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Electromagnetic Delay Lines

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15801 Chemical Lane,

Huntington Beach, CA 92649-1595

Phone: (714) 898-0960 ? FAX: (714) 896-0971

PASSIVE 10/97

Transformers & Magnetic Products Industries Inc.

Rhombus

Total Delays up to 1000ns, Fast Rise Times Single, 5, 10, 16 & 20 Tap Standard Configurations

Standard Impedances from 50 to 200 Ohms

Electromagnetic Delay Lines

Ultra Low Attenuation and Distortion Temperature Stability, 70 ppm/O C Typical.Operating Temperature Range: 55 to +125O C Lt/N

Ct/N

Ct/2N

Ct/2N

Figure 1A. Passive Delay Line Schematic Diagram.

.300"

SMD - J

SMD - G

DIP

DIL

SIP

Rise Time: The rise time of a delay line, is measured from the 10% to 90% points of the leading edge of the output pulse.The measured output risetime ( t r o ) is a function of the input rise time ( t r i ) and the true rise time of the delay line ( t r ):

t r = t r o 2 - t r i 2

An analog delay line's bandwidth (-3dB attenuation) is related to the network's rise time which is determined by the total number (N) of LC sections. The delay-to-rise time ratio is the figure of merit, or Quality Factor, used to characterize delay lines. Generally, the greater figure of merit implies higher number of sections, and therefore higher cost. The band-width for the network, and the number of sections closely follow these approximations:

BW = .35 / t r N = (Td / t r )1.36

Attenuation: The output voltage attenuation of a delay line has several contributing factors:

1.Internal D.C. resistance (DCR)

2.Dielectric and ground plane losses

3.Loading effects at taps

4.Impedance mismatches at terminations

5.

Frequency limitations (BW) of delay line

When the delay line is minimally loaded, properly terminated and the input pulse widths are significantly greater than the line's rise time, attenuation is given by:

Attenuation (%) = 1 - (Zo / (Zo + DCR))

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General: The Passive Delay Modules offered by Rhombus Industries Incorporated have been designed to provide pre-cise delays for use in either analog or digital applications.These lumped constant delay modules offer excellent elec-trical characteristics with optimal package density. All units exhibit the highest obtainable delay-to-rise-time-ratio (Figure of Merit), are extremely temperature stable, and feature low attenuation and distortion.

These delay modules are offered in standard impedance values of 50, 75, 100 and 200 ohms covering a total delay range of 1ns to 1000ns, and are available in a wide variety of package and pin-out configurations. The most popular delay times and tap tolerances are shown in the tables on the following pages. Temperature coefficient of delay is typically better than +/- 70 ppm/O Centigrade over the recommended operating temperature range of -55 to +125O C. The storage temperature range for all modules is -65 to +150O C.These Passive Delay Modules are designed to meet or exceed all of the applicable enviornmental requirements of MIL-D-23859, MIL-D-83531 (military general specification for electromagnetic delay lines, which is superseding MIL-D-23859), and MIL-STD-202.

Design: A passive delay line is a special purpose Low Pass Filter composed of series inductors and shunt capacitors used to delay (phase shift) the input signal by a specified increment of time (degrees). This LC network may be used to pass either analog or digital signals whose bandwidth is compatible with the intended range of operation for the delay line. A specific delay and impedance, determine the required LC values of the network:

Td = ( L t x C t

)Z O = ( L t / C t )

Td = Total Delay ( ns )L t = Total Line Inductance ( μH )Z O = Impedance ( Ohms )

C t = Total Line Capacitance ( pF )

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Reflections: Loading at taps should be at least 10 times the characteristic impedance to minimize reflections due to transmission line effects. The reflected voltage due to a tap loaded by a resistance, R L , is given by

Reflection (%) = 1 - (1 / (1 + Zo/2R L ))

In certain applications, mismatches can be used to realize pulse-shaping requirements. There are three basic rules relating to reflections:

1)No reflections at either terminal of a line which is

terminated with its characteristic impedance. ( R L = Zo )2)A reflection, equal in amplitude and of same polarity to the impinging signal, will occur at the input of a line which is open circuited. ( R L = infinite, see fig. 2A)

Series Connection: Passive delay lines of the same impedance can be connected input-to-output (cascaded) to optimize rise time and/or obtain specific delay values. The rise time of the grouped lines is given by

t ro = t r i 2 + t r 12 + t r 22 + ... t r N 2

The only termination required is at the output of the final stage (See Figure 4A).

(c)

(b)

(a)

Figure 2A. Output Open circuited (a), and waveforms with reflections at Input for (b) Input Pulse Width < Delay and (c) Input P W > 2 x Delay.

3)A reflection, equal in amplitude and of opposite polarity to the impinging signal, will occur at the input of a line which is short circuited. ( R L = 0, see fig. 3A)

(a)

(b)

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Circuit Considerations: To assure delay accuracy and prevent signal distortion, care should be taken to properly integrate the passive delay line into the circuit design. A board trace can load a tap with several picofarads of capaci-tance which will increase delay, rise time, distortion and attenuation. The designer should calculate inductance and capacitance values ( L t , C t ) of the delay line to determine if anticipated board loading is significant. It is characteristic of higher impedance designs to have higher inductances and lower capacitances, and are thereby more susceptible to loading. For typical passive delay line applications, the following design criteria provide optimum performance:

1.The line should be properly terminated.

2.Minimize tap loading. 10 x Z O minimum

recommended.

