MAX6066 2.5V高精度电压基准芯片
General Description The MAX6061–MAX6068 are precision, low-dropout,
micropower voltage references. These three-terminal devices are available with output voltage options of 1.25V, 1.8V, 2.048V, 2.5V, 3V, 4.096V, 4.5V, and 5V.
They feature a proprietary curvature-correction circuit and laser-trimmed thin-film resistors that result in a very low temperature coefficient of 20ppm/°C (max) and an
initial accuracy of ±0.2% (max). Specifications apply to the extended temperature range (-40°C to +85°C).The MAX6061–MAX6068 typically draw only 90μA of supply current and can source 5mA or sink 2mA of load
current. Unlike conventional shunt-mode (two-terminal)references that waste supply current and require an external resistor, these devices offer a supply current
that is virtually independent of the supply voltage (8μA/V variation) and do not require an external resis-tor. Additionally, the internally compensated devices do not require an external compensation capacitor.
Eliminating the external compensation capacitor saves
valuable board area in space-critical applications. Low dropout voltage and supply independent, ultra-low sup-
ply current make these devices ideal for battery-operat-ed, high-performance, low-voltage systems.The MAX6061–MAX6068 are available in a 3-pin SOT23package.
Applications Analog-to-Digital Converters (ADCs)Portable Battery-Powered Systems Notebook Computers PDAs, GPSs, DMMs Cellular Phones Precision 3V/5V Systems Features
o Ultra-Small 3-Pin SOT23 Package
o ±0.2% (max) Initial Accuracy
o 20ppm/°C (max) Temperature Coefficient o 5mA Source Current
o 2mA Sink Current
o No Output Capacitor Required
o Stable with Capacitive Loads
o 90μA (typ) Quiescent Supply Current
o 200mV (max) Dropout at 1mA Load Current o Output Voltage Options: 1.25V, 1.8V, 2.048V, 2.5V,
3V, 4.096V, 4.5V, 5V
o 13μVp-p Noise 0.1Hz to 10Hz (MAX6061)MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
________________________________________________________________Maxim Integrated Products 1
19-1659; Rev 1; 4/01
Ordering Information
Pin Configuration
Selector Guide Note:There is a minimum order increment of 2500 pieces for
SOT23 packages.
Typical Operating Circuit appears at end of data sheet.
Ordering Information continued at end of data sheet.
For pricing, delivery, and ordering information,please contact Maxim/Dallas Direct!at 1-888-629-4642, or visit Maxim’s website at https://www.sodocs.net/doc/ff9741938.html,.
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 2_______________________________________________________________________________________
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6061, V OUT = 1.25V
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.(Voltages Referenced to GND)IN.........................................................................-0.3V to +13.5V OUT .............................................................-0.3V to (V IN + 0.3V)Output Short-Circuit Duration to GND or IN (V IN < 6V)...Continuous Output Short-Circuit Duration to GND or IN (V IN ≥6V)................60s Continuous Power Dissipation (T A = +70°C)3-Pin SOT23 (derate 4.0mW/°C above +70°C)............320mW Operating Temperature Range ...........................-40°C to +85°C Storage Temperature Range.............................-65°C to +150°C Lead Temperature (soldering, 10s).................................+300°C
MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
_______________________________________________________________________________________3ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6068, V OUT = 1.80V
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 4_______________________________________________________________________________________
ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6062, V OUT = 2.048V (V IN = +5V, I OUT = 0, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
_______________________________________________________________________________________5ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6066, V OUT = 2.500V
(V IN = +5V, I OUT = 0, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 6_______________________________________________________________________________________
ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6063, V OUT = 3.0V (V = +5V, I = 0, T = T to T , unless otherwise noted. Typical values are at T = +25°C.) (Note 1)
MAX6061–MAX6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
_______________________________________________________________________________________7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6064, V OUT = 4.096V
(V IN = +5V, I OUT = 0, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 8_______________________________________________________________________________________
ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6067, V OUT = 4.500V (V IN = +5V, I OUT = 0, T A = T MIN to T MAX , unless otherwise noted. Typical values are at T A = +25°C.) (Note 1)
MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
_______________________________________________________________________________________9ELECTRICAL CHARACTERISTICS —MAX6065, V OUT = 5.000V
(V
= +5.2V, I = 0, T = T to T , unless otherwise noted. Typical values are at T = +25°C.) (Note 1)
Note 1:All devices are 100% production tested at T A = +25°C and are guaranteed by design for T A = T MIN to T MAX , as specified.Note 2:Temperature Coefficient is measured by the “box ” method, i.e., the maximum ?V OUT is divided by the maximum ?T.Note 3:Temperature Hysteresis is defined as the change in +25°C output voltage before and after cycling the device from T MIN to T MAX .Note 4:Dropout voltage is the minimum input voltage at which V OUT changes ≤0.2% from V OUT at V IN = 5.0V (V IN = 5.5V for MAX6065).
