《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白,华成英 高等教育出版社 课后习题答案

模电-童诗白课后题全解

模拟电子技术（第四版）童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β

七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 （1）A C （2）A （3）C （4）A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D ＝（V －U D ）/R ＝，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 （1）两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t

模电-童诗白(第四版)课后题全解

模拟电子技术(第四版)童诗白 课后习题答案 第一章半导体基础知识 自测题 一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X 二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC 三、 U oi ?1.3V U O 2= 0 U o3~— 1.3V U o4~ 2V U °5~ 2.3V U °6~— 2V 四、 U o1 = 6V U O 2= 5V 五、 根据 P CM = 200mW 可得：U CE F = 40V 时 I C = 5mA , U CE = 30V 时 l C ~ 6.67mA , U CE ^ 10V 时I C = 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、 1、 V BB - U BE R b l c 「I B 二 2.6mA U CE = V CC _ l C R C = 2V U O = U CE = 2 V 。 2、临界饱和时 U CES = U BE = 0.7V ，所以 上二28.6讥 七、T 1 :恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和U o 的波形如图所示。 R b V BB - U BE : 45.4k.' U CE = 20V 时 I C = 10mA , V CC - U CES 一 ——=2.86mA R c 也t 指数关系，当 ..'t

1.4 u i 和U o 的波形如图所示。 1.6 I D =( V — U D ) /R = 2.6mA , g~ U T /I D = 10 Q , l d = U i /r D ^ 1mA 。 1.7 (1 )两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM = P ZM / U Z = 25mA , R = U Z /I DZ = 0.24 ?1.2k Q 。 1.9 (1 )当U l = 10V 时，若U O = U Z = 6V ,则稳压管的电流为 4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压 管未击 穿。故 R U o L U l 3.33V R R L 当U I = 15V 时，由于上述同样的原因， U O = 5V 。 当 U I = 35V 时，U O = U Z = 5V 。 (2) l D Z = (U i -U Z ).；R=29mA > I ZM = 25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1) S 闭合。 (2) R min =(V -U D ). I Dm ax 233 门,R max =(V —U D ). I Dmin 二 700门 1.5 U o 的波形如图所示。

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模电(第四版)习题解答

模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答

目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 R大的特点。( √) 其 GS U大于零，则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路

模电答案童诗白版第六章

第六章 放大电路中的反馈 自测题 一、（1）× （2）√ （3）× （4）√ 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a ）电流串联负反馈。L 3 1321f 3213 1 R R R R R R A R R R R R F u ?++≈++= （b ）电压并联负反馈。1 2f R R A u -≈ （c ）电压串联负反馈。1f ≈u A （d ）正反馈。 四、（1）应引入电压串联负反馈。 （2）。，故因 190k 201f 1 f Ω==+≈R R R A u 五、因为f ＝105Hz 时，；，?-==180dB 40lg 20'A ?A 为使此时0lg 20＜F A ，则需 2 10dB 40lg 20-＜，即＜－F F 习题 6.1 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B 6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A 6.3 （1）× （2）× （3）√ （4）× 6.4 （a ）直流负反馈 （b ）交、直流正反馈 （c ）直流负反馈 （d ）、（e ）、（f ）、（g ）、（h ）均引入交、直流负反馈 6.5 （a ）交、直流负反馈 （b ）交、直流负反馈 （c ）R S 引入交、直流负反馈，C 2引入交流正反馈。 （d ）、（e ）、（f ）均引入交、直流负反馈。 （g ）R 3和R 7引入直流负反馈，R 4引入交、直流负反馈。 6.6 （d ）电流并联负反馈 1o f ==I I F （e ）电压串联负反馈 2 11 o f R R R U U F +== （f ）电压串联负反馈 1o f ==U U F

