搜档网
当前位置:搜档网 › 薄膜电阻和厚膜电阻的区别

薄膜电阻和厚膜电阻的区别

薄膜电阻和厚膜电阻的区别
薄膜电阻和厚膜电阻的区别

薄膜电阻和厚膜电阻的区别

(捷比信)薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。

捷比信薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是:

一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm;

二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,捷比信薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。

厚膜电阻和捷比信薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而捷比信薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,捷比信薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以捷比信薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。

以下是其他相关电阻器:

1.碳膜电阻器

将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器。

2.金属膜电阻器。

用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。

3.金属氧化膜电阻器

在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。

大品牌有保证---捷比信精密电阻!欢迎来电来函索取资料,样品及查货等。

业德薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。

业德薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是:

一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm;

二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,业德薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。

厚膜电阻和业德薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如

5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。

以下是其他相关电阻器:

1.碳膜电阻器

将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器。

2.金属膜电阻器。

用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。

3.金属氧化膜电阻器

在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。

大品牌有保证---业德精密电阻!欢迎来电来函索取资料,样品及查货等。

薄膜电阻和厚膜电阻的区别

薄膜电阻和厚膜电阻的区别 (捷比信)薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 捷比信薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是: 一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm; 二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,捷比信薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和捷比信薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而捷比信薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,捷比信薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以捷比信薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器:

1.碳膜电阻器 将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低。性能稳定。阻值范围宽。温度系数和电压系数低,是目前应用最广泛的电阻器。 2.金属膜电阻器。 用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。金属膜电阻比碳膜电阻的精度高,稳定性好,噪声,温度系数校在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 3.金属氧化膜电阻器 在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物,所以高温下稳定,耐热冲击,负载能力强。 大品牌有保证---捷比信精密电阻!欢迎来电来函索取资料,样品及查货等。 业德薄膜电阻器是用类真空蒸发、磁控溅射的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成一种电阻器。是现在主流的贴片精密电阻器。 业德薄膜电阻和厚膜电阻的最大区别是: 一、膜厚的区别,厚膜电路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多处于小于1μm; 二、制造工艺的区别,厚膜电路一般采用丝网印刷工艺,业德薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 厚膜电阻和业德薄膜电阻在材料和工艺上的区别直接导致了两种电阻在性能上的差异。厚膜电阻一般精度较差,10%,5%,1%是常见精度,而薄膜电阻则可以做到0.01%万分之一精度,0.1%千分之一精度等。同时厚膜电阻的温度系数上很难控制,一般较大,同样的,薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数,如 5PPM/℃,10 PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小,阻值稳定可靠。所以薄膜电阻常用于各类仪器仪表,医疗器械,电源,电力设备,电子数码产品等。 以下是其他相关电阻器: 1.碳膜电阻器

厚膜电阻

厚膜电阻、电容的制作及微调技术 摘要:本文介绍了厚膜电阻、电容的结构、工艺流程以及微调技术。厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。这种电阻有长方形,带型,曲线形或者是其他的形状。常用在精密电阻,功率电阻的制造中。常用的厚膜电阻采用金属钌系电阻浆料印刷烧结而成。 关键字:厚膜电阻、电容工艺流程微调技术 引言:厚膜电阻是厚膜混合集成电路中发展最早、制造技术最成熟的元件之一。也是应用最广泛、最重要的元件之一。早在50年代初期就曾出现了印刷的厚膜有机合成碳电阻,但由于这种电阻的耐温、耐温及其他一些性能较差,因此没有得到很大的发展。 厚膜电容有也是厚膜混合集成电路的重要元件,他不仅在许多实际电路中不可少的,而且是全膜化的关键之一,自从1964年报道了第一个厚膜印刷电容,至今已有二十的历史;但由于稳定性、可靠性问题未能真正解决,因此,厚膜电容仍然是厚膜元件中的薄弱环节。从缩小体积、减轻重量、提高可靠性以及全膜化的需要来看,厚膜电容具有重要作用。

