半导体器件作业 有答案

1．半导体硅材料的晶格结构是（A）

A 金刚石

B 闪锌矿

C 纤锌矿

2．下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ）

Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体

3．硅单晶中的层错属于（ C ）

Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷

4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。

A 空穴

B 电子

5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）

A 直接复合

B 间接复合

C 俄歇复合

6．衡量电子填充能级水平的是（ B ）

Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级

7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B ) 的一个物理量。

A 在电场作用下的运动快慢

B 在浓度梯度作用下的运动快慢

8．室温下，半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm－3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至 570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K 时，ni≈2×1017cm－3）

A 1014cm－3

B 1015cm－3

C 1.1×1015cm－3

D 2.25×105cm－3

E 1.2×1015cm－3

F 2×1017cm－3

G 高于 Ei

H 低于 Ei I

等于 Ei

9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。

A 漂移

B 隧道

C 扩散

10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ）

Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管 D 隧道二极管

11. 平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当np

Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于

12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ）

Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触

13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（ C ）

A BVCEO

B BVCBO

C BVEBO

14．MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（V S为半导体表面电势；qVB=Ei-EF）

A V S=V

B B V S=2V B

C V S=0

15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ C ）A．较厚B．较薄C．很薄16．pn 结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ A ）。

A．展宽B．变窄C．不变

17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ C ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺

18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ B ）。A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压

19．真空能级和费米能级的能值差称为（ A ）

A 功函数

B 亲和能

C 电离电势

20. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ A ）

A 发射区

B 基区

C 集电区

21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P 沟道，该MOSFET 为（ A ）A P 沟道增强型 B P 沟道耗尽型 C N 沟道增强型 D N 沟道耗尽型

二、判断题（共20 分，每题１分）

１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。

２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。

３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。

４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。

５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。

６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。

７．（√）MOSFET 只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。

８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。

９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。

10．（√）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。

１１．（√）平衡PN 结中费米能级处处相等。

１２．（√）能够产生隧道效应的PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。

１３．（√）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。

１４．（√）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。

１５．（√）高频下，pn 结失去整流特性的因素是pn 结电容

１６．（×）pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。

１７．（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。

１８．（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。

１９．（×）制造MOS 器件常常选用[111]晶向的硅单晶。

２０．（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。

三、名词解释(共15 分，每题5分，给出关键词得3分)

1．雪崩击穿

随着PN 外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。

2．非平衡载流子

由于外界原因，迫使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态，其载流子浓度可以比平衡状态时多出了一部分，比平衡时多出了的这部分载流子称为非平衡载流子。

3．共有化运动

当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动，这种运动称为电子的共有化运动。

四、问答题（22 分）

1．简述肖特基二极管的优缺点。（6 分，每小点1 分）

优点：（1 ）正向压降低

（2 ）温度系数小

（3 ）工作频率高。

（4 ）噪声系数小

缺点：（1 ）反向漏电流较大

（ 2 ）耐压低

2．MIS 结构中，以金属—绝缘体—P 型半导体为例，半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？（6 分，每小点2 分）

积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现空穴的堆积。（ 2 分）

耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2 分）

反型状态：当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级E i ，这意味着表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。（2 分）

3．如何加电压才能使NPN 晶体管起放大作用。请画出平衡时和放大工作时的能带图。

答：要使NPN晶体管起放大作用，发射结要加正向偏压，集电结反向偏压。放大工作时的能带图如下

五、计算题（共13 分，其中第一小题5分，第二小题5 分，第三小题3 分）

1. 计算

（1）掺入ND 为1×1015 个/cm3 的施主硅，在室温（300K）时的电子n0 和空穴浓度p0，其中本征载流子浓度n i=2×1010 个/cm3。

（2）如果在（1）中掺入NA=5×1014 个/cm3 的受主，那么电子n0 和空穴浓度p0 分别为多少？

（3）若在（1）中掺入NA=1×1015 个/cm3 的受主，那

么电子n0 和空穴浓度p0 又为多少？

一、填空题（共25分每空１分）

１、硼、铝、镓等三族元素掺入到硅中，所形成的能级是受主（施主能级或受主能级）；砷、磷等五族元素掺入到硅中，所形成的能级是

施主（同上）。

２、平衡状态下，我们用统一的费米能级ＥＦ来标志电子填充能级的水平，在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用导带费米能级

