高频电子技术习题库
高频小信号调谐放大器
1．通频带为什么是小信号谐振放大器的一个重要指标？通频带不够会给信号带来什么影响？为什么？
答：小信号谐振放大器的基本功能是选择和放大信号，而被放大的信号一般都是已调信号，包含一定的边频，小信号谐振放大器的通频带的宽窄直接关系到信号通过放大器后是否产生失真，或产生的频率失真是否严重，因此，通频带是小信号谐振放大器的一个重要指标。通频带不够将使输入信号中处于通频带以外的分量衰减，使信号产生失真。
2.超外差接收机（远程接收机）高放管为什么要尽量选用低噪声管？
答：多级放大器的总噪声系数为
由于每级放大器的噪声系数总是大于1，上式中的各项都为正值，因此放大器级数越多，总的噪声系数也就越大。上式还表明，各级放大器对总噪声系数的影响是不同的，第一级的影响最大，越往后级，影响就越小。因此，要降低整个放大器的噪声系数，最主要的是降低第一级（有时还包括第二级）的噪声系数，并提高其功率增益。综上所述，超外差接收机（远程接收机）高放管要尽量选用低噪声管，以降低系统噪声系数，提高系统灵敏度。
3．在小信号谐振放大器中，三极管与回路之间常采用部分接入，回路与负载之间也采用部分接入，这是为什么？
解：这是因为外接负载阻抗会使回路的等效电阻减小，品质因数下降，导致增益下降，带宽展宽，谐振频率变化等，因此，采用部分接入，可以减小它们的接入对回路Q值和谐振频率的影响，从而提高了电路的稳定性，且使前后级的阻抗匹配。
4.影响谐振放大器稳定的因素是什么？反向传输导纳的物理意义是什么？
5.声表面波滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器各有什么特点？各适用于什么场合？
6.为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化，而在低频工作时可以不考虑？
7.在小信号调谐放大器中，三极管的集电极负载通常采用什么电路，其作用有哪些？
8.矩形系数是衡量放大器哪个参数的物理量？
9.小信号调谐放大电路直流通路和交流通路画法的要点是什么？
10.高频小信号调谐放大器一般工作在什么状态？
正弦波振荡
1.振荡器的振荡频率取决于什么电路？
2. 为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用哪种类型？
3. 为什么晶体管LC振荡器总是采用固定偏置与自生偏置混合的偏置电路？
答：晶体管LC振荡器采用固定的正向偏置是为了使振荡器起振时为软激励状态，在无需外加激励信号时就能起振，也不致停振。而采用自生反向偏置则可以稳幅。若两者不结合，则两者优点不可兼而有之。
4.若反馈振荡器满足起振和平衡条件，则必须满足稳定条件，这种说法是否正确？为什么？答：否。因为满足起振与平衡条件后，振荡由小到大并达到平衡。但当外界因素(T、VCC)变化时，平衡条件受到破坏，若不满足稳定条件，振荡器不能回到平衡状态，导致停振。5．试问仅用一只三用表，如何判断电路是否振荡？
解：由上一题分析可知，通过测试三极管的偏置电压uBEQ即可判断电路是否起振。短路谐振电感，令电路停振，如果三极管的静态偏置电压uBEQ增大，说明电路已经振荡，否则电路未振荡。
6．一反馈振荡器，若将其静态偏置电压移至略小于导通电压处，试指出接通电源后应采取什么措施才能产生正弦波振荡，为什么？
解：必须在基极加一个起始激励信号，使电路起振，否则，电路不会振荡。
7.放大器与振荡器的主要区别是什么？
8. 设计一个振荡频率可调的高频高稳定度的振荡器，可采用哪种振荡器？
9. 串联型晶体振荡器中，晶体在电路中的作用等效于什么元件？
10. 并联型晶体振荡器中，晶体在电路中的作用等效于什么元件？
11. 正弦波振荡器中正反馈网络的作用是什么？
12. 要产生较高频率信号应采用哪种振荡器，要产生较低频率信号应采用哪种振荡器，要产生频率稳定度高的信号应采用哪种振荡器？
混频
1、超外差接收机中，能够实现超外差技术的单元电路是什么？
2、混频器的作用是将接受的高频信号变换为什么信号。
3、在调幅广播收音机中，无论电台的载频是多少，经过混频后，都一样变为的中频是多少？
4、用二极管、三极管作混频器是因为它们具有什么特性？
5、混频与本振电路合一时称为什么电路？