1.厚膜电阻 1.1厚膜电阻概述 厚膜电阻主要是指采用厚膜工艺印刷而成的电阻。这种电阻有长方形,带型,曲线形或者是其他的形状。常用在精密电阻,功率电阻的制造中。常用的厚膜电阻采用金属系电阻浆料印刷烧结而成。电阻浆料包含氧化钌,有机溶剂和玻璃珠,烧结后的电阻由两方面组成:氧化钌本身的电阻和势垒电阻。 1.2厚膜电阻的结构 厚膜电阻与分立电阻器一样也是由基体、电阻体、引出端等主要部分组成膜电阻中,基体即绝缘基片,电阻体即电阻膜层,引出端即厚膜端接导体。在结构上,后膜电阻的主要特点有如下两点: (1)厚膜电阻通常不以单个电阻出现,而是根据混合集成电路的需要,按一定的组合、排列,集成在同一绝缘基片上的电阻网络。 (2)厚膜电阻是一种小型化的平面状电阻,也称模式电阻,共膜厚度,其厚度只有十几至几十微米。 1.3厚膜电阻的生产流程 厚膜电阻的生产流程一般需要经历如下几个过程:基板刻槽、电极印刷与烧结、电阻印刷烧结、一次玻璃体形成、调阻、二次玻璃体形成、基板一次切割、端电极形成、基板二次切割、端头制作、丝印与包装。 基板刻槽厚膜电阻的基板是承载电阻的载体。一般这中基板采用高纯度三氧化二铝陶瓷制成,这种陶瓷常被称为刚玉瓷或高铝瓷,也有采用氧化铍或氮化铝陶瓷作为基板的。但后两者一般用于高端、大功率电阻中。常见的还是使用刚玉瓷的基板。 电阻对基板的基本要求就是要有较高的热传导性、较小的热膨胀性,此外还要有较高的机械强度。这些是保证电阻高质量的基本要求。 很多电阻厂家往往外购陶瓷基板。这种陶瓷基板由于硬度很高,因此首先会用激光或电火花在基板上按电阻的大小开出纵横交错的槽来。 电极印刷此时需要印刷的电极为图中的面电极和背电极。这两种电极是采用丝网印刷的方

电阻选型:厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较

电阻选型:厚膜、薄膜电阻特性优缺点比较 薄膜电阻由陶瓷基片上厚度为50 ? 至250 ? 的金属沉积层组成(采用真空或溅射工艺)。薄膜电阻单位面积阻值高于线绕电阻或Bulk Metal? 金属箔电阻,而且更为便宜。在需要高阻值而精度要求为中等水平时,薄膜电阻更为经济并节省空间。 它们具有最佳温度敏感沉积层厚度,但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此,采用各种沉积层厚度可以实现不同的电阻值范围。薄膜电阻的稳定性受温度上升的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程因实现不同电阻值所需的薄膜厚度而不同,因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外,改变最佳薄膜厚度还会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化,因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。

由于金属量少,薄膜电阻在潮湿的条件下极易自蚀。浸入封装过程中,水蒸汽会带入杂质,产生的化学腐蚀会在低压直流应用几小时内造成薄膜电阻开路。改变最佳薄膜厚度会严重影响 TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化,因此高阻值薄膜电阻退化率非常高。 如前所述,受尺寸、体积和重量的影响,线绕电阻不可能采用晶片型。尽管精度低于线绕电阻,但由于具有更高的电阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低,厚膜电阻得到广泛使用。与薄膜电阻和金属箔电阻一样,厚膜电阻频响速度快,但在目前使用的电阻技术中,其噪声最高。虽然精度低于其他技术,但我们之所以在此讨论厚膜电阻技术,是由于其广泛应用于几乎每一种电路,包括高精密电路中精度要求不高的部分。 厚膜电阻依靠玻璃基体中粒子间的接触形成电阻。这些触点构成完整电阻,但工作中的热应变会中断接触。由于大部分情况下并联,厚膜电阻不会开路,但阻值会随着时间和温度持续增加。因此,与其他电阻技术相比,厚膜电阻稳定性差(时间、温度和功率)。 由于结构中成串的电荷运动,粒状结构还会使厚膜电阻产生很高的噪声。给定尺寸下,电阻值越高,金属成份越少,噪声越高,稳定性越差。厚膜电阻结构中的玻璃成分在电阻加工过程中形成玻璃相保护层,因此厚膜电阻的抗湿性高于薄膜电阻。 金属箔电阻 将具有已知和可控特性的特种金属箔片敷在特殊陶瓷基片上,形成热机平衡力对于电阻成型是十分重要的。然后,采用超精密工艺光刻电阻电路。这种工艺将低、长期稳定性、无感抗、无感应、低电容、快速热稳定性和低噪声等重要特性结合在一种电阻技术中。

