晶片相关知识

晶片相关知识讲述
第一节：LED 制程简介； 第二节：晶片的制做原理及组成原料； 第三节：晶片的特性及发光原理； 第四节：常用晶片的种类； 第五节：晶片的分片方式； 第六节：晶片的正确使用及影响因素。
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第一节：LED 制程简介
发光二极体：Light Emitting Diode（LED）是一种具有两个电极端 子、在电子间施加电压，通过电流会立即发光的光电元件。 由于 LED 是自体发光，用手触摸并不会有热的感觉，且寿命可达 十万个小时以上。 LED 依制作流程可分为上、中、下游与应用四个部份。 上游制程主要是单晶棒经由切割、研磨、抛光，而形成单晶片。 单晶片为磊晶成长用基板。 磊晶片透过不同磊晶成长法，制造Ⅲ Ⅴ族化合物半导体，如：磷 化镓 （GaP） 砷化镓 、 （GaAs） 磷砷化镓(AsGaP) 、 、 砷化铝镓 （AlGaAs） 、 磷化铝铟镓（AlGaInP） 、氮化铟镓（GaInN）等磊片，然后进入中游制 程。 下游制程主要是封装完成 LED 成品。将晶粒粘著（Dice Bond） 、打 线（Wire Bond）后，置入树脂的模具中，封装完成不同基本零件或模组， 等树脂硬化后取出剪脚，完成 LED 成品。若依封装成品可分为灯泡型 (Lamp) 、 数 字 / 字 元 显 示 型 (Digital/Character) 、 表 面 粘 著 型 (Surface Mount) 、点矩阵型 (Dot Matrix) 、集束型(Chuster)等。而使用 LED 成 品制作成显示器材，则属于应用层面。 应用：户外显示屏幕、第三煞车灯、交通记号等。 LED 具有低耗电量、低发热量、使用寿命长、反应速率快、耐震性 高等特性、是符合环保要求的光电元件。应用于资讯、通讯、消费性电 子等方面。
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第二节：晶片的制作原理及组成原料
晶片的制作原理：晶片的制作原理实际为 LED 上游制程与下游 制程的组合（详见 LED 制程简介） 。 晶片的制做流程：
① 柴式拉晶法 ② 抛光形成 ③ 磊晶成长用基板 ④ 透过不同磊晶成长法
单晶棒
切割研磨
单晶片
磊晶
制造Ⅲ—Ⅴ族化合物进入 中游阶段从事晶粒制作
水平布式成长法
⑤
将上游磊晶片蒸镀
⑥
⑦
磊晶片
⑧
金属蒸镀
制作电极
光罩蚀刻
切割
晶粒
晶片的组成原物料： 主要为Ⅲ—Ⅴ及Ⅱ—Ⅵ族化学元素：磷（P） 、镓（Ga） 、砷（As） 、 铝（Al）等。 如：黄绿色光：磷化镓（GaP） ； 红 黄 蓝 光：砷化铝镓（AlGaAs） 、磷砷化镓（AsGaP） ； 光：磷化铝铟镓（AlGaInP） ； 光：氮化铟镓（GaInN） 。 族 周期 2 3 4 5 Zn Cd
Ⅱ
Ⅲ B Al Ga In
Ⅳ C Si Ge Sn
Ⅴ N P As Sb
Ⅵ
S Se Te
以上为化学元素周期表选摘闻部份,仅供参考。
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第三节：晶片的特性及发光原理 晶片的特殊性：单向导电、PN 结特性。 正常晶片极性：上正下负（P/N） ，反极性特殊 晶片上负下正（N/P） 。 晶片基本构造图：
金属层
0.2mm
型 N型 型结晶 基板结晶 金属层
0.3mm 0.3mm
依发光色而定）
这是由一个宽 0.3mm、长 0.3mm、高 0.2mm 的晶体所构成。其 中结晶基板上依次成长 n 型及 p 型层（当结晶基板为 p 型时，则依 次成长 p 型及 n 型层） ，晶体的上下方并镀上一层金属层，以导入电 子于半导体中，再分别加入负电压及正电压于 n 型、p 型结晶基板、 形成 p-n 接面后，随即产生发光现象。 晶片的发光原理：在晶片的正负极上加上适当的电压、电流、 使其单向导通，晶片就能稳定的发光。
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第四节：常用晶片的种类及外观识别 常用晶片代号、型号、外观形状对照表：
晶片 代号 晶片型号 极 性 厂 商
汉 光 鼎 元 光 磊 鼎 元 鼎 元 鼎 元 鼎 元 光 磊 国 联 光 磊 国 联 国 联 国 联 国 联 国 联
波长 Hue
光强亮度（IV） 外形尺寸及颜色
Min Typ 0．40．8 0．4 6 4 6 3 1 7 13 8 20 8 8 20 20 7 2．8 Max 10*10 10*10 11*11 10*10 11*11 10*10 11*11 12*12 13*13 14*14 9*9 10*10 11*11 9*9 9*9 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 橙色 红色 红色 黑色 黑色
接电（PAD） 外观形状 圆形 ￠4.4 圆形 ￠4.4 方形 4.5*4.5 方形 4.5*4.5 方形 4.5*4.5 方形 4.5*4.5 方形 4.5*4.5 圆形加 天线 5*5 八边形 边长为 4.3 圆形 ￠4.8 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.6 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.3
H
HL-010RD TK-110RD
P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N
700 650 573 570 570 570 557 573 571 573 573 585 585 585595 582592
G
ED-011YG U TK-110YG U TK-111YG U TK-210YG
PG LG UG VG VG1 Y
TK-111PG ED-113YG U FPD-313Y G ED-014YG U UED-709S YG-R FPD-110H Y FPD-111H Y
LY (592) LY (588)
UED-709S Y UED-709S YS
5