6、调幅、同步检波和混频都可以用模拟乘法器来实现。同步检波是同步信号和什么信号相乘；混频是本机振荡信号与什么信号相乘。
7、混频器和变频器有什么不同？
8．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz 的干扰信号，此干扰是什么干扰？
9．混频器主要用于无线通信系统的发送设备还是接收设备？
10．混频器输出的信号为什么信号？
11．超外差接收机中的超外差技术是由什么电路实现的？
检波
1.大信号包络检波电路有哪三部分组成？
2.检波从频谱上看，是一种信号频谱的线性搬移过程，是如何搬移的？
3.检波器的非线性失真是由什么的非线性引起的？
4.检波器的频率失真是由什么引起的？
5.检波器产生惰性失真的原因是什么？
6.检波器产生负峰切割失真的原因是什么？
半导体物理学试题库完整
一．填空题 1．能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的_________.引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的_________的作用。（二阶导数.内部势场） 2．半导体导带中的电子浓度取决于导带的_________（即量子态按能量如何分布）和_________（即电子在不同能量的量子态上如何分布）。（状态密度.费米分布函数） 3．两种不同半导体接触后, 费米能级较高的半导体界面一侧带________电.达到热平衡后两者的费米能级________。（正.相等） 4．半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央.其导带极小值位于________方向上距布里渊区边界约0.85倍处.因此属于_________半导体。（[100]. 间接带隙） 5．间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为_________；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为________。（弗仑克耳缺陷.肖特基缺陷） 6．在一定温度下.与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为_________.高于费米能级2kT能级处的占据概率为_________。（1/2.1/1+exp(2)） 7．从能带角度来看.锗、硅属于_________半导体.而砷化稼属于_________半导体.后者有利于光子的吸收和发射。（间接带隙.直接带隙） 8．通常把服从_________的电子系统称为非简并性系统.服从_________的电子系统称为简并性系统。（玻尔兹曼分布.费米分布） 9. 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与_________有关.而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于_________的大小。（温度.禁带宽度） 10. 半导体的晶格结构式多种多样的.常见的Ge和Si材料.其原子均通过共价键四面体相互结合.属于________结构；与Ge和Si晶格结构类似.两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成_________和纤锌矿等两种晶格结构。（金刚石.闪锌矿） 11.如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化.则具有这种能带结构的半导体称为_________禁带半导体.否则称为_________禁带半导体。（直接.间接） 12. 半导体载流子在输运过程中.会受到各种散射机构的散射.主要散射机构有_________、 _________ 、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。（电离杂质的散射.晶格振动的散射） 13. 半导体中的载流子复合可以有很多途径.主要有两大类：_________的直接复合和通过禁带内的_________进行复合。（电子和空穴.复合中心）
《高频电子技术》作业(.8.23.)
