电力电子技术课后答案与复习资料
电力电子技术复习资料
1.1 电力技术、电子技术和电力电子技术三者所涉及的技术内容和研究对象是什么？三者的技术发展和应用主要依赖什么电气设备和器件？
答：电力技术涉及的技术内容：发电、输电、配电及电力应用。其研究对象是：发电机、变压器、电动机、输配电线路等电力设备，以及利用电力设备来处理电力电路中电能的产生、传输、分配和应用问题。其发展依赖于发电机、变压器、电动机、输配电系统。其理论基础是电磁学(电路、磁路、电场、磁场的基本原理)，利用电磁学基本原理处理发电、输配电及电力应用的技术统称电力技术。
电子技术，又称为信息电子技术或信息电子学，研究内容是电子器件以及利用电子器件来处理电子电路中电信号的产生、变换、处理、存储、发送和接收问题。其研究对象:载有信息的弱电信号的变换和处理。其发展依赖于各种电子器件（二极管、三极管、MOS管、集成电路、微处理器电感、电容等）。
电力电子技术是一门综合了电子技术、控制技术和电力技术的新兴交叉学科。它涉及电力电子变换和控制技术技术，包括电压（电流）的大小、频率、相位和波形的变换和控制。研究对象：半导体电力开关器件及其组成的电力开关电路，包括利用半导体集成电路和微处理器芯片构成信号处理和控制系统。电力电子技术的发展和应用主要依赖于半导体电力开关器件。
1.2 为什么三相交流发电机或公用电网产生的恒频、恒压交流电，经电压、频率变换后再供负载使用，有可能获得更大的技术经济效益？
答：用电设备的类型、功能千差万别，对电能的电压、频率、波形要求各不相同。为了满足一定的生产工艺和流程的要求，确保产品质量、提高劳动生产率、降低能源消耗、提高经济效益，若能将电网产生的恒频、恒压交流电变换成为用电负载的最佳工况所需要的电压、频率或波形，有可能获得更大的技术经济效益。
例如：若风机、水泵全部采用变频调速技术，每年全国可以节省几千万吨以上的煤，或者可以少兴建上千万千瓦的发电站。若采用高频电力变换器对荧光灯供电，不仅电-光转换效率进一步提高、光质显著改善、灯管寿命延长3～5倍、可节电50%，而且其重量仅为工频电感式镇流器的10%。高频变压器重量、体积比工频变压器小得多，可以大大减小钢、铜的消耗量。特别在调速领域，与古老的变流机组相比，在钢铜材消耗量、重量、体积、维护、效率、噪音、控制精度和响应速度等方面优势明显
1.3 开关型电力电子变换有哪四种基本类型？
交流（A.C）—直流（D.C）整流电路或整流器；
直流（D.C）—交流（A.C）逆变电路或逆变器；
直流（D.C）—直流（D.C）电压变换电路，又叫直流斩波电路、直流斩波器；
交流（A.C）—交流（A.C）电压和/或频率变换电路：仅改变电压的称为交流电压变换器或交流斩波器，频率、电压均改变的称为直接变频器。
1.5 开关型电力电子变换器有那些基本特性？
答：（1）变换器的核心是一组开关电路，开关电路输出端电压和开关电路输入端电流都不可能是理想的直流或无畸变的正弦基波交流，含有高次谐波。
（2）要改善变换电路的输出电压和输入电流的波形，可以在其输出、输入端附加LC滤波电路；但是最有效方法是采用高频PWM控制技术。
（3）电力电子变换器工作时，开关器件不断进行周期性通、断状态的依序转换，为使输出电压接近理想的直流或正弦交流，一般应对称地安排一个周期中不同的开关状态及持续时间。因此对其工作特性的常用分析方法或工具是：开关周期平均值（状态空间平均法）和傅立叶级数。
1.6 开关型电力电子变换器有哪两类应用领域？
答：按功能可分为两大应用领域：
（1）开关型电力电子变换电源或简称开关电源。由半导体开关电路将输入电源变换为另一种电源给负载供电。这一类应用现在已经十分广泛。
（2）开关型电力电子补偿控制器。它又分为两种类型：电压、电流（有功功率、无功功率）补偿控制器和阻抗补偿控制器。它们或向电网输出所要求的补偿电压或电流，或改变并联接入、串联接入交流电网的等效阻抗，从而改善电力系统的运行特性和运行经济性。这类应用将导致电力系统的革命并推动电力电子技术的继续发展。
2.2 说明二极管的反向恢复特性
答：由于PN结间存在结电容C，二极管从导通状态（C很大存储电荷多）转到截止阻断状态时，PN结电容存储的电荷并不能立即消失，二极管电压仍为≈1～2V，二极管仍然具