模电第五版童诗白答案

2010年全国硕士研究生入学统一考试 数学一试题 一、选择题(1~8小题,每小题4分,共32分.下列每题给出的四个选项中,只有一个选项符合题目要求的,请将所选项前的字母填在答题纸．．． 指定位置上.) (1) 极限2lim ()()x x x x a x b →∞??=??-+?? ( ) (A) 1. (B) e . (C) a b e -. (D) b a e -. (2) 设函数(,)z z x y =,由方程,0y z F x x ?? = ??? 确定,其中F 为可微函数,且20F '≠,则z z x y x y ??+=??( ) (A) x . (B) z . (C) x -. (D) z -. (3) 设,m n 是正整数,则反常积分 () 2ln 1m n x dx x -? 的收敛性 ( ) (A) 仅与m 的取值有关. (B)仅与n 的取值有关. (C) 与,m n 取值都有关. (D) 与,m n 取值都无关. (4) ()() 2211lim n n n i j n n i n j →∞===++∑∑ ( ) (A) ()() 120 1 11x dx dy x y ++?? . (B) ()()100111x dx dy x y ++??. (C) ()() 1 1 1 11dx dy x y ++? ? . (D) ()() 1 1 20 1 11dx dy x y ++?? . (5) 设A 为m n ?矩阵,B 为n m ?矩阵,E 为m 阶单位矩阵,若AB E =,则 ( ) (A) 秩()r A m =,秩()r B m =. (B) 秩()r A m =,秩()r B n =. (C) 秩()r A n =,秩()r B m =. (D) 秩()r A n =,秩()r B n =. (6) 设A 为4阶实对称矩阵,且2 A A O +=,若A 的秩为3,则A 相似于 ( ) (A) 111 0?? ? ? ? ? ?? . (B) 1110?? ? ? ?- ???.

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结

模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点 总结 第1章常用半导体器件 1.1 复习笔记 本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。 一、半导体基础知识 半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表1-1-1）。 表1-1-1 半导体基本名词术语

二、半导体二极管 1二极管的结构和分类（见表1-1-2） 表1-1-2 二极管的结构和分类 2二极管的伏安特性 与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表1-1-3）。 表1-1-3 二极管的伏安特性

3二极管的主要参数 为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表1-1-4）。 表1-1-4 二极管主要参数 4二极管的等效电路 二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表1-1-5）。

表1-1-5 二极管等效电路

5稳压二极管 稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表1-1-6。 表1-1-6 稳压二极管

模电答案童诗白版第四章

第四章 集成运算放大电路 自测题 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、μA 100BE1BE2CC C2=--=≈R U U V I I R 四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。 （2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T 5、T 6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级共射放大电路以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。 第三级加偏置电路，利用D 1、D 2消除交越失真。 五、（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 习题 4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 。，5 od od 10dB 100lg 20==A A u O 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A 1－通用型，A 2－高精度型，A 3－高阻型，A 4－高速型。 4.4 。 时，＞＞当A μ1003)1( 3)1( 313μA 100C2C122C C C B C0B4C00BE BE4CC =≈=+?+++=++=++=+==--= R R R R I I I I I I I I I I I I R U U V I βββββββββ

模电第五版童诗白答案

第四章 集成运算放大电路 自 测 题 一、选择合适答案填入空内。 （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。 A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号 （3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好 （4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。 A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻 （5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路 解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。 （1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。( ) （3）运放的共模抑制比c d CMR A A K ( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。( ) （5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）× 三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。

图T4.3 解：分析估算如下： 100BE1 BE2CC = --= R U U V I R μA β C C B1C0B2C0E1 E2C C1C0I I I I I I I I I I I I R + =+=+==== 1001C =≈?+=R R I I I β βμA 四、电路如图T4.4所示。 图T4.4 （1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）； （2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍

模电答案童诗白版第五章

第五章 放大电路的频率响应 自测题 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C 二、（1）静态及动态分析估算： ∥178)(A mA/V 2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV 26) 1(V 3mA 8.1)1(A μ6.22c be e b'i s i us T EQ b be i e b'bb'be EQ bb'e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b BEQ CC BQ -≈-?+=≈=Ω ≈=Ω ≈+=Ω ≈++=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R U I g R r R r r r I r r R I V U I I R U V I m m ββ （2）估算‘πC ： pF 1602)1(pF 214π2) (π2μc m 'μT e b'0 μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ （3） Hz 14)π(21 kHz 175π21 567)()(i s L 'π H s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω ≈+≈+=C R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥ （4）dB 45lg 20sm ≈u A ，频率特性曲线略。 三、（1）60 103 （2）10 10

