北京工业大学集成电路期末复习资料2

第一章：

填空：

1.等比例缩小理论包括恒定电场（CE）等比例缩小定律、恒定电压（CV）等

比例缩小定律、准恒定电场（QCE）等比例缩小定律。

名词解释：

1.摩尔定律：Intel公司创始人之一Moore预测集成电路的集成度大约是每18个月翻

一番，称为摩尔定律。

2.CMOS集成电路要把NMOS和PMOS两种器件做在一个芯片里。

3.CMOS集成电路是利用NMOS 和PMOS的互补性来改善电路性能的，因此

叫做CMOS集成电路。在P型衬底上用N阱工艺制作CMOS集成电路。

第二章：

填空：

集成电路加工的三个基本操作为：1形成某种材料的薄膜，2在各种材料的薄膜上形成需要的图形，3通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。

名词解释：

闩锁效应：在n阱CMOS中PMOS管的源、漏区通过n阱到衬底形成了寄生的纵向PNP晶体管，而NMOS的源、漏区与P型衬底和n阱形成寄生的横向NPN晶体管。PNP晶体管的集电极和NPN晶体管的基极通过衬底连接，同时NPN晶体管的集电极通过阱和PNP晶体管的基极相连，从而构成交叉耦合形成的正反馈回路，一旦其中有一个晶体管导通，电流将在两支晶体管之间循环放大，使电流不断加大，最终导致电源和地之间形成极大的电流，并使电源和地之间锁定在一个很低的电压，这就是闩锁效应

CMOS版图设计规则：为了保证制作的集成电路合格并保证一定的成品率，不仅要严格控制各种工艺参数，而且要有设计正确合理的版图，在设计版图时必须严格遵守的某些限制称为版图设计规则。

浅沟槽隔离工艺：浅沟槽隔离是采用现代刻蚀技术实现很大的纵横比沟槽，然后采用CVD 方法淀积SiO2从而形成用于隔离的沟槽。

所示为MOS晶体管结构图，请写出图中字母A至F所对应部位的中文名称，并以NMOS 为例简述MOS晶体管的工作原理。（5分）

图 1

1． 请画出电路图并解释N 阱CMOS 结构中的闩锁效应。(6分)

由于N 阱CMO S 结构

中的横向寄生NPN 晶体管和纵向寄生PNP 晶体管形成正反馈电路结构，在特定的外部条件下，将发生N 阱CMOS 电路电源和地线之间的低电阻状态，即发生闩锁效应。

填空题

作为集成电路制作的基本工艺流程之一，掺杂方法主要有高温扩散和离子注入。 2． 淀积的作用是把另一种物质淀积在硅片表面，

目前普遍采用的是化学气相淀积方法。3． 对于硅栅工艺是先做栅极，再做源、漏区掺杂，实现源-栅-漏自动对准，故硅栅工艺又叫做自对准工艺。

4． 集成电路的互连线存在寄生效应，这些效应包括寄生电容，寄生电阻，寄生电感。5． 目前先进的CMOS 工艺是采用沟槽隔离的外延双阱技术，这种技术可以有效的防止体硅CMOS 出现闩锁效应效应。

1. 试说明MOS 晶体管的阈值电压有哪些部分组成？

2. 什么是MOS 晶体管的本征阈值？

3. 试说明体效应如何影响阈值电压？

4. MOS 晶体管的三个工作区是什么？

5. 区分MOS 晶体管工作在线性区和饱和区的条件是什么？

6. 什么是MOS 晶体管的导电因子？

7. 试说明MOS 晶体管的亚阈值电流。

8. 什么是MOS 晶体管的瞬态响应？

9.

试解释短沟道效应。

10.试解释饱和区沟道调制效应。kjl

11.什么是迁移率退化和速度饱和？

12.什么是热电子效应？

13.试说明SPICE中MOS晶体管的各级模型Level=1、Level=2、Level=3、Level=4的特点。

14.试说明薄层电阻或方块电阻的含义。

15.什么是互连线的RC延迟？

第四章

一、填空题

3. CMOS逻辑电路的功耗由三部分组成：动态功耗P d、开关过程中的短路功耗P SC、静态功耗P s。

4. 用CMOS电路设计静态数字逻辑电路，如果设计与非逻辑下拉支路应该是串联，如果设计或非逻辑下拉支路应该是并联。

5. CMOS数字集成电路中，对于NMOS下拉网络的构成规律是：NMOS管串联实现与操作；NMOS管并联实现或操作。对于PMOS上拉网络则是按对偶原则构成，即PMOS管串联实现或操作；PMOS管并联实现与操作。

*6.富NMOS动态电路与富NMOS动态电路不能直接级联，但可以与富PMOS动态电路直接级联。

填空：

1. 电路的最高工作频率是指因此最高工作频率的公式为

2. 上升时间的定义下降时间的定义

3. 噪声容限的三个定义：

4. 画图说明导电因子和阈值电压对反向器电压传输特性的影响

5. 什么叫无比电路什么叫有比电路（用CMOS,E/E, E/D,E/R,反向器讨论）

6. 反向器的延时时间是如何定义的有何作用

7．画图解释NMOS传输们传高电平和低电平的过程

8. 画图解释PMOS传输们传高电平和低电平的过程

9. 画图解释CMOS传输们传高电平和低电平的过程

10. 如何得到传输门的导通电阻

11. 衬偏效应对CMOS传输门性能的影响

二、名词解释

*1. 传输门阵列逻辑：

答：用传输门串并联可以构成一个比较规则的电路形式，这种电路形式可以叫做传输门阵列。

*2. 多米诺（Domino）CMOS电路：

答：多米诺（Domino）CMOS电路由一级预充-求值的动态逻辑门加一级静态CMOS反相器构成。

3.可恢复逻辑电路：

答：当输入逻辑电平偏离理想电平时，能使偏离理想电平的信号经过几级电路逐渐收敛到理

想工作点，最终达到合格的逻辑电平的电路。

4. CMOS 反相器的输出上升时间

答：对CMOS 反相器V L =V DD ,上升时间是输出从0.1V DD 上升到0.9V DD 所需要的时间。

5. CMOS 反相器的输出下降时间

答：对CMOS 反相器V L =V DD ,下降时间是输出从0.9V DD 下降到0.1V DD 所需要的时间。

简答题

1. 描述如何得到一个反向器的稳态工作点

2. 0.18um 工艺下 Kn=3Kp, 设计一个反向器，说明器件尺寸

3. 画出CMOS 反向器的电路图，版图，电压传输特性曲线，并指出NMOS,PMOS 工作区

4. 讨论CMOS 反向器直流设计和瞬态设计的矛盾，并举例说明如何折衷。

三、画图题

根据管级电路图写出逻辑表达式 1．

C i V P 0P 1P 2P 3

四：根据逻辑表达式补齐版图，根据版图写出管级电路图 1． 逻辑为C AB Y +=，在版图上？ ● 标出输入信号 ● 补齐版图

● 再画出管级原理图

多晶硅

铝线

n

+

p

+

n

阱

接触孔2．逻辑为B

A

B

A

Y+

=，在版图上补齐版图？

多晶硅

金属

1

n

+

p

+

n

阱

接触孔

A B

金属2

通孔

3．画出如下棍图的管级原理图

A

金属B

C

多晶硅n+

p+

接触孔

根据逻辑表达式画出管级电路图和棍图 1．|)(C B A Y +=

2．D C B A Y +=

3．D ABC Y +=

1. 请画出用CMOS 电路实现Y=A(B+C)DE +逻辑功能的电路图。 (6分）

2. 请画出用CMOS 电路实现DE BC A Y ++=逻辑功能的晶体管级电路图。 (5分） 图例:

3. 请画出CMOS 反相器的直流电压传输特性曲线，标出5个工作区域，并写出两管在相应

区域的工作状态。（5分）

4. 请绘出NMOS I-V 特性曲线，说明其工作状态及不同状态的界线。（5分）

5．请画出用CMOS 电路实现DE C AB Y ++=逻辑功能的晶体管级电路图。 (5分） 图例:

1．写出对称设计的CMOS反相器逻辑阈值电平和由其定义的最大噪声容限？

2．为什么CMOS反相器是可恢复逻辑电路？

什么是动态CMOS电路的预充-求值？

3．什么是多米诺CMOS电路？

4．什么是动态CMOS电路的电荷分享

6. 已知某CMOS反相器的输出上升时间和下降时间分别为15ns和25ns，试确定该反相器工作频率的上限。（5分）

解：f m=1/(2max(t r,t f))=1/(2×25ns)=1/50ns=2×10^7s

答：该反相器工作频率的上限是2×10^7s

7. 请画出CMOS反相器的电路图和版图（5分）

图例：

*8.请画出一个静态CMOS二输入或非门的晶体管级电路图及其版图（5分）

图例：

四、电路分析题

2．假设有两个逻辑信号A、B，其中A先于B到达如图所示电路；为了使电路得到最好的瞬态特性，请在图中标注出A、B接入方法，并解释为什么。

五、综合题

1. *请画出实现二输入与非逻辑功能Y A B

=?的富NMOS（仅用NMOS晶体管实现逻辑求值功能，而用PMOS晶体管实现高电平预充功能）预充-求值动态逻辑电路图。简要说明电路中的电荷分享问题是如何形成的。（10分）

预充：Φ=“0”，M P导通对C L充电，输出V O=V DD

求值：Φ=“1”，

O L

O

V

V=

=

=”，则

“

若1

B

A；

D D

O

V

V=

=

=”，则

“

”

“

若0

B

1

A，但此时，C L对C1进行电荷分享会出现输出高电平下降。

A

B

答：将先到达的逻辑信号A接于靠近地线的

NMOS管M N1的栅极上，将有利于使先到达

的信号A对串联支路的中间结点寄生电容放

电，其原因是只有中间结点的电容放电后，

才能使输出结点寄生电容放电，这样有利于

提高电路的响应速度。

第五章

填空：

1．CMOS逻辑门的特点（带非逻辑，NMOS串与或并，n个输入需要2n个MOS管，无比电路）

2．电路的总延迟时间与（每个逻辑门的具体结构和器件参数）有密切关系

3．减少每个逻辑门的输入端数有利于（减小面积和改善速度）

4．在CVSL电路中交叉耦合的PMOS负载管有（锁存）作用，使输出状态不易（翻转）

5．CPL最有吸引力的优点是（简单而规则的电路形式）

6．DPL比较适合于在（低电源电压的VLSI）中采用

简答题

1．如何设计CMOS与非门或非门 106页

2．用静态CMOS和类NMOS逻辑门实现Y=AB+CD的非图5.5.1

3．类NMOS电路的特点 118页

4．用传输门阵列实现4选一多路器图5.7.2

第六章

简答题：

1、请举例加以说明预充-求值动态电路的级联问题及电荷分享问题；

答案：见书P142-144

2、请画出准静态D触发器的电路图，并说出D触发器和D锁存器的区别；

答案：准静态D触发器的电路图见书P163 图6.6.9，D触发器和D锁存器的区别：P165 触发器只在时钟的上升边或下降边翻转，无论输入信号如何变化，在一个时钟周期内输出状态只能变化一次，因此没有空翻的问题。对于锁存器，

输出状态在时钟为高电平或者低电平的整个期间都随输入信号变化，如果输入信号变化多次，输出状态也会变化多次。另外，触发器还有建立时间和保持时间的要求。如果能够结合类似于P164 图6.6.11加以说明更好。

3、请设计一简单电路，使之能够产生近似相同延时的两相不交叠信号；

答案：P146 图6.2.12

4、以任意一纹波动态逻辑电路为例，请简述其预充-求值的工作过程；

答案：P141 图6.2.1，说明见P141第一段。

5、请说明电荷分享对多米诺CMOS电路造成的影响以及相应的解决措施；

答案：P149 电荷分享引起存储高电平结点的高电平下降，这将对多米诺CMOS电路造成两面的影响：（1）、（2）。解决措施增加反馈管和增加预充电管,详见P150。

填空题：

1、CVSL多米诺电路中增加的两个反馈管的作用是克服电荷分享与电荷泄露引起的存储电荷损失；

2、就上升时间和下降时间来讲，对于富PMOS电路上升时间将成为主要问题；

3、多米诺CMOS电路由一级预充-求值的动态逻辑门加一级静态CMOS反相器构成；

4、时钟CMOS电路采用的是求值-保持的工作方式；

5、NORA电路的基本原理是将预充-求值和求值-保持的工作方式结合起来，用来克服两相时钟信号偏移引起的信号竞争；

6、移位寄存器根据数据输入、输出方式可以分为串入-串出、串入-并出、并入-串出和并入-并出四种。

第七章

一、填空

1、输入缓冲器有两方面的作用，一是（作为电平转换的接口电路），另一个是（提高输入信号的驱动能力。）。

答案：；（P177，7.1节）

2、为了使总线和所有接到总线上的电路都能正常工作，连接到总线上的电路必须按照一定的时序向总线传送信号。这就要求电路的输出有三态控制，即电路可以有三种输出状态，即（输出高电平状态）、（；输出低电平状态）、（高阻态）。

