ES1JAF丨ES1JF【ASEMI】贴片超快恢复二极管SMAF重要参数

编辑：DD 2019-01-15

ES1JAF【ASEMI】贴片超快恢复二极管SMAF重要参数

1.贴片超快恢复二极管ES1JAF

ES1JAF的主要参数

二极管类型:Ultra-fast Recovery

最大持续峰值反向电压:1000V

最大均方根电压：700V

最大直流阻断电压：1000V

最大平均整流电流（55度）：1A

最大浪涌电流（8.3ms正弦波）：30A

最大持续正向电压（直流1A）：1.15V

最大直流反向电流（于额定直流阻断电压下）：5uA（25度），500uA（100度）最大全载反向平均电流：10uA

典型节点电容：10PF

操作及储存温度范围：-55 to +150度

器件标记:ES1JAF

封装类型:SMAF

总功率, Ptot:50W

表面安装器件:贴片

2.贴片超快恢复二极管ES1JAF参数规格书

快恢复二极管

快恢复二极管 快恢复二极管 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN 结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。 通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑料封装，20A 以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。 采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴

1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM 值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。

超快恢复二极管SFR08S60T2

8A、600V 快速恢复二极管 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SFR08S60T2 TO-220-2L SFR08S60T2 无铅料管SFR08S60F2 TO-220F-2L SFR08S60F2 无铅料管SFR08S60D TO-252-2L SFR08S60D 无铅料管SFR08S60DTR TO-252-2L SFR08S60D 无铅编带

极限参数 参数名称符号参数范围单位 反向重复峰值电压V RRM 700 V 正向平均整流电流I F(AV) 8.0 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM 120 A 工作结温范围T J -50～+150 °C 贮存温度范围T stg -50～+150 °C 热阻特性 参数名称符号参数范围单位 芯片对管壳热阻R θJC 2.0 °C/W 电气特性参数 参数符号最小值典型值最大值单位 最大正向电压 I F=8.0Amps，T C=25°C V F-- 1.95 2.2 V 最大反向漏电流 在直流工作电压下，T C=25°C I R-- -- 10.0 μA 最大反向恢复时间 I F=0.5 Amp，I R=1.0Amp，I REC=0.25Amp t rr-- -- 35 ns

典型特性曲线

封装外形图 15.80±0.30 0.20

封装外形图（续） 声明： ?士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。 ?任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ ?产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！

RS1G快速恢复二极管规格书

(RS1A~RS1M) SMA A Fast Recovery rectifiers Major Ratings and Characteristics I F(AV) 1.0 A V RRM50 V to 1000 V I FSM30 A t rr150nS, 250nS, 500nS V F 1.3 V T j max.150 °C Features ●Low profile package ●Ideal for automated placement ●Glass passivated chip junction ●Fast switching for high efficiency ●High forward surage capability ●High temperatrue soldering： 260℃/10 seconds at terminals ●Component in accordance to RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC Mechanical Date ●Case: JEDEC DO-214AC molded plastic over glass passivated chip ●Terminals: Solder plated, solderable per J-STD-002B and JESD22-B102D ●Polarity: Laser band denotes cathode end Maximum Ratings & Thermal Characteristics & Electrical Characteristics (TA = 25 °C unless otherwise noted) Symbol(RS1A)(RS1B)(RS1D)(RS1G)(RS1J)(RS1K)(RS1M)UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage V RRM501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS3570140280420560700V Maximum DC blocking voltage V DC501002004006008001000V Maximum average forward rectified current I F(AV)1A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load I FSM30A Maximum instantaneous forwad voltage at 1.0V F 1.3V Maximum DC reverse current T A = 25 ℃at Rated DC blocking voltage T A = 125℃I R 5.0μA 50μA Maximum reverse recovery time at I F = 0.5 A , I R = 1.0 A , I rr = 0.25 A t rr150250500nS Typical junction capacitance at 4.0 V ,1MHz C J118pF Thermal resistance from junction to ambient RθJA75℃/ W Operating junction and storage temperature range T J,T STG–55 to +150 ℃- 1 - https://www.sodocs.net/doc/d24979966.html,

贴片TVS二极管5.0SMDJ160CA型号

贴片TVS二极管5.0SMDJ160CA型号 硕凯电子（Sylvia） 一、编带规格 二、产品图 三、选型与应用 ①TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。

②击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压UM按公式：VBRmin ≥1.2UM或VRWM≥1.1UM选择。交流：UM=1.414Uac,如，对于220V的交流电，其UM=1.414*220=311（V）；直流：UM=Udc。 四、脉冲降额曲线 五、产品特性 1、为表面安装应用优化电路板空间 2、低泄漏 3、双向单元 4、玻璃钝化结 5、低电感 6、优良的钳位能力 7、5000W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01% 8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps 9、典型的，在电压高于25V时，反向漏电流小于5μA

10、高温焊接：终端260°C/40秒 11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T 12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-0 13、无铅镀雾锡 14、无卤化，符合RoHS 15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现 16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的 17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触) 18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2) 19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4) 六、最大额定值 Notes: 1.Non-repetitive current pulse,per Fig.3and derated above TA=25°C per Fig. 2. 2.Mounted on5.0mm x5.0mm(0.03mm thick)Copper Pads to each terminal. 3.8.3ms single half sine-wave,or equivalent square wave,Duty cycle=4pulses per minutes maximum. 4.VF<3.5V for VBR<200V and VF<6.5V for VBR>201V. 七、双向I-V曲线特性

整流管与快恢复二极管区别

整流电路由于频率很低，故只对耐压有要求，只要耐压能满足，肯定是可以代用的，且快恢复二极管也有用于整流的情况，就是在开关电源次级整流部份，由于频率较高，只能使用快恢复二极管整流，否则由于二极管损耗太大会造成电源整体效率降低，严重时会烧毁二极管。另外快恢复二极管的价格较整流二极管贵很多，耐压越高越贵，所以一般是不会拿快恢复二代管使用的。当然，如果你手头上只有快恢复二极管而没有一般整流管时，想怎么用就怎么用，只要耐压足够即可。 提问者评价 首先谢谢你的回答！！！ 是的，没有刚好合适耐压的整流二极管。所有用快恢复代替的 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS 的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别 肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 肖特基二极管(Schottky Diodes)：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。 肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 1．结构原理 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns 以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向恢复时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

快恢复二极管选型

快恢复二极管参数 型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管 3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管 1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管 3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管 3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管 5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管 4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管 4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管 6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管 4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管 6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管 2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管 4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管 3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60 BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90 FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80 MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管 4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管 3.50

MMBZ5241B贴片二极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diode MMBZ5221B-MMBZ5259B ZENER DIODE FEATURES： Planar Die Construction General purpose, Medium Current Ideally Suited for Automated Assembly Marking: see table on page2 t he marking code Maximum Ratings(T a= 25℃ unless otherwise specified) Characteristic Symbol Value Unit Forward Voltage @ I F = 10mA V F0.9 V Power Dissipation P D300mW Thermal Resistance, Junction to Ambient Air RθJA417℃/W Operating and Storage Temperature Range T j, T STG-55 ~ +150℃ B,Jun,2013

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a=25℃ unless otherwise specified) Zener Voltage Range (Note 1) Test Current Maximum Zener Impedance (Note 2) Maximum Reverse Leakage Current (Note 1) Type Number Marking Code V Z @ I ZT I ZT Z ZT @ I ZT Z ZK @ I ZK = 0.25mA I R @V R Nom (V) Min (V) Max (V)mA ?μA V MMBZ5221B KC1 2.4 2.28 2.52 20 30 1200 100 1.0 MMBZ5222B KC2 2.5 2.38 2.63 20 30 1250 100 1.0 MMBZ5223B KC3 2.7 2.57 2.84 20 30 1300 75 1.0 MMBZ5225B KC5 3.0 2.85 3.15 20 30 1600 50 1.0 MMBZ5226B KG1 3.3 3.14 3.47 20 28 1600 25 1.0 MMBZ5227B KG2 3.6 3.42 3.78 20 24 1700 15 1.0 MMBZ5228B KG3 3.9 3.71 4.10 20 23 1900 10 1.0 MMBZ5229B KG4 4.3 4.09 4.52 20 22 2000 5.0 1.0 MMBZ5230B KG5 4.7 4.47 4.94 20 19 1900 5.0 2.0 MMBZ5231B KE1 5.1 4.85 5.36 20 17 1600 5.0 2.0 MMBZ5232B KE2 5.6 5.32 5.88 20 11 1600 5.0 3.0 MMBZ5233B KE3 6.0 5.70 6.30 20 7 1600 5.0 3.5 MMBZ5234B KE4 6.2 5.89 6.51 20 7 1000 5.0 4.0 MMBZ5235B KE5 6.8 6.46 7.14 20 5 750 3.0 5.0 MMBZ5236B KF1 7.5 7.13 7.88 20 6 500 3.0 6.0 MMBZ5237B KF2 8.2 7.79 8.61 20 8 500 3.0 6.5 MMBZ5238B KF3 8.7 8.27 9.14 20 8 600 3.0 6.5 MMBZ5239B KF4 9.1 8.65 9.56 20 10 600 3.0 7.0 MMBZ5240B KF5 10 9.50 10.50 20 17 600 3.0 8.0 MMBZ5241B KH1 11 10.45 11.55 20 22 600 2.0 8.4 MMBZ5242B KH2 12 11.40 12.60 20 30 600 1.0 9.1 MMBZ5243B KH3 13 12.35 13.65 9.5 13 600 0.5 9.9 MMBZ5244B KH4 14 13.30 14.70 9.0 15 600 0.1 10 MMBZ5245B KH5 15 14.25 15.75 8.5 16 600 0.1 11 MMBZ5246B KJ1 16 15.20 16.80 7.8 17 600 0.1 12 MMB Z5247B KJ2 17 16.15 17.85 7.4 19 600 0.1 13 MMBZ5248B KJ3 18 17.10 18.90 7.0 21 600 0.1 14 MMBZ5249B KJ4 19 18.05 19.95 6.6 23 600 0.1 14 MMBZ5250B KJ5 20 19.00 21.00 6.2 25 600 0.1 15 MMBZ5251B KK1 22 20.90 23.10 5.6 29 600 0.1 17 MMBZ5252B KK2 24 22.80 25.20 5.2 33 600 0.1 18 MMBZ5253B KK3 25 23.75 26.25 5.0 35 600 0.1 19 MMBZ5254B KK4 27 25.65 28.35 5.0 41 600 0.1 21 MMBZ5255B KK5 28 26.60 29.40 4.5 44 600 0.1 21 MMBZ5256B KM1 30 28.50 31.50 4.2 49 600 0.1 23 MMBZ5257B KM2 33 31.35 34.65 3.8 58 700 0.1 25 MMBZ5258B KM3 36 34.20 37.80 3.4 70 700 0.1 27 MMBZ5259B KM4 39 37.05 40.95 3.2 80 800 0.1 30 Notes: 1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect. 2. f = 1k Hz. B,Jun,2013

快恢复二极管参数

快恢复二极管参数大全 IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40 IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50 IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00 IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.80 21D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20 SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80 C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.20 8TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50 MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00 C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50 D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80 D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80 MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80 MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80 MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50 BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20 BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60 BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80 BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20 BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20 BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50 BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60

US1J快恢复二极管

MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS SYMBOL US 1A US 1B US 1D US 1G US 1J US 1K US 1M UNITS Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS Voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC Blocking Voltage V DC 501002004006008001000V Maximum Average Forward Rectified Current (T L =100o C) Peak Forward Surge Current (8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load)Maximum Instantaneous Forward Voltage (at rated forward current) Maximum DC Reverse Current T a =25o C μA (at rated DC blocking voltage)T a =100o C μA Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)trr nS Typical Junction Capacitance (Note 2) C J pF Typical Thermal Resistance (Note 3) R θ(ja)o C/W Storage and Operation Junction Temperature T STG ,T J o C Note: 1.Reverse recovery condition I F =0.5A, I R =1.0A,Irr=0.25A. 2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0V dc 3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area US1A THRU US1M SURFACE MOUNT ULTRA FAST SWITCHING RECTIFIER (Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25o C, unless otherwise stated, for capacitive load,derate current by 20%) RATINGS I F(AV) 1.0 A I FSM 30A V F 1.0 1.4 1.7 V I R 5.020********* 32-50 to +150TECHNICAL SPECIFICATION

稳压、快恢复二极管参数

常用稳压二极管技术数据
型号 Hz4B2 HZ4C1 HZ6 HZ6A HZ6C3 HZ7 HZ7A HZ7B HZ9A HZ9CTA HZ11 HZ12 HZ12B HZ12B2 HZ18Y HZ20-1 HZ27 HZT33-02 RD2.0E(B) RD2.7E RD3.9EL1 RD5.6EN1 RD5.6EN3 RD5.6EL2 RD6.2E(B) RD7.5E(B) RD10EN3 RD11E(B) RD12E RD12F RD13EN1 RD15EL2 RD24E RD24F RD36EL1 最 大 功 耗 稳定电压(V) (mW) 最小值 最大值 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 400 500 400 500 500 500 500 500 500 500 500 500 1000 500 500 400 400 500 3.8 4.0 5.5 5.2 6 6.9 6.3 6.7 7.7 8.9 9.5 11.6 12.4 12.6 16.5 18.86 27.2 31 1.88 2.5 3.7 5.2 5.6 5.5 5.88 7.0 9.7 10.1 11.74 11.19 12 13.8 22 24 32 4.0 4.2 5.8 5.7 6.4 7.2 6.9 7.3 8.5 9.7 11.9 14.3 13.4 13.1 18.5 19.44 28.6 33.5 2.12 2.93 4 5.5 5.9 5.7 6.6 7.9 10.0 11.8 12.35 11.77 12.7 14.6 25 28 34 代 换 型 号 电流(mA) 新型号 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2 2 5 20 20 20 20 20 20 20 20 20 15 10 20 10 15 10 10 15 2CW102 2CW102 2CW103 2CW103 2CW104 2CW105 2CW105 2CW105 2CW106 2CW107 2CW109 2CW111 2CW111 2CW111 2CW113 2CW114 2CW117 2CW119 2CW100 2CW101 2CW102 2CW103 2CW104 2CW103 2CW104 2CW105 2CW108 2CW109 2CW110 2CW109 2CW110 2CW112 2CW116 2CW117 2CW119 国产稳压管 旧型号 2CW21 2CW21 2CW21A 2CW21A 2CW21B 2CW21C 2CW21C 2CW21C 2CW21D 2CW21E 2CW21G 2CW21H 2CW21H 2CW21H 2CW21J 2CW21K 2CW21L 2CW21M 2CW21P 2CW21S 2CW21 2CW21A 2CW21B 2CW21A 2CW21B 2CW21C 2CW21F 2CW21G 2CW21H 2CW21G 2CW21H 2CW21J 2CW21H 2CW21L 2CW21M 33-2 12A3 12C3 24-1 12A1 11A2 4B2 6A1 6B2 6B1 2B1 27-3 12B2 6C3 日立稳压 管 4B2 4C1 6B1

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41