微电子课程设计

重庆大学本科生专业

课程设计报告书

实验课程名称：微电子课程设计

实验指导教师：胡盛东

学院：通信工程

专业：集成电路设计与集成系统学号：20114917

姓名：代淋

实验日期：2013年12月

重庆大学本科学生课程设计指导教师评定成绩表

学号20114917 学生姓名代淋

学院通信工程学院专业集成电路设计与集成系统指导教师胡盛东

课程设计

题目

60V级功率Trench MOS混合模拟设计

指

导

教

师

评

语

课程设计成绩指导教师签名：

年月日

说明：1、学院、专业、年级均填全称。

2、本表除评语、成绩和签名外均可采用计算机打印。

重庆大学本科学生课程设计任务书

课程设计题目60V级功率Trench MOS混合模拟设计

学院通信工程学院专业集成电路设计与集成系统年级2011级

设计要求：

1.基本要求：

1).学习和研究主流功率MOS器件的结构和工作原理；

2).学习器件模拟软件MEDICI对微电子器件结构进行设计和优化；

3).学习IC工艺模拟软件TSUPREM4对微电子器件（包括IC）进行设计和优化；

4).学习微电子器件的器件工艺联合模拟。

2.提高要求：

1).利用MEDICI和TSUPREM4对电学特性具有特定要求的微电子器件进行参数优化和分析；

2).在MEDICI器件模拟的基础上，能正确设计指定结构微电子器件的工艺流程，并利用TSUPREM4进行工艺参数优化。

学生应完成的工作：

通过设计实践，进一步熟悉和掌握《半导体物理》、《微电子器件》以及《集成电路工艺原理》课程所设计的基础知识；熟悉常用的微电子器件-功率器件的结构和工作原理；系统学习并掌握器件模拟软件MEDICI和IC工艺模拟软件TSUPREM4设计工具的使用，并利用其对指定指标的微电子器件进行结构和工艺流程模拟及优化。

设计60V级以上、V T为1-2V范围内、half-Cell的Ron(@Vgs=10V ,Vds=1V)约为1e5Ω以下的沟槽栅VDMOS结构。要求：1).给出主要关键器件结构参数如栅氧厚度，沟道浓度、漂移区浓度及厚度等以及工艺参数和条件；2).规范的数据整理，体现优化的过程；3）完成设计报告。

参考资料：

[1]陈星弼，张庆中。晶体管原理与设计，北京：电子工业出版社，2006

[2]关旭东。硅集成电路工艺基础，北京：北京大学出版社，2003

[3]刘恩科，朱秉生，罗晋生。半导体物理学，北京：电子工业出版社，2008

[4] TMA MEDICI 4.2. Palo Alto CA: Technology Modeling Associates Inc.

[5] TSUPREM-4 Version 2001.2 User’s Manual：Palo Alto CA: Technology Modeling Associates Inc.

课程设计工作计划：

第一阶段：MEDICI器件模拟，并实现基本功能，熟悉程序设计；

第二阶段：MEDICI器件具体参数的优化，实现提高要求；

第三阶段：TSUPREM4工艺模拟，设计工艺流程，熟悉程序设计；

第四阶段：TSUPREM4工艺模拟，优化工艺流程及工艺参数，实现提高要求；

第五阶段：器件参数的进一步设计、调试、优化。

任务下达日期2013年12 月22 日完成日期2013 年12 月27 日

指导教师（签名）学生代淋（签名）

目录

一课程设计引言 (5)

二实验总体要求 (6)

基本要求： (6)

提高要求： (6)

三实验目的 (6)

四实验环境 (7)

五实验原理及过程 (7)

（一）简单原理 (8)

(二) 实验步骤 (8)

六试验总结与分析 (27)

七参考资料： (28)

一课程设计引言

功率VDMOS是功率电力电子的主流产品之一，它兼有双极晶体管和普通MOS 器件的优点。VDMOS由于具有开关速度快、高输入阻抗、热稳定性好、具备良好的电流自调节能力、具有负的温度系数等优点，所以作为一种理想的功率器件在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视，其主要应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。随着VDMOS 器件的重要地位日益显著，我们很有必要对VDMOS的生产中的各项工艺参数在具体设计的影响加以考虑，利用计算机软件对器件的制造过程进行虚拟模拟以便获得VDMOS器件的相关性能参数。

本课程设计主要实现特定耐压范围、特定阈值电压范围、特定导通电阻范围的功率MOS器件（Power MOS）的研究，本次设计针对VDMOS（Vertical Double-diffusion MOSFET）即垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管进行设计。

本设计采用器件仿真软件MEDICI以及IC工艺仿真软件TSUPREM4，对具有沟槽栅结构的VDMOS（Trench MOS,TMOS）进行器件工艺混合仿真，达到所需要的器件性能指标。

二实验总体要求

基本要求：

1.学习和研究主流功率MOS器件的结构和工作原理；

2. 学习器件模拟软件MEDICI对微电子器件结构进行设计和优化；

3. 学习IC工艺模拟软件TSUPREM4对微电子器件（包括IC）进行设计和优化；

4. 学习微电子器件的器件工艺联合模拟

提高要求：

1.利用MEDICI和TSUPREM4对电学特性具有特定要求的微电子器件进行参数优化和分析；

2.在MEDICI器件模拟的基础上，能正确设计指定结构微电子器件的工艺流程，并利用TSUPREM4进行工艺参数优化；

三实验目的

1.进一步熟悉和掌握《半导体物理》、《微电子器件》以及《集成电路工艺原理》课程所设计的基础知识；

2.熟悉常用的微电子器件-功率器件的结构和工作原理；

3.系统学习并掌握器件模拟软件MEDICI和IC工艺模拟软件TSUPREM4设计工具的使用，并利用其对指定指标的微电子器件进行结构和工艺流程模拟及优化。

四实验环境

1.MEDICI软件：Medici 是先驱（A V ANT！，现已经被SYSNOPSYS收购）公司的一个用来进行二维器件模拟的软件，它对势能场和载流子的二维分布建模，通过解泊松方程和电子、空穴的电流连续性等方程来获取特定偏置下的电学特性。用该软件可以对双极型、MOS型等半导体器件进行模拟，这个程序通过解二极管和双极型三极管以及和双载流子有关的电流效应（诸如闩锁效应）的电流连续性方程和泊松方程来分析器件。Medici 也能分析单载流子起主要作用的器件，例如：MOSFET，JFET，MESFET。

2. TSUPREM4：用来反正硅集成电路和离散器件制造工艺步骤的程序，可以仿真二维的扩散、离子注入、氧化、外延生长、刻蚀和淀积等工艺步骤，从而得到二维半导体器件纵剖面的杂质掺入和再分布情况。TSUPREM4可以提供结构中各层材料的边界、每层的杂志分布以及氧化、热循环和薄膜淀积产生的应力等。

五实验原理及过程

（一）简单原理

DMOS与CMOS器件结构类似,也有源、漏、栅等电极,但是漏端击穿电压高。

2. DMOS主要有两种类型,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。

(二) 实验步骤

1. MEDICI器件模拟，并实现基本功能，熟悉程序设计；

2. MEDICI器件具体参数的优化，实现提高要求；

3. TSUPREM4工艺模拟，设计工艺流程，熟悉程序设计；

4. TSUPREM4工艺模拟，优化工艺流程及工艺参数，实现提高要求；

5. 器件参数的进一步设计、调试、优化。

衬底浓度Npbody=9e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05 ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5e15 ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