有导电性，在反向电压作用下，反向电流从零增加到最大值，反向电流使存储电荷逐渐消失，二极管两端电压降为零。这时二极管才恢复反向阻断电压的能力而处于截止状态，然后在反向电压作用下，仅流过很小的反向饱和电流。因此，二极管正向导电电流为零后它并不能立即具有阻断反向电压的能力，必须再经历一段反向恢复时间后才能恢复其阻断
反向电压的能力。
2.3 说明半导体电力三极管BJT处于通态、断态的条件。
答：电力三极管BJT处于通态的条件是：注入三极管基极的电流大于基极饱和电流（已
知三极管的电流放大系数，有）。这时三极管、导电性很强而处于最小等效电阻、饱和导电状态，可以看作是一个闭合的开关。BJT处于断态的条件是：基极电流为零或是施加负基极电流，即。这时BJT的等效电阻近似为无限大而处于断态。
2.4 电力三极管BJT的四个电压值、、和的定义是什么？其大
小关系如何？
答：、、和分别为不同基极状态下的三极管集-射极击穿电压值：
定义为基极反偏时，三极管集-射极电压击穿值；
为基极短接、基极电压为0时，三极管集-射极电压击穿值；
为基极接有电阻短路时的集-射极击穿电压值要；
为基极开路时集-射极击穿电压值。
其大小关系为：。
2.5 说明晶闸管的基本工作原理。在哪些情况下，晶闸管可以从断态转变为通态？已处于通态的晶闸管，撤除其驱动电流为什么不能关断，怎样才能关断晶闸管？
答：基本工作原理：见课本p36-37；应回答出承受正向压、门极加驱动电流时的管子内部的正反馈过程，使不断增大，最后使，很大，晶闸管变成通态；
撤去门极电流后由于，仍可使很大，保持通态。
有多种办法可以使晶闸管从断态转变成通态。
常用的办法是门极触发导通和光注入导通。另外正向过电压、高温、高的都可能使晶闸管导通，但这是非正常导通情况。
要使晶闸管转入断态，应设法使其阳极电流减小到小于维持电流，通常采用使其阳极A
与阴极K之间的电压为零或反向。
2.7 额定电流为10A的晶闸管能否承受长期通过15A的直流负载电流而不过热？
答：额定电流为10A的晶闸管能够承受长期通过15A的直流负载电流而不过热。因为晶闸管的额定电流是定义的：在环境温度为40℃和规定的散热冷却条件下，晶闸管在电阻性负载的单相、工频正弦半波导电、结温稳定在额定值125℃时，所对应的通态平均电流值。这就意味着晶闸管可以通过任意波形、有效值为1.57的电流，其发热温升正好是允许值，
而恒定直流电的平均值与有效值相等，故额定电流为10A的晶闸管通过15.7A的直流负载电流，其发热温升正好是允许值。
2.10 作为开关使用时P－MOSFET器件主要的优缺点是什么？
答：作为开关使用时，P－MOSFET器件的优点是：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高；其缺点是：通态压降大（通态损耗大），电压、电流定额低。
3.2 脉冲宽度调制PWM和脉冲频率调制PFM的优缺点是什么？
答：脉冲宽度调制方式PWM，保持不变（开关频率不变），改变调控输出电压。
脉冲频率调制方式PFM。保持不变，改变开关频率或周期调控输出电压。
实际应用中广泛采用PWM方式。因为采用定频PWM开关时，输出电压中谐波的频率固定，滤波器设计容易，开关过程所产生电磁干扰容易控制。此外由控制系统获得可变脉宽信号比获得可变频率信号容易实现。但是在谐振软开关变换器中为了保证谐振过程的完成，采用PFM 控制较容易实现。
3.7 开关电路实现直流升压变换的基本原理是什么？
答：为了获得高于电源电压的直流输出电压，一个简单
而有效的办法是在变换器开关管前端插入一个电感L，如右图
所示。在开关管
T关断时，利用图中电感线圈在其电流减小时所产生的反电
势(在电感电流减小时，为正值)，将此电感
反电势与电源电压串联相加送至负载，则负载就可获得高于电源电压的直流电压
，从而实现直流升压变换
3.8 Boost变换器为什么不宜在占空比接近1的情况下工作？
答：因为在Boost变换器中，开关管导通时，电源与负载脱离，其能量全部储存在电感中，当开关管关断时，能量才从电感中释放到负载。如果占空比接近于1，那么开关接近于全导通状态，几乎没有关断时间，那么电感在开关管导通期间储存的能量没有时间释放，将造成电感饱和，直至烧毁。因此Boost变换器不宜在占空比接近1的情况下工作。同时，
