为P 型和N 型两种，其中对于N 型半导体中的多数载流子是自由电子，它由本征半导体掺入五价元素形成。 2．双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的，它可以分为两种类型，即 NPN 和 PNP 。双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN 结偏置决定。当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结正向偏置，集电结反向偏置。 3．场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压()th G S V = -1V 。②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管，它对应的电流DSS I = 2mA 。（注：DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流）。 4．图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ，输入阻抗i R = R i1 ，输出阻抗o R = R o3 。多级放大电路年级：_____________ 专业：_____________________ 班级：_________________ 学号：_______________ 姓名：__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线……………………………………………………… 0 1 1 -1 ① 2 2 3 D / 图 1-3 mA i D /V v GS /②

模拟电路测验试题10套

模拟电路测验试题10套 1 / 34

————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 2 / 34

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。 6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为__________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（）。 1 / 34

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

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模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小

一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大

大学模电最新最全题库模拟电路考试试题10套和答案

试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

模拟电子技术习题10套与答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1

模拟电路期末考试题A卷

模拟电路试题B卷一.（24分） 1）射极输出器的特性归纳为：电压增益，电压跟随性好，输入阻抗，输出阻抗，而且具有一定的放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是。 2）电压负反馈可以使放大器的输出稳定，电流负反馈可以使放大器的输出稳定。 3）在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为信号。 4）在导体中导电的是，在半导体中导电的不仅有，而且有，这是半导体区别于导体导电的重要特征。 5）PN结正向偏置时，反向偏置时，这种特性称为PN结的。 6）晶体三极管有两个PN结，即结和结，在放大电路中结必须正偏，结必须反偏。 7）晶体三极管有型和型两种类型。 8）画放大器的直流通路时，将视为开路，画交流通路时，将和视为短;.

路。二.（1.9分，2.9分，3.6分，共24分） 1.放大电路如图所示,T为锗NPN管. (1)设V cc=12V,R c=3kΩ,β=70,如果要将静态工作点电流I c调至1.5mA,问R b要取多大? (2)电路参数同上,如果要将静态工作点的电压V CE调至3.3V,问R b应多大? (3)在调整静态工作点时,如稍不小心把R b调至零,这时三极管是否会损坏,为什么?为避免损坏,电路上可采取什么措施? 得分 ;.

2.已知电路参数如图所示,R g1=300kΩ，R g2=100kΩ，R g3=2MΩ，R d=10kΩ，R2=10kΩ，+V DD=+20V，场效应管工作点的互导g m=1ms,设r d>>R d (1)画出小信号等效电路； (2)求电压增益A v； (3)求放大器的输入电阻R i 3.下面电路其输入,输出波形如图所示试问： a)此电路产生何种类型失真? (饱和?截止?) b)为消除此失真,应如何调节电阻R b? ;.

模电试题及答案

试题一一、选择题：（每小题2分，共24分）（1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路（4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈（6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和（9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通（11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）（1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。（2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。（3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。

浙江大学模电答案

第5章习题 5-1常用的电流源有哪几种？各有什么特点？试举例说出几个电流源应用的实例。 5-2描述差分放大器的电路组成结构、工作原理，说明其对巩膜信号的抑制及对差模信号放大作用？ 5-3长尾式差分放大器的拖尾电阻有何作用？如改变其大小，则差分放大器的性能如何变化？ 5-4带有理想电流源的差分放大电路中的电流源有何作用？ 5-5 对比差分放大器和单管共射极放大器的放大倍数，可以得到哪些异共同点？ 5-6 常用哪些指标来表征差分放大器的性能？试推导其表达式。 5-7 多级放大器之间有几种常用的偶合方式？各有什么特点？ 5-8 多级放大器分析计算的一般步骤？多级放大器有哪描述其特点的指标？ 5-9 通常模拟集成运算放大器内部由几部分组成？各有什么特点？ 5-10判断题 (1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立，它只能放大交流信号。 (2)共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。 (3)对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，发射极电阻Re 一概可视为短路。 (4)在长尾式差分放大电路单端输入情况时，只要发射极电阻Re 足够大，则Re 可视为开路。 (5)带有理想电流源的差分放大电路，只要工作在线性范围内，不论是双端输出还是单端输出，其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比，而与两个输入端电压本身的大小无关。 (6)一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。5-11填空题1 (1)放大电路产生零点漂移的主要原因是。 (2)在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路。这是由于。 (3)差动放大电路是为了而设置的，它主要通过来实现。 (4)在长尾式差动电路中，R e的主要作用是。

华南理工大学模电试题(附答案)

B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1．已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3．图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4．在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =，相应的电压增益为（）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5．根据不同器件的工作原理，试判断（）可以构成复合管。（A ）（B ）（C ）（D ） 6．在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益

浙大模电2篇3章习题解答

第二篇第3章习题题2.3.1 某集成运放的一个偏置电路如图题2.3.1所示，设T 1、T 2管的参数完全相同。问： (1) T 1、T 2和R REF 组成什么电路？ (2) I C2与I REF 有什么关系？写出I C2的表达式。图题2.3.1 解：(1) T 1、T 2和R 2组成基本镜像电流源电路。 (2) I C2与参考电流I REF 相同，REF BE CC REF C R V V I I -= =2 题2.3.2 在图题2.3.2所示的差分放大电路中，已知晶体管的β =80，r be =2 k Ω。 (1) 求输入电阻R i 和输出电阻R o ； (2) 求差模电压放大倍数vd A 。图题 2.3.2 解：(1) 该电路是双端输入双端输出电路，所以差模输入电阻：

1.4)05.02(2)(2=+?=+=e be i R r R k Ω 差模输出电阻为：R o =2R c =10 k Ω (2) 差模电压放大倍数为：66 05 .0812580)1(-=?+?- =β++β-=e be c vd R r R A 题2.3.3 在图题2.3.3所示的差动放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。 (1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ ，若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？ (2) 计算差模输入电阻R id 。当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2d A =?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2 c A 和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，问v C2相对于静态值变化了多少？e 点电位v E 变化了多少？图题2.3.3 解：(1) 求静态工作点： mA 56.010 2101/107122)1/(1=?+-= +β+-= e b BE EE CQ R R V V I V 7.07.010100 56.01-≈-?- =--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+?-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V 若将R c1短路，则 mA 56.021==Q C Q C I I （不变） V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V V

模拟电子线路期末试题和答案(两套)

《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是。 3．从信号的传输途径看，集成运放由、、、这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生次跃变，迟滞比较器的输出状态发生次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是、、、。二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小