《高频电子技术》作业 一、填空、选择 1、某无线通信系统的工作频率为225MHz ，它属于 超短波 频段，波长λ= 米，主要传播方式是 直线传播 ，若天线为线天线，其长度约为 米。 2、并联LC 回路在高频电路中作为负载，具有 ： 选频 、 阻抗变换 ， 功能。 3、高频小信号放大器的主要性能指标有： 放大倍数 、 输入阻抗 、 输出阻抗、和稳定性。为了提高稳定性，常用的措施有： 中和 、 失配。 4、高频功放在放大调频信号时，一般选： 临界 工作状态；高频功放在放大AM 信号时，一般选： 欠压 工作状态。 5、二极管峰值包络检波器用于解调 AM 信号。假设原电路工作正常，若负载电容器C 加大，会引起 惰性 失真；若调制度m 加大，会引起 惰性、底部 失真。 6、高频小信号谐振放大器的主要作用是： 放大 和 滤波 。从晶 体管角度看，影响高频小信号放大器稳定性的因素为 bc C ' ，可用 中和法 、 失配法 等方法提高稳定性。 7、噪声系数F N 用于衡量放大器内部噪声大小。F N 越大，则内部噪声越 大 （大或小）。对级联系统而言，其噪声系数主要取决于： 第一级 （第一级，中间级，末级）。 8、设FM 波V t t t u FM )106sin 25102cos(5)(37?+?=ππ，其载频c f = 107 Hz ，调制信号频率F= 3×103 Hz ，最大频偏=?m f 75×103 Hz ，调频指数=f m 25 ，
信号带宽FM B = 156×103 Hz ；若调制信号幅度不变，调制信号频率F 增大一倍，则信号带宽FM B = 162×103 Hz 。 图9 9、图9所示振荡器电路，o u 的频率为 27 MHz ，晶振在电路中的主要作用是： 等效电感 。 10、高频谐振动率放大器大多工作在： C 类工作状态。高频谐振功放用作集电极调制器，其工作状态应选为 ： 过压 。（1）临界 （2）欠压 （3）过压 11、电路如图11所示，1000=Q ，0ω= 2×108rad/s ，i R = Ωk 5.2 ，707.0B = 2×106rad/s 。 12、中波波段的频率范围通常为 300kHz ～3MHz ，波长为 102～103m ，主要传播方式为 地波、天波 。 13、已知一接收机正常接收时所需的最小信噪比为20dB ， 其带宽为6MHz ，噪声系数为10db ，则该接收机的灵敏度为 。（)/1038.123K J k -?= 图11 14、高频功率放大器在输入为AM 信号时，应选择在 欠压 状态工作；若输入为FM 信号时，应选择在 弱过压（临界） 状态工作。 15、并联型晶体振荡器中，晶体等效为 电感 ；在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 选频短路线 。 16、FM 信号可以通过倍频扩大频偏。N 倍频后，其频率稳定度 （b ）不变 。 （a ）提高了N 倍 （b ）不变 （c ）降低了N 倍
高频电子技术试题库第三章
一、选择题（每题2分） 1在调谐功率放大器中，晶体管工作延伸到非线性区域包括。（） A．截止和饱和区 B．线性和截止区 C．线性和饱和区 答案：A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。（） A． U B．b E C．L R j 答案：C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min （） A． U B．bm U C．cm U ces 答案：A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。（） A．射极电流 B．基极电流 C．集电极电流
答案：C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。（） A．甲类 B．乙类 C．丙类答案：C 6 窄带高频功率放大器又被称为。（） A．调谐功率放大器 B．非调谐功率放大器 C．传输线放大器 答案：A 7 高频调谐功率放大器分析方法。（） A．近似法 B．折线法 C．等效分析法 答案：B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。（） A．正偏 B．反偏 C．0偏置 答案：B
9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。（） A．180o B．90o C．小于90o 答案：C 10 高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于区。（） A．截止 B．饱和 C．线性放大 答案：A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o 答案：B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为。（） A．20o~ 40o B．40o ~ 60o C．60o~ 80o
答案：C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，展开系数最大的是 。（ ） A ．0α B ．1α C ．2α 答案：B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最大值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中，对应任意导通角，10αα最小值为 。（ ） A ．3 B ．2 C ．1 答案：C 16 某晶体管的转移特性，其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-，激励信号 电压幅值bm U =3.2V ，则导通角为 。（ ） A ．90o B ．60o C ．30o 答案：B
半导体物理学练习题(刘恩科)
第一章半导体中的电子状态 例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。 解：K状态电子的速度为： （1）同理，－K状态电子的速度则为： （2）从一维情况容易看出： （3）同理 有： （4） （5） 将式（3）（4）（5）代入式（2）后得： （6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。 例2.已知一维晶体的电子能带可写成： 式中，a为晶格常数。试求： （1）能带的宽度； （2）能带底部和顶部电子的有效质量。 解：（1）由E(k)关 系 （1）
（2） 令得： 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极小值。 当时，代入（2）得： 对应E(k)的极大值。 根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。 故：能带宽度 （3）能带底部和顶部电子的有效质量： 习题与思考题： 1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 2 试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。 3 试指出空穴的主要特征。 4 简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。