LY1
ED-M80H YU
P/N
光 磊
586
30
8*8
黑色
方形边 长为 4.9
晶片 晶片型号 代号
LY2 LY3 LY4 UY (592) UY (588) VY (592) VY (588) E TK508UYL UED-709SYS (588) TK-509UYL UED-712SY UED-712SYS UED712SY-V UED-712SYS-V ED-011HO TK-111HO TK-210HO E-610 ED-010SO ED-011SO LE LE -610 UE UE -610 UED-709SO UED-709SOS UED-712SO UED-712SOS
极 性
P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N P/N
厂 商
鼎 元 国 联 鼎 元 国 联 国 联 国 联 国 联 光 磊 鼎 元 鼎 元 光 磊 光 磊 国 联 国 联 国 联 国 联
波长 光强亮度（IV） Hue
590 -592 588 592 590 -598 582 -592 590 -598 582 -592 622 618 628 606 606 610 -620 600 -610 610 -620 600 -610 25 35 35 70 70 6 5 5 4 4 20 20 35 35 Min 25 50 95 Typ Max
接电（PAD） 外形尺寸及颜色
8*8 9*9 9*9 12*12 12*12 12*12 12*12 11*11 11*11 10*10 10*10 11*11 9*9 9*9 12*12 12*12 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 暗红色 暗红色 暗红色 暗红色 暗红色 黑色 黑色 黑色 黑色
外观形状 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.3 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6 圆形 ￠5 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6 圆形 ￠5 圆形 ￠4.5 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.3 圆形加 天线 4.6 圆形加 天线 4.6
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VE
UED-712SOL-V
P/N
国 联
625
70
12*12
黑色
圆形加 天线 4.6
晶片 晶片型号 代号
VE -610 I SR UED-712SOS-V ED-010SRK FPD-510SR TK-211DR LR UR (U12) UR (U14) R SB LB TK-211DR ED-012UR ED-012HUR ED-010RN C430-CB290 -E0200 C470-CB290 -E1000
极 性
P/N N/P N/P P/N P/N N/P N/P N/P P/N P/N 单/ 双
厂 商
国 联 光 磊 国 联 鼎 元 鼎 元 光 磊 光 磊 光 磊 CR EE CR EE 广 镓
波长 Hue
600 -610 643 645 643 -660 643 -660 643 638 650 430 430
光强亮度（IV）
Min 70 5 7 15 15 20 50 15 Typ Ma x
外形尺寸及颜色
接电（PAD） 外观形状 圆形加 天线 4.6 圆形 ￠3.8 圆形 ￠4.5 圆形 ￠4.3 圆形 ￠4.3 圆形加 天线 5.2 圆形加 天线 5.2 圆形 ￠4.7 方形边 长为 4 圆形 ￠3.0
12*12 8*8 10*10 11*11 11*11 12*12 12*12 10*10 10.4*10.4 10.4*10.4
黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色 黑色
014SB
470
14*14
白透明
LEXXC2-X
单/ 双
AX T
白透明
014GL / 014CN
7

AOC-214BSB-A U
P7-460/470-C-X
SECALE460-3
备注说明： 1、 表中波长（Hue）的单位为纳米（nm） ，光强亮度（Iv）的单位 为毫坎德拉（mcd） ，各供应商提供数值仅供参考。 2、 所有晶片及 PAD 尺寸标注单位均为 mil。 如：10mil≈0.250mm； 12mil≈0.300mm； 3、 晶片厂商及对应代码： ED-011(010)：光磊： TK-110（111） ：鼎元； 11mil≈0.280mm； 8mil≈0.203mm；
FPD-510（712） ：国联； HL-010（011） ：汉光。
第五节：晶片的分片方式 晶片分片方式： 晶片做好后一般成一个大圆，然后再分成六块或七块。 修晶取阴影区域部份为最佳。
4 1
3 6 2 7
3 4 1
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晶片纸编码规格简介： TK P 鼎 客 元 户 色 码 PARA 应用码：M：均匀性较好一般用做 3 个 8、4 个 8 产品； D：DISPLAY 一般用做单 8、双 8 产品。 N：Backlight 一般用做背光板产品。 亮度码：D：10-11.5mcd； E：11.5-13mcd； F：13mcd 以上。 波长码：I：567-569nm； J：570-572nm； K：573-575nm 长 片 码 码 码 mi l 绿 波 垫 动 用 度 长 10 黄 长 铝 手 应 亮 波 110 YG U——L——N ——
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第六节：晶片的正确使用及影响因素 晶片的正确使用： 1、 固好晶片的材料原则上要求室内湿度在 40 以下。 2、 晶片扩张温度设定：自动片蓝膜：40℃±10℃； 手动片白膜：40℃±10℃ 3、 扩张越开， 背胶胶量好管控， 不易造成银胶过高 IR， 间隔以 1.86 mm 为佳。银胶量为晶片高度的 2/5 最佳。
4、 Bonding 焊接位置及压力对晶片电性均会有影响。 B/D 压力重易打损晶片造成晶片内崩， 另接电面积小， 第一焊点位 置打偏也会影响 IR。 故要求每换不同型号的晶片，焊线均需调整距离（钢嘴到第一焊 点的距离）及压力。 5、 检测条件：电流设定：20mA； 电压（VFV）设定根据不同晶片规格设定： E：2.0； G：2.1； Y：2.1； H：2.1；
SR/SRD/LR/UR：1.8；LY/UY：2.1。 蓝色晶片电压（VFV）设定 4.5V。 6、 针对绿色“G”晶片在上线使用前要先进行分类，分类使用原则见 附表Ⅰ。
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影响晶片特性的主要因素： 1、 晶片自身不良： （1） 晶片切割不良，晶片 PAD（接垫）不平整，晶片铝垫镀层不 良（有凹洞） 。 （2） 晶片材质不良： 如：鼎元的 G 晶片原有两种选材： “YGJ”和“YGI” “YGJ” 为现用材质。 2、 光电性参数： （1） （2） （3） 亮度：IV 电压：VF std 附图Ⅱ； std 附图Ⅲ；
波长：HUE std 附图Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ。
3、 影响晶片 VF 值的主要因素在于晶片背金 （晶片背面的金属附著是 否够， 检测方式可用 TAPE 贴粘晶片的背面， 看底部的金属附著是 否会脱落）（背面金属附著）背金分布有全金、点金，分布不同 。 其电流不同以至影响其 VF。 4、 分析晶片首先将外形尺寸及铝垫大小进行测量，因不同大小的晶 片制程工艺不同，然后分析所有材料（不同的方面：正面、侧面、 上层、中层、下层所用材料均不同） 。 5、 一般晶片除了底部不发光，其它五个侧面都能发光，主要靠表面 发光，晶片 PAD（接电）的大小（及第一焊点线球的大小）会影 响晶片的发光。 6、 晶片 PAD（接电）有加天线可以增进电流分布。
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晶片入库分类与生产使用原则
晶片分类使用主要针对 G、E 晶片。其它种类晶片除非特殊要求，发料前在制造单上注明特殊需求，通常不作分选。 电性规格 产品类别 晶片型号 011YGU-G 011YGU-DM 011YGU-DM D/M 双色 011HOU 011YGU-DM D/M 单色 011HOU 011YGU TK111YGU TK110YGU 011HOU TK111HO TK110HO 同上 Max/Min≤ 1.6 Max/Min≤ 1.8 Max/Min≤ 1.7 同上 Max/Min≤ 1.6 Max/Min≤ 1.7 IV Avg 在 8 以上 Avg 在 9.0 以上 (Max/Min≤ 1.6) Max/Min≤ 1.7 VF Max-Min≤0.15 Max＜2.3 Max-Min≤0.15 Max＜2.3 Max-Min≤0.15 Max＜2.15 Max-Min≤0.15 Max＜2.3 Max-Min≤0.15 Max＜2.15 Max-Min≤0.18 Max＜2.3 Max-Min≤0.18 Max＜2.15 HUE Max-Min≤4nm Max≤573 整个批号在 6nm 内 Max-Min≤4nm Max≤573 整个批号在 6nm 内 Max-Min≤4nm 整个批号在 8nm 内 Max-Min≤4nm Max≤573 整个批号在 6nm 内 Max-Min≤4nm 整个批号在 8nm 内 Max-Min≤4nm 整个批号在 6nm 内 Max-Min≤6nm 整个批号在 8nm 内 STD VF：≤0.02 Hue：≤0.6 Iv：≤0.6 VF：≤0.02 Hue：≤0.6 Iv：≤0.6 VF：≤0.02 Hue：≤0.8 Iv：≤0.6 VF：≤0.02 Hue：≤0.8 Iv：≤0.8 VF：≤0.02 Hue：≤1.0 Iv：≤0.8 VF：≤0.025 Hue：≤1.0 Iv：≤1.0 VF：≤0.025 Hue：≤1.0 Iv：≤1.0 备注
Back Light
单张晶片表面通 常不允许有 1 个 以上之空洞
双‘8’以上及双 ‘米’字管 单‘8’及以上
晶片表面通常不 允许有 3 个及以 上之空洞
Max-Min≤0.20 同上 Max＜2.15 Lamp 原则上不作要求，但不得超出晶片供应商自行给出之规格 注：1、入库前分类晶片，请标示产品类别代码，通常为“BL、双 DM、单 DM、TQ、SD、Lamp” ，分别代表“Back Light，双色点阵，单色 点阵，三四位八，单双位八，LED Lamp。 2、生产双色点阵产品使用晶片亮度Ⅳ值，YG-HO 为 2mcd。 3、同批生产用晶片Ⅳ值，Avg 的 Max-Min 集中在 2mcd 及以内。
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LED 发射光谱：不同波长光之相对强度分布曲线
Relative Intensity 100
峰值波长（Peak Wavelength,
λp) p) X=∑Inx(λ)△λ n Y=∑Iny(λ)△λ n Z=∑Inz(λ)△λ n X x= y= λ(nm) (nm) λp z= X+Y+Z Y X+Y+Z Z X+Y+Z
半高宽度（Full Width at Half Maximum)
50
In
Δλ
0
λn
450
500
550
600
650
700 x+y+z=1
不同波长的光对视觉具有不同的颜色效果 LED 色光之视觉效果=各个不同波长色光效果之总和 故 LED 之色泽由其发射光谱之分布决定，不由λp 决定
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电性测试
IF —V F 特性 IF VF
影响量测因素:
●
●
●
电流源准度及稳定度 电压表准度及稳定度 接点接触电阻效应
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Ex:1Ω×20mA=0.02∨
光波长(Wavelength)特性
人眼对不同波长颜色的差别感受性
6
差别（nm)
4
2
1.0
0 420 460 500 540 580 620 660
波长（nm)
可见光视觉强度及颜色效果
0.1
GREENISH BLUE YELLOW GREEN GREENISH YELLOW YELLOWISH ORANGE ORANGE REDOISH ORANGE
.01
YELLOWISH GREEN PURPLISH BLUE
YELLOW
BLUE
.001 370 400 450 500 550 600 650 700 750
RED
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主波长(Dominate Wavelength, λp)
色调(Hue)
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电流互感器的基本参数(精)