从Boost变换器在电感电流连续工况时的变压比表达式也可以看出，当
占空比接近1时，变压比接近于无穷大，这显然与实际不符，将造成电路无法正常工作。
3.13 说明单端正激、单端反激DC/DC变换器工作原理。
答：单端正激DC/DC变换器从电路结构、工作原理上可以看出它是带隔离变压器的Buck电路如图3.11(b)所示，开关管T导通时经变压器将电源能量直送负载被称为正激。但是匝比N2/N1不同时，输出电压平均值Vo可以低于也可高于电源电压Vd。变压器磁通只在单方向变化被称为单端。
图3.12(b)所示为单端反激DC/DC变换器，T导通的期间，电源电压Vd加至N1绕组，电流
直线上升、电感L1储能增加，副方绕组N2的感应电势，二极管D1截止，负载电流由电容C提供，C放电；在T阻断的期间，N1绕组的电流转移到N2，感应电势（反
向为正），使D1导电，将磁能变为电能向负载供电并使电容C充电。该变换器在开关管T 导通时并未将电源能量直送负载，仅在T阻断的期间才将变压器电感磁能变为电能送至负载故称之为反激，此外变压器磁通也只在单方向变化，故该电路被称为单端反激DC/DC变换器
4.1 逆变器输出波形的谐波系数HF与畸变系数DF有何区别，为什么仅从谐波系数HF还不足以说明逆变器输出波形的本质？
答：第n次谐波系数HFn为第n次谐波分量有效值同基波分量有效值之比，即HFn＝Vn/V1,
总谐波系数THD定义为：，畸变系数DF定义为：
，对于第n次谐波的畸变系数DFn有：谐波系数HF显示了谐波含量，但它并不能反映谐波分量对负载的影响程度。很显然，逆变电路输出端的谐波通过滤波器时，高次谐波将衰减得更厉害，畸变系数DF可以表征经LC滤波后负载电压波形还存在畸变的程度。
4.2 为什么逆变电路中晶闸管SCR不适于作开关器件？
答：（1）逆变电路中一般采用SPWM控制方法以减小输出电压波形中的谐波含量，需要开关器件工作在高频状态，SCR是一种低频器件，因此不适合这种工作方式。
（2）SCR不能自关断。而逆变器的负载一般是电感、电容、电阻等无源元件，除了特殊场合例如利用负载谐振进行换流，一般在电路中需要另加强迫关断回路才能关断SCR，电路较复杂。因此SCR一般不适合用于逆变器中。
4.4 有哪些方法可以调控逆变器的输出电压。
答：有单脉波脉宽调制法、正弦脉宽调制法（SPWM）、基波移相控制法等。单脉波脉宽调制法缺点是谐波含量不能有效控制；SPWM法既可控制输出电压的大小，又可消除低次谐波；移相控制一般用于大功率逆变器。
4.6 正弦脉宽调制SPWM的基本原理是什么？载波比N、电压调制系数M的定义是什么？改
变高频载波电压幅值和频率为什么能改变逆变器交流输出基波电压的大小和基波
频率？
答：正弦脉宽调制SPWM的基本原理是冲量等效原理：大小、波形不相同的窄变量作用于惯性系统时，只要其冲量即变量对时间的积分相等，其作用效果基本相同。如果将正弦波周期分成多个较小的时间段，使PWM电压波在每一时间段都与该段的正弦电压冲量相等，则不连续的按正弦规律改变宽度的多段波电压就等效于正弦电压。
载波比N定义为三角载波频率和正弦调制波频率之比：N＝/；电压调制系数M是正弦调制波幅值和三角波幅值之比M＝/.
,,改变调制比M，即可成比例的调控输出电压的基波大小。又因为，所以改变调制波频率，即可调控输出电压的基波频率。
4.13 逆变器有哪些类型？其最基本的应用领域有哪些？
答：逆变器的类型有：
电压型和电流型逆变器。
恒频恒压正弦波和方波逆变器，变频变压逆变器，高频脉冲电压（电流）逆变器。
单相半桥、单相全桥、推挽式、三相桥式逆变器。
自关断换流逆变器，强迫关断晶闸管逆变器。晶闸管逆变器可利用负载侧交流电源电压换流，负载反电动势换流或负载谐振换流。
逆变器的基本应用包括：交流电动机变频调速，不停电电源UPS，电子镇流器，中频或高频感应加热电源等等。还可应用于电力系统作为无功补偿器或谐波补偿器。
5.1 什么是半波整流、全波整流、半控整流、全控整流、相控整流、高频PWM整流?