5 某一维晶体的电子能带为 其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求： （1）能带宽度； （2）能带底和能带顶的有效质量。 6原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同？原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同？ 7晶体体积的大小对能级和能带有什么影响？ 8描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念？用电子的惯性质量 描述能带中电子运动有何局限性？ 9 一般来说，对应于高能级的能带较宽，而禁带较窄，是否如此？为什么？ 10有效质量对能带的宽度有什么影响？有人说：“有效质量愈大，能量密度也愈大，因而能带愈窄。”是否如此？为什么？ 11简述有效质量与能带结构的关系？ 12对于自由电子，加速反向与外力作用反向一致，这个结论是否适用于布洛赫电子？ 13从能带底到能带顶，晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同？ 14试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性？以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系？ 15为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？16为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述？ 17有两块硅单晶，其中一块的重量是另一块重量的二倍。这两块晶体价带中的能级数是否相等？彼此有何联系？ 18说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同。 19为什么极值附近的等能面是球面的半导体，当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰？ 第二章半导体中的杂质与缺陷能级 例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝ 0.97， ＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计： （1）施主和受主电离能; （2）基态电子轨道半径 解：（1）利用下式求得和。
《高频电子技术》试卷及答案
试卷代号： ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题（每空1分，共30分） 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器，多级级联增益 ，通频带 ，选择性 。 4、镜像干扰是指 ，抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ，问接收机本振频率为 ，对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ，各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ，最小值为 ，边频信号幅度为 ，载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后，由于串联电感增加，串联谐振频率 ，而并联谐振频率 ，通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题（每小题3分，共18分） ）时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态，现欲调整使它工作在临界状态，可采用（ ）方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中，信号需要调制的原因是（ ） A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在（ ），高电平调幅器应用在（ ） A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中，功率消耗最大的是（ ） A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ，调幅系数M=0.3，载波与边频总功率为（ ） C 1090W D 1180W 三、判断题（每小题1分，共10分） 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现，这样，输出信号的失真可以减小。（ ） 2、非线性器件有频率变换作用，而混频电路中也是频率变换电路的一种，所以说非线性器件有混频作用。（ ） 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。（ ） 4、二极管大信号包络检波器原来无失真，但当输入已调波信号幅度增大时，则将可能产生负峰切割失真。（ ） 5、同步检波，可以用来解调任何类型的调幅波。（ ） 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近，通频带宽度很窄。（ ） 7、谐振回路Q 值越高，谐振曲线就越尖锐，选择性就越好，而通频带就越宽。（ ） 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。（ ） 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法，但中和法较难调整。（ ） 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路，但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。（ ） 四、画图题（10分） 已知调幅波表达式，画出他们的波形和频谱图。（c ω=5Ω） (1+0.5COS t t c ωsin )Ω
最新高频电子期末考试试题及答案
《高频电子技术》科期考试题 考试类型：理论考试时间：90分钟出题老师：韦艳云 考试班级：考生姓名：考生学号：卷面成绩： 一、填空题（每空一分，共 35分）。 1、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 2、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） 3、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 4、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 5、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 6、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变 ，当f