3.Minimize trace lengths to delay line.

4.Circuit should have massive ground plane.

5.All common connections should be used.

We encourage you to call and discuss the details of your design with one of our application engineers. We offer quick turnaround on samples, and custom versions are available,generally at no cost for existing package configurations..

Figure 4A. Example circuit of series implementation.Thevenin style shown; alternate methods of single shunt or series termination may be used as applicable.

(c)

Figure 3A. Output shorted (a), and waveforms with reflections at Input for

(b) Input Pulse Width < Delay and (c) Input P W > 2 x Delay.

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LEADING EDGE : that portion of the pulse which rises from zero to peak amplitude.TRAILING EDGE : that portion of the pulse which falls from peak amplitude to zero.INPUT VOLTAGE (Ei): the amplitude of the input pulse.

OUTPUT VOLTAGE (Eo): the amplitude of the output pulse.

DELAY TIME (Td): the elapsed time between the respective 50% points on the leading edges of the input and output pulses.

INPUT RISE TIME (Tri): the elapsed time between the 10% and the 90% points on the leading edge of the input pulse.

GLOSSARY

PULSE DISTORTION (S): the magnitude of the largest peak amplitude of all spurious re-sponses in either a positive or negative direc-tion occurring in the period after the top of the leading edge of the output pulse and before two time delays (for flat input pulse top).

IMPEDANCE (Zo): the effective impedance of the delay line which is equal to the value of the terminating impedance which provides a mini-mum reflection back to the input of the delay line.

D.C. RESISTANCE (DCR): The D.C. resis-tance, in ohms, measured between the input and output of a delay line.

Attenuation (At): the difference in peak ampli-tude between input and output pulses.

INPUT FALL TIME (Tfi): the elapsed time between the 90% and the 10% points on the trailing edge of the input pulse.

OUTPUT FALL TIME (Tfo): the elapsed time between the 10% and the 90% points on the leading edge of the output pulse.

OUTPUT FALL TIME (Tfo): the elapsed time between the 90% and the 10% points on the trailing edge of the output pulse.

PULSE WIDTH (Pw): the elapsed time be-tween the 50% points on the leading and trailing edge of a pulse.

PULSE OVERSHOOT (Pos): the peak ampli-tude of overshoot occurring at the top of the leading edge of the output pulse (for flat input pulse top).

Figure 6A.

Passive Delay Line Waveform Parameters

Figure 5A.

Recommended test circuit for Passive Delay Lines

KeilC51程序设计中几种精确延时方法

Keil C51程序设计中几种精确延时方法 2008-04-03 08:48 实现延时通常有两种方法:一种是硬件延时,要用到定时器/计数器,这种方法可以提高CPU的工作效率,也能做到精确延时;另一种是软件延时,这种方法主要采用循环体进行。 1 使用定时器/计数器实现精确延时 单片机系统一般常选用11.059 2 MHz、12 MHz或6 MHz晶振。第一种更容易产生各种标准的波特率,后两种的一个机器周期分别为1 μs和2 μs,便于精确延时。本程序中假设使用频率为12 MHz的晶振。最长的延时时间可达216=65 536 μs。若定时器工作在方式2,则可实现极短时间的精确延时;如使用其他定时方式,则要考虑重装定时初值的时间(重装定时器初值占用2个机器周期)。 在实际应用中,定时常采用中断方式,如进行适当的循环可实现几秒甚至更长时间的延时。使用定时器/计数器延时从程序的执行效率和稳定性两方面考虑都是最佳的方案。但应该注意,C51编写的中断服务程序编译后会自动加上PUSH ACC、PUSH PSW、POP PSW和POP ACC语句,执行时占用了4个机器周期;如程序中还有计数值加1语句,则又会占用1个机器周期。这些语句所消耗的时间在计算定时初值时要考虑进去,从初值中减去以达到最小误差的目的。 2 软件延时与时间计算 在很多情况下,定时器/计数器经常被用作其他用途,这时候就只能用软件方法延时。下面介绍几种软件延时的方法。 2.1 短暂延时 可以在C文件中通过使用带_NOP_( )语句的函数实现,定义一系列不同的延时函数,如Delay10us( )、Delay25us( )、Delay40us( )等存放在一个自定义的C文件中,需要时在主程序中直接调用。如延时10 μs 的延时函数可编写如下: void Delay10us( ) { _NOP_( ); _NOP_( ); _NOP_( ) _NOP_( );

基于51单片机的精确延时(微秒级)

声明: *此文章是基于51单片机的微秒级延时函数,采用12MHz晶振。 *此文章共包含4个方面,分别是延时1us,5us,10us和任意微秒。前三个方面是作者学习过程中从书本或网络上面总结的,并非本人所作。但是延时任意微秒函数乃作者原创且亲测无误。欢迎转载。 *此篇文章是作者为方便初学者使用而写的,水平有限,有误之处还望大家多多指正。 *作者:Qtel *2012.4.14 *QQ:97642651 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------序: 对于某些对时间精度要求较高的程序,用c写延时显得有些力不从心,故需用到汇编程序。本人通过测试,总结了51的精确延时函数(在c语言中嵌入汇编)分享给大家。至于如何在c 中嵌入汇编大家可以去网上查查,这方面的资料很多,且很简单。以12MHz晶振为例,12MHz 晶振的机器周期为1us,所以,执行一条单周期指令所用时间就是1us,如NOP指令。下面具体阐述一下。 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------1.若要延时1us,则可以调用_nop_();函数,此函数是一个c函数,其相当于一个NOP指令,使用时必须包含头文件“intrins.h”。例如: #include #include void main(void){ P1=0x0; _nop_();//延时1us P1=0xff; } ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2.延时5us,则可以写一个delay_5us()函数: delay_5us(){ #pragma asm nop #pragma endasm } 这就是一个延时5us的函数,只需要在需要延时5us时调用此函数即可。或许有人会问,只有一个NOP指令,怎么是延时5us呢? 答案是:在调用此函数时,需要一个调用指令,此指令消耗2个周期(即2us);函数执行完毕时要返回主调函数,需要一个返回指令,此指令消耗2个周期(2us)。调用和返回消耗了2us+2us=4us。然后再加上一个NOP指令消耗1us,不就是5us吗。