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 10______________________________________________________________________________________M A X 6061/68 t o c 09FREQUENCY (kHz)
P S R R (d B )0-10-20
-30
-40-50-60-70-80-900.0011101000.010.11000MAX6061POWER-SUPPLY REJECTION RATIO vs. FREQUENCY Typical Operating Characteristics (V IN = +5V for MAX6061–MAX6068, V IN = +5.5V for MAX6065, I OUT = 0, T A = +25°
C, unless otherwise noted.) (Note 5)2.046
2.0472.0492.0482.0502.051-4010-15356085
MAX6062OUTPUT VOLTAGE TEMPERATURE DRIFT TEMPERATURE (°C)O U T P U T V O L T A G E (V )
4.9984.999
5.0015.0005.002
5.003-4010-15356085MAX6065OUTPUT VOLTAGE TEMPERATURE DRIFT TEMPERATURE (°C)O U T P U T V O L T A G E (V )-300-200
-1000100200300
24681012MAX6061LINE REGULATION
INPUT VOLTAGE (V)
O U T P U T V O L T A G E C H A N G E (μV )-1200-600-800-1000-400-2000200
59
71113MAX6065
LINE REGULATION
INPUT VOLTAGE (V)O U T P U T V O L T A G E C H A N G E (μV )
-310-1-22345-4-2024LOAD CURRENT (mA)O U T P U T V O L T A G E C H A N G E (m V
)MAX6061LOAD REGULATION
-620-2
-44861012-6-2-40246LOAD CURRENT (mA)
O U T P U T V O L T A G E C H A N G E (m V )MAX6065LOAD REGULATION 0
0.10
0.05
0.200.150.25
0.30021345MAX6066
DROPOUT VOLTAGE
vs. LOAD CURRENT
LOAD CURRENT (mA)D R O P O U T V O L T A G E (V )
00.050.150.100.200.25021345
LOAD CURRENT (mA)D R O P O U T V O L T A G E (V )MAX6065DROPOUT VOLTAGE vs. LOAD CURRENT
MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
______________________________________________________________________________________11-70-800.001101000-60-50-40-30-20-100FREQUENCY (kHz)P S R R (d B )0.1MAX6065POWER-SUPPLY REJECTION RATIO vs. FREQUENCY M A X 6061/68 t o c 1070809010011024681012M A X 60
6
1
/
68
t o c 11
INPUT VOLTAGE (V)S U P P L Y C U R R E N T (μA )MAX6061SUPPLY CURRENT vs. INPUT VOLTAGE 80
85
95
90
105
110100
1155791113
INPUT VOLTAGE (V)
S
U
P
P
L Y
C
U
R R E
N
T
(
μA
)
MAX6065
SUPPLY CURRENT
vs. INPUT VOLTAGE 708090100110120-4010-15356085
TEMPERATURE (°C)S U P P L Y C U R R E N T (μA
)MAX6061SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE 8595105115-4010-15356085TEMPERATURE (°C)S
U P P L Y C U R R E N T (μA )MAX6065SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE 0
0.001101000
40
20
60
80100140
120
160
180200220M A
X
6061/68 t o c 15FREQUENCY (kHz)
O U
T P U
T I
M P E D A
N C
E (?)0.1MAX6061
OUTPUT IMPEDANCE vs. FREQUENCY
1800
0.00110100040
20
60100
80120
140160M A X 6061/68 t o c 16FREQUENCY (kHz)
O
U T
P U T
I
M P E D A N C E
(?)0.1MAX6065
OUTPUT IMPEDANCE vs. FREQUENCY V OUT 10μV/div 1s/div MAX60610.1Hz TO 10Hz OUTPUT NOISE M A X 6061/
68 t o c 17Typical Operating Characteristics (continued)
(V IN = +5V for MAX6061–MAX6068, V IN = +5.5V for MAX6065, I OUT = 0, T A = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 5)
V OUT
10μV/div 1s/div
MAX6065
NOISE
M A
X
6
6
1
/6
8 t o
c
1
8
M
A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 12______________________________________________________________________________________
Typical Operating Characteristics (continued)
(V IN = +5V for MAX6061–MAX6068, V IN = +5.5V for MAX6065, I OUT = 0, T A = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 5)I OUT 500μA/div V OUT AC-COUPLED 20mV/div 400μs/div MAX6065LOAD TRANSIENT (I OUT = ±250μA, C L = 1μF, V IN = 5.5V)+250μA -250μA MAX6061/68 toc24V OUT 500mV/div V IN 5V/div 10μs/div MAX6061TURN-ON TRANSIENT (C L = 50pF)M A X 6061/68 t o c 19V OUT 2V/div V IN 5V/div 40μs/div MAX6065TURN-ON TRANSIENT (C L = 50pF)M A X 6061/68 t o c 20I OUT 500μA/div V OUT AC-COUPLED 100mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (I OUT = ±250μA, V IN = 5.0, C L = 0)I OUT +250μA I OUT -250μA MAX6061/68 toc21I OUT 500μA/div V OUT AC-COUPLED 50mV/div 400μs/div MAX6065LOAD TRANSIENT (I OUT = ±250μA, C L = 0, V IN = 5.5V)+250μA -250μA MAX6061/68 toc22I OUT 500μA/div V OUT AC-COUPLED 10mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (I OUT = ±250μA, V
IN = 5.0V, C L = 1μF)+250μA -250μA MAX6061/68 toc23
MAX6061–MAX6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
______________________________________________________________________________________13
Typical Operating Characteristics (continued)
(V IN = +5V for MAX6061–MAX6068, V IN = +5.5V for MAX6065, I OUT = 0, T A = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 5)
I OUT 5mA/div V OUT AC-COUPLED 100mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (V IN = 5.0V, C L = 0, I OUT = ±2mA)+2mA -2mA MAX6061/68 toc25I OUT
5mA/div V OUT
AC-COUPLED
50mV/div
400μs/div
MAX6065
LOAD TRANSIENT
(C L = 0, I OUT = ±2mA, V IN = 5.5V)
+2mA
-2mA MAX6061/68 toc26
I OUT 5mA/div V OUT AC-COUPLED 50mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (V IN = 5.0V, C L = 1μF, I OUT = ±2mA)+2mA -2mA MAX6061/68 toc27I OUT 5mA/div V
OUT AC-COUPLED
20mV/div
400μs/div
MAX6065
LOAD TRANSIENT
(C L = 1μF, I OUT = ±2mA, V IN = 5.5V)
+2mA
-2mA MAX6061/68 toc28
I OUT 5mA/div V OUT AC-COUPLED 200mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (V IN = 5.0V, C L = 0, I OUT = ±4mA)+4mA -4mA MAX6061/68 toc29I OUT
5mA/div
V OUT AC-COUPLED
100mV/div
400μs/div
MAX6065
LOAD TRANSIENT
(I OUT = ±5mA, C
L = 0, V IN = 5.5V)+5mA
-5mA
MAX6061/68 toc30
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References 14
______________________________________________________________________________________
I OUT 5mA/div V OUT AC-COUPLED
50mV/div
400μs/div
MAX6065LOAD TRANSIENT (I OUT = ±5mA, C L = 1μF, V IN = 5.5V)+5mA -5mA
MAX6061/68 toc32V IN 500mV/div V OUT AC-COUPLED
20mV/div MAX6061
LINE TRANSIENT
(C L = 0)
+0.25
-0.25MAX6061/68 toc3340μs/div V IN 500mV/div V OUT AC-COUPLED 20mV/div
40μs/div
MAX6065LINE TRANSIENT (C L = 0)+0.25-0.25
MAX6061/68 toc34
Typical Operating Characteristics (continued)(V IN = +5V for MAX6061–MAX6068, V IN = +5.5V for MAX6065, I OUT = 0, T A = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 5)I OUT 5mA/div
V OUT AC-COUPLED
50mV/div 400μs/div MAX6061LOAD TRANSIENT (V IN = 5.0V, C L = 1μF, I OUT = ±4mA)+4mA -4mA MAX6061/68 toc31Note 5:Many of the MAX6061 family
Typical Operating Characteristics are extremely similar. The extremes of these characteristics
are found in the MAX6061 (1.25V output) and the MAX6065 (5.0V output). The Typical Operating Characteristics of the remainder of the MAX6061 family, typically lie between these two extremes and can be estimated based on their output voltages.