（答案：谐振曲线顶部凹陷） 12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。 （答案：传输；滤波；匹配） 13、设一放大器工作状态有下述几种：甲类，乙类，丙类。效率最高。（答案：丙类） 14、反馈式振荡器的自激条件是。 （答案：正反馈） 15、正弦波振荡器由、、组成。 （答案：放大器；反馈网络；选频网络） 二、选择题(每题2分，共20分)。 1、下列表达式正确的是（ B ）。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与（A ）相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 3、电视、调频广播和移动通信均属（A ）通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 4、串联谐振曲线是（ B ）之间的关系。 A）回路电流I与谐振时回路电流I0 B）回路电流幅值与信号电压频率 C）回路电压幅值与信号电流频率D）谐振时回路电流I0与信号电压频率 5、强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷（A ）。 A) 越大B)越小C) 不出现
半导体物理学题库20121229
1．固体材料可以分为 晶体 和 非晶体 两大类，它们之间的主要区别是 。 2．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半 导体称 N 型半导体。 3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施 主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载 流子将做 漂移 运动。 5．对n 型半导体，如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非 简并条件； 为弱简并条件； 简并条件。 6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指： ； 7．施主杂质电离后向 带释放 ，在材料中形成局域的 电中心；受主杂质电离后 带释放 ， 在材料中形成 电中心； 8．半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。 9. 半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。 10.施主杂质电离后向半导体提供 ，受主杂质电离后向半导体提供 ，本征激发后向半导体提 供 。 11.对于一定的n 型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致 靠近Ei 。 12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与 和 有关，而与 、 无关。 A. 杂质浓度 B. 杂质类型 C. 禁带宽度 D. 温度 12. 指出下图各表示的是什么类型半导体？ 13．n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积n o p o 改变否？ 不 变 ；当温度变化时，n o p o 改变否？ 改变 。 14．非平衡载流子通过 复合作用 而消失， 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ，寿命 τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关，对于强p 型和 强n 型材料，小注入时寿命τn 为 ，寿命τp 为 . 15． 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子 运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 q n n 0=μ ，称为 爱因斯坦 关系式。 16．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用，后者在 温度高 下起主要作用。 17．半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ；深能级杂质所起的主 要作用 对载流子进行复合作用 。
高频电子技术习题库
高频小信号调谐放大器 1．通频带为什么是小信号谐振放大器的一个重要指标？通频带不够会给信号带来什么影响？为什么？ 答：小信号谐振放大器的基本功能是选择和放大信号，而被放大的信号一般都是已调信号，包含一定的边频，小信号谐振放大器的通频带的宽窄直接关系到信号通过放大器后是否产生失真，或产生的频率失真是否严重，因此，通频带是小信号谐振放大器的一个重要指标。通频带不够将使输入信号中处于通频带以外的分量衰减，使信号产生失真。 2.超外差接收机（远程接收机）高放管为什么要尽量选用低噪声管？ 答：多级放大器的总噪声系数为 由于每级放大器的噪声系数总是大于1，上式中的各项都为正值，因此放大器级数越多，总的噪声系数也就越大。上式还表明，各级放大器对总噪声系数的影响是不同的，第一级的影响最大，越往后级，影响就越小。因此，要降低整个放大器的噪声系数，最主要的是降低第一级（有时还包括第二级）的噪声系数，并提高其功率增益。综上所述，超外差接收机（远程接收机）高放管要尽量选用低噪声管，以降低系统噪声系数，提高系统灵敏度。 3．在小信号谐振放大器中，三极管与回路之间常采用部分接入，回路与负载之间也采用部分接入，这是为什么？ 解：这是因为外接负载阻抗会使回路的等效电阻减小，品质因数下降，导致增益下降，带宽展宽，谐振频率变化等，因此，采用部分接入，可以减小它们的接入对回路Q值和谐振频率的影响，从而提高了电路的稳定性，且使前后级的阻抗匹配。 4.影响谐振放大器稳定的因素是什么？反向传输导纳的物理意义是什么？ 5.声表面波滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器各有什么特点？各适用于什么场合？ 6.为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化，而在低频工作时可以不考虑？ 7.在小信号调谐放大器中，三极管的集电极负载通常采用什么电路，其作用有哪些？ 8.矩形系数是衡量放大器哪个参数的物理量？ 9.小信号调谐放大电路直流通路和交流通路画法的要点是什么？ 10.高频小信号调谐放大器一般工作在什么状态？ 