答：半波整流：整流器只在交流电源的半个周波输出整流电压，交流电源仅半个周期中有电流。
全波整流：整流器在交流电源的正、负半波都有直流电压输出，交流电源在正负半周期均有电流。
全控整流：指整流主电路中开关器件均为可控器件。
半控整流：指整流主电路中开关器件不全是可控器件，而有不控器件二极管。
相控整流：全控整流电路中的开关管为半控器件晶闸管，控制触发脉冲出现的时刻（即改变晶闸管的移相控制角的大小），从而控制负载的整流电压。
高频PWM整流：整流主电路中开关器件均为全控器件，采用高频PWM控制，即在一个电源周期内高频改变开关管的导通状况。
5.4 单相桥全控整流和单相桥半控整流特性有哪些区别？
答：与单相全控桥相比，
（1）在主电路上，半控整流少了两个晶闸管。因而，触发装置较简单，较经济。
（2）为防止失控而增加了一个续流二极管，使得输出整流电压的波形中没有为负的电压波形。尽管晶闸管的触发移相范围也是π，但是，晶闸管的导通角。
（3）输出电压平均值：。当范围内移相控制时，只能为正值，而全控整流电路在时可为负值。
5.9 为什么要限制有源逆变时的触发控制角？根据什么原则确定有源逆变时的最大控制角
?
答：为了防止逆变器换相失败，有必要限制有源逆变时的触发控制角α，也就是不能让α达到其理论最大值π。
逆变器换相失败的可能原因有：
（1）被关断的晶闸管承受反压的时间不足，小于其安全关断时间（这段时间对应的角度称为关断角，记为）。若不计交流电源电路中电感Lc的影响，认为换相过程瞬间完成，则要求αmax＝π－，若α超过此值，则被关断的晶闸管承受反压的时间小于其安全关断时间，之后会因承受正向而可能再次误导通。
（2）实际交流电源电路中电感，存在换相重叠过程。换相过程在触发脉冲到来后经
历ν对应的换相重叠时间才结束。之后，依然要求被关断的晶闸管承受足够的反压时间才不致于再次误导通。为了确保相控有源逆变的安全可靠运行，要限制有源逆变时的触发控制
角α不能太大。如果再考虑留一个安全角，则有源逆变的最大控制角max＝π－θ0－ν－
5.11 图5.36 Boost型功率因数校正器为什么能实现输入交流电流基本正弦，并与交流电源电压同相？
答：图5.36 Boost型功率因数校正器中，虚线框内的控制电路：电压误差放大器VAR、电流误差放大器CAR、乘法器、比较器C和驱动器等。采用了双闭环控制，电压外环为负载提
供恒定的电压；电流内环，使交流电源电流波形跟踪交流输入正弦电压波形，使接近正弦并与同相。外环的PI型电压误差放大器VAR的输出是个直流量K，当时保持不变。将整流电压检测值 (交流电源电压瞬时值的绝对值)与K的乘积作为电感电流
的指令值，保证了指令电流与交流电源同相位。将与电感电流的检测值（）一起送入PI型电流误差比较器CAR。结果，使电感电流跟踪指令值，也就是输入电流与交流电源电压同相，输入端功率因数接近于1。
输入电流（）的波形被高频PWM调制成接近正弦，但含有很小的高频纹波，经过很小的LC滤波后即可得到较光滑的正弦波电流。
6.1 单相交流电压控制器当控制角小于负载功率因数角时为什么输出电压不可控？
答：图6.2（c）中，如果把T1、T4的触发信号ig1、ig4的起点从提前，即在
时开始触发T1，在时开始触发T4。在时，由于仍是负电流，即T4仍在导通，故这时的触发电流ig1并不能使T1立即导电，ig1对T1不起作用，直到
时iT4=is=io=0，如果这时还有ig1，ig1才可能开通T1。
因此RL负载、时，如果要是电压控制器能正常工作，触发信号ig必须是宽脉冲。
如果，则脉冲宽度应超过，而且此时虽然，但与时一样，输出电压、
电流波形都是完整的正弦波。
6.5 图6.6所示三相开口三角形电压控制器有什么优点？控制角工作范围是多大？
答：优点：因为负载是三角形联结，负载相电流中的3次及3的倍数次谐波是零序分量电流，它们在相位上相差，即它们在三相对称负载中有相同的相位和幅值，在三角形环路中形成环流，故在三相线电流中不存在3次及3的倍数次谐波电流分量。
控制角工作范围：
6.7 晶闸管相控直接变频的基本原理是什么？为什么只能降频、降压而不能升频升压？答：图6.9（a）所示电路中只要使两组变流器在相控状态下工作，根据负载所需的交流电
压频率和电压大小，按（6-26）、（6-28）式对两组变流器进行相控，当负载电流
时，令正组P工作、反组停止工作。反之当时，令反组N工作、正组停止工作，并保持，那么就能在负载上得到所需要的频率为、幅值为的近似正弦交
流电压，在交流电源电压不变从而不变的情况下，只要改变（6-26）-（6-28）式中的变压比K值，即可改变交流输出电压大小。当然这种直接变频从原理上讲只是把相控“整流”输出电压脉冲中的每个脉冲的平均值控制到按“正弦规律”变化，然后再把这一系列直流脉冲拼成一个近似的“正弦波”。因此输出到负载端的交流电压的周期只能比电源交流电压周期长，其输出频率只能低于交流电源频率，只能降频、降压。
6.9 图6.9（a）交流-交流直接变频器与第5章图5.31(a)所示直流电动机可逆传动系统两组变流器的工作方式、控制原理有什么异、同之处？
答：同：均是通过对正组、反组控制角的控制。
异：图5.31是正反两组均可工作在整流、逆变状态，通过改变晶闸管的触发控制角或逆变角，可以调节整流或逆变电压VD，控制交流电源－负载之间交换的功率的大小和方向。
图6.9则是当时，正组工作，反组停止工作。
它只是把相控“整流”输出电压脉冲中的每个脉冲的平均值控制到按“正弦规律”变化，然后再把这一系列直流脉冲拼成一个近似的正弦波。
第二章39页例2.1
第三章64页例3.1、 3.2只要放大之前那块，会画图，会算
第四章重点看单双桥控制问题和调制波和三角波
第五章151页例5.1 大题
第六章例6.1
题型：15分填空 15分判断 30分简答 10分论述 30分计算画图
电力电子技术课后习题全部答案解析
电力电子技术 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解：a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t
高频电子技术试题库第三章
一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区 答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流
答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器 答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法 答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置 答案：B
9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大 答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o
答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是 。（ ） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号 电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为 。（ ） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B
高频电子技术试题库第二章
1LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为 ______ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 2LC串联谐振回路发生谐振时.回路总阻抗为______ o（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到_____ o < ） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：A 4串联谐振曲线是 _____ 之问的关系曲线。（） A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率答案：B 5 LC串联谐振回路 ____ ,谐振特性曲残越尖锐。（） A.回路Q值大 B.回路Q值大 C. 0 答案：A 6 LC串联谐振回路Q值大，回路选择性0 （） A.差B?好 C. 不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成O() A.正比B?反比 C. 无关 答案：B () 8单回路通频带B与谐扳频率f成 A.正比B?反比 C. 无关 答案：A 9并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为 _____ 。（） A.最大值 B.最小值 C. 0 答案：C 10并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为0 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：B 11并联谐振回路发生谐振时，阻抗为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为 () A.最大值 B.最小值C?0 答案：A 13 LC串脫谐振回路发生失谐时，阻抗为0 () A.大 B.小 C. 0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f V坨时，阻抗呈 _______ 。（） A.容性 B.感性 C. 0
电力电子技术课后习题答案教学内容
电力电子技术课后习题答案2014
第一章电力电子器件 1.1 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK>0 1.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。 解：a) I d1= Im 2717 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 2 1 4 ≈ + = ?π ω π π π t I1= Im 4767 .0 2 1 4 3 2 Im ) ( ) sin (Im 2 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t b) I d2= Im 5434 .0 )1 2 2 ( 2 Im ) ( sin Im 1 4 = + = ?wt d t π π ? π I2= Im 6741 .0 2 1 4 3 2 Im 2 ) ( ) sin (Im 1 4 2≈ + = ?π ? π π π wt d t c) I d3= ?= 2 Im 4 1 ) ( Im 2 1π ω π t d I3= Im 2 1 ) ( Im 2 1 2 2= ?t dω π π 1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1 35 . 329 4767 .0 ≈ ≈ I A, I d1≈0.2717I m1≈89.48A b) I m2 , 90 . 232 6741 .0 A I ≈ ≈ I d2A I m 56 . 126 5434 .0 2 ≈ ≈
《高频电子技术》试卷及答案
试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益 ，通频带 ，选择性 。 4、镜像干扰是指 ，抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为 ，对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ，各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ，最小值为 ，边频信号幅度为 ，载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率 ，而并联谐振频率 ，通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ）时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（ ）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（ ） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（ ），高电平调幅器应用在（ ） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（ ） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（ ） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（ ） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（ ） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（ ） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（ ） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（ ） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（ ） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（ ） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（ ） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（ ） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（ ） 四、画图题（10分） 已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω
电力电子技术第3章-习题答案
3章交流-直流变换电路课后复习题 第1部分：填空题 1.电阻负载的特点是电压与电流波形、相位相同；只消耗电能，不储存、释放电能，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤ 180?。 2.阻感负载的特点是电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是0? ≤a≤ 180? 2 ，续流二极管承受的最大反向电压 2 （设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0?≤a≤ 180?，单 2和 2 ；带阻感负载时， α角移相范围为0?≤a≤ 90?，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 2 2U 2 ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出 侧串联一个平波电抗器(大电感)。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ = 180?-2δ ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ = 0?。 5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基 本相同，只是后者适用于较低输出电压的场合。 6. 2 ，随负载 加重U d 逐渐趋近于0.9 U2，通常设计时，应取RC≥ 1.5~2.5T，此时输出电压为U d ≈ 1.2 U2(U2为相电压有效值)。 7.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm 2 ，晶闸管控制角α的最大移相范围是0?≤a≤90?，使负载电流连续的条件为a≤30?(U2为相电压有效值)。 8.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120?，当它 带阻感负载时，α的移相范围为0?