厚膜电阻硫化

厚膜电阻硫化 Company Document number:WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998

空气中的硫---电阻杀手 有一批现场仪表在某化工厂使用一年后,仪表纷纷出现故障。经分析发现仪表中使用的厚膜贴片电阻阻值变大了,甚至变成开路了。把失效的电阻放到显微镜下观察,可以发现电阻电极边缘出现了黑色结晶物质,进一步分析成分发现,黑色物质是硫化银晶体。原来电阻被来自空气中的硫给腐蚀了。 (电极边缘的硫化银晶体光颉供图) 那么这个过程是怎样发生的呢。通常厚膜电阻的结如下:

(图片来源:风华高科) 其中面电极是连接二氧化钌电阻体和焊接端头用的内部电极。这种电极一般是银钯合金。由于电阻表面的二次保护层和焊接端头不是严丝合缝的。导致面电极部分暴露在空气中。因此当空气中含有大量硫化气体时,银被硫化物反应成硫化银。由于硫化银不导电,所以随着电阻被硫化,电阻值逐渐增大,直至最终成为开路。 实际上,并非只有用在化工厂的电阻会被硫化,在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险,甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化。因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的硫化。 为了防止电阻的硫化人们开始进行抗硫化电阻的研制。一般说来,薄膜电阻是由镍铬合金或氮化钽制成,这种薄膜电阻中不含银,所以天生就具有良好的抗硫化能力。所以一般而言,抗硫化电阻常常指的是厚膜电阻。厚膜电阻的抗硫化设计一般采用调整面电极成分和调整厚膜电阻结构的方法进行。

面电极是银钯合金,提高钯的含量可以增强抗硫化性能。但是增加钯后银钯合金的熔点会升高,会对工艺产生一定影响。所以目前主要生产抗硫化电阻的厂家都在调整电阻结构上下足了功夫。 防止面电极直接暴露在空气中是目前通过调整电阻结构来实现抗硫化设计的主要方法。这种方法是在面电极上再使用一种不易被腐蚀的材料做成一个保护性中间层。中间层填补了二次保护膜和焊接端头之间的空隙,以避免面电极直接暴露。最常见的一种结构是采用金质材料做中间层。如下为AAC公司出品的抗硫化电阻结构。 如图所示,在内部的面电极(图中为Inner Electrode)外部使用了金质导电层作为面电极的保护层。由于金属于贵金属所以这种抗硫化电阻的成本比较高。 为了降低成本,电阻厂商在这层中间保护层成分上开始想办法,比如而Rohm公司的抗硫化电阻是用特殊的树脂材料代替金,另外一些公司则根据自己技术、工艺的特点使用镍铬作为金的替代品。 而风华高科在结构上不仅采用了中间层保护面电极,而且还改进工艺,将焊接端头包裹住二次保护膜的边缘,以防止内部电极的暴露。目前抗硫化电阻价格较普通厚膜电阻要昂贵,一般抗硫化电阻用于前文所述的化工、矿业、火力发电、汽车电子外,还用于某些对可靠性要求严格的高端应用中,如电信等行业。

