金属有机化学基础复习

金属有机化学基础复习提纲

第1章绪论

1. 金属有机化学的专业期刊

f g y

Journal of Organometallic Chemistry

Organometallics

g y

Advanced Organometallic Chemistry

Applied Organometallic Chemistry

2. 金属有机化学发展史中几个里程碑事

件及重要的金属有机络合物

●1760年卡可砷的发现

第一个主族金属与烷基以“σ-键”键合的化合物

Z i

●1827年Zeise盐的合成

第一个以“π-键”形式键合的金属有机化合物

●1849年烷基锌的发现

第一个过渡金属与烷基以“σ-键”键合的化合物

●1890年L. Mond合成Ni(CO)4

第一个过渡金属羰基化合物

●1951，1952年二茂铁：一种崭新的π－金属络合物

第一个茂金属化合物

●1965年Wilkinson配合物（催化剂）RhCl(PPh3)3

高选择性加氢催化剂

氧化二甲砷

Cacodyl oxide

Back

H H K Pt Cl Cl C

Cl C

H

H 阴离子部分

Back

金属有机化学气相沉积法word精品

金属有机化学气相沉积 一、原理： 金属有机化学气相沉积(MOCVD )是以川族、n族元素的有机化合物和v、w族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种川-V 族、n-w族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。金属有机化学气相沉积系统(MOCVD是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积(CVD)工艺，其原理为 利用有机金属化学气相沉积法metal-orga nic chemical vapor depositio n.MOCVD 是一利用气相反应物，或是前驱物precursor 和川族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate 表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 二、MOCVD勺应用范围 MOCVD主要功能在於沉积高介电常数薄膜，可随著precursor的更换，而沉积出不同种类的薄膜.对於LED来说丄ED晶片由不同半导体材料的多层次架构构成，这些材料放在一个装入金属有机化学气相沉积系统的圆形晶片上.这个过程叫做晶体取向附生，对於决定LED的性能特徵并因此影响白光LED的装仓至关重要.MOCVD 应用的范围有：1,钙钛 矿氧化物如PZT,SBT,CeMnO2等；2,铁电薄膜；3, ZnO透明导电薄膜，用於蓝光LED的n-ZnO 和p-ZnO,用於TFT的ZnO,ZnO 纳米线；4,表面声波器件SAW(如LiNbO3 等,; 5,三五族化合物如GaN,GaAs基发光二极体(LED),雷射器(LD)和探测器；6, MEMS 薄膜；7, 太阳能电池薄膜；8,锑化物薄膜；9, YBCO 高温超导带；10,用於探测器的SiC,Si3N4等宽频隙光电器件MOCVD对镀膜成分，晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材，衬底，上形成均匀镀膜，结构密致，附著力良好之优点，因此MOCVD已经成为工业界主要的镀膜技术.MOCVD制程依用途不同，制程设备也有相异的构造和型态.MOCVD近来也有触媒制备及改质和其他方面的应用，如制造超细晶体和控制触 媒得有效深度等.在可预见的未来 裏,MOCVD制程的应用与前景是十分光明的. 三、MOCV组件介绍 MOCV系统的组件可大致分为：反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统。 1. 反应腔 反应腔(Reactor Chamber)主要是所有气体混合及发生反应的地方，腔体通常是由不 锈钢或是石英所打造而成，而腔体的内壁通常具有由石英或是高温陶瓷所构成的内衬。 在腔体中会有一个乘载盘用来乘载基板，这个乘载盘必须能够有效率地吸收从加热器所提供 的能量而达到薄膜成长时所需要的温度，而且还不能与反应气体发生反应，所以多半是用石 墨所制造而成。加热器的设置，依照设计的不同，有的设置在反应腔体之内，也有设置在 腔体之外的，而加热器的种类则有以红外线灯管、热阻丝及微波等加热方式。在反应腔 体内部通常有许多可以让冷却水流通的通道，可以让冷却水来避免腔体本身在薄膜成长时发