答案：；。（p187）

3、对于要接到片外的最终输出级反相器的设计，要考虑三个方面的因素，即（输出要和TTL电路兼容；）、（要有足够大的输出驱动能力）、（；输出静电保护）。

答案：。（p184）

4、为了有效地减少管子占用的面积和多晶硅线的RC延迟时间，对于宽长比很大的输出级MOS管必须采用（梳状）结构。

答案：（p186）

5、在双二极管保护电路中，为了防止闩锁效应，在两个二极管周围都要增加（保护环）。

答案：（p180，图7.2.2）

二、选择

6、使用反相器链作输出缓冲器时，用几级反相器串联，应使反相器的尺寸（b）

a、相同

b、逐级增大

c、逐级减小

d、不确定

答案：（p181，7.3节）

7、用CMOS施密特触发器作为输入缓冲级，可以使输入噪声容限（a）

a、提高

b、降低

c、不变

d、不确定

答案：（p179，图7.1.5）

8、在一定的负载电容和逻辑摆幅情况下，要减小电路的延迟时间必须（）MOS 管的驱动电流，而要增大驱动电流只有（）输出级MOS管的宽长比。

a、增大，减小

b、减小，增大

c、增大，增大

d、减小，减小

答案：c（p181，7.3节第一段）

9、采用n级[n=ln（C L/C in）]反相器链作驱动器驱动大的负载电容C L，各个反相器逐级增大（）倍可以使驱动器总的延迟时间最短。

a、1/e

b、e2

c、e

d、1/ e2

10、一般要求CMOS IC的输出至少能驱动一个TTL门，也就是要求CMOS电路的输出和TTL电路的输入之间满足电平匹配和电流匹配的要求，试填写下列关系：

V OHmin（CMOS）（）V IHmin（TTL），

V OLmax（CMOS）（）V ILmax（TTL），

I OHmin（CMOS）（）N I IHmax（TTL），

I OLmin（CMOS）（）N I ILmax（TTL），

其中N是实际扇出系数。

a、≤≥≤≤

b、≥≤≤≤

c、≤≥≥≥

d、≥≤≥≥答案：d （p184）

三、问答

11、CMOS施密特触发器是实现电平转换的接口电路，试画出输入信号从高电平到低电平变化时的电压传输特性。

答案：p178，图7.1.3

12、为防止MOS IC中接到芯片输入端MOS晶体管出现栅击穿，必须在MOS IC 的输入端增加保护电路，试画出简单CMOS反相器的一种输入保护电路，试分

析它的工作原理。

答案：p180，7.2.2节

要点：1、最简单的保护电路是由一个二极管D和一个电阻R组成的，只要设计二极管的击穿电压小于MOS管的栅击穿电压，则外界引起的高电压，就会首先使D击穿，产生的大电流在R上引起压降，从而使加在MOS管栅极的电压降低，防止了栅击穿。2、电阻R还有限流的作用，防止二极管击穿引起过大的电流而被烧坏。由于干扰信号包括静电引起的输入端的高电压都是瞬时的脉冲信号，只要电流不是非常大，二极管不会被烧坏，从而可以继续起保护作用。

13、试设计一个简单的三态输出电路，画出它的门级电路图。

参考答案：p188，图7.5.2、7.5.3、7.5.4、7.5.5。

一、填空（8、9、10三章）

1、MOS存储器分为随机存储器（RAM），只读存储器（ROM）。

2、MOS RAM存储器分两类：1：动态随机存储器（DRAM），2：静态随即存储器（SRAM）。

3、DRAM读出过程存在两个问题，一是电荷再分配的结果破坏了原来存储的信息，因此DRAM是破坏性读出；二是读出信号微弱，因为位线寄生电容一般比存储电容大得多。

4、SOI的中文意思是绝缘体上硅。

二、简答题

1、简述DRAM和SRAM各自的存储方式和优缺点。

答：动态随机存储器(DRAM)靠电容存储信息，即动态存储方式，单元面积小易于提高集成度。由于DRAM集成度高，功耗低，适于做计算机的内存。DRAM 的主要缺点是信息不能长时间保存，需要定时刷新。

静态随即存储器(SRAM),靠双稳电路存储信息，是静态存储方式，只要不断电，信息可以一直保存，不需要刷新。SRAM工作速度快，适合于作高速缓冲存储器。SRAM的缺点主要是单元面积大，集成度不如DRAM容易提高，另外SRAM有较大的功耗。

2、灵敏再生放大器的作用是什么？

答：由于DRAM单元存储电容的容量很小，读出信号非常微弱，另一方面，读出后单元原来存储的信息受到破坏。因此DRAM需要灵敏再生放大器（S/R），把从单元独处的微弱信号放大，然后再写回单元，恢复单元原来存储的信息。3、简述半电压虚单元设置和半电荷虚单元设置的原理图。

答：见书198页~200页

4、由版图画出电路图（图9.3.6 二输入与非门版图设计实例）

5、SOI技术的特点是什么？

答：SOI技术的特点是把制作器件的单晶硅层放置在绝缘体上，因而消除了体硅CMOS中器件的有源区和硅衬底之间的很多寄生效应。

第八章

3． 请简述集成电路设计过程中的六个抽象级别和每个级别的表现形式。

2请画出用CMOS 实现的异或非门电路图，并在 图 2所示的CMOS 门阵列版图中画出实现异或非门的连接方法，用实线表示连接。（8分）

图 2

3、 请在图3中补画实现CD AB Y +=逻辑功能的、采用N 阱工艺的CMOS 电路的棍

图和相应的版图。（10分）

二年级下册期末复习资料

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二年级下册复习资料卷 姓名：________ 一、一字组多词 1、冻:冰冻 解冻 冷冻 冻伤 野:野菜 野花 田野 野火 烧:发烧 烧香 烧火 烧伤 菜:菜花 菜心 野菜 青菜 棉:棉花 木棉 棉布 棉衣 芽:发芽 笋芽 新芽 豆芽 骨:骨头 骨气 龙骨 骨灰 泉:温泉 清泉 泉水 泉眼 然:自然 天然 忽然 然后 结:结果 结束 打结 结网 2、雷:雷雨 打雷 雷声 地雷 铃:门铃 铃声 铃铛 哑铃 密:茂密 保密 亲密 稠密 季:四季 季节 春季 夏季 鲜:鲜花 新鲜 鲜红 鲜艳 度:温度 度过 度假 风度 单:单车 单人 单数 单位 题:题目 问题 难题 题词 喝:喝水 喝茶 喝酒 喝彩 英:英语 英国 英雄 英明 3、票:门票 彩票 车票 买票 艺:文艺 才艺 艺术 手艺 转:转学 转弯 转动 转椅 窗:窗户 窗口 车窗 门窗 烟:烟花 烟火 香烟 烟灰 流:流水 流动 河流 流泪 彩:彩虹 彩色 彩票 云彩 宝:宝贝 宝石 宝刀 国宝 兄:兄弟 兄妹 师兄 兄长 商:商场 商品 商人 商店 4、报:报纸 报告 买报 情报 滑:光滑 滑冰 滑雪 滑动 楼:楼梯 高楼 楼房 上楼 脑:脑筋 电脑 头脑 大脑 谈:谈话 谈天 谈心 交谈 守:守卫 保守 看守 守护 费:学费 浪费 费用 自费 望:希望 巴望 渴望 守望 算:计算 口算 算术 算数 肥:肥胖 化肥 肥料 肥大 5、冰:冰雪 冰冷 滑冰 冰冻 玉:宝玉 玉石 玉米 玉兰 组:小组 组长 分组 组成 珠:珍珠 珠宝 水珠 眼珠 离:离开 离别 分离 远离 油:石油 汽油 加油 油菜 肉:食肉 皮肉 肉体 肉松 寒:寒冷 严寒 寒流 寒毛 二、拼一拼，读一读。 解ji ě冻d òng 世sh ì界ji è 笋s ǔn 芽y á 呼h ū唤hu àn 杜d ù鹃ju ān 泥n í泞n ìng 雷l éi 锋f ēng 弱ru ò小xi ǎo 芬f ēn 芳f āng 应y ìng 该g āi 环hu án 绕r ào 茂m ào 盛sh èng 茂m ào 密m ì 敬j ìng 爱ài 凤 f èn g 凰hu áng 欺q ī负f ù

(完整版)集成电路工艺原理期末试题

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期 集成电路工艺原理课程考试题A卷（120分钟）一张A4纸开卷教师：邓小川 一二三四五六七八九十总分评卷教师 1、名词解释：(7分) 答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。 特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。 Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。 LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。 2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请 举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？(7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。 3、集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工 艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(7分) 答：集成电路制造工艺中，主要有局部氧化工艺－LOCOS；浅槽隔离技术－STI两种隔离工艺。 主流深亚微米隔离工艺是：STI。STI与LOCOS工艺相比，具有以下优点：更有效的器件隔离；显著减小器件表面积；超强的闩锁保护能力；对沟道无 侵蚀；与CMP兼容。 4、在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？(7分) 答：如果没有LDD形成，在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高