表2衬底浓度Npbody=8.5e163cm -

衬底浓度Npbody=8.5e163

cm -;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm -; 参数设置

ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05 ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5e15 ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=8.5e16

8.488880E+01 1.000345E-07 8.488880E+01 1.000345E-07

击穿电压V=84.88v

V(drain)=1,转移特性曲线

通导电阻 Ron=

V(drain)/I(vgs 为10v 时) 1.000000E+01 1.123775E-05 通导电阻Ron=88985Ω

阈值电压 1.000000E+00 6.035807E-08

1.500000E+00 6.916001E-06 阈值电压：1.30v

8.492905E+01 1.000003E-07

8.492905E+01 1.000003E-07

击穿电压：84.49v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 1.022850E-07

1.500000E+00 7.414384E-06

阈值电压：1.24v

通导电阻

Ron=

V(drain)/I(vgs 为10v时) 1.000000E+01 1.123622E-05 1.100000E+01 1.125989E-05

通导电阻:88997Ω

表3衬底浓度Npbody=8e163

cm-

衬底浓度Npbody=8e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=8e16

8.496272E+01 1.003764E-07

8.496272E+01 1.003764E-07

击穿电压：84.86v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 1.705615E-07

1.500000E+00 7.828959E-06

阈值电压：1.20v

通导电阻

Ron=

V(drain)/I(vgs 为10v时) 1.000000E+01 1.123419E-05 1.100000E+01 1.125762E-05

通导电阻：89013Ω

表4衬底浓度Npbody=7.5e163

cm-

衬底浓度Npbody=7.5e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm-

关态击穿电压

8.497591E+01 1.000001E-07

8.497591E+01 1.000001E-07

击穿电压：84.97v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00

2.775303E-07

1.250000E+00 3.418754E-06

阈值电压：1.10v

通导电阻

Ron=

V(drain)/I(vgs 为10v时) 1.000000E+01 1.123136E-05 1.100000E+01 1.125453E-05 通导电阻Ron=89036Ω

由以上实验数据可得表五：

栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm-

关态击穿电压阈值电压通导电阻

衬底浓度Npbody= 84.88v 1.30v

88985Ω

9e163

cm -

衬底浓度Npbody= 8.5e163cm -

84.49v

1.24v

88997Ω

衬底浓度Npbody= 8e163

cm -

84.86v 1.20v

89013Ω

衬底浓度Npbody= 7．5e163cm - 84.97v 1.10v

89036Ω

关态击穿电压随着衬底浓度的增大而减小，后衬底浓度增大到一定值后，关态击穿电压反而增大

阈值电压随衬底浓度下降而下降 通导电阻随衬底

浓度下降而上升

2. 漂移区浓度对沟槽栅VDMOS 结构的影响. 表六 漂移区浓度Ndrift2=6.5e15 3

cm -

衬底浓度Npbody=9e163

cm -;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度

Ndrift2=6.5e15 3

cm - 参数设置

ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05 ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=6.5e15 ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

关态击穿电压

7.339745E+01 1.010406E-07 7.339745E+01 1.010406E-07

击穿电压：73.3974v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 1.102095E-07

1.500000E+00 7.969654E-06

阈值电压：1.18v

通道电阻Ron= V(drain)/I(vgs 为10v时)

导电阻1.000000E+01 1.392433E-05 1.100000E+01 1.395992E-05

通道电阻：71816Ω

表七漂移区浓度Ndrift2=6e15 3

cm-

衬底浓度Npbody=9e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=6e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=6e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

7.663581E+01 1.003329E-07

7.663581E+01 1.003329E-07

击穿电压：76.6358v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 8.889353E-08

1.500000E+00 7.603880E-06

阈值电压:1.20v

通道电阻Ron= V(drain)/I(vgs 为10v时)

导电阻 1.000000E+01 1.305157E-05 1.100000E+01 1.308315E-05

通道电阻Ron=76619Ω

表八漂移区浓度Ndrift2=5.5e15 3

cm-

衬底浓度Npbody=9e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5.5e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5.5e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

8.041505E+01 1.000634E-07

8.041505E+01 1.000634E-07

击穿电压：80.4150v

V(drain)=1,转

移特性曲线

通道电阻Ron=

V(drain)/I(vgs

为10v时)

导电阻

1.000000E+00 7.265228E-08

1.500000E+00 7.253802E-06

阈值电压：1.25v

1.000000E+01 1.215657E-05

1.100000E+01 1.218425E-05

通道电阻Ron=82260Ω

cm-

表九漂移区浓度Ndrift2=5e15 3

cm-;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度衬底浓度Npbody=9e163

cm-

Ndrift2=5e15 3

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16 关态击穿电压

8.488880E+01 1.000345E-07

8.488880E+01 1.000345E-07

击穿电压V=84.88v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 6.035807E-08

1.500000E+00 6.916001E-06

阈值电压：1.30v

通道电阻Ron= V(drain)/I(vgs 为10v时)

导电阻1.000000E+01 1.123775E-05 通导电阻Ron=88985Ω

由上实验数据可得

表十漂移区浓度对沟槽栅VDMOS关态击穿电压、通导电阻、阈值电压的影响栅氧层厚度Tox =0.05um ; 衬底浓度Npbody=9e163

cm-;

关态击穿电压

阈值电压

通导电阻 漂

移区浓度Ndrift2=5e163

cm -

84.8888v

1.30v

88985Ω 漂

移

区

浓

度Ndrift2=5.5e163

cm -

80.4150v

1.25v 82260Ω 漂

移

区

浓

度Ndrift2=6e163

cm -

76.6358v

1.20v 76619Ω 漂

移

区

浓

度Ndrift2=6.5e163

cm -

73.3974v

1.18v

71816Ω

关态击穿电压随漂移区浓度上升而下降 阈值电压随漂移区浓度下降而上升 通导电阻随漂移区浓度上升而下降

3.氧化层厚度对沟槽栅VDMOS 结构的影响. 表十一 栅氧层厚度Tox =0.05um

衬底浓度Npbody=9e163

cm -;栅氧层厚度Tox =0.05um ;漂移区浓度Ndrift2=5.5e15 3cm -

参数设置

ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05 ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5.5e15 ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

关态击穿电压

8.041505E+01 1.000634E-07 8.041505E+01 1.000634E-07 击穿电压：80.4150v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 7.265228E-08

1.500000E+00 7.253802E-06

阈值电压：1.25v

通道电阻Ron= V(drain)/I(vgs 为10v时)

导电阻1.000000E+01 1.215657E-05 1.100000E+01 1.218425E-05

通道电阻Ron=82260Ω

表十二栅氧层厚度Tox =0.055um

衬底浓度Npbody=9e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.055um ;漂移区浓度Ndrift2=5.5e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.05

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5.5e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

关态击穿电压

8.114273E+01 1.002360E-07

8.114273E+01 1.002360E-07

击穿电压：81.1427v

V(drain)=1,转

移特性曲线

1.000000E+00 7.799869E-09

1.500000E+00 3.553937E-06

阈值电压1.28v

通道电阻Ron= V(drain)/I(vgs 为10v时)