单片机一些常用的延时与中断问题及解决方法

单片机一些常用的延时与中断问题及解决方法 延时与中断出错,是单片机新手在单片机开发应用过程中,经常会遇到的问题,本文汇总整理了包含了MCS-51系列单片机、MSP430单片机、C51单片机、8051F的单片机、avr单片机、STC89C52、PIC单片机…..在内的各种单片机常见的延时与中断问题及解决方法,希望对单片机新手们,有所帮助! 一、单片机延时问题20问 1、单片机延时程序的延时时间怎么算的? 答:如果用循环语句实现的循环,没法计算,但是可以通过软件仿真看到具体时间,但是一般精精确延时是没法用循环语句实现的。 如果想精确延时,一般需要用到定时器,延时时间与晶振有关系,单片机系统一般常选用 2 MHz、12 MHz或6 MHz晶振。第一种更容易产生各种标准的波特率,后两种的一个机器周期分别为1 μs和2 μs,便于精确延时。本程序中假设使用频率为12 MHz的晶振。最长的延时时间可达216=65 536 μs。若定时器工作在方式2,则可实现极短时间的精确延时;如使用其他定时方式,则要考虑重装定时初值的时间(重装定时器初值占用2个机器周期)。 2、求个单片机89S51 12M晶振用定时器延时10分钟,控制1个灯就可以 答:可以设50ms中断一次,定时初值,TH0=0x3c、TL0=0xb0。中断20次为1S,10分钟的话,需中断12000次。计12000次后,给一IO口一个低电平(如功率不够,可再加扩展),就可控制灯了。 而且还要看你用什么语言计算了,汇编延时准确,知道单片机工作周期和循环次数即可算出,但不具有可移植性,在不同种类单片机中,汇编不通用。用c的话,由于各种软件执行效率不一样,不会太准,通常用定时器做延时或做一个不准确的延时,延时短的话,在c中使用汇编的nop做延时 3、51单片机C语言for循环延时程序时间计算,设晶振12MHz,即一个机器周期是1us。for(i=0,i<100;i++) for(j=0,j<100;j++) 我觉得时间是100*100*1us=10ms,怎么会是100ms 答: 不可能的,是不是你的编译有错的啊

单片机89C51精确延时

单片机89C51精确延时 高手从菜鸟忽略作起之(六)一,晶振与周期: 89C51晶振频率约为12MHZ。在此基础上,计论几个与单片机相关的周期概念:时钟周期,状态周期,机器周期,指令周期。 晶振12MHZ,表示1US振动12次,此基础上计算各周期长度。 时钟周期(W sz):Wsz=1/12=0.083us 状态周期(W zt) Wzt=2*Wsz=0.167us 机器周期(W jq): Wjq=6*Wzt=1us 指令周期(W zl): W zl=n*Wjq(n=1,2,4) 二,指令周期 汇编指令有单周期指令,双周期指令,四周期指令。指令时长分别是1US,2US,4US.指令的周期可以查询绘编指令获得,用下面方法进行记忆。 1.四周期指令:MUL,DIV 2.双周期指令:与SP,PC相关(见汇编指令周期表) 3.单周期指令:其他(见汇编指令周期表) 三,单片机时间换算单位 1.1秒(S)=1000毫秒(ms) 2.1毫秒(ms)=1000微秒(us) 3.1微秒(us)=1000纳秒(ns) 单片机指令周期是以微秒(US)为基本单位。 四,单片机延时方式 1.计时器延时方式:用C/T0,C/T1进行延时。 2.指令消耗延时方式: 本篇单片机精确延时主要用第2种方式。 五,纳秒(ns)级延时: 由于单片机指令同期是以微秒(US)为基本单位,因此,纳秒级延时,全部不用写延时。六,微秒(US)级延时:

1.单级循环模式:delay_us_1 最小值:1+2+2+0+2+1+2+2=12(US),运行此模式最少需12US,因此12US以下,只能在代码中用指定数目的NOP来精确延时。 最大值:256*2+12-2=522(US),256最大循环次数,2是指令周期,12是模式耗时,-2是模式耗时中计1个时钟周期。 延时范围:值域F(X)[12,522],变量取值范围[0,255]. 函数关系:Y=F(x):y=2x+12,由输入参数得出延时时间。 反函数:Y=F(x):y=1/2x-6:由延时时间,计算输入参数。例延时500US,x=500,y=244,即输入244时,精确延时500US. 2.双级循环模式:delay_us_2