正确地选择和配置电流互感器型号、参数, 将继电保护、自动装置和测量仪表等接入合适地次级,严格按技术规程与保护原理连接电流互感器二次回路,对继电保护等设备的正常运行, 确保电网安全意义重大。 1. 一次参数电流互感器的一次参 数主要有一次额定电压与一次额定电流。一次额定电压的选择主要是满足相应电网电压的要求,其绝缘水平能够承受电网电压长期运行, 并承受可能出现的雷电过 电压、操作过电压及异常运行方式下的电压, 如小接地电流方式下的单相接地(电 压上升倍。一次额定额定电流的考虑较为复杂,一般应满足以下要求:1 应大于所 在回路可能出现的最大负荷电流, 并考虑适当的负荷增长, 当最大负荷无法确定时, 可以取与断路器、隔离开关等设备的额定电流一致。 2 应能满足短时热稳定、动稳定电流的要求。一般情况下,电流互感器的一次额定电流越大,所能承受的短时热稳定和动稳定电流值也越大。 3 由于电流互感器的二次额定电流一般为标准的 5A 与 1A ,电流互感器的变比基本有一次电流额定电流的大小决定,所以在选择一次电流额定电流时要核算正常运行测量仪表要运行在误差最小范围,继电保护用次级又要满足 10%误差要求。 4 考虑到母差保护等使用电流互感器的需要,由同一母线引 出的各回路,电流互感器的变比尽量一致。 5 选取的电流互感器一次额定电流值应与国家标准 GBl208-1997推荐的一次电流标准值相一致。 2. 二次额定电流在 GB1208— 1997 中,规定标准的电流互感器二次电流为 1A 和 5A 。变电所电流互 感器的二次额定电流采用 5A 还是 1A ,主要决定于经济技术比较。在相同一次额定电流、相同额定输出容量的情况下,电流互感器二次电流采用 5A 时,其体积小,价格便宜,但电缆及接入同样阻抗的二次设备时,二次负载将是 1A 额定电流时的 25 倍。所以一般在 220kV 及以下电压等级变电所中, 220kV 回路数不多, 而 10~110kV 回路数较多,电缆长度较短时,电流互感器二次额定电流采用 5A 的。在 330kV 及以上电压等级变电所, 220kV 及以上回路数较多, 电流回路电缆较长时,电流互感器二次额定电流采用 1A 的。为了既满足测量、计量在正常使用的精度 及读数,又能满足故障大电流下继电保护装置的精工电流及电流互感器 10%误 差曲线要求, 二个回路常采用不同次级、不同变比。也可用中间抽头来选择不同变比。电流互感器的变比也是一个重要参数。当一次额定电流与二次额定电流确定后, 其变比即确定。电流互感器的额定变比等于一次额定电流比二次额定电流。 3.