≤a≤90?。 9.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 电压最高的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是电压最低的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0?≤a≤120?，u d波形连续的条件是a≤60?。 10*.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流i d断续和连续的临界条件是C Rω 3 =，电路中的二极管承受的最大反向电压为 2 U2。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时， 整流输出的电压u d 的谐波幅值随 α 的增大而增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而减小。 12.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I I d，交流侧电流中所含次谐波次数为 6k±1,k=1,2,3…，其整流输出电压中所含的谐波次数为 6k, k=1,2,3…。 13.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使输出电压平均值减小。
电力电子技术第2章习题-答案
班级姓名学号 第2/9章电力电子器件课后复习题 第1部分：填空题 1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。 3. 电力电子器件一般工作在开关状态。 4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三 部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、 半控型器件和全控型器件。 6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。 7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。 8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的
整流电路。其反向恢复时间较长，一般在5s以上。 10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5s以下。 11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。 12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶 闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通， 门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。 13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选 用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。 14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。晶闸管刚从断态转 入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。 15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。 16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10 微秒左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额不易做高。17. 双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
高频电子技术试题库 第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
最新高频电子期末考试试题及答案
《高频电子技术》科期考试题 考试类型：理论考试时间：90分钟出题老师：韦艳云 考试班级：考生姓名：考生学号：卷面成绩： 一、填空题（每空一分，共 35分）。 1、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 2、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） 3、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 4、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 5、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 6、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变 ，当f
（答案：谐振曲线顶部凹陷） 12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。 （答案：传输；滤波；匹配） 13、设一放大器工作状态有下述几种：甲类，乙类，丙类。效率最高。（答案：丙类） 14、反馈式振荡器的自激条件是。 （答案：正反馈） 15、正弦波振荡器由、、组成。 （答案：放大器；反馈网络；选频网络） 二、选择题(每题2分，共20分)。 1、下列表达式正确的是（ B ）。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与（A ）相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 3、电视、调频广播和移动通信均属（A ）通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 4、串联谐振曲线是（ B ）之间的关系。 A）回路电流I与谐振时回路电流I0 B）回路电流幅值与信号电压频率 C）回路电压幅值与信号电流频率D）谐振时回路电流I0与信号电压频率 5、强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（A ）。 A) 越大B)越小C) 不出现
电力电子技术课后答案
电力电子课后答案 第二章 2.2 使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答： 使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者U AK >0且U GK >0； 维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 2.3图2-1中阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，各波形的电流最大值均为m I ， 试计算各波形的电流平均值1d I 、2d I 、3d I 与电流有效值1I 、2I 、3I ，和它们的波形系数1f K ，2f K ，3f K 。 题图2.1 晶闸管导电波形 解： a) 1d I = 4 1 2sin()(1)0.27222 m m m I I t I π π ωπ π= +≈? 1I 24 131(sin )()0.4822 42m m m I I t d wt I ππ ?π π = +≈? 111/0.48/0.27 1.78f d m m K I I I I === b) 2d I =412 sin ()(1)0.5422 m m m I I td wt I ππ?=+=∏? 2I 24 21 31(sin )()0.67242m m m I I t d wt I π π ?π π = +≈? 222/0.67/0.54 1.24f d m m K I I I I === c) 3d I = 20 1 1()24 m m I d t I π ωπ = ? 3I 220 1 1()22 m m I d t I π ωπ = ? 333/0.5/0.252f d m m K I I I I === 2.4. 如果上题中晶闸管的通态平均电流为100A ，考虑晶闸管的安全裕量为1.5，问其允许通