（ＥＦn）来衡量，价带中电子填充能级的水平是用价带费米能级

（ＥＦp）来衡量。

３、载流子的散射机构主要有电离杂质散射和晶格振动散射。

５、ＰＮ结击穿共有三种：雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿

６、晶体管的品种繁多，按其结构分可分为双极型、MOS晶体管。

在电子电路应用中，主要有两种接法即：共基极和共射极，其

标准偏置条件为：发射极正向偏置、集电极反向偏置。

７、P型半导体的MIS结构外加栅压时，共有三种状态：积累、

耗尽、反型。

８、真空能级和费米能级的能量差称为功函数，真空能级和半导体导带底的能量差称为亲和能。

9、在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫击穿电压。

10、晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得

较薄（较厚或较薄）。

11、载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生漂移电流。

12、在开关器件及与之相关的电路制造中，掺金工艺已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。

二、判断题（共10分，每题1分）

1、位错是半导体材料中的一种常见的线缺陷。（R）

2、在高温本征激发时，本征激发所产生的载流子数将远多于杂质电离所产生的载流子数。

（R）

3、电离杂质散射与半导体中杂质浓度成正比。（R）

4、由注入所引入的非平衡载流子数，一定少于平衡时的载流子数，不管是多子还是少子。

（F）

5、非平衡少子浓度衰减到产生时的1/e时的时间，称为非平衡载流子的寿命。

（R）

6、俄歇复合是一种辐射复合。（F）

7、爱因斯坦关系式表明了非简并情况下载流子的迁移率和扩散系数直接的关系。

（R）

8、在大的正向偏压时，扩散电容起主要的作用。（R）

9、齐纳击穿是一种软击穿。( F)

10、半导体的电导率随掺杂浓度的增加而增加。（R）

二、选择题：（单选多选均有共２０分每题２分）

１．下列对纯净半导体材料特性叙述正确的是A、D

Ａ半导体的电阻率在导体和绝缘体之间

Ｂ半导体的电阻率随温度的上升而升高。

Ｃ半导体的电阻率随温度的上升而减小。

Ｄ半导体的电阻率可以在很大范围内变化。

２．下列器件中导电载流子是多子器件的是B

Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管Ｄ变容二极管

３．电子的迁移率是 A 空穴的迁移率。

Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于

４．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是C

Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体

５．半导体与金属Al形成良好的欧姆接触的结构形式有B、D

ＡAl-n-n+ ＢAl-n+-nＣAl-p-p+ D Al-p+-p

６．晶体中内层电子有效质量A外层电子的有效质量。

Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于Ｄ不一定

７．原子构成的平面在x、y、z轴上的截距分别为－２、３、４，则其密勒指数为A Ａ（６，４，３）Ｂ（６，４，３）

C（２，３，４）D（２，３，４）

８．Pn结耗尽层中（如图所示）电场强度最大的地方是C

Ａpp’Ｂxx’Ｃnn’Ｄ一样大

P x n

９．最能起到有效的复合中心作用的杂质是A

Ａ深能级杂质Ｂ浅能级杂质Ｃ中等能级杂质

１０．在下列半导体中，费米能级最高的是 C

A 强P型

B 弱P型

C 强N型

D 弱N型

三、名词解释(共15分每题5分)

１、准费米能级

费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。２、直接复合、间接复合

直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。

间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。

３、扩散电容

PN 结正向偏压时，有空穴从P 区注入N 区。当正向偏压增加时，由P 区注入到N 区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N 区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N 扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N 结的扩散电容。用CD 表示。

四、问答题（２４分）

１、画出杂质半导体电阻率与温度的关系图，并分析该图。（8分）

AB ：温度很低，本征激发可忽略，载流子主要上

由杂 ρ质提供， 它随温度增加而增加，散射主要由 电离杂质决定，迁移率随温度的增加而增加，

所以电阻率随温度的 增加而下降。（2分）

BC ：温度继续升高，杂质已全部电离，载 B 流子浓度基本不变，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁 移率随温度的升高 而下降，所以电阻率随温度的升高而

增大。（2分）

CD ：温度继续升高，大量本征载流子的产生远远 T

超过迁移率减小对电阻率的 影响，电阻率随温度的升高而急剧下降。

２．MOSFET 与双极晶体管相比有何优点？（6分）

MOS 管：多子器件，驱动能力强，易集成，功耗低，适合于大规模集成电路，现已成为超大规模

集成电路的主流形式。（3分）

双极器件：少子器件，速度较快，但集成度较低，功耗大，不适合于大规模集成电路。（3分）

３．MIS 结构中，P 型半导体表面在什么情况下成为积累层？什么情况下出现耗尽层和反型层？并

请画出相应的能带图。（１０分）

E FM E C E C E C

E V E FM E V E FM E V

积累状态 耗尽状态 反型状

积累状态：当金属与半导体之间加负电压时，表面势为负值，表面处能带向上弯曲，表面层内就会出现

空穴的堆积。（2分）

耗尽状态：当金属与半导体之间加正电压时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，表面处的空穴浓度