最新大量程电感表

大量程电感表

超大量程电感表 许剑伟莆田第十中学 一、引言： 无线电爱好者，经常要测量电感量，他们常常测量小到零点几uH或大到上千H的电感。除了商品数字电桥可以测量，其它仪表很难测出来。后来，在网上看到捷克人的作品，基于LM311制作了一个小电感测量仪，国内也有很多爱好者仿制。出于好奇，也动手仿制并做了改进，重新分析、设计电路，使得本表可以极宽范围测量，而且精度良好。最先使用洞洞板调试，后来打样PCB 板安装了数台，效果良好。 二、电路原理 本表利用LM393做为放大器，在正反馈回路加放LC选频回路，得到稳定的振荡，并由单片机测量出振荡频率F。当F和C已知，就可以计算出L的值。虽然LM393频响比LM311差5倍，但本表通过合理的补偿，可以消除 LM393速度上的不足，大幅减小了小电感测量误差。此外，由于采用了高阻耦合，使得本电路可以测量1000H以上的电感。 电路原理如下图。 Ca是基准电容，La是辅助谐振电感。Rf*C1应大于Rb*C2，以免低频自激或间歇振荡。C1、C2是隔直流电容。C4、C5是表笔高频干扰信号吸收电容（不是工频吸收电容）。C6是相位补偿电容（LM393无内置相位补偿）。 R1、R2、R3是1/3衰减器兼直流编置电压发生器。Rf是高阻同相耦合器。R4、R5是上拉电阻。Rf1、Rf2是负反馈电阻，7.2倍放大。R6是偏置电阻并产生数毫伏正偏压。R7、R8是给二极管施加测试电流的电阻

那个Rf耦合电阻，在超声波范围内并不是存阻的。当频率较高时，电阻两端的分布电容及LM393内的信号耦合是不可以忽略的。虽然是电容耦合量很小，但在密勒效应的作用下，等效到输入端的电容会被成百倍放大，有效谐振电容变小。当频率比较高时，谐振器的阻抗很小，所以反馈系数非常弱，这就造成密勒效应的影响严重，可影响2%以上，为此，高频率下有效谐振电容需要适当修正。此外，LM393的延迟也会造成振荡频率变小，引起测值变大。以上因素，结合起来，有效谐振电容还要修正 k=5e-8 * Rf * f，式中Rf是指反馈总电阻（单位M欧），f指频率（单位Hz）。 电感的计算公式变为： ?Skip Record If...? 实际上，可以理解为a就是考虑密勒效应及LM393延时后对频率修正的结果。

芯片是什么 芯片的工作原理 芯片基础知识介绍

芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍 芯片是什么芯片的工作原理芯片基础知识介绍一、芯片基础知识介绍我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对'强电'、'弱电'等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的'核心技术'主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,'砖瓦'还很贵.一般来说,'芯片'成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。集成电路(IC)常用基本概念有:晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC 就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为

前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。二、电脑芯片的工作原理是什么？是怎样制作的？芯片简单的工作原理：芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。晶体管有两种状态，开和关，用1、0 来表示。多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。最复杂的芯片（如：CPU芯片、显卡芯片等）生产过程：1.将高纯的硅晶圆，切成薄片；2.在每一个切片表面生成一层二氧化硅；3.在二氧化硅层上覆盖一个感光层，进行光刻蚀； 4.添加另一层二氧化硅，然后光刻一次，如此添加多层； 5.整片的晶圆被切割成一个个独立的芯片单元，进行封装。一个是电源灯（绿色），一个是硬盘灯（红色），你的电脑开机，

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第一节：LED 制程简介； 第二节：晶片的制做原理及组成原料； 第三节：晶片的特性及发光原理； 第四节：常用晶片的种类； 第五节：晶片的分片方式； 第六节：晶片的正确使用及影响因素。
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第一节：LED 制程简介
发光二极体：Light Emitting Diode（LED）是一种具有两个电极端 子、在电子间施加电压，通过电流会立即发光的光电元件。 由于 LED 是自体发光，用手触摸并不会有热的感觉，且寿命可达 十万个小时以上。 LED 依制作流程可分为上、中、下游与应用四个部份。 上游制程主要是单晶棒经由切割、研磨、抛光，而形成单晶片。 单晶片为磊晶成长用基板。 磊晶片透过不同磊晶成长法，制造Ⅲ Ⅴ族化合物半导体，如：磷 化镓 （GaP） 砷化镓 、 （GaAs） 磷砷化镓(AsGaP) 、 、 砷化铝镓 （AlGaAs） 、 磷化铝铟镓（AlGaInP） 、氮化铟镓（GaInN）等磊片，然后进入中游制 程。 下游制程主要是封装完成 LED 成品。将晶粒粘著（Dice Bond） 、打 线（Wire Bond）后，置入树脂的模具中，封装完成不同基本零件或模组， 等树脂硬化后取出剪脚，完成 LED 成品。若依封装成品可分为灯泡型 (Lamp) 、 数 字 / 字 元 显 示 型 (Digital/Character) 、 表 面 粘 著 型 (Surface Mount) 、点矩阵型 (Dot Matrix) 、集束型(Chuster)等。而使用 LED 成 品制作成显示器材，则属于应用层面。 应用：户外显示屏幕、第三煞车灯、交通记号等。 LED 具有低耗电量、低发热量、使用寿命长、反应速率快、耐震性 高等特性、是符合环保要求的光电元件。应用于资讯、通讯、消费性电 子等方面。
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常用电感参数(精)