MOCVD有机金属化学气相沉积

原理：金属有机化学气相沉积系统（MOCVD)是利用金属有机化合物作为源物质的一种化学气相淀积（CVD)工艺，其原理为利用有机金属化学气相沉积法metal-organic chemical vapor deposition.MOCVD是一种利用气相反应物，或是前驱物precursor和Ⅲ族的有机金属和V族的NH3，在基材substrate表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的工艺。 优缺点：MOCVD设备将Ⅱ或Ⅲ族金属有机化合物与Ⅳ或Ⅴ族元素的氢化物相混合后通入反应腔，混合气体流经加热的衬底表面时，在衬底表面发生热分解反应，并外延生长成化合物单晶薄膜。与其他外延生长技术相比，MOCVD技术有着如下优点：（1）用于生长化合物半导体材料的各组分和掺杂剂都是以气态的方式通入反应室，因此，可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可以用于生长薄层和超薄层材料。（2）反应室中气体流速较快。因此，在需要改变多元化合物的组分和掺杂浓度时，可以迅速进行改变，减小记忆效应发生的可能性。这有利于获得陡峭的界面，适于进行异质结构和超晶格、量子阱材料的生长。（3）晶体生长是以热解化学反应的方式进行的，是单温区外延生长。只要控制好反应源气流和温度分布的均匀性，就可以保证外延材料的均匀性。因此，适于多片和大片的外延生长，便于工业化大批量生产。（4）通常情况下，晶体生长速率与Ⅲ族源的流量成正比，因此，生长速率调节范围较广。较快的生长速率适用于批量生长。（5）使用较灵活。原则上只要能够选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。而可供选择作为反应源的金属有机化合物种类较多，性质也有一定的差别。（6）由于对真空度的要求较低，反应室的结构较简单。（7）随着检测技术的发展，可以对MOCVD 的生长过程进行在位监测。 MOCVD技术的主要缺点大部分均与其所采用的反应源有关。首先是所采用的金属有机化合物和氢化物源价格较为昂贵，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危险性，并且，反应后产物需要进行无害化处理，以避免造成环境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要对反应过程进行仔细控制以避免引入非故意掺杂的杂质。 基本结构和工作流程：通常MOCVD生长的过程可以描述如下：被精确控制流量的反应源材料在载气（通常为H2，也有的系统采用N2）的携带下被通入石英或者不锈钢的反应室，在衬底上发生表面反应后生长外延层，衬底是放置在被加热的基座上的。在反应后残留的尾气被扫出反应室，通过去除微粒和毒性的尾气处理装置后被排出系统。MOCVD工作原理如图所示。