较体内的低得多，这种状态就叫做耗尽状态。（2分）

反型状态：当正电压进一步增加时，能带进一步向下弯曲，使表面处的费米能级高于中央能级E I ，这

意味着表面的电子浓度将超过空穴浓度，形成反型层。（2分）

五、计算题（6分）

１．设空穴浓度是线性分布，在3um 内浓度差为1015 cm -3,Ｄp=10.8cm 2/s,试计算空穴扩散电流密度。

（q=1.6×10 -19 C ） J=— qDp dx dP = —1.6×10-19×10.8×(1015/3×10-4)= —5.76 (A /cm -2)

2019年春九年级语文下册第六单元22出师表作业新人教版 含答案

22 出师表 夯实基础巩固知识 预习自测 1.根据拼音写汉字,给加点的字注音。 中道崩cú(殂) 裨．补阙漏(bì) 陟．罚臧否(zhì)行．阵和睦(háng) 攘．除奸凶(rǎnɡ)不xiè(懈)于内 益州疲bì(弊) 咨诹．善道(zōu) 2.解释下列加点词在文中的意思。 (1)恢弘 ．．志士之气恢弘: 发扬,扩展 (2)引喻失义．义: 道理 (3)此皆良实 ．．良实:忠良诚实的人 (4)先帝简拔 ．．以遗陛下简拔: 选拔 (5)必能裨补阙．漏阙: 缺失 (6)由是感激 ．．感激: 感奋激发 (7)遂许先帝以驱驰 ．．驱驰: 奔走效劳 (8)夙夜 ．．忧叹夙夜: 早晚,日日 夜夜 (9)庶竭驽钝 ．．驽钝:比喻才能平庸 (10)攘除 ．．奸凶攘除: 排除,铲除 (11)斟酌损益 ．．损: 减少 益: 增加

(12)责攸之、祎、允等之慢．慢: 怠慢,疏忽 (13)以咨诹．善道诹: 询问 3.解释下列句子中加点词的含义,注意体会其与今义的区别。 (1)诚宜开张 ．．圣听 扩大 (2)未尝不叹息痛恨 ．．于桓、灵也 感到痛心、遗憾 (3)先帝不以臣卑鄙 ．． 社会地位低微,见识短浅 (4)由是感激 ．．,遂许先帝以驱驰 感奋激发 4.把下面的句子翻译成现代汉语。 (1)此诚危急存亡之秋也。 这确实是国家危急存亡的关键时刻。 (2)诚宜开张圣听,以光先帝遗德,恢弘志士之气。 (陛下)确实应该广泛地听取群臣的意见,来发扬光大先帝留下的美德,发扬有志之士的气节。 (3)陟罚臧否,不宜异同。 对于他们的晋升、处罚,赞扬、批评,不应该(因在宫中或在丞相府中而)不同。 (4)亲小人,远贤臣,此后汉所以倾颓也。 亲近小人,疏远贤臣,这是东汉倾覆衰败的原因。 (5)此臣所以报先帝而忠陛下之职分也。 这是我用来报答先帝并忠于陛下的职责和本分啊。 (6)陛下亦宜自谋,以咨诹善道,察纳雅言。 陛下也应该自己思虑谋划,询问(治国的)好方法,识别和采纳正直的进言。 5.根据要求填空。

半导体物理器件期末考试试题(全)

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13、空间电荷区：冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿：在重掺杂 pn 结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

半导体器件物理课后习题解答

半导体器件物理课后作业 第二章 对发光二极管（LED）、光电二极管（PD）、隧道二极管、齐纳二极管、变容管、快恢复二极管和电荷存储二极管这7个二端器件，请选择其中的4个器件，简述它们的工作原理和应用场合。 解： 发光二极管 它是半导体二极管的一种，是一种固态的半导体器件，可以把电能转化成光能；常简写为LED。 工作原理：发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少是不同的，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短；反之，则发出的光的波长越长。 应用场合：常用的是发红光、绿光或黄光的二极管，它们主要用于各种LED显示屏、彩灯、工作（交通）指示灯以及居家LED节能灯。 光电二极管 光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性，但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。 工作原理：普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光，而电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；当有光照时，携带能量的光子进入PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子—空穴对，称为光生载流子。它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流迅速增大到几十微安，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光电二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 光电二极管有多种类型，用途也不尽相同，主要有以下几种： PN型特性：优点是暗电流小，一般情况下，响应速度较低。 用途：照度计、彩色传感器、光电三极管、线性图像传感器、分光光度计、照相机曝光计。 PIN型特性：缺点是暗电流大，因结容量低，故可获得快速响应 用途：高速光的检测、光通信、光纤、遥控、光电三极管、写字笔、传真 发射键型特性：使用Au薄膜与N型半导体结代替P型半导体 用途：主要用于紫外线等短波光的检测 雪崩型特性：响应速度非常快，因具有倍速做用，故可检测微弱光 用途：高速光通信、高速光检测 隧道二极管 隧道二极管（Tunnel Diode）又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半

