Ni impurity induced enhancement of the pseudogap in cuprate high T_c superconductors

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Ni impurity induced enhancement of the pseudogap in cuprate high T c superconductors A.V.Pimenov 1,A.V.Boris 1,Li Yu 1,V.Hinkov 1,Th.Wolf 2,J.L.Tallon 3,B.Keimer 1,and C.Bernhard 11.Max-Planck-Institute for Solid State Research,Heisenbergstrasse 1,D-70569Stuttgart,Germany.2.Forschungszentrum Karlsruhe,INFP,D-76021Karlsruhe,Germany.3.Mac Diarmid Institute and Industrial Research Ltd.,Lower Hutt,New Zealand.(February 2,2008)Abstract The in?uence of magnetic Ni and non-magnetic Zn impurities on the normal state pseudogap (PG)in the c-axis optical conductivity of NdBa 2{Cu 1?y (Ni,Zn)y }3O 7?δcrystals was studied by spectral ellipsometry.We ?nd that these impurities which strongly suppress superconductivity have a profoundly di?erent impact on the PG.Zn gives rise to a gradual and inho-mogeneous PG suppression while Ni strongly enhances the PG.Our results challenge theories that relate the PG either to precursor superconductivity or to other phases with exotic order parameters,such as ?ux phase or d-density wave states,that should be suppressed by potential scattering.The appar-ent di?erence between magnetic and non-magnetic impurities instead points

towards an important role of magnetic correlations in the PG state.

Typeset using REVT E X

The unconventional normal-state(NS)properties of the cuprate high T c superconductors (HTSC)are a key issue in the search for the superconducting(SC)pairing mechanism.A prominent feature is the so-called pseudogap(PG)phenomenon which prevails in under-doped samples where it gives rise to a gradual and incomplete suppression of the low-energy spin and charge excitations well above the SC transition temperature,T c.It was?rst dis-covered by nuclear magnetic resonance(NMR)[1]and subsequently identi?ed in speci?c heat[2],angle-resolved photo-emission(ARPES)[3],and also in optical measurements[4]. In the latter it appears as a gap-like suppression of the far-infrared(FIR)c-axis conductivity perpendicular to the CuO2planes.The characteristic energy-and temperature(T)scales of the PG increase with underdoping whereas on the overdoped side they merge with or fall below the ones of the SC energy gap[3,5].Numerous models have been proposed to account for the PG phenomenon.The most in?uential ones can be divided into two categories.In the?rst one,the PG is related to a precursor SC state where macroscopic phase coherence is inhibited by thermal phase?uctuations[6]or pair condensation is delayed to much lower T than pair formation(Bose-Einstein-condensation scenario)[7].The second class assumes a distinct kind of order that may even compete with SC[8].Proposals include conventional and exotic spin-or charge density wave states[9–12],the stripe scenario[13],spin singlets in the spin-charge separation scenario[14]or lattice driven instabilities[15].

A major obstacle for the identi?cation of the PG state is that its low T properties are obscured by the response of the SC condensate.This problem can be overcome if SC order is suppressed either with a large magnetic?eld or by means of impurities within the CuO2 planes(Zn or Ni for Cu)that cause strong pair-breaking.The former approach requires extremely large?elds and is thus not viable in combination with spectroscopic techniques that access the relevant electronic energy scales.The latter approach has been limited to samples with rather low impurity content and thus minor T c suppression[16].

Here we report on the evolution of the PG in the optical c-axis conductivity of (Sm,Nd)Ba2{Cu1?y(Ni,Zn)y}3O7?δsingle crystals.Up to9%Zn and17%Ni per Cu atom have been incorporated allowing for a full suppression of SC even at optimum doping.

We?nd that non-magnetic Zn impurities and magnetic Ni impurities,both of which strongly suppress SC,have a profoundly di?erent impact on the PG.The non-magnetic Zn impuri-ties lead to a slow and inhomogeneous PG suppression,whereas the magnetic Ni impurities are bene?cial and strongly enhance the PG phenomenon.Ni substitution restores a normal state PG even in optimally doped and slightly overdoped samples where the PG is otherwise absent.Our observations are at variance with theories that relate the PG to a precursor SC state.Similar arguments apply for the exotic order parameters of the?ux-phase or d-density wave states where potential scattering from impurities also gives rise to destructive interference e?ects.Our data support the point of view that magnetic correlations play a prominent role in the PG formation.

High quality(Sm,Nd)Ba2{Cu1?y(Ni,Zn)y}3O7?d single crystals were grown with a?ux method under reduced oxygen atmosphere to avoid the substitution of RE ions on the Ba site [17].Zn and Ni contents were determined by energy dispersive x-ray(EDX)analysis.The use of rare earth ions with a large ionic radius(Nd or Sm)was found to assist the incorporation of higher amounts of Zn and Ni impurities.The SC transitions were determined by SQUID magnetometry.The quoted values of T c and?T c correspond to the midpoint and10to 90%width of the diamagnetic transition.The T c suppression closely follows the reported trend for Zn impurities[18]while for the Ni-impurities it is signi?cantly faster than in Y123 [19,20].Assuming a similar T c suppression rate for Zn and Ni impurities in the CuO2planes, we deduce that about half the Ni impurities reside in the planar Cu sites as opposed to the chain site which is favored in Y123[19,20].Zn is known to enter exclusively the planar site even in Y123.By annealing in?owing O2gas and subsequent rapid quenching into liquid nitrogen we prepared a series of crystals with di?erent Zn and Ni concentrations but identical oxygen content.It was shown by thermo-electric power(TEP)[21]and NMR [19,20]that Zn substitution leaves the hole doping state,p,of the CuO2planes una?ected. We performed TEP measurements on our crystals which establish that the Ni impurities also do not signi?cantly alter the hole doping state,p.

The ellipsometry experiments were performed at the infrared(IR)beamline at the ANKA

synchrotron at Forschungszentrum Karlrsuhe,Germany and with a laboratory-based setup [22].Ellipsometry measures directly the complex dielectric function without a need for Kramers-Kronig analysis.It is a self-normalizing technique that allows one to determine very accurately and reproducibly the dielectric function and,in particular,its T-dependent changes.

In Figs.1a to1c we present spectra of the real part of the c-axis conductivity,σ1c,below 2500cm?1(806cm?1 100meV)for Ni substituted NdBa2Cu3?y Ni y O6.8single crystals with y=0,0.03,0.06and0.12.The crystals were annealed at520?C in?owing O2and were underdoped with T c=65(4)K for y=0,T c=20(5)K for y=0.03,and T c<2K for y=0.06 and0.12.It is well established that a slightly higher oxygen content is required for Nd123 as compared with Y123in order to obtain the same doping state in the CuO2planes[23]. The TEP data indicate an almost constant hole doping state ranging from p≈0.1at y=0 to p≈0.11at y=0.17.Figure1a shows that the characteristic spectral features of the Ni-free crystal closely resemble those of similarly underdoped Y123[4,5].The narrow peaks correspond to the well known IR-active phonon modes of the123structure.A broader mode near420cm?1that develops in the SC state can be attributed to a transverse Josephson resonance mode[24].Only the so-called rare-earth mode exhibits a signi?cant red shift from 190to at175cm?1that is consistent with the mass ratio of Nd and Y.In the following we are mostly concerned with the underlying broad electronic response.In particular,we focus on the suppression of the electronic conductivity below～1100cm?1which develops already in the NS.A corresponding gap feature was previously observed in underdoped Y123and has been associated with the PG[4].It was shown to exhibit a similar magnitude,spectral shape and doping dependence as the PG that emerges from other spectroscopic experiments like ARPES or tunneling spectroscopy[5].It has a gradual onset atωP G≈2?P G(marked by arrows)that is characteristic of a k-space anisotropy of the underlying order parameter. Our most important result is that the energy scale of the PG in the c-axis conductivity becomes strongly enhanced upon Ni substitution,contrary to the naive expectation that impurities like Ni should reduce or at least wash out the corresponding gap features.This