人教版二年级下册数学总复习资料

二年级下册数学总复习资料 一、目的 整理、归纳本册教科书所学知识，加深对所学知识的理解，掌握有关知识间的联系。经历整理与复习所学知识的过程，初步学会一些整理数学知识的方法，培养自觉整理与复习的意识和习惯。 1、巩固巩固所学知识与技能 2、弥补弥补所学知识与技能的不足（教学的不足，学习的不足） 3、提高对本期所学的提高，对学生数学综合素质的提高 二、复习策略 1、认真研究教育局试题思路，把握教材、课标。 2、精讲多练。 3、注重学习过程，更重视复习效果。 4、不仅提高学生的综合能力，要把做题与考试能力作为期末复习的重点能力训练。 三、各单元及各节目录一览表 单元小节 数与代数 一、万以内数的认识数数；写数、读数；大小比较；较大数的估计；整理与复习。 三、三位数加、减法整十、整百数的加减；加减法的估算；三位数加法；三位数减法；探索规律；聪明的高斯（数学文化）；解决问题；整理与复习。 五、有余数的除法 六、时、分、秒认识钟表；解决问题 空间与图形二、认识图形长方形和正方形的认识；平行四边形；拼组图形；七巧板（数学文化）四、千米毫米计量的发展（数学文化） 统计与概率七、统计统计。 实践与综合应用总复习各单元整理与复习；总复习。 实践活动学习“当家”；人身上的小秘密；每天锻炼1小时。 四、教材重难点 1、经历整理与复习所学知识的过程，初步学会一些整理数学知识的方法。 2、掌握万以内数的数位顺序、读写方法、大小比较等知识。 3、复习三位数加减法的计算方法。 加法计算中连续进位与减法计算中连续退位是难点 4、理解在有余数的除法中，余数必须小于除数是难点 5、能根据题意，选择合适的选择长度单位、计量单位，会进行长度单位或计量单位间简单的换算。 6、根据所学知识，解决简单的实际问题。 7、长方形和正方形的特征； 8、能用象形统计图，画“正”字，画“√”等方法进行统计，并能整理和分析统计数据。 五、复习重、难点 1、数数、三位数的加减、有余数的除法。 2、每次检测，学生在填空题上丢分多，可专项对填空题进行训练，这也是提高成绩的重要措施。 3、解决问题是难点（特别是合理选择型的题）。 4、操作题的训练要。 六、复习建议 1、根据本班实际制定措施，注重复习的方法和学习习惯的培养。 2、制定提高措施（找准突破提升点）。 3、复习时应有针对性，综合性。 4、复习时注重数学与生活实际的密切联系。如：复习统计可在即将进入复习时，可对班级的作业情

数字集成电路复习笔记

数集复习笔记 By 潇然名词解释专项 摩尔定律：一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。 传播延时：一个门的传播延时t p定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。 由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同，所以需定义两个传播延时。 t pLH定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间，而t pHL则为输出由高至低翻转 的响应时间。传播延时t p定义为这两个时间的平均值：t p=(t pLH+t pHL)/2。 设计规则：设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。它们包括图形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求。定义设计规则 的目的是为了能够很容易地把一个电路概念转换成硅上的几何图形。设计规则的 作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口，或者说是他们之间的协议。 速度饱和效应：对于长沟MOS管，载流子满足公式：υ= -μξ(x)。公式表明载流子的速度正比于电场，且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之，载流子的迁移率 是一个常数。然而在（水平方向）电场强度很高的情况下，载流子不再符合 这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界值ξc时，载流子的速度将由于 散射效应（即载流子间的碰撞）而趋于饱和。 时钟抖动：在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化，即时钟周期在每个不同的周期上可以缩短或加长。 逻辑综合：逻辑综合的任务是产生一个逻辑级模型的结构描述。这一模型可以用许多不同的方式来说明，如状态转移图、状态图、电路图、布尔表达式、真值表或HDL描 述。 噪声容限：为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感，应当使“0”和“1”的区间越大越好。一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限NM L和高电平噪声容限 NM H来度量的，它们分别量化了合法的“0”和“1”的范围，并确定了噪声的 最大固定阈值： NM L =V IL - V OL NM H =V OH - V IH

集成电路工艺复习

1.特征尺寸（C r i t i c a l D i m e n s i o n,C D）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。 2.集成电路制造步骤： ①Wafer preparation(硅片准备) ②Wafer fabrication (硅片制造) ③Wafer test/sort (硅片测试和拣选) ④Assembly and packaging (装配和封装) ⑤Final test(终测) 3.单晶硅生长：直拉法（CZ法）和区熔法（FZ法）。区熔法（FZ法）的特点使用掺杂好的多晶硅棒；优点是纯度高、含氧量低；缺点是硅片直径比直拉的小。 4.不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用（100）晶面或<100>晶向；双极集成电路通常用（111）晶面或<111>晶向。 5.硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 ②湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ③水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 硅的氧化温度：750 ℃～1100℃ 6.硅热氧化过程的分为两个阶段： 第一阶段：反应速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子充足，硅原子不足。 第二阶段：扩散速度决定氧化速度，主要因为氧分子、水分子不足，硅原子充足

(完整word版)部编版二年级下册语文期末复习资料

二下语文必会知识 世界、反复、愿望、采摘、掏钱、决赛、纺织、编织决定、宇宙、容易、浴室、黑板、指针、帮助、教导愿意、突然、课桌、屁股、使劲、周围、补充、游戏精灵、祖母、嘻哈、烧烤、烤鸭、鸡肉、鸡蛋、炒饭贝壳、钱财、钱币、热闹、民族、整齐、波纹、留恋买菜、甘甜、温暖、邮局、姑娘、碧绿、死亡、新鲜满意、值钱、此刻、炎热、简便、功劳、反应、摆弄格式、蓝天、回忆、抽筋、消失、菜籽、突破、买卖倒车、搬家、青蛙、药店、商店、终于、交换、完蛋功夫、注意、关注、日期、最近、痛苦、根本、遇见安全、野兔、慢走、电扇、教室、丢失、水杯、疲劳劝告、永远、导游、积木、碰面、特点、打雷、垂柳欢迎、扑灭、压力、乌云、窗户、西湖、莲花、绝招山岭、荷花、穷人、包含、小麦、伯母、应该、忘掉图像、补课、座位、转告、坐牢、尿布、干净、幸运眼屎、合格、忘记、母鸡、姨妈、雨伞、方便、彩色森林、结实、做梦、拉开、苹果、精彩、一般、茄子指甲、骨头、与其、体贴、龙舟、敬礼、团结、街道艾叶、台湾、海岛、峡谷、情谊、兴奋、广州、布匹姐妹、风景、不舍、求助、可能、香味、农具、雷锋

昨天、冒雨、弯曲、背包、洒水、种植、休息、引号 鲜花、原来、叔叔、礼物、土堆、桃花、杏树、回荡 冲锋、寻找、吞吐、剪刀、丝瓜、化妆、农村、儿童 诗歌、丢掉、觉得、伤害、乌黑、邮递员 春风拂面、梳妆打扮、碧空如洗、万里无云、引人入目恋恋不舍、兴致勃勃、筋疲力尽、视而不见、赏心悦目生机勃勃、尽心竭力、与世隔绝、色彩斑斓、笨手笨脚绚丽多彩、五颜六色、亡羊补牢、哈哈大笑、一望无边、自言自语、和颜悦色、九牛二虎之力 蒙蒙的细雨、年迈的大娘、晶莹的露珠、泥泞的小路 弯弯的小路、清新的空气、葱郁的森林、美丽的风景一、必会古诗 村居（清）高鼎 草长莺飞二月天，拂堤杨柳醉春烟。 儿童散学归来早，忙趁东风放纸鸢。 咏柳（唐）贺知章 碧玉妆成一树高，万条垂下绿丝绦。 不知细叶谁裁出，二月春风似剪刀。 晓出净慈寺送林子方（宋）杨万里 毕竟西湖六月中，风光不与四时同。 接天莲叶无穷碧，映日荷花别样红。 赋得古原草送别（节选）（唐）白居易