半导体器件物理 试题库

半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。

9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化

24出师表作业及答案

24 出师表·预习作业姓名等级 1．《出师表》作者是________（时代）政治家________（姓名）。“表”是古代________________的一种文体。是作者率师北上伐魏时写给后主____ ____（姓名）的一篇表文。这篇“表”中写到的“先帝”，指的是________（姓名）。南宋诗人陆游高度评价这篇表文，说道“出师一表真名世，____ ____？” 2．《出师表》中作者向后主着重提出了三条修明政治的主张，即①___ _____________，②________，③________。其中最重要的是________。 3．下列加粗字读音有错的一项是 （）A．先帝简拔以遗（）陛下。猥（）自枉屈。 B．以咨诹（）善道。夙（）夜忧叹。 C．陟罚臧否（）。中道崩殂（）。 D．斟酌（）损益。性行（）淑均。 4．对下列加粗词解释完全正确的一项是 （）A．此诚危急存亡之秋也（时）。未尝不叹息痛恨（憎恨）于桓灵也。 B．以光（光亮）先帝遗德。是以先帝简拔以遗（给予）陛下。 C．亲（亲近）贤臣，远小人。营中之事，悉以咨之（他，代指向宠）。 D．以（以致）塞忠谏之路也。以（所以）昭陛下平明之理。 5．请用“／”标示出下面语句的停顿之处，并翻译。 然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身于外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。 译：________________________________________________________ 24 出师表·延伸作业姓名等级 阅读下面文言语段，完成文后问题。 臣本布衣，躬耕于南阳，苟全性命于乱世，不求闻达于诸侯。先帝不以臣卑鄙，猥自枉屈，三顾臣于草庐之中，咨臣以当世之事，由是感激，遂许先帝以驱驰。后值倾覆，受任于败军之际，奉命于危难之间，尔来二十有一年矣。 先帝知臣谨慎，故临崩寄臣以大事也。受命以来，夙夜忧叹，恐托付不效，以伤先帝之明。故五月渡泸，深入不毛。今南方已定，兵甲已足，当奖率三军，北定中原，庶竭驽钝，攘除奸凶，兴复汉室，还于旧都。此臣所以报先帝而忠陛下之职分也。至于斟酌损益，进尽忠言，则攸之、祎、允之任也。 1．解释下列加粗词。 （1）先帝不以臣卑鄙________ （2）三顾臣于草庐之中________ （3）深入不毛________ （4）庶竭驽钝________ 2．下列每组加粗词语意思相同的一组是 （）A．苟全性命于乱世奉命于危难之间 B．先帝不以臣卑鄙故临崩寄臣以大事也 C．恐托付不效愿陛下托臣以讨贼兴复之效 D．此臣所以报先帝而忠陛下之职分也先汉之所以兴隆也 3．选文中“由是感激”的“是”指代是什么？请用现代汉语翻译这句话。 ___________________________________________________________ 4．第二段中，作者指出“出师”的战略目标是 （）A．先帝知臣谨慎，故临崩寄臣以大事也。 B．故五月渡泸，深入不毛。 C．北定中原，庶竭驽钝，攘除奸凶，兴复汉室，还于旧都。 D．此臣所以报先帝而忠陛下之职分也。 5．简述选文第一段作者自述身世的目的。 ______________________________________________________________ 开放探究 1．下面是关于诸葛亮的一副对联，高度概括了诸葛亮一生的功绩，参照示例，写出另外列出来的六项具体所指。 收二川，排八阵，六出七擒，五丈原前，点四十九盏明灯，一心只为酬三顾； 取西蜀，定南蛮，东和北拒，中军帐里，变金木土爻神卦，水面偏能用火攻。 例：三顾：三顾茅庐。 （1）六出________ （2）七擒________ （3）东和________ （4）北拒________ （5）收二川________ （6）排八阵______ 2．诸葛亮在我国是家喻户晓的人物，有关他的事迹、传说、俗语有很多。课外查阅资料，写一篇《我了解的诸葛亮》文章，在班级里进行交流。

【合肥工业大学】【半导体器件物理】试卷含答案剖析

《半导体器件物理》试卷（二）标准答案及评分细则 一、填空（共24分，每空2分） 1、PN结电击穿的产生机构两种； 答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。 2、双极型晶体管中重掺杂发射区目的； 答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。 3、晶体管特征频率定义； β时答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数β下降为1 =所对应的频率 f，称作特征频率。 T 4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号； 答案：0 V。 > T 5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因； 答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。 6、BV CEO含义； 答案：基极开路时发射极与集电极之间的击穿电压。 7、MOSFET短沟道效应种类； 答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。 8、扩散电容与过渡区电容区别。 答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 二、简述（共20分，每小题5分） 1、内建电场； 答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，而在N区的施主正离子中心固定不动，出现净的正电荷，同样P区的受主负离子中心也固定不动，出现净的负电荷，于是就会产生空间电荷区。在空间电荷区内，电子和空穴又会发生漂移运动，它的方向正好与各自扩散运动的方向相反，在无外界干扰的情况下，最后将达到动态平衡，至此形成内建电场，方向由N区指向P区。 2、发射极电流集边效应； 答案：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区