is apparent in Figs.1a to1c whereωP G increases continuously from1150cm?1at y=0.0to about2050cm?1at y=0.12.The evolution ofωP G

as a function of Ni content for the entire

c

series is displayed in Fig.1d.We emphasize that the TEP data establish a nearly constant hole doping upon Ni substitution,if at all p exhibits a slight increase.The dramatic Ni induced increase inωP G thus cannot be explained in terms of a very large Ni-induced hole depletion.We also note that the corresponding in-plane response remains metallic even at y=0.17,albeit with a largely enhanced scattering rate(not shown here).

The spectra for a series of correspondingly underdoped NdBa2Cu3?y Zn y O6.8crystals with y=0.0(T c=65(5)K),0.06and0.09(T c<2K)are displayed in Figs.1e and1f.The non-magnetic Zn impurities have a profoundly di?erent impact on the PG phenomenon.The PG onset frequencyωP G exhibits a slight decrease from1150cm?1at y=0to890cm?1 at y=0.09(solid squares in Fig.1d)consistent with previous reports on moderately Zn-substituted Y123[16].In addition,the PG apparently?lls in and becomes less pronounced upon Zn substitution.This behavior is suggestive of an inhomogeneous scenario where the PG is locally suppressed around Zn-impurities while it remains virtually una?ected in remote regions.It agrees with scanning tunneling microscopy(STM)data on lightly Zn substituted Bi2212where the spectral gap was locally suppressed in the vicinity of the Zn impurities[25]. In contrast,for the Ni impurities there is no indication for such a spatially inhomogeniety. Especially at high Ni content our spectra even suggest that the PG develops towards a real gap sinceσel1c becomes almost fully suppressed at nonzero frequency.The continuous increase ofωP G indeed suggests that the Ni impurities interact with the PG correlations over a sizeable length scale well beyond the nearest neighbor distance.A corresponding increase of the energy gap was not observed in previous STM experiments on very lightly Ni substituted samples[26].We hope that our data will stimulate STM or ARPES experiments on heavily Ni-substituted crystals.

Our observations provide important information regarding the relevance of several PG models.Firstly,the apparent Ni impurity-induced enhancement of the PG energy scale is at variance with proposals that a precursor SC state lacking macroscopic phase coherence is at

the heart of the PG phenomenon[6].The Ni impurities(similar to Zn)give rise to sizeable potential scattering;the magnetic scattering is considerably weaker and plays only a minor role in the T c suppression[19,20,26,27].The potential scattering mixes states with opposite sign of the d-wave SC order parameter and thus gives rise to destructive interference resulting in a strong T c suppression and also in a reduction of the magnitude of the energy gap.While a strong-coupling scenario may explain a fairly weak impurity-induced PG suppression as observed for the Zn impurities[28],it does not account for the observed drastic increase of the PG energy scale upon Ni substitution.Similar arguments apply for models that account for the PG in terms of competing order parameters with exotic symmetry like the?ux phase or d-density wave states,which also exhibit a sign change in k-space or real-space[11,12]. Potential scattering from the Ni impurities should be deleterious for these order parameters. It is furthermore di?cult to explain how the energy scale of conventional charge or spin density waves states[9,10],which rely on the nesting condition at the Fermi-surface,can be so strongly enhanced by Ni impurities which broaden the electronic states and thus tend to weaken the nesting.

While our surprising results allow us to rule out several in?uential PG models,it remains an open question how the magnetic Ni impurities give rise to such a dramatic increase of the PG energy scale.The stunning di?erence between magnetic Ni impurities and non-magnetic Zn-impurities points towards an important role of magnetic correlations.Non-magnetic Zn2+(S=0)impurities are known to disrupt the network of AF exchange bonds.While low Zn concentrations(<2%)may induce magnetic correlations on nearest or next nearest neighbor Cu sites,these vanish rather rapidly at higher Zn content[29].Our unpublished μSR experiment establish that the magnetic Ni2+impurities(S=1)progressively strengthen the Cu spin correlations giving rise to a spin-freezing transition even in optimally and slightly overdoped samples.This hints at a prominent role of short-range AF spin correlations in the pseudogap formation.Further neutron scattering studies of the magnetic excitations in highly Ni-substituted samples[30],in particular,in the relevant energy range of50-100meV might allow one to further clarify the relationship with the PG phenomenon.

A related question is whether the Ni-impurities on the Cu(2)planar or Cu(1)chains sites are responsible for the PG enhancement.We tried to resolve this issue by investigating a pair of crystals with y=0.06where the relative Ni occupation was modi?ed by a high temperature annealing treatment(940?C in O2as compared to920?C in0.2%O2)prior to annealing at520?C.The former sample should contain an appreciably higher Ni-content on the chains.However,we could not observe any signi?cant shift inωP G which indicates either that we did not manage to induce a sizeable redistribution of Ni between plane and chain sites,or else that magnetic impurities on plane and chain sites tend to enhance the PG correlations.Note that the?nal answer to this question will not a?ect our main conclusions concerning the validity of the various PG models,which rely solely on the well established fact that Ni impurities on Cu(2)sites give rise to considerable potential scattering and thus should suppress rather than enhance a PG order parameter with an exotic symmetry.

Another interesting issue concerns the doping dependence of the PG phenomenon in the Ni substituted samples.In the pure samples the normal state PG vanishes at op-timum doping,while for overdoped samples the energy gap formation coincides with T c [4,5].The SC energy gap thus obscures the evolution of the PG.In particular,it does not allow one to explore whether the PG merges with the SC one extending well into the overdoped regime,or whether it vanishes shortly above optimum doping as was sug-gested based on speci?c heat and NMR data[8].In the following we show that our optical data support the latter scenario.Displayed in Fig.2are the c-axis optical spectra for optimally doped but non-superconducting SmBa2Cu2.86Ni0.14O7(p≈0.16)and overdoped Sm0.86Ca0.14Ba2Cu2.88Ni0.12O7with p≈0.2(from TEP).Figure2a shows that Ni substitu-tion restores a pronounced PG withωP G≈2200cm?1in the optimally doped crystal.For the overdoped crystal,as shown in Fig.2b,there remains only a trace of a PG whose en-ergy scale furthermore is strongly reduced toωP G≈700cm?1.The rapid decline of the PG energy scale on the overdoped side lends support to models which relate the onset of the PG correlations to a critical point that is located well within the SC dome[8](and thus hidden in pure samples).

In summary,we have investigated how the normal-state pseudogap(PG)in the c-axis optical conductivity is a?ected by magnetic Ni and non-magnetic Zn impurities.Most surprisingly,we?nd that the Ni impurities strongly increase the energy scale of the PG and restore a PG even in optimally and slightly overdoped samples.Our observations are at variance with theories that relate the PG to precursor superconductivity where the PG should not be enhanced by impurities that lead to potential scattering.They also con?ict with models of competing phases with exotic order parameters that are susceptible to destructive interference e?ects from potential scattering,such as?ux phase or d-density wave states.Our results indicate that magnetic correlations play an important role in the PG phenomenon.In particular,our data highlight that substitution of magnetic Ni impurities provides a unique opportunity to investigate the ground state properties of the PG in the absence of superconductivitiy.