集成电路工艺复习资料

1.特征尺寸（Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度的标志，代表集成电路的工艺水平。①在CMOS技术中，特征尺寸通常指MOS管的沟道长度，也指多晶硅栅的线宽。②在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸。 2.集成电路制造步骤： ①Wafer preparation(硅片准备) ②Wafer fabrication (硅片制造) ③Wafer test/sort (硅片测试和拣选) ④Assembly and packaging (装配和封装) ⑤Final test(终测) 3.不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。例如迁移率，界面态等。MOS集成电路通常用（100）晶面或<100>晶向；双极集成电路通常用（111）晶面或<111>晶向。 4.硅热氧化的概念、氧化的工艺目的、氧化方式及其化学反应式。 氧化的概念：硅热氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。 氧化的工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化方式及其化学反应式：①干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 ②湿氧氧化：Si ＋H2O ＋O2 →SiO2+H2 ③水汽氧化：Si ＋H2O →SiO2 ＋H2 硅的氧化温度：750 ℃～1100℃ 5.SiO2在集成电路中的用途 ①栅氧层：做MOS结构的电介质层（热生长） ②场氧层：限制带电载流子的场区隔离（热生长或沉积） ③保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） ④注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂（热生长） ⑤垫氧层：减小氮化硅与硅之间应力（热生长） ⑥注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长）

部编版二年级语文下册期末总复习资料

部编版二年级语文下册期末总复习资料 一、同偏旁的字： 贝字旁：赔购货贫（带贝字旁的字大多与钱财有关。） 火字旁：炒烤烧炸（带火字旁和四点底的字多与火有关。） 四点底：煎蒸煮焦（带火字旁和四点底的字多与火有关。） 心字底：怒恋感想（带心字底和竖心旁的字多与心情有关。）竖心旁：慌惊怕情（带心字底和竖心旁的字多与心情有关。）利刀旁：刺刮剑（带利刀旁和刀字旁的字多与金属利器有关。）刀字旁：分剪切（带利刀旁和刀字旁的字多与金属利器有关。）示字旁：神祖礼福（带示字旁的字大多与祭祀、祈福有关。） 衣字旁：补袜衫被（带衣字旁的字大多与衣服有关。） 两点水：冰冷冻凉（带两点水的字大多与寒冷有关。） 三点水：海流洒滴（带三点水的字大多与水有关。） 木字旁：树林柳枝 宝盖头：宇宙容室 草字头：草莲荷苗 二、词语积累： 1、近义词： 忽然——突然立刻——马上 瞬间——一眨眼逐渐——渐渐 慢慢——徐徐繁茂——茂盛 仔细——细心寻找——寻觅 懊丧——沮丧惊奇——诧异 格外——特别挑选——选择 温暖——暖和也许——可能 特别——特殊平时——平常 急忙——连忙傍晚——黄昏 柔软——松软情谊——情意

欢笑——欢乐忠实——忠诚 普通——一般转眼——转瞬 团圆——团聚热闹——喧闹 漂亮——美丽珍贵——宝贵 喜欢——喜爱容易——简单 透明——透亮遮蔽——遮挡 看望——探望凶狠——凶恶 赞赏——赞扬商量——商议 巴望——渴望焦急——着急 劝告——劝说赶紧——赶快 立刻——马上到底——究竟 知道——了解准确——精确 平时——平常毕竟——究竟 忽然——突然辨别——辨认 指点——指导慌张——惊慌 可能——或许必须——一定 慢慢——缓缓经常——常常 匆忙——仓促采集——收集 悲观——消极迟疑——犹豫 美好——美妙开始——开端 艰难——困难炎热——酷热 慢吞吞——慢悠悠一望无边——一望无际 筋疲力尽——精疲力竭亡羊补牢——江心补漏2、反义词： 赶紧——迟缓懊丧——兴奋 惊奇——平静仔细——马虎 害羞——大方探出——缩进 茁壮——瘦弱笔直——弯曲 快活——悲伤舒服——难受 温暖——寒冷特别——普通 柔软——坚硬美丽——丑陋 高兴——难过繁荣——萧条