TMS320F2812delay 延时完整程序

TMS320F2812的延时程序(完整) .def _DSP28x_usDelay ;==================================================== ;Delay Function ;The C assembly call will look as follows: ; ; extern void Delay(long time); ; MOV AL,#LowLoopCount ; MOV AH,#HighLoopCount ; LCR _Delay ; ;Or as follows (if count is less then 16-bits): ; ; MOV ACC,#LoopCount ; LCR _Delay .global __DSP28x_usDelay _DSP28x_usDelay: SUB ACC,#1 NOP NOP BF _DSP28x_usDelay,GEQ ;; Loop if ACC >= 0 LRETR ;There is a 9/10 cycle overhead and each loop ;takes five cycles. The LoopCount is given by ;the following formula: ; DELAY_CPU_CYLES = 9 + 5*LoopCount ; LoopCount = (DELAY_CPU_CYCLES - 9) / 5 ;================================================== --

RE:我是这么调用的(C语言) extern void DSP28x_usDelay(long time); 在需要延时的地方加入 DSP28x_usDelay(0x100000);//根据延迟时间写入参数

STM32延时函数

#include #include "delay.h" ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// //使用SysTick的普通计数模式对延迟进行管理 //包括delay_us,delay_ms //***************************************************************************** *** //V1.2修改说明 //修正了中断中调用出现死循环的错误 //防止延时不准确,采用do while结构! ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// static u8 fac_us=0;//us延时倍乘数 static u16 fac_ms=0;//ms延时倍乘数 //初始化延迟函数 //SYSTICK的时钟固定为HCLK时钟的1/8 //SYSCLK:系统时钟 void delay_init(u8 SYSCLK) { SysTick->CTRL&=0xfffffffb;//bit2清空,选择外部时钟HCLK/8 fac_us=SYSCLK/8; fac_ms=(u16)fac_us*1000; } //延时nms //注意nms的范围 //SysTick->LOAD为24位寄存器,所以,最大延时为: //nms<=0xffffff*8*1000/SYSCLK //SYSCLK单位为Hz,nms单位为ms //对72M条件下,nms<=1864 void delay_ms(u16 nms) { u32 temp; SysTick->LOAD=(u32)nms*fac_ms;//时间加载(SysTick->LOAD为24bit) SysTick->VAL =0x00; //清空计数器 SysTick->CTRL=0x01 ; //开始倒数 do { temp=SysTick->CTRL; } while(temp&0x01&&!(temp&(1<<16)));//等待时间到达 SysTick->CTRL=0x00; //关闭计数器 SysTick->VAL =0X00; //清空计数器 } //延时nus //nus为要延时的us数.

单片机C延时时间怎样计算

C程序中可使用不同类型的变量来进行延时设计。经实验测试,使用unsigned char类型具有比unsigned int更优化的代码,在使用时 应该使用unsigned char作为延时变量。以某晶振为12MHz的单片 机为例,晶振为12M H z即一个机器周期为1u s。一. 500ms延时子程序 程序: void delay500ms(void) { unsigned char i,j,k; for(i=15;i>0;i--) for(j=202;j>0;j--) for(k=81;k>0;k--); } 计算分析: 程序共有三层循环 一层循环n:R5*2 = 81*2 = 162us DJNZ 2us 二层循环m:R6*(n+3) = 202*165 = 33330us DJNZ 2us + R5赋值 1us = 3us 三层循环: R7*(m+3) = 15*33333 = 499995us DJNZ 2us + R6赋值 1us = 3us

循环外: 5us 子程序调用 2us + 子程序返回2us + R7赋值 1us = 5us 延时总时间 = 三层循环 + 循环外 = 499995+5 = 500000us =500ms 计算公式:延时时间=[(2*R5+3)*R6+3]*R7+5 二. 200ms延时子程序 程序: void delay200ms(void) { unsigned char i,j,k; for(i=5;i>0;i--) for(j=132;j>0;j--) for(k=150;k>0;k--); } 三. 10ms延时子程序 程序: void delay10ms(void) { unsigned char i,j,k; for(i=5;i>0;i--) for(j=4;j>0;j--) for(k=248;k>0;k--);

delay延时教程

delay延时教程(用的是12MHz晶振的MCS-51) 一、 1)NOP指令为单周期指令 2)DJNZ指令为双周期指令 3)mov指令为单周期指令 4)子程序调用(即LCALL指令)为双周期指令 5)ret为双周期指令 states是指令周期数, sec是时间,=指令周期×states,设置好晶振频率就是准确的了 调试>设置/取消断点”设置或移除断点,也可以用鼠标在该行双击实现同样的功能 二、编程最好: 1.尽量使用unsigned型的数据结构。 2.尽量使用char型,实在不够用再用int,然后才是long。 3.如果有可能,不要用浮点型。 4.使用简洁的代码,因为按照经验,简洁的C代码往往可以生成简洁的目标代码(虽说不是在所有的情况下都成立)。 5.在do…while,while语句中,循环体内变量也采用减减方法。 三、编辑注意: 1、在C51中进行精确的延时子程序设计时,尽量不要或少在延时子程序中定义局部变量,所有的延时子程序中变量通过有参函数传递。 2、在延时子程序设计时,采用do…while,结构做循环体要比for结构做循环体好。 3、在延时子程序设计时,要进行循环体嵌套时,采用先内循环,再减减比先减减,再内循环要好。 四、a:delaytime为us级 直接调用库函数: #include// 声明了void _nop_(void); _nop_(); // 产生一条NOP指令 作用:对于延时很短的,要求在us级的,采用“_nop_”函数,这个函数相当汇编NOP指令,延时几微秒。 eg:可以在C文件中通过使用带_NOP_( )语句的函数实现,定义一系列不同的延时函数,如Delay10us( )、Delay25us( )、Delay40us( )等存放在一个自定义的C 文件中,需要时在主程序中直接调用。如延时10 μs的延时函数可编写如下: void Delay10us( ) { _NOP_( ); _NOP_( );