出师表作业纸有答案(通用)

九年级语文作业纸 NO.5 课题：出师表班级：姓名：主备人：严文君审核人：徐美云时间：1.25 一、基础知识： 1．给加粗的字注音。 （1）中道崩殂（）（2）裨补阙漏（） （3）行阵和睦（）（4）以彰其咎（） （5）陟罚臧否（）（6）以遗陛下（） （7）庶竭驽钝（）（8）猥自枉屈（） （9）咨诹善道（）（10）夙夜忧叹（）2．解释下列句中加粗的词。 （1）以光先帝遗德（）（2）引喻失义（） （3）以遗陛下（）（4）悉以咨之（） （5）猥自枉屈（）（6）斟酌损益（） （7）咨诹善道（）（8）以彰其咎（） （9）先帝不以臣卑鄙（）（10）遂许先帝以驱驰（）3．翻译下列句子。 （1）诚宜开张圣听，以光先帝遗德。 ___________________________________________________________ （2）陟罚臧否，不宜异同。 ___________________________________________________________ （3）宜付有司论其刑赏。 ___________________________________________________________ （4）必能裨补阙漏，有所广益。 ___________________________________________________________

（5）先帝不以臣卑鄙，猥自枉屈。 ___________________________________________________________ （6）苟全性命于乱世，不求闻达于诸侯。 ___________________________________________________________ 二、课内阅读 阅读下列文字，回答文后问题。 先帝创业未半而中道崩殂，今天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身于外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。诚宜开张圣听，以光先帝遗德，恢弘志士之气，不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也。 宫中府中，俱为一体，陟罚臧否，不宜异同。若有作奸犯科及为忠善者，宜付有司论其刑赏，以昭陛下平明之理，不宜偏私，使内外异法也。 侍中、侍郎郭攸之、费祎、董允等，此皆良实，志虑忠纯，是以先帝简拔以遗陛下。愚以为宫中之事，事无大小，悉以咨之，然后施行，必能裨补阙漏，有所广益。 将军向宠，性行淑均，晓畅军事，试用于昔日，先帝称之曰能，是以众议举宠为督。愚以为营中之事，悉以咨之，必能使行阵和睦，优劣得所。 亲贤臣，远小人，此先汉所以兴隆也；亲小人，远贤臣，此后汉所以倾颓也。先帝在时，每与臣论此事，未尝不叹息痛恨于桓、灵也。侍中、尚书、长史、参军，此悉贞良死节之臣，愿陛下亲之信之，则汉室之隆，可计日而待也。 4．文中“先帝”指________，“陛下”指________，“天下三分”指天下分裂为_____ ___、________、________三国。 5．请概括第一段文字的内容要点。 ___________________________________________________________ 6．诸葛亮向后主提出了哪几条建议？请用原文回答。 ___________________________________________________________ 7．请分析文中画线句子表达了作者怎样的思想感情？ ___________________________________________________________________________ _________________________________________。

最新半导体器件与工艺期末复习资料知识讲解

pn 结二极管的两个基本特性①开关特性②整流特性 突变结模型近似①掺杂分布是阶跃函数。在n 型和p 型半导体的净掺杂浓度皆为常数。②杂质完全电离。即n 型半导体和p 型半导体的平衡电子浓度分别为：n n0=N D 和p p0=N A ③忽略杂质引起的带隙变窄效应。但需要考虑掺杂引起的费米能级变化，对简 并态，n 型半导体和p 型半导体的费米能级分别处于导带底和价带顶。 pn 结平衡能带图 接触后平衡态下的费米能级就是上图的E F 内建电势差在没有外接电路的情形下，扩散过程不会无限延续下去。此时会到达一种 平衡，即扩散和漂移之间的动态平衡，相应产生的电势差称为接触电势差。由于是自 身费米能级不同产生的，因此常称为自建势或内建势 电子和空穴的内建电势差大小区别 对于同质结，他们的大小是一样的，对于异质结不一样。 突变结电场强度与电势分布 电场分布图大小 电势分布图由 dx x E x )()(大小求出 耗尽区及其宽度，在各自n 区、 p 区的耗尽宽度与什么有关？ ①定义：在半导体pn 结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降，这一界 面区域称为耗尽区。②宽度： ③关系： p n n p D A p n x x V V N N x x ;

