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模拟电子技术习题答案

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模拟电子技术

习题答案

电工电子教学部

2012.2

第一章 绪论

一、填空题:

1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。

2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。

8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。

10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。

13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。

15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。

二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A

10V 50pA 10mV 5001011i o r ?====

-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上

的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接,

扬声器上的电压V 10V 1Ω

10Ω

10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+=

V

在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示

V 50V 11M Ω

M Ω1M Ω

1s i s i i .V R R R V =?+=+=

扬声器上的电压V 250V 50110Ω

0Ω10Ω

1i vo o L L o ..V A R R R V =??+=+=

四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可

以测量放大电路的哪些性能指标?

答:因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时,信号中就不再含有任何未知信息。并且任何信号都可以展开为傅里叶级数表达式,即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此,正弦波信号常作为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。

五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为10μA 和25mV ,输出端接4k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号的峰—峰值1V 。试计算该放大电路的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ,并分别换算成dB 数表示。 解: (32dB)405mV 2V 1i o v ===

v v A

(28dB)25μA

10V/4k Ω1i o i ===

i i A

(30d

B 1000

2540i v p =?==A A A 六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示,放大电路的带宽是多少?半功率点是哪两个点?半功率点

处的增益较中频区的增益下降了多少分贝?折合百分比为多少?

答:带宽 = f H - f L =2×104

-20≈2×104

Hz

半功率点指增益较中频区增益下降3dB 的频率点(即对应f H 、f L ),其输出功率约等于中频区输出功率

的一半。增益较中频区增益下降所折合的百分比为70.7﹪。

第二章运算放大器

一、填空题:

1.理想运算放大器的性能参数均被理想化,即输入电阻为无穷大,输出电阻为零,开环电压增

益为无穷大,输出电压为接近正负电源值。

2.运算放大器有两个工作区。在线性区工作时,放大器放大小信号;当输入为大信号时,它工作在

非线性区,输出电压扩展到饱和值。

3.运算放大器工作在线性区时,具有虚短和虚断两个特点,凡是线性电路都可利用这两个概念来分析电路的输入、输出关系。

4.反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地点,而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对地的电压基本上相等。

5.同相比例运算电路的输入电流等于零,而反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻的电流。

6.同相运算电路的电压增益A u≥1;反相运算电路的电压增益A u<0。

7.反相求和运算电路中集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流等于各输入端电流的和。8.同相比例运算电路的输入电阻大,而反相比例运算电路的输入电阻小。

9.反相求和运算电路可实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均小于零。

10.微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压;积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。

二、选择题:

1. 现有电路:

A. 反相比例运算电路

B. 同相比例运算电路

C. 积分运算电路

D. 微分运算电路

E. 加法运算电路

选择一个合适的答案填入空内。

(1)欲将正弦波电压移相+90O,应选用D。

(2)欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用E。

(3)欲实现A u=-100的放大电路,应选用A。

(4)欲将方波电压转换成三角波电压,应选用C。

(5)A中集成运放反相输入端为虚地,而B中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。

2. 集成运放在作放大电路使用时,其电压增益主要决定于( A )。

A. 反馈网络电阻

B. 开环输入电阻

C. 开环电压放大倍数

三、计算题:

1.电路如图所示,其中R1=10kΩ,R2= R3= R4=51kΩ。

试求:

(1)输入电阻R i;

(2)v o与v i之间的比例系数。

(3)平衡电阻R 。

解:(1) R i =R 1=10k Ω

(2) ???????-=--=-+-24n 1

n i

3

o

44424n 0 R v v R v v R v v R v R v v i

4o i i 12

4315315v .v v v .v R R v -==-=-=

(3) ()k Ω8482

3

214321.R //R R //R R //R R ==+='

2.电路如图所示,图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V ,试将计算结果填如表2.1中。

解:v O 1=(-R f /R ) v I =-10 v I ,v O 2=(1+R f /R ) v I =11 v I 。 当集成运放工作到非线性区时,输出电压不是+14V ,就是-14V 。

表2.1

3.求解图示电路中v O 与v I 之间的运算关系。

解:图示电路的A 1组成同相比例运算电路,A 2组成差动运算电路。先求解v O1,再求解v O 。

()I 45I2I145I245I1134

5

I245O145O I1

13O111 11 11v R R v v R R v R R v R R R R

v R R v R R v v R R v ????

?

?+-=-???? ??+-=???? ?

?++???? ??+-=????

??++-=????

?

?+=

4.一高输入电阻的桥式放大电路如图所示,试写出v o = f (δ)的表达式(δ=ΔR /R )。

解:

i 12o221212o112o i i B o2i A o1241 22 2v R R v R R R R R v R R v v R R Rv v v v v v ??

? ??+-=+???? ?

?++-=+=+===

=δδ

δ

δ

5.图示电路中,A 1,A 2,A 3均为理想运放。

(1)A 1,A 2,A 3分别组成何种基本运算电路; (2)列出v O1,v O2,v O 的表达式。

解:(1)同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。

(2)

)23(2)(2150100

5010012

2 3i3

i2i1o2o1o2o1o i3i2o2i1o1v v v v v v v v v v v v v ++-=--=??? ?

?++-=--== 6.试写出图示加法器对v I1、v I2、v I3 的运算结果:v O = f (v I1、v I2、v I3)。

解:A 2的输出v O2=-(10/5)v I2-(10/100)v I3=-2v I2-0.1v I3 v O =-(100/20)v I1-(100/100)v O2=-5v I1+2v I2+0.1v I3

7.在图示电路中,已知输入电压v i 的波形如图(b )所示,当t =0时,电容C 上的电压v C =0。试画出输出电压v o 的波形。

解:

V

52)52(1010(-5)-100 15ms -2.5V, 5ms, V

521055100 ms 5 ,0 ,0 ) ()- ( -100) () (1

)

(1 3o 2C 13o 2C 11C 12i 1C 12i o i 1C i o 2

1

..v t v t .v t v t t v t t v t v t t v RC

v v t v dt v RC v t t =-+???====-=???-====+=+--=+-=--?时若时若为常数时当

8.设计一反相放大器,电路如图所示,要求电压增益A v =v o /v i =-10,当输入电压v i =-1V 时,流过R 1和R 2的电流小于2mA ,求R 1和R 2的最小值。

解:

5.1k Ω 510Ω 5k Ω k Ω50 mA 2 V 1 01 1021211

i i 121

2i o v ==>><-==-=-==

R R R .R R v v R R R R

v v A ,取,,时,有当

第三章 二极管及其基本电路

一、填空题:

1.制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。P 型半导体中的少子是 电子 ,多子是 空穴 , N 型半导体中的少子是 空穴 ,多子是 电子 。

4.半导体中参与导电的有 两 种载流子,分别是 电子 和 空穴 ,导体中参与导电的有 一 种载流子,是 电子 。

5.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I S 将增大,这是因为此时PN 结内部的 B 。

A. 多数载流子浓度增大

B. 少数载流子浓度增大

C. 多数载流子浓度减小

D. 少数载流子浓度减小

6.半导体PN 结中内电场E ,是由 空间电荷区 产生的,当将 反向 电压加在PN 结两端时,其PN 结内电场E 增强。PN 结 不易 (不易/容易)导通。

7.二极管导通时,其正向电压应该比门坎电压 高 (高/低),硅管的正向导通电压约为 0.7 V ,锗管的正向导通电压约为 0.2 V 。

8.稳压管是一种 特殊工艺制造的面接触型硅二极管 二极管。除了用于限幅电路之外,主要用于稳压电路,其稳压性体现在电流增量 很大 ,只引起很小的 电压 变化,此时稳压管应工作于 反向电击穿 区。 9.发光二极管正常工作时,外加 A 电压;而光电二极管正常工作时,外加 B 电压。

A .正向

B .反向

C .击穿

10.某只硅稳压管的稳定电压V z = 4v ,其两端施加的电压分别为+5V (正向偏置)和-5V (反向偏置)时, 稳压管两端的最终电压分别为 D 。

A. +5V 和-5V

B. -5V 和+4V

C. +4V 和-0.7V

D. +0.7V 和-4V

11.PN 结的结电容包括 扩散电容 和 势垒电容 。当在PN 结两端施加正向电压时,空间电荷区 将 变窄 , 扩散 电容将增大。

12.发光二极管是将 电能转换成光能 的器件;而光电二极管是将 光能转换成电能 的器件。

二、已知u I =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u I 与u O 的波形,并标出幅值。

三、二极管的正向伏安特性曲线如图所示,室温下测得二极管中的电流为20mA 。试确定二极管的直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。

解:由图可见,I D =20mA 时的U D =0.67V ,则直流电阻R D 为

Ω53320mA

V

670U D D D ..I R ===

过I D =20mA 处,作一条切线,求切线斜率,可求得动态电

阻r d 为

Ω3110mA

-30mA V

0260ΔΔU D D d ..i r ===

四、在下面图示电路中,设u I =12sinωt(V),试分别画出i D、u D和u O的波形(要求时间坐标对齐),并将二极管电流i D的峰值和其所承受的反向电压峰值标于图中(假定D为理想二极管)。

五、二极管电路如下图(a)所示,设输入电压波形如图(b)所示,试画出相应的输出电v O波形。设二极管为理想器件。

六、二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO两端电压V AO。设二极管为理想器件。

解:(a)D导通,V AO=-6V

(b)D截止,V AO=-12V

(c)D1导通,D2截止,V AO=0V

(d)D1截止,D2导通,V AO=-6V

七、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解:V

5 V 5V 102

22

(b) 6V 6V,V 8V 100.522

(a)

O2Z O1Z Z

I L L

=<=?+==>=?+∴≥+U ,U U U U U R

R R 偏截止状态,不可稳压,管子处于反可稳压,稳压管要稳压需满足

八、 图示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9V ,耗散功率允许值250mW ,稳压管电流小于1mA 时不能稳压,且动态电阻不大于20Ω。试按电路图中所给参数计算: (1) 当R L =1k Ω 时,电流I R 、I Z 、I L 的大小;

(2) 当电源电压U I 变化±20%时,U O 最多变化几伏?

(3) 稳压管在U I 和R L 变化至何值时功耗最大?其值是否已超过允许值?(U 1的变化范围不超过±20%,

R L 可任意变化。)

(4) 按照图中的参数,分析该电路在I L 大于何值时将失去稳压能力?

解:(1) mA 621510920R .I =-=

,mA 9k Ω

1V

9L ==I ,I Z =12.6mA 。 (2) 150V)4(Ω)

0001Ω20(Ω510Ω

0001Ω20ΔO .////U ±≈±?+=

V

(3) 当U 变化+20%和R L →∞时稳压管的功耗最大。

Z Z(max)mW 2659510

9

24P P >=?-=

,超过允许值。 (4) 当mA 428 Zmin Z

Imax Lmax L .I R

-U U I I =-=

>时,失去稳压能力。

九、有两只稳压二极管D Z1、D Z2,其稳定电压分别为V Z1=6V 、V Z2 =10V ,两管正向导通电压降均为0.7V 。如果将它们以不同方式串联后接入电路,可能得到几种不同的电压值?试画出相应的电路图。

十、二极管电路如图所示,设二极管均为理想二极管,v s=10sinωt(V)。

(1)画出负载R L两端电压v o的波形。

(2)若D3开路,试重画v o的波形。

(3)若D3被短路,会出现什么现象?

(3)若D3被短路,则在输入电压的正半周将使电源短路,烧坏电源。

第四章三极管及其放大电路

§4.1

一、问答题:

1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT?

答:不能,因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外,还需满足三个内部条件。

2. BJT 的e极、c极能否交换使用?

答:不能,因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。

二、填空题:

1. 三极管实现放大的三个内部条件是(发射区掺杂浓度最高)、(基区最窄)、(集电区横截面积最大)。

2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

3. 三极管工作在饱和区时,发射结(正偏),集电结(正偏); 工作在截止区时,发射结(反偏),集电结(反偏)。

4. 工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为( 100 )。

5. 工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是(多子的扩散流),流过集电结的电流主要是(漂移电流)。(扩散电流/漂移电流)

6. 反向饱和电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

7.测得某放大电路中三极管的三个电极A 、B 、C 对地点的电位分别为-11、-6、-6.7,则A 电极为( 集电 ) 极,B 电极为( 发射 )极,C电极为( 基极 )极。 三、

1.从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 (1) 是锗管还是硅管?

(2) 是NPN 型还是PNP 型?

(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)

提示:注意在放大区,硅管V 70E B BE .U U U ≈-=,锗管V 30BE .U ≈,且

E C CE U U U -=>0.7V ;而处于饱和区时,V 70CE .U ≤。

解: (a) NPN 硅管,工作在饱和状态;

(b) PNP 锗管,工作在放大状态; (c) PNP 锗管,管子的b-e 结已开路; (d) NPN 硅管,工作在放大状态; (e) PNP 锗管,工作在截止状态; (f) PNP 锗管,工作在放大状态; (g) NPN 硅管,工作在放大状态; (h) PNP 硅管,工作在临界饱和状态。

2.测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

3.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。

四、电路如图所示,晶体管导通时U BE=0.7V,β=50。试分析U BB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压U O的值。

解:(1)当U BB=0时,T处于截止状态,U O=12V。

(2)当U BB=1V时,因为

工作在放大状态。

T A

240

A

60BS B c

CES

CC BS b BE

BB B I I R U U I R U U I <≈-==-=

μβμ

V

9mA 3 c C CC O B C =-===R I U U I I β

(3)当U BB =3V 时,因为

工作在饱和状态。

T A

604BS B b

BE

BB B I I R U U I >=-=

μ

V 0C E S O ≈=U U

五、

(1) 有两只晶体管,一只的β=200,I CEO =200μA ;另一只的β=100,I CEO =10μA ,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?

答:应选用β=100,I CEO =10μA 的管子,可使管子在构成放大电路时温度稳定性高。 (2) 当温度升高时,三极管的β(增大),反向饱和电流I CBO ( 增大 ) , U BE ( 减小 ),最终导致集电极电流 I C (增大)。

(3) 三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制?使用时,如果超过某项极限参数,试分别说明将会发生什么结果。

答:三极管的安全工作区受P CM 、I CM 、U (BR)CEO 三个极限参数的限制。

P CM 过大,集电结发热,结温上升,当结温超过最高工作温度(硅管150℃,锗管70℃)时,BJT 性能下降,甚至会烧坏。

I CM 过大,BJT 不一定会烧坏,但β值将过小,放大能力太差。

U (BR)CEO 过大,使I CEO 明显增大,导致集电结出现雪崩击穿。

§4.2

一、(1)放大电路组成原则有哪些?利用这些原则分析(2)题

(2)试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

答:(1)放大电路组成原则:设置合适的静态工作点(即保证发射结正偏,集电结反偏);

保证交流信号畅通无阻。

(2)a. 不能,u i被V BB短路;

b. 能;

c. 不能,u i不能直接驮载在静态电压之上,其间需加隔直流电容器;

d. 不能,发射极回路无电阻会使回路电流过大而烧坏BJT。另外实用电路中交、直流电源不能串

联使用,它们的电源负极需共地;

e. 不能,电容C2将u i短路;

f. 不能,无集电极电阻R c会使输出信号被V CC短路。

二、(1)在电子电路中,放大的实质是什么?放大的对象是什么?负载上获得的电压或功率来自何处?

(2)为什么要设置Q点?

(3)由于放大电路中存在着电抗元件,其交、直流通路不相同,请回答如何画直流通路?如何画交流通路?

答:(1)放大的实质是对放大器件(即能量控制部件)的控制作用。

放大的对象是交流小信号。

负载上获得的电压或功率来自直流电源。

(2)设置Q点的目的是保证输入交流小信号不失真地放大。

(3)直流通路:将电路中耦合和旁路电容的作用去掉,即断路。

交流通路:对一定频率范围内的交流信号而言,耦合和旁路电容可视为短路;

对交流信号,电路中内阻很小的直流电压源可视为短路;内阻很大的直流电流源可视

为开路。

三、画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。

§4.3

一、在下图所示电路中,已知晶体管的β=80,r be =1k Ω,U i =20mV ;静态时U BEQ =0.7V ,U CEQ =4V ,I BQ =20μA 。判断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。

(1)20010

2043

u

-=?-=-A (×) (2)715704u ..A -≈-= (×) (3)4001580u -=?-=A (×) (4)20015280u

-=?-=.A (√) (5)Ω=Ω=k 1k )2020(

i R (×) (6)Ω=Ω=k 35k )02

.07.0(i R (×) (7)Ω≈k 3i R (×) (8)Ω≈k 1i R (√)

(9)Ω≈k 5o R (√) (10) Ω≈k 5.2o R (×)

(11)s U ≈20mV (×) (12)s

U ≈60mV (√)

二、电路如图所示,已知晶体管β=50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为

多少?设V CC =12V ,晶体管饱和管压降V CES =0.5V 。

(1)正常情况 (2)R b1短路 (3)R b1开路 (4)R b2开路 (5)R C 短路

解:(1)V 46mA 0220c B CC C b1

BE

b2BE CC B .R I V V .R V R V V I ≈-=≈--=

β

(2)12V BJT , 0C BE ==V V 截止,

(3)

V

50BJT mA

0450 mA 220CES C BS B c

CES

CC BS b2BE CC B .V V I I .R V V I .R V V I ==>≈-=≈-=

饱和,,β (4)12V BJT C =V 截止, (5)12V C =V

三、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同?什么情况下两条负载线重合? 答:直流负载线:由直流通路确定,其斜率等于-1/R c 的一条直线。

交流负载线:由交流通路确定,其斜率等于L 1/ R '-的一条直线。由于c L R R <',故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。

当负载R L 断路时,交流负载线与直流负载线重合。

四、共发射极放大电路及三极管的伏安特性如图所示。

(1) 用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适?

(2) 在U CC 和三极管参数不变的情况下,为了把三极管的集射极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以改变哪

些电路参数?如何改变?

(3) 在U CC 和三极管参数不变的情况下,为了使I CQ =2mA ,U CEQ =2V ,应改变哪些电路参数,改变到什

么数值?

解:(1) μA 218510

7

010B ..I =-=

,可知静态工作位置在Q 点,不合适;

(2) 为了把三极管的集电极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以有多种R c 与R b 的组合。若将静态工作点设置在Q '点,则R c 保持不变,取R b =100kΩ,故 I B =90μA 。

(3) 应将静态工作点设置在Q ''点,可得:R c =4K Ω,R b ≈250K Ω。

五、 电路如图(a )所示,该电路的交、直流负载线绘于图(b )中。 试求:(1)V CC 、I BQ 、I CQ 、V CEQ 的值;

(2)电阻R b 、R c 的值;

(3)输出电压的最大不失真幅度;

(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?

电子技术基础复习题及答案最新版本

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、(B) 材料、(C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、(B) 饱和状态、(C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍(B) 约为原来的2倍(C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大(B) 晶体管输入特性的非线性(C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益(B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C;(B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD转换成二进制数为()

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

模拟电子技术第五版基础习题与解答

模拟电子技术基础习题与解答 2.4.1电路如图题所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解(1)求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== (2)求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解所示,温度 T =300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+,即~。 2.4.3二极管电路如图所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。

解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。 图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。 图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。 2.4.4 试判断图题 中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω+Ω+?Ω+Ω= D 被反偏而截止。 图b :将D 断开,以“地”为参考点,有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω+Ω+-?Ω+Ω=

电子技术试题及答案(

资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。 一、填空题: 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极:反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络,如有侵权请联系网站删除

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12讥增大到22讥时,I c从1mA变为2mA,那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置,集电结正向偏置,贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、0TL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在 输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示:

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈ U O2=0 U O3≈- U O4≈2V U O5≈ U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈, U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即 为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 (1)A C (2)A (3)C (4)A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

t t u i和u o的波形如图所示。 u o的波形如图所示。 I D=(V-U D)/R=,r D≈U T/I D=10Ω,I d=U i/r D≈1mA。 (1)两只稳压管串联时可得、、和14V等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得和6V等两种稳压值。 I ZM=P ZM/U Z=25mA,R=U Z/I DZ=~Ω。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。 (b)令二极管断开,可得U P=6 V、U N=10 V,U PUp—

《模拟电子技术基础》总复习典型习题解析

2011-2012(2)《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用 (一)二极管的符号及伏安特性曲线: (二)二极管的特性:单向导电性 (三)二极管的模型:重点掌握理想模型和恒压降模型

(四)典型习题 1. 电路如图所示,已知u i =10sinωt(V),二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管的状态,并画出输出u i与u o的波形。 (a)(b)(c) 2. 设二极管是理想的,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。 (a)(b) 3.电路如图所示,已知u i =8sinωt(V),二极管的正向导通电压U D=0.7V,试分析二极管的状态,画出输出u i与u o的波形,并标出幅值。 (a)(b)(c) 4. 电路如图所示,已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计,试分析二极管D1和D2的状态,并求出输出电压U o。 (a)(b)

二. 三极管及场效应管的应用 (一)三极管的符号及伏安特性曲线: i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const 此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线,PNP 管的特性曲线 (二)三极管的电流控制作用:B C i i β= (三)三极管放大电路的直流通路和交流通路: (四)三极管的交流等效电路: (五)三极管放大电路的组态

(六)放大电路的分析方法 交流等效电路法:利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。 图解法:利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线,采用作图的方式确定一个Q 点。 (七)放大电路的非线性失真 饱和失真:工作点位于饱和区 截止失真:工作点位于截止区 注意:图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真,PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。 (八)放大电路静态工作点稳定问题 Q 点不合适, 的波形要失真; ,A u 与I B 有关。 在电路中引入直流负反馈。 be L c u r R //R A )(?- =β o u

电子技术试题及答案-(

《电子技术基础》题库 适用班级:2012级电钳3、4、5、6班 备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。一、填空题: 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类; ○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。 ★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置,集电结正向偏置,则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; ★26、OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题: 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上 的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接, 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

最新电子技术试题及答案

电子技术基础 参考答案 一、填空题 1、电子电路中的信号可以分为两类,一类是在时间和幅度上都是连续的信号,称为模拟信号;另一类在时间和幅度上都是离散的信号,称为_数字信号(脉冲信号)_______。 2、晶体二极管具有单向导电特性。 3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,它具有_热敏性,杂敏性,光敏性等特殊性质,利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。 4、共集电极放大电路又称射极输出器,它的电压放大倍数接近于1,输出信号与输入信号同相,输入电阻大,输出电阻小。 5、若在放大电路中引入电压串联负反馈,则可以稳定输出电压,并使输入电阻增大。 6、单管共射极放大器,当工作点Q选择较低时,易出现截止失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。 8、逻辑函数的表示方法通常有四种,分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。 9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。 10、当变量A、B、C分别为1、0、0时,(A+B+C)AB= O。 11、TTL或非门多余输入端的处理方法是接低平,接地,与其他引脚连在一起。 12、当多个三态门的输出端连在一条总线上时,应注意任何时刻只能有一个门电路处于工作态。 13、在组合逻辑电路中,当输入信号改变状态时,输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为竞争冒险。 14、将数字信号转换为模拟信号,应选用 D / A转换器 。 15、A/D转换的过程可分为采样、保持、量化、编码4个步骤。 16、A/D转换器两个最重要的指标是分辨率和转换速度。 17、能完成两个一位二进制数相加,并考虑到低位进位的器件称为全加器。 18、实现将公共数据上的数字信号按要求分配到不同电路中去的电路叫数据分配器 19、OC门在使用时输出端应接上拉电阻和电源。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

项目一习题参考答案 1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。 2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。 3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。 4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。 5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么? 解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。 6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。 图1.52 题6图 解:(a)VD导通,U AB=-6V。 (b)VD截止,U AB=-12 V。 (c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。 (d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。 图1.53 题7图 解:(a) (b) 8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。试画出u i与的波形。 解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V; 3.7V>u i>- 4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i; u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。 9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( √ ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R大的特点。( √ ) GS U大于零,则其输入电阻会明显变小。( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的 GS 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k 时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-==, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -==, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -==Ω

模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 电路如图所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 图 解图 解:波形如解图所示。 电路如图(a )所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b )所示,二极管导通电压U D =。试画出输出电压u O 的波形,并标出幅值。 图 解:u O 的波形如解图所示。 解图 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图所示电路中电阻R 的取值范围。 图 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 图 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 电路如图(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图 解图 解:波形如解图所示 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。 图 解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表所示。

电工电子技术试题(含答案)

一选择题: 1、理想二极管的反向电阻为( B )。 A 零 B 无穷大 C 约几百千欧 D 以上都不对 1.在换路瞬间,下列各项中除( B )不能跃变外,其他全可跃变。 (a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流 4.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法 正确的是( D )。 (A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率 (C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗 5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压 V t u BC )180sin(2380-=ω,则相电压=C u ( D )。 (a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω (c) V t )120sin(2380+ω (d )2202sin(30)t ω+ 6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同 (f1>f2)的两电源下,此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。 (a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ2 7.一负载电阻为RL ,经变压器接到内阻R0=800Ω的电源上,变压器 原、副绕组的额定电流为2A /20A ,若使从变压器原绕组看进去的等 效负载电阻RL ′=R0时,则RL 等于( B )

(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω k的电阻中通过2mA的电流,试问电阻两端的电压是( D )。 1、3Ω A、10V B、6mV C、1.5V D、6V 2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻,其额定电流为( D )。 A、2500 B、100 C、1 D、0.1 3、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W,如将它接到110V 的电源上,则取用的功率为( B )W。 A、125 B、250 C、500 D、1000 1. 稳压管起稳压作用,是利用它的( D )。 A 正向特性 B 单向导电性 C 双向导电性 D 反向击穿特性 2.某一负载消耗的有功功率为300W,消耗的无功功率为400var,则 该负载的视在功率为( c )。 (a)700VA (b)100VA (c)500VA 3.图右所示电路中P点电位为( a ) (a)5V (b)4V (c)3V (d)2V 2. 采用差分放大电路是为了( B ) A 加强电路对称性 B 抑制零点漂移 C 增强放大倍数

电子技术复习题及答案

电子技术复习题一 一、填空题 1、右图中二极管为理想器件,题1-1 V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 8、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 10、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 12、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 13、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 15、.二极管的反向电流IRM越小,说明二极管的____单向导电_____性能越好。 16、交流负反馈有4种组态,若要求输入电阻高,输出电阻高,在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。 17、要稳定静态工作点,在放大电路中应引入_____直流____负反馈。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器 3、某逻辑门的输入端A、B和输出端F的波形如下图所示,F与A、B的逻辑关系是:B A、与非 B、同或 C、异或 D、或 A B F

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