导电阻1.000000E+01 1.210207E-05 1.100000E+01 1.213420E-05

通道电阻Ron=82630Ω

表十二栅氧层厚度Tox =0.04um

衬底浓度Npbody=9e163

cm-;栅氧层厚度Tox =0.04um ;漂移区浓度Ndrift2=5.5e15 3

cm-

参数设置ASSIGN NAME=Tox N.VAL=0.04

ASSIGN NAME=Ndrift2 N.VAL=5.5e15

ASSIGN NAME=Npbody N.VAL=9e16

关态击穿电压

8.018711E+01 1.007583E-07

8.018711E+01 1.007583E-07

击穿电压：80.1871v

混凝土课设

钢筋混凝土结构-2 课程设计 ――单层工业厂房设计 姓名： 班级： 学号： 指导教师：韩建强 日期：

混凝土结构－2课程设计任务书 工程名称：唐山xx 机械厂装配车间 1、设计资料： (1)装配车间跨度24m ，总长l02m ，柱距6m ，详细尺寸见图1、图2所示。 (2)车间内设有两台5～20t 中级工作制吊车，其轨顶设计标高10.0m 。 (3)建筑地点为唐山市郊区。 (4)车间所在场地，地面下0.8m 内为填土，填土下层3.5m 内为粉质粘土，地基承载力设计值f ＝200kN/m 2，地下水位为-4.05m ，无腐蚀性；基本风压w 0＝0.35kN/m 2；基本雪压s 0＝0.30kN/m 2。 (5)厂房中标准构件选用情况 ①屋面板采用92G410（一）标准图集中的预应力混凝土大型屋面板，板重标准值1.5kN/m 2。 ②天沟板采用92G410（三）标准图集中JGB77－1天沟板， 板重标准值2.0kN ／m 。 ③天窗架自重标准值2340kN ／榀，天窗端壁自重标准值2360kN ／每榀(包括自重、侧板、窗档、窗扇、支撑、保温材料、天窗、电动启动机、消防栓等。) ④屋架自重标准值l00kN ／榀。 ⑤吊车梁梁高1200mm ，自重标准值为45kN ／根，轨道及零件重lkN ／m ，轨道及垫层构造高度200mm 。吊车参数：kN P k 200max,=，kN P k 50min,=， mm B 5000=，mm K 4000= 。 ⑥厂房上、下窗尺寸分别为mm 18004000?和mm 51004000?，自重为 2/5.0m kN ；墙体（含做法）自重为2/24.5m kN 。 (6)排架往及基础材料选用情况 ①柱： 混凝土采用C30；钢筋采用HRB335级钢筋；箍筋为HPB235。 ②基础：混凝土采用C20；钢筋采用HRB335级钢筋。 参考资料：混凝土结构（下册） 彭少民主编 武汉理工大学出版社 2、设计任务要求： ①、结构计算书； ②、排架柱和基础配筋图1张（2号图）

集成电路课程设计(CMOS二输入及门)

） 课程设计任务书 学生姓名：王伟专业班级：电子1001班 指导教师：刘金根工作单位：信息工程学院题目: 基于CMOS的二输入与门电路 初始条件： 计算机、Cadence软件、L-Edit软件 要求完成的主要任务:（包括课程设计工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求） & 1、课程设计工作量：2周 2、技术要求： （1）学习Cadence IC软件和L-Edit软件。 （2）设计一个基于CMOS的二输入的与门电路。 （3）利用Cadence和L-Edit软件对该电路进行系统设计、电路设计和版图设计，并进行相应的设计、模拟和仿真工作。 3、查阅至少5篇参考文献。按《武汉理工大学课程设计工作规范》要求撰写设计报告书。全文用A4纸打印，图纸应符合绘图规范。 时间安排： 布置课程设计任务、选题；讲解课程设计具体实施计划与课程设计报告格式的要求；课程设计答疑事项。 | 学习Cadence IC和L-Edit软件，查阅相关资料，复习所设计内容的基本理论知识。 对二输入与门电路进行设计仿真工作，完成课设报告的撰写。 提交课程设计报告，进行答辩。 指导教师签名：年月日系主任（或责任教师）签名：年月日

目录 # 摘要 (2) 绪论…....………………………………………….………………….. ..3 一、设计要求 (4) 二、设计原理 (4) 三、设计思路 (4) 3.1、非门电路 (4) 3.2、二输入与非门电路 (6) 、二输入与门电路 (8) } 四、二输入与门电路设计 (9) 4.1、原理图设计 (9) 4.2、仿真分析 (10) 4.3、生成网络表 (13) 五、版图设计........................ (20) 、PMOS管版图设计 (20) 、NMOS管版图设计 (22) 、与门版图设计 (23)

数据库课程设计大作业

《数据库原理》课程设计报告 专业：测控技术与仪器 班级：测控071班 学号：200710402112 200710402115 姓名：杜文龙王京京 题目名称：物资管理系统 完成日期：2009年12月25日 昆明理工大学信息工程与自动化学院 2009年12月

物资管理系统 一、课程设计目的： 1.加深对讲授内容的理解 《数据库原理及应用》中有关数据库技术的基本理论、基本概念、设计与实现的方法和阶段性知识，光靠课堂讲授既枯燥无味又难以记住，但它们都很重要，要想熟练掌握，必须经过大量实践环节加深对它们的理解。 2.通过课程设计，掌握数据库系统设计与开发的方法及步骤 数据库是一门应用性很强的学科，开发一个数据库系统需要集理论、系统和应用三方面为一体，以理论为基础，以系统（DBMS）作支柱，以应用为目的，将三者紧密结合起来。同时结合实际需要开发一个真实的数据库系统，对于较大型的系统可多人一起完成，但无论如何都应完成数据库的需求分析、数据的分析与建模、数据库的建立、数据库的开发与运行等全部过程。在此过程中将所学的知识贯穿起来，达到能够纵观全局，分析、设计具有一定规模的题目要求，基本掌握数据库系统设计与开发的基本思路和方法并且做到对知识的全面掌握和运用。 3.培养学生自学以及主动解决问题的能力 通过本次设计，使同学能够主动查阅与数据库相关资料，掌握一些课堂上老师未曾教授的知识，从而达到培养学生自学以及主动解决问题的能力的目的。 二、课程设计基本要求： 1.课程设计应由学生本人独立完成，严禁抄袭。 2.掌握所学的基础理论知识，数据库的基本概念、基本原理、关系数据库的设 计理论、设计方法等。熟悉数据建模工具Visio与数据库管理系统SQLServer 软件的使用。 3.按时上机调试，认真完成课程设计。 4.认真编写课程设计报告。 三、需求分析 信息管理系统是集计算机技术、网络通讯技术为一体的信息系统工程，它能够使企业运行的数据更加准确、及时、全面、详实，同时对各种信息进一步地加工，使企业领导层对生产、经营的决策依据更充分，更具有合理性和库、科学性，并创建出更多的发展机会；另外也进一步加强企业的科学化、合理化、制度化、规范化管理，为企业的管理水平跨上新台阶，为企业持久、健康、稳定的发展打下基础。 这个物资管理系统是以客户机/服务器模式的信息管理模式的信息管理系统。它的开发过程不仅仅是一个编写应用程序的过程，而是以软件工程的思想为指导，从可行性研究开始，经过系统分析、系统设计、系统实施