数字集成电路--电路、系统与设计(第二版)复习资料

第一章 数字集成电路介绍 第一个晶体管，Bell 实验室，1947 第一个集成电路，Jack Kilby ，德州仪器，1958 摩尔定律：1965年，Gordon Moore 预言单个芯片上晶体管的数目每18到24个月翻一番。(随时间呈指数增长) 抽象层次：器件、电路、门、功能模块和系统 抽象即在每一个设计层次上，一个复杂模块的内部细节可以被抽象化并用一个黑匣子或模型来代替。这一模型含有用来在下一层次上处理这一模块所需要的所有信息。 固定成本（非重复性费用）与销售量无关；设计所花费的时间和人工；受设计复杂性、设计技术难度以及设计人员产出率的影响；对于小批量产品，起主导作用。 可变成本 （重复性费用）与产品的产量成正比；直接用于制造产品的费用；包括产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。每个集成电路的成本=每个集成电路的可变成本+固定成本/产量。可变成本=（芯片成本+芯片测试成本+封装成本）/最终测试的成品率。 一个门对噪声的灵敏度是由噪声容限NM L （低电平噪声容限）和NM H （高电平噪声容限）来度量的。为使一个数字电路能工作，噪声容限应当大于零，并且越大越好。NM H = V OH - V IH NM L = V IL - V OL 再生性保证一个受干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛回到额定电平中的一个。 一个门的VTC 应当具有一个增益绝对值大于1的过渡区(即不确定区)，该过渡区以两个有效的区域为界，合法区域的增益应当小于1。 理想数字门 特性：在过渡区有无限大的增益；门的阈值位于逻辑摆幅的中点；高电平和低电平噪声容限均等于这一摆幅的一半；输入和输出阻抗分别为无穷大和零。 传播延时、上升和下降时间的定义 传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示一个信号通过一个门时所经历的延时，定义为输入和输出波形的50%翻转点之间的时间。 上升和下降时间定义为在波形的10%和90%之间。 对于给定的工艺和门的拓扑结构，功耗和延时的乘积一般为一常数。功耗-延时积(PDP)----门的每次开关事件所消耗的能量。 一个理想的门应当快速且几乎不消耗能量，所以最后的质量评价为。能量-延时积(EDP) = 功耗-延时积2 。 第三章、第四章CMOS 器件 手工分析模型 ()0 12' 2 min min ≥???? ??=GT DS GT D V V V V V L W K I 若＋－λ ()DSAT DS GT V V V V ,,m in min ＝ 寄生简化：当导线很短，导线的截面很大时或当 所采用的互连材料电阻率很低时，电感的影响可 以忽略：如果导线的电阻很大(例如截面很小的长 铝导线的情形)；外加信号的上升和下降时间很慢。 当导线很短，导线的截面很大时或当所采用的互 连材料电阻率很低时，采用只含电容的模型。 当相邻导线间的间距很大时或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时：导线相互间的电容可 以被忽略，并且所有的寄生电容都可以模拟成接 地电容。 平行板电容：导线的宽度明显大于绝缘材料的厚 度。 边缘场电容：这一模型把导线电容分成两部分： 一个平板电容以及一个边缘电容，后者模拟成一 条圆柱形导线，其直径等于该导线的厚度。 多层互连结构：每条导线并不只是与接地的衬底 耦合（接地电容），而且也与处在同一层及处在相邻层上的邻近导线耦合（连线间电容）。总之，再多层互连结构中导线间的电容已成为主要因素。这一效应对于在较高互连层中的导线尤为显著，因为这些导线离衬底更远。 例4.5与4.8表格 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 例4.1 金属导线电容 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线，计算总的电容值。 平面(平行板)电容： ( 0.1×106 μm2 )×30aF/μm2 = 3pF 边缘电容： 2×( 0.1×106 μm )×40aF/μm = 8pF 总电容： 11pF 现假设第二条导线布置在第一条旁边，它们之间只相隔最小允许的距离，计算其耦合电 容。 耦合电容： C inter = ( 0.1×106 μm )×95 aF/μm2 = 9.5pF 材料选择：对于长互连线，铝是优先考虑的材料；多晶应当只用于局部互连；避免采用扩散导线；先进的工艺也提供硅化的多晶和扩散层 接触电阻：布线层之间的转接将给导线带来额外的电阻。 布线策略：尽可能地使信号线保持在同一层上并避免过多的接触或通孔；使接触孔较大可以降低接触电阻(电流集聚在实际中将限制接触孔的最大尺寸)。 采电流集聚限制R C , (最小尺寸)：金属或多晶至n+、p+以及金属至多晶为 5 ~ 20 Ω ；通孔(金属至金属接触)为1 ~ 5 Ω 。 例4.2 金属线的电阻 考虑一条布置在第一层铝上的10cm 长，1μm 宽的铝线。假设铝层的薄层电阻为0.075Ω/□，计算导线的总电阻： R wire ＝0.075Ω/□?(0.1?106 μm)/(1μm)＝7.5k Ω 例4.5 导线的集总电容模型 假设电源内阻为10k Ω的一个驱动器，用来驱动一条10cm 长，1μm 宽的Al1导线。 电压范围 集总RC 网络 分布RC 网络 0 → 50%(t p ) 0.69 RC 0.38 RC 0 → 63%(τ) RC 0.5 RC 10% → 90%(t r ) 2.2 RC 0.9 RC 0 → 90% 2.3 RC 1.0 RC 使用集总电容模型，源电阻R Driver ＝10 k Ω，总的集总电容C lumped ＝11 pF t 50% = 0.69 ? 10 k Ω ? 11pF = 76 ns t 90% = 2.2 ? 10 k Ω ? 11pF = 242 ns 例4.6 树结构网络的RC 延时 节点i 的Elmore 延时： τDi = R 1C 1 + R 1C 2 + (R 1+R 3) C 3 + (R 1+R 3) C 4 + (R 1+R 3+R i ) C i 例4.7 电阻-电容导线的时间常数 总长为L 的导线被分隔成完全相同的N 段，每段的长度为L/N 。因此每段的电阻和电容分别为rL/N 和cL/N R (= rL) 和C (= cL) 是这条导线总的集总电阻和电容()()()N N RC N N N rcL Nrc rc rc N L DN 2121 (22) 22 +=+=+++?? ? ??=τ 结论：当N 值很大时，该模型趋于分布式rc 线;一条导线的延时是它长度L 的二次函数;分布rc 线的延时是按集总RC 模型预测的延时的一半. 2 rcL 22＝RC DN = τ 例4.8 铝线的RC 延时.考虑长10cm 宽、1μm 的Al1导线,使用分布RC 模型，c = 110 aF/μm 和r = 0.075 Ω/μm t p = 0.38?RC = 0.38 ? (0.075 Ω/μm) ? (110 aF/μm) ? (105 μm)2 = 31.4 ns Poly ：t p = 0.38 ? (150 Ω/μm) ? (88+2?54 aF/μm) ? (105 μm)2 = 112 μs Al5： t p = 0.38 ? (0.0375 Ω/μm) ? (5.2+2?12 aF/μm) ? (105 μm)2 = 4.2 ns 例4.9 RC 与集总C 假设驱动门被模拟成一个电压源，它具有一定大小的电源内阻R s 。 应用Elmore 公式，总传播延时： τD = R s C w + (R w C w )/2 = R s C w + 0.5r w c w L 2 及 t p = 0.69 R s C w + 0.38 R w C w 其中，R w = r w L ，C w = c w L 假设一个电源内阻为1k Ω的驱动器驱动一条1μm 宽的Al1导线，此时L crit 为2.67cm 第五章CMOS 反相器 静态CMOS 的重要特性：电压摆幅等于电源电压 → 高噪声容限。逻辑电平与器件的相对尺寸无关 → 晶体管可以采用最小尺寸 → 无比逻辑。稳态时在输出和V dd 或GND 之间总存在一条具有有限电阻的通路 → 低输出阻抗 (k Ω) 。输入阻抗较高 (MOS 管的栅实际上是一个完全的绝缘体) → 稳态输入电流几乎为0。在稳态工作情况下电源线和地线之间没有直接的通路(即此时输入和输出保持不变) → 没有静态功率。传播延时是晶体管负载电容和电阻的函数。 门的响应时间是由通过电阻R p 充电电容C L (电阻R n 放电电容C L )所需要的时间决定的 。 开关阈值V M 定义为V in = V out 的点(在此区域由于V DS = V GS ，PMOS 和NMOS 总是饱和的) r 是什么：开关阈值取决于比值r ，它是PMOS 和NMOS 管相对驱动强度的比 DSATn n DSATp p DD M V k V k V V ＝ ，r r 1r +≈ 一般希望V M = V DD /2 (可以使高低噪声容限具有相近的值)，为此要求 r ≈ 1 例5.1 CMOS 反相器的开关阈值 通用0.25μm CMOS 工艺实现的一个CMOS 反相器的开关阈值处于电源电压的中点处。 所用工艺参数见表3.2。假设V DD = 2.5V ，最小尺寸器件的宽长比(W/L)n 为1.5 ()()()()()()()() V V L W V V V V k V V V V k L W L W M p DSATp Tp M DSATp p DSATn Tn M DSATn n n p 25.125.55.15.35.320.14.025.1263.043.025.10.163.01030101152266==?==----?-???----=－－－＝ 分析： V M 对于器件比值的变化相对来说是不敏感 的。将比值设为3、2.5和2，产生的V M 分别为 1.22V 、1.18V 和 1.13V ，因此使PMOS 管的宽度小于完全对称所要求的值是可以接受的。 增加PMOS 或NMOS 宽度使V M 移向V DD 或GND 。不对称的传输特性实际上在某些设计中是所希望的。 噪声容限：根据定义，V IH 和V IL 是dV out /dV in = -1(= 增益)时反相器的工作点 逐段线性近似V IH = V M - V M /g V IL = V M + (V DD - V M )/g 过渡区可以近似为一段直线，其增益等于 在开关阈值V M 处的增益g 。它与V OH 及V OL 线的交点 用来定义V IH 和V IL 。点。

部编版二年级下册期末复习资料汇总(全)