常用电感参数 来源：https://www.sodocs.net/doc/0816841488.html, | 时间：2008年11月17日 电感参数 1 电感量L及精度 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。线圈电感量的大小，主要决定于线圈的直径、匝数及有无铁芯等。电感线圈的用途不同，所需的电感量也不同。例如，在高频电路中，线圈的电感量一般为0.1uH—100Ho 电感量的精度，即实际电感量与要求电感量间的误差，对它的要求视用途而定。对振荡线圈要求较高，为o．2-o．5％。对耦合线圈和高频扼流圈要求较低，允许10—15％。对于某些要求电感量精度很高的场合，一般只能在绕制后用仪器测试，通过调节靠近边沿的线匝间距离或线圈中的磁芯位置来实现o 2 感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3 品质因素Q 线圈的品质因数 品质因数Q用来表示线圈损耗的大小，高频线圈通常为50—300。对调谐回路线圈的Q值要求较高，用高Q值的线圈与电容组成的谐振电路有更好的谐振特性；用低Q值线圈与电容组成的谐振电路，其谐振特性不明显。对耦合线圈，要求可低一些，对高频扼流圈和低频扼流圈，则无要求。Q 值的大小，影响回路的选择性、效率、滤波特性以及频率的稳定性。一般均希望Q值大，但提高线圈的Q值并不是一件容易的事，因此应根据实际使用场合、对线圈Q值提出适当的要求。 线圈的品质因数为： Q=ωL/R 式中： ω——工作角频； L——线圈的电感量； R——线圈的总损耗电阻线圈的总损耗电阻，它是由直流电阻、高频电阻(由集肤效应和邻近效应引起)介质损耗等所组成。" 为了提高线圈的品质因数Q，可以采用镀银铜线，以减小高频电阻；用多股的绝缘线代替具有同样总裁面的单股线，以减少集肤效应；采用介质损

7107芯片相关知识

ICL7107电路图 ICL7107 安装电压表头时的一些要点：按照测量＝±199.9mV 来说明。 1.辨认引脚：芯片的第一脚，是正放芯片，面对型号字符，然后，在芯片的左下方为第一脚。 也可以把芯片的缺口朝左放置，左下角也就是第一脚了。 许多厂家会在第一脚旁边打上一个小圆点作为标记。 知道了第一脚之后，按照反时针方向去走，依次是第 2 至第40 引脚。（1 脚与40 脚遥遥相对）。 2.牢记关键点的电压：芯片第一脚是供电，正确电压是DC5V 。第36 脚是基准电压，正确数值是100mV，第26 引脚是负电源引脚，正确电压数值是负的，在－3V 至－5V 都认为正常，但是不能是正电压，也不能是零电压。芯片第31 引脚是信号输入引脚，可以输入±199.9mV

的电压。在一开始，可以把它接地，造成“0”信号输入，以方便测试。 3.注意芯片27,28,29 引脚的元件数值，它们是0.22uF,47K,0.47uF 阻容网络，这三个元件属于芯片工作的积分网络，不能使用磁片电容。芯片的33 和34 脚接的104 电容也不能使用磁片电容。 4.注意接地引脚：芯片的电源地是21 脚，模拟地是32 脚，信号地是30 脚，基准地是35 脚，通常使用情况下，这 4 个引脚都接地，在一些有特殊要求的应用中（例如测量电阻或者比例测量），30 脚或35 脚就可能不接地而是按照需要接到其他电压上。－－本文不讨论特殊要求应用。 5.负电压产生电路：负电压电源可以从电路外部直接使用7905 等芯片来提供，但是这要求供电需要正负电源，通常采用简单方法，利用一个+5V 供电就可以解决问题。比较常用的方法是利用ICL7660 或者NE555 等电路来得到，这样需要增加硬件成本。我们常用一只NPN 三极管，两只电阻，一个电感来进行信号放大，把芯片38 脚的振荡信号串接一个20K －56K 的电阻连接到三极管“B”极，在三极管“C”极串接一个电阻（为了保护）和一个电感（提高交流放大倍数），在正常工作时，三极管的“C”极电压为 2.4V － 2.8V 为最好。这样，在三极管的“C”极有放大的交流信号，把这个信号通过 2 只4u7 电容和 2 支1N4148 二极管，构成倍压整流电路，可以得到负电压供给ICL7107 的26 脚使用。这个电压，最好是在－3.2V 到－4.2V 之间。 6.如果上面的所有连接和电压数值都是正常的，也没有“短路”或者“开路”故障，那么，电路就应该可以正常工作了。利用一个电位器和指针万用表的电阻X1 档，我们可以分别调整出50mV,100mV,190 mV 三种电压来，把它们依次输入到ICL7107 的第31 脚，数码管应该对应分别显示50.0,100.0,190.0 的数值，允许有 2 －3 个字的误差。如果差别太大，可以微调一下36 脚的电压。 7.比例读数：把31 脚与36 脚短路，就是把基准电压作为信号输入到芯片的信号端，这时候，数码管显示的数值最好是100.0 ，通常在99.7 －100.3 之间，越接近100.0 越好。这个测

电感主要参数介绍

电感主要参数介绍 除固定电感器和部分阻流圈为通用元件（只要规格相同，各种电子整机上均可使用）外，其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型（代用除外），购买及使用时应以元件型号为主要依据，具体参数大都不需考虑，若需了解，可查相应产品手册或有关资料，这里不可能一一示例。下面谈谈固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 1．电感量L 电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通（即通过某一面积的磁力线数）发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势，电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时，线圈产生的磁通也要变化，磁通掠过线圈，线圈两端便产生感应电势，这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的，犹如线圈具有惯性，这种电磁惯性的大小就用电感量L来表示。L 的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关，采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯，可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H（亨），实际用得较多的单位为mH（毫亨）和IxH（微亨），三者的换算关系如下：1μH—103→1mH—103→1H。 2．感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到，但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q等参数密切相关，在分析电路中也经常需要用到，故这里专门作些介绍。前已述及，由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比，计算公式为：XL （Ω）=2лf（Hz）L（H）。不难看出，线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零，仅线圈的直流电阻起阻力作用，因电阻：—般很小，所以近似短路。通过高频电流时XL大，若L也大，则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反，所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器，以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 3．品质因数Q 这是表示电感线圈品质的参数，亦称作Q值或优值。线圈在一定频率的交流电压下工作时，其感抗XL和等效损耗电阻之比即为Q值，表达式如下：Q=2лL/R。由此可见，线圈的感抗越大，损耗电阻越小，其Q值就越高。值得注意的是，损耗电阻在频率f较低时可视作基本上以线圈直流电阻为主；当f较高时，因线圈骨架及浸渍物的介质损耗、铁芯及屏蔽罩损耗、导线高频趋肤效应损耗等影响较明显，R就应包括各种损耗在内的等效损耗电阻，不能仅计直流电阻。 Q的数值大都在几十至几百。Q值越高，电路的损耗越小，效率越高，但Q值提高到一定程度后便会受到种种因素限制，而且许多电路对线圈Q值也没有很高的要求，所以具体决定Q 值应视电路要求而定。 4．直流电阻