齿轮工艺课程设计说明书

目录 1．序言 1 2．零件的工艺分析及生产类型的确定 1 2．1零件的作用 1 2．2零件的工艺分析 2 2．3零件的生产类型 2 3．选择毛坯，确定毛坯尺寸，设计毛坯图 3 3．1确定毛坯制造形式 3 2．确定机械加工余量 3 3．3确定毛坯尺寸 4 3．4确定毛坯尺寸公差 4 3．5设计毛坯图 5 4．选择加工方法,制定工艺路线 6 4．1定位基准的选择 6 4．2零件表面加工方法的选择 6 4．3制定工艺路线 7 5．工序设计 8 5．1选择加工设备与装备 8 5．2确定工序尺寸 11 6．确定切削用量及基本时间 14 6．1工序I切削用量及基本时间的确定 14 6.2工序Ⅱ切削用量及切削时间的确定 18 6.3工序Ⅲ切削用量及基本时间的确定 19 6.4工序Ⅳ的切削用量及基本时间的确定 21 6.5工序Ⅴ切削用量及基本时间的确定 22 6.6工序Ⅵ切削用量及基本时间的确定 23 6.7工序Ⅶ切削用量及基本时间的确定 25 6.8工序Ⅷ切削用量及基本时间的确定 25 7．夹具设计 26 7.1定位方案 26 7.2夹紧机构 26 7.3对刀装置 27 7.4夹具与机床连接元件 27 7.5夹具体 27 7.6使用说明 27 7.7结构特点 27总结 参考文献

1．序言 课程设计在我们学完大学的全部基础课、专业基础课之后进行的，这是我们在进行课程设计对所学各课程的深入综合性的总复习，也是一次理论联系实际的训练，因此，它在我们的大学生活中占有重要的地位。另外在做完这次课程设计之后，我得到一次在毕业工作前的综合性训练，我在想我在下面几方面得到了锻炼： 运用机械制造工艺学课程中的基本理论以及在生产实习中学到的实践知识，正确地解决一个零件在加工中的定位，夹紧以及工艺路线安排，工艺尺寸确定等问题，保证零件的加工质量。 提高结构设计能力。通过设计夹具的训练，获得根据被加工零件的加工要求，设计出高效，省力，经济合理而能保证加工质量的夹具的能力。 学会使用手册以及图表资料。掌握与本设计有关的各种资料的名称，出处，能够做到熟练的运用。 就我个人而言，我希望通过这次课程设计对自己未来将从事的工作进行一次适应性训练，从中锻炼自己发现问题、分析问题和解决问题的能力，为今后参加祖国的“四化”建设打一个良好的基础。 由于个人能力有限，设计尚有许多不足之处，恳请各位老师给予指教，本人将表示真诚的感谢！ 2．零件的工艺分析及生产类型的确定 2.1零件的作用 课程设计任务书所给的是CA6140车床主轴箱中运动输入轴Ⅰ轴上的一个离合齿轮（图1-1），它位于Ⅰ轴的右端，用于接通或断开主轴的反转传动路线，与其他零件一起组成摩擦片正反转离合器。它借助两个滚动轴承空套在Ⅰ轴上，只有当装在Ⅰ轴上的内摩擦片和装在该齿轮上的外摩擦片压紧时，Ⅰ轴才能带动该齿轮转动。该零件的φ68K7mm孔与两个滚动轴承的外圈相配合，φ71mm沟槽为弹簧挡圈卡槽，φ94mm孔容纳其他零件，通过4个16mm槽口控制齿轮转动，6×1.5mm沟槽和4×φ5mm孔用于通入冷却润滑油。

CMOS模拟集成电路课程设计

电子科学与技术系 课程设计 中文题目：CMOS二输入与非门的设计 英文题目: The design of CMOS two input NAND gate 姓名：张德龙 学号： 1207010128 专业名称：电子科学与技术 指导教师：宋明歆 2015年7月4日

CMOS二输入与非门的设计 张德龙哈尔滨理工大学电子科学与技术系 [内容摘要]随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲，集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。 集成电路有两种。一种是模拟集成电路。另一种是数字集成电路。本次课程设计将要运用S-Edit、L-edit、以及T-spice等工具设计出CMOS二输入与非门电路并生成spice文件再画出电路版图。 [关键词]CMOS二输入与非门电路设计仿真

目录 1.概述 (1) 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作 (1) 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路 (1) 2-2.计算相关参数 (2) 2-3.电路spice文件 (3) 2-4.分析电路性质 (3) 3、使用L-Edit绘制基本CMOS二输入与非门版图 (4) 3-1.CMOS二输入与非门设计的规则与布局布线 (4) 3-2.CMOS二输入与非门的版图绘制与实现 (5) 4、总结 (6) 5、参考文献 (6)

1．概述 本次课程设计将使用S-Edit画出CMOS二输入与非门电路的电路图，并用T-spice生成电路文件，然后经过一系列添加操作进行仿真模拟，计算相关参数、分析电路性质，在W-edit中使电路仿真图像，最后将电路图绘制电路版图进行对比并且做出总结。 2.CMOS二输入与非门的设计准备工作 2-1 .CMOS二输入与非门的基本构成电路 使用S-Edit绘制的CMOS与非门电路如图1。 图1 基本的CMOS二输入与非门电路 1

(完整版)大工16秋《道路勘测设计课程设计》大作业答案

网络教育学院《道路勘测设计课程设计》 题目：某公路施工图设计 学习中心： 专业： 年级： 学号： 学生： 指导教师：

学 号学 生： 指导教师： 乔 娜 1 设计交通量的计算 设计年限内交通量的平均年增长率为7%，路面竣工后第一年日交通量如下： 桑塔纳2000：2300辆； 江淮a16600：200辆； 黄海dd680：420辆； 北京bj30：200辆； Ep140：580辆； 东风sp9250：310辆。 设计交通量：d N ＝0N ×() 1 1n r -+ 式中：d N —远景设计年平均日交通量（辆/日）； 0N —起始年平均交通量（辆/日）； r —年平均增长率； n —远景设计年限。 代入数字计算： 解： 0N =2300+200+420+200+580+310=4010（辆/日） 假设远景设计年限为20年，则将上述的种种数字带入公式后计算： 设计交通量：d N ＝0N ×() 1 1n r -+ =4010×（1+0.07）19 =14502（辆/日）

2 平面设计 路线设计包括平面设计、纵断面设计和横断面设计三大部分。道路是一个三维空间体系，它的中线是一条空间曲线。中线在水平面上的投影称为路线的平面。沿着中线竖直的剖切，再展开就成为纵断面。中线各点的法向切面是横断面。道路的平面、纵断面和各个横断面是道路的几何组成。 道路的平面线形，受当地地形、地物等障碍的影响而发生转折时，在转折处需要设置曲线，为保证行车的舒顺与安全，在直线、圆曲线间或不同半径的两圆曲线之间要插入缓和曲线。因此，直线、圆曲线、缓和曲线是平面线形的主要组成因素。 直线是平面线形中的基本线形。在设计中过长和过短都不好，因此要加以限制。直线使用与地形平坦、视线目标无障碍处。直线有测设简单、前进方向明确、路线短截等特点，直线路段能提供较好的超车条件，但长直线容易使司机由于缺乏警觉产生疲劳而发生事故。 圆曲线也是平面线形中常用的线性。《公路路线设计规范》规定，各级公路不论大小均应设置圆曲线。平曲线的技术标准主要有：圆曲线半径，平曲线最小长度以及回头曲线技术指标等。 平曲线的半径确定是根据汽车行驶的横向稳定性而定： )(1272 i V R +=μ 式中：V-行车速度km/h ； μ-横向力系数； i -横向超高，我国公路对超高的规定。 缓和曲线通过曲率的逐渐变化，适应汽车转向操作的行驶轨迹及路线的顺畅，以构成美观及视觉协调的最佳线形；离心加速度的逐渐变化，不致产生侧向冲击；缓和超高最为超高变化的过渡段，以减小行车震荡。 平曲线要素： 切线增长值：q=2s L －2 3 240R L s 内移值： p=R L s 242－3 4 2384R L s