正弦波振荡 1.振荡器的振荡频率取决于什么电路？ 2. 为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用哪种类型？ 3. 为什么晶体管LC振荡器总是采用固定偏置与自生偏置混合的偏置电路？ 答：晶体管LC振荡器采用固定的正向偏置是为了使振荡器起振时为软激励状态，在无需外加激励信号时就能起振，也不致停振。而采用自生反向偏置则可以稳幅。若两者不结合，则两者优点不可兼而有之。 4.若反馈振荡器满足起振和平衡条件，则必须满足稳定条件，这种说法是否正确？为什么？答：否。因为满足起振与平衡条件后，振荡由小到大并达到平衡。但当外界因素(T、VCC)变化时，平衡条件受到破坏，若不满足稳定条件，振荡器不能回到平衡状态，导致停振。5．试问仅用一只三用表，如何判断电路是否振荡？ 解：由上一题分析可知，通过测试三极管的偏置电压uBEQ即可判断电路是否起振。短路谐振电感，令电路停振，如果三极管的静态偏置电压uBEQ增大，说明电路已经振荡，否则电路未振荡。 6．一反馈振荡器，若将其静态偏置电压移至略小于导通电压处，试指出接通电源后应采取什么措施才能产生正弦波振荡，为什么？
高频电子技术试题库 第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
半导体物理学 (第七版) 习题答案
半导体物理习题解答 1－1．（P 32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c （k ）和价带极大值附近能量E v （k ）分别为： E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h －0 2 23m k h ； m 0为电子惯性质量，k 1＝1/2a ；a ＝0.314nm 。试求： ①禁带宽度； ②导带底电子有效质量； ③价带顶电子有效质量； ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(＝0232m k h ＋0 12)(2m k k h -＝0；可求出对应导带能量极小值E min 的k 值： k min ＝ 14 3 k ， 由题中E C 式可得：E min ＝E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ； 由题中E V 式可看出，对应价带能量极大值Emax 的k 值为：k max ＝0； 并且E min ＝E V (k)|k=k max ＝02126m k h ；∴Eg ＝E min －E max ＝021212m k h ＝2 02 48a m h ＝11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????＝0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=；∴ m n ＝022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=，∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k ＝h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1－2．（P 33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带 底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ，∵F =h dt dk =q E （取绝对值） ∴dt =qE h dk
高频电子技术复习资料
一、填空题： 1. 按照测量方式来分，测量分为直接测量、____间接__测量和_组合_____测量三类。 2. 示波器属于____时__域测量仪器，而频谱仪属于___频___域测量仪器。 3. 用量程为 100mA 的电流表测量电流，若测量值为 95mA，实际值为，则绝对误差为，满度误差为％_____。 4. 仪表的等级分为____7__个等级，其中准确度最低的是。 5. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表，其最大的满度误差为_2%_____，在量程范围里面，其最大的绝对误差为_1_____V。 6. 将数字和保留 3 位有效数字，其值为__105____和__104____。 7. 系统误差决定了测量的__正确____度；而随机误差决定了测量的_____精密_____度；而两者决定了系统的_精确____精确_______度。 8. 一色环电阻，四环的颜色顺序为红、紫、红、金，那么它的阻值为___2700Ω___。 9. 一般的高频信号发生器能够输出正弦信号、__脉冲信号____和__高频信号____。 10. 我们民用交流电的电压值是 220V，那么它的均值是_220V_______。 11. 用一个正弦有效刻度的峰值电压表测量一个三角波电压，示值为 10V，那么这个三 角波电压的有效值是。
12. 如果一个放大器的增益为 100 倍，用分贝来表示，为____40____dB，两个放大器串联，总增益为____80____ dB。 13. 用测频法测量频率时，被测信号的频率越低，测量准确度越__高____。 14. 放大—检波式灵敏度较__高____，工作频率较___低___，这种电压表也称作__低频____毫伏表。 15. 基本量程为 1V，最大显示为的 DVM，通常称为_4又1/2_____位 DVM，___没有___（有/没有）超量程能力。 16. 欲在 X=10div 长度对测量信号显示两个周期为 1mS 的完整波形，示波器应具有的扫描速度为div______。 17. 示波器中扫描发生器产生的是__锯齿波______波信号。 18. 测量的结果包括___数值___和__单位____两部分。 19. 扫频仪属于___频___域测量仪器，而逻辑分析仪属于__数据____域测量仪器。 20. 一个电压的真值而 100 伏，有电压表测量的示值为 105 伏，那么测量的绝对误差是___5V_________，实际相对误差是__5%_____。 21. 仪表的等级分为___7___个等级，其中准确度最高的是 22. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表，其最大的满度误差为_1%_____，在
高频电子技术复习题