MAX6061–MAX6068
Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
______________________________________________________________________________________15Applications Information
Input Bypassing
For the best line-transient performance, decouple the input with a 0.1μF ceramic capacitor as shown in the
Typical Operating Circuit . Locate the capacitor as close to IN as possible. Where transient performance is less
important, no capacitor is necessary.
Output/Load Capacitance Devices in the MAX6061 family do not require an output
capacitance for frequency stability.I n applications where the load or the supply can experience step changes, an output capacitor of at least 0.1μF will reduce the amount of overshoot (undershoot) and
improve the circuit ’s transient response. Many applica-tions do not require an external capacitor, and the MAX6061 family can offer a significant advantage in these applications when board space is critical.
Supply Current
The quiescent supply current of the series-mode MAX6061 family is typically 90μA and is virtually inde-pendent of the supply voltage, with only an 8μA/V (max)variation with supply voltage. Unlike series references,shunt-mode references operate with a series resistor connected to the power supply. The quiescent current of a shunt-mode reference is thus a function of the input voltage. Additionally, shunt-mode references have to
be biased at the maximum expected load current, even if the load current is not present at the time. I n the MAX6061 family, the load current is drawn from the input voltage only when required, so supply current is not wasted and efficiency is maximized at all input volt-ages. This improved efficiency reduces power dissipa-tion and extends battery life. When the supply voltage is below the minimum specified input voltage (as during
turn-on), the devices can draw up to 400μA beyond the nominal supply current. The input voltage source must be capable of providing this current to ensure reliable
turn-on.
Output Voltage Hysteresis Output voltage hysteresis is the change of output voltage at T A = +25°C before and after the device is cycled over its entire operating temperature range. Hysteresis is caused by differential package stress appearing across the bandgap core transistors. The typical tem-perature hysteresis value is 130ppm.Turn-On Time These devices typically turn on and settle to within 0.1%of their final value in 50μs to 300μs, depending on the device. The turn-on time can increase up to 1.5ms with the device operating at the minimum dropout voltage and the maximum load.
Chip Information TRANSISTOR COUNT: 117
PROCESS: BiCMOS
Ordering Information (continued)
M A X 6061–M A X 6068Precision, Micropower, Low-Dropout, High-Output-Current, SOT23 Voltage References
Package Information Maxi m cannot assume responsi bi li ty for use of any ci rcui try other than ci rcui try enti rely embodi ed i n a Maxi m product. No ci rcui t patent li censes are implied. Maxim reserves the right to change the circuitry and specifications without notice at any time.
16____________________Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 408-737-7600?2001 Maxim Integrated Products Printed USA
is a registered trademark of Maxim Integrated Products.
常用开关电源芯片大全复习课程
常用开关电源芯片大 全
常用开关电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源 1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596 18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751
27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875 40.低噪声高效率降压式电荷泵LTC1911 41.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-5 42.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC3251 43.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC3252 44.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC3401 45.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC3402 46.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC3405 47.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC3407 48.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC3416 49.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC3426 50.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC3428 51.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC3440 52.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC3442 53.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC3458 54.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC3703 55.双输出降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3736 56.降压式同步DC-DC电源转换控制器LTC3770
一种用于高速高精度ADC的电压基准源设计
0引言 随着集成电路规模不断扩大，尤其是芯片系统集成技术的提出，对模拟集成电路基本模块(如A／D、D／A转换器、滤波器以及锁相环等电路)提出了更高的精度和速度要求，这也就意味着系统对其中的基准源模块提出了更高的要求。 用于高速高精度A DC的片内电压基准源不仅要满足A DC精度和采样速率的要求，并应具有较低的温度系数和较高的电源抑制比，此外，随着低功耗和便携的要求，A DC也在朝着低压方向发展，相应的基准源也要满足低电源电压的要求。 本文分析了基准源对流水线A DC精度的影响，并建立了相应的模型，确定了高速高精度A DC对电压基准源的性能要求。 给出了基于1.8 V的低电源电压，并采用结构简单的VBE非线性二阶补偿带隙基准源的核心电路，该补偿方式可以实现较低的温度系数，能满足高速高精度A DC的要求。箝位运放采用一种低噪声两级运算放大器，该运放可提供小于0.02 mV 的失调电压，因而保证了基准源的补偿精度。为了提高基准源的电源抑制比，本文除采用常用的共源共栅电流镜技术以外，还设计了一种简单有效的电源抑制比提高电路，从而使得基准源的电源抑制比有了较大提高。 1 电压基准源影响的建模分析 在Pipelined A DC系统中，基准源的主要作用是为子A DC提供比较电平，同时为MD A C提供残差电压。差分基准电压源发生偏移会导致子A DC比较电平和MDA C残差电压发生变化。而通过引入冗余位矫正技术可大大减小差分基准电压源所引起的比较电平变化对系统指标造成的影响，但是，MDA C残差电压变化的影响却无法消除，系统的转移特性曲线仍将会发生变化，从而造成系统指标下降。其中基准电压源的偏移主要来源于温度和电源电压的影响。 下面分析基准电压源温度漂移特性对DNL的影响。一般情况下，实际相邻输出与理想相邻输出之间的偏差可以表示为： 对于首级精度为3.5位的12位A DC，在-40℃～85℃的温度范围内，对温度要求最严格的比较器一般要求基准电压源的最大温漂不超过(7／8)V diff。 根据下列两式： 可以得到DNL对基准电压源温度系数的要求，即温度系数T C≤6.84 ppm／℃。式中，V T0为室温25℃时的基准电压值。
带隙基准电压源的设计
哈尔滨理工大学 软件学院 课程设计报告 指导老师董长春 2013年6月28日
.课程设计题目描述和要求二.课程设计报告内容2.1课程设计的计算过程 2.2带隙电压基准的基本原理 2.3指标的仿真验证结果 2.4网表文件三.心得体会四．参考书目
课程设计题目描述和要求 1.1电路原理 图: CD MQ MS MlO Ml I MI2^ ——I 匚13 M 匚11 jir Ml Tl ---- M4 ------ 1 M2 TC
1.2 设计指标 放大器：开环增益：大于 70dB 相位裕量：大于 60 度 失调电压： 小于 1mV 带隙基准电路：温度系数小于 10ppm/ C 1.3 要求 1＞手工计算出每个晶体管的宽长比。 通过仿真验证设计是否正确， 是否满足 指标的要求，保证每个晶体管的正常工作状态。 2＞使用Hspice 工具得到电路相关参数仿真结果，包括：幅频和相频特性(低 频增益，相位裕度，失调电压)等。 3＞每个学生应该独立完成电路设计， 设计指标比较开放， 如果出现雷同按不 及格处理。 4＞完成课程设计报告的同时需要提交仿真文件，包括所有仿真电路的网表， 仿真结果。 二. 课程设计报告内容 由于原电路中增加了两个BJT 管，所以Vref 需要再加上一个Vbe ，导致最 后结果为M (In n) 8.6，最后Vref 大概为1.2V ，且电路具有较大的电流, 可以驱动较大的负载。 2.1 课程设计的计算过程 1＞ M8， M9 ， M10， M11， M12 ， M13 宽长比的计算 (W/L)8=(W/L)9=20uA 为了满足调零电阻的匹配要求，必须有 Vgs13=Vgs6 -＞因此还必须满足 (W/L)13=(Im8/I6)*(W/L)6 即(W/L)13/(W/L)6=(W/L)9/(W/L)7 取(W/L)13=27 取(W/L)10=(W/L)11=(W/L)13=27 因为偏置电路存在整反馈，环路增益经计算可得为 1/(gm13*Rb)，若使环路 5＞相关问题参考教材第六章，仿真问题请查看 HSPICE 手册。 设 Im8=Im9=20uA
电压基准芯片的参数解析及应用技巧(精)
电压基准芯片的参数解析及应用技巧 电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力,但要在各种不同应用场合真正实现高精度，则需要了解电压基准的内部结构以及各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。 电压基准芯片的分类 根据内部基准电压产生结构不同，电压基准分为：带隙电压基准和稳压管电压基准两类。带隙电压基准结构是将一个正向偏置PN结和一个与VT（热电势）相关的电压串联，利用PN结的负温度系数与VT的正温度系数相抵消实现温度补偿。稳压管电压基准结构是将一个次表面击穿的稳压管和一个PN结串联，利用稳压管的正温度系数和PN结的负温度系数相抵消实现温度补偿。次表面击穿有利于降低噪声。稳压管电压基准的基准电压较高(约7V)；而带隙电压基准的基准电压比较低，因此后者在要求低供电电压的情况下应用更为广泛。 根据外部应用结构不同，电压基准分为：串联型和并联型两类。应用时，串联型电压基准与三端稳压电源类似，基准电压与负载串联；并联型电压基准与稳压管类似，基准电压与负载并联。带隙电压基准和稳压管电压基准都可以应用到这两种结构中。串联型电压基准的优点在于,只要求输入电源提供芯片的静态电流，并在负载存在时提供负载电流；并联型电压基准则要求所设置的偏置电流大于芯片的静态电流与最大负载电流的总和，不适合低功耗应用。并联型电压基准的优点在于，采用电流偏置，能够满足很宽的输入电压范围，而且适合做悬浮式的电压基准。 电压基准芯片参数解析 安肯（北京）微电子即将推出的ICN25XX系列电压基准，是一系列高精度，低功耗的串联型电压基准，采用小尺寸的SOT23-3封装，提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V输出电压,并提供良好的温度漂移特性和噪声特性。
常用电源芯片大全
常用电源芯片大全 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596
18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615 25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751 27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875
TL431可调电压基准的接法
TL431可调电压基准的接法 TL431是一个小个头（如同普通小三极管封装）而又便宜的可调电压基准芯片。具体的参数大家可以参考其pdf文档说明,这里给出其两种最常用的接法。 1.这种接法提供 2.5V基准电压,简单适用。 2.该接法可以提供一个可以调节的基准电压。电压输出为2.5×（1＋R2/R1）。
TL431的几种基本用法 TL431的几种基本用法 作者：Panic2006年10月9日 TL431作为一个高性价比的常用分流式电压基准，有很广泛的用途。这里简单介绍一下TL431常见的和不常见的几种接法。 图(1)是TL431的典型接法，输出一个固定电压值，计算公式是：Vout = (R1 +R2)*2.5/R2， 同时R3的数值应该满足1mA < (Vcc-Vout)/R3 < 500mA 当R1取值为0的时候，R2可以省略，这时候电路变成图(2)的形式，TL431在这里相当于一个2.5V稳压管。 利用TL431还可以组成鉴幅器，如图(3)，这个电路在输入电压Vin < (R1+R2) *2.5/R2 的时候输出Vout为高电平，反之输出接近2V的电平。需要注意的是当Vin在(R1+R2)*2.5/R2附近以微小幅度波动的时候，电路会输出不稳定的值。
TL431可以用来提升一个近地电压，并且将其反相。如图(4)，输出计算公式为：Vout = ( (R1+R2)*2.5 - R1*Vin )/R2 特别的，当R1 = R2的时候，Vout = 5 - Vin。这个电路可以用来把一个接近地的电压提升到一个可以预先设定的范围内，唯一需要注意的是TL431的输出范围不是满幅的。 TL431自身有相当高的增益（我在仿真中粗略测试，有大概46db），所以可以用作放大器。 图(5)显示了一个用TL431组成的直流电压放大器，这个电路的放大倍数由R1和Rin决定，相当于运放的负反馈回路，而其静态输出电压由R1和R2决定。这个电路的优点在于，它结构简单，精度也不错，能够提供稳定的静态特性。缺点是输入阻抗较小，Vout的摆幅有限。
带隙基准电压源设计解析
0 引言 基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。传统带隙基准由于仅对晶体管基一射极电压进行一阶的温度补偿，忽略了曲率系数的影响，产生的基准电压和温度仍然有较大的相干性，所以输出电压温度特性一般在20 ppm／℃以上，无法满足高精度的需要。 基于以上的要求，在此设计一种适合高精度应用场合的基准电压源。在传统带隙基准的基础上利用工作在亚阈值区MOS管电流的指数特性，提出一种新型二阶曲率补偿方法。同时，为了尽可能减少电源电压波动对基准电压的影响，在设计中除了对带隙电路的镜相电流源采用cascode结构外还增加了高增益反馈回路。在此，对电路原理进行了详细的阐述，并针对版图设计中应该的注意问题进行了说明，最后给出了后仿真结果。 l 电路设计 1．1 传统带隙基准分析 通常带隙基准电压是通过PTAT电压和CTAT电压相加来获得的。由于双极型晶体管的基一射极电压Vbe呈负温度系数，而偏置在相同电流下不同面积的双极型晶体管的基一射极电压之差呈正温度系数，在两者温度系数相同的情况下将二者相加就得到一个与温度无关的基准电压。 传统带隙电路结构如图1所示，其中Q2的发射极面积为Q1和Q3的m倍，流过Q1～Q3的电流相等，运算放大器工作在反馈状态，以A，B两点为输入，驱动Q1和Q2的电流源，使A，B两点稳定在近似相等的电压上。
假设流过Q1的电流为J，有： 由于式(5)中的第一项具有负温度系数，第二项具有正温度系数，通过调整m值使两项具有大小相同而方向相反的温度系数，从而得到一个与温度无关的电压。理想情况下，输出电压与电源无关。 然而，标准工艺下晶体管基一射极电压Vbe随温度的变化并非是纯线性的，而且由于器件的非理想性，输出电压也会受到电源电压波动的影响。其中，曲线随温度的变化主要取决于Vbe自身特性、集电极电流和电路中运放的失调电压，Vbe
带隙基准源电路与版图设计
带隙基准源电路与版图设计
论文题目：带隙基准源电路与版图设计 摘要 基准电压源具有相对较高的精度和稳定度，它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或者为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一，而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。 本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义，然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。接着主要介绍了版图的设计，验证工具及对设计的版图进行验证。 本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明，设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃，输出电压为2.5V及1.25V。最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证，并通过验证，表明本次设计的版图符合要求。 关键字：BiCMOS，基准电压源，温度系数，版图
Subject: Research and Layout Design Of Bandgap Reference Specialty: Microelectronics Name: Zhong Ting (Signature)＿＿＿＿Instructor: Liu Shulin (Signature)＿＿＿＿ ABSTRACT The reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified. This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory. This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 °C ~ ~ 85 °C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements. I
带隙基准设计实例
带隙基准电路的设计 基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。目前,基准电压源被广泛应用在高精度比较器、A/ D 和D/ A 转换器、动态随机存取存储器等集成电路中。它产生的基准电压精度、温度稳定性和抗噪声干扰能力直接影响到芯片,甚至整个控制系统的性能。因此,设计一个高性能的基准电压源具有十分重要的意义。自1971 年Robert Widla 提出带隙基准电压源技术以后,由于带隙基准电压源电路具有相对其他类型基准电压源的低温度系数、低电源电压,以及可以与标准CMOS 工艺兼容的特点,所以在模拟集成电路中很快得到广泛研究和应用。 带隙基准是一种几乎不依赖于温度和电源的基准技术,本设计主要在传统电路的基础上设计一种零温度系数基准电路。 一 设计指标： 1、温度系数：ref F V TC V T ?=? 2、电压系数：ref F dd V VC V V ?= ? 二 带隙基准电路结构：
三 性能指标分析 如果将两个具有相反温度系数（TCs ）的量以适合的权重相加，那么结果就会显示出零温度系数。在零温度系数下，会产生一个对温度变化保持恒定的量V REF 。 V REF = a 1V BE + a 2V T ㏑(n) 其中, V REF 为基准电压, V BE 为双极型三极管的基极-发射极正偏电压, V T 为热电压。对于a 1和a 2的选择，因为室温下/ 1.5m /BE T V V K ??≈-,然而/0.087m /T V T V K ??≈+,所以我们可以选择令a 1=1,选择a 2lnn 使得2(ln )(0.087/) 1.5/n mV K mV K α=,也就是 2ln 17.2n α≈，表明零温度系数的基准为： 17.2 1.25REF BE T V V V V ≈+≈ 对于带隙基准电路的分析，主要是在Cadence 环境下进行瞬态分析、dc 扫描分析。 1、瞬态分析 电源电压Vdd=5v 时，Vref ≈，下图为瞬态分析图。 2.电压系数的计算： 下图为基准电压Vref 随电源电压Vdd 变化dc 分析扫描。 扫描电压范围为：3到6v ，基准电压Vref 为，保持基本不变。
电压基准源选型
摘要：电压基准源简单、稳定的基准电压，作为电路设计的一个关键因素，电压基准源的选择需要考虑多方面的问题并作出折衷。本文讨论了不同类型的电压基准源以及它们的关键特性和设计中需要考虑的问题，如精确度、受温度的影响程度、电流驱动能力、功率消耗、稳定性、噪声和成本。 几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源，它们可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如： 在数据转换器中，基准源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。在电压调节器中，基准源提供了一个已知的电压值，用它与输出作比较，得到一个用于调节输出电压的反馈。在电压检测器中，基准源被当作一个设置触发点的门限。 要求什么样的指标取决于具体应用，本文讨论不同类型的电压基准源、它们的关键指标和设计过程中要综合考虑的问题。为设计人员提供了选择最佳电压基准源的信息。 理想情况 理想的电压基准源应该具有完美的初始精度，并且在负载电流、温度和时间变化时电压保持稳定不变。实际应用中，设计人员必须在初始电压精度、电压温漂、迟滞以及供出/吸入电流的能力、静态电流(即功率消耗)、长期稳定性、噪声和成本等指标中进行权衡与折衷。 基准源的类型 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。 齐纳二极管和并联拓扑 齐纳二极管优化工作在反偏击穿区域，因为击穿电压相对比较稳定，可以通过一定的反向电流驱动产生稳定的基准源。 齐纳基准源的最大好处是可以得到很宽的电压范围，2V到200V。它们还具有很宽范围的功率，从几个毫瓦到几瓦。
齐纳二极管的主要缺点是精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如：BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5V，在2.3V至2.7V之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5mA时100Ω和1mA时600Ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 埋入型齐纳二极管是一种比常规齐纳二极管更稳定的特殊齐纳二极管，这是因为采用了植入硅表面以下的结构。 作为另一种选择，可以用有源电路仿真齐纳二极管。这种电路可以显著改善传统齐纳器件的缺点。MAX6330就是一个这样的电路。负载电流在10 0μA至50mA范围变化时，具有1.5% (最大)的初始精度。此类IC的典型应用如图1所示。 图1.
电压基准源的选择
电压基准源的选择 在DAC和DAC里面都有电压基准源，它可以是芯片内部提供的基准也可以是外接的电压基准芯片。 基准源的类型 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串连拓扑。选择依据如下表： 并联结构的齐纳基准与串联结构的带隙基准的对照表。 表1.电压基准对照表 齐纳二极管缺点: 1)精确度达不到高精度应用的要求，而且，很难胜任低功耗应用的要求。例如： BZX84C2V7LT1，它的击穿电压，即标称基准电压是2.5V，在2.3V至2.7V 之间变化，即精确度为±8%，这只适合低精度应用。 2)齐纳基准源的另一个问题是它的输出阻抗。上例中器件的内部阻抗为5mA 时100Ω和1mA时600Ω。非零阻抗将导致基准电压随负载电流的变化而发生变化。选择低输出阻抗的齐纳基准源将减小这一效应。 所以在高精度应用的场合通常用带隙基准源。如14bit，210MSPS（刷新速率 UpDate Rate）的DAC9744内部就带一个2.1V的带隙基准源。
AD9744内部基准源配置 AD9744外部基准源配置 AD9744基准源配置管脚 （这个是AD9742的基准源配置管脚，AD9744的我怀疑错了，AD9742是与AD9744同系列的，一样管脚，只是AD9742是12bit，AD9744 16bit） REFLO——内部参考基准源地端。当使用内部1.2V参考基准源时，接AGND。当使用外部参考源时，接AVDD REFIO——参考基准源输入输出/输入端。 REFLO=AVDD，内部参考基准源无效，REFIO用作外部参考基准源输入。 REFLO=AGND=ACOM，REFIO用作内部基准源1.2V输出（100nA），REFIO 接0.1μF接ACOM(AGND)。
电压基准
电压基准 芯片型号 芯片技术资料 MAX8069 MAX8069: 低电压基准 DS4305 DS4305K DS4305 DS4305K: 可编程电压基准 MAX1358 MAX1359 MAX1360 MAX1358 MAX1359 MAX1360: 16位数据采集器 带有ADC 、DAC 、UPIO 、RTC 、电压监视器和温度传感器 DS4303 DS4303K DS4303 DS4303K: 可编程电压基准 AX6173 MAX6174 MAX6175 MAX6176 MAX6177 MAX6173 MAX6174 MAX6175 MAX6176 MAX6177: 高精度电压基准,带有温度传感器 DS3902 DS3902: 双路、非易失、可变电阻器,带有用户EEPROM MAX6143 MAX6143: 高精度电压基准,带有温度传感器 MAX6037 MAX6037A MAX6037B MAX6037C MAX6037 MAX6037A MAX6037B MAX6037C: 低功耗、固定或可调输出基准,SOT23封装 MAX6043 MAX6043: 精密的高压基准,SOT23封装 MAX6029 MAX6029: 超低功耗、高精度串联型电压基准 MAX6035 MAX6035: 高电源电压、精密电压基准,SOT23封装 MAX6126 MAX6126: 超高精度、超低噪声、串联型电压基准 MAX6133 MAX6133: 3ppm/°C 、低功耗、低压差电压基准 MAX6129 MAX6129: 超低功耗、串联型电压基准 LM4050 LM4051 LM4050 LM4051: 50ppm/°C 、精密的微功耗并联型电压基准,提供多种反向击穿电压 DS3903 DS3903: 三路、128抽头、非易失数字电位器 MAX6034 MAX6034: 精密、微功耗、低压差、SC70串联型电压基准 MAX6033 MAX6033: 超高精度、SOT23封装、串联型电压基准 MAX6138 MAX6138: 0.1%、25ppm 、SC70并联型电压基准,带有多种反向击穿电压 MAX5420 MAX5421 MAX5420 MAX5421: 数字可编程精密分压器,用于PGA MAX5430 MAX5431 MAX5430 MAX5431: ±15V 数字编程精密分压器,用于PGA MAX6018 MAX6018A MAX6018B MAX6018 MAX6018A MAX6018B: 精密的、微功耗、1.8V 电源、低压差、SOT23封装电压基准
常用芯片型号大全
常用芯片型号大全 4N35/4N36/4N37 "光电耦合器" AD7520/AD7521/AD7530/AD7521 "D/A转换器" AD7541 12位D/A转换器 ADC0802/ADC0803/ADC0804 "8位A/D转换器" ADC0808/ADC0809 "8位A/D转换器" ADC0831/ADC0832/ADC0834/ADC0838 "8位A/D转换器" CA3080/CA3080A OTA跨导运算放大器 CA3140/CA3140A "BiMOS运算放大器" DAC0830/DAC0832 "8位D/A转换器" ICL7106,ICL7107 "3位半A/D转换器" ICL7116,ICL7117 "3位半A/D转换器" ICL7650 "载波稳零运算放大器" ICL7660/MAX1044 "CMOS电源电压变换器" ICL8038 "单片函数发生器" ICM7216 "10MHz通用计数器" ICM7226 "带BCD输出10MHz通用计数器" ICM7555/7555 CMOS单/双通用定时器 ISO2-CMOS MT8880C DTMF收发器 LF351 "JFET输入运算放大器" LF353 "JFET输入宽带高速双运算放大器" LM117/LM317A/LM317 "三端可调电源" LM124/LM124/LM324 "低功耗四运算放大器" LM137/LM337 "三端可调负电压调整器" LM139/LM239/LM339 "低功耗四电压比较器"
LM158/LM258/LM358 "低功耗双运算放大器" LM193/LM293/LM393 "低功耗双电压比较器" LM201/LM301 通用运算放大器 LM231/LM331 "精密电压—频率转换器" LM285/LM385 微功耗基准电压二极管 LM308A "精密运算放大器" LM386 "低压音频小功率放大器" LM399 "带温度稳定器精密电压基准电路" LM431 "可调电压基准电路" LM567/LM567C "锁相环音频译码器" LM741 "运算放大器" LM831 "双低噪声音频功率放大器" LM833 "双低噪声音频放大器" LM8365 "双定时LED电子钟电路" MAX038 0.1Hz-20MHz单片函数发生器 MAX232 "5V电源多通道RS232驱动器/接收器" MC1403 "2.5V精密电压基准电路" MC1404 5.0v/6.25v/10v基准电压 MC1413/MC1416 "七路达林顿驱动器" MC145026/MC145027/MC145028 "编码器/译码器" MC145403-5/8 "RS232驱动器/接收器" MC145406 "RS232驱动器/接收器"
带隙基准源电路与版图设计.
论文题目：带隙基准源电路与版图设计 摘要 基准电压源具有相对较高的精度和稳定度，它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或者为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是子电路不可或缺的一部分，因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一，而集成电路版图是为了实现集成电路设计的输出。本文的主要目的是用BiCMOS工艺设计出基准源电路的版图并对其进行验证。 本文首先介绍了基准电压源的背景发展趋势及研究意义，然后简单介绍了基准电压源电路的结构及工作原理。接着主要介绍了版图的设计，验证工具及对设计的版图进行验证。 本设计采用40V的0.5u BiCMOS工艺库设计并绘制版图。仿真结果表明，设计的基准电压源温度变化为-40℃~~85℃，输出电压为2.5V及1.25V。最后对用Diva 验证工具对版图进行了DRC和LVS验证，并通过验证，表明本次设计的版图符合要求。 关键字：BiCMOS，基准电压源，温度系数，版图 I
Subject: Research and Layout Design Of Bandgap Reference Specialty: Microelectronics Name: Zhong Ting (Signature)＿＿＿＿Instructor: Liu Shulin (Signature)＿＿＿＿ ABSTRACT The reference voltage source with relatively high precision and stability, temperature stability and noise immunity affect the accuracy and performance of the entire system. Analog circuit using the reference source, or in order to get the bias has nothing to do with power, or in order to be independent of temperature, bias, and its performance directly affects the performance and stability of the circuit shows that the reference source is an integral part of the sub-circuit, excellent reference source is the design of all electronic systems the most basic and critical requirements of one of the IC layout in order to achieve the output of integrated circuit design. The main purpose of this paper is the territory of the reference circuit and BiCMOS process to be verified. This paper first introduces the background of the trends and significance of the reference voltage source, and then briefly introduced the structure and working principle of the voltage reference circuit. Then introduces the layout design and verification tools to verify the design of the territory. This design uses a 40V 0.5u BiCMOS process database design and draw the layout.The simulation results show that the design of voltage reference temperature of -40 ° C ~ ~ 85 ° C, the output voltage of 2.5V and 1.25V. Finally, the Diva verification tool on the territory of the DRC and LVS verification, and validated, show that the territory of the design meet the requirements. Keywords: BiCMOS，band gap , temperature coefficient, layout II
高精度电压基准REF102及其应用
高精度电压基准REF102及其应用 概述REF102 是高精度10V 电压基准集成电路。经激光调校后其温漂在工业温度范围内低至2.5ppm/?C，而在军品温度范围内也可达到5ppm/?C。由于REF102 无需外加恒温装置，因而功耗低、升温快、稳定性好、噪声低。 REF102 的输出电压几乎不随供电电源电压及负载变化。通过调整外接电阻， 输出电压的稳定性及温度漂移可降到最小。11.4V 至36V 的单电源供电电压及 优异的全面性能使REF102 成为仪器、A/D、D/A 及高精度直流电源应用的理 想选择。REF102 的特点及引脚功能●高精度输出：+10V0.0025V ●超低温度漂移：≤2.5ppm/?C●高稳定性：5ppm/1000 小时（典型值）●高负载调整率：≤1ppm/V，≤10ppm/mA●宽供电电压范围：11.4VDC 至36VDC ●低噪声：?5Vp-p?(0.1Hz 至10Hz 内) ●低静态电流：≤1.4mA在REF 的组成方框图中，埋层齐纳二极管DZ1 提供约8.2V 电压加到运放A1 的同相端。电阻R1、R2 及R3 经激光调校后确保输出为准确的10V。DZ1 的偏置电流由输出电压经R4 提供。R5 与外接在Trim 脚上的电阻一起，供用户调整运放的增益，从微调输 出电压。由于R5 的温度系数与R1、R2、R3 严格匹配，所以微调输出电压时 对其温度漂移影响极小。输出电压中的噪声主要是埋层齐纳二极管引起的，故 实际应用是要在8 却和4 脚间加上旁路电容，与R6 形成低通滤波器以滤除 DZ1 上的噪声。实际应用经验?REF102 是高性能集成电路。为了能在实际应用中充分发挥器件的性能，应当注意板图设计、输出噪声抑制设计及输出电压 微调电路设计。板图设计板图设计时，?”菊花”型布线可有效地降低输出电压 误差、输出噪声及电源耦合噪声。公共地线应当按图2 所示连接以确保耦合电 阻最小。公共地线、供电电源线尤其是连接负载的导线应当导电性能良好，可 选用粗铜线或镀银铜线。实际上，连接负载的导线若有0.1?的串联电阻，则当
基准电压模块mc1403
MC1403简介 MC1403是低压基准芯片。一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压等一些需要基本精准的基准电压的场合。 输出电压: 2.5 V ＋/- 25 mV 输入电压范围: 4.5 V to 40 V 输出电流: 10 mA 芯片引脚图： .........+--+--+--+ ...Vin.|1.+---+.8|.NC .Vout.|2..........7|.NC .GND.|3..........6|.NC ....NC.|4..........5|.NC .........+---------+ 因为输出是固定的，所以电路很简单。就是Vin接电源输入，GND 接底，Vout加一个0.1uf~1uf的电容就可以了。Vout一般用作8～12bit的D/A芯片的基准电压。 MC1403是美国摩托罗拉公司生产的高准确度、低温漂、采用激光修正的带隙基准电压源，国产型号为5G1403和CH1403。它采用
DIP－8封装，引脚排列如图7-1-2所示。UI＝＋4.5V～＋15V，UO ＝2.500V（典型值），αT可达10×10－6/℃。为了配8P插座，还专门设置了5个空脚。其输出电压UO＝Ug0(R3＋R4)/R4＝ 1.205× 2.08＝＋2.5V。 MC1403的输入-输出特性 输入电压UI／V 10 9 8 7 6 5 4.5 输出电压UO／V 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028 2.5028
2.5027 当UI从10V降至4.5V时，UO只变化0.0001V，变化率仅为－0.0018％。
产生稳定电压的基准电压元件
产生稳定电压的基准电压元件 技术分类：电源技术 | 2010-12-28 Paul Rako，EDN技术编辑: EDN China 基准电压元件是低输出功率的线性稳压电源，它提供一个固定的（或恒定的）电压，而与器件负载、电源变动、温度变化以及时间无关。基准电压元件遍布于电源稳压器、数据采集系统、ADC、DAC，以及其它各种测量与控制系统中。虽然基准电压元件无处不在，但性能却有很大不同。例如，一款用于计算机电源的稳压器可能要将其值稳定在标称值附近的几个百分点以内，而实验室基准电压元器件的精度与稳定性要以百万分之一计。 几十年前的基准电压元器件提供的初始精度只有±10%，而现代的基准电压IC可以提供100 ppm（即0.01%）的初始精度。Analog Devices公司应用工程经理Reza Moghimi指出：“我们试图要让器件对线路、负载和温度的变动不敏感，以用于工业、科研与医疗市场中高要求的任务。”这些市场中的专业公司也可以很容易地进入对精度要求很严格军用市场与汽车市场。] 稳压芯片亦有串联与并联之分（图1与参考文献1）。串联稳压器有两只分别用于输入电源与地的管脚；第三只管脚输出一个固定的或可调的电压。双端并联稳压器工作在一个限流的固定电压下。实际上每个稳压器采用的都是并联架构，因为一个串联基准电压元件也不过是一个并联基准电压元件加上一个电流馈送电路和一个缓冲输出。
在电子业的早期，工程师们是采用霓虹辉光管作基准电压元件（图2）。霓虹辉光管是一个有两只导电端子的玻璃容器，其中填充了稀薄的惰性气体（具有类似特性的化学元素）。在标准情况下，惰性气体都是无嗅、无色的单原子气体，化学活性低。自然界存在的六种惰性气体是：氦、氖、氩、氪、氙和氡。当在这些气体上施加66V?200V的直流电压时，它们会被电离。一旦发生了离子击穿，则辉光管两侧的电压就降至直流48V?80V的维持电压。如果跨辉光管的电压跌至低于这个维持电压，灯就会熄灭，必须再次为其施加离子击穿电压，使之发光（图3）。一只霓虹辉光管工作时通过的电流低至10A?12A，或1 pA。1996年，Signalite做出了可以在±0.5V内稳压的辉光管（参考文献2）。 不过到了20世纪70年代，齐纳二极管（为并联式基准电压元件）取代了这些冷阴极辉光管（图4）。齐纳二极管的名称源于研究者Clarence Zener，他发现了这个效应（参考文献3）。虽然一些工程师将齐纳二极管看作雪崩二极管，但这两种二极管的物理原理并不相同（参考文献4、5、6）。齐纳击穿源于通过一个PN结产生量子力学隧道效应的电荷载流子。这种击穿出现在重掺杂的节点。PN结上的大电场加速电荷载流子，使之形成雪崩击穿。这些高速载流子造成碰撞电离，随之又造成了电荷载流子的倍增。这种效应出现在轻掺杂的PN结。齐纳二极管制造商通过改变PN