钢筋混凝土课程设计心得体会

钢筋混凝土课程设计心得体会 《钢筋混凝土结构》课程设计是在学完钢筋混凝土结构基本原理的基础上进行的，《钢筋混凝土结构基本原理》这门课主要是讲解受弯构件(梁、板)、受压构件(柱子)、受扭构件在荷载作用下承载能力极限状态和正常使用极限状态的配筋计算，计算结果要满足《混凝土结构设计规范》的要求。而这次课程设计我是从以下几个方面进行的： 一.题目的选取： 在平时的教学和作业中，要求学生熟练掌握了各种构件的配筋与计算，并且能进行配筋验算(配筋满足适筋梁的要求，不能是超筋梁和少筋梁的配置)，而课程设计是理论与实践相结合的一个重要环节，一方面要基于课本，另一方面又要高于课本，根据我们专业的特点，我没有选取简单的构件设计，也没有选取复杂的高层或复杂体系的设计，而是选取了一种简单的结构体系——钢筋混凝土多层框架结构的设计。 二.设计的思路与要求： 软件编程综合实习已经告一段落，但在实习中我们收获颇多。这是我们完成的第一个数据库系统，也是到目前为止最为完善的系统。这一过程，我们掌握到了软件开发的一系列步骤，这能应用到今后的工作生活中去。我相信能给我们带来很大的帮助! 要求学生根据设计任务书，查阅《混凝土结构规范》、《荷载规范》计算结构上所施加的荷载;然后根据任务书要求进行内力计算以及配筋计算，同时用PKPM软件进行内力分析和同时自动生成配筋图;最后对手算和软件计算进行比较和调整。要求学生上交：结构设计计算书一份：要求有封皮、目录、详细的计算内容;并在计算书里绘出相应的结构施工图。 紧张而又辛苦的几周的课程设计终于结束了。当我们快要成为下达给我们“四工位专用机床”的任务的时候，想想老师最初给我们说的课程设计，因为开始的大意吧，没能在第一时间开始运做，所以使得我们在这最后的几周里真的是逼着，压着，强迫着才弄完，当然，完成后的喜悦那是没得说的，尽管这样的设计使的我们烦恼着、无奈着，但只要经过了过程，我们就能得到自己所需的，所以还是能够尽心尽力的完成的，尽管那路途是那样的曲折! 设计的目的旨在让学生掌握荷载的计算过程、内力的计算方法和配筋计算过程，另一方面通过对PKPM软件的学习，能熟练地掌握结构的建模和分析，更重要的是掌握有软件进行设计的过程，分析完以后要把配筋图转到cad上，进行图形的摘取。 医疗机构是卫生系统的主要窗口，也是社会的重要窗口。医德、医风的好坏是社会风气好坏的反映，也是全民族整体道德素质的重要表现。因为医疗行为关系到人的健康与生命，所以，医德、医风一直受到社会各界、舆论的经常关注和很高的要求，常常形成一时

微电子电路课程设计

课程设计报告 微电子电路 带有源负载的共源极放大器与带有源负载的cascode 放大器 集成电路设计 目录 1.课程设计目的···································页码3 2.课程设计题目描述和要求·························页码3 3.设计思路·······································页码4 4.带有源负载的共源极放大器设计过程及结果·········页码5 5.带有源负载的cascode放大器设计过程及结果·······页码7 6.心得体会·······································页码9 7.参考书目·······································页码9

２ 1.课程设计目的 深刻理解课本上学到的知识，建立各个章节的知识体系之间的联系。 加强动手能力和运用课本知识理论解决问题的能力。 对于放大器的性能和参数有更深刻的理解和掌握。 2.课程设计题目描述和要求 分析如图这样的带有源负载的共源极放大器与带有源负载的cascode 放大器的开环增益，3dB 频宽，单位增益频率。其中负载电容为3PF ，电源电压为5V ，要求CS 放大器的开环增益大于30dB ，cascode 放大器的开环增益大于60 dB 。对仿真结果进行分析，功耗小于2mW 。 Vdd C

３ Vdd C 3.设计思路：根据题目要求来计算以cs 放大器为例 ⑴功率不超过2mW ，电源为 5v ，得到总电流不能超过400uA 。 ⑵开始分配给ID 的电流为50u 运用了镜像电流源，电流大小之比为2，在长度一定时候的宽度之比也是2，故在右边电路的id 为100u ⑶根据公式 对于n 管来说，预估一个过驱动电压0.4v （大约0.2-0.5v ）均可。计算出来n 管宽长比为11.26，取11。因为实验中给定了n 管的阈值电压为0.723v ，所以，可以确定栅源电压为1.1v 左右。 对于p 管来说，预估一个过驱动电压为0.5v （大约0.2-0.5v ）均可。经过计算，p 管的宽长比为11.59，取12 。

内燃机设计课程设计大作业

第一部分：四缸机运动学分析 绘制四缸机活塞位移、速度、加速度随曲轴转角变化曲线（X －α，V －α，a －α）。 曲轴半径r=52.5mm 连杆长度l=170mm, 连杆比31.0==l r λ 1、位移：)]2cos 1(4 1 )cos 1[(αλα-+-=r x 2、速度：)2sin 2 (sin αλ αω+ =r v 3、加速度：)2cos (cos 2αλαω+=r a

第二部分：四缸机曲柄连杆机构受力分析 1、初步绘制四缸机气缸压力曲线（g F －α），绘制活塞侧击力变化曲线（N F －α），绘制连杆力变化曲线（L F －α），绘制曲柄销上的切向力（t F ），径向力（k F ）的变化曲线（－α），（－α）。 平均大气压MPa p 09839.098.39kPa 0== 缸径D=95mm 则 活塞上总压力 6 010 )(?-=A P P F g g 24 D A π = 单缸活塞组质量：kg m h 277.1= 连杆组质量： 1.5kg =l m 则 往复运动质量：l h j m m m 3.0+= 往复惯性力：)2cos (cos 2αλαω+-=-=r m a m F j j j )sin arcsin(αλβ=又 合力：g j F F F += 侧击力：βtan F F N = 连杆力：β cos F F L = 切向力：)sin(βα+=L t F F 径向力：)cos(βα+=L k F F t F k F

2.四缸机连杆大头轴承负荷极坐标图，曲柄销极坐标图 连杆大头集中质量产生的离心力：2 227.0ωωr m r m F l rL == 连杆轴颈负荷： qy qx p F F arctan =α 连杆轴承负荷： ?+++=180βαααq P )sin(p P px F F α= 2m rL L q F F F +=k rL qx F F F -=t qy F F =q p F F -=)(p p py con F F α=

工艺课程设计说明书

机械制造工艺学课程设计 设计说明书 设计题目：飞锤支架零件工艺 规程及机床专用夹具的设计 指导老师：梁睿君 班级：0507106 学号：050710621 姓名：吴悠