金属有机化学气相沉积的研究进展

金属有机化学气相沉积的研究进展＊ 李　一１，２ ，李金普１，柳学全２，贾成厂１ （１　北京科技大学材料科学与工程学院，北京１０００８３；２　钢铁研究总院，北京１０００８１ ）摘要 概述了金属有机化学气相沉积技术（ＭＯＣＶＤ）的一般原理，讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型，介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。 关键词 金属有机化学气相沉积　半导体化合物　薄膜材料 Ｒｅｃｅｎｔ　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｍｅｔａｌ－Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐ ｏｓｉｔｉｏｎＬＩ　Ｙｉ　１， ２，ＬＩ　Ｊｉｎｐｕ１，ＬＩＵ　Ｘｕｅｑｕａｎ２，ＪＩＡ　Ｃｈｅｎｇｃｈａｎｇ １ （１　Ｓｃｈｏｏｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＵＳＴＢ，Ｂｅｉｊｉｎｇ　 １０００８３；２　Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｉｒｏｎ　＆Ｓｔｅｅｌ　ＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｂｅｉｊｉｎｇ　１０００８１）Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ　ｇｅｎｅｒａｌ　ｒｕｌｅｓ　ｏｆ　ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＭＯＣＶＤ）ａｒｅ　ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ．Ｔｈｅ　ｐｒｅｃｕｒ－ｓｏｒｓ　ａｎｄ　ｔｙｐｉｃａｌ　ｒｅａｃｔｏｒｓ　ａｐｐｌｙ　ｔｏ　ＭＯＣＶＤ　ａｒｅ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｔｈｅ　ｒｅｃｅｎｔ　ｐｒｏｇｒｅｓｓ　ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　ＭＯＣＶＤ　ｉｎ　ｃｏｍ－ｐ ｏｕｎｄ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｒｅ　ｒｅｖｉｅｗｅｄ．Ｋｅｙ　 ｗｏｒｄｓ ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ｃｏｍｐｏｕｎｄ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｍａｔｅｒｉａｌ　＊国家高技术研究发展计划（ ８６３计划）（２００９ＡＡ０３Ｚ１１６）　李一：男， １９６８年生，高级工程师，在职博士，主要从事羰基金属材料研究 金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ，Ｍｅｔａｌ－ｏｒｇ ａｎｉｃ　ｃｈｅ－ｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）是以低温下易挥发的金属有机化合物为前驱体， 在预加热的衬底表面发生分解、氧化或还原反应而制成制品或薄膜的技术。与传统的化学气相沉积方法相比，金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的沉积温度相对较低， 能沉积超薄层甚至原子层的特殊结构表面，可在不同的基底表面沉积不同的薄膜［１］ ，现已在半导体器件、金属、金属 氧化物、金属氮化物等薄膜材料的制备与研究方面得到广泛 的应用。该技术由美国洛克威尔公司的Ｍａｎｓｅｖｉｔ等［２］ 于２０世纪６０年代发展起来， 是制备半导体功能材料和薄膜材料的有效方法之一。本文将从金属有机化学气相沉积的原理、金属有机化合物前驱体的选择、反应器的类型和金属有机化学气相沉积技术的应用等方面介绍金属有机化学气相沉积技术的研究进展。 １　金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ） 的原理金属有机化学气相沉积反应源物质（金属有机化合物前驱体）在一定温度下转变为气态并随载气（Ｈ２、Ａｒ）进入化学气相沉积反应器，进入反应器的一种或多种源物质通过气相边界层扩散到基体表面，在基体表面吸附并发生一步或多步的化学反应， 外延生长成制品或薄膜，生成的气态反应物随载气排出反应系统，其原理示意图如图１所示。 ＭＯＣＶＤ反应是一种非平衡状态下的生长机制， 其外延层的生长速率和组织成分等受到基体温度、 反应室压力、金属有机前驱体浓度、反应时间、基体表面状况、气流性质等多 种因素的影响， 只有充分考虑各种因素的综合作用，了解各种参数对沉积物的组成、性能、结构的影响，才能在基体表面沉积出理想的材料 。 图１　ＭＯＣＶＤ原理图 Ｆｉｇ．１　Ａ　ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇ ｒａｍ　ｏｆ　ＭＯＣＶＤ２　金属有机化合物前驱体 常见的化学气相沉积前驱体主要有金属氢化物、金属卤化物和金属有机化合物。与金属氢化物和金属卤化物相比，金属有机化合物具有更低的沉积温度、更低的毒性和对反应系统的腐蚀性， 并且大多数的金属有机化合物都是易挥发的液体或固体，易于随载气进入反应室。具有使用价值的金属 有机化合物应具备以下特点［３］ ：（１） 室温下化学性质稳定；（２）蒸发温度低、饱和蒸汽压高；（３） 稳定的蒸发速率或升华速率；（４）分解温度低、沉积速率合适，低的沉积速率可应用于沉积半导体材料薄膜，高的沉积速率可应用于沉积较厚的 · ３５１·金属有机化学气相沉积的研究进展／李　一等

(完整版)高中化学选修5有机化学知识点整理

《有机化学基础》知识点整理 一、重要的物理性质 1．有机物的溶解性 （1）难溶于水的有：各类烃、卤代烃、硝基化合物、酯、绝大多数高聚物、高级的（指分子中碳原子数目较多的，下同）醇、醛、羧酸等。 （2）易溶于水的有：低级的[一般指N(C)≤4]醇、（醚）、醛、（酮）、羧酸及盐、氨基酸及盐、单糖、二糖。（它们都能与水形成氢键）。 （3）具有特殊溶解性的： ①乙醇是一种很好的溶剂，既能溶解许多无机物，又能溶解许多有机物，所以常用乙醇 来溶解植物色素或其中的药用成分，也常用乙醇作为反应的溶剂，使参加反应的有机物和无机物均能溶解，增大接触面积，提高反应速率。例如，在油脂的皂化反应中，加入乙醇既能溶解NaOH，又能溶解油脂，让它们在均相（同一溶剂的溶液）中充分接触，加快反应速率，提高反应限度。 ②苯酚：室温下，在水中的溶解度是9.3g（属可溶），易溶于乙醇等有机溶剂，当温度高 于65℃时，能与水混溶，冷却后分层，上层为苯酚的水溶液，下层为水的苯酚溶液，振荡后形成乳浊液。苯酚易溶于碱溶液和纯碱溶液，这是因为生成了易溶性的钠盐。 ③乙酸乙酯在饱和碳酸钠溶液中更加难溶，同时饱和碳酸钠溶液还能通过反应吸收挥发 出的乙酸，溶解吸收挥发出的乙醇，便于闻到乙酸乙酯的香味。 ④有的淀粉、蛋白质可溶于水形成胶体 ．．。蛋白质在浓轻金属盐（包括铵盐）溶液中溶解度减小，会析出（即盐析，皂化反应中也有此操作）。但在稀轻金属盐（包括铵盐）溶液中，蛋白质的溶解度反而增大。 ⑤线型和部分支链型高聚物可溶于某些有机溶剂，而体型则难溶于有机溶剂。 ⑥氢氧化铜悬浊液可溶于多羟基化合物的溶液中，如甘油、葡萄糖溶液等，形成绛蓝色 溶液。 2．有机物的密度 （1）小于水的密度，且与水（溶液）分层的有：各类烃、一氯代烃、酯（包括油脂）（2）大于水的密度，且与水（溶液）分层的有：多氯代烃、溴代烃（溴苯等）、碘代烃、硝 基苯 3．有机物的状态[常温常压（1个大气压、20℃左右）] （1）气态： ①烃类：一般N(C)≤4的各类烃注意：新戊烷[C(CH3)4]亦为气态 ②衍生物类： 一氯甲烷（ ．．．．-．29.8℃ ．．．．．）． ．．．2．F．2．，沸点为 ．．．．CCl ．．3．Cl．．，．沸点为 ．．．-．24.2℃ ．．．．．）．氟里昂（ ．．．．．CH 氯乙烯（ ．．．．，沸点为 ．．．HCHO ．．．．-．21℃ ．．．）． ．．．．．．，沸点为 ．．．．．）．甲醛（ ．．2．==CHCl ．．．．CH ．．．．-．13.9℃ 氯乙烷（ ．．．．12.3 ．．．．℃．）．一溴甲烷（CH3Br，沸点为3.6℃）．．3．CH ．．．．CH ．．2．C．l．，沸点为 四氟乙烯（CF2==CF2，沸点为-76.3℃）甲醚（CH3OCH3，沸点为-23℃） 甲乙醚（CH3OC2H5，沸点为10.8℃）环氧乙烷（，沸点为13.5℃）（2）液态：一般N(C)在5～16的烃及绝大多数低级衍生物。如，

金属有机化学期末考试

2014级金属有机化学期末考试 一、写出下列有机配体、金属配合物、有机金属化合物的结构或名称 1、Zeise 盐 2、Vaska 3 P Ir Cl CO PPh3 CH3 I 3、Wilkinson配合物ClRh (Ph3P)3 4、BINAP 5、9-BBN 6 、二环辛二烯合镍 Ni 7、双（η5-环戊二烯基）合铁 8、三（羰基）（1-6-η6-环庚三烯）合铬

Cr CO 9、Ni(COD)2 10、RhCl(PPh 3)3 Wilkinson 配合物 11、η5- CpMn(CO)3 12、Fe （CO ）5 13、MoH 4(PPh 3) 4 14、η5- Cp2ZrCl 2 15、Et 2AlCl 二乙基铝 二、解释下列各名词 1、金属有机化合物含有金属－碳键（M-C ）的化合物定义为金属有机化合物

2、过渡金属有机化合物含有过渡金属－碳键（M-C）的化合物,过渡金属含有d电子，在(n-1)d, ns, np原子构型中,(n-1)d轨道能级与ns接近，它们皆可参与成键。符合18电子规则。 3、18电子规则对于稳定的单核反磁过渡金属络合物，其金属外层的电子数与配体配键的电子数的总和等于18。只有当金属具有稳定的惰性气体结构时才能形成热力学稳定的过渡金属有机化合物。 4、EAN电子规则过渡金属配合物的中心（形成体）倾向于与一定数目的配体结合，以使自身周围的电子数等于同周期稀有气体元素的电子数 5、环状多烯π-金属配合物 6、高自旋配合物成对能（P）大于分裂能（△）的配合物,当P＞△时, 因电子成对需要的能量高, 电子将尽量以单电子排布分占不同的轨道, 取高自旋状态。 7、低自旋配合物成对能（P）小于分裂能（△）的配合物,当P＜△时, 电子成对耗能较少, 此时将取低自旋状态。 8、反馈π-键 烯烃的π电子配位到金属的σ空轨道，形成σ授予键，同时充满电子的金属d 轨道与烯的反键空轨道π*相重叠，形成π反馈键。 9、晶体场分裂能 中心离子的d轨道的简并能级因配位场的影响而分裂成不同 组能级之间的能量差,以△表示 10、电子成对能 所谓成对能是电子在配对时为了克服静电场的排斥作用所需的能量, 通俗地讲就是使自旋成对的两个电子占据同一轨道所必须付出的能量, 以P表示。 11、光谱化学序列 将一些常见配体按光谱实验测得的分裂能从小到大次序排列起来,便得光谱化学序列 12、配位饱和及配位不饱和满足18电子规则的化合物称为配位饱和的络合物，否则为配位不饱和络合物 13、插入反应

金属有机化学的产生、发展及应用

金属有机化学的产生、发展及应用 ——一门交叉学科的兴起 摘要：按时间顺序分阶段介绍了金属有机化学这门交叉学科的产生、发展及发展规律、在实践中的应用，以及从中体会到的学科的研究方法，并通过其前沿问题对其未来发展做作了展望。 关键词：金属有机化学学科发展历史发展规律未来展望研究方法 著名的物理学家普朗克曾说过：“科学是内在的整体。它被分解为单独的部门不是取决于物质的本质，而是取决于人类认识的局限性。”作为“中心的，实用的和创造性的科学”的化学，其发展过程中由于客观条件所限制而形成的认识上的局限性同样理所当然地导致了其内部学科的分化。但是人类认识的进步是必然的历史趋势，同时，科学技术的高度分化和高度综合的整体化趋势也促成了当初分化了的学科之间的交叉和渗透。金属有机化学作为化学中无机化学和有机化学两大学科的交叉从产生到发展直到今天逐渐地现代化，它始终处于化学学科和化工学科的最前线，生机勃勃，硕果累累。 化学主要是研究物质地组成、结构和性质；研究物质在各种不同聚集态下，在分子与原子水平上的变化和反应规律、结构和各种性质之间的相互关系；以及变化和反应过程中的结构变化，能量关系和对各种性质的影响的科学。金属有机化学所研究的对象一般是指其结构中存在金属－碳键的化合物。在目前为止人类发现的110多种化学元素中，金属元素占绝大部分，而碳元素所衍生出的有机物不仅数量庞大，而且增长速度也很快，将这两类以前人们认为互不相干的物质组合起来形成的金属有机化合物不仅仅是两者简单的加和关系，而应是乘积倍数关系。其中的许多金属有机化合物已经为人类进步和国民生产做出了特殊的贡献，更重要的是，金属有机化学是一门年轻的科学，是一座刚刚开始发掘的宝藏，发展及应用潜力不可估量。下面就按时间顺序来说明金属有机化学产生和发展及其规律以及在实践中的应用，并探讨学科的研究方法。 一. 金属有机化学的产生与基本成形阶段（1823～1950年）

化学气相沉积技术的应用与研究进展

化学气相沉积技术的应用与研究进展 摘要：本文主要围绕化学气相沉积（cvd ）技术进行展开，结合其基本原理与特点，对一些CVD 技术进行介绍。同时也对其应用方向进行一定介绍。 关键词：cvd ；材料制备；应用 引言 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术是近几十年发展起来的主要应用于无机新材料制备的一种技术。[1] CVD 是一种以气体为反应物(前驱体),通过气相化学反应在固态物质(衬底)表面生成固态物质沉积的技术。它可以利用气相间的反应, 在不改变基体材料的成分和不削弱基体材料的强度条件下,赋予材料表面一些特殊的性能。 本文论述了化学气相沉积技术的基本原理、特点和最新发展起来的具有广泛应用前景的几种新技术, 同时分析了化学气相沉积技术的发展趋势, 并展望其应用前景。 1 CVD 原理 化学气相沉积( CVD, Chemical Vapor Deposition) 是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室, 在衬底表面发生化学反应, 并把固体产物沉积到表面生成薄 膜的过程。 图1 CVD 法示意图 CVD 的化学反应主要可分两种:一是通 过一种或几种气体之间的反应来产生沉积，如超纯多晶硅的制备、纳米材料（二氧化钛）的制备等；另一种是通过气相中的一个组分与固态基体（有称衬底）表面之间的反应来沉积形成一层薄膜，如集成电路、碳化硅器皿和金刚石膜部件的制备等。 它包括 4 个主要阶段: ① 反应气体向材料表面扩散; ② 反应气体吸附于材料的表面; ③ 在材料表面发生化学反应; ④ 气态副产物脱离材料表面。 在 CVD 中运用适宜的反应方式, 选择相应的温度、气体组成、浓度、压力等参数就能得到具有特定性质的薄膜。但是薄膜的组成、结构与性能还会受到 CVD 内的输送性质( 包括热、质量及动量输送) 、气流 的性质( 包括运动速度、压力分布、气体加热等) 、基板种类、表面状态、温度分布状态等因素的影响。[2][3][4] 2 CVD 技术特点 ① 在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 ② 可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。 ③采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。

《金属有机化学》作业参考答案

《金属有机化学》作业参考答案 一选择题 1、B； 2、C； 3、B； 4、D； 5、A； 6、A； 7、C； 8、A； 9、C；10、D； 11、A；12、D；13、A；14、C；15、A；16、A；17、C；18、B；19、A；20、A； 21、B；22、C；23、D；24、B；25、D；26、A；27、A；28、A；29、D；30、A. 31、A；32、B；33、A；34、B；35、B; 36、D；37、A；38、A；39、A；40、B；41、D； 42、C 43、C 44、A 45、D 46、A 47、D 二填空题 1．金属；2．聚氯乙烯稳定剂；3．双键； 4．L=(12-n)／2； 5．四腿琴凳式； 6．非键电子； 7．茂； 8．聚硅氧烷； 9．光照；10．环戊二烯基钠；11．配体取代法； 12．酰基； 13．活性空位； 14．2电子配体； 15．金属一金属键.； 16．d—p一dπ键； 17．福州模型； 18．Dewar-Chatt-Duncanson模型； 19．π给予体簇合物；20．金属羰基原子簇； 21．d—p一dπ键； 22．歧化反应。23、有机化学无机化学 24、M—C 过渡金属有机化合物非过渡（主族）金属有机化合物 25、离子型化合物σ键合的化合物非经典键合的化合物 26、RM R2M 27、过渡金属环戊二烯基 28、Grignard 29、离子键化合物、共价键化合物、缺电子化合物 30、有机化学无机化学 31、金属-碳( M-C )键 32、过渡金属环戊二烯基 33、σ-π配键 34、Ziegler Natta 35、MR2 RMX直线 36、Grignard 试剂 三简答题 1．韦德规则的要点： （1）硼烷和碳硼烷呈三角面多面体构型； （2）由多面体顶点全占据是封闭型；空一个顶点的是巢穴型；空两个顶点是网兜型； （3）每一个骨架B有一个H(或其它单键配体)端基连结在它上面，一对电子定域在上面，剩余的b对电子是骨架成键电子； （4）每一个B提供三个原子轨道(AO)给骨架成键，多面体的对称性由这些AO产生的(M+1)个骨架成键分子轨道(MO)决定(M是多面体顶点)，即：因此，算出任一硼烷的成键MO数就能知道它的对称性，而成键MO数=骨架成键电子对数b。 （5）若骨架原子数n，则b=n+1是封闭型；b=n+2是巢穴型；b=n+3是网兜型。 2．金属有机化合物的三大主要类别是：