晶体相关基础知识

石英晶体基本常识 一、基础概念 1、石英晶体谐振器:利用石英晶体的逆电压效应制造具有选择频率和稳定频率的无线电元件。 电介质由于外界的机械作用，(如压缩?伸拉)而在其內部产生变化，产生表面电荷的现象，叫压电效应，如果将具有压电效应的介质至于外电场中，由于电场的作用，会引起介质內部正负电荷中心位移，而这一位移产生效应为逆压电效应 2、晶片的主要成分SiO2（二氧化硅）密度：2.65g/cm3分子量：60.06 3、振动模式晶体分为以下两类： AT 基频：BT 在振动模式最低阶次的振动频率 CT DT 3次 泛音：5次晶体振动的机械谐波，泛音频率与基频频率之比， 7次接近整倍数，又不是整倍数。 9次 AT与BT如何区分 1)通过测量晶片厚度 AT厚度t=1670/F0 F0-晶体标称频率 BT厚度t=2560/F0 2)通过温选根据晶片的拟合曲线来确定 3)通过测量晶体的C0、C1、TS、L、T来确定 4、按规格分为：HC-49S，HC-49U，HC-49S/SMD，表晶(3*8、2*6)，UM系列等 HC-49S HC-49U HC-49S/SMD 表晶 陶瓷SMD 钟振UM系列 5、标称频率：晶体技术条件中所给定的频率，如4.000MHz，12.000MHz，25.000MHz等 6、调整频差：在规定条件下，基准温度时，工作频率相对于标称频率所允许的偏离值(如： ±30ppm、±25ppm)

7、串联谐振频率(FR)：晶体本身固有的频率 8、负载谐振频率(FL)：在规定条件下，晶体与一负载电容相并联或相串联，其组合阻抗呈现 出来的谐振频率。 9、负载电容：在振荡电路中晶体两脚之间所有的等效电容量之和.在通常情况下IC厂家在规格书中都会给出推荐的晶体匹配电容. 说明：负载电容CL是组成振荡电路时的必备条件。在通常的振荡电路中，石英晶体谐振器作为感抗，而振荡电路作为一个容抗被使用。也就是说，当晶体两端均接入谐振回路中，振荡电路的负阻抗-R和电容CL即被测出，这时，这一电容称为负载电容。负载电容和谐振频率之间的关系不是线性的，负载电容小时，频率偏差量大，当负载电容提高时，频率偏差量减小。当振荡电路中的负载电容减少时，谐振频率发生较大的偏差，甚至当电路中发生一个小变化时，频率的稳定性就受到巨大影响。负载电容可以是任意值，但10-30PF会更佳。 10、温度频差(F/T)：在规定条件下，工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率允许的偏离 值 11、基准温度：25±2℃，湿度：50%±10% 12、谐振电阻(RR)：在规定条件下，晶振在谐振频率时的等效电阻 13石英晶体谐振器等效电路 石英晶体谐振器的振动实质上是一种机械振动。实际上，石英晶体谐振器可以被一个具有电子转换性能的两端网络测出。这个回路包括L1、C1，同时C0作为一个石英晶体的绝缘体的电容被并入回路，与弹性振动有关的阻抗R1是在谐振频率时石英晶体谐振器的谐振阻抗。(见图1)

电阻,电感,电容的主要参数

电阻，电感，电容的主要参数 电阻主要特性参数 1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。 2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。 允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00）、±2%-0.2(或0）、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级 3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。 线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。 5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。 6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。 7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1伏，电阻器的相对变化量。 9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动，使导体任意两点的电压不规则变化。 电感器的主要参数 电感器的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。

贴片电感主要参数详解 电感器规格

贴片电感主要参数详解电感器规格 除固定电感器和部分阻流圈为通用元件（只要规格相同，各种电子整机上均可使用）外，其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型（代用除外），购买及使用时应以元件型号为主要依据，具体参数大都不需考虑，若需了解，可查相应产品手册或有关资料，这里不可能一一示例。下面谈谈固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 1．电感量L 电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通（即通过某一面积的磁力线数）发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势，电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时，线圈产生的磁通也要变化，

磁通掠过线圈，线圈两端便产生感应电势，这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的，犹如线圈具有惯性，这种电磁惯性的大小就用电感量L 来表示。L 的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关，采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯，可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H（亨），实际用得较多的单位为mH（毫亨）和IxH（微亨），三者的换算关系如下：1H=103mH=106 μH。 2．感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到，但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q等参数密切相关，在分析电路中也经常需要用到，故这里专门作些介绍。前已述及，由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比，计算公式为：XL （Ω）=2лf（Hz）L（H）。不难看出，线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零，仅线圈的直流电阻起阻力作用，因电阻：—般很小，所以近似短路。通过高频电流时XL大，若L也大，则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反，所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器，以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 3．品质因数Q

电感的主要参数

电感的主要参数 1）μi(导磁率)(Permeability)---这是铁芯的一个重要参数，对于一个带铁芯的电感，铁芯的导磁率越高，电感值会越高。 2）L(电感值)(Inductance)---L=(4πμiN2A/l)*10-9 (H)，N-线圈圈数，A-磁路截面积，l-磁路平均长度。电感值与铁芯的μi值成正比，与线圈圈数的平方成正比，与测试频率有关(电感值随测试频率的变化关系常用电感的频率曲线来表示)，与环境温度有关，客户通常对电感值的要求是在某一特定频率下合于某一范围。电感值通常是不用计算得出的(因为就算你算得吐血也未必算得准，磁环的可以算得大概准确)，而是用仪器测出的。目录上通常是标示L值的公差范围。 3） Q(品质因素)---客户通常对Q值的要求是越高越好， Q=2πfLe/Re (Re是有效电阻，是消耗能量的部份， 有效电阻由DCR、表面效应、铁损所贡献) (Le是真实电感扣除分布电容影响后的值)，电子工 程施希望所选定的频率讯号通过，而且更希望所通 过的讯号损失越少越好，故他们希望Q值越高越好。 Q值也是随测试频率而变化的，(Q值随测试频率的 变化关系常用Q值的频率曲线来表示)。目录上通常 以其最小值为标注。 4）DCR(直流电阻)(Direct Current Resistance)---电感在直流电流下测量得之电阻，客户通常对DCR值的要求是越小越好。目录上通常以其最大值为标注。 5） SRF(自共振频率)(Self-Resonant Frequency) ---电感的真实电感与电感的分布电容产生共振 时的频率，客户通常对SRF值的要求是越大 越好。目录上通常以其最小值为标注。 自共振频时电感的表现就像电阻，即 (真实)电感值的感抗(2πfL)与分布电容的容抗