日期：2010-6-22 0.课程设计序言 机械制造工艺学课程设计是在学完了《机械制造工艺学》课程，进行生产实习之后的一个重要教学实践环节。它要求学生综合运用本课程及有关先修课程（工程材料与热处理、机械设计、互换性与测量技术、金属切削机床、金属切削原理与刀具等）的理论以及在生产实习中学到的实践知识进行工艺规程设计，是毕业设计前的一次综合训练。通过机械制造工艺学课程设计，应达到下述目的： 1. 学生能熟练运用“机械制造工艺学”课程中的基本理论以及生产实际中学到的实践知识，正确制定一个中等复杂零件的工艺规程。 2. 学生能根据被加工零件的工艺规程，运用夹具设计的基本原理和方法，设计一套专用夹具。 3. 培养学生熟悉并运用有关手册、标准、图表等技术资料的能力。 4. 进一步培养学生识图、制图、运算和编写技术文件的基本技能。 1．零件分析，画零件图 1.1 零件作用 设计题目所给零件是飞锤支架。它是飞锤调速器上的一个零件，用来连接支撑调速飞锤，以使飞锤平稳转动，达到改变转动惯量来调节转速的目的飞锤支架是对称结构，通过其中心孔 7套于转轴上，而一对飞锤对称装于两对 6孔中，随支架一起转动。当转速改变时，飞锤与转轴夹角也改变，从而改变转动惯量来调节转速。所以，飞锤支架的加工质量将影响调速器的调速精度。 1.2 零件工艺分析 零件图如图1-1。概括来讲，飞锤支架有两组加工表面。一组是以0.036 7φ+孔为中心加 工表面,均为回转体表面，包括外圆面φ11,φ15,0 0.03319φ-以及端面.其中大端面与孔 0.03607φ+有垂直度要求, 公差为0.05；00.03319φ-外圆面与孔0.03607φ+有圆跳动要求，公差为 0.05。另一组就是余下的加工表面，包括两个φ6.5的圆孔，两对共四个0.12 0.046φ++孔，以及一些平面。其中，

混凝土课程设计

1 设计资料 (1)楼盖面层做法：20mm 厚水泥砂浆面层；钢筋混凝土现浇板；板底采用20mm 厚混合砂浆天棚抹灰。 (2)材料：混凝土强度等级C30；主梁及次梁受力筋采用HRB335级钢筋，板内及梁内的其它钢筋采用HPB235级钢筋。环境类别为一类。 楼面活荷载:活荷载标准值7.0kN/m2； 楼面面层：水泥砂浆容重3m /kN 20=γ ； 钢筋混凝土容重：3 m /kN 25=γ； 混合砂浆容重：3m /kN 17=γ； 荷载分项系数：恒载分项系数为1.2，活载分项系数为1.3。 2 楼盖的结构平面布置 主梁沿横向布置，次梁沿纵向布置。主梁的跨度为7.2m ，次梁的跨度为6.96m ，主梁每跨内布置两根次梁，板的跨度为2.4m ，l02/l01=7.2/2.4=3,因此按单向板设计。 按跨高比条件，要求板厚h ≧2400/40=50mm ，对工业建筑的楼盖板，要求h ≧80mm ，取板厚h=80mm 。 次梁截面高度应满足h=l0/18~l0/12=6960/18~6960/12=387~580mm 。考虑到楼面可变荷载比较大，取h=500mm 。截面宽度取为b=200mm 。 主梁截面高度应满足h=l0/15~l0/10=7200/15~7200/10=400~600mm 。取h=700mm 。截面宽度取为b=300mm 。 楼盖结构平面布置图见图1 图1 楼盖结构平面布置图

3 板的设计 (1)荷载 板的永久荷载标准值 20mm厚水泥砂浆面层0.02m*20kN/m3=0.40kN/m2 80mm厚钢筋混凝土板0.08m*25kN/m3=2.00kN/m2 20mm厚混合砂浆天棚抹灰0.02m*17kN/m3=0.34kN/m2 小计 2.74kN/m2 板的可变荷载标准值7.00kN/m2 永久荷载分项系数取1.2；因楼面可变荷载标准值大于4.0km/m2,所以可变荷载分项系数应取1.3。于是板的 永久荷载设计值g=2.74*1.2=3.29kN/m2 可变荷载设计值q=7.00*1.3=9.10kN/m2 荷载总设计值g+q=12.388kN/m2近似取为g+q=13.0kN/m2 (2)计算简图 次梁截面为200mm*500mm，现浇板在墙上的支承长度不小于100mm，取板在墙上的支承长度为120mm。按塑性内力重分布设计，板的计算跨度： 边跨l0=ln+h/2=2400-100-120+80/2=2220mm＜1.025*ln=2275.5mm，取l0=2220mm 中间跨l0=ln=2400-200=2200mm 因跨度相差小于10%，可按等跨连续板计算。取1m宽板带作为计算单元，计算简图见图2 (3)弯矩设计值 由表可查得，板的弯矩系数αm分别为：边跨中，1/11；离端第二支座，-1/11；中跨中，1/16；中间支座，1/14。 M1=-MB=(g+q)l012/11=13.0*2.222/11=5.82kN?m MC=-(g+q)l012/14=-13.0*2.22/14=-4.49kN?m M2=(g+q)l012/16=13.0*1.802/16=3.93kN?m 这是对端区格单向板而言，对于中间区格单向板，其MC和M2应乘以0.8，分别为 MC=0.8*(-4.49)=-3.59kN?m；M2=0.8*3.39=3.15kN?m (4)正截面受弯承载力计算

半导体器件与工艺课程设计

课程设计 课程名称微电子器件工艺课程设计 题目名称 PNP双极型晶体管的设计 学生学院___ 材料与能源学院___ _ 专业班级 08微电子学1班 学号 3108008033 学生姓名____ 张又文 __ _ 指导教师魏爱香、何玉定 ___ 2011 年 7 月 6 日

广东工业大学课程设计任务书 题目名称 pnp 双极型晶体管的设计 学生学院 材料与能源学院 专业班级 微电子学专业08级1班 姓 名 张又文 学 号 3108008033 一、课程设计的内容 设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=300K 时，β=120。V CEO =15V,V CBO =80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为I C =5mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 二、课程设计的要求与数据 1．了解晶体管设计的一般步骤和设计原则 2．根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度N E , N B ,和N C , 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 3．根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度W c ，基本宽度W b ，发射区宽度W e 和扩散结深X jc , 发射结结深X je 等。 4．根据扩散结深X jc , 发射结结深X je 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。 5．根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。 7．撰写设计报告 三、课程设计应完成的工作 1. 材料参数设计

印刷工艺课程设计说明书

题目：《2014-2015学年工作校历》手册的 印版制作工艺 学生姓名：尹秉政 学院：轻工与纺织学院 系别：印刷工程系 专业：印刷工程 班级：印刷2011级2班5组 指导教师：穆东明、郭丽娜 2014 年7 月10 日

目录 第一章课程设计的主要内容 (1) 第二章设计作品的印制工艺流程 (1) 2.1 原稿的设计流程 (1) 2.1.1 图像扫描 (1) 2.1.2印前图文制作处理 (2) 2.1.3 拼版，组版 (2) 2.1.4 打样输出 (2) 2.2 胶片输出流程 (2) 2.2.1 RIP处理 (2) 2.2.2 激光照排机曝光与冲洗机定影 (2) 2.3 印版的制作流程 (2) 2.4 印刷流程 (2) 2.4.1 印前准备 (2) 2.4.2 装版试印 (2) 2.4.3 正式印刷 (3) 2.4.4 印后处理 (3) 2.5 印后加工流程 (3) 第三章设计作品的印版制作工艺 (3) 3.1印版制作工艺要求 (3) 3.2 工艺内容 (3) 3.3 工艺过程 (4) 3.4 主要工艺参数 (4) 第四章印版制作工艺中的质量检测与故障排除 (4) 4.1 印版外观质量的检查 (4) 4.2 版式规格的检查 (5) 4.3 图文内容的检查 (5) 4.4 胶印印版色别的区别和检查 (5) 4.5 印版图文和非图文部分的检查 (5) 总结 (5) 参考文献 (6)