单片机几个典型延时函数

软件延时:(asm) 晶振12MHZ,延时1秒 程序如下: DELAY:MOV 72H,#100 LOOP3:MOV 71H,#100 LOOP1:MOV 70H,#47 LOOP0:DJNZ 70H,LOOP0 NOP DJNZ 71H,LOOP1 MOV 70H,#46 LOOP2:DJNZ 70H,LOOP2 NOP DJNZ 72H,LOOP3 MOV 70H,#48 LOOP4:DJNZ 70H,LOOP4 定时器延时: 晶振12MHZ,延时1s,定时器0工作方式为方式1 DELAY1:MOV R7,#0AH ;;晶振12MHZ,延时0.5秒 AJMP DELAY DELAY2:MOV R7,#14H ;;晶振12MHZ,延时1秒DELAY:CLR EX0 MOV TMOD,#01H ;设置定时器的工作方式为方式1 MOV TL0,#0B0H ;给定时器设置计数初始值 MOV TH0,#3CH SETB TR0 ;开启定时器 HERE:JBC TF0,NEXT1 SJMP HERE NEXT1:MOV TL0,#0B0H MOV TH0,#3CH DJNZ R7,HERE CLR TR0 ;定时器要软件清零 SETB EX0 RET

C语言延时程序: 10ms延时子程序(12MHZ)void delay10ms(void) { unsigned char i,j,k; for(i=5;i>0;i--) for(j=4;j>0;j--) for(k=248;k>0;k--); } 1s延时子程序(12MHZ)void delay1s(void) { unsigned char h,i,j,k; for(h=5;h>0;h--) for(i=4;i>0;i--) for(j=116;j>0;j--) for(k=214;k>0;k--); }

用单片机实现延时(自己经验及网上搜集).

标准的C语言中没有空语句。但在单片机的C语言编程中,经常需要用几个空指令产生短延时的效果。这在汇编语言中很容易实现,写几个nop就行了。 在keil C51中,直接调用库函数: #include // 声明了void _nop_(void; _nop_(; // 产生一条NOP指令 作用:对于延时很短的,要求在us级的,采用“_nop_”函数,这个函数相当汇编NOP指令,延时几微秒。NOP指令为单周期指令,可由晶振频率算出延时时间,对于12M晶振,延时1uS。对于延时比较长的,要求在大于10us,采用C51中的循环语句来实现。 在选择C51中循环语句时,要注意以下几个问题 第一、定义的C51中循环变量,尽量采用无符号字符型变量。 第二、在FOR循环语句中,尽量采用变量减减来做循环。 第三、在do…while,while语句中,循环体内变量也采用减减方法。 这因为在C51编译器中,对不同的循环方法,采用不同的指令来完成的。 下面举例说明: unsigned char i; for(i=0;i<255;i++; unsigned char i; for(i=255;i>0;i--;

其中,第二个循环语句C51编译后,就用DJNZ指令来完成,相当于如下指令: MOV 09H,#0FFH LOOP: DJNZ 09H,LOOP 指令相当简洁,也很好计算精确的延时时间。 同样对do…while,while循环语句中,也是如此 例: unsigned char n; n=255; do{n--} while(n; 或 n=255; while(n {n--}; 这两个循环语句经过C51编译之后,形成DJNZ来完成的方法, 故其精确时间的计算也很方便。 其三:对于要求精确延时时间更长,这时就要采用循环嵌套的方法来实现,因此,循环嵌套的方法常用于达到ms级的延时。对于循环语句同样可以采用for,do…while,while结构来完成,每个循环体内的变量仍然采用无符号字符变量。 unsigned char i,j for(i=255;i>0;i--

单片机一些常用的延时与中断问题及解决方法

延时与中断出错,是单片机新手在单片机开发应用过程中,经常会遇到的问题,本文汇总整理了包含了MCS-51系列单片机、MSP430单片机、C51单片机、8051F的单片机、avr单片机、STC89C52、PIC单片机…..在内的各种单片机常见的延时与中断问题及解决方法,希望对单片机新手们,有所帮助! 一、单片机延时问题20问 1、单片机延时程序的延时时间怎么算的? 答:如果用循环语句实现的循环,没法计算,但是可以通过软件仿真看到具体时间,但是一般精精确延时是没法用循环语句实现的。 如果想精确延时,一般需要用到定时器,延时时间与晶振有关系,单片机系统一般常选用11.059 2 MHz、12 MHz或6 MHz晶振。第一种更容易产生各种标准的波特率,后两种的一个机器周期分别为1 μs和2 μs,便于精确延时。本程序中假设使用频率为12 MHz的晶振。最长的延时时间可达216=65 536 μs。若定时器工作在方式2,则可实现极短时间的精确延时;如使用其他定时方式,则要考虑重装定时初值的时间(重装定时器初值占用2个机器周期)。 2、求个单片机89S51 12M晶振用定时器延时10分钟,控制1个灯就可以 答:可以设50ms中断一次,定时初值,TH0=0x3c、TL0=0xb0。中断20次为1S,10分钟的话,需中断12000次。计12000次后,给一IO口一个低电平(如功率不够,可再加扩展),就可控制灯了。 而且还要看你用什么语言计算了,汇编延时准确,知道单片机工作周期和循环次数即可算出,但不具有可移植性,在不同种类单片机中,汇编不通用。用c的话,由于各种软件执行效率不一样,不会太准,通常用定时器做延时或做一个不准确的延时,延时短的话,在c中使用汇编的nop做延时 3、51单片机C语言for循环延时程序时间计算,设晶振12MHz,即一个机器周期是1us。for(i=0,i<100;i++) for(j=0,j<100;j++) 我觉得时间是100*100*1us=10ms,怎么会是100ms 答: 不可能的,是不是你的编译有错的啊 我改的晶振12M,在KEIL 4.0 里面编译的,为你得出的结果最大也就是40ms,这是软件的原因, 不可能出现100ms那么大的差距,是你的软件的原因。 不信你实际编写一个秒钟,利用原理计算编写一个烧进单片机和利用软件测试的秒程序烧进单片机,你会发现原理计算的程序是正确的