铅酸钡厚膜电阻

铅酸钡厚膜电阻 前言:不同稀土元素或过渡元素,而用半导体化金属BaPbO3和碱性玻璃粉料制作的厚膜电 阻成本很低。利用指数等式估算玻璃含量与电阻率间的关系。提出三种导电隧道组成的导电 模型来解释掺杂曲线和电阻温度系数特性。原材料中P含量较高时可从根本上避免由字湿度 而引起的电阻器性能的降低。银是TCR调节剂,能够提高BaP6O3电阻的稳定性。 关键词:厚膜电阻,导电隧道,掺杂曲线-简介 大部分厚膜电阻浆料由下列材料组成:钯、Pa、钌Ru、铑Rn、铱Ir等元素的化合物或者氧 化物。这些系列的电阻有很好的性能,但这些元素如Pd、Ru、Rn、Ir不仅价格昂贵而且也很 稀少,因此人们把注意力转回了其他非过渡性金属化合物上,如BaP6O3、BaP6O3系钙钛矿 结构,其正交晶格为a=6.024A、b=6.065A、C=8.506A,尽管BaP6O3是标准的原子价化合物, 但他仍有金属的某些特性,电阻率低且是正温度系数。BaP6O3和RuO2常作为半导化金属,BaP6O3在TC=0.38K时具有低温超导性,加入适量的铋,Tc可升高至13k,除此之外,它还 被作为陶瓷电极、导体浆料、防腐颜料及烧结体电阻等。 本文将利用陶瓷合金的导电原理来制作铅酸钡陶瓷电阻器和厚膜电阻。如果铅酸钡作为厚膜 电阻的功能相,将测量和研究他们的特性。加入少量Ag2O来调整其电阻温度系数,并提出 了相应的导电模型来解释掺杂曲线和TCR特性。 二实验 A:BaPbO3粉末预制 将高纯度BaCO3,PbO(99%纯度)粉料以合适的比例混和,湿磨5h,在880℃氧气氛中干燥和 烧结4h,然后粉碎并在220Kg/㎝2压力下压制成小圆片,这些成型片子置于氧化锆托盘上,在空气中940℃烧结7h,然后把这些烧结体(BaP6O3陶瓷)粉碎、研末,过220钼丝网筛,获得BaP6O3粉末。 B:BaP6O3陶瓷电阻的制作 自制碱玻璃(71%SiO2-18%Na2O-8%CaO-3%Al2O3)粉,同BaP6O3粉料以合适比例混合,玻 璃料含量从15%到5%WT,用丙酮作溶剂湿磨5h,然后干燥并在400kg/㎝2条件下压制成条(0.5*0.5*2㎝3),把这些成型物置于氧化锆托盘上,空气气氛中烧结,峰值温度范围在 760-810℃约10分钟,传统的银导体作为烧结体陶瓷电阻的电。 C:BaP6O3厚膜电阻的制作 适当量的BaP6O3粉末和碱玻璃料不加或者加2%wtAg2O混合后作为电阻浆料的固体相,这 些粉料然后同适量的有机载体混合,如乙基纤维素、丁基熔汗剂,萜品醇等,制成厚膜浆料。用200目的丝网印制BaP6O3厚膜电阻,基片是清洗后预烧过并烧好Ag-Pd电极的氧化铝基片,干燥后,在空气气氛中烧结,烧结条件和前面烧结体电阻的条件一样。 对样品用数字万用表测量了电阻率和表面电阻率,在温度箱中测得高温TCR(25-125℃)和 低温TCR(25-55℃),在40℃下将样品置于相对湿度为95%的湿度箱中100h已检验其湿度 稳定性,并测得了阻值漂移5时间的关系曲线。 三结果讨论 烧结体BaP6O3陶瓷是黑色的,在室温下其电阻率约是3mΩ/㎝,电阻温度系数为 1350PPm/℃。

厚膜电阻硫化

空气中的硫---电阻杀手 有一批现场仪表在某化工厂使用一年后,仪表纷纷出现故障。经分析发现仪表中使用的厚膜贴片电阻阻值变大了,甚至变成开路了。把失效的电阻放到显微镜下观察,可以发现电阻电极边缘出现了黑色结晶物质,进一步分析成分发现,黑色物质是硫化银晶体。原来电阻被来自空气中的硫给腐蚀了。 (电极边缘的硫化银晶体光颉供图)那么这个过程是怎样发生的呢。通常厚膜电阻的结如下:

(图片来源:风华高科) 其中面电极是连接二氧化钌电阻体和焊接端头用的内部电极。这种电极一般是银钯合金。由于电阻表面的二次保护层和焊接端头不是严丝合缝的。导致面电极部分暴露在空气中。因此当空气中含有大量硫化气体时,银被硫化物反应成硫化银。由于硫化银不导电,所以随着电阻被硫化,电阻值逐渐增大,直至最终成为开路。 实际上,并非只有用在化工厂的电阻会被硫化,在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险,甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化。因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的硫化。 为了防止电阻的硫化人们开始进行抗硫化电阻的研制。一般说来,薄膜电阻是由镍铬合金或氮化钽制成,这种薄膜电阻中不含银,所以天生就具有良好的抗硫化能力。所以一般而言,抗硫化电阻常常指的是厚膜电阻。厚膜电阻的抗硫化设计一般采用调整面电极成分和调整厚膜电阻结构的方法进行。 面电极是银钯合金,提高钯的含量可以增强抗硫化性能。但是增加钯后银钯合金的熔点会升高,会对工艺产生一定影响。所以目前主要生产抗硫化电阻的厂家都在调整电阻结构上下足了功夫。 防止面电极直接暴露在空气中是目前通过调整电阻结构来实现抗硫化设计的主要方法。这种方法是在面电极上再使用一种不易被腐蚀的材料做成一个保护性中间层。中间层填补了二次保护膜和焊接端头之间的空隙,以避免面电极直接暴露。最常见的一种结构是采用金质材

片式电阻的主要失效机理与失效模式

片式电阻的主要失效机理与失效模式 1.什么是片式电阻,片式电阻的概念。 片式电阻器又称为片式电阻,也叫表面贴装电阻,它与它片式元器件(SMC 及SMD)一样,是适用于表面贴装技术(SMT)的新一代无引线或短引线微型电子元件。其引出端的焊接面在同一平面上。片式电阻在电路内的主要作用是降低电压,分担一部分电压即分压,限流保护电路,分流等,也可以用做时间电路元件和传感器等。 2.片式电阻的特性及分类。 表面组装的电阻器是表面组装元气件的组成之一,它属于无源元件,其作用主要供厚膜、薄膜电路作外贴元件用。它一般按两种方式进行分类。按特性与材料分类分为:厚膜电阻、薄膜电阻。按外形结构分类分为:矩形片式电阻、圆柱片式电阻、异形电阻。矩形片式电阻的结构如下图(a): (a)矩形片式电阻结构示意图 2.1矩形片式电阻结构介绍: 矩形片式电阻由基板、电阻膜、保护膜、电极四大部分组成。 基板:基板材料一般使用96%的Al2O3(三氧化二铝)陶瓷。基本应具体有良好的电绝缘性,在高温下具有良好的导热性、电性能和一定强度的机械性能。电阻膜:电阻膜是用具有一定电阻率的电阻浆料印刷在陶瓷基本上的,在经过烧结而形成厚膜电阻。电阻浆料一般用RuO2(二氧化钉)。近年来开始使用贱金属系的电阻浆料,比如氧化系(TaN-Ta)、碳化系(WC-W)和Cu系材料,目的是降低成本。 保护膜:将保护膜覆盖在电阻膜上,保护膜的主要作用是保护电阻。它一方面起机械保护作用,另一方面使电阻体表面具有绝缘性,避免电阻与邻近导体接触而产生故障。保护膜一般是低熔点的玻璃浆料,进过印刷烧结而成。 电极:电极是为了保证电阻器具有良好的可焊性和可靠性,一般采用三层电极结构:内层电极、中间电极、外层电极。内层电极作用:连接电阻体的内部电极。中间电极是镀镍层,其阻挡作用,提高电阻散热,缓冲焊接的热冲击。外层电极是锡铅层,主要作用是使电极具有可焊性。 3片式电阻常见的失效模式与失效机理。