We acknowledge the support of Y.L.Mathis and B.Gasharova at ANKA.We thank M. Mostovoy and R.Zeyher for stimulating discussions.Research at MPI-FKF was supported by the Deutsche Forschungsgemeinschaft(DFG),grant BE2684/1-2in FOR578.

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Figure1:(a)-(c)Real part of the c-axis infrared conductivity conductivity,σ1ab,of pure and Ni-substituted underdoped NdBa2{Cu1?y Ni y}3O6.8single crystals between10and 300K.Arrows mark the onset of the pseudogap atωP G.Corresponding spectra for Zn substituted crystals are shown in(d)and(e).The evolution ofωP G as a function of Ni content(solid diamonds)and Zn content(open circles)is displayed in(f).

Figure2:Real part of the c-axis infrared conductivity conductivity,σ1ab,of(a)opti-mally doped SmBa2Cu2.6Ni0.4O7and(b)overdoped Sm0.9Ca0.1Ba2Cu2.64Ni0.36O7.(c)The doping dependence of the PG energy scaleωP G is shown by solid squares(circles)for pure underdoped(overdoped)crystals and solid diamonds for heavily Ni substituted crystals.

σ1c (?-1 c m -1) σ1c (?-1cm

-1

) ωp g (m e V )impurity content (%) ν (cm -1)

σ

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-1) ν (cm -1)

σ1c (?-1 c m -1) σ1c (?-1 c m -1) p (holes per Cu) ? = 1/2 ? ωp g (m e V )

接近开关的选型与性能测定

接近开关的选型与性能测定 1.概述 接近开关是一种毋需与运动部件进行机械接触而可以操作的位置开关，当物体接近开关的感应面到动作距离时，不需要机械接触及施加任何压力即可使开关动作，从而驱动交流或直流电器或给计算机装置提供控制指令。接近开关是种开关型传感器（即无无触点开关），它即有行程开关、微动开关的特性，同时具有传感性能，且动作可靠，性能稳定，频率响应快，应用寿命长，抗干扰能力强等、并具有防水、防震、耐腐蚀等特点。产品有电感式、电容式、霍尔式、交、直流型。 接近开关又称无触点接近开关，是理想的电子开关量传感器。当金属检测体接近开关的感应区域，开关就能无接触，无压力、无火花、迅速发出电气指令，准确反应出运动机构的位置和行程，即使用于一般的行程控制，其定位精度、操作频率、使用寿命、安装调整的方便性和对恶劣环境的适用能力，是一般机械式行程开关所不能相比的。它广泛地应用于机床、冶金、化工、轻纺和印刷等行业。在自动控制系统中可作为限位、计数、定位控制和自动保护环节。接近开关具有使用寿命长、工作可靠、重复定位精度高、无机械磨损、无火花、无噪音、抗振能力强等特点。因此到目前为止，接近开关的应用范围日益广泛，其自身的发展和创新的速度也是极其迅速。 2.接近开关的主要功能 2.1检验距离 检测电梯、升降设备的停止、起动、通过位置；检测车辆的位置，防

止两物体相撞检测；检测工作机械的设定位置，移动机器或部件的极限位置；检测回转体的停止位置，阀门的开或关位置；检测气缸或液压缸内的活塞移动位置。 2.2尺寸控制 金属板冲剪的尺寸控制装置；自动选择、鉴别金属件长度；检测自动装卸时堆物高度；检测物品的长、宽、高和体积。 2.3检测物体存在有否检测生产包装线上有无产品包装箱；检测有无产品零件。 2.4转速与速度控制 控制传送带的速度；控制旋转机械的转速；与各种脉冲发生器一起控制转速和转数。 2.5计数及控制 检测生产线上流过的产品数；高速旋转轴或盘的转数计量；零部件计数。 2.6检测异常 检测瓶盖有无；产品合格与不合格判断；检测包装盒内的金属制品缺乏与否；区分金属与非金属零件；产品有无标牌检测；起重机危险区报警；安全扶梯自动启停。 2.7计量控制 产品或零件的自动计量；检测计量器、仪表的指针范围而控制数或流量；检测浮标控制测面高度，流量；检测不锈钢桶中的铁浮标；仪表量程上限或下限的控制；流量控制，水平面控制。

蛋白纯化离子交换层析

蛋白纯化离子交换层析 离子交换层析技术是以离子交换剂为固定相，常见的离子交换剂是由一类不溶于水的惰性高分子聚合物基质，通过共价键结合某种电荷基团，形成带电基质，带异性电荷的平衡离子能够通过静电力作用结合在电荷基质上，而平衡离子能够与样品流动相中的离子基团发生可逆交换而吸附在交换剂上，不同带电荷蛋白间结合吸附固定相的能力不同。离子交换技术就是根据蛋白质样品间带电性质的差别而进行分离的一种层析方法。 常见的离子交换剂有离子交换纤维素、离子交换树脂和离子交换葡聚糖凝胶。根据与高分子聚合物基质共价结合的电荷基团的性质不同，可以将离子交换剂分为阳离子交换剂和阴离子交换剂，在阳离子交换剂中，带正电荷的平衡离子能够和流动相中带正电荷的离子基团进行交换。例如DEAE纤维素阳离子交换剂，当纤维素交换剂分子上结合阳离子基团二乙氨乙基（DEAE）时，形成阳离子纤维素—O—C6 H14N+H，可与带负电荷的蛋白质进行结合，交换阴离子。 根据与高分子聚合物基质共价结合的电荷基团的解离度不同，又可以分为强酸型、中等酸型、弱酸型三类阳离子交换剂，强酸型离子交换剂在较大的pH范围内电荷基团完全解离，而弱酸型只能在较小的pH范围内完全解离，如结合羧甲基的离子交换剂在pH小于6时就失去了交换能力。 强酸型阳离子交换剂一般结合的基团有：磺酸甲基、磺酸乙基；中等酸型阳离子交换剂有：磷酸基团和亚磷酸基团；弱酸型离子交换剂有：酚羟基和羧基类； 在阴离子交换剂中，带负电荷的平衡离子能与流动相中带负电的离子基团进行交换，例如阴离子交换剂CM纤维素，当纤维素交换剂分子上结合羧甲基（CM）时，形成带有负电荷的阴离子（纤维素－O－CH2－COO一），可与带正电荷蛋白质结合，交换阳离子。 根据与高分子聚合物基质共价结合的电荷基团的解离度不同，可分为强碱型、中等碱型、弱碱型阴离子交换剂。一般结合季胺基团基质的交换剂为强碱型离子交换剂，结合叔胺、仲胺、伯胺等为中等或者弱碱型离子交换剂。 蛋白质是两性电解质，当溶液的pH值与蛋白质等电点相同时，蛋白质的静电荷为0，当溶液pH值大于蛋白质等电点时，羧基电离，蛋白质带负电荷，蛋白质能够被阴离子交换剂所吸附，相反，当溶液的pH值小于蛋白质等电点时，则氨基电离，蛋白质带正电荷，被阳离子交换剂所吸附，溶液的pH值距蛋白质等电点越远，蛋白质带电荷越多，与交换剂的结合程度也越强，反之则越弱。 当溶液的pH值发生改变时，蛋白质与交换剂的吸附作用也发生变化，因此可以通过改变洗脱液的pH值来改变蛋白对交换剂的吸附能力，从而把不同的蛋白质逐个分离，当pH值增高时，抑制蛋白质阳离子化，随之对阳离子交换剂的吸附力减弱，当pH值降低时，抑制蛋白质阴离子化，随之降低蛋白质对阴离子交换剂的吸附。 另外，无机盐离子（如NaCl）对交换剂也具有交换吸附的能力，当洗脱液中的离子强度增加时，无机盐离子和蛋白质竞争吸附交换剂。当Cl-的浓度大时，蛋白质不容易被吸附，吸附后也易于被洗脱，当Cl-浓度小时，蛋白质易被吸附，吸附后也不容易被洗脱。 因此，洗脱阴离子交换剂结合的蛋白时，则降低pH值，增加盐离子浓度；洗脱阳离子交换剂结合蛋白时，则升高溶液pH值，增加盐离子浓度，能够洗脱交换剂上的结合蛋白。