STM32的几种延时方法

STM32的几种延时方法(基于MDK固件库3.0,晶振8M) 单片机编程过程中经常用到延时函数,最常用的莫过于微秒级延时delay_us()和毫秒级delay_ms()。 1.普通延时法 这个比较简单,让单片机做一些无关紧要的工作来打发时间,经常用循环来实现,不过要做的比较精准还是要下一番功夫。下面的代码是在网上搜到的,经测试延时比较精准。 //粗延时函数,微秒 void delay_us(u16 time) { u16 i=0; while(time--) { i=10; //自己定义 while(i--) ; } } //毫秒级的延时 void delay_ms(u16 time) { u16 i=0; while(time--) { i=12000; //自己定义 while(i--) ; } } 2.SysTick 定时器延时 CM3 内核的处理器,内部包含了一个SysTick定时器,SysTick是一个24 位的倒计数定时器,当计到0 时,将从RELOAD 寄存器中自动重装载定时初值。只要不把它在SysTick控制及状态寄存器中的使能位清除,就永不停息。SysTick 在STM32 的参考手册里面介绍的很简单,其详细介绍,请参阅《Cortex-M3 权威指南》。 这里面也有两种方式实现: a.中断方式 如下,定义延时时间time_delay,SysTick_Config()定义中断时间段,在中断中递减time_delay,从而实现延时。 volatile unsigned long time_delay; // 延时时间,注意定义为全局变量 //延时n_ms void delay_ms(volatile unsigned long nms) { //SYSTICK分频--1ms的系统时钟中断 if (SysTick_Config(SystemFrequency/1000))

51单片机精确延时源程序

51单片机精确延时源程序 一、晶振为 11.0592MHz,12T 1、延时 1ms: (1)汇编语言: 代码如下: DELAY1MS: ;误差 -0.651041666667us MOV R6,#04H DL0: MOV R5,#71H DJNZ R5,$ DJNZ R6,DL0 RET (2)C语言: void delay1ms(void) //误差 -0.651041666667us { unsigned char a,b; for(b=4;b>0;b--) for(a=113;a>0;a--); } 2、延时 10MS: (1)汇编语言: DELAY10MS: ;误差 -0.000000000002us MOV R6,#97H DL0: MOV R5,#1DH DJNZ R5,$ DJNZ R6,DL0

RET (2)C语言: void delay10ms(void) //误差 -0.000000000002us { unsigned char a,b; for(b=151;b>0;b--) for(a=29;a>0;a--); } 3、延时 100MS: (1)汇编语言: DELAY100MS: ;误差 -0.000000000021us MOV R7,#23H DL1: MOV R6,#0AH I

棋影淘宝店:https://www.sodocs.net/doc/0215844904.html,QQ:149034219 DL0: MOV R5,#82H DJNZ R5,$ DJNZ R6,DL0 DJNZ R7,DL1 RET (2)C语言: void delay100ms(void) //误差 -0.000000000021us { unsigned char a,b,c; for(c=35;c>0;c--) for(b=10;b>0;b--) for(a=130;a>0;a--); } 4、延时 1S: (1)汇编语言: DELAY1S: ;误差 -0.00000000024us MOV R7,#5FH DL1: MOV R6,#1AH DL0: MOV R5,#0B9H DJNZ R5,$ DJNZ R6,DL0 DJNZ R7,DL1 RET (2)C语言: void delay1s(void) //误差 -0.00000000024us { unsigned char a,b,c; for(c=95;c>0;c--) for(b=26;b>0;b--)

单片机精确毫秒延时函数

单片机精确毫秒延时函数 实现延时通常有两种方法:一种是硬件延时,要用到定时器/计数器,这种方法可以提高CPU的工作效率,也能做到精确延时;另一种是软件延时,这种方法主要采用循环体进行。今天主要介绍软件延时以及单片机精确毫秒延时函数。 单片机的周期介绍在电子技术中,脉冲信号是一个按一定电压幅度,一定时间间隔连续发出的脉冲信号。脉冲信号之间的时间间隔称为周期;而将在单位时间(如1秒)内所产生的脉冲个数称为频率。频率是描述周期性循环信号(包括脉冲信号)在单位时间内所出现的脉冲数量多少的计量名称;频率的标准计量单位是Hz(赫)。电脑中的系统时钟就是一个典型的频率相当精确和稳定的脉冲信号发生器。 指令周期:CPU执行一条指令所需要的时间称为指令周期,它是以机器周期为单位的,指令不同,所需的机器周期也不同。对于一些简单的的单字节指令,在取指令周期中,指令取出到指令寄存器后,立即译码执行,不再需要其它的机器周期。对于一些比较复杂的指令,例如转移指令、乘法指令,则需要两个或者两个以上的机器周期。通常含一个机器周期的指令称为单周期指令,包含两个机器周期的指令称为双周期指令。 时钟周期:也称为振荡周期,一个时钟周期= 晶振的倒数。对于单片机时钟周期,时钟周期是单片机的基本时间单位,两个振荡周期(时钟周期)组成一个状态周期。 机器周期:单片机的基本操作周期,在一个操作周期内,单片机完成一项基本操作,如取指令、存储器读/写等。 机器周期=6个状态周期=12个时钟周期。 51单片机的指令有单字节、双字节和三字节的,它们的指令周期不尽相同,一个单周期指令包含一个机器周期,即12个时钟周期,所以一条单周期指令被执行所占时间为12*(1/ 晶振频率)= x s。常用单片机的晶振为11.0592MHz,12MHz,24MHz。其中11.0592MHz 的晶振更容易产生各种标准的波特率,后两种的一个机器周期分别为1 s和2 s,便于精确延时。 单片机精确毫秒延时函数对于需要精确延时的应用场合,需要精确知道延时函数的具体延

AVR单片机常用的延时函数

AVR单片机常用的延时函数 /******************************************************************** *******/ //C header files:Delay function for AVR //MCU:ATmega8 or 16 or 32 //Version: 1.0beta //The author: /******************************************************************** *******/ #include void delay8RC_us(unsigned int time) //8Mhz内部RC震荡延时Xus { do { time--; } while(time>1); } void delay8RC_ms(unsigned int time) //8Mhz内部RC震荡延时Xms { while(time!=0) { delay8RC_us(1000); time--; } } /******************************************************************** **********/ void delay1M_1ms(void) //1Mhz延时1ms { unsigned char a,b,c; for(c=1;c>0;c--) for(b=142;b>0;b--) for(a=2;a>0;a--); } void delay1M_xms(unsigned int x) //1Mhz延时xms { unsigned int i; for(i=0;i

STM32的几种延时方法

STM32的几种延时方法(基于MDK固件库,晶振8M)单片机编程过程中经常用到延时函数,最常用的莫过于微秒级延时delay_us( )和毫秒级delay_ms( )。 1.普通延时法 这个比较简单,让单片机做一些无关紧要的工作来打发时间,经常用循环来实现,不过要做的比较精准还是要下一番功夫。下面的代码是在网上搜到的,经测试延时比较精准。 断方式 如下,定义延时时间time_delay,SysTick_Config()定义中断时间段,在中断中递减time_delay,从而实现延时。 volatile unsigned long time_delay; 中断方式 主要仿照原子的《STM32不完全手册》。SYSTICK 的时钟固定为HCLK 时钟的1/8,在这里我们选用内部时钟源72M,所以SYSTICK的时钟为9M,即SYSTICK 定时器以9M的频率递减。SysTick 主要包含CTRL、LOAD、VAL、CALIB 等4 个寄存器, 程序如下,相当于查询法。 //仿原子延时,不进入systic中断

void delay_us(u32 nus) { u32 temp; SysTick->LOAD = 9*nus; SysTick->VAL=0X00;//清空计数器 SysTick->CTRL=0X01;//使能,减到零是无动作,采用外部时钟源 do { temp=SysTick->CTRL;//读取当前倒计数值 }while((temp&0x01)&&(!(temp&(1<<16))));//等待时间到达 SysTick->CTRL=0x00; //关闭计数器 SysTick->VAL =0X00; //清空计数器 } void delay_ms(u16 nms) { u32 temp; SysTick->LOAD = 9000*nms; SysTick->VAL=0X00;//清空计数器 SysTick->CTRL=0X01;//使能,减到零是无动作,采用外部时钟源 do { temp=SysTick->CTRL;//读取当前倒计数值 }while((temp&0x01)&&(!(temp&(1<<16))));//等待时间到达 SysTick->CTRL=0x00; //关闭计数器 SysTick->VAL =0X00; //清空计数器 } 三种方式各有利弊,第一种方式容易理解,但不太精准。第二种方式采用库函数,编写简单,由于中断的存在,不利于在其他中断中调用此延时函数。第三种方式直接操作寄存器,看起来比较繁琐,其实也不难,同时克服了以上两种方式的缺点,个人感觉比较好用。

CVAVR 软件中启动delay库,调用delay_ms()函数,自动带了喂狗程序

CV A VR 软件中启动delay.h库,调用delay_ms()函数,自动带了喂狗程序 近期在学习中发现个问题,CV A VR 中启动delay.h库,调用delay_ms()函数延时,系统怎么都不复位重启,即使打开看门狗熔丝位,看门狗也不会重启,找了很久原因,发现是调用调用系统自身带的delay_ms()函数引起的,换成自己的简单延时函数,问题就解决,看门狗可以正常工作,后面附带我自己写的简单延时函数。 后来查找问题,发现系统中的delay_ms()函数自带了喂狗程序,所以不会自动的重启,请大家放心使用,用延时函数看门狗不溢出是正常的。后面附带软件编辑后生产的汇编程序,一看就知道确实带了喂狗。 今天写出来供大家注意,不要犯我同样的问题。 /***************************************************** This program was produced by the CodeWizardA VR V1.25.9 Standard Chip type : A Tmega8L Program type : Application Clock frequency : 1.000000 MHz Memory model : Small External SRAM size : 0 Data Stack size : 256 *****************************************************/ #include #include // Declare your global variables here void main(void) { // Declare your local variables here // Input/Output Ports initialization // Port B initialization // Func7=In Func6=In Func5=In Func4=In Func3=In Func2=In Func1=In Func0=In // State7=T State6=T State5=T State4=T State3=T State2=T State1=T State0=T PORTB=0x00; DDRB=0x00; // Port C initialization // Func6=In Func5=In Func4=In Func3=In Func2=In Func1=In Func0=In // State6=T State5=T State4=T State3=T State2=T State1=T State0=T PORTC=0x00; DDRC=0x00; // Port D initialization // Func7=In Func6=In Func5=In Func4=In Func3=In Func2=In Func1=In Func0=In // State7=T State6=T State5=T State4=T State3=T State2=T State1=T