化学气相沉积CVD

化学气相沉积 1 前言 化学气相沉积CVD(Chemical Vapor Deposition)是利用加热，等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。 一般地说，化学气相沉积可以采用加热的方法获取活化能，这需要在较高的温度下进行；也可以采用等离子体激发或激光辐射等方法获取活化能，使沉积在较低的温度下进行。另外，在工艺性质上，由于化学气相沉积是原子尺度内的粒子堆积，因而可以在很宽的范围内控制所制备薄膜的化学计量比；同时通过控制涂层化学成分的变化，可以制备梯度功能材料或得到多层涂层。在工艺过程中，化学气相沉积常常在开放的非平衡状态下进行，根据耗散结构理论，利用化学气相沉积可以获得多种晶体结构。在工艺材料上，化学气相沉积涵盖无机、有机金属及有机化合物，几乎可以制备所有的金属（包括碳和硅），非金属及其化合物（碳化物、氮化物、氧化物、金属间化合物等等）沉积层。另外，由于气态原子或分子具有较大的转动动能，可以在深孔、阶梯、洼面或其他形状复杂的衬底及颗粒材料上进行沉积。为使沉积层达到所需要的性能，对气相反应必须精确控制。 正是由于化学气相沉积在活化方式、涂层材料、涂层结构方面的多样性以及涂层纯度高工艺简单容易进行等一系列的特点，化学气相沉积成为一种非常灵活、应用极为广泛的工艺方法，可以用来制备各种涂层、粉末、纤维和成型元器件。特别在半导体材料的生产方面，化学气相沉积的外延生长显示出与其他外延方法（如分子束外延、液相外延）无与伦比的优越性，即使在化学性质完全不同的衬底上，利用化学气相沉积也能产生出晶格常数与衬底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化学气相沉积还可生产耐磨、耐蚀、抗氧化、抗冲蚀等功能涂层。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD 处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。

文献综述过渡金属络合物

配位化学文献综述 希夫碱及其过渡金属配合物性能 研究进展 姓名：XXX（2013XXXXXXXX） 培养单位：XXXXXXXXX 上课时间：周一（四） 地点：XXXXX 希夫碱及其过渡金属配合物性能研究进展 XXX （1．中国科学院大学化学与化学工程学院北京100049）摘要：随着配位化学的不断深入发展，我国在过渡金属配合物方面取得的长足发展，希夫碱过渡金属配合物作为配合物中的重要组成部分，其在众多领域的应用更是成为研究热点之一。本文从这类配合物的稳定性及其生物活性、催化活性、分析化学、材料领域的应用现状以及合成方法等多方面对席夫碱配合物做了详细的阐述。 关键词：席夫碱过渡金属配合物，生物活性，催化性能，分析化学，材料，合成 中图分类编号：文献标识码：A 文章编号：1005-281X(201x)-0000-00 Research progress of Schiff bases and their transition metal complexes XXXXX (1.Institute of Chemistry and Chemical Engineering, Beijing100049, China ) Abstract The transition metal complexes achieved rapid development with the deepening of coordination chemistry development in our country. As an important component, the extensive application of Schiff base complexes in many fields to become one of the hot. This article explains in detail the Schiff base complexes in the stability and biological activity, catalytic