电力电子技术(王兆安第五版)课后习题答案
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显着提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极 电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0 2-3 .维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶 闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m,试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值丨1、I 2、I 3。 2-5上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少这时，相应的电流最大值I m1、I m2 I m3各为多少 解：额定电流算结果知I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计 解：a）I d1= 24 Im sin( t) 罟"Em I—(Im sin t)2d(wt) 11= 2 410.4767Im 2 b) J—(Imsin t)2d(wt) d2= I 2= Im <2 Im sin td (wt) ( 1) 4 2 Im 3 1 4 2 0.67411m 0.5434 Im c) 丄2Im d( d3= 2 0 t) 1 Im 4 3= 1 2Im2d( t) 2 0 i Im
高频电子技术试题库-第二章
高频电子技术试题库-第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
电力电子技术习题与解答
《电力电子技术》习题及解答 思考题与习题 什么是整流它与逆变有何区别 答：整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为逆变，它是对应于整流的逆向过程。 单相半波可控整流电路中，如果： (1)晶闸管门极不加触发脉冲； (2)晶闸管内部短路； (3)晶闸管内部断开； 试分析上述三种情况负载两端电压u d和晶闸管两端电压u T的波形。 答：（1）负载两端电压为0，晶闸管上电压波形与U2相同； （2）负载两端电压为U2，晶闸管上的电压为0； （3）负载两端电压为0，晶闸管上的电压为U2。
某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电，在流过负载电流平均值相同的情况下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些 答：带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感，当其电流增大时，在电感上会产生感应电动势，抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些，在流过负载电流平均值相同的情况下，为防此时管子烧坏，应选择额定电流大一些的管子。 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路，若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断，试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。 解：设α=0，T 2被烧坏，如下图： 相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么带大电感负载时，负载电阻R d 上的U d 与I d 的乘积是否等于负载有功功率，为什么 答：相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的平均功率d d d I U P =不等于负载有功功率UI P =。因为负载上的电压、电流是非正弦波，除了直流U d 与I d 外还有谐波分量Λ ,,21U U 和Λ,,21I I ，负载上有功功率为Λ+++=22212P P P P d >d d d I U P =。
电力电子技术第五版课后习题及答案
电力电子技术第五版课后习题及答案 第二章电力电子器件 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2.使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Imπ4π4π25π4a)b)c)图1-43
图2-27晶闸管导电波形 解：a)I d1=π21ππωω4 )(sin t td I m=π2m I(122+)≈0.2717I m I1=π π ωωπ42)()sin(21 t d t I m=2m Iπ 2143+≈0.4767I m b)I d2= π1ππωω4)(sin t td I m=πm I(122+)≈0.5434I m I 2=ππωωπ42)()sin(1t d t I m=2 2m Iπ2143+≈0.6741I m c)I d3=π2120)(πωt d I m=4 1I m I3=2 02)(21πωπt d I m=2 1I m2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I =157A，由上题计算结果知 a)I m1≈4767 .0I≈329.35，I d1≈0.2717I m1≈89.48 2/16b)I m2≈6741.0I≈232.90, I d2≈0.5434I m2≈126.56c)I m3=2I=314, I d3=41
电子技术基础试题库完整
电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不
电力电子技术课后习题答案
电力电子技术习题集 标* 的习题是课本上没有的，作为习题的扩展 习题一 * 试说明什么是电导调制效应及其作用。 答：当PN结通过正向大电流时，大量空穴被注入基区（通常是N型材料），基区的空穴浓度（少子）大幅度增加，这些载流子来不及和基区的电子中和就到达负极。为了维持基区半导体的电中性，基区的多子（电子）浓度也要相应大幅度增加。这就意味着，在大注入的条件下原始基片的电阻率实际上大大地下降了，也就是电导率大大增加了。这种现象被称为基区的电导调制效应。 电导调制效应使半导体器件的通态压降降低，通态损耗下降；但是会带来反向恢复问题，使关断时间延长，相应也增加了开关损耗。 1.晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断 的条件是什么，如何实现？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压（U AK>0），并在门极施加触发电流（U GK>0）。 2.有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？ 答：这是由于晶闸管的阳极电流I A没有达到晶闸管的擎住电流（I L）就去掉了触发脉冲，这种情况下，晶闸管将自动返回阻断状态。在具体电路中，由于阳极电流上升到擎住电流需要一定的时间（主要由外电路结构决定），所以门极触发信号需要保证一定的宽度。 * 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使其阳极电流I A大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流I H。 要使晶闸管由导通转为关断，可利用外加反向电压或由外电路作用使流过晶闸管的电流降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 3.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m，试计算各波形的 电流平均值、有效值。如不考虑安全裕量，额定电流100A的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d各位多少？ (f) 图1-30 习题1-4附图 解：（a）m m m m I 11 I sin()()2I0.3185I 22 da I t d t π ωω πππ ==== ? m I 2 a I==