部编版二年级下册期末复习汇总

第一单元 1、《村居》作者（），草长莺飞（）（）（），拂堤（）（） 醉（）（）。儿童（）（）（）（）（），（）（）东风放纸鸢。 2、《咏柳》作者（），（）（）（）（）一树高，（）（）（）（）绿丝绦。不知（）（）（）（）（），二月春风（）（）（） 3、我们几个孩子（）（）棉袄，（）（）家门，奔向（）（）， 去（）（）春天。 4、春天像个害羞的小姑娘，（）（）（）（），（）（）（）（）。我 们（）（）地找哇。 5、小草从地下（）（）（）（），那是春天的（）（）吧？早开的（）（）一朵两朵，那是春天的（）（）吧？树木（）（）点点嫩芽，那是春天的（）（）吧？解冻的小溪（）（）（）（），那是春天的（）（）吧？ 6、春天来了！我们（）（）了她，我们（）（）了她，我们（）（）了她，我们（）（）了她。她在柳枝上（）（）（），在风筝（）（）（）摇哇摇；她在喜鹊、杜鹃嘴里（），在桃花、（）（）（）（）…… 7、刺猬太太走出门，看到门前开着一大片（）（）（）（）的鲜花， 她（）（）地说："这是谁在我家门前种的花？多美啊！” 8、狐狸太太走出门，看到门前开着一大片（）（）（）（）的鲜花，她（）（）地说：“这是谁在我家门前种的花？真美啊！ 9、1987年4月5日，是个（）（）（）（）的日子。 10、一棵（）（）（）的小柏树栽好了，就像（）（）（）（）（）（）地站在那里。邓爷爷的脸上露出了（）（）（）（）（）。11、这一天，（）（）（）（），（）（）（）（）。在北京天坛公园植树的人群里，83岁高龄的邓小平爷爷格外（）（）（）（）。只见他手握铁锹，（）（）（）（）地挖着树坑，额头已经）（）（）（），仍不肯（）（）。 12、一个树坑挖好了。邓爷爷（）（）地（）（）了一棵茁壮的柏树苗，（）（）（）移入树坑，又挥楸填了几楸土。他站到几步之外（）（）看看，（）（）不很（），连声说：“不行，不行！”他又走上前把树苗（）（）。 13、今天，邓小平爷爷（）（）栽种的柏树（）（）（）（）了，成了天坛公园（）（）（）（）（）（）（）。 14、《赋得古原草送别》作者（），离离（）（）（），一岁（）（）（）。野火（）（）（），（）（）（）（）（）。

集成电路设计基础复习

1、解释基本概念：集成电路，集成度，特征尺寸 参考答案： A、集成电路（IC：integrated circuit）是指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的集成块。 B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。 C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长（L）尺寸。 2、写出下列英文缩写的全称：IC，MOS，VLSI，SOC，DRC，ERC，LVS，LPE 参考答案： IC：integrated circuit；MOS：metal oxide semiconductor；VLSI：very large scale integration；SOC：system on chip；DRC：design rule check；ERC：electrical rule check；LVS：layout versus schematic；LPE：layout parameter extraction 3、试述集成电路的几种主要分类方法 参考答案： 集成电路的分类方法大致有五种：器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型，通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS 集成电路。按集成规模可分为：小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式，可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分，集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。 参考答案： “自顶向下”的设计步骤中，设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能；其次进行结构设计；接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图；最后将电路图转换成版图，并经各种验证后以标准版图数据格式输出。 5、比较标准单元法和门阵列法的差异。 参考答案：

#《数字集成电路设计》复习提纲

《数字集成电路设计》复习提纲(1-7章) 2011-12 1. 数字集成电路的成本包括哪几部分？ ● NRE (non-recurrent engineering) costs 固定成本 ● design time and effort, mask generation ● one-time cost factor ● Recurrent costs 重复性费用或可变成本 ● silicon processing, packaging, test ● proportional to volume ● proportional to chip area 2. 数字门的传播延时是如何定义的？ 一个门的传播延时tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。 3. 集成电路的设计规则(design rule)有什么作用？ ? Interface between designer and process engineer ? Guidelines for constructing process masks ? Unit dimension: Minimum line width ? scalable design rules: lambda parameter (可伸缩设计规则，其不足:只能在有限 的尺寸范围内进行。) ? absolute dimensions (micron rules,用绝对尺寸来表示。) 4. 什么是MOS 晶体管的体效应？ 5. 写出一个NMOS 晶体管处于截止区、线性区、饱和区的判断条件，以及各工作区的源漏电流表达式（考虑短沟效应即沟道长度调制效应，不考虑速度饱和效应） 注：NMOS 晶体管的栅、源、漏、衬底分别用G 、S 、D 、B 表示。 6. MOS 晶体管的本征电容有哪些来源？ 7. 对于一个CMOS 反相器的电压传输特性，请标出A 、B 、C 三点处NMOS 管和PMOS 管各自处于什么工作区？ V DD 8. 在CMOS 反相器中，NMOS 管的平均导通电阻为R eqn ，PMOS 管的平均导通电阻为R eqp ，请写出该反相器的总传播延时定义。 9. 减小一个数字门的延迟的方法有哪些？列出三种，并解释可能存在的弊端。 ? Keep capacitances small （减小CL ） ? Increase transistor sizes(增加W/L) ? watch out for self-loading! （会增加CL ） ? Increase VDD (????) V out V in 0.5 11.522.5

(完整版)二年级下册语文数学期末复习资料汇总

二年级语文、数学 重点知识复习资料（一） -------------未来星教育 何老师编

二年级下册数学复习要点：1、表内除法（一）

2、表内除法（二）

类型主要内容举例 一、乘加、乘减混合运算1、看图列式 一共有多少个蘑菇？ × = （）2、口算 18-6×3= 7×9+7= 4×9-6= 14+2×3= 25÷5+15= 10-9÷3= 3、乘、除法意义 类型主要内容举例重点说明 一、乘法含义 1、正确区分加法和乘法。 加法：加数＋加数＝和 乘法：因数×因数＝积 乘法含义： 求几个相同加数的和，可以用乘法计 算。 看图列式 （１）（２） 乘法含义重 点： （１）加 法。 （２）加 数 相 同。 二、除法的含 义 １、平均分的两个含义： （１）把一个数平均分成几份，求每份是 多少？ 即：按份数分，求每份数。 总数÷份数＝每份数 （２）把一个数按照每几个分一份，求平 均分成几份？ 即：按每份数分，求份数。 总数÷每份数＝份数 （３）谁是谁的几倍？ 就用：谁÷谁 即：24是8的几倍？ 24÷8＝3 倍不用带单位！ 2、除法名称 被除数÷除数＝商 3、读法： 18÷3＝6 读作：18除以3等于6。 （数字用小写，÷读作“除以”；＝读作“等 于”） １、填空 （１） 把（）平均分成（）份，每份是（）个， 算式： （２） 一共有（）个，每份有（）个，平均分成了（） 份。 算式： ２、列式计算 （１）把２４平均分成４份，每份是多少？ （２）５６里面有几个８？ （３）除数是６，被除数是５４，商是多少？ （４）除数和商都是９，被除数是几？ （５）27是9的几倍？

集成电路工艺原理(期末复习资料)