各种电感计算公式

导线线径与电流规格表 绝缘导线(铝芯/铜芯)载流量的估算方法 以下是绝缘导 线(铝芯/铜芯)载流量的估算 方法,这是电工基础,今天把这些知识教给大家,以便计算车上的导线允许通过的电流.(偶原在省供电局从事电能计量工作) 铝芯绝缘导线载流量与截面的倍数关系 导线截面(平方毫米) 1 1.5 2.5 4 6 10 16 25 35 50 70 95 120 载流量(A 安培) 9 14 23 32 48 60 90 100 123 150 210 238 300 载流是截面倍数 9 8 7 6 5 4 3.5 3 2.5 估算口诀：二点五下乘以九，往上减一顺号走。三十五乘三点五，双双成组减点五。(看不懂没关系,多数情况只要查上表就行了)。条件有变加折算，高温九折铜升级。穿管根数二三四，八七六折满载流。 说明：(1)本节口诀对各种绝缘线(橡皮和塑料绝缘线)的载流量(安全电流)不是直接指出，而是“截面乘上一定的倍数”来表示，通过心算而得。由表5 3可以看出：倍数随截面的增大而减小。“二点五下乘以九，往上减一顺号走”说的是2．5mm’及以下的各种截面铝芯绝缘线，其载流量约为截面数的9倍。如2．5mm’导线，载流量为2．5×9＝22．5(A)。从4mm’及以上导线的载流量和截面数的倍数关系是顺着线号往上排，倍数逐次减l ，即4×8、6×7、10×6、16×5、25×4。“三十五乘三点五，双双成组减点五”，说的是35mm”的导线载流量为截面数的3．5倍，即35×3．5＝122．5(A)。从50mm’及以上的导线，其载流量与截面数之间的倍数关系变为两个两个线号成一组，倍数依次减0．5。 表格为导线在不同温度下的线径与电流规格表。 （请注意：线材规格请依下列表格，方能正常使用）

电感的主要参数

电感的主要参数 1）??μi(导磁率)(Permeability)---这是铁芯的一个重要参数，对于一个带铁芯的电感，铁芯的导磁率越高，电感值会越高。 2）???? L(电感值)(Inductance)---L=(4πμiN2A/l)*10-9(H)，N-线圈圈数，A-磁路截面积，l-磁路平均长度。电感值与铁芯的μi值成正比，与线圈圈数的平方成正比，与测试频率有关(电感值随测试频率的变化关系常用电感的频率曲线来表示)，与环境温度有关，客户通常对电感值的要求是在某一特定频率下合于某一范围。电感值通常是不用计算得出的(因为就算你算得吐血也未必算得准，磁环的可以算得大概准确)，而是用仪器测出的。目录上通常是标示L值的公差范围。 3） Q(品质因素)---客户通常对Q值的要求是越高越好， Q=2πfLe/Re (Re是有效电阻，是消耗能量的部份， 有效电阻由DCR、表面效应、铁损所贡献) (Le是真实电感扣除分布电容影响后的值)，电子工 程施希望所选定的频率讯号通过，而且更希望所通 过的讯号损失越少越好，故他们希望Q值越高越好。 Q值也是随测试频率而变化的，(Q值随测试频率的 变化关系常用Q值的频率曲线来表示)。目录上通常 以其最小值为标注。 4）DCR(直流电阻)(Direct Current Resistance)---电感在直流电流下测量得之电阻，客户通常对DCR值的要求是越小越好。目录上通常以其最大值为标注。 5） SRF(自共振频率)(Self-Resonant Frequency) ---电感的真实电感与电感的分布电容产生共振 时的频率，客户通常对SRF值的要求是越大 越好。目录上通常以其最小值为标注。 自共振频时电感的表现就像电阻，即 (真实)电感值的感抗(2πfL)与分布电容的容抗 (-1/2πfC d )相互抵消，即2πfL-1/2πfC d =0， 所以自共振频率f=1/2π√LC d 。自共振频时电感的Le(有效电感值)为0，所以此时的Q值为0。

电感的参数和识别

电感的参数和识别 除固定电感器和部分阻流线圈为通用元件(只要规格相同，各种电子整机上均可使用)外，其余的均为电视机、收音机等专用元件。专用元件一般都是一个型号对应一种机型(代用除外)，购买及使用时应以元件型号为主要依据，具体参数大都不需考虑，若需了解，可查相应产品手册或有关资料，这里不可能一一示例。下面谈谈新晨阳电容电感的固定电感器及阻流圈的主要参数及识别。 一．电感量L 电感量L也称作自感系数，是表示电感元件自感应能力的一种物理量。当通过一个线圈的磁通(即通过某一面积的磁力线数)发生变化时，线圈中便会产生电势，这是电磁感应现象。所产生的电势称感应电势，电势大小正比于磁通变化的速度和线圈匝数。当线圈中通过变化的电流时，线圈产生的磁通也要变化，磁通掠过线圈，线圈两端便产生感应电势，这便是自感应现象。自感电势的方向总是阻止电流变化的，犹如线圈具有惯性，这种电磁惯性的大小就用电感量L来表示。L的大小与线圈匝数、尺寸和导磁材料均有关，采用硅钢片或铁氧体作线圈铁芯，可以较小的匝数得到较大的电感量。L的基本单位为H(亨)，实际用得较多的单位为mH(毫亨)和IxH(微亨)，三者的换算关系如下：1H=103mH=106 μH。

二．感抗XL 感抗XL在电感元件参数表上一般查不到，但它与电感量、电感元件的分类品质因数Q 等参数密切相关，在分析电路中也经常需要用到，故这里专门作些介绍。前已述及，由于电感线圈的自感电势总是阻止线圈中电流变化，故线圈对交流电有阻力作用，阻力大小就用感抗XL来表示。XL与线圈电感量L和交流电频率f成正比，计算公式为：XL(Ω)=2лf(Hz)L(H)。不难看出，线圈通过低频电流时XL小。通过直流电时XL为零，仅线圈的直流电阻起阻力作用，因电阻：—般很小，所以近似短路。通过高频电流时XL大，若L也大，则近似开路。线圈的此种特性正好与电容相反，所以利用电感元件和电容器就可以组成各种高频、中频和低频滤波器，以及调谐回路、选频回路和阻流圈电路等等。 三．品质因数Q 这是表示电感线圈品质的参数，亦称作Q值或优值。线圈在一定频率的交流电压下工作时，其感抗XL和等效损耗电阻之比即为Q值，表达式如下：Q=2лL/R。由此可见，线圈的感抗越大，损耗电阻越小，其Q值就越高。值得注意的是，损耗电阻在频率f较低时可视作基本上以线圈直流电阻为主；当f较高时，因线圈骨架及浸渍物的介质损耗、铁芯及屏蔽罩损耗、导线高频趋肤效应损耗等影响较明显，R就应包括各种损耗在内的等效损耗电阻，不能仅计直流电阻。Q的数值大都在几十至几百。Q值越高，电路的损耗越小，效率越高，但Q值提高到一定程度后便会受到种种因素限制，而且许多电路对线圈Q值也没有很高的要求，所以具体决定Q值应视电路要求而定。