单片机写延时程序的几种方法

单片机写延时程序的几种方法 1)空操作延時(12MHz) void delay10us() { _NOP_(); _NOP_(); _NOP_(); _NOP_(); _NOP_(); _NOP_(); } 2)循環延時 (12MHz) Void delay500ms() { unsigned char i,j,k; for(i=15;i>;0;i--) for(j=202;j>;0;j--) for(k=81;k>;0;k--); }

延時總時間=[(k*2+3)*j+3]*i+5 k*2+3=165 us 165*j+3=33333 us 33333*i+5=500000 us=500 ms 3)計時器中斷延時(工作方式2) (12MHz) #include; sbit led=P1^0; unsigned int num=0; void main() { TMOD=0x02; TH0=6; TL0=6; EA=1; ET0=1; TR0=1; while(1) { if(num==4000) { num=0;

led=~led; } } } void T0_time() interrupt 1 { num++; } 4)C程序嵌入組合語言延時 #pragma asm …… 組合語言程序段 …… #pragma endasm KEIL軟件仿真測量延時程序延時時間

這是前段事件總結之延時程序、由於不懂組合語言,故NO.4無程序。希望對你有幫助!!! 對於12MHz晶振,機器周期為1uS,在執行該for循環延時程式的時候 Void delay500ms() { unsigned char i,j,k; for(i=15;i>;0;i--) for(j=202;j>;0;j--) for(k=81;k>;0;k--); } 賦值需要1個機器周期,跳轉需要2個機器周期,執行一次for循環的空操作需要2個機器周期,那么,對於第三階循環 for(k=81;k>;0;k--);,從第二階跳轉到第三階需要2機器周期,賦值需要1個機器周期,執行81次則需要2*81個機器周期,執行一次二階for循環的事件為81*2+1+2;執行了220次,則(81*2+3)*220+3,執行15次一階循環,則 [(81*2+3)*220+3]*15,由於不需要從上階跳往下階,則只加賦值的一個機器周期,另外進入該延時子函數和跳出該函數均需要2個機器周期,故

51单片机的几种精确延时

51单片机的几种精确延时.txt这是一个禁忌相继崩溃的时代,没人拦得着你,只有你自己拦着自己,你的禁忌越多成就就越少。自卑有多种档次,最高档次的自卑表现为吹嘘自己干什么都是天才。51单片机的几种精确延时实现延时通常有两种方法:一种是硬件延时,要用到定时器/计数器,这种方法可以提高CPU的工作效率,也能做到精确延时;另一种是软件延时,这种方法主要采用循环体进行。 1 使用定时器/计数器实现精确延时 单片机系统一般常选用11.059 2 MHz、12 MHz或6 MHz晶振。第一种更容易产生各种标准的波特率,后两种的一个机器周期分别为1 μs和2 μs,便于精确延时。本程序中假设使用频率为12 MHz的晶振。最长的延时时间可达216=65 536 μs。若定时器工作在方式2,则可实现极短时间的精确延时;如使用其他定时方式,则要考虑重装定时初值的时间(重装定时器初值占用2个机器周期)。 在实际应用中,定时常采用中断方式,如进行适当的循环可实现几秒甚至更长时间的延时。使用定时器/计数器延时从程序的执行效率和稳定性两方面考虑都是最佳的方案。但应该注意,C51编写的中断服务程序编译后会自动加上PUSH ACC、PUSH PSW、POP PSW和POP ACC 语句,执行时占用了4个机器周期;如程序中还有计数值加1语句,则又会占用1个机器周期。这些语句所消耗的时间在计算定时初值时要考虑进去,从初值中减去以达到最小误差的目的。 2 软件延时与时间计算 在很多情况下,定时器/计数器经常被用作其他用途,这时候就只能用软件方法延时。下面介绍几种软件延时的方法。 2.1 短暂延时 可以在C文件中通过使用带_NOP_( )语句的函数实现,定义一系列不同的延时函数,如Delay10us( )、Delay25us( )、Delay40us( )等存放在一个自定义的C文件中,需要时在主程序中直接调用。如延时10 μs的延时函数可编写如下: void Delay10us( ) { _NOP_( ); _NOP_( ); _NOP_( ); _NOP_( ); _NOP_( ); _NOP_( ); } Delay10us( )函数中共用了6个_NOP_( )语句,每个语句执行时间为1 μs。主函数调用Delay10us( )时,先执行一个LCALL指令(2 μs),然后执行6个_NOP_( )语句(6 μs),最后执行了一个RET指令(2 μs),所以执行上述函数时共需要10 μs。可以把这一函数

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