耐冲击电阻和普通厚膜电阻区别

普通厚膜电阻是陶瓷基板, 耐冲击电阻是铝基板, 铝基板散热好。 脉冲功率问题,实际上是热容量的问题。 假如脉冲特别短,功率也很大,产生的热量来不及传递,能量可以认为全部需要由电阻膜本身来吸收。所以耐受脉冲的能力就取决于电阻膜本身的热容量,以及能够承受的瞬间温度。如果脉冲时间稍长,那么还需要考虑基底材料的传热速度和热容量,这样问题就很复杂了,很难算得清楚,或许用计算机模拟能计算。贴片电阻阻一般都使用氧化铝瓷做基底材料,这种陶瓷的传热能力不是太好(传热速度和热导率都不高)。 电阻体的电阻分布不是线性的。被蚀刻后的电阻体出现了蜂腰,蜂腰处的发热及电应力最大。一般使用中;对于小尺寸电阻;由于本身额定功率不大及陶瓷基板的良好导热性,使得一般使用时问题不突出。对于大尺寸电阻体;局部过热使电阻体加速老化甚至有出现“鼓包点”,严重局部过热会烧裂陶瓷基板。 对于冲击性负载场合(如大场效应管的栅驱动),蜂腰是致命的。瞬间冲击使得热来不及扩散而导致电阻体基板有明显的温度梯度。由于热膨胀效应作用,导致基板内出现大的热疲劳应力而失效。 不同场合及厂家的电阻产品;可靠性是不同的。 其失效机理与电阻结构有关,其中(碳、金属)膜结构是最差的,瞬间功率集中引起失效时(和金属化电容的自愈特性有某种类似)膜蒸发了,其次是体结构,最好是线(绕)结构。 主要区别:电阻膜的材料不同、激光刻槽的不同、基板材料的不同。 VIKING台湾RD回复,耐突波電阻與厚膜電阻的差異: (1)Pattern設計不同; (2)材料不同; (3)製程參數不同; (4)製程管控不同...... VIKING的优势产品就是高精密电阻,主要用于电表行业。

厚膜电阻硫化

厚膜电阻硫化精选文档 TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-

空气中的硫---电阻杀手 有一批现场仪表在某化工厂使用一年后,仪表纷纷出现故障。经分析发现仪表中使用的厚膜贴片电阻阻值变大了,甚至变成开路了。把失效的电阻放到显微镜下观察,可以发现电阻电极边缘出现了黑色结晶物质,进一步分析成分发现,黑色物质是硫化银晶体。原来电阻被来自空气中的硫给腐蚀了。 (电极边缘的硫化银晶体光颉供图) 那么这个过程是怎样发生的呢。通常厚膜电阻的结如下: (图片来源:风华高科)

其中面电极是连接二氧化钌电阻体和焊接端头用的内部电极。这种电极一般是银钯合金。由于电阻表面的二次保护层和焊接端头不是严丝合缝的。导致面电极部分暴露在空气中。因此当空气中含有大量硫化气体时,银被硫化物反应成硫化银。由于硫化银不导电,所以随着电阻被硫化,电阻值逐渐增大,直至最终成为开路。 实际上,并非只有用在化工厂的电阻会被硫化,在矿业、火力发电厂中的电阻同样存在被硫化的危险,甚至在某些场合仅仅因为在封闭环境中使用了含硫的橡胶、油也会导致在高温下释放的硫导致电阻硫化。因此汽车电子中也逐渐开始重视电阻的硫化。 为了防止电阻的硫化人们开始进行抗硫化电阻的研制。一般说来,薄膜电阻是由镍铬合金或氮化钽制成,这种薄膜电阻中不含银,所以天生就具有良好的抗硫化能力。所以一般而言,抗硫化电阻常常指的是厚膜电阻。厚膜电阻的抗硫化设计一般采用调整面电极成分和调整厚膜电阻结构的方法进行。 面电极是银钯合金,提高钯的含量可以增强抗硫化性能。但是增加钯后银钯合金的熔点会升高,会对工艺产生一定影响。所以目前主要生产抗硫化电阻的厂家都在调整电阻结构上下足了功夫。 防止面电极直接暴露在空气中是目前通过调整电阻结构来实现抗硫化设计的主要方法。这种方法是在面电极上再使用一种不易被腐蚀的材料做成一个保护性中间层。中间层填补了二次保护膜和焊接端头之间的空隙,以避免面电极直接暴露。最常见的一种结构是采用金质材料做中间层。如下为AAC公司出品的抗硫化电阻结构。