第一章课程设计的主要内容 本课程设计针对学生己经掌握的印刷工艺课程的专业理论知识和基本技能，进行 一次综合应用的训练。课程设计中学生要能够完成规定印刷活件的印前制作与处理过程，完成胶片的发排、冲洗显影，制作相应的胶印PS版，并使用该印版进行胶版印刷，完成印刷品的折页、装订及裁切等印后加工工序，最终获得印刷成品。在此过程中使学生更加深入地了解和掌握印前制作、输出、制版、印刷的工作内容、工艺特点和技术处理方法。 课程设计的主要内容的设计工作校历手册，工作校历的成品规格为185X260mm，大度8开单色双面印刷，正度16开骑马钉装钉。我的任务主要内容是印版的制作，总共26张胶片，所准备的印版至少26张未曝光，版面平整，没有折痕，大度8开，470X400mm的阳图光分解型预涂感光板，印版制作前的工艺为胶片输出，对此环节的要求是胶片平整，表面无折痕，如果不符合此要求的胶片将无法晒版在完成印版的制作后将是印刷过程。将印版交于印刷小组。事实上印版制作和印刷是分不开的，所以我们既要制作印版又要印刷，一旦印刷中出现印版损毁，那就重 新制作印版。 第二章设计作品的印制工艺流程 2.1 原稿的设计流程 2.1.1 图像扫描 图像扫描是通过平面扫描仪获取图像的方式。 平面扫描仪获取图像的方式是先将光线照射在扫描的材料上，光线反射回来后由CCD光敏元件接收并实现光电转换(图1). 为：放置原稿——预扫——参数设置——正式扫描。 滚筒扫描仪操作步骤：扫描操作步骤主要分为： 放置原稿——预扫——参数设置——正式扫描。 图1 扫描仪 2.1.2印前图文制作处理 数字印前图文图像制作处理以Photoshop图像处理软件为主。 Photoshop软件是印刷印前处理的主要软件，可以用于色彩管理进行颜色设置， 设置工作空间和色彩管理方案，也可以用于改变图像色彩模式便于印刷输出。 Photoshop是一个功能丰富、性能强大的软件，可以根据需要对图像进行处理。例如：改变色阶、调整明度饱和度、色彩平衡、亮度饱和度等。该软件自带了很多预设的滤

混凝土课程设计(1)

现浇钢筋混凝土楼盖课程设计指导书 学生姓名： 专业学号： 指导教师： 电话号码： 九江学院土木与城市建设学院 结构工程教研室 2012年04月

钢筋混凝土单向板肋梁楼盖课程设计任务书 一、设计题目 某多层工业建筑楼盖平面图如图1所示，L1、L2尺寸见表1，环境类别为一类，楼梯采用室外悬挑楼梯。楼面均布可变荷载标准值如表2所示，楼盖拟采用现浇钢筋混凝土单向板肋梁楼盖。 图1 楼盖平面图 表1 楼盖柱网l 1、l 2 取值（mm） 表2 楼面均布可变荷载标准值（kN/m 2）

二、设计资料 1、生产车间的四周外墙均为承重砖墙，纵横墙墙厚均为370mm ，采用MU10烧结普通砖、M5混合砂浆砌筑。车间内设钢筋混凝土柱，其截面尺寸为350mm×350mm 。 2、材料：混凝土采用C30或C35；主梁及次梁受力筋用HRB335或HRB400级钢筋，板内及梁内的其它钢筋采用HPB300级。 3、楼面面层：水磨石地面20.65/kN m ；楼盖自重：钢筋混凝土自重标准值 325/kN m γ= 三、设计内容 1、按指定的设计号进行设计，提交纸质稿计算书。 2、结构平面布置图：柱网、主梁、次梁及板的布置 3、板的强度计算（按塑性内力重分布计算） 4、次梁强度计算（按塑性内力重分布计算） 5、主梁强度计算（按弹性理论计算） 6、用2号图纸2～3张绘制楼盖结构施工图： ①结构平面布置图（1：200） ②板的配筋图（1：50） ③次梁的配筋图（1：50；1：25） ④主梁的配筋图（1：40；1：20）及材料抵抗弯矩图；

四、具体要求 1、计算书要求采用A4纸书写或打印，严禁部分书写部分打印。 2、计算字迹要求工整，条理清楚，页码齐全，表格规范并编写表格序号，主要计算步骤、计算公式、计算简图均应列入（否则判为不及格），并尽量利用表格编制计算过程。 3、图面应整洁，布置应匀称，字体和线型应符合制图标准（否则判为不及格）。 4、提交全部成果时请在计算书第一页页眉上注明专业、姓名、学号、手机号等，图纸按照标准格式折叠。 五、参考文献 1、《建筑结构荷载规范》（GB 50009-2006），中国建筑工业出版社 2、《混凝土结构设计规范》（GB50010-2010），中国建筑工业出版社 3、《混凝土结构》（上册、中册）（第四版），东南大学、天津大学、同济大学 合编，中国建筑工业出版社 4、《混凝土结构及砌体结构》（上册）（第二版），滕智明、朱金铨，中国建 筑工业出版社

《微电子制造原理和技术》课程设计大纲-09

微电子制造原理与技术》课程设计大纲 一、课程名称：《微电子制造原理与技术》课程设计 开课专业：电子科学与技术 学分/总学时：2学分，2周 实验（上机）学时：40 先修课程：半导体工艺原理与技术，数字电路，专业实验，集成电路设计 制定人：李金华 制定时间：2009.12.28 二、课程的目的和任务 课程设计是学完一门课后应用本课程知识及以前的知识积累而进行的综合性、开放性、设计性的实践训练，是培养学生工程意识和创新能力的重要环节，是检验学生灵活和牢固掌握知识的重要手段。基于上述认识，决定开设《半导体工艺原理与技术》的课程设计实践环节。所以开设本课程的目的是，通过对本课程的实践，更加牢固和全面地掌握信息功能薄膜材料的制备方法和在微电子器件，特别是在集成电路工艺中的应用。通过本课程的训练，可以将《半导体工艺原理与技术》与《集成电路设 计》、《专业实验》更好地结合起来，使学生掌握更加全面的专业技能。由于电子科学与技术专业的学生学过了《集成电路设计》，希望学生能在这二周时间内得到一定的IC 设计与工艺锻炼，为以后的求职创造条件。 三、课程内容和基本要求 本课程设计的主要内容是将《半导体工艺原理与技术》的课程内容与《集成电路设计》、《专业实验》、《薄膜材料与薄膜技术》课程结合，结合LEDIT 软件的应用，作简单CMOS器件的版图和工艺设计。 本课程设计选择了35个简单实用的CMOS器件与典型工艺，要求学生通过对本课程和已学课程的复习，也可上网检索和阅读参考资料，从器件原理、逻辑图，用当前世界通用的集成电路设计软件LEDIT 设计版图。结合已学过的知识设计该器件的版图与工艺。对基础比较好的学生，可以对已经列出的35 个简单器件或工艺标准作合理提升，相应的课题将利用难度系数来提高成绩。