（3）) 10j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 10 1(1054543 f f f f f f f ++++++或 习题 5.1（1）1 )π(21 C r R R be b S ∥+ ① ① （2）''')](π[21 π C R R r r S b bb e b ∥∥+ ① ① ① ③ 5.2 ) 10j 1)(10j 1( 3.2j )10j 1)(j 10 1(32 55f f f A f f A u u ++-=++-= 或 5.3 ) 105.2j 1)(10j 1)(j 1(10)105.2j 1)(j 10 1)(j 1 1(10052 5?+++=?+++=f f f f A f f f A u u －或 5.4 （1）直接耦合； （2）三级； （3）当f ＝104Hz 时，φ’＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ’＝－270o 。 5.5 kHz 13131.1 )105.21(10' H H 3 53 ≈≈?+=f f f j A u 5.6 （1） Hz 10Hz 10100 ) 10j 1)(10j 1(10 j 1005H L m 5==-=++?-=f f A f f f A u u （2）图略。

模电考研童诗白《模拟电子技术基础》2021考研真题库

模电考研童诗白《模拟电子技术基础》考研2021考 研真题库 第一部分考研真题一、选择题 1以下说法正确的是（）。[中山大学2018研] A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电 C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的 D．若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，则其输入电阻会明显变小 【答案】A查看答案 【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的u GS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。 2当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。[中山大学2018研] A．增大 B．不变 C．变小 【答案】A查看答案 【解析】低频跨导g m为ΔI D与Δu GS之比，当漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，显然g m增大。 3PN结加正向电压，空间电荷区将（）。[中山大学2017研] A．变窄

B．基本不变 C．变宽 【答案】A查看答案 【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。4二极管的电流方程为（）。[中山大学2017研] A．I s e U B． C． 【答案】C查看答案 【解析】二极管的I－V特性方程为 其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则 5U GS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（）和（）。[中山大学2017研] A．结型管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 【答案】A；C查看答案 【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为负。而增强型MOS管的开启条件为U GS＞U GSth，U GSth为正。P型结型管和耗尽型

模拟电子技术基础教程华成英习题解答

CHAPTER 、 放大电路中的反馈 '第7早 7.1判断下列说法的正、误，在相应的括号内表示正确，画“X”表示错误. （1）在输人気不变的情况F.若引人反馈后律输人虽减小?则说明引人的反馈足负反馈.（） （2）电压反馈能稳定输出电压?电流反馈能稳定输岀电流.（） （3）任何原因引起的噪声都能用交流负反馈来滅小.（） （4）R1容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后越容易产牛低频自澈振荡。（> （5）放大电路级数越多，引人负反馈石越容易产牛髙频白激尿荡。（）（6》负反馈枚大电路的环路放大借数越大，则闭环放大倍数越稳定。（） M （1） 7 （2） X （3） X （4）J（5） J （6） X 7.2现有反馈如下，选择正确的答案填空： A.交流负反馈 B.宜流负反惯 C.电压负反馈 D.电流负反馈 E.申联负反馁？ F.并联负反馈 （1） __________________________________ 为了稳定静态工作点?应引入? （2） ________________________ 为了展宽频帯?应引入 <3）为了税定输出电压，应引入 _______ 。 <4）为了稳定輸出电淹?应引人 _______ ? （5） ________________________________ 为了堆大输人电阻?应引入―. （6） ____________________ 为了减小输入电阻，应引入. <7）为了減小輸岀电阻?应引入 _______ . 解（I） B （2） A （3） C （4） D （5） E （6） F （7） C

7.3现有反馈如下，选择正确的答案填空： A.电斥串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 （1）为了将电压倍号转换成与之成比例的电流侑号?应引人________ ?〈2）为了实现电流-电压转换，应引入….

(完整)《模拟电子技术基础教程》华成英——第三章习题解答

PTER 半导伸二嘏管及其基市应用电路 3. 1判断下列说法的正、误，在相应的括号内蔺表示正确?画“X”衣示错谋. (1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( ) (2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( ) (3)P?半导体帯正电( ),N?半导体带负电( ). (4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z ) (5)二极管所加正向电压增大时，其动态电限增大.( ) (6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( ) 解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X 3.2选择正确的答案填空. (1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ ? P51半导体是在本征半导体中掺 人 _______ ? A.三价元索，如硼導 B.四价元索，如错铮 C.五价元素?如磷等 (2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流，其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流，其耗斥煨__________ ? A.扩散运动 B.漂移运动 C.变龙 D.变牢 (3) 当温度升高时?二极管的反向饱和电流___________ ? A.增大. B.不变 C.减小 (4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ，反向饱和电流比緒二极管的 _______ ? A.大 B.小 C.相等 (5) 稳压暂工作在槍压区时，其丁?作状态为_________ . A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

解 (1) Cl A (2) Al D? B ； C (3) A (4) A? B (5> C 3.3填空 (1) PN 结的导电特性定 __________ ? (2) 徃外加直流电压时，理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ，反向截止阻抗 为 ________ 。 (3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。 解(I)单向导电性 (2)0?无穷大 (3〉势垒，扩散 3.4分析图P3.4所示各电路中二极管的工作状态(导通或者截止)?并求出输出电 压值?设二极管导通电压U° = 0?7V ? n P3.4 解(a)导通.t/oi — 4. 3Vi (b)截止?Ug=0V$ (c)导通■ Uo3 = —4.3V$ (d)截止■ IAXM5V ； (e)截止C=2V )(f)导通，56 = 2.3— 3.5电路如图B3.5所示?输入电压“i 为绦值= 10V 、周期=50Hz 的正弦波，二极 管导通电压为U D = 0.；7V 。试对应画岀各图中和巾的波形，并标出幅值。 ffi P32k￡2 (b) 2kQ (d) 3kW (e) (c) (a) (b) (c) (d)

模拟电子技术基础知识点总结.

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

童诗白——模电复习笔记

主要知识总结

目录 模电复习笔记 0 1.PN结 0 a)伏安特性曲线 0 b)温度特性曲线 0 2.二极管 0 a)特性 0 b)等效电路： 0 c)作用： (1) 3.稳压二极管 (1) a)稳压管的工作原理 (1) b)稳压管的几个注意参数 (1) c)稳压管的工作条件 (1) 4.三极管 (1) i.基极（b） (1) ii.集电极（c） (2) iii.发射极（e） (2) 5.发光二极管 (2) a)导通电压 (2) b)工作电流 (2) 6.光电二极管 (2) a)伏安特性曲线 (2) 7.光电耦合器 (2) a)原理 (2) b)作用 (3) 8.光电三极管 (3) a)工作原理 (3) b)作用 (3) 9.场效应管 (3) a)场效应管的分类 (3) b)特性曲线 (3) c)三种状态的判断 (3) 1.直流通路、交流通路的画法 (3) a)直流通路 (4) b)交流通路 (4) 2.rbe的计算公式 (4) 3.微变等效电路的画法 (4) a)共射放大电路 (4) b)共集放大电路 (4) c)共基放大电路 (5) 4.静态工作点的计算 (5) a)两个电流IBQ=βICQ (5) b)一个电压UCES (5) 5.动态参数的计算 (5)

6.复合管 (5) a)复合管的作用 (5) b)复合管的导通条件 (6) 7.推挽输出： (6) i.用二极管电路 (6) ii.UBE倍增电路 (6) 1.多级放大电路的耦合方式 (6) a)直接耦合 (6) b)阻容耦合 (6) c)变压耦合 (6) d)光电耦合 (6) e)前两种方式的异同之处 (7) 2.电流源电路 (7) a)镜像电流源 (7) b)比例电流源 (7) c)微电流源 (7) d)电流源的作用 (7) 3.差分输入作为运放的输入方式 (7) a)差分输入的优点 (7) b)差分输入的4种组态 (8) 1.下限截止频率fL= (9) 2.上限截止频率fH= (9) 3.通频带fbw=fH-fL (9) 4.初相位 (9) a)高通电路： (9) b)低通电路： (9) 5.波特图 (10) a)公式 (10) b)图形 (10) 1.反馈的判断 (10) a)交、直流反馈的判断 (10) b)正负反馈的判断 (10) c)电压还是电流反馈 (10) d)串联还是并联反馈 (10) 2.四种交流负反馈的分析 (11) a)电压串联负反馈 (11) b)电压并联负反馈 (11) c)电流串联负反馈 (11) d)电流并联负反馈 (11) f）反馈系数的总结： (11) 1.基本运算电路 (12) 2.有源滤波电路 (12) 1.正弦波振荡电路 (12) a)RC：频率较低，1MHz以下 (12)