单边突变结及其平衡时的能带图 外加正偏压、负偏压下的pn结能带图 pn结电压与外加偏压关系 外加反偏电压V j=V t o tal=V bi+V R;外加正偏电压V j=V total=V bi-V R 扩散电流势垒降低，位于中性区或准中性区的多数电子或空穴通过扩散穿过pn结皆产生从n到p或p到n的净电子、净空穴扩散流，相应地皆为从p区至n区的净扩散电流;从n区扩散到p区的电子将成为p区中的过剩少数载流子，将发生远离结区的方向扩散和复合，过剩电子浓度将逐渐减小。此时，由于中性p区无电场，因此电子主要以扩散方式流入p区，故称过剩少数载流子电流为扩散电流或注入电流。 少子注入及表达式给pn结外加正向偏压时，少子被注入了，n p=n p0exp(qV a/kT) 少子抽取给pn结外加反向偏压时，少子被抽取了，n p=0 长基区原型二极管电流主要为扩散电流，同时结两边的准中性区的长度远大于区 域中少子的扩散长度(电子为L n，空穴为L p) 什么是pn结二极管的理想电流？理想电流－电压方程如何？理想因子？反向饱和电 流或电流密度？并画出电流－电压关系简图 ①定义(假设)a耗尽层突变近似。空间电荷区的边界存在突变;耗尽区以外的半导体区域为电中性，且多子浓度基本上等于平衡时的浓度。b半导体为非简并，载流子统计分布采用麦克斯韦-波尔兹曼统计。c小注入条件。在结的任何一边，任何位置的少子浓度 远远小于多子浓度。d电流分布。在中性区或准中性区，和扩散电流相比，少子的漂移 电流可忽略;pn结内的电流值处处相等;pn结内的电子电流与空穴电流分别为连续函数;耗尽区内的电子电流与空穴电流为恒定值。 ②方程： ③理想因子：一般情形下，电流密度J通常近似为右图： 其中，J s为J rec和J0的函数，n为二极管的品质因子或理想因子 ④电流密度：总反偏电流密度为 理想反向饱和电流密度与反向产 生电流密度之和，即 关系简图：

09级半导体器件物理A卷答案

一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( B )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si 中掺硼的浓度为1014cm －3，同时掺有浓度为1.1×1015cm － 3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升温至570K ，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已知：室温下，ni ≈1.5×1010cm － 3，570K 时，ni ≈2×1017cm － 3） A 1014cm －3 B 1015cm －3 C 1.1×1015cm － 3 D 2.25×105cm －3 E 1.2×1015cm －3 F 2×1017cm － 3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n 0p 0=n i 2，载流子的产生率等于复合率，而当np

清华大学半导体器件张莉期末考题

发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest 标题: 微电子器件 发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内 填空： 一，已知af，aR，和IES，求Ics=____（互易关系） 二.bjtA和bjtB。一个集电极是N－，一个集电极是N＋ 问： 哪个饱和压降大___， 那个early电压大___ 那个容易电流集边___. 哪个容易穿通电压大_____ 哪个容易击穿BVCBO.____, 三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响 简答： 1.β和ft对Ic的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随Ic的减小而减小，在大电流段都随Ic的增大而减小。请解释原因 2.总结一下NN+结的作用。 大题： 1.对于杂质浓度分布为NAB(x)=NAB(0)exp（－λx/WB)的分布，用moll－rose方法推出基区少子分布和渡越时间。 2.给了WB，WE，和其它一堆参数，求β，a,hef.... 求IB，Ic， 求π模型参数，gm，go，gu.. 3.画图，上升时间t0，t1’，t2’三点处的能带图，和少子分布图 总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！ 发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest 标题: 半导体器件-张莉 发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004), 站内 A卷 1。以下那些是由热载流子效应引起的。。。 。。。6个选项，待补充。。。 2。何谓准静态近似 3。为了加快电路开关时间参数应如何选取 。。。参数，电容，fT,beita,待补充 4。CE律的参数变化， Vt,xSiO2,N,结深 按照参数的变化规律下列效应将如何变化 （1）掺杂浓度N引起：...5种效应，待补充。。。//sigh,我把N弄反了，5个空全错