现代控制理论课程设计(大作业)

现代控制理论课 程设计报告 题目打印机皮带驱动系统能控能观和稳定性分析 项目成员史旭东童振梁沈晓楠 专业班级自动化112 指导教师何小其 分院信息分院 完成日期 2014-5-28

目录 1. 课程设计目的 (3) 2.课程设计题目描述和要求 (3) 3.课程设计报告内容 (4) 3.1 原理图 (4) 3.2 系统参数取值情况 (4) 3.3 打印机皮带驱动系统的状态空间方程 (5) 4. 系统分析 (7) 4.1 能控性分析 (7) 4.2 能观性分析 (8) 4.3 稳定性分析 (8) 5. 总结 (10)

项目组成员具体分工 打印机皮带驱动系统能控能观和稳定性 分析 课程设计的内容如下： 1.课程设计目的 综合运用自控现代理论分析皮带驱动系统的能控性、能观性以及稳定性，融会贯通并扩展有关方面的知识。加强大家对专业理论知识的理解和实际运用。培养学生熟练运用有关的仿真软件及分析，解决实际问题的能力，学会使用标准、手册、查阅有关技术资料。加强了大家的自学能力，为大家以后做毕业设计做很好的铺垫。 2.课程设计题目描述和要求 (1)环节项目名称：能控能观判据及稳定性判据 (2)环节目的： ①利用MATLAB分析线性定常系统的可控性和客观性。 ②利用MATLAB进行线性定常系统的李雅普诺夫稳定性判据。 (3)环节形式：课后上机仿真 (4)环节考核方式： 根据提交的仿真结果及分析报告确定成绩。 (5)环节内容、方法： ①给定系统状态空间方程，对系统进行可控性、可观性分析。 ②已知系统状态空间方程，判断其稳定性，并绘制出时间响应曲线验

证上述判断。 3.课程设计报告内容 3.1 原理图 在计算机外围设备中，常用的低价位喷墨式或针式打印机都配有皮带驱动器。它用于驱动打印头沿打印页面横向移动。图1给出了一个装有直流电机的皮带驱动式打印机的例子。其光传感器用来测定打印头的位置，皮带张力的变化用于调节皮带的实际弹性状态。 图1 打印机皮带驱动系统 3.2 系统参数取值情况 表1打印装置的参数

冲压工艺学课程设计说明书

冲压工艺学课程设计说 明书 Revised as of 23 November 2020

冲压工艺学课程设计说明书模具类型：冲孔落料连续模 姓名：尹相雨 指导老师：鲍益东陈明和 南京航空天大学 2014年6月20日 目录 一、设计任务-----------------------------------------------4 二、工艺分析-----------------------------------------------4 （1）公差及搭边值选定-----------------------------------4 （2）凸凹刃口尺寸与公差---------------------------------5表：工作零件刃口尺寸的计算-------------------------6（3）排样及孔心距设计-----------------------------------6 （4）材料利用率的计算-----------------------------------6 （5）冲裁力的计算---------------------------------------7 （6）压力中心的计算-------------------------------------9表：条料及冲压力的相关计算-------------------------9 三、主要模具零件的设计计算--------------------------------10 （1）冲裁方式的确定------------------------------------10

（2）凸模的设计选择------------------------------------10冲孔圆凸模-----------------------------------------11（3）导正销的选用--------------------------------------11（4）落料凹模的选用------------------------------------12（5）凸模强度校核--------------------------------------13（6）凹模的设计选择------------------------------------14 1、类型确定---------------------------------------14 2、刃口形式以及尺寸-------------------------------14 3、凹模外形尺寸的确定-----------------------------15 4、凹模定位螺孔和定位销孔-------------------------15 5、凹模板大小的确定-------------------------------15 四、其他模具主要零件的设计选择----------------------------16 （1）凸模固定板----------------------------------------16（2）模架----------------------------------------------16（3）卸料板--------------------------------------------17（4）垫板----------------------------------------------17（5）导料板--------------------------------------------18（6）初始挡料------------------------------------------18（7）挡料装置------------------------------------------19（8）侧压装置------------------------------------------19（9）模柄----------------------------------------------20五、装配--------------------------------------------------20

课程设计微电子器件与工艺课程设计报告

课程设计微电子器件与工艺课程设计报告

目录 1.设计任务及目标 (1) 2.课程设计的基本内容 (1) 2.1 pnp双极型晶体管的设计 (1) 2.2 设计的主要内容 (1) 3.晶体管工艺参数设计 (2) 3.1 晶体管的纵向结构参数设计 (2) 3.1.1 集电区杂质浓度的确定 (2) 3.1.2 基区及发射区杂质浓度 (3) 3.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定 (3) 3.1.4 各区少子扩散长度的计算 (4) 3.1.5 集电区厚度的选择 (4) 3.1.6 基区宽度的计算 (4) 3.1.7 扩散结深 (6) 3.1.8 表面杂质浓度 (7) 3.2晶体管的横向设计 (8) 3.3工艺参数的计算 (8) 3.3.1 基区磷预扩时间 (8) 3.3.2基区磷再扩散时间计算 (8) 3.3.3 发射区硼预扩时间计算 (9) 3.3.4 发射区硼再扩散时间计算 (9) 3.3.5 基区磷扩散需要的氧化层厚度 (10) 3.3.6 发射区硼扩散需要的氧化层厚度 (11) 3.3.7 氧化时间的计算 (11) 3.3.8设计参数总结 (12) 4晶体管制造工艺流程 (13) 4.1硅片及清洗 (15) 4.2氧化工艺 (16)

4.3光刻工艺 (17) 4.3.1光刻原理 (17) 4.3.2具体工艺流程 (18) 4.3.3硼的扩散 (19) 4.3.4磷的扩散 (20) 5 版图 (20) 6总结 (23) 7参考文献 (23)

微电子器件与工艺课程设计报告 ——pnp 双极型晶体管的设计 1、课程设计目的与任务 《微电子器件与工艺课程设计》是继《微电子器件物理》、《微电子器件工艺》和《半导体物理》理论课之后开出的有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。 目的是使我们在熟悉晶体管基本理论和制造工艺的基础上，掌握晶体管的设计方法。要求我们根据给定的晶体管电学参数的设计指标，完成晶体管的纵向结构参数设计→晶体管的图形结构设计→材料参数的选取和设计→制定实施工艺方案 晶体管各参数的检测方法等设计过程的训练，为从事微电子器件设计、集成电路设计打下必要的基础。 2、课程设计的基本内容 2.1 pnp 双极型晶体管的设计 设计一个均匀掺杂的pnp 型双极晶体管，使T=300K 时，β=120。V CEO =15V,V CBO =80V.晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为I C =5mA 。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。 2.2 设计的主要内容： （1）了解晶体管设计的一般步骤和设计原则。 （2）根据设计指标选取材料，确定材料参数，如发射区掺杂浓度N E ,，基区掺 杂浓度N B ，集电区掺杂浓度N C ，根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。 （3）根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，如集电区厚度W c ， 基区宽度W b ，发射极宽度W e 和扩散结深X jc ，发射结结深等。 （4）根据结深确定氧化层的厚度，氧化温度和氧化时间；杂质预扩散和再扩散 的扩散温度和扩散时间。 （5）根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、 发射区和金属接触孔的光刻版图。