非晶和纳米晶合金的比较

铁基非晶合金在工频和中频领域，正在和硅钢竞争。铁基非晶合金和硅钢相比，有以下优缺点。 1）铁基非晶合金的饱和磁通密度Bs比硅钢低 但是，在同样的Bm下，铁基非晶合金的损耗比0.23mm厚的3％硅钢小。一般人认为损耗小的原因是铁基非晶合金带材厚度薄，电阻率高。这只是一个方面，更主要的原因是铁基非晶合金是非晶态，原子排列是随机的，不存在原子定向排列产生的磁晶各向异性，也不存在产生局部变形和成分偏移的晶粒边界。因此，妨碍畴壁运动和磁矩转动的能量壁垒非常小，具有前所未有的软磁性，所以磁导率高，矫顽力小，损耗低。 2）铁基非晶合金磁芯填充系数为0.84～0.86 3）铁基非晶合金磁芯的工作磁通密度 1.35T～1.40T，硅钢为1.6T～1.7T。铁基非晶合金工频变压器的重量是硅钢工频变压器的重量的130％左右。但是，即使重量重，对同样容量的工频变压器，磁芯采用铁基非晶合金的损耗，比采用硅钢的要低70％～80％。 4）考虑损耗，总的评估价为89％ 假定工频变压器的负载损耗（铜损）都一样，负载率也都是50％。那么，要使硅钢工频变压器的铁损和铁基非晶合金工频变压器的一样，则硅钢变压器的重量是铁基非晶合金变压器的1?8倍。因此，国内一般人所认同的抛开变压器的损耗水平，笼统地谈论铁基非晶合金工频变压器的重量、成本和价格，是硅钢工频变压器的130％～150％，并不符合市场要求的性能价格比原则。国外提 出两种比较的方法，一种是在同样损耗的条件下，求出两种工频变压器所用的铜铁材料重量和价格，进行比较。另一种方法是对铁基非晶合金工频变压器的损耗降低瓦数，折合成货币进行补偿。每瓦空载损耗折合成5～11美元，相当于人民币42～92元。每瓦负载损耗折合成0.7～1.0美元，相当于人民币6～8.3元。例如一个50Hz，5kVA单相变压器用硅钢磁芯，报价为1700元/台；空载损耗28W，按60元人民币/W计，为1680元；负载损耗110W，按8元人民币/W计，为880元；则，总的评估价为4260元/台。用铁基非晶合金磁芯，报价为2500元/台；空载损耗6W，折合成人民币360元；负载损耗110W，折合成人民币880元，总的评估价为3740元/台。如果不考虑损耗，单计算报价，5kVA铁基非晶合金工 频变压器为硅钢工频变压器的147％。如果考虑损耗，总的评估价为89％。 5）铁基非晶合金抗电源波形畸变能力比硅钢强 现在测试工频电源变压器磁芯材料损耗，是在畸变小于2％的正弦波电压下进行的。而实际的工频电网畸变为5％。在这种情况下，铁基非晶合金损耗增加到106％，硅钢损耗增加到123％。如果在高次谐波大，畸变为75％的条件下（例如工频整流变压器），铁基非晶合金损耗增加到160％，硅钢损耗增加到300％以上。说明铁基非晶合金抗电源波形畸变能力比硅钢强。 6）铁基非晶合金的磁致伸缩系数大 是硅钢的3～5倍。因此，铁基非晶合金工频变压器的噪声为硅钢工频变压器噪声的120％，要大3～5dB。

蛋白纯化层析柱

蛋白纯化层析 从个人学术性实验室到大型的医药制造企业，小型或者大规模的蛋白纯化通常都需要几种类型的液相色谱仪。这些相关的大部分技术已应用了多年，但是新型柱料的发展为这些利用蛋白物理和化学特性进行分离的，经过时间考验的方法注入了新的力量。其中最值得提到的就是凝胶过滤层析技术（gel filtration，GF），离子交换层析技术（ion exchange，IEX），羟基磷灰石层析（hydroxyapatite，HAP）和疏水作用层析（hydrophobic interaction，HI)，以及亲和层析和高效液相色谱方法（high-performance liquid chromatography，HPLC）。 对于一个初接触蛋白纯化的新手而言，从哪儿下手也许是令人头疼的一件事，但是幸运的是目前这些流程都已经逐步系统化了。GE Healthcare（原Amersham Biosciences）的技术顾问Andrew Mitchell 解释道，通常利用液相色谱技术进行蛋白纯化有三步： 捕获——从细胞其它成份，比如DNA和RNA中分离需要的蛋白； 区分——从与目的蛋白具有相近的大小，或者相似的物理/化学特征的污染物中分离蛋白； 修饰——使分离得到的样品处于可使用状态。 这每一个纯化的步骤都有特定的色谱层析技术和最佳的beads大小。第一步捕获步骤，也就是从细胞裂解物粗成份中分离蛋白，这需要一个具有高容量和高流量（flow rate）的填料。bead大小比较大，范围比较宽（比较于bead大小平均值）的“fast flow”填料比较理想，

这种填料也有利于防止目标蛋白被水解——因为速度比较快。 第二步则对分辨率要求更高，需要更好的从混合物中分离需要的成份。通常bead的大小与分辨率成反比，因此在这一部中比较小的bead 比较合适。吸附性的技术，比如离子交换IEX和疏水作用HI通常被用在纯化的这前两个步骤，而凝胶过滤则会留到了最后的修饰那一步，用于小体积，高浓度的样品。另外要注意，进行凝胶过滤层析时，样品的体积应该保持在柱床体积的1%到4%。 选择柱料的时候有两个因素要考虑到，针对目的蛋白的选择性和有效性——这些可以由洗脱峰的宽度来说明。其中选择性主要是指填料与目的蛋白相互作用以及结合的能力，IEX和HI层析方法就是指目标分子与筛分介质之间的相互作用，而GF的选择性依赖于填料的分馏范围（fractionation range）。 柱料的有效性则是指层析介质洗脱样品得到显著层析峰的能力，Mitchell表示，“如果你的峰值不集中，比较宽，那么即使是选择性很好，分辨率仍然会被消弱”。bead越大，洗脱峰就越不集中，柱子的有效性就越低。纯化洗脱相近的蛋白需要高效性，高选择性和高效性的结合就会得到高分辨率。 凝胶过滤层析(gel filtration chromatography) 凝胶过滤法（gel filtration）也称为排阻层析（exclusion chromatography）、凝胶层析（gel chromatography）或分子筛层析（molecular sieve chromatofraphy），它是在1960年后发展出来的技术。