第一章 1、何为集成电路：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、 电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如Si、GaAs）上，封装在一个内，执行特定电路或系统功能。 关键尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 2、它是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度，越小，芯片的集成度越高，速度越 快，性能越好 3、摩尔定律：、芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月就翻一番。 4、High-K材料：高介电常数，取代SiO2作栅介质，降低漏电。 Low-K 材料：低介电常数，减少铜互连导线间的电容，提高信号速度 5、功能多样化的“More Than Moore”指的是用各种方法给最终用户提供附加价值，不 一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向3D集成或精确的封装级(SiP)或芯片级(SoC)转移。 6、IC企业的分类：通用电路生产厂；集成器件制造；Foundry厂；Fabless：IC 设计公 司；Chipless；Fablite 第二章：硅和硅片的制备 7、单晶硅结构：晶胞重复的单晶结构能够制作工艺和器件特性所要求的电学和机械性 能 8、CZ法生长单晶硅把熔化的半导体级硅液体变成有正确晶向并且被掺杂成n或p型 的固体硅锭； 9、直拉法目的：实现均匀掺杂和复制籽晶结构，得到合适的硅锭直径，限制杂质引入； 关键参数：拉伸速率和晶体旋转速度 10、CMOS （100）电阻率：10~50Ω?cm BJT（111）原因是什么？ 11、区熔法？纯度高，含氧低；晶圆直径小。 第三章集成电路制造工艺概况 12、亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型 第四章氧化；氧化物 12、热生长：在高温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，得到一层热生长的SiO2 。 13、淀积：通过外部供给的氧气和硅源，使它们在腔体中方应，从而在硅片表面形成一层薄膜。 14、干氧：Si（固）＋O2（气）－> SiO2(固)：氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶的粘附性好. 水汽氧化：Si （固）＋H2O （水汽）－>SiO2（固）+ H2 （气）：氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差。 湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应。氧化速度氧化质量介于以上两种方法之间。

集成电路分析期末复习总结要点

集成电路分析 集成工业的前后道技术：半导体（wafer）制造企业里面，前道主要是把mos管，三极管作到硅片上，后道主要是做金属互联。 集成电路发展：按规模划分，集成电路的发展已经历了哪几代？ 参考答案： 按规模，集成电路的发展已经经历了：SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI及GSI。它的发展遵循摩尔定律 解释欧姆型接触和肖特基型接触。 参考答案： 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成欧姆型接触或肖特基型接触。 如果掺杂浓度比较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触。 如果掺杂浓度足够高，金属和半导体结合面形成欧姆型接触。 、集成电路主要有哪些基本制造工艺。 参考答案： 集成电路基本制造工艺包括：外延生长，掩模制造，光刻，刻蚀，掺杂，绝缘层形成，金属层形成等。 光刻工艺： 光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。 参考答案： 光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。 曝光方式：接触式和非接触式 25、简述光刻工艺步骤。 参考答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。 26、光刻胶正胶和负胶的区别是什么？ 参考答案： 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状；负性光刻胶的未感光部分溶于显影液

中，而感光部分显影后仍然留在基片表面，它一般适合做窗口结构，如接触孔、焊盘等。常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？ 参考答案： 需要六次光刻。第一次光刻--N+隐埋层扩散孔光刻；第二次光刻--P+隔离扩散孔光刻 第三次光刻--P型基区扩散孔光刻；第四次光刻--N+发射区扩散孔光刻；第五次光刻--引线接触孔光刻；第六次光刻--金属化内连线光刻 掺杂工艺： 掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。 参考答案： 掺杂的目的是形成特定导电能力的材料区域，包括N型或P型半导体区域和绝缘层，以构成各种器件结构。 掺杂的方法有：热扩散法掺杂和离子注入法掺杂。与热扩散法相比，离子注入法掺杂的优点是：可精确控制杂质分布，掺杂纯度高、均匀性好，容易实现化合物半导体的掺杂等；缺点是：杂质离子对半导体晶格有损伤，这些损伤在某些场合完全消除是无法实现的；很浅的和很深的注入分布都难以得到；对高剂量的注入，离子注入的产率要受到限制；一般离子注入的设备相当昂贵， 试述PN结的空间电荷区是如何形成的。 参考答案： 在PN结中，由于N区中有大量的自由电子，由P区扩散到N区的空穴将逐渐与N区的自由电子复合。同样，由N区扩散到P区的自由电子也将逐渐与P区内的空穴复合。于是在紧靠接触面两边形成了数值相等、符号相反的一层很薄的空间电荷区，称为耗尽层。简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。 参考答案： 形成N阱区，确定nMOS和pMOS有源区，场和栅氧化，形成多晶硅并刻蚀成图案，P＋扩散，N＋扩散，刻蚀接触孔，沉淀第一金属层并刻蚀成图案，沉淀第二金属层并刻蚀成图案，形成钝化玻璃并刻蚀焊盘。 表面贴装技术：电子电路表面组装技术（Surface Mount Technology，SMT）， 称为表面贴装或表面安装技术。它是一种将无引脚或短引线表面组装元器件（简称SMC/SMD，中文称片状元器件）安装在印制电路板（Printed Circuit Board，PCB)的表面或其它基板的表面上，通过再流焊或浸焊等方法加以焊接组装的电路装连技术。[1]工艺流程简化为：印刷-------贴片-------焊接-------检修 有源区和场区：有源区：硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联

二年级数学下册期末总复习知识点归纳整理

人教版二年级数学下册期末总复习知识点 一、解决问题 1、同级运算：（连加，连减，连乘，连除，加减混合，乘除混合） 按照从左向右的顺序，依次计算。 同级运算的类型：+ +，－－，+ －，－ +，××，÷÷，×÷，÷×。 2、不同级运算：（乘加，乘减，除加，除减） 先算乘除，再算加减，有括号的先算括号内的。 不同级运算的类型：× + ，×－，+ ×，－×，÷ + ，÷－，+ ÷，－÷。 带小括号运算的类型：×（ + ），×（－），（ + ）÷，（－）÷。 3、从总数中连续减去两部分（连减算式），也可以写成从总数中减去两部分的和，同时需要用小括号把两部分的和括起来，计算时要先算小括号里面的。 如：54－8－22 = 54－（8+22） 4、把分步算式合并成一个综合算式时：（方法：一算，二圈，三换，四抄）先看分步算式的第二步算式，再看其中第一个数和第二个数哪个数是前一步算式的结果，就用前一步算式替换掉那个数，其他的照写。当需要替换的是第二个数，必要时还需要加上小括号。 二、表内除法 1、平均分的含义：把一些物品分成几份，每份分得同样多，叫平均分。 2、把一些东西平均分成几份，求每份是多少；用除法计算，总数÷份数=每

份数。 把一个数量按每份是多少分成一份，求能平均分成几份；用除法计算，总数÷每份数=份数。 3、除法算式的读法：从左到右的顺序读，“÷”读作除以，“=”读作等于，其他数字不变。 4、除法算式各部分名称：被除数÷除数=商。 5、用乘法口诀求商，想：除数×商=被除数。 6、“求一个数是另一个数的几倍”也就是求“一个数里面有几个另一个数”，都用除法计算， 用“一个数÷另一个数=几倍”。 7、用乘法和除法两步计算解决问题时，所求问题是总数，用乘法计算；所求问题是份数或每份数，用除法计算。 8、在需要提出问题并解决时，可以提： ①加法的问题：求总数，“谁和谁一共是多少？”。 ②减法的问题：进行比较。“谁比谁多多少？；“谁比谁少多少？”。 ③除法的问题：有倍数关系的可以提出用除法计算的问题，“谁是谁的几倍？”，“是”字前写较大数，“是”字后写较小数。 9、一件物品的价格叫单价，买几件叫数量，买几件共需要的钱叫总价。 单价×数量=总价。总价÷单价=数量。总价÷数量=单价。 三、图形与变换 1、角：锐角、直角、钝角。锐角比直角小，钝角比直角大。 2、平移：当物体沿水平方向或竖直方向运动时，是直线运动。自身方向不