2600系列数字源表,用于半导体测试
2600系列主要特点:
?一个紧凑的单元中综合了如下功能：精密电压源、高精度电流源、数字多用表、任意波形发生器、电压或电流脉冲发生器、电子负载以及触发控制器?接触检测功能确保了高速及准确的测量
?每秒10,000个读数和5,500个源-测量点记录到存储器，提供了更快速的测试
?内置的测试脚本处理器(TSP?)提供非并行系统的自动化测试，将I-V 测试的速度提高到同类产品的二到四倍
? 2600系列提供宽动态范围：1pA到10A，1μV到200V
? TSP-Link?主/从控制架构将多台2600数字源表无缝地整合成一个系统，将其作为一台独立的仪器进行编程和控制
?免费的测试脚本编辑软件--Test Script Builder，可以轻松地创建功能强大的测试脚本，实现用户特定的测试功能
?免费的LabTracerTM2.0 软件，无需编程直接得到半导体I-V 特性曲线，易学易用
?每个40W,3A的通道都是独立的，从而保证了高度的测量完整性和配置的灵活性
?业界最高的SMU机架密度特别适合自动化测试的应用
2600系列数字源表系列给电子元器件和半导体制造商提供了一个
灵活的、高效的、极具性价比的方案，适合于精确DC、脉冲和低
频AC的源-测量测试。基于最初2400系列数字源表的紧凑集成源
-测量技术，2600系列仪器在I-V测试应用中能够提供相当于同
类产品的二到四倍的测试速度。它们还具备更高的源测量通道密
度并且比同类产品显著地降低了使用成本。专利的模数转换器在
小于100μs的时间内可同时提供I和V测量值 (10,000 读数/s)，源-测量扫描速度为200μs每点 (5,500 点/s)。这种高速的源-测量能力加上先进的自动化特性及软件工具使得2600系列数字源表系列成为广泛用于多种器件I-V测试的理想方案。
无需主机的灵活系统
2600系列结合了创新的技术从而可以经济的建立多通道I-V测试系统而无需牺牲产能。TSP-Link是高速的系统扩展连接，可让您以主/从配置连接多台2600系列仪器。TSP-Link使您可以方便的改变系统的通道数来满足应用。
一旦连接配置完成，系统内所有的2600系列仪器都可以在主机的
控制下进行编程和操作，而且不需要机架/主机，TSP-Link给您实
质上的无限灵活，从而调节系统通道的数量来匹配变化的应用需
求，同时确保无缝集成。
新性能增加测试速度并降低测试成本
测试脚本处理器(TSP)
测试脚本处理器(TSP)是2600具有的另一项新技术，任何基于2600系列的系统都可以在主单元的TSP上高速的运行嵌入式测试脚本。测试序列被嵌入仪器中的处理器上处理并执行，而不是由外部的PC控制，由此消除了GPIB传输导致的延迟。对同一台仪器，使用TSP测试脚本可以获得的吞吐量是使用PC程序通过GPIB 接口时吞吐量的10倍。TSP测试脚本可以从前面板或通过系统的GPIB接口加载并运行。只需一个运行于主单元的TSP测试脚本，就可以控制系统中所有的源-测量通道，并可以从任何连接到TSP-Link的2600系列仪器中采集数据，最多可支持64台2600互联在一起。
TSP用于先进的自动化
一个基于2600系列的系统可以作为一个完整的自动化测量方案而独立工作，适用于半导体器件或元器件测试，由主控的2600单元来进行激励、测量、通过/失效判断、测试序列流程控制、分级筛选、元器件分选机或探针台控制。与已嵌入的测试程序装置相比，TSP测试脚本具有更好的编程灵活性，包括支持：
?仪器命令队列
?通用的模块化子程序
?通过/失效和限制测试
?灵活的分支和循环能力
?灵活的外部触发
?智能数字I/O读写能力
? RS-232通讯
第三代SMU设计实现更快的测试速度
2600系列的新SMU设计大大提高了测试速度。例如，较早的设计使用了并联的电流量程布局，2600系列使用了建立更迅速的串联量程布局(专利申请中)，这提供了更快且更平滑的量程变换和输出。它也允许对电流输串并联量程布局对比
出限制的编程独立于电流量程，用于电容性负载的快速充电和实验台使用中更直觉的操作。
每个2600系列数字源表的通道都提供高度的灵活性、具有电压和电流表/限制器的四象限电源。每个通道都可被设置为一个：
?精密电源 (高达200V和3ADC/10A脉冲输出，具有1pA读回分辨率)
?精确电流源
?数字多用表(直流电压、直流电流、电阻、电源，具有五位半分辨率)
?电源V或I脉冲发生器(脉冲宽度：150μs或更长－仅源；250μs 或更长－源和测量)
?电源V或I波形发生器(20点正弦波在TSP测试脚本中可高达400Hz)
?电子负载
2601和2602的I-V能力
2611和2612的I-V能力
具有同时源回读能力的高速高精度模数转换器
各款2600系列仪器都提供四象限操作并可被串联或并联来扩展动态范围。在一三象限，它们作为源，对负载输送功率。在二四象限，它们作为热沉，在内部耗散功率。它们以五位半的分辨率同时测量电压和电流，并显示电压、电流、电阻或功率读数。
每通道两个模数转换器(分别用于I和V)可同时工作，提供精确的源回读而不牺牲测试速度。这些模/数转换器提供可编程的集成比率，允许用户进行优化，以实现高速度(>10,000读数/秒,在 0.001NPLC设置时)或高分辨率(高达24位,在0.001NPLC设置时)来进行高准确度的测量。
数字I/O接口
每个2600系列仪器的背面板端口都提供14位通用数字I/O，可将仪器连接到多种流行的机械手以实现测试后的分选和装箱。这些I/O线也兼容Keithley较早的Trigger Link仪器触发技术。这些线路可以容易的将2600系列仪器集成为一个使用外部仪器的系统，包括2400系列数字源表仪器、7000系列开关主机和2700系列数据采集/多用表集成系统。
内置接触检测功能
接触检测功能可以在自动测试序列开始前简单而迅速的检验连接是否良好。这消除了与接触疲劳、破损、污染、松弛或损坏的连接、继电器失效等有关的测量误差和产品失效误判。
图形化的仪器设置。LabTracer2.0支持多达八个2600或2400系列数字源表通道。2400和2410数字源表还支持电压扩展能力。LabTracer2.0的仪器设置窗口的下拉菜单中可以配置数字源表的任意通道，来进行定点或扫描操作。配置完成后，只需一次按键即可执行测试。
从研发到函数测试的I-V测试应用
2600系列数字源表为研发测试提供易于使用、功能强大的解决方案。同时满足批量产品测试所需的速度和可靠性。
功能强大且易于使用，适合研发应用
在研发和器件特性分析环境中，无论是用于交互式还是自动化测试，2600系列都具备高度的测试通用性。可免费下载的LabTracer2.0软件使用户能够迅速、方便的配置并控制多达八个2600或2400系列数字源表通道，可用于曲线追踪或器件特性分析。其简明的图形化用户界面可以从数字源表上方便的实现建立、控制、数据采集和DUT数据绘图。将LabTracer和数字源表配合使用，是特别适合实验室用户的功能强大、易用且经济的机架式方案。
测试完成后，数据显示在电子表格面板和图形面板中。可以通过对结果应用公式来对测量数据进行处理。对于更详细的分析，只需简单的剪切和粘贴，数据即可被导出到Microsoft? Excel中。大幅提高产品测试产能
2600系列仪器帮助元器件制造商大幅度提高测试产能，同时提供能处理如今器件的测试方案。如今的器件通常比早期的器件有更高的管脚数和模拟电路。过去，制造商迫于缺乏为多通道源-测量应用而优化的测试方案，不得不在笨重、昂贵的基于主机的系统、由PC控制的缓慢的基于仪器的系统和需要复杂的开发才能实现的快速的基于仪器的系统之间做出选择。2600系列提供：
?目前基于SMU系统中最高的密度，以应对不断增长的管脚数。
?业界最快的吞吐速度，帮助减少测试成本。板上处理器的速度和TSP测试脚本再加上由TSP-Link 总线提供的触发同步，使高速并行测试的应用成为现实。
?更低的开销。通过消除对主机/机架的需求，允许测试工程师灵活的配置系统，从而获得显著低于其它方案的每通道成本。
测试脚本编辑软件
Test Script Builder是一款免费软件，随2600系列数字源表提供，帮助用户建立、修改、调试和存储TSP测试脚本。它提供一个项目/文件管理器窗口来存储和组织测试脚本，文本敏感的程序编辑器(类似Visual Baisic)用于创建和修改测试TSP代码，并且即时控制窗口能发送GPIB指令并从仪器接收数据。即时窗口可以查看已有的测试脚本，且便于调试。
典型应用
? 对多种器件进行I-V函数测试和特性分析，包括：
- 分立的和无源的元器件
- 双引脚 - 电阻、盘驱动器头、金属氧化物变阻器(MOV)、二极管、齐纳二极管、传感器、电容器、热敏电阻
- 三引脚 - 双极型小信号晶体管(BJT)场效应晶体管(FET)等
- 并行测试–双引脚、三引脚元器件阵列
- 简单集成电路–光学、驱动器、开关、传感器
? 集成的器件－小规模集成(SSI)和大规模集成(LSI).
- 模拟IC
- 射频集成电路(RFIC)
- 应用定制的集成电路
- 系统级芯片(SOC)器件
? 光电器件如发光二极管(LED)、激光二极管、高亮度LED(HBLED)、垂直共振腔面射型激光器(VCSEL)、显示器
? 上述器件的研发和特性分析
实验讲义-半导体材料吸收光谱测试分析2015
半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下：
(2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I?- =α d t e I I?- =α 0(1) I0：入射光强；I x：透过厚度x的光强；I t：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： d e I I T?- = =α t (2) 则 d e T d? = =?α α ln ) /1 ln( 透射光I t
电子测量考试试题和答案解析复习课程
电子测量考试试题和 答案解析
一、填空题 1、在选择仪器进行测量时，应尽可能小的减小示值误差，一般应使示值指示在仪表满刻度值的 ___2/3__ 以上区域。 2、随机误差的大小，可以用测量值的 ____标准偏差____ 来衡量，其值越小，测量值越集中，测量的 ____精密度____ 越高。 3、设信号源预调输出频率为 1MHz ，在 15 分钟内测得频率最大值为 1.005MHz ，最小值为 998KHz ，则该信号源的短期频率稳定度为 ___0.7%___ 。 4、信号发生器的核心部分是振荡器。 5、函数信号发生器中正弦波形成电路用于将三角波变换成正弦波。 6、取样示波器采用非实时取样技术扩展带宽，但它只能观测重复信号。 7、当观测两个频率较低的信号时，为避免闪烁可采用双踪显示的____断续____方式。 8、BT-3 型频率特性测试仪中，频率标记是用一定形式的标记来对图形的频率轴进行定量，常用的频标有 ___针形频标_____ 和 ____菱形频标_____ 。 9、逻辑分析仪按其工作特点可分逻辑状态分析仪和逻辑定时分析仪。
10、指针偏转式电压表和数码显示式电压表测量电压的方法分别属于 ____模拟__ 测量和___数字___ 测量。 1、测量误差是测量结果与被真值的差异。通常可以分为绝对误差和相对误差。 2、在测量数据为正态分布时，如果测量次数足够多，习惯上取 3σ作为判别异常数据的界限，这称为莱特准则。 3、交流电压的波峰因数定义为峰值与有效值之比，波形因数定义为有效值与平均值之比。 4、正弦信号源的频率特性指标主要包括频率范围、频率准确度和频率稳定度。 5、频谱分析仪按信号处理方式不同可分为模拟式、数字式和模拟数字混合式。 6、逻辑笔用于测试单路信号，逻辑夹则用于多路信号。 7、当示波器两个偏转板上都加正弦信号时，显示的图形叫李沙育图形，这种图形在相位和频率测量中常会用到。 8、在示波器上要获得同步图形，待测信号周期与扫描信号周期之比要符 合。 1、按照误差的基本性质和特点，可把误差分为系统误差、随机误差、和粗大误差。 2、按检波器在放大器之前或之后，电子电压表有两种组成形式，即放大-检波式
8、半导体材料吸收光谱测试分析
半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO 薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a ．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm ；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm 。 b ．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c ．吸收池：玻璃——能吸收UV 光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d ．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 光源 单色器 吸收池 检测器 显示 双光束紫外可见分光光度计则为：
双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I ?-=α0 d t e I I ?-=α0 (1) I 0：入射光强；I x ：透过厚度x 的光强；I t ：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T 为： d e I I T ?-==α0 t (2)
高分子材料典型力学性能测试实验
《高分子材料典型力学性能测试实验》实验报告 学号姓名专业班级 实验地点指导教师实验时间 在这一实验中将选取两种典型的高分子材料力学测试实验，即拉伸实验及冲 击试验作为介绍。 实验一：高分子材料拉伸实验 一、实验目的 （1）熟悉高分子材料拉伸性能测试标准条件、测试原理及其操作，了解测 试条件对测定结果的影响。 （2）通过应力—应变曲线，判断不同高分子材料的性能特征。 二、实验原理 在规定的实验温度、湿度和实验速率下，在标准试样（通常为哑铃形）的 两端沿轴向施加载荷直至拉断为止。拉伸强度定义为断裂前试样承受最大载荷与试样的宽度和厚度的乘积的比值。实验不仅可以测得拉伸强度，同时可得到断裂伸长率和拉伸模量。 玻璃态聚合物在拉伸时典型的应力-应变曲线如下：
是在较低温度下出现的不均匀拉伸，所以又称为冷拉。 将试样夹持在专用夹具上，对试样施加静态拉伸负荷，通过压力传感器、 形变测量装置以及计算机处理，测绘出试样在拉伸变形过程中的拉伸应力—应变曲线，计算出曲线上的特征点如试样直至断裂为止所承受的最大拉伸应力（拉伸强度）、试样断裂时的拉伸应力（拉伸断裂应力）、在拉伸应力－应变曲线上屈服 点处的应力（拉伸屈服应力）和试样断裂时标线间距离的增加量与初始标距之比（断裂伸长率，以百分数表示）。所涉及的相关计算公式： （1）拉伸强度或拉伸断裂应力或拉伸屈服应力或偏置屈服应力σt σt 按式（1）计算： （1） 式中σt—抗拉伸强度或拉伸断裂应力或拉伸屈服应力或偏置屈服应力，MPa； p—最大负荷或断裂负荷或屈服负荷或偏置屈服负荷，N； b—实验宽度，mm；d—试样厚度，mm。 （2）断裂伸长率εt εt 按式（2）计算： 式中εt——断裂伸长率，％；
万用表考试试题
10月份第一周培训考试题 一、判断题(每题5分) （）1.在使用万用表之前，应先进行“机械调零”，即在两表笔短接的时，使万用表指针指在零电压或零电流的位置上。 （）2. 在测量某一电量时，不能在测量的同时换档，尤其是在测量高电压或大电流。 （）3. 万用表使用完毕，应将转换开关置于交流电压的最大挡或者OFF位置上。 （）4. 选择合适的倍率。在欧姆表测量电阻时，应选适当的倍率，使指针指示在中值附近。最好使刻度在1/2～2/3处的部分，这部分刻度比较精确。 （）5. 使用万用表电流挡测量电流时，应将万用表并联在被子测电路中，因为只有并联接才能使流过电流表的电流与被测支路电流相同。 （）6.指针钳式表测量前要机械调零；数字钳式表测量前要消磁，反复的扳动钳口几次。 二、单选择题(每题5分) 1.万用表在使用时，必须，以免造成误差。同时，还要注意到避免外界磁场对万用表的影响 A水平放置 B垂直放置 C 则斜放置 2. 万用表使用完毕，应将转换开关置于的最大挡。 A交流电流 B交流电压 C随便都可以 3. 带电测量电阻，如果测量电容的时，应该放电后再进行测量 A不能 B能 C A和B 4. 选择合适的量程档位，如果不能确定被测量的电流时，应该选择去测量 A任意量程 B小量程 C大量程 5. 选择合适的量程，先选大，后选小量程或看铭牌值估算。 A选大选小 B选小选大 C任意都可以 6. 被测线路的电流要钳表的量程。 A低于 B高于 C大于 三、填空题(每题5分) 1.在使用万用表测量中如需换挡，应先断开，换挡后再去测量 2. 使用万用表测量电容的时，应该后再进行测量 3. 在使用钳表测量完毕，要将转换开关放在量程处 4.兆欧表必须水平放置于的地方，以免在摇动时因抖动和倾斜产生测量误差。 5. 钳口要闭合紧密不能换量程。 6.摇动手柄的转速要均匀，一般规定为转／分钟，允许有±20％的变化四问答题(总共10分) 1.怎么样判断万用表的是否良好?
半导体材料能带测试及计算
半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：
背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。
实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解
实验一半导体材料的缺陷显示及观察
实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2
材料测试与分析总复习
XRD复习重点 1.X射线的产生及其分类 2.X射线粉晶衍射中靶材的选取 3.布拉格公式 4.PDF卡片 5.X射线粉晶衍射谱图 6.X射线粉晶衍射的应用 电子衍射及透射电镜、扫描电镜和电子探针分析复习提纲 透射电镜分析部分： 4.TEM的主要结构，按从上到下列出主要部件 1）电子光学系统——照明系统、图像系统、图像观察和记录系统；2）真空系统； 3）电源和控制系统。电子枪、第一聚光镜、第二聚光镜、聚光镜光阑、样品台、物镜光阑、物镜、选区光阑、中间镜、投影镜、双目光学显微镜、观察窗口、荧光屏、照相室。 5. TEM和光学显微镜有何不同？ 光学显微镜用光束照明，简单直观，分辨本领低（0.2微米），只能观察表面形貌，不能做微区成分分析；TEM分辨本领高（1A）可把形貌观察，结构分析和成分分析结合起来，可以观察表面和内部结构，但仪器贵，不直观，分析困难，操作复杂，样品制备复杂。 6.几何像差和色差产生原因，消除办法。 球差即球面像差，是由于电磁透镜的中心区域和边缘区域对电子的折射能力不符合预定的规律而造成的。减小球差可以通过减小CS值和缩小孔径角来实现。 色差是由于入射电子波长（或能量）的非单一性造成的。采取稳定加速电压的方法可以有效的减小色差；适当调配透镜极性；卡斯汀速度过滤器。 7.TEM分析有那些制样方法？适合分析哪类样品?各有什么特点和用途？ 制样方法：化学减薄、电解双喷、竭力、超薄切片、粉碎研磨、聚焦离子束、机械减薄、离子减薄； TEM样品类型：块状，用于普通微结构研究； 平面，用于薄膜和表面附近微结构研究； 横截面样面，均匀薄膜和界面的微结构研究； 小块粉末，粉末，纤维，纳米量级的材料。 二级复型法：研究金属材料的微观形态； 一级萃取复型：指制成的试样中包含着一部分金属或第二相实体，对它们可以直接作形态检验和晶体结构分析，其余部分则仍按浮雕方法间接地观察形态； 金属薄膜试样：电子束透明的金属薄膜，直接进行形态观察和晶体结构分析； 粉末试样：分散粉末法，胶粉混合法 思考题： 1.一电子管，由灯丝发出电子，一负偏压加在栅极收集电子，之后由阳极加速，回答由灯丝到栅极、由栅极到阳极电子的折向及受力方向？ 2.为什么高分辨电镜要使用比普通电镜更短的短磁透镜作物镜？ 高分辨电镜要比普通电镜的放大倍数高。为了提高放大倍数，需要短焦距的强磁透镜。透镜的光焦度1/f与磁场强度成H2正比。较短的f可以提高NA，使极限分辨率更小。 3.为什么选区光栏放在“象平面”上？ 电子束之照射到待研究的视场内；防止光阑受到污染；将选区光阑位于向平面的附近，通过
半导体测试技术实践
半导体测试技术实践总结报告 一、实践目的 半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。 二、实践安排（含时间、地点、内容等） 实践地点：西安西谷微电子有限责任公司 实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日 实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效 三、实践过程和具体内容 西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。 1、认识半导体及测试设备
在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。 芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。一些常用的封装形式如下表： DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式 CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷 PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料 PGA： Pin Grid Array 管脚阵列
数字万用表测试试题
电子工艺试卷 第 1 页（共 2 页） 数字万用表测试卷 评卷人 一、填空题（每空0.5分，共20分） 由色环写出具体阻值 由具体阻值写出色环 色环 阻值 色环 阻值 阻值 色环 阻值 色环 棕黑黑 棕黑红 0.5Ω 2.7k Ω 红黄黑 绿棕棕 1Ω 3k Ω 橙橙黑 棕黑绿 36Ω 5.6k Ω 黄紫橙 蓝灰橙 220Ω 6.8k Ω 灰红红 黄紫棕 470Ω 8.2k Ω 白棕黄 红紫黄 750Ω 24k Ω 黄紫棕 紫绿棕 1k Ω 47k Ω 橙黑棕 棕黑橙 1.2k Ω 39k Ω 紫绿红 橙橙橙 1.8k Ω 100k Ω 白棕棕 红红红 2k Ω 150k Ω 二、根据上题表格中电阻任选不同类型的两个简述用数字万用表进行测量的方法。（每题5分，共10分） 1、 2、 三、填空题（每空1分，共27分） 电容器标值识别 电容体上标志 电容器容量 电容体上标志 电容器容量 电容体上标志 电容器容量 2.7 10000 2P2 3.3 0.01 1n 6.8 0.015 6n8 20 0.022 10n 27 0.033 22n 200 0.068 100n 300 0.22 220n 1000 0.47 103 68000 P33 104 四、分析题（每小题5分，共10分） 根据上题表格中所给电容任选不同类型的两个简述用数字万用表进行测量的方法。 1、 2、 五、分析题 1、写出用数字万用表检测下列元件质量的方法（每小题4分，共8分） （1）电位器 ※ ※ ※ ※ ※ ※ ※ 班级、姓名、场号、学号不写或不符的按违纪作弊处理 ※ ※ ※ ※ ※ ※ ※ 班级 姓名 考场 学号 装 订 线
高分子材料测试技术答案 青岛科技大学考试复习资料
聚合物结构与性能 1.非晶体聚合物的力学三态，说明各自分子运动特点，并用曲线表示出来。 力学三态:玻璃态、高弹态和粘流态称为聚合物的力学三态 玻璃态：温度低，链段的运动处于冻结，只有侧基、链节、链长、键角等局部运动，形变小； 高弹态：链段运动充分发展，形变大，可恢复； 粘流态：链段运动剧烈，导致分子链发生相对位移，形变不可逆。 2.晶态聚合物的力学状态及其转变 在轻度结晶的聚合物中，少量的晶区起类似交联点的作用，当温度升高时，其中非晶区由玻璃态转变为高弹态，可以观察到 Tg 的存在，但晶区的链段由于受晶格能的限制难以运动，使其形变受到限制，整个材料表现为由于非晶区的高弹态而具有一定的韧性，由于晶区的存在具有一定的硬度。 若晶区的Tm>T f (非晶区)，则当晶区熔融后，非晶区已进入粘流态，不 呈现高弹态； 若Tm
数字源表项目实施方案
第一章概论 一、项目概况 （一）项目名称 数字源表项目 （二）项目选址 xxx工业示范区 项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。 （三）项目用地规模 项目总用地面积36391.52平方米（折合约54.56亩）。 （四）项目用地控制指标 该工程规划建筑系数51.37%，建筑容积率1.22，建设区域绿化覆盖率7.45%，固定资产投资强度186.99万元/亩。 （五）土建工程指标 项目净用地面积36391.52平方米，建筑物基底占地面积18694.32平方米，总建筑面积44397.65平方米，其中：规划建设主体工程34085.72平方米，项目规划绿化面积3306.58平方米。
（六）设备选型方案 项目计划购置设备共计85台（套），设备购置费3133.96万元。 （七）节能分析 1、项目年用电量438481.37千瓦时，折合53.89吨标准煤。 2、项目年总用水量28597.68立方米，折合2.44吨标准煤。 3、“数字源表项目投资建设项目”，年用电量438481.37千瓦时，年 总用水量28597.68立方米，项目年综合总耗能量（当量值）56.33吨标准 煤/年。达产年综合节能量19.79吨标准煤/年，项目总节能率20.37%，能 源利用效果良好。 （八）环境保护 项目符合xxx工业示范区发展规划，符合xxx工业示范区产业结构调 整规划和国家的产业发展政策；对产生的各类污染物都采取了切实可行的 治理措施，严格控制在国家规定的排放标准内，项目建设不会对区域生态 环境产生明显的影响。 （九）项目总投资及资金构成 项目预计总投资13997.03万元，其中：固定资产投资10202.17万元，占项目总投资的72.89%；流动资金3794.86万元，占项目总投资的27.11%。 （十）资金筹措 该项目现阶段投资均由企业自筹。 （十一）项目预期经济效益规划目标
万用表试题
学习-----好资料 一：选择题 1: 326欧姆精度为±1%的五环电阻用色环表示为( b ) A:黄棕蓝黑棕B:橙红蓝黑棕C: 橙红绿黑棕 2: 黄棕绿橙棕表示的电阻读数为( c ) A:451Ω±1% B:316KΩ±1% C:415KΩ±1% 3: 四环电阻中倍率环是哪一环（b ） A:第二环B：第三环C:第四环 4:下列是国产（包括香港产）万用表品牌的是（ a ） A:优利德D:福禄克C:日置 5：指针式万用表在使用时，必须（ A ），以免造成误差。同时，还要注意到避免外界磁场对万用表的影响 A水平放置B垂直放置 C 则斜放置 6 选择量程时，如果不能确定被测量的电流时，应该选择（c ）去测量。 A、任意量程 B、小量程 C、大量程
更多精品文档． 学习-----好资料二填空题：) ( 对所有测量的公共端子1 万用表端子COM 是用于﹕ 能捕获当HOLD 按钮作用是﹕HOLD(按HOLD进入或推出该模式﹐2 ) 前读数并显示。 )后再进行测量。放电3 使用万用表测量电容的时，应该( 4：以下符号表示为 、(、转换开关又称选择开关)(5指针式万用表的外部结构主要由表头)等部分组成。表笔插孔和表笔)( 判断题：三
即在两表笔短2 ）1. 应先进行“机械调零”，在使用万用表之前，（接的时，使万用表指针指在零电压或零电流的位置上。 更多精品文档． 学习-----好资料 （ 1 ）2. 在测量某一电量时，不能在测量的同时换档，尤其是在测量高电压或大电流。 （ 1 ）3. 万用表使用完毕，应将转换开关置于交流电压的最大挡或者OFF位置上。 （ 2 ）4. 选择合适的倍率。在欧姆表测量电阻时，应选适当的倍率，使指针指示在中值附近。最好使刻度在1/2~2/3处的部分，这部分刻度比较精确。 （ 2 ）5. 使用万用表电流挡测量电流时，应将万用表并联在被子测电路中，因为只有并联接才能使流过电流表的电流与被测支路电流相同。 四：简答题 简述用数字万用表测量电流的步骤﹕ a.关闭电路的电源。 b.把黑色测试笔端子插入COM端子﹐红色表笔插在mA端子。 c.
半导体材料能带测试及计算
半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置.
图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样： 背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试：
用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。 2. 根据(αhv)1/n = A(hv – Eg)，其中α为吸光指数，h为普朗克常数，v为频率，Eg为半导体禁带宽度，A为常数。其中，n与半导体类型相关，直接带隙半导体的n取1/2，间接带隙半导体的n为2。
高分子材料分析与测试
期末复习作业 一、 名词解释 1. 透湿量 透湿量即指水蒸气透过量。 薄膜两侧的水蒸气压差和薄膜厚度一 定， 温度一定的条件下1山2聚合物材料在24小时内所透过的蒸 汽量（用 v 表示） 2. 吸水性 吸水性是指材料吸收水分的能力。 通常以试样原质量与试样失水 后的 质量之差和原质量之比的百分比表示； 也可以用单位面积的 试样吸收 水分的量表示；还可以用吸收的水分量来表示。 3. 表观密度 对于粉状、 片状颗粒状、 纤维状等模塑料的表观密度是指单位体 对于泡沫塑料的表观密度是指单位体积的泡沫塑料在规定温度 4、拉伸强度 在拉伸试验中， 保持这种受力状态至最终， 就是测量拉伸力直至 应 力，用 t 表示） 5、弯曲强度 试样在弯曲过程中在达到规定挠度值时或之前承受的最大弯曲 应力 （用 f 表示） 积中的质量（用 a 表示） 和相对湿度时的重量，故又称体积密度或视密度（用 a 表示） 材料断裂为止， 所承受的最大拉伸应力称为拉伸强度 极限拉伸
6、压缩强度 指在压缩试验中试样所承受的最大压缩应力。 它可能是也可能不 7、屈服点 应力—应变曲线上应力不随应变增加的初始点。 8、细长比 14、压缩应变 是试样破裂的瞬间所承受的压缩应力（用 e 表示） 指试样的高度与试样横截面积的最小回转半径之比（用 表示） 9、断裂伸长率 断裂时伸长的长度与原始长度之比的百分数（用 t 表示） 10、弯曲弹性模量 比例极限内应力与应变比值（用 E f 表示） 11、压缩模量 指在应力—应变曲线的线性范围内压缩应力与压缩应变的比值。 由于直线与横坐标的交点一般不通过原点， 因此可用直线上两点 的应力差与对应的应变差之比表示（用 E e 表示） 12、弹性模量 在负荷—伸长曲线的初始直线部分， 材料所承受的应力与产生相 应的应变之比（用 E 表示） 13、压缩变形 指试样在压缩负荷左右下高度的改变量（用 h 表示） 指试样的压缩变形除以试样的原始高度（用 表示）
数字信号源实验报告
实验一数字信号源实验 一、实验目的 1、了解单极性码、双极性码、归零码、不归零码等基带信号波形特点。 2、掌握集中插入帧同步码时分复用信号的帧结构特点。 3、掌握数字信号源电路组成原理。 二、实验内容 1、用示波器观察单极性非归零码（NRZ）、帧同步信号（FS）、位同步时钟（BS）。 2、用示波器观察NRZ、FS、BS三信号的对应关系。 3、学习电路原理图。 三、基本原理 本模块是实验系统中数字信号源，即发送端，其原理方框图如图1-1所示。本单元产生NRZ信号，信号码速率约为170.5KB，帧结构如图1-2所示。帧长为24位，其中首位无定义，第2位到第8位是帧同步码（7位巴克码1110010），另外16位为2路数据信号，每路8位。此NRZ信号为集中插入帧同步码时分复用信号。发光二极管亮状态表示‘1’码，熄状态表示‘0’码。 本模块有以下测试点及输入输出点： ? CLK-OUT 时钟信号测试点，输出信号频率为4.433619MHz ? BS-OUT 信源位同步信号输出点/测试点，频率为170.5KHz ? FS 信源帧同步信号输出点/测试点,频率为7.1KHz ? NRZ-OUT NRZ信号输出点/测试点 图1-3为数字信源模块的电原理图。图1-1中各单元与图1-3中的元器件对应关系如下： ?晶振CRY：晶体；U1：反相器7404 ?分频器US2：计数器74161；US3：计数器74193； US4：计数器40160 ?并行码产生器KS1、KS2、KS3：8位手动开关，从左到右依次与帧同步码、数据1、数据2相对应；发光二极管左起分别与一帧中的24位代码相对应 ?八选一US5、US6、US7：8位数据选择器4512 ?三选一US8：8位数据选择器4512 ?倒相器US10：非门74HC04 ?抽样US9：D触发器74HC74
经济型B2900A 系列精密型源表配置指南
Keysight B2900A 系列 精密型源表 配置指南 经济高效的电源和测量一体化解决 方案，提供卓越的性能和一流的图 形用户界面
配置您的 Keysight B2900A 系列精密型源表 Keysight B2900A 系列精密型源表（SMU）包含下列四个型号。 –B2901A 精密型源表，1 通道，100fA 分辨率，210V，3A 直流/10.5A 脉冲 –B2902A 精密型源表，2 通道，100fA 分辨率，210V，3A 直流/10.5A 脉冲 –B2911A 精密型源表，1 通道，10 fA 分辨率，210V，3A 直流/10.5A 脉冲 –B2912A 精密型源表，2 通道，10 fA 分辨率，210V，3A 直流/10.5A 脉冲 本配置指南提供逐步的指导，旨在帮助您配置 SMU 及其相关附件，满足您的特殊测试要求。详细技术指标请参见 B2900A SMU 系列技术资料（5990-7009EN）。 第1步：选择 B2900A 系列型号 您选择的时候首先需要考虑两个重要因素：测量通道数（一个或两个）和源表的性能。B2900A 系列分为标配型（B2901A/B2902A）和高性能型（B2911A/B2912A）两个档次。需要注意的是，标配的型号在购买后，无法通过升级来获得更多个通道或高性能的型号。 B2901A1210 V 3.03 A 200 V 10.5 A 1 pA 1 V 100 fA 100 nV 20 ?s单一视图、图形视图 B2902A2210 V 3.03 A 200 V 10.5 A 1 pA 1 V 100 fA 100 nV 20 ?s单一视图、双视图、 图形视图 B2911A1210 V 3.03 A 200 V 10.5 A 10 fA 100 nV 10 fA 100 nV 10 ?s单一视图、图形视 图、滚动视图 B2912A2210 V 3.03 A 200 V 10.5 A 10 fA 100 nV 10 fA 100 nV 10 ?s单一视图、双视图、 图形视图、滚动视图 描述数量更多信息 1.产品资料光盘 1 个包括用户手册电子文件、驱动程序和软件 2.Keysight I/O 程序库光盘 1 个包括 Keysight I/O 程序库的驱动程序和安装软件 3.快速参考 1 个印刷版快速入门指南（英文版） 4.校准证书（无测试数据） 1 个校准证书（无实际测试数据）。如果您需要测试数据，请指定选件 UK6。 https://www.sodocs.net/doc/d05382507.html,B 电缆 1 个USB 电缆（1.8 米）。可订购部件编号 8121-1696。 下面附件作为每款 B2900A 系列 SMU 的标准配置提供：
高分子材料分析测试与研究方法复习材料.doc
一. 傅里叶红外光谱仪 1. 什么是红外光谱图 当一束连续变化的各种波长的红外光照射样品时，其中一部分被吸收，吸收的这部分光能就转变为分子的振动能量和转动能量；另一部分光透过，若将其透过的光用单色器进行色散，就可以得到一谱带。若以波长或波数为横坐标，以百分吸收率或透光度为纵坐标，把这谱带记录下来，就得到了该样品的红外吸收光谱图，也有称红外振-转光谱图 2. 红外光谱仪基本工作原理 用一定频率的红外线聚焦照射被分析的试样，如果分子中某个基团的振动频率与照射红外线相同就会产生共振，这个基团就吸收一定频率的红外线，把分子吸收的红外线的情况用仪器记录下来，便能得到全面反映试样成份特征的光谱，从而推测化合物的类型和结构。 3. 红外光谱产生的条件 (1) 辐射应具有能满足物质产生振动跃迁所需的能量； (2) 辐射与物质间有相互偶合作用。 4. 红外光谱图的三要素 峰位、峰强和峰形 5. 红外光谱样品的制备方法 1) 固体样品的制备 a. 压片法 b. 糊状法: c. 溶液法 2) 液体样品的制备 a. 液膜法 b. 液体吸收池法 3) 气态样品的制备: 气态样品一般都灌注于气体池内进行测试 4) 特殊样品的制备—薄膜法 a. 熔融法 b. 热压成膜法
c. 溶液制膜法 6. 红外对供试样品的要求 ①试样纯度应大于98％，或者符合商业规格，这样才便于与纯化合物的标准光谱或商业光谱进行对照，多组份试样应预先用分馏、萃取、重结晶或色谱法进行分离提纯，否则各组份光谱互相重叠，难予解析。 ②试样不应含水（结晶水或游离水） 水有红外吸收，与羟基峰干扰，而且会侵蚀吸收池的盐窗。所用试样应当经过干燥处理。 ③试样浓度和厚度要适当 使最强吸收透光度在5～20%之间 7. 红外光谱特点 1）红外吸收只有振-转跃迁，能量低； 2）应用范围广：除单原子分子及单核分子外，几乎所有有机物均有红外吸收；3）分子结构更为精细的表征：通过红外光谱的波数位置、波峰数目及强度确定分子基团、分子结构； 4）分析速度快； 5）固、液、气态样均可用，且用量少、不破坏样品； 6）与色谱等联用（GC-FTIR）具有强大的定性功能； 7）可以进行定量分析； 二. 紫外光谱 1. 什么是紫外-可见分光光度法？产生的原因及其特点？ 紫外-可见分光光度法也称为紫外-可见吸收光谱法，属于分子吸收光谱，是利用某些物质对200-800 nm光谱区辐射的吸收进行分析测定的一种方法。紫外-可见吸收光谱主要产生于分子价电子（最外层电子）在电子能级间的跃迁。该方法具有灵敏度高，准确度好，使用的仪器设备简便，价格廉价，且易于操作等优点，故广泛应用于无机和有机物质的定性和定量测定。 2. 什么是吸收曲线？及其吸收曲线的特点？ 测量某种物质对不同波长单色光的吸收程度，以波长为横坐标，吸光度为纵坐标作图，可得到一条曲线，称为吸收光谱曲线或光吸收曲线，它反映了物质
8路电压数字表C源程序
8路数字电压表测量由A/D转换、数据处理及显示控制等组成，测量0～5V范围内的8路输入电压值，由4位共阳LED数码管轮流显示，最大分辨率0.01V，误差±0.02V。使用AT89C52单片机，ADC0809A/D转换集成蕊片，单片机P1口、P3.0～P3.3口作4位LED数码显示控制。P3.5端口按钮作单路/循环显示转换，P3.6为单路显示时作通道选择。ADC0809具有8路模拟信号输入端口，地址线23～25脚为模拟信号输入选择端口，22脚为地址锁存控制，当输入高电平时对地址信号进行锁存，6脚为开始A/D模数转换，7脚为A/D转换结束标志，结束时输出高电平，A/D转换后的数据由9脚输出到单片机P2.5脚。 C源程序： /***********************************************************************************/ // 8路电压表C源程序 // Keil c51 v7.08 /***********************************************************************************/ /*使用AT89C52单片机，11.0592MHz晶振，P0口读入A/D值，P2口作A/D控制，用共阳LED数码管，P1口输出段码，P3口扫描，最高位指示通道（0～7）*/ #include 实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 当腐蚀条件为铬酸腐蚀剂时，<100>晶面上呈正方形蚀坑，<110>晶面上呈菱形或矩形蚀坑，<111>晶面上呈正三角形蚀坑。（见图1）。实验一半导体材料的缺陷显示及观察