QD-F-K8L接近开关

接近开关接线图|选型|厂家|接线图|NPN|PNP|电气符号|型号|品牌|24v 接近开关实物接线图|二线接近 感应式传感器QD-F-K8L 40 mm 齐平安装 NAMUR sensors must be operated with approved switch amplifiers. Please find suitable devices below: 参数表节选：的技术参数QD-F-K8L 一般特性 开关功能 常闭 (NC) 输出类型 NAMUR 额定工作距离 40 mm 安装 齐平 可靠动作距离 0 ... 32 mm 实际动作距离 36 ... 44 mm 类型 40 mm 衰减因素 r 铝 0,35

接近开关接线图|选型|厂家|接线图|NPN|PNP|电气符号|型号|品牌|24v 接近开关实物接线图|二线接近 衰减因素 r 铜 0,35 衰减因素 r 304 0,8 输出类型 2 线 额定值 安装条件 F 100 mm 额定电压 8,2 V （R i 约 1 kΩ） 开关频率 0 ... 80 Hz 迟滞 0 ... 5 类型 3 % 反极性保护 反极性保护

接近开关接线图|选型|厂家|接线图|NPN|PNP|电气符号|型号|品牌|24v 接近开关实物接线图|二线接近 短路保护 是 电流消耗 未检测到测量板 ≥ 3 mA 检测到测量板 ≤ 1 mA 开关状态指示 黄色 LED 功能安全性参数 平均失效时间（天） 2360 a 使用寿命（...月...天） 20 a 诊断范围 0 % 与标准和规范体系的一致性 符合标准

Protocol蛋白质纯化步骤

Protocol 蛋白质纯化方法（镍柱） 柱前操作 1.IPTG诱导后，收菌，8000rpm/min(r/m)离心10min; 2.用Binding Buffer（BB）溶解（每100ml原菌液加BB 20ml),超声裂解30min（工作：5s,停止：5s)，1500r/m离心10min,去除杂质； 3.取上清，12000r/m离心20min, 得包涵体； 4.用含2M尿素的BB洗包涵体，12000r/m离心20min,(上清做电泳）；？？？ 5.用含6M尿素的BB溶解包涵体，12000r/m离心20min,(上清做电泳）； 6.对照电泳结果，将上清或包涵体溶解液上柱； 平衡柱子（柱体积：V） 7. 3V（3倍柱体积）ddH2O(洗乙醇）； 8. 5V Charge Buffer（CB); ？？？ 9. 3V BB; 柱层析 10.上样； 11. 10V Washing Buffer（WB）； 12. 6V Elute Buffer（EB); 13.分管收集，每管1~2ml. 各种缓冲液配方 1. 8×BB: 4M NaCl, 160mM Tris-HCl, 40mM imidazole(咪唑），pH=7.9 1000ml NaCl: 58.44×4=233.76g Tris-HCl: 121.14×160×10-3=19.3824g Imidazole: 68.08×40×10-3=2.7232g 2. 8×CB: 400mM NiSO4 1000ml NiSO4: 262.8×400×10-3=105.12g 3. 8×WB: 4M NaCl, 160mM Tris-HCl, 480mM imidazole, pH=7.9 1000ml NaCl: 233.76g, Tris-HCl:19.3824g, Imidazole: 32.6784g 4. 4×EB: 2M NaCl, 80mM Tris-HCl, 4M imidazole, pH=7.9 1000ml NaCl: 118.688g, Tris-HCl:9.6912g, Imidazole: 272.32g 5. 6M 尿素 1000ml 尿素：60.06×6=360.36g

电感式接近开关

电感式接近开关原理 1.电感式接近开关工作原理 电感式接近开关由三大部分组成：振荡器、开关电路及放大输出电路。振荡器产生一个交变磁场。当金属目标接近这一磁场，并达到感应距离时，在金属目标内产生涡流，从而导致振荡衰减，以至停振。振荡器振荡及停振的变化被后级放大电路处理并转换成开关信号，触发驱动控制器件，从而达到非接触式之检测目的 2.霍尔接近开关工作原理 当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U，其表达式为U=K·I·B/d其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度，d是薄片的厚度。 由此可见，霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件，它是在霍尔效应原理的基础上，利用集成封装和组装工艺制作而成，它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号，同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。霍尔开关的输入端是以磁感应强度B来表征的，当B值达到一定的程度(如B1)时，霍尔开关内部的触发器翻转，霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出，和其他传感器类似有NPN、PNP、常开型、常闭型、锁存型(双极性)、双信号输出之分。霍尔开关具有无触电、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点，内部采用环氧树脂封灌成一体化，所以能在各类恶劣环境下可靠的工作。霍尔开关可应用于接近传感器、压力传感器、里程表等，作为一种新型的电器配件。 3.线性接近传感器的原理 线性接近传感器是一种属于金属感应的线性器件，接通电源后，在传感器的感应面将产生一个交变磁场，当金属物体接近此感应面时，金属中则产生涡流而吸取了振荡器的能量，使振荡器输出幅度线性衰减，然后根据衰减量的变化来完成无接触检测物体的目的。 该接近传感器具有无滑动触点，工作时不受灰尘等非金属因素的影响，并且低功耗，长寿命，可使用在各种恶劣条件下。线性传感器主要应用在自动化装备生产线对模拟量的智能控制。 4. 电感式接近开关工作原理 电感式接近开关由三大部分组成：振荡器、开关电路及放大输出电路。振荡器产生一个交变磁场。当金属目标接近这一磁场，并达到感应距离时，在金属目标内产生涡流，从而导致振荡衰减，以至停振。振荡器振荡及停振的变化被后级放大电路处理并转换成开关信号，触发驱动控制器件，从而达到非接触式之检测目的。 附录1：部分常用材料的值 1、概述 接近传感器可以在不与目标物实际接触的情况下检测靠近传感器的金属目标物。根据操作原理，接近传感器大致可以分为以下三类：利用电磁感应的高频振荡型，使用磁铁的磁力型和利用电容变化的电容型。 特性： ●非接触检测，避免了对传感器自身和目标物的损坏。

成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和 软磁性能的影响综述--研究生课程论文

研究生课程论文 （2016 -2017 学年第一学期） 论文标题：成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和软磁性能的影响综述 提交日期：2016 年12 月19日研究生签名：

成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和软磁性能 的影响综述 1.引言 铁基非晶态合金是一种具有特殊结构和优越性能的新型材料,通过快速凝固在原子层次控制了液态金属的排列,使原子排列保持液态金属的长程无序状态.由于原子排列不规则、长程无序、没有晶粒晶界的存在,因而使得该类材料具有极佳的机械性能、磁性能和耐腐蚀性等优点,通过非晶合金演变纳米晶的可控性,可以进一步得到性能更加优异的纳米晶和非晶/纳米晶复合结构材料,兼具有高饱和磁感应强度、高磁导率和低高频损耗等性能特点[1]，是硅钢、铁氧体和坡莫合金等传统软磁材料的替代产品。 要形成非晶合金GFA (玻璃形成能力) 非常重要，井上明久在大量实验结果的基础上总结了非晶合金获得较高GFA需要的３个条件:(1)合金成分含有３种及３种以上元素;(2)不同元素原子半径有较大差异;(3)各元素之间的混合热为负值[2]. Fe基非晶纳米晶合金优异的磁特性由它们的磁致伸缩系数（<20ppm）和磁各向同性都很低。根据随机各向异性模型（RAM）[3]，如果晶粒尺寸减小到低于最小交换长度（D <

和纳米尺度区域。在微观尺度区域，粒度和H c之间的反比关系（Hc-D-1）表示传统的原则，即大晶粒尺寸利于软磁性能的提高，但是大的晶粒和磁畴尺寸会增加铁损。在纳米尺度区域，新的非晶微晶合金落在常规的硅钢和铁基非晶合金之间。矫顽力和晶粒尺寸（Hc-D 6）关系显示，在纳米级别，晶粒尺寸的变化，即使是少量仍可能对最终的软磁特性产生显著影响[3,20]。 目前研究的Fe 基纳米晶软磁合金带材主要有Fe-Si-B 系、Fe-Zr-B 系和Fe-B 系。具体讲主要有三种牌号，分别是牌号为Finemet 的Fe-M-Si-Cu-B(M=Nb、Cr、V、W、Mo 等)合金，牌号为Nanoperm的Fe-M-B(M=Zr、Hf、Nb、Ta等)合金[5-6]和牌号为Hitperm的(Fe,Co)-M-B(M=Zr、Hf、Nb 等)合金[4-5]。三种牌号的合金都是采用对非晶合金前驱体进行晶化处理得到纳米晶合金的方法制备而成[1]。通过晶化退火处理不但可以有效地消除合金的内应力，还可以获得纳米晶结构的合金材料，因其具有超细化的显微组织从而表现出极佳的软磁性能[6]。 不同成分对铁基非晶纳米晶软磁性能有很大影响，本文目的是阐明对微观结构和软磁性能有充分研究的元素，如硅，硼，铜，铌，锆，氮掺杂，磷，镍，钴，氢化和锗对铁基非晶纳米晶合金特性的影响。表1总结了各成分的影响结果。 表1.Fe非晶/纳米晶合金添加元素的影响 2.合金元素的影响 2.1 Si和B Fe基合金的GFA比非铁合金系如Mg，Zr，Pd基合金低得多。事实上，通过铜模铸造在Zr和Pd基合金中可获得厚度大于1mm的块状金属玻璃，而在Fe基合金中形成的带材厚度只有几微米。添加B和Si可促进合金凝固过程中非晶态结构的形成，并且B对GFA的提高效应是Si的5倍[8]。此外，应当注意，尽管B可以增强GFA，但它也可以减少一次和二次结晶峰之间的安全间隙，如图2所示。这种物

接近开关的选型

接近开关的选型 对于不同的材质的检测体和不同的检测距离，应选用不同类型的接近开关，以使其在系统中具有高的性能价格比，为此在选型中应遵循以下原则： 4.1.1.当检测体为金属材料时，应选用高频振荡型接近开关，该类型接近开关对铁镍、a3钢类检测体检测最灵敏。对铝、黄铜和不锈钢类检测体，其检测灵敏度就低。 4.1.2.当检测体为非金属材料时，如；木材、纸张、塑料、玻璃和水等，应选用电容型接近开关。 4.1.3.金属体和非金属要进行远距离检测和控制时，应选用光电型接近开关或超声波型接近开关。 4.1.4.对于检测体为金属时，若检测灵敏度要求不高时，可选用价格低廉的磁性接近开关或霍尔式接近开关。 在各类开关中，有一种对接近它物件有“感知”能力的元件——位移传感器。利用位移传感器对接近物体的敏感特性达到控制开关通或断的目的，这就是接近开关。 当有物体移向接近开关，并接近到一定距离时，位移传感器才有“感知”，开关才会动作。通常把这个距离叫“检出距离”。不同的接近开关检出距离也不同。 有时被检测验物体是按一定的时间间隔，一个接一个地移向接近开关，又一个一个地离开，这样不断地重复。不同的接近开关，对检测对象的响应能力是不同的。这种响应特性被称为“响应频率”。 种类 因为位移传感器可以根据不同的原理和不同的方法做成，而不同的位移传感器对物体的“感知”方法也不同，所以常见的接近开关有以下几种： 1．涡流式接近开关 这种开关有时也叫电感式接近开关。它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场 接近开关时，使物体内部产生涡流。这个涡流反作用到接近开关，使开关内部电路参数发生变化，由此识别出有无导电物体移近，进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体必须是导电体。 2．电容式接近开关 这种开关的测量通常是构成电容器的一个极板，而另一个极板是开关的外壳。这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。当有物体移向接近开关时，不论它是否为导体，由于它的接近，总要使电容的介电常数发生变化，从而使电容量发生变化，使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化，由此便可控制开关的接通或断开。这种接近开关检测的对象，不限于导体，可以绝缘的液体或粉状物等。 3．霍尔接近开关 霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象必须是磁性物体。 4．光电式接近开关

接近开关检测距离表

接近开关检测距离表 接近开关检测距离表，选型接近开关时必备参数 常用直径尺寸例：M8意思是8MM直径带螺纹接近开关 电感式接近开关检测距离均分为4种长度，为什么要这样分呢。因为生产的成本价格不同，在同一种直径大小的接近开关里距离越长价格越高。 什么叫齐平：检测头不处露的，安装须跟孔位齐平安装。什么叫非平检测头露出4－8MM的，安装须把检测头露出，也可以夹稳使用。 M8 接近开关检测距离：齐平：1MM 2MM 3MM 4MM 非平： 2MM 4MM 6MM 8MM M12接近开关检测距离：齐平：2MM 4MM 6MM 8MM 非平：4MM 8MM 10MM 12MM M18接近开关检测距离：齐平：5MM 8MM 12MM 15MM 非平： 8MM 16MM 20MM 23MM

M30接近开关检测距离：齐平：10MM 16MM 22MM 25MM 非平： 15MM 25MM 40MM 50MM 以下为电容式： {电容式可做无螺纹6.5MM，现市场上外型小的一种电容式接近开关，检测距离如下M8型} M8 接近开关检测距离：齐平：1MM 2MM 非平：2MM 4MM M8接头式的可选可调，M12以下全部默为可调式 M12接近开关检测距离：齐平：1-3MM 1-6MM 非平：1-6MM 1-8MM M18接近开关检测距离：齐平：2-8MM 2-16MM 非平：2-15MM 2-25MM M30接近开关检测距离：齐平：2-20MM 2-25MM 非平：2-30MM 2-35MM 超小型：

φ3跟M4超小型接近开关检测距离：0.6MM 0.8MM 1MM φ4跟M5,方型5*5三种超小型接近开关检测距离：0.5MM 1MM 1.5MM 如何选好接近开关的型号 1当检测体为金属材料时，应选用高频振荡型接近开关，该类型接近开关对铁镍、A3钢类检测体检测灵敏。对铝、黄铜和不锈钢类检测体，其检测灵敏度就低。 2.当检测体为非金属材料时，如;木材、纸张、塑料、玻璃和水等，应选用电容型接近开关。 3.金属体和非金属要进行远距离检测和控制时，应选用光电型接近开关或超声波型接近开关。 4.对于检测体为金属时，若检测灵敏度要求不高时，可选用价格低廉的磁性接近开关或霍尔式接近开关。 关于接近开关选型的介绍,按照这种标准来作为你接近开关选型的原则的话那么将会为您省下很大的一部分费用及更好的工作效率。

倍加福P+F接近开关选型样本

P+F倍加福接近开关 From：上海贵伦自动化设备有限公司https://www.sodocs.net/doc/c515791344.html,/product_list.asp?id=341 【产品介绍】 接近传感器 ■电感式传感器 ■电感式特殊型传感器 ■位置传感器，阀位回讯传感器 ■电容式传感器 ■磁式传感器 ■传感器安装附件 ●电感式传感器可广泛应用于对物体进行非接触式的高精度的位置测量的场合，可覆盖大多数的工业领域 特性： ■动作距离：0.2-100mm ■外壳材料：不锈钢，黄铜镀镍 ■极性反转保护 ■短路保护 ■LED显示在中间或四周 ■M8或M12连接器或端子连接

■传感器带PVC，PUR或硅电缆输出 ■2线，3线或4线DC，AC，NAMUR和AS-I技术 特殊系列： ■0mA…20mA模拟量输出 ■集成的速度监控达100Hz ■高压型传感器达350bar ■危险区域型传感器 ■不锈钢感应面 ■衰减系数为1 ■防护等级为IP68/IP69K ■防磁防焊型 ■铁质金属和非铁质金属选择型 ■温度扩展型：-40℃-+250℃ ●电容式传感器可用来检测包括金属物体和非金属物体在内的所有物体，其中包含有液位和流体控制 特性： ■不锈钢或塑料外壳的圆柱型，12，18或30mm ■矩形外壳从：5mm到80mm*80mm*40mm，感应距离在40mm内 ■可用于危险区域 ●磁式传感器 P+F公司的磁式传感器有M12外壳用于传统磁式物质检测，以及防护等级IP67，透过25mm不锈钢气缸检测气缸位置的磁式开关。 ●位置传感器 位置传感器主要用于监控电枢或阀门。它是在一个简单外壳下组合有两个传感器，这样安装简单，维护方便。P+F几十年的产品经检验NAMUR型位置传感器可用于危险区域。 位置传感器有安装于"传统盒子"内的，和直接安装于执行器上的两种。用户可以选择端子连接，连接器连接和电缆连接方式。阀门可通过传感器直接控制。 特性： ■可直接安装 ■在盒子中安装 ■可安装于盒中的线路板 ■直接AS-Interface连接 ■简单方便的安装 ■集成的阀门控制 （1）用字母表示 N-电感式 C-电容式 M-磁式

蛋白纯化层析柱

蛋白纯化层析柱 2011-06-15 15:19:14 易生物仪器浏览次数:1164 网友评论 0 条 从个人学术性实验室到大型的医药制造企业，小型或者大规模的蛋白纯化通常都需要几种类型的液相色谱仪。这些相关的大部分技术已应用了多年，但是新型柱料的发展为这些利用蛋白物理和化学特性进行分离的，经过时间考验的方法注入了新的力量。其中最值得提到的就是... 关键词:蛋白离子交换分离分子物质树脂从个人学术性实验室到大型的医药制造企业，小型或者大规模的蛋白纯化通常都需要几种类型的液相色谱仪。这些相关的大部分技术已应用了多年，但是新型柱料的发展为这些利用蛋白物理和化学特性进行分离的，经过时间考验的方法注入了新的力量。其中最值得提到的就是凝胶过滤层析技术(gel filtration，GF)，离子交换层析技术(ion exchange，IEX)，羟基磷灰石层析(hydroxyapatite，HAP)和疏水作用层析(hydrophobic interaction，HI)，以及亲和层析和高效液相色谱方法(high-performance liquid chromatography，HPLC)。 对于一个初接触蛋白纯化的新手而言，从哪儿下手也许是令人头疼的一件事，但是幸运的是目前这些流程都已经逐步系统化了。GE Healthcare(原Amersham Biosciences)的技术顾问Andrew Mitchell解释道，通常利用液相色谱技术进行蛋白纯化有三步: 捕获——从细胞其它成份，比如DNA和RNA中分离需要的蛋白; 区分——从与目的蛋白具有相近的大小，或者相似的物理/化学特征的污染物中分离蛋白; 修饰——使分离得到的样品处于可使用状态。 这每一个纯化的步骤都有特定的色谱层析技术和最佳的beads大小。

接近开关NPN和PNP区别(初学必读!)

接近开关NPN和PNP区别（初学必读！）在市场上不同类型的接近开关当中，除二线制开关以外，无论是在工程设计时选型还是使用安装时都需要考虑传感器与系统（PLC）的输出连接方式。大多数的接近开关输出回路无论是NPN型还是PNP型都是属集电极开路输出信号形式（AC型除外），且都具有最基本的3条信号线,其分别为（VCC；GND；OUT），也有4线制的OUT（NO+NC）。 一、NPN型、PNP型输出线定义要素 首先我们对3条信号线定义或称呼进行说明: 1.VCC：即为电源，又称为+V；（俗称电源正极，接红色或褐色线）。 2.GND：即为接地线，又称为0V；（俗称电源负极，接蓝色线）。 3.OUT：即为信号输出线，又称为负载；（接黑色（或白色）线）。 接着单纯的说明NPN型、PNP型代表的意思： NPN型：可简称N型，N表示信号端为负电压输出；部开关连接于信号端 与负极。 PNP型：可简称P型，P表示信号端为正电压输出；部开关连接于信号端与正极。

同时两种类型都有NO(常开)型或NC(常闭)型不同的输出常态，在选型时单 纯的选择NPN型或PNP型输出均是不全面的描述。 从 信 号 端 而 言 NP N型或PNP型严格来说应为如下情况： 但是在实际应用中往往不仅仅简单了解信号端输出类型就能知道自己所需 要的接近开关、光电开关、传感器之类的接线方法是否正确，还需要了解对具体应用的输入输出信号和电源。多凯科技作为专业的传感器制造商，在多年与客户的接触中总结出，在实践中有直接连接中间继电器或者连接单片机使用的，也有连接PLC使用的，接入方式不同，对应的信号线接法也就不同，整理应用如下。

倍加福接近开关选型

倍加福接近开关选型 P+F接近开关选型德国倍加福接近开关选型接近开关选型电感式接近开关 "电感式传感器—可广泛用于对金属物体进行非接触式的高精度的位置测量的场合 基本品种：NBB、NBN、NEB、NCB、NJ、SJ、FJ、RJ、NMB系列。 外形：圆柱形、矩形、扁平形、槽形及环形、VaiKont（头部可转换）形。 感应范围：0.2-100mm 输入：AC、DC或AC/DC 输出：2、3或4线制、常开（NO）、常闭（NC）、常开常闭转换以及模拟量输出。输出电流：开关量输出（10-500mA）、模拟量输出（0-20mA）。 保护功能：具备极性保护、短路或过载保护、断路监视、过压保护 电容式接近开关 "电容式传感器—可用来检测包括金属和非金属物体在内的所有物体 基本品种：CJ系列 外形：圆柱形、矩形及扁平形。 感应范围：1-40mm 输入：AC、DC或AC/DC。 输出：开关量输出常开（NO）或常闭（NC），2，3或4线制。 保护功能：具有极性保护、短路保护。" 磁式传感器 "磁式传感器—能检测磁体（永磁体或电磁体）、铁磁体 基本品种：MJ系列、MB系列 外形：圆柱形及矩形 感应范围：25-60mm 输入：DC 输出：常开（NO）、常闭（NC）2线或3线制" 特殊传感器 说明：有耐高温型、防磁防焊型、金属检测无衰减型、材料选择型及增强型防护等级 IP68/IP69K、耐高压型350bar 等特殊传感器。欢迎来电来函索取更详细的资料。

选型对照如下： N B B 5 - 18 G M 50 - E2 （1）（2）（3）（4）（5）（6）（7）（8）（9） （1）用字母表示 N-电感式 C-电容式 M-磁式 R-环型（电感式） IA-模拟量（电感式） （2）用字母表示 B-基本系列 C-标准系列 J-原始系列 E-感应距离增大型（电感式） （3）用字母表示 B-齐平安装（电感式、电容式） N-非平安装（电感式、电容式） （4）用数字表示(mm) 0.2-100-开关距离（电感式） 10-43-环型传感器直径 2-30槽型传感器槽宽 （5）用数字（mm）或字母表示 圆柱型传感器直径采用数字表示 用字母F、F1、F2、F9、F10、F11、 F17、F29、F33、F41及V3，L1／L2 表等示各种形状的矩型传感器。 FP-方型（扁平型） U－感应头部可转换型（VariKont） （限位开关型） MIK-感应头部可转换型（小型限位开 关型）（VariKontM） （6）用字母表示 G-有螺纹 无字母-光杆 （7）用字母表示 M－金属外壳

电感式接近开关型号对照表

备注：本资料仅供福大内部工作参考，不作为选型唯一依据。具体选型需结合各品牌最新样本参数进行，或咨询霍尼韦尔技术支持热线 400 633 6089。 福大霍尼韦尔总经销 14235致上 Honeywell Schneider Omron 外形 外壳 尺寸 感应距 安装方式 输出类型 接线方式 材料 离(mm)JSM802UD1C2 XS208BLNAL2C E2E-X2ME1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JSM802UD2C2 XS208BLPAL2C E2E-X2MF1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JSM802UD3C2 XS208BLNBL2C E2E-X2ME2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JSM802UD4C2 XS208BLPBL2C E2E-X2MF2 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JSM81E5D1C2 XS108BLNAL2C E2E-X1R5E1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JSM81E5D2C2 XS108BLPAL2C E2E-X1R5F1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JSM81E5D3C2 XS108BLNBL2C E2E-X1R5E2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JSM81E5D4C2 XS108BLPBL2C E2E-X1R5F2 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JSM802UD1Y XS208BLNAM12C E2E-X2ME1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NO M12连接器JSM802UD2Y XS208BLPAM12C E2E-X2MF1-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NO M12连接器JSM802UD3Y XS208BLNBM12C E2E-X2ME2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 NPN NC M12连接器JSM802UD4Y XS208BLPBM12C E2E-X2MF2-M1 圆柱形 金属 ?8 2 非嵌入式 PNP NC M12连接器JSM81E5D1Y XS108BLNAM12C E2E-X1R5E1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NO M12连接器JSM81E5D2Y XS108BLPAM12C E2E-X1R5F1-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NO M12连接器JSM81E5D3Y XS108BLNBM12C E2E-X1R5E2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 NPN NC M12连接器JSM81E5D4Y XS108BLPBM12C E2E-X1R5F2-M1 圆柱形 金属 ?8 1.5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1204UD1C2 XS212BLNAL2C E2E-X5ME1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1204UD2C2 XS212BLPAL2C E2E-X5MF1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1204UD3C2 XS212BLNBL2C E2E-X5ME2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1204UD4C2 XS212BLPBL2C E2E-X5MF2 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1202ED1C2 XS112BLNAL2C E2E-X2E1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1202ED2C2 XS112BLPAL2C E2E-X2F1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1202ED3C2 XS112BLNBL2C E2E-X2E2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m Jm1202ED4C2 XS112BLPBL2C E2E-X2F2 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1204UD1Y XS212BLNAM12C E2E-X5ME1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1204UD2Y XS212BLPAM12C E2E-X5MF1-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1204UD3Y XS212BLNBM12C E2E-X5ME2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1204UD4Y XS212BLPBM12C E2E-X5MF2-M1 圆柱形 金属 ?12 4 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1202ED1Y XS112BLNAM12C E2E-X2E1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1202ED2Y XS112BLPAM12C E2E-X2F1-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1202ED3Y XS112BLNBM12C E2E-X2E2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1202ED4Y XS112BLPBM12C E2E-X2F2-M1 圆柱形 金属 ?12 2 嵌入式 PNP NC M12连接器JM1808UD1C2 XS218BLNAL2C E2E-X10ME1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1808UD2C2 XS218BLPAL2C E2E-X10MF1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1808UD3C2 XS218BLNBL2C E2E-X10ME2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1808UD4C2 XS218BLPBL2C E2E-X10MF2 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1805ED1C2 XS118BLNAL2C E2E-X5E1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM1805ED2C2 XS118BLPAL2C E2E-X5F1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM1805ED3C2 XS118BLNBL2C E2E-X5E2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM1805ED4C2 XS118BLPBL2C E2E-X5F2 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM1808UD1Y XS218BLNAM12C E2E-X10ME1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM1808UD2Y XS218BLPAM12C E2E-X10MF1-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM1808UD3Y XS218BLNBM12C E2E-X10ME2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM1808UD4Y XS218BLPBM12C E2E-X10MF2-M1 圆柱形 金属 ?18 8 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM1805ED1Y XS118BLNAM12C E2E-X5E1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NO M12连接器JM1805ED2Y XS118BLPAM12C E2E-X5F1-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NO M12连接器JM1805ED3Y XS118BLNBM12C E2E-X5E2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 NPN NC M12连接器JM1805ED4Y XS118BLPBM12C E2E-X5F2-M1 圆柱形 金属 ?18 5 嵌入式 PNP NC M12连接器JM3015UD1C2 XS230BLNAL2C E2E-X18ME1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM3015UD2C2 XS230BLPAL2C E2E-X18MF1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM3015UD3C2 XS230BLNBL2C E2E-X18ME2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM3015UD4C2 XS230BLPBL2C E2E-X18MF2 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM3010ED1C2 XS130BLNAL2C E2E-X10E1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO 预接线缆，长度为2m JM3010ED2C2 XS130BLPAL2C E2E-X10F1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO 预接线缆，长度为2m JM3010ED3C2 XS130BLNBL2C E2E-X10E2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC 预接线缆，长度为2m JM3010ED4C2 XS130BLPBL2C E2E-X10F2 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC 预接线缆，长度为2m JM3015UD1Y XS230BLNAM12C E2E-X18ME1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NO M12连接器JM3015UD2Y XS230BLPAM12C E2E-X18MF1-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NO M12连接器JM3015UD3Y XS230BLNBM12C E2E-X18ME2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 NPN NC M12连接器JM3015UD4Y XS230BLPBM12C E2E-X18MF2-M1 圆柱形 金属 ?30 15 非嵌入式 PNP NC M12连接器JM3010ED1Y XS130BLNAM12C E2E-X10E1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NO M12连接器JM3010ED2Y XS130BLPAM12C E2E-X10F1-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NO M12连接器JM3010ED3Y XS130BLNBM12C E2E-X10E2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 NPN NC M12连接器JM3010ED4Y XS130BLPBM12C E2E-X10F2-M1 圆柱形 金属 ?30 10 嵌入式 PNP NC M12连接器 Honeywell J(S)M 系列拥有更多更长检测距离的型号产品，具体信息请参考电感式接近传感器样本。