薄膜片式电阻器优势及应用20140805.pdfx

薄膜片式电阻器优势及应用Thin Film Components and application 先进的高性能解决方案 High performance solutions for advanced applications Fenghua Advanced Tech Co., Ltd 广东风华高新科技股份有限公司 www.china - https://www.sodocs.net/doc/044739534.html,

薄膜片式电阻器的优势 ◎低电阻温度系数 (±5,±10,±15,±25, ±50ppm/℃)◎高精度(±0.05,±0.1 , ±0.25 ,±0.5 ,±1.0%) ◎高稳定性,阻值变化率小 ◎良好的高频性能 ◎低噪声

薄膜电阻与厚膜电阻比较 薄膜电阻 厚膜电阻 ◎ 薄膜沉积工艺 ◎ 丝网印刷工艺 ◎ 精度高(±0.05%, ±0.1% ) ◎ 标准公差(±1%,±5%) ◎ 低温度系数 (±5ppm/℃ ) ◎ 标准温度系数(±100ppm/℃)◎ 长期老化变化率 (±0.3% ) ◎ 长期老化变化率(±3.0% )◎ 噪声小 ◎ 噪声大 ◎ 优良的综合性能 ◎ 综合性一般

薄膜电阻技术比较 薄膜电阻 厚膜电阻 过程特性 均匀、致密的薄膜层 浆料中的颗粒分布不均匀 产品特性 ◎ 低电阻温度系数 TCR ◎ 标准电阻温度系数TCR、稳定性◎ 高长期稳定性 ◎ 噪声大 ◎ 噪声小

薄膜电阻技术比较 薄膜电阻 厚膜电阻 过程特性 用绿光切割材料(热传导轻微) 用红光切割材料(热传导严重) 产品特性 ◎ 低电阻温度系数 TCR、高稳定性 ◎ 标准电阻温度系数TCR、稳定性 ◎ 噪音小 ◎ 噪音大

薄膜电阻

薄膜电阻 维基百科,自由的百科全书 薄膜电阻具有均匀厚度薄膜电阻的量度。 通常被用作评估半导体掺杂的结果。这种 工艺的例子有:半导体的掺杂领域(比如 硅或者多晶硅),以及被丝网印刷到薄膜 混合微电路基底上的电阻。 薄膜电阻这一概念的使用,与电阻或者电 阻率相对,是它直接用四终端感应测量法 (也称为四点探针测量法)来测量。 薄膜电阻用欧姆/平方来计量,可 被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候,电流必须沿着薄膜平面流动,而非与其垂直。 对于常规三维导体,电阻可被写为 其中代表电阻率,代表截面面积而代表长度。截面面积可被分解为宽度和薄膜厚度。当把电阻率和厚度放到一起时,电阻可被记为 即为薄膜电阻。因为它被一个无量纲量所乘,所以单位依然是欧姆。而欧姆/平方这一单位被使用是因为它给出了以欧姆为单位的从一个平方区域流向相对平方区域的电阻,无论平方区域的大小如何。对于正方情形,。因此,对任意平方大小,有。 四点探针是使用来减少接触电阻的问题,它常被使用来确认材料的片电阻值。 感应测量也是有被使用。此方法是测量由涡流产生的屏蔽效果。这种技术的其中一种是被测导电片放置在两个线圈之间。另外,这种非接触式片电阻值的测量方法也可以测量封装内的薄膜或表面粗糙度大的薄膜 [1]。 应用 薄膜电阻的应用广泛,对于任一面积远大于厚度的情形,比如薄膜物理或者半导体产业中,常有纳米级厚度的薄膜被沉积到芯片上,如果关心这些薄膜的电阻阻值大小时,就需使用薄膜电阻这一概念。例如,在发光二极管的制造中,二极管PN结上作为电极而沉积的金属的阻值很大程度影

相关主题