芯片的基础知识

摄像机芯片的基础知识 CMOS类： 常见的CMOS芯片有三种：1：彩色为OV7910和PC1030N；2：黑白为OV5116。以上三款芯片一般无PAL制 与NTSC制之分，它们的封装形式全为贴片式的。OV7910为1/3 inch芯片，OV5116 和PC1030N为1/4inch芯片，目前的流行的是韩国的PC1030N芯片。 CCD类： 常见的CCD芯片有四个品牌：SAMSUNG（三星），LIFE GOOD（LG），PANASONIC（松下），SHARP（夏普）， SONY（索尼）。 黑白摄像机的制式有：CCIR（中国也使用该制式）与EIA两种。彩色摄像机的制 式有：PAL制（中国也使用该制式）和NTSC制（常见的有NTSC358和NTSC443 两种，象美国，加拿大，中国台湾，日本，韩国，菲律宾及多伦多和俄罗斯都使 用NTSC358，也有些将NTSC358叫NTSC 1，将NTSC443叫NTSC 2）。 本厂的黑白CCD有LG和SONY 两种，它们的芯片组成模式为（LG的现在已经很少使用）：LG 1/3 EIA：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402 + Ai325KBL ☆ 1/3 CCIR：Ai5412 + Ai1001S + Ai4402+ Ai329NB ☆ SONY 1/3 CCIR CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX405AL 1/3 EIA CXD2463R + CXA1310AQ+ ICX404AL 本厂的彩色CCD为SHARP和SONY两种，它们的芯片组成模式为： SHARP： 1/4 NTSC：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A +RJ2411 （如DF-SP58） 1/4 PAL：1-- LR38603A + AA87221 + IR3Y48A + RJ2421（如DF-SP58） 1/3 NTSC：1-- LR38603A + AA87222 + + IR3Y48A + RJ2311（如0025） 1/3 PAL：1-- LR38603A + AA87222 + IR3Y48A + RJ2321（如0025） SONY彩色420线： 普通照度（3141与3142一样可通用）： 1/3 PAL：1-- CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX405AK（如DF-SN59） NTSC：1--CXD3141R + AA87222 + CXA2096N + ICX404AK（如DF-SN59） 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX227AK（如DF-SN59） NTSC：CXD3141R + AA87222+ CXA2096N + ICX226 AK SONY彩色480线： 1/3 PAL CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R+ ICX409AK ☆ 1/3 NTSC CXD2480R + CXA2006Q +CXD2163R + ICX408AK☆ 1/4 PAL：CXD3142R + AA87222 + CXA2096N + ICX643AK（如DF-SN59）（38 / 32单板） 1/3 PAL：CXD4103R + AA87222 + LVC14A+ CXA2096N + ICX409AK（如FD0052E）（38 / 32双板）SONY彩色520线： 1/3 PAL：CXD3172R + CXA2096N + ICX409AK（如FD0038H）（38×38单板） 视频放大IC：2274 、AI171、AA8631、AA88641三种 备注：目前在所有的CCD中，只有SONY的ICX405AK在电脑显示器上的右边有一个黄色的细竖条，而在一般的监视器上看不到的。后面打“☆”号的为目前已经很少用的方案,带下画线的是CCD。 发布：审核：批准： 深圳迪飞达电子有限公司 2009-05-11

用万用表测量电感

用万用表怎么样测量电感 作者：佚名日期：2010年06月28日来源：不详【字体：大中小】我要评论(0) 核心提示： 用万用表怎么样测量电感电感器、变压器检测方法与经验1色码电感器的的检 测将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向 右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别：A 被测色码 电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕 制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被 测色码电感器是正常的。2中周变压器的检测A 将万用表拨至R 用万用表怎么样测量电感 电感器、变压器检测方法与经验 1色码电感器的的检测 将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别： A被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。 2中周变压器的检测 A 将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。B检测绝缘性能 将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试： (1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值； (2)初级绕组与外壳之间的电阻值； (3)次级绕组与外壳之间的电阻值。 上述测试结果分出现三种情况： (1)阻值为无穷大：正常； (2)阻值为零：有短路性故障； (3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。 3电源变压器的检测 A通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。 B绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。 C线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。 D判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些

led芯片基础知识

led芯片基础知识 一、led历史 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克?何伦亚克（Nick HolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。 二、LED芯片的原理 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。 三、主要芯片厂商 德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT，台湾的广稼、国联（FPD）、鼎元（TK）、华汕（AOC）、汉光（HL）、艾迪森、光磊（ED），韩国的有首尔，日本的有日亚、东芝，大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商，下面根据产地细分下。 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima OptoELectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，灿圆（FormosaEpitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。华兴（Ledtech Electronics）、东贝（UnityOptoTechnology）、光鼎（ParaLight Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED

LED芯片知识大解密

LED芯片知识大解密 1、led芯片的制造流程是怎样的? LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下变成金属蒸气沉积在LED照明材料表面。一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。合金化的时间和温度通常是根据LED照明材料特性与合金炉形式等因素决定。当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。 2、LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响? 一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。 3、LED芯片为什么要分成诸如8mil、9 mil、…，13∽22 mil，40 mil等不同尺寸?尺寸大小对LED光电性能有哪些影响? LED芯片大小根据功率可分为小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定，没有具体的要求。只要工艺过关，芯片小可提高单位产出并降低成本，光电性能并不会发生根本变化。芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关，芯片小使用电流小，芯片大使用电流大，它们的单位电流密度基本差不多。如果10mil 芯片的使用电流是20mA的话，那么40mil芯片理论上使用电流可提高16倍，即320mA。但考虑到散热是大电流下的主要问题，所以它的发光效率比小电流低。另一方面，由于面积增大，芯片的体电阻会降低，所以正向导通电压会有所下降。 4、LED大功率芯片一般指多大面积的芯片?为什么? 用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。由于量子效率一般小于20?大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。 5、制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么? 普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP 、GaAs等化合物LED照明材料，一般都可以做成N型衬底。采用湿法工艺进行光刻，最后用金刚砂轮刀片切割成芯片。GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED