搜档网
当前位置:搜档网 › DDR标准原厂OK内存条原理图_16bit

DDR标准原厂OK内存条原理图_16bit

DDR标准原厂OK内存条原理图_16bit

资料名称

页数DDR标准原厂OK内存条原理圖_16bit

1of1 https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html,技术论坛:https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html, dram5188@https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html, QQ:477712943

全面教你认识内存参数

全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28

内存这样小小的一个硬件,却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说,可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的,而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说,内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话,虽然不一定要把各种参数规格一一背熟,但起码有一个基本的认识,等真正需要用到的时候,查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前,桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种,其中DDR1内存已经基本上被淘汰,而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进,从而其传输速度更快(可达800MHZ ),耗电量更低,散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间,从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上,两种规格的内存也不能同时工作,只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片

如何看内存条型号(容量)

金士顿 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位:兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC;72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存,没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3:CAS=3; C2.5:CAS=2.5; C2:CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例: 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY(现代HYNIX) 现代是韩国著名的内存生产厂,其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则: HY 5X X XXX XX X X X X-XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、HY代表现代. 2、一般是57,代表SDRAM. 3、工艺:空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M,8K刷新;129:128M,4K刷新. 5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位. 6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK; 7、I/O界面:一般为0 8、产品线:从A-D系列 9、功率:空白则为普通,L为低功耗. 10、封装:一般为TC(TSOP) 11、速度:7:7NS,8:8NS,10P:10NS(CL2&3),10S:10NS,(PC100,CL3),10:

电脑内存时序

举例9-9-9-27,一般1600的条子spd出厂就这么设置的 前面2个9对性能很重要,第2个9又比第1个9重要,比如说 我要超1866或者2133,设置成9-10-X-X基本没有问题,但是 设置成10-9-X-X就开不了机了,很多条子都这样子的,比如说 现在很火的3星金条。 第3位9基本上是打酱油的了,设置成9,10,11都对性能木有太大影响。 第4位数字基本就无视好了,设置21-36对测试都没变化,原来稳定的 还是稳定,原来开不了机的还是开不了。 以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响,现在ddr3了,频率才是王道哦。 2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。当然平时用是感觉不出来的。 最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装,当年不懂事大价钱买的,就是YY用的, 1.65v上个1866都吃力,还要参数放的烂。 对性能影响最大的是CL 第一个9对性能影响最大。l第二个9对超频稳定性影响最大 最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1,77 Z博士: 一般来说,体现内存延迟的就是我们通常说的时序,如DDR2-800内存的标准时序:5-5-5-18,但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-

15、DDR3-1066为7-7-7- 20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25! 土老冒: 俺想知道博士所说的5-5-5- 18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。 Z博士: 这4个数字的含义依次为: CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,这也是内存最重要的参数之一,一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。 第二个数字是RAS-to-CAS Delay(tRCD),代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。 第三个则是Row-precharge Delay(tRP),代表内存行地址选通脉冲预充电时间。 第四个数字则是Row-active Delay(tRAS),代表内存行地址选通延迟。 除了这四个以外,在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel芯片组上,如NVIDIA nForce 680i SLI芯片组上,还支持内存的CMD 1T/2T Timing 调节,CMD调节对内存的性能影响也很大,其重要性可以和CL相比。 其实这些参数,你记得太清楚也没有太大用处,你就只需要了解,这几个参数越低,从你点菜到上菜的时间就越快。 土老冒: 好吧,俺自己也听得一头雾水,只需要记得它越低越好就行了。那么俺想问,为什么DDR3内存延迟提高了那么多,Intel和众多的内存模组厂商还要大力推广呢?

SDRAM内存详解(经典)

SDRAM内存详解(经典) 我们从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号、接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路... 虽然目前SDRAM内存条价格已经接底线,内存开始向DDR和Rambus内存过渡。但是由于DDR内存是在SDRAM基础上发展起来的,所以详细了解SDRAM内存的接口和主板设计方法对于设计基于DDR内存的主板不无裨益。下面我们就从内存颗粒、内存槽位接口、主板和内存之间的信号接口几个方面来详细阐述SDRAM内存条和主板内存系统的设计思路。 内存颗粒介绍 对于DRAM(Dynamic Random Access Memory)内存我想凡是对于计算机有所了解的读者都不会陌生。这种类型的内存都是以一个电容是否充有电荷来作为存储状态的标志,电容冲有电荷为状态1,电容没有电荷为状态0。其最大优点是集成度高,容量大,但是其速度相对于SRAM (Static Random Access Memory) 内存来说慢了许多。目前的内存颗粒封装方式有许多种,本文仅仅以大家常见的TSSOP封装的内存颗粒为例子。 其各个管脚的信号定义和我们所使用的DIMM插槽的定义是相同的,对于不同容量的内存,地址信号的位数有所不同。另外一个需要注意的地方就是其供电电路。Vcc和Vss是为内存颗粒中的存储队列供电,而VccQ和VssQ是为内存颗粒中的地址和数据缓冲区供电。两者的作用不同。 我们对内存颗粒关心的问题主要是其颗粒的数据宽度(数据位数)和容量(寻址空间大小)。而对于颗粒自检、颗粒自刷新等等逻辑并不需要特别深入的研究,所以对此我仅仅是一笔带过,如果读者有兴趣的读者可以详细研究内存颗粒的数据手册。虽然内存颗粒有这么多的逻辑命令方式,但是由于目前北桥芯片和内存颗粒的集成度非常高,只要在布线和元器件的选择上严格按照内存规范来设计和制造,需要使用逻辑分析仪来调试电路上的差错的情况比较少,并且在设计过程中尽量避免出现这种情况。 168线DIMM内存插槽的信号定义  我们目前PC和Server使用的内存大都是168 Pins的SDRAM,区别只是其工作频率有的可能是100MHz频率,有的可能是133MHz频率的。但是只要是SDRAM,其DIMM插槽的信号定义是一样的。而这些引脚得定义就是设计内存条和主板所必须遵从的规范。 内存引脚主要分为如下几类:地址引脚、数据引脚(包含校验位引脚)、片选等控制信号、时钟信号。整个内存时序系统就是这些引脚上的信号配合产生。下面的表中就是内存插槽的引脚数量和引脚定义,对于一些没有定义或者是保留以后使用的信号就没有列出来。 符号功能详细描述 DQ [0-63] I/O 数据输入/输出 CB [0-7] I/O ECC内存的ECC校验输入/输出 A [0-13] I/O 地址选择 BA [0-1] Control Bank选择 CS [0-3] Control 片选信号 RAS Control 行地址选择信号 CAS Control 列地址选择信号 DQMB [0-7] Control 数据掩码控制(DQ Mask)高有效* WE Control 写允许信号 CK [0-3] Clock 时钟信号 CKE [0-1] Clock 时钟允许信号** REGE Control 寄存器 (Registered) 允许信号

不同内存的外观区别和区分(附图)

《内存区别》SD、DDR1、DDR2、DDR3内存外观区别(附图) SD: 两个缺口、单面84针脚、双面168针脚 DDR1: 一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形 DDR2: 一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V DDR3: 一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V 内存分SD,DDR,DDR2,DDR3型号,请对照以下列表,知道自己电脑已经安装了什么内存,你应该购买什么内存。 PC2100是DDR 266内存 PC2700是DDR 333内存 PC3200是DDR 400内存 PC4200是DDRII533内存 PC4300是DDRII533内存 PC5300是DDRII667内存

PC6400是DDRII800内存 PC8500是DDRIII1066内存 PC10700是DDRIII11333内存 DDR、DDR2、DDR3互相不通用,插槽插口也不一样,更不能霸王硬上弓强行插进去,以免损坏内存和主板,切记! 1、DDR代表是1代内存、DDR2代表是2代内存、DDR3代表是3代内存。 2、比如金士顿 512M DDR 400 台式机内存的“400”是频率的意思!常用内存频率有266、33 3、400、533、667、800、1066、1333……等频率。频率越高,速度越快! 3、内存须选择同型号的。注意:不同型号内存,不要“硬插”!开机容易烧坏不能提供保修服务! 4、常用内存有DDR、DDR2、DDR3之分,3种内存不能混用,拍前请确定自己电脑使用的是什么型号内存、什么频率。 5、如果您不确定自己电脑使用什么内存!可以用下面这个“CPU-Z”软件检测一下,谢谢! 运行软件后看“SPD”选项的“最大带宽”一栏,会看到“PCxx00”,如下: DDR 是“1代内存”频率分266 333 400 规格 PC2100是DDR 266内存 PC2700是DDR 333内存 PC3200是DDR 400内存

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲(DQS) (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路(DLL) (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要: 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点,并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述,最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字::DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

辨别金士顿内存条真假的方法

辨别金士顿内存条真假的方法 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。笔者从事电脑配件销售两年了,有一些自己的心得,今天分享给大家辨别金士顿内存条真假的方法。 相关链接:怎么辨别三星真假内存条? 第一:拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签(一个是金士顿的老人头标签,一个是总代理的标签。中国总代共有五个:(弼信恒盈AVNET 联强骏禾)。 第二:当着卖内存条的人的面去网站验证内存上的产品ID和序列号,如果邮件反馈该内存条被反复验证,切忌千万不能要。要求更换!一定要没有被反复验证的,因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次! 第三:一定要有上面五个总代的标签,不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话,那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话,总之只相信总代理的标签! 两种代理商防伪标签识别 目测方法:购买时对内存防伪标的鉴别,金士顿内存的产品铭牌其实就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时,看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色,而当视线与标签形成一个夹角以后,标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法,消费者在购买时就可以立即检验产品真伪,及时发现假货。 一分钟网上辨别:请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签,登陆全球网络查询网站,你只需向该网站提交相关的内存产品信息,该网站就将会在极短的时间内帮您

识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 数码相机鉴别法:将相机调到最大分辨率,最大像素对准注册商标的标记?,让通过相机的照片回放或者将照片传到电脑上放到原始尺寸即可,是正品还是假货一看便知。正品的金士顿内存条“R”的外环是由两个“KINGSTON”,而反观假货则是由一滩油墨围成,什么形状也看不出。 注意事项:上面实行以上方法的前提是要确定标签上的编码要与PCB板以及外包装上的编码完全相同。这样才能从标签上入手鉴别。 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。笔者从事电脑配件销售两年了,有一些自己的心得,今天分享给大家辨别金士顿内存条真假的方法。 相关链接:怎么辨别三星真假内存条? 第一:拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签(一个是金士顿的老人头标签,一个是总代理的标签。中国总代共有五个:(弼信恒盈AVNET 联强骏禾)。 第二:当着卖内存条的人的面去网站验证内存上的产品ID和序列号,如果邮件反馈该内存条被反复验证,切忌千万不能要。要求更换!一定要没有被反复验证的,因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次! 第三:一定要有上面五个总代的标签,不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话,那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话,总之只相信总代理的标签! 两种代理商防伪标签识别

教你怎么识别内存条

关于内存条 2008-10-10 09:09 金士顿内存条的行货的辨别方法 第一:拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签(一个是金士顿的老人头标签,一个是总代理的标签。中国总代共有五个:(弼信恒盈AVNET 联强骏禾)第二:当着卖内存条的商人的面去 https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号,如果邮件反馈该内存条被反复验证,切忌千万不能要。要求更换!一定要没有被反复验证的,因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次! 第三:一定要有上面五个总代的标签,不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话,那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话,总之只相信总代理的标签! 由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。不过,除了假货之外,因Kingston合法代理商不同,所以贴的标也就不同,所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 两种代理商防伪标签 1目测方法: 购买时对内存防伪标的鉴别,金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时,看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色,而当视线与标签形成一个夹角以后,标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法,消费者在购买时就可以立即检验产品真伪,及时发现假货。 铭牌同时就是防伪标 2一分钟网上辨别: 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签: 防伪标图样 另外,打800电话或全球网络查询网站 https://www.sodocs.net/doc/f09235461.html,/china/verifynew/真假识别,你只需向该网站提交相关的内存产品信息,该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。 先卖个关子,再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示,通过800防伪电话查询。但是,对眼我要提醒大家,并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话:800-8571992。这年头什么东西没有假的,造一个假电话防伪标签太正常

超频内存时序表

内存时序 一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时,一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是 “CL-tRCD-tRP-tRAS”,现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧?!^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍: 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先,需要在BIOS中打开手动设置,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”,BIOS设置中可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable),如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出现详细的时序参数列表: Command Per Clock(CPC) 可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。 显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为Enable(1T)。CAS Latency Control(tCL) 可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数,即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失数据,因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时,如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟。

DDR内存时序设置详解

内存时序设置详解 内容概要 关键词:内存时序参数设置 导言:是否正确地设置了内存时序参数,在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比,DDR(Dual date rate SDRSM:双倍速率SDRAM),最重要的改变是在界面数据传输上,其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据,这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地,对于其标称的如DDR400,DDR333,DDR266数值,代表其工作频率其实仅为那些数值的一半,也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus:前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说,FSB和内存同步,即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后,内存的实际运行频率是FSBx2,所以,DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz,则同步后,内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。

FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1:1的FSB与内存同步的设置,这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否,将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释,以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路,提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为: ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。

八大品牌DDR内存真假辨别方法

八大品牌DDR内存真假辨别方法 Kingston内存鉴别方法: Kingston品牌内存自进入国内市场,就以极高的品质性能和优秀的售后服务,在短时间内就一跃成为了目前国内内存市场上最受消费者信赖的内存品牌。俗话说:“树大招风”,正是由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。不过,除了假货之外,因Kingston合法代理商不同,所以贴的标也就不同,所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。 目前在深圳市场上,有三家中国总代理Kingston内存,分别是赞禾、弼信和雷射,赞禾和雷射的标签大都是白色的,弼信有采用蓝色和黄色二种。

大家注意以假充真的Kingston条在市场上已经出现了,Kingston条没有固定的芯片,所以每批货芯片不一样,真假条不能以芯片来区别,但Kingston条的PCB板是不变的,而且很有特色。在国内所有的Kingston 内存上将会出现采用特殊工艺制造的内存防伪号码,这种防伪措施是采用将内存防伪标贴上的其中4位数和采用特殊工艺烙印在内存PCB板上的内存编号中4位数是否一一对应的方法来辨别真假,采用这种防伪措施其最大的优点在于造假者如没有专业的内存制造水平那是极难仿效的,因而采用此方法打假定会给那些造假者以最沉痛的打击。另外,Kingston内存的PCB板线路很精细,采用针空似的,而现在市场上出现的假条PCB板和Apacer PCB板都差不多,如图: 真的PCB板

1目测方法: 您可以通过检验PCB板和模组上面的4位数字是否一致来验证是否是金士顿公司的正品内存模组。请参看插图1和2。 在图中,您可以在PCB板和模组上面看到“5121”这几个数字。同样的4位序列数字出现了两次。出现在PCB板边缘的数字“5121”应该与白色金士顿标签上所打印的数字“5121”一致。“5121”只是样品数字,我们将会用不同的4位数字来代表不同的内存产品。 插图1和2:同样的4位序列数字出现了两次。出现在PCB板边缘的数字“5121”应该与白色金士顿标签上所打印的数字“5121”一致。 2 一分钟网上辨别: 请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签:

SDRAM时序控制

SDRAM的时序控制 一、SDRAM的外在物理结构 (1)P-Bank 为保证CPU的正常工作,SDRAM必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据量,也就是CPU数据总线的位宽(bit),这个位宽也就是物理Bank(Physical Bank, P-Bank)的位宽,所以内存需要组成P-Bank来与CPU打交道。 (2)芯片位宽与芯片数量 然而每个内存芯片都有自己的位宽,即每个传输周期能提供的数据量。由于技术要求、成本和实用性等方面限制,内存芯片的位宽一般都小于P-Bank的位宽,这就需要多颗内存芯片并联工作,以提供CPU正常工作时一个传输周期内所需要的数据量。所以,P-Bank实际上就是一组内存芯片的集合,这个集合的位宽总和=P-Bank的位宽=CPU数据位宽,但这个集合的数据容量没有限制。 一个SDRAM只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要,所以,多个芯片组可以支持多个P-Bank,一次选择一个P-Bank工作。 (3)SDRAM的封装 SIMM: Single In-line Memory Module,单列内存模组,内存模组就是我们常说的内存条,所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚(虽然两侧都有金手指pin)DIMM: Double In-line Memory Module, 双列内存模组,所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚,模组电路板的每侧金手指对应一列引脚。 DIMM是SDRAM集合形式的最终体现。前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求,对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些(因为所用的芯片少),但在芯片容量相同时,这种DIMM的容量就肯定比不上采用低位宽芯片的模组,因为后者在一个P-Bank中可以容纳更多的芯片。 SDRAM的引脚与封装: 二、SDRAM内部逻辑结构 (1)L-Bank SDRAM的内部实际上是一个存储阵列,就如同表格一样,而每个单元格就称为存储单元,这张表格就成为逻辑Bank(Logical Bank, L-Bank)。考虑到技术、成本、执行效率等方面原因,不可能只需要一个全容量的L-Bank,所以人们在SDRAM内部分割多个L-Bank,目前基本都是4个,内存访问时,一次只能是一个L-Bank。

22 仿造水平高 金士顿真假内存识别方法

仿造水平高金士顿真假内存识别方法 不知道大家听没听过一个笑话:讲的是一款限量版保时捷跑车仅生产10辆,但是后来仅在一个国家就出现了11辆。从玩笑中我们不得不审视假货的可怕性,其中这个问题也严 重波及到IT产品领域。 金士顿内存可以说是内存行业的龙头老大,销量年年第一,而这也招来了造假者的贪婪目光。其中刚刚上市不久的金士顿“窄板”内存也出现了假货,实在让人头疼。而且最可怕的是假货的防伪码也可以通过金士顿官方网站查询和短信查询。大家仔细看看下图的两条内存,猜猜哪条是真?哪条是假? 猜猜哪条是真的,哪条是假的?

在图片当中,上面一款金士顿内存是假货,下面一款为真货,怎么样,很难看出来吧。 标签对比

其中从标签中也可以看出,真金士顿内存印刷清晰而且浑厚,但是假的金士顿内存则明显粗糙,字体显得比较单薄。此外,真假内存标签的排版规则也有很大出入,消费者在选购时需要首先从产品外观入手。 金士顿官网查询 这款假内存的防伪码可以顺利通过金士顿官方网站和短信的查询,由此可见造假者使用了真金士顿内存的SN编号,并以此制造了假的标签,即便你网上查询或者短信查询都是没有问题的,可见现在造假者聪明的程度。

短信查询 不过假内存永远逃不过火眼金睛,下面笔者就给大家介绍几个识破假内存的方法,请大家往下看。 下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写,采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒,从图中可以清晰看出,真品内存颗粒印刷清晰,而假内存的颗粒则非常暗淡,对比非常鲜明。

芯片颗粒对比 其实对于一款内存来说,PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内,而颗粒价格才是真正的“大头”。所以通常PCB基本均为正规代工厂制造,而颗粒则采用行话里的“白片”,就是业内所说的次品颗粒,价格非常便宜,但稳定性和兼容性很差。

内存的时序以及内存时序优化

一种参数,一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间,他是内存的重要参数之一,某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定,内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组,在同样频率设定下,最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能,幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时,一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”,现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧?!^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍: 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先,需要在BIOS中打开手动设置,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”,BIOS设置中可能出现的其他描述有:Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off 或Enable/Disable),如果要调整内存时序,应该先打开手动设置,之后会自动出现详细的时序参数列表: Command Per Clock(CPC) 可选的设置:Auto,Enable(1T),Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC:指令比率,也有翻译为:首命令延迟),一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。 显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数,即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency 是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小,则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟,可能会丢失

内存时序修改教程

如题,首先上个修改的好的低时序,给大伙看看改好后的效果,原时序为1066频率下的7-7-7-20(1333内存条降频到1066) 这是原始时序: 修改后的低时序:

也许有人发现问题了,频率变了,没错,但是这个只是内存频率变了,实际有效频率依然是1066(533)

虽然如此,但是偶们已经达到偶们的目的——时序变低了(6-6-6-19,如上图),而这结果带来的影响不仅仅只是参数变了,请看下两图: 这是原始参数7-7-7-20时序在EVREST内存测试中的成绩:

这是在EVREST的内存测试中修改后的低时序6-6-6-19的成绩:

可以明显的看出低时序相对原始时序在内存读写性能上的提升,这低时序正是追求性能的DIY玩家所需要的,反之,高时序则是稳定性的保证,然而因为内存颗粒体制的差别,过低的时序反而会引起系统的不稳定(本人亲测过修改成了4-4-4-12时序的4G DDR2 800的尔必达日本原厂条,结果开机不能)同时也是金士顿HYPERX神条强势的原因(颗粒体制)。 这只是个引子,一是希望让大家了解下修改时序的意义和效果,也是为不死兄説的1656上1333频率做准备,既然知道了高时序能保证稳定性,那么对于要超到1333内存频率的I3/I5(包括I7 6系列)的1656来说,通过修改时序达到1333内存默认时序,对超频到1333来说,是一个有力的保证。接下来偶就将修改过程一步步教给大家: 首先,偶们用到的工具软件有:THAIPHOON BURNER 6.3 SuperBlaster Edition(DRIVER Signature Enforcement Overrider,该软件是专为64位系统修改时序准备的,32位WINDOWS系统不需要。使用方法看见P.S.部分) THAIPHOON BURNER 的修改基本原理与方法,与流行一时的SPDTOOLS差不多,不

如何看内存条型号(容量)

金士顿 KVR *** X ** (s)C* /*** 1 2 外频3 4 5 6 延迟时间 7 8 容量 1.KVR代表kingston value RAM 2.外频速度单位:兆赫 3.一般为X 4. 64为没有ECC;72代表有ECC 5.有S字符表示笔记本专用内存,没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存 6. 一般为C C3:CAS=3; C2.5:CAS=2.5; C2:CAS=2 7.分隔符号 8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR内存编号为例: 编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是.金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC校验 CAS=2.5 256M内存 HY(现代HYNIX) 现代是韩国著名的内存生产厂,其产品在国内的占用量也很大. HY的编码规则: HY 5X X XXX XX X X X X-XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义: 1、HY代表现代. 2、一般是57,代表SDRAM. 3、工艺:空白则是5V, V是3V, U是2.5V. 4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M,8K刷新;129:128M,4K刷新. 5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位. 6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK; 7、I/O界面:一般为0 8、产品线:从A-D系列 9、功率:空白则为普通,L为低功耗. 10、封装:一般为TC(TSOP) 11、速度:7:7NS,8:8NS,10P:10NS(CL2&3),10S:10NS,(PC100,CL3),10:

内存基本知识详解

内存这样小小的一个硬件,却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说,可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的,而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说,内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话,虽然不一定要把各种参数规格一一背熟,但起码有一个基本的认识,等真正需要用到的时候,查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前,桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种,其中DDR1内存已经基本上被淘汰,而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。 DDR2内存

第二代DDR内存 DDR2 是DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在DDR 内存技术的基础上加以改进,从而其传输速度更快(可达800MHZ ),耗电量更低,散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压,从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间,从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上,两种规格的内存也不能同时工作,只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片 SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器), 容量为256字节,里面主要保存了该内存的相关资料,如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数。 启动计算机后,主板BIOS就会读取SPD中的信息,主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器,从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中,将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时,它就只能提供一个较为保守的配置。 从某种意义上来说,SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理,不但不能起到优化内存的作用,反而还会引起系统工作不稳定,甚至死机。因此,很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题,一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守,从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者,一些不法厂商通过专门的读

相关主题