一、填空题 1.LC回路并联谐振时，回路_______最大，电压电流相位为_______； 2.为了提高放大器的稳定性，可以从电路上设法消除晶体管的内部反向作用， 具体方法有_______法和_______法。 3.与低频功放不同，高频功放选用谐振回路作负载，完成两个功能，即_______ 和_______。 4. 集中选频放大器由____________，___________两部分组成。 5.三点振荡器的类型有_____________反馈型和____________反馈型； 6．集电极调幅晶体管应工作于___________________状态； 7、双调谐回路的两种耦合形式为、。 8、普通调幅波的频带宽度为调制信号最大频率的，单边带调幅波的频带 宽度为调制信号最大频率的。 9、调频制比调幅制抗干扰能力强的两个主要原 因，。 10、设放大器有ｎ级, 各级电压增益分别为Ａu1, Ａu2, …, Ａun, 则总电压 增益是。 11、高频功放常采用效率较高的工作状态, 即晶体管集电极电流导通时间 输入信号半个周期的工作状态。为了滤除工作时产生的众多高次谐波分量, 常采用回路作为选频网络, 故称为功率放大电路。 12、高频输入回路常采用回路, 中频放大电路常用和两种选频 方式。 13、振荡器是一种能自动地将能量转换为一定波形的交变振荡信号能量的 转换电路。 14、单边带调幅波比普通调幅相比的优点是，缺点是。 二、单项选择题 1.丙类谐振功率放大器的集电板电流i c 的波形和集电极与发射极之间电压u ce 的 波形为( ) A. 均为正(余)弦波形 B. 均为周期性脉冲波形 C. ic为周期性脉冲波形、uce为正(余)弦波形 D ic为正(余)弦波形、uce为周期性脉冲波形
高频电子技术试题库-第二章
高频电子技术试题库-第二章
1 LC串联谐振回路发生谐振时，回路电抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 2 LC串联谐振回路发生谐振时，回路总阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 3LC串联谐振回路发生谐振时，回路电流达到。（）A．最大值B．最小值C．0 答案：A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。（） A．回路电流与谐振回路电流 B．回路电流幅值与信号电压频率 C．回路电压幅值与信号电流频率 答案：B 5LC串联谐振回路，谐振特性曲线越尖锐。（）A．回路Q值大B．回路Q值大C．0 答案：A 6LC串联谐振回路Q值大，回路选择性。（）A．差B．好C．不能确定 答案：B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。（）A．正比B．反比C．无关 答案：B 8单回路通频带B与谐振频率f成。（） A．正比B．反比C．无关 答案：A 9 并联谐振回路发生谐振时，回路电纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：C 10 并联谐振回路发生谐振时，回路总导纳为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：B 11 并联谐振回路发生谐振时，阻抗为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 12并联谐振回路发生谐振时，电压为。（） A．最大值B．最小值C．0 答案：A 13 LC串联谐振回路发生失谐时，阻抗为。（） A．大B．小C．0 答案：A 14 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0
15 LC串联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 16 并联谐振回路发生失谐时，当f＜f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：B 17 并联谐振回路发生失谐时，当f＞f0时，阻抗呈。（） A．容性B．感性C．0 答案：A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，二次负载等效到一次边是阻抗。（） A．越小B．0 C．越大 答案：C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时，接入系数n越小，对回路的影响。（） A．越小B．0 C．越大 答案：A 20 耦合回路临界耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：B 21 耦合回路强耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：A 22 耦合回路弱耦合时，η。（） A．大于1 B．等于1 C．小于1 答案：C 23 强耦合时，耦合回路η越大，谐振曲线在谐振频率处的凹陷，。（） A．越大B．越小C．不出现 答案：A 24LC组成一个串联谐振回路，谐振时串联阻抗。（） A．最大B．最小C．无法估计 答案：B 25LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中作为一条并联支路，它滤除信号的频率为。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 26 LC组成一个串联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，频率为的信号最易通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 27 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在串联电路中，就能阻止频率为的信号通过。（） A．f0B．大于f0C．小于f0 答案：A 28 LC组成并联谐振回路，谐振频率f0，把它用在并联电路中，对于的频率，并联回路对它阻抗最大（） A．f0B．大于f0C．小于f0
电子技术基础试题库完整
电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2.在PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3.设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（） A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S － T U U I D. 1 e S － T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为（）。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时，其管压降约为（）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的电阻，由于不
半导体物理学试题及答案