电子技术基础试题库(1-6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章） 一、填空题：（每空1分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。答：导体、半导体、绝缘体。 2、半导体具有特性，特性和特性。 答：热敏、光敏、掺杂。 3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。 答：单向导电、导通、截止。 4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。 答：0.7V、0.3V。 （中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。 答：最大整流电流、最高反向工作电压。 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和 电流，所以硅二极管的热稳定性。 答：小于、较好。 6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转 换成信号。 答：电、光、光、电。 7、三极管有三个电极，即极、极和极。 答：集电极、基极、发射极。 8、半导体三极管有型和型。 答：NPN、PNP。 （中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极 管具有作用。 答：电流放大。 10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。晶体三极 管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。 答：0 .5、0.2、0.7、0.3。 11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。 答：I C=βI B。 （中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。 答：增加、小。 12、三极管的极限参数分别是，，和。答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。 （中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管 可作为器件。 答：放大、开关。 14、放大电路按三极管连接方式可分为， 和。 答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。 15、放大电路设置静态工作点的目的是。 答：使放大器能不失真地放大交流信号。 16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
高频电子技术期末复习题及答案
高频电子技术期末复习及答案 一．填空题 1．LC 并联谐振回路Q 值越小，回路谐振电阻越（ 小 ），抑制干扰能力越（ 差 ），通频带越（ 宽 ）。 2．LC 并联谐振回路中，只增大回路电容时，其谐振频率会（ 下降 ），品质因素会（ 下降 ），谐振电阻会（ 减少 ）。 3．集中选频放大器由（ ）和（ ）组成，其主要优点是（ ）。 集成宽带放大器、集中选频滤波器、K 0.1→1 4．单调谐放大器多级级联后其谐振增益（ ），选择性（ ），通频带（ ）。 增大、改善、变窄 5.小信号谐振放大器性能与谐振回路的等效品质因素Q e 有密切关系，Q e 越大，其谐振曲线越（ ），谐振增益越（ ），选择性越（ ），通频带越（ ）。 尖锐、大、好、窄 6.丙类谐振功放的P O =1W ，V CC =10V ，i Cmax =0.5A ，导通角θ=70o，α0（70o）=0.25, α1（70o）=0.44，此时直流电源供给功率P D 为（ ），集电极损耗功率P C 为（ ），集电极效率ηC 为（ ）， 集电极负载电阻R e 为（ ）。 1.25W 、0.25W 、80%4、1Ω 7. 丙类谐振功放的负载由（ ） 组成，其作用是（ ），（ ）。 滤波匹配网络（或谐振回路）、滤除谐波、阻抗匹配 8. 高频谐振功率放大器为了提高效率而工作在（ ）类状态，其导通角小于（ ），导通角越小，放大器的效率（ ）。 丙、90o、高 9. 反馈型正弦波振荡器的起振条件是（ ）、（ ）。 1AF >&&、()20,1,2,a f n n φφπ+==K 10. 正弦波振荡器的作用是（ ），它的主要技术指标有（ ）、（ ）。 产生正弦波信号、频率及其稳定度、幅度及其稳定度 11. 反馈型正弦波振荡器的振荡频率由（ ）条件确定，振荡幅度由（ ）条件确定。 相位平衡、振幅平衡 12. 单边带调幅信号频谱含有（ ），其产生的基本方法是先产生双边带调幅信号，然后用（ ）法或（ ）法获得。 一个边带、滤波、移相 13. 已调信号336()[53cos(210)2cos(410)](cos210)V u t t t t πππ=+?+??，它是（ ）信号，其载频频率为（ ）Hz ，频带宽度为（ ）Hz 。 双音普通调幅、106、4×103 14. 模拟乘法器是完成两个模拟信号（ ）功能的电路，它是（ ）器件，可用来构成（ ）搬移电路。 相乘、非线性、频谱线性 15. 一个普通调幅信号36()(105cos210)cos(210)V AM u t t t ππ=+??，其调幅系数m a 为（ ），频带宽度为（ ）Hz ，上边频为（ ）Hz ，下边频为（ ）Hz 。 0.5、2000、106+103、106-103
高频电子电路期末考试试题
电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A） 一、填空题（每空分，共30分） 1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。 3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω k。 4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。 5.载波功率为100W，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V，P0=5W，则当% 60 = c η，= C P ,I CO= ，若 P 0保持不变，将 c η提高到80%，P c减小。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙 类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（） D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（） A.提高回路的Q值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波
相关文档
- 电子技术基础课后答案-庄丽娟1
- 电子技术基础习题答案
- 数字电子技术基础习题答案
- 电子技术基础数电部分课后答案(第五版康华光)
- 电子技术基础习题答案
- 模拟电子技术基础习题参考答案
- 电路分析基础课后答案
- 电子技术基础课后习题答案
- 模拟电子技术基础课后答案(完整版)
- 模拟电子技术基础课后答案(完整版)
- 电子技术基础复习题与答案
- 电子技术基础_(数字)康华光_课后答案
- 电子技术基础习题答案.
- 电子技术基础习题答案解析
- 数字电子技术基础课后答案全解
- 电工电子技术基础习题答案 (1)
- (完整版)电子技术基础习题答案
- 数字电子技术基础课后答案
- 电子技术基础实验答案
- 电子技术基础习题答案(于宝明)