《半导体物理学》期末考试试卷(A卷)-往届

赣 南 师 范 学 院 2010–2011学年第一学期期末考试试卷（A 卷） 开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟 注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线； 2、学生答题前将密封线外的内容填写清楚，答题不得超出密封线； 3、答题请用蓝、黑钢笔或圆珠笔。 一、填空题（共30分，每空1分） 1、半导体中有 电子 和 空穴 两种载流子，而金属中只有 电子 一种载流子。 2、杂质原子进入材料体内有很多情况，常见的有两种，它们是 替代式 杂质和间隙式 杂质。 1、 3、根据量子统计理论，服从泡利不相容原理的电子遵从费米统计率，对于能量为E 的一个量子态，被一个电子占据的概率为()f E ，表达式为 ， ()f E 称为电子的费米分布函数，它是描写 在热平衡状态下，电子在允许 的量子态上如何分布 的一个统计分布函数。当0F E E k T ->>时，费米分布函数转化为 ()B f E ，表达式为 ，()B f E 称为电子的玻尔兹曼分布函数。在 0F E E k T ->>时，量子态被电子占据的概率很小，这正是玻尔兹曼分布函数适用的范 围。费米统计率与玻尔兹曼统计率的主要差别在于 前者受泡利不相容原理的限制 ，而在0F E E k T ->>的条件下，该原理失去作用，因而两种统计的 结果变成一样了。 4、在一定温度下，当没有光照时，一块n 型半导体中， 电子 为多数载流子， 空穴 是少数载流子，电子和空穴的浓度分别为0n 和0p ，则0n 和0p 的关系为 大于 ，当用g h E ν>>（该半导体禁带宽度）的光照射该半导体时，光子就能把价带电子激发到导带上去，此时会产生 电子空穴对 ，使导带比平衡时多出一部分电子n ，价带比平衡时多出一部分空穴p ，n 和p 的关系为 ， 这时把非平衡电子称为非平衡 多数 载流子，而把非平衡空穴称为非平衡 少数 载流子。在一般小注入情况下，在半导体材料中，非平衡 多数 载流子带来的影响可忽略，原因是 注入的非平衡多数载流子浓度比平衡时的多数 载流子浓度小得多 ，而非平衡 少数 载流子却往往起着重要作用，原因是 2、 注入的非平衡少数载流子浓度比平衡时的少数载流子浓度大得多 。 5、非平衡载流子的复合，就复合的微观机构讲，大致可分为两种，直接复合和间接复合， 直接复合是指 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 ，间接复合是指 电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合 。载流子在复合时，一定要释放出多余的能量，放出能量的方法有三种，分别为 、 、 3、 发射光子 发射声子 将能量给予其它载流子，增加它们的动能 。 6、在外加电场和光照作用下，使均匀掺杂的半导体中存在平衡载流子和非平衡载流子，由于 半导体表面非平衡载流子浓度比内部高 ，从而非平衡载流子在半导体中作 运动，从而形成 电流，另外，由于外加电场的作用，半导体中的所有载流子会作 运动，从而形成 电流。 二、选择题（共10分，每题2分） 1、本征半导体是指 的半导体。 A 、不含杂质和缺陷 B 、电子密度与空穴密度相等 C 、电阻率最高 D 、电子密度与本征载流子密度相等 2、在Si 材料中掺入P ，则引入的杂质能级 A 、在禁带中线处 B 、靠近导带底 C 、靠近价带顶 D 、以上都不是 3、以下说法不正确的是 A 、价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 B 、本征激发后，形成了导带电子和价带空穴，在外电场作用下，它们都将参与导电。 C 、电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格释放能量。 D 、处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热载流子。 4、以下说法不正确的是

《出师表》练习题含答案

《出师表》专题练习 一 [甲]出师表 臣本布衣 ．．，躬耕于南阳，苟全性命于乱世，不求闻达于诸侯。先帝不以臣卑鄙，猥自枉屈， 三顾臣于草庐之中，咨臣以当世之事，由是感激，遂许先帝以驱驰 ．．。后值倾覆，受任于败军之际，奉命于危难之间，尔来二十有一年矣。 [乙]诸葛亮，言家事 初，亮自表后主曰：“成都有桑八百株，薄田十五顷，子弟衣食，自有余饶。至于臣在外任，无别调度,随身衣食,悉．仰于官,不别治生,以长尺寸。若臣死之日，不使内有余帛，外有赢财，以负陛下。”及卒，如其所言。——《三国志〃蜀志〃诸葛亮传》 1. 解释文中加点词语的意思。（2分） （1）卑鄙____________ （2）悉 2．下列例句中与“恐托付不效，以伤先帝之明”中的“以”字用法相同的一项是（2分） A. 先帝不以臣卑鄙 B. 不别治生,以长尺寸 C. 咨臣以．当世之事 D. 不使内有余帛，外有赢财，以．负陛下 3．将下面的句子翻译成现代汉语。（2分） 受任于败军之际，奉命于危难之间。 4．由（乙）文中诸葛亮的一番肺腑之言可以看出他的什么品质？你知道后人对诸葛亮有何评价吗？举出一例即可。（4分） 二 ①先帝创业未半而中道崩殂，令天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身子外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。诚宜开张圣听，以光先帝遗德，恢弘志士之气，不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也。…… ②臣本布衣，躬耕于南阳，苟全性命于乱世，不求闻达于诸侯，先帝不以臣卑鄙，猥自枉屈，三顾臣于草庐之中，谘臣以当世之事，由是感激，遂许先帝以驱驰，后值倾覆，受任于败军之际，奉命于危难之间，尔来二十有一年矣。 5．写出加粗字在文中的意思。 秋：__________ 光：____________ 义：__________ 6．用现代汉语翻译文段中画线的语句。（3分） ①侍卫之臣不懈于内： ②先帝不以臣卑鄙： ③后值倾覆： 7．第①段诸葛亮向后主提出的应该_______________，不应该_________________， __________________，__________________。（用原文回答，2分） 8．第②段文字着重记叙了刘备______________和诸葛亮_____________两件事。（2分） 三 先帝创业未半而中道崩殂，今天下三分，益州疲弊，此诚危急存亡之秋也。然侍卫之臣不懈于内，忠志之士忘身于外者，盖追先帝之殊遇，欲报之于陛下也。诚宜开张圣听，以光先帝遗德，恢弘志士之气，不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也 宫中府中，俱为一体，陟罚臧否，不宜异同。若有作奸犯科及为忠善者，宜付有司论其刑赏，以昭陛下平明之理，不宜偏私，使内外异法也。 侍中侍郎郭攸之、费祎、董允等，此皆良实，志虑忠纯，是以先帝简拔以遗陛下。愚以为宫中之事，事无大小，悉以咨之，然后施行，必能裨补阙漏，有所广益。