半导体物理学试题及答案 半导体物理学试题及答案(一) 一、选择题 1、如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以( A )导电为主;如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以( E )导电为主;如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以( C )导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2、受主杂质电离后向半导体提供( B )，施主杂质电离后向半导体提供( C )，本征激发向半导体提供( A )。 A、电子和空穴 B、空穴 C、电子 3、电子是带( B )电的( E );空穴是带( A )电的( D )粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4、当Au掺入Si中时，它是( B )能级，在半导体中起的是( D )的作用;当B掺入Si中时，它是( C )能级，在半导体中起的是( A )的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5、 MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型( A )。 A、相同 B、不同 C、无关
6、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B )。 A、变大，变小 ; B、变小，变大; C、变小，变小; D、变大，变大。 7、砷有效的陷阱中心位置(B ) A、靠近禁带中央 B、靠近费米能级 8、在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( D )，当温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为( A )。 A、大于1/2 B、小于1/2 C、等于1/2 D、等于1 E、等于0 9、如图所示的P型半导体MIS结构的C-V特性图中，AB段代表( A)，CD段代表( B )。 A、多子积累 B、多子耗尽 C、少子反型 D、平带状态 10、金属和半导体接触分为：( B )。 A、整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B、整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C、非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D、非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11、一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载
电子技术基础试题库(1-6章)
电子技术基础第一学期试题库（1~6章） 一、填空题：（每空1分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为，和三类。答：导体、半导体、绝缘体。 2、半导体具有特性，特性和特性。 答：热敏、光敏、掺杂。 3、PN结具有特性，即加正向电压时，加反向电压时。 答：单向导电、导通、截止。 4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。 答：0.7V、0.3V。 （中）5、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。 答：最大整流电流、最高反向工作电压。 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和 电流，所以硅二极管的热稳定性。 答：小于、较好。 6、发光二极管将信号转换成信号；光电二极管将信号转 换成信号。 答：电、光、光、电。 7、三极管有三个电极，即极、极和极。 答：集电极、基极、发射极。 8、半导体三极管有型和型。 答：NPN、PNP。 （中）9、三极管基极电流I B的微小变化，将会引起集电极电流I C的较大变化，这说明三极 管具有作用。 答：电流放大。 10、硅三极管发射结的死区电压约v，锗三极管的死区电压约v。晶体三极 管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为v，锗管约为v。 答：0 .5、0.2、0.7、0.3。 11、三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是。 答：I C=βI B。 （中）25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管的。 答：增加、小。 12、三极管的极限参数分别是，，和。答：集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。 （中）13、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管 可作为器件。 答：放大、开关。 14、放大电路按三极管连接方式可分为， 和。 答：共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。 15、放大电路设置静态工作点的目的是。 答：使放大器能不失真地放大交流信号。 16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指，和。
半导体物理学期末复习试题及答案一
一、半导体物理学期末复习试题及答案一 1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 （ B ）。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ）,施主杂质电离后向半 导体提供（ C ）,本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能 级会（ B ）。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和（ B ）有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 （ B ）。 A.相同 B.不同 C.无关 6.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。 A. 直接 B.间接
8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用, 若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 （ D ）,当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子 态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 10. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 （ A ）,CD 段代表（B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触