半导体器件塑封抽真空装置

半导体器件塑封抽真空装置

【摘要】本文主要介绍一种结构简单，易制作的半导体器件塑封抽真空装置，通过抽真空装置，可使产品在真空工艺条件下成形，提升其成品率。

【关键词】塑封；塑封机；模具；真空

1.引言

作为半导体分立器件产品，为了有效保护其芯片和内部焊接引线，需要使用环氧树脂把焊接在引线框架上的芯片和引线进行封装，形成一个坚硬保护体。然而某些产品（如SOT-186A，SOD-113等）因对其性能有特别的要求，使其载芯板背面环氧树脂保护层厚度只有0.3MM左右。在这条件下，应用传统的封装工艺生产，其成品率低。产品外观缺陷主要体现在塑封体背面针孔、树脂填充不良和高压测试耐压值低等缺点。所以通过提供一种结构简单，易制作的半导体器件塑封抽真空装置，通过抽真空装置，可使产品在真空工艺条件下成形，提升其成品率。

2.技术方案

2.1 抽真空装置结构

半导体器件塑封抽真空装置，包括有塑封机，塑封机上设有塑封模具，塑封模具合模后可形成密封空间，一真空容器罐通过真空管道连通塑封模具合模后形成的密封空间，于真空管道上设有抽气阀、放气阀及真空压力表，真空压力表通过压力信号线连接塑封机进行信号控制；真空容器罐与真空泵一起安装在一可移动的真空机壳体内，且模具与真空容器罐的管道上加装有空气过空气过滤器，防止模具中废料吸入真空容器罐内部。（见图1）

2.2 控制系统

为了使抽真空装置能够真正发挥应有的作用，控制抽真空装置的开启和关闭的时间关键最为关键，最好做法就是将抽真空机和塑封压机的控制系统进行联机，实现自动控制，既能保证产品质量又简化了操作程序，消除人为控制因素的影响。通过分析抽真空装置工作特点并结合塑封压机的工作时序，本着“简化操作、减少人为失误”的设计原则，充分利用塑封压机在工作过程中所输出的一些控制信号，设计了一个“自动抽真空控制原理图”（图2），将抽真空机和塑封压机的控制系统进行联机。

该控制线路，除了利用塑封机原自身具有的一些配件以外，增加了R1继电器、T1、T2两个时间继电器和S1、S2电磁阀。利用这些增加的电器元件，使压机的控制线路和抽真空机的控制线路很好的结合起来。首先，将抽真空泵的电机电源并到塑封压机的油泵电机上，其好处是在启动压机电机开始进行塑封作业的同时启动抽真空泵，不须单独启动抽真空泵，避免因人为原因而忘记打开抽真空泵，真正达到防错的效果；当合模到模具完全闭合并产生合模低压（这时候合模压力一般可以达到70Kg/cm2），压机的低压开关将会闭合，增加的R1继电器随即闭合使抽真空阀门打开，在同一时间R1的常闭触点将被断开，使S2卸荷阀断电，切断模具内部与外界连通的气路，把模具内部与外部完全隔离。这时候抽真空泵开始把模具内部的空气往外抽，当继续加压达到合模高压点的时候（这时候合模压力一般达到150Kg/cm2），压机的高压开关闭合；按照一般的MGP模的塑封作业过程，高压开关一闭合即会自动执行注塑的动作；但在这个控制线路里面，我们先把高压开关的输出信号接到时间继电器T1上，等T1设定时间达

常用半导体器件复习题

第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。

二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）

真空包装机操作使用说明

真空包装机 操作、使用说明书 真空包装机操作、使用说明书 大江真空包装机械有限公司 大江机械贸易有限公司 说明书自述 本说明书为整个系列真空包装机的使用说明书。 具体型号的使用说明请参照相关页面！ 具体机型：智能版型、普通型 智能版型1 抽真空0~99S 充氮0~ 加热0~ 冷却0~ 电动开盖放气 智能版型2 抽真空0~99S 充氮0~ 加热0~ 冷却0~ 放气 智能版型3 抽真空0~99S 切丝0~ 加热0~ 冷却0~ 放气 智能版型4 抽真空0~99S 加热0~ 冷却0~ 放气 普通型抽真空0~99S 加热0~ 冷却0~ 放气

●各机型动作原理，内部结构，电器原理图，气路原理图，请根据机器 功能参照相关页面！ ●以上为现有通用机型，特殊机型及定制机型不在此列，具体情况请联 系设备制造商！ 目录 说明书自述-------------------------------------- 1 目录-------------------------------------- 2 用途及特点-------------------------------------- 3 使用前准备-------------------------------------- 4 操作说明-------------------------------------- 7 气路原理图-------------------------------------- 9 电气原理图-------------------------------------- 11 故障分析-------------------------------------- 20 用途及特点 用途： 本公司自发研制的全系列真空包装机具有功能优越，维护方便，操作简易，应用广泛等优点。特别适用于复合薄膜或铝箔复合薄膜等软包装材料。对固体、液体、粉状、糊状的食品，种子、芬芳物、药品、化工产品、电子产品、精密仪器仪表、稀有贵重金属等物品进行真空包装，或者真空后充入惰性气体包装。经真空包装处理后的物品可长期保质保鲜，防止氧化，霉变，虫蛀，腐败，受潮，且适合于各种工作环境及场所！ 特点：

半导体器件物理 试题库

半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。

9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化

外抽式真空包装有利于果蔬的保存

外抽式真空包装有利于果蔬的保存 现在人们对于食品安全的越来越重视，真空包装机的问世开始解决了这一问题，我们平常购买的蔬菜，水果之类的如果保存不好的话，就会造成他们的损坏，我们也知道水果蔬菜一般保存的时间都是不长的，因此我们要是想长时间的保存好他们不变质的话，就要使用真空包装机，不过因为水果蔬菜的形状大小不统一，因此在我们选择真空包装机最好选择的就是外抽式真空包装机，下面我们简单介绍一下外抽式真空包装机如何保证水果蔬菜不变质。 外抽式真空包装机主要就是将抽气嘴深入到产品内，将产品内的空气抽干，保证产品内呈现真空状态，因为在真空状态我们才能够保证细菌的不生长，保证水果蔬菜的新鲜度，外抽式真空包装机除了可以让果蔬进行保鲜外，同时添加的包装外衣，也有效的保护了果蔬免受外界冷空气的寒冻。 真空包装机在食品行业包装的优势已被普遍认可，而外抽式真空包装机是真空包装机的一种，它体积小巧，技术先进，且不受规格的限制，工作效率快而成为了外抽式真空包装机的优势。在冬季人们对于绿色的果蔬类的需求非常的大，各大果蔬生产基地也都需要加快生产效率才能够满足这个冬季人们对于果蔬的需求，为防止果蔬被冻坏，同时更保护果蔬的色彩、营养不会流失，外抽式真空包装机绝对是个绝佳之选。 外抽式真空包装机一般配置的是1个抽气嘴，也可以根据生产效率问题，增加抽气嘴的数量，一般抽气嘴增加的话才能够保证外抽式真空包装机的效率问题，外抽式真空包装机的操作方便，使用简单，但是要注意的一点就是，外抽式真空包装机是要配合气源一起实现抽真空工作的，要是没有气源的话，我们就没有办法实现抽真空工作，这是我们客户在使用时要注意的一点。 外抽式真空机是真空包装机的一种，也是青岛麦格专业生产的一种真空包装设备，这款真空包装机不但操作简单，使用方便，还价格低廉，我们青岛麦格同时生产的真空包装机还有别的类型，客户可以根据自己的产品情况选择合适的真空包装机类型，如果您有什么问题的话，可以联系我们，我们期待您的来电。

真空系统抽气时间的计算

真空系统抽气时间的计算 1．真空系统的抽气方程 真空系统的任务就是抽除被抽容器中的各种气体。 我们可以把被抽容器中所产生的各种气体的流量称为真空系统的气体负荷。那么真空系统的气体负荷究竟来自哪些方面呢?或者说真空室内究竟有哪些气源呢?总起来说，可以归纳为下述几个方面： (1)被抽容器内原有的空间大气，若容器的容积为Vm 3，抽气初始压强为P o Pa ，则容器内原有的大气量为VP 0Pa·m 3； (2)被抽容器内一旦被抽空，暴露于真空下的各种材料构件的表面就将把原来在大气压下所吸收和吸附的气体解析出来，这部分气体来源我们称之为放气，单位时间内的放气流量可以用Q f Pa·m 3／s 来示； 实验表明，材料表面单位时间内单位表面积的放气率q 可以用式(27)的经验公式来计算。 真空室内暴露于真空下的构件表面，可能有多种材料。所以总的表面放气流量Q f 为式 (49)。 (3)大气通过容器壁结构材料向真空室内渗透的气体流量，以Q s Pa·m 3／s 表示。渗透的气流量即是大气通过容器壁结构材料扩散到容器中的气体流量。气体的这种渗透是有选择性的，例如：氢只有分离为原子才能透过钯、铁、镍和铝；氢对钢的渗透将随钢中含碳量的增加而增加。氦分子能透过玻璃。氢、氮、氧和氩、氖、氦能透过透明的石英。一切气体都能透过有机聚合物，如橡胶、塑料等。但是所有的隋性气体都不能透过金属。除了有选择性之外，渗透气流量Q s 还与温度、气体的分压强有关。在材料种类、温度和气体分压强确定时，渗透气流量Q s 是个微小的定值。 (4)液体或固体蒸发的气体流量Q Z Pa·m 3／s 。空气中水分或工艺中的液体在真空状态下蒸发出来，这是在低真空范围内常常发生的现象。在高真空条件下，特别是在高温装置中，固体和液体都有一定的饱和蒸气压。当温度一定时，材料的饱和蒸气压是一定的，因而蒸发的气流量也是个常量。 (5)大气通过各种真空密封的连接处，通过各种漏隙通道泄漏进入真空室的漏气流量Q L Pa·m 3／s 。对于确定的真空装置，漏气流量Q L 是个常数。漏气流量通常可通过所说的压升率，即单位时间内容器中的压强增长率P x 来计算式(28)。 当真空泵启动之后，真空系统即对被抽容器抽气。此时，真空系统对容器的有效抽速若以S e 表示，容器中的压力以P 表示，则单位时间内系统所排出的气体流量即是S e P 。容器中的压强变化率为dP/dt ，容器内的气体减少量即是V dP/dt 。根据动态平衡，可列出如下方程 (29)。 这个方程称为真空系统抽气方程。 式中V 是被抽容器的容积，由于随着抽气时间t 的增长，容器内的压力P 降低，所以容器内的压强变化率dP/dt 是个负值。因而V dP/dt 是个负值，这表示容器内的气体减少量。放气流量Q f ，渗透气流量Q s ，蒸发的气流量Q z 和漏气流量Q L 都是使容器内气体量增多的气流量。S e P 则是真空系统将容器内气体抽出的气流量，所以方程中记为一S e P 。

常用半导体器件

第4章常用半导体器件 本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。 本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。 本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管 本节学时2学时 本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。 教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体 在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性 当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。

如何具体的操作外抽真空包装机

如何具体的操作外抽真空包装机 外抽真空包装机是真空包装机的一种，这款真空包装机适合包装较大的产品，比较经济实用，那么我们在购买之后，如何具体的操作外抽真空包装机呢？下面青岛麦格小编就按照我们的机型，给大家示范一下： 外抽真空包装机有两种抽真空的方式，一种是手动抽真空，一种是定时抽真空，下面分别说一下： 一、手动抽真空 1.抽气嘴伸出，为抽真空做好准备； 2.将抽气嘴放入到包装袋内，并将包装袋放好； 3.第一次踩下脚踏开关，封口压杆下压，上下压胶将包装袋压平； 4.第二次踩下脚踏开关，真空泵工作，开始抽真空； 5.观察操作面板上的真空表和包装袋内的变形状况，大道所需要的要求时，第三次踩下脚踏开关，则停止抽真空，同时气嘴退回； 6.气嘴退回到位后，上封刀下降； 7.上下封刀机密接触后，开始封口并进行定时； 8.封口时间到，则进行冷却定时； 9.冷却时间到，封口压杆抬起，同时气嘴伸出，为下一次工作做好准备。 二、定时抽真空 1.气嘴伸出，为抽真空做好准备； 2.将抽气嘴放入在包装袋内，同时将包装袋放好； 3.第一次踩下脚踏开关，封口压杆下压，上下压胶将包装袋压平； 4.第二次踩下脚踏开关，真空泵开始工作，开始抽真空，同时进行真空定时； 5.真空时间到，停止抽真空，同时气嘴退回，上封刀下降； 6.上下封刀紧密接触后，开始封口并进行定时；

7.封口时间到，则进行冷却定时； 8.冷却时间到，封口压杆抬起，同时气嘴伸出，为下一次抽真空工作做好准备。 以上就是根据青岛麦格的外抽真空包装机，小编解释的如何具体的操作，希望根据小编的解释，能够对您如何操作真空包装机有帮助，如果你需要外抽真空包装机，可以联系我们青岛麦格，我们的服务热线！

半导体器件复习题与参考答案

第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + = I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存

常用半导体器件

《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009

第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。

真空包装机的调整与使用

调整与使用 1、使用前的准备 a、机器放置平稳，查看合盖是否顺利，上盖是否能自动弹起（全自动设备除外）。DZ-400/2L机型，可通过调节工作台面下面的调整螺栓，使盖能够自动弹起，但弹起的力量不能过大；DZ-400/2S、DZ-500/2S、DZ-600/2S、DZ-700/3S、DZ-800/2S机 型，则可通过调节左右螺旋扣，使上盖压下或弹起自如。 b、配备适应机型要求的电源（按设备铭牌要求选配）。 c、察看真空泵油面的位置是否处于油窗的约2/3状态，如不正确应调整。（详见真空泵说明书） d、将本机良好接地，设备接地标志在配电盘后方。 e、接通电源，打开电源开关，轻轻压合上盖，观察真空泵运转是否正常，判断电机是否反转。（如真空泵运转，但不抽真空，可能是由于真空泵电机反转造成的不抽气现象，应对三相电源线中的任意两根相线进行互换。）电机方向箭头罩。 2、使用前的调整 操作控制系统外观主要有二种款式，一是时间继电器控制面板；二是电脑显示控制面板。 程序时间窗口计数窗口工作流程指示左抽右抽真空加压加热放气程序选择设定计数清零 a、程序选择 电脑控制器可存储10组程序( 0-9)，可以自编序号，自设参数，并分别固定（需要时可更改）下来存于控制器内。例如：要将某种产品真空包装的参数存储到第2组。第一步，按“程序选择”键，将“程序”显示窗数字调到2；第二步，根据“参数设定”说明分别设置真空、加热、加压等时间；设定完毕后，系统会自动将这组数据保存到第2组里，供操作者备用。 b、参数设定 按“设定”键，进入设定状态，窗口液晶数字闪动，所选中的设定项目有红灯指示。可多次按动“设定”，选择不同的项目，进行参数设置。进入选定项目后，按“+”或“”可修改数值，每按一下数字增加或减少秒，直至所需参数。当窗口液晶数字不再闪动时，表示设备已退出设置状态，进入正常工作状态。在设置状态下，停止操作30秒以上，系统会自动保存当前参数，并自动退出设置状态。 c、产量计数 计数窗口可直接显示作业次数，最大值为9999次，可随时按“计数清零”键将其清零。 3、使用

真空系统的抽气方程

真空系统的抽气方程 真空系统的任务就是抽除被抽容器中的各种气体。我们可以把被抽容器中所产生的各种气体的流量称为真空系统的气体负荷。那么真空系统的气体负荷究竟来自哪些方面呢?或者说真空室内究竟有哪些气源呢?总起来说，可以归纳为下述几个方面： (1)被抽容器内原有的空间大气，若容器的容积为Vm3，抽气初始压强为PoPa，则容器内原有的大气量为VP0Pa·m3； (2)被抽容器内一旦被抽空，暴露于真空下的各种材料构件的表面就将把原来在大气压下所吸收和吸附的气体解析出来，这部分气体来源我们称之为放气，单位时间内的放气流量可以用QfPa·m3／s来示； 实验表明，材料表面单位时间内单位表面积的放气率q可以用式(27)的经验公式来计算。 真空室内暴露于真空下的构件表面，可能有多种材料。所以总的表面放气流量Qf为式(49)。 (3)大气通过容器壁结构材料向真空室内渗透的气体流量，以QsPa·m3／s表示。渗透的气流量即是大气通过容器壁结构材料扩散到容器中的气体流量。气体的这种渗透是有选择性的，例如：氢只有分离为原子才能透过钯、铁、镍和铝；氢对钢的渗透将随钢中含碳量的增加而增加。氦分子能透过玻璃。氢、氮、氧和氩、氖、氦能透过透明的石英。一切气体都能透过有机聚合物，如橡胶、塑料等。但是所有的隋性气体都不能透过金属。除了有选择性之外，渗透气流量Qs还与温度、气体的分压强有关。在材料种类、温度和气体分压强确定时，渗透气流量Qs是个微小的定值。 (4)液体或固体蒸发的气体流量QZPa·m3／s。空气中水分或工艺中的液体在真空状态下蒸发出来，这是在低真空范围内常常发生的现象。在高真空条件下，特别是在高温装置中，固体和液体都有一定的饱和蒸气压。当温度一定时，材料的饱和蒸气压是一定的，因而蒸发的气流量也是个常量。 (5)大气通过各种真空密封的连接处，通过各种漏隙通道泄漏进入真空室的漏气流量QLPa·m3／s。对于确定的真空装置，漏气流量QL是个常数。漏气流量通常可通过所说的压升率，即单位时间内容器中的压强增长率Px来计算式(28)。 当真空泵启动之后，真空系统即对被抽容器抽气。此时，真空系统对容器的有效抽速若以Se表示，容器中的压力以P表示，则单位时间内系统所排出的气体流量即是SeP。容器中的压强变化率为dP/dt，容器内的气体减少量即是V dP/dt。根据动态平衡，可列出如下方程(29)。 这个方程称为真空系统抽气方程。式中V是被抽容器的容积，由于随着抽气时间t的增长，容器内的压力P降低，所以容器内的压强变化率dP/dt是个负值。因而V dP/dt是个负值，这表示容器内的气体减少量。放气流量Qf，渗透气流量Qs，蒸发的气流量Qz和漏气流量QL都是使容器内气体量增多的气流量。SeP则是真空系统将容器内气体抽出的气流量，所以方程中记为一SeP。 对于一个设计、加工制造良好的真空系统，抽气方程(29)中的放气Qf渗气Qs、漏气QL和蒸气Qz的气流量都是微小的。因此抽气初期(粗真空和低真空阶段)真空系统的气体负荷主要是容器内原有的空间大气。随着容器中压强的降低，原有的大气迅速减少，当抽空至1～10-1Pa时，容器中残存的气体主要是漏放气，而且主要的气体成分是水蒸汽。如果用油封式机械泵抽气，则试验表明，在几十～几Pa时，还将出现泵油大量返流的现象。 2．低真空抽气时间的计算 从大气压开始到0.5Pa范围的抽气，我们统称为低真空抽气阶段。这一阶段的抽气通常用油封式机械真空泵或分子筛吸附泵来完成。一般来说，油封机械泵的特性是在大气压到102Pa 时抽速近似为常数，在102～O.5Pa时抽速变化较大，而对于吸附泵，5A分子筛在室温下由大气压到O.5Pa时对氮气的吸附速率近于常数；在液氮温度下，由大气压到1Pa时，对氮气

1章 常用半导体器件题解

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ √ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ × ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ √ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ×） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（加上正向电压时，内电场被削弱，空间电荷区变窄） （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。

【免费下载】常用半导体器件及应用单元测验附答案

项目六 常用半导体器件及应用 班级 姓名 成绩 一、填空题：（35分） 1.制作半导体器件时，使用最多的半导体材料是 硅 和 锗 。 2.根据载流子数目的不同，可以将半导体分为 本征半导体 、 P 型半导体 和 N 型半导体 三种。 3.PN 结的单向导电性是指：加正向电压 导通 ，加反向电压 截止 。PN 结正偏是指P 区接电源 正 极，N 区接电源 负 极。 4.半导体二极管由一个 PN 结构成，它具有 单向导电 特性。 5.硅二极管的门坎电压是 0.5V ，正向导通压降是 0.7V ；锗二极管的门坎电压是 0.2V ，正向导通压降是 0.3V 。 6.半导体稳压二极管都是 硅 材料制成的。它工作在 反向击穿 状态时，才呈现稳压状态。 7.晶体三极管是由三层半导体、两个PN 结构成的一种半导体器件，两个PN 结分别为 发射结 和 集电结 ；对应的三个极分别是 发射极e 、 基极b 、 集电极c 。 8.半导体三极管中，PNP 的符号是 ，NPN 的符号是 。9.若晶体三极管集电极输出电流I C =9 mA ，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流I B =_0.18_mA 。10.三极管具有电流放大作用的实际是：利用 基极 电流实现对 集电极 电流的控制。因此三极管是 电流 控制型器件。11.三极管的输出特性曲线可分为三个区域，即_放大_区，__饱和_区和_截止_区。12.放大电路静态工作点随 温度 变化而变化， 分压式 偏置电路可较好解决此问题。13.对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要 大 些，以减轻信号源的负担，提高抗干扰能力；输出电阻要 小 些，以增大带动负载的能力。二、判断题：（10分，将答案填在下面的表格内） 题号12345678910答案××√××√√×√× 1.P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 2.半导体器件一经击穿便即失效，因为击穿是不可逆的。（ ） 3.桥式整流电路中，若有一只二极管开路，则输出电压为原先的一半。（ ） 4.用两个PN 结就能构成三极管，它就具有放大作用。（ ） 5.β越大的三极管，放大电流的能力越强，管子的性能越好。 6.三极管和二极管都是非线性器件。（ ） 7.三极管每一个基极电流都有一条输出特性曲线与之对应。（ ）等多项对全系统启备高中免不

常用半导体器件习题考答案

第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。 （1）U A ＝U B ＝0时； （2）U A ＝E ，U B ＝0时； （3）U A ＝U B ＝E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0； （2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E ? +9 19＝109E ； （3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E ?+5.099＝1918E 。 7-2 在图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当 于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否， 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可 以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高 低，从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位

真空包装机应用知识

三晶S350矢量变频器应用于单室真空包装机 S350系列是新一代高性能矢量变频器，有如下特点： ■采用最新高速电机控制专用芯片DSP，确保矢量控制 快速响应 ■硬件电路模块化设计，确保电路稳定高效运行 ■外观设计结合欧洲汽车设计理念，线条流畅，外形美观 ■结构采用独立风道设计，风扇可自由拆卸，散热性好 ■无PG矢量控制、有PG矢量控制、转矩控制、V/F控 制均可选择 ■强大的输入输出多功能可编程端子，调速脉冲输入，两 路模拟量输出 ■独特的“挖土机”自适应控制特性，对运行期间电机转矩上限自动限制，有效抑制过流频繁跳闸 ■宽电压输入，输出电压自动稳压（AVR），瞬间掉电不停机，适应能力更强 ■内置先进的PID 算法，响应快、适应性强、调试简单；16 段速控制，简易PLC 实现定时、定速、定向等多功能逻辑控制，多种灵活的控制方式以满足各种不同复杂工况要求■内置国际标准的MODBUS RTU ASCII 通讯协议，用户可通过PC/PLC控制上位机等实现变频器485通讯组网集中控制 真空包装机 真空包装机能够自动抽出包装袋内的空气，达到预定真空度后完成封口工序。亦可再充入氮气或其它混合气体，然后完成封口工序。真空包装机常被用于食品行业，因为经过真空包装以后，食品能够抗氧化，从而达到长期保存的目的。 什么是真空包装 真空，这一术语译自拉丁文vacuo，其意义是虚无。其实 真空应理解为气体较稀薄的空间。在指定的空间内，低于一个 大气压力的气体状态统称为真空。真空状态下气体稀薄程度称 为真空度（degree ofvacuum），通常用压力值表示。因此真 空包装实际上不是完全真空的，采用真空包装技术包装的食品 容器内的真空度通常在600-1333Pa。所以，又将真空包装称为减压包装或排气包装。 真空包装技术起源于20世纪40年代。1950年，聚酯、聚乙烯塑料薄膜成功地用于真空包装，此后，真空包装便得到迅速发展。 我国的真空包装技术是在上世纪80年代初期发展起来的，而真空充气包装技术在上世纪90 年代初期开始少量使用，随着小包装的推广及超市的发展，其适用范围越来越广泛，有些将逐步替代硬包装，前景非常看好。

SF6抽真空充气装置说明书

SF6气体抽真空及回充装置 使 用 说 明 书

目录 第1章产品描述......................................................................................... - 1 - 第2章装置性能......................................................................................... - 2 - 第3章装置原理......................................................................................... - 3 -第4章操作过程......................................................................................... - 4 - 4.1 SF6电器设备抽真空 ....................................................................... - 4 - 4.2 对SF6电器设备回充气体 ............................................................. - 5 -

第1章产品描述 随着电力行业的迅猛发展，电力行业基础建设和设备的投入，尤其是SF6电器设备的不断增加，对SF6电气设备在安装调试、检修维护的要求越来越高，相关部门对SF6电器设备（尤其是GIS）施工及检修过程中的抽真空和回充补气提出更高的质量和时间要求。为适应这一发展的需要，本公司在多年从事SF6气体电气设备试验、检测及专业技术经验积累的基础上，根据国外最新、最先经的维护设备的事情分析，研制了技能达到国外先进设备的技术指标要求，又能满足国内用户价格要求的产品——HDZK系列SF6气体抽真空及回充装置。 HDZK系列SF6气体抽真空及回充装置主要应用于各供电公司、送变电工程公司、发电厂、超高压输变电站、SF6电器开关制造厂等部门，作为GCBP、GCBT、GIS等SF6电器产品在安装、调式、检修时使用的辅助设备。利用本装置对上述电器产品进行抽真空、回充SF6气体操作，同时本装置亦可用作其它部门抽真空和回充气体的设备。 本装置除了具有SF6气体抽真空及回充需要的所有功能外，还具有以下特点： ?电子式真空度显示（可按用户要求配置其它真空表）； ?配有各类进口、国产SF6电器设备连接接头(选配)； ?根据用户设置的时间或真空度，自动抽真空（选配）； ?多种保护功能，有效保证真空泵安全运行； ?维护方便，装置都采用了性能优良的部件，长时间使用也无需维修。

常用半导体元件习题及答案

第5章常用半导体元件习题 5.1晶体二极管 一、填空题： 1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将 封装起来，并分别引出和两个极。 2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。 5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。 6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。 7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。 8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。 9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。 二、选择题： 1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。 A.0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V 0.3-0.6V C.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V 的大小为( )。 2.判断右面两图中，U AB A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（） Ω档。 A.1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D. 1×105 4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。 A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。 A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路 6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。 A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路 7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（） A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定 8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。

2章 常用半导体器件及应用题解

第二章常用半导体器件及应用 一、习题 2.1填空 1. 半导材料有三个特性，它们是、、。 2. 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。 3. 二极管的主要特性是。 4．在常温下，硅二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V；锗二极管的门限电压约为V，导通后的正向压降约为V。 5．在常温下，发光二极管的正向导通电压约为V，考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。 6. 晶体管(BJT)是一种控制器件；场效应管是一种控制器件。 7. 晶体管按结构分有和两种类型。 8. 晶体管按材料分有和两种类型。 9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的不同。 10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结、集电结。 11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是、、。 12. 晶体管放大电路有三种组态、、。 13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻。 14．三极管的交流等效输入电阻随变化。 15．共集电极放大电路的输入电阻很，输出电阻很。 16．射极跟随器的三个主要特点是、、。 17．放大器的静态工作点由它的决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的决定。 18．图解法适合于，而等效电路法则适合于。 19．在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和u i的波形的相位关系为；当为共集电极电路时，则u o和u i的相位关系为。 20. 在NPN共射极放大电路中，其输出电压的波形底部被削掉，称为失真，原因是Q点(太高或太低)，若输出电压的波形顶部被削掉，称为失真，原因是Q 点(太高或太低)。如果其输出电压的波形顶部底都被削掉，原因是。 21．某三极管处于放大状态，三个电极A、B、C的电位分别为9V、2V和1.4V，则该三极管属于型，由半导体材料制成。 22．在题图P2.1电路中，某一元件参数变化时，将U CEQ的变化情况(增加；减小；不变)填入相应的空格内。 (1) R b增加时，U CEQ将。 (2) R c减小时，U CEQ将。 (3) R c增加时，U CEQ将。 (4) R s增加时，U CEQ将。 (5) β增加时(换管子)，U CEQ将。

DZ(Q)台桌式外抽真空包装机操作说明书

沈阳海鹞包装机械有限公司 https://www.sodocs.net/doc/974007686.html, 目 录 一、 特 点┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄-┄┄┄┄2 二、 主要技术参数┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄2 三、 工作程序┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄2 四、 电气控制板各部分功能的说明┄┄┄┄┄┄┄3 五、 操作准备与使用┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄4 六、 注意事项┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄5 七、 常见故障及排除方法┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄5 八、 示意图┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄------- 7 九、 电气原理图┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄---┄-┄┄9 十、 产品合格证┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄----┄10 十一、 产品保修卡┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄11 十二、 随机备件表及装箱单┄┄┄┄┄┄┄┄┄12

前 言 安全注意事项 鉐为了安全、正确的使用本机，使用前务必认真阅读本事项，在熟记设备安全信息及注意事 项后使用。 鉐使用本产品的用户必须具备本手册，阅读后，请务必妥善保管，以便查询。 鉐本手册和设备的警告标志是指如果不遵守有关要求，不采取相应的措施，就有可能导致人 员的伤害和设备的损坏。 鉐对操作本设备的人员要求在本设备上进行工作的人员要熟悉设备的安装、调试、投入运行 的步骤和要求，以及对能出现的各种紧急情况采取相应的措施，并要求必须具备下列条件： 经过培训合格，能够按常规和本手册规定的安全操作步骤工作，对设备上的电路进行上电、 断电、接地、连接等各种操作，并能进行对设备的维修、使用和防护。 警告! （1）本设备带有危险电压，设备上电后在运行和操作时，不得打开电柜门和电器控制箱，以免触电带来危险。 （2）本设备需要有良好的接地装置，输入的电源只允许连接永久性紧固电源线。 （3）本设备的各调节部位在机器出厂时都已调整到工作状态，任何非专业人员不得任意改 变，如确定需要调整，应由专业人员进行。 （4）防止儿童和非本机器操作人员接触或操作本设备。