半导体器件工艺与物理期末必考题材料汇总

半导体期末复习补充材料 一、名词解释 １、准费米能级 费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。 ２、直接复合、间接复合 直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。 间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。 ３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿 随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于 扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放 电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发 生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。 6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因 有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。 二、简答题 1、发射区重掺杂效应及其原因。 答：发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。 原因：发射区禁带宽度变窄和俄歇复合效应增强

(完整版)《出师表》练习题及答案详解

《出师表》练习 （一）、 1．给下列词语中的加点字注音。 ①涉罚臧否（）②中道崩殂（）③以遗陛下（）④行阵和睦（） 2．解释下列加点的实词。 ①以光先帝遗德（）②引喻失义（）③察纳雅言（）④性行淑均（） 3．为下列句子中的“以”选择恰当的义项。 A．用B．以致C．用来D．因为 ①是以众议举宠为督（） ②不宜妄自菲薄，引喻失义，以塞忠谏之路也（） ③不效则治臣之罪，以告光帝之灵（） 4·下列句子读法停顿有误的一项是（） A．咨臣／以当世之事B今／天下三分，益州／疲弊 C．是／以先帝简拔／以遗陛下D．亲／贤臣，远川。人 5．按要求用原句回答： ①《出师表》中揭示汉代兴衰的句子是_______ ②《出师表》中写出诸葛亮无意于功名的两句话是_______ ③《出师表》中陈述作者临危受命的千古名句是_______ 6．对诸葛亮向刘禅上《出师表》的目的，有如下几种看法，其中最正确的一种是（） A．向刘禅表示自己对刘氏父子的忠心。 B．此文写在他北伐之前，所以目的是让刘禅治理好国家，让他放心去北伐，使北伐的计划得以实现。 C．让刘禅做到亲贤远佞，修明政治。 D、此“表”开头就写蜀国形势危急，让刘禅修明政治，治理好国家，其目的只在挽救蜀国的危难。 阅读――阅读下面的文段，完成下题。 ①臣本布衣，躬耕于南阳，苟全性命于乱世，不求闻达于诸候。先帝不以臣卑鄙，狠自枉屈，三顾臣于一广之中，咨臣以当世之事，由是感激，遂许先帝以驱驰。后值倾覆，受任于败军之际，奉命于危难之间，尔来二十有一年矣。 ②先帝知臣谨慎，故临崩寄臣以大事也。受命以来，夙夜忧叹，恐托付不效，以伤先帝之明，故五月渡沪，深入不毛。今南方已定，兵甲已足，当奖率三军，北定中原，庶竭鸯钝，拔除奸凶，兴复汉室，还于旧都。此巨所以报先帝，而忠陛下之职份也。 7．解释下列加点词的意思。

2015半导体物理器件期末考试试题全

半导体物理器件原理（期末试题大纲） 指导老师：陈建萍 一、简答题（共6题，每题4分）。 代表试卷已出的题目 1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷，为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。 2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即反偏Fpn结的电容。 3、Pn结击穿：在特定的反偏电压下，反偏电流迅速增大的现象。、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流 的接触。 5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基 区宽度的变化。 8、截止频率：共发射极电流增益的幅值为1时的频率。 9、厄利效应：基带宽度调制的另一种称呼（晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象） 10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系： 12、扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容。 13、空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离

而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结：冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。 15、界面态：氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射：当载流子在源极和源漏极漂移时，氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿。 20、内建电场：n区和p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由n区指向p区。 21、齐纳击穿：在重掺杂pn结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以由p区的价带直接隧穿到n区的导带的现象。 22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应，分别称为：（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应； (3)发射结电流集边效应。它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。这里将它们统称为大注入效应。 23、电流集边效应：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压