硅太阳能电池的效率

Appl Phys A(2011)103:977–982

DOI10.1007/s00339-010-6095-0

Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell ef?ciency

Wang Fang·Chen Changshui·He Huili·Liu Songhao

Received:1July2010/Accepted:14October2010/Published online:4November2010

?Springer-Verlag2010

Abstract Black silicon,which is obtained by irradiating the surface of a Si wafer with femtosecond laser pulses in the presence of a sulfur-bearing gas,holds great promise in the preparation of high-performance intermediate band silicon solar https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html,ing a three-level model,the enhanced useful-ness of sunlight of the microstructured silicon was?rstly analyzed.A detailed study on the relationship between the light loss,the ionization energy of doped impurities in sil-icon and the impurity band width were given.Then the ef-fect of the position of intermediate band within the forbid-den gap of silicon on the theoretical conversion ef?ciency for the corresponding solar cell is discussed using the De-tailed Balance Theory.Finally problems need to be resolved in making intermediate band solar cells based on femtosec-ond laser microstructured silicon are pointed out with great emphasis.

1Introduction

Silicon is the second richest element on earth,next to https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html,pared with silicon,other material is hard to be pre-dominant in the solar cell industry owing to their limited abundance.Therefore people have reasons to believe that only silicon will be the most sustainable material for solar W.Fang·C.Changshui( )·H.Huili·L.Songhao

School of Information and Optoelectronic Science and Engineering,South China Normal University,Guangzhou,China

e-mail:cschen@https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html,

Fax:+86-20-85211768

Present address:

C.Changshui

South China Normal University,Room503,Laser Building,

Tianhe District,Guangzhou city,Guangdong Prov.,China cells in the future.However,due to the limitation of the band gap of silicon,nearly one third of sunlight cannot be ab-sorbed and transformed,the theoretical limiting ef?ciency for ordinary single crystalline silicon solar cell is only29%. As a result,bringing up new cell structure,improving mate-rial,technology and equipment to reduce the solar cell cost and increase ef?ciency is of great value and signi?cance.

In1997,Mazur group of Harvard University fabricated new material“black silicon”(femtosecond laser microstruc-tured silicon)which is quasi-regular arrays of microme-ter cone-shaped,by irradiating the surface of semiconduc-tor with high-intensity femtosecond laser pulses[1].Re-searchers found that this new material has unusual optical properties such as the strong absorption of light with wave-length from0.25μm to17μm[2],nice?eld emission char-acteristics and so on,providing silicon with many new fea-tures.Professor Mazur predicted that black silicon has in-comparable superiority to other materials in solar cell?eld. Besides,the black silicon material has important potential applications in the?elds of detector,sensor,display tech-nology,microelectronics and so on.

The two most striking features of black silicon are the ex-tremely low re?ection of sunlight and the current measured broad-spectrum absorption wide to about17μm,these are just its unique advantages to make detector,solar cells and so on.Research results indicate that the enhanced visible light absorption of microstructured silicon is mainly owing to the multi-re?ection caused by the periodic structure on its surface,while the strong infrared absorption is mainly due to the deep energy levels,which consists of impurities and defects which are introduced by laser-assisted chemical etching[3,9,11,12],within the band gap.Chalcogen is re-ported to be able to introduce impurity levels into the band gap of silicon.Figure1shows the reported impurity levels in silicon introduced by doping with sulfur[4].

978W.Fang et al.

Fig.1Impurity bands in silicon band gap introduced by doping with

sulfur

We found that introducing deep levels in silicon through ultra-fast laser pulses happens to hold the same view as the design idea of intermediate band solar cell brought up by A.Luque et al.[5]to a certain extent.Transitions via inter-mediate energy band,in addition to transitions from the va-lence band to the conduction band,increase the generation rate of electron–hole pairs.It is calculated that the highest ef?ciency of solar cells with intermediate band can reach 63.1%,higher than the limiting ef?ciency of the single so-lar cell and two tandem solar cells,40.7%and55.4%re-spectively.A relatively simple way to introduce interme-diate band into the energy band structure of ordinary so-lar cells material is impurity doping.Therefore,we study the relationship between the sunlight loss of material,the position of the introduced impurity level in silicon and the width of impurity band with a three-level absorption model, the in?uence of different introduced intermediate bands on the ef?ciency of the corresponding solar cell.These stud-ies would enable us to purposefully choose the appropriate doping impurities,improve doping technology and fabricate black silicon with low damage?aw as well as high electro-optic performance,which are signi?cant to make solar cell and other optoelectronic devices based on black silicon,and other multi-bandgap solar cells.

2Analysis of sunlight loss for silicon doped by femtosecond laser irradiating

The three-level structure of silicon after the introduction of an impurity band is shown in Fig.2.In this graph,d stands for the width of impurity band,EI is for the cen-tral ionization energy of impurity band.We can see that Eg1=EI?0.5d,Eg2=Eg?EI?0.5d,Eg is the band gap of silicon at room temperature;we take Eg=1.12in our calculation.The solar spectrum data ASTMG173[13] were used in our calculation.

We made the following assumptions in our calculation: (a)EI

conduction

band;Fig.2Band diagram of silicon after the introduction of an impurity band

(b)photons with energy lower than Eg1can not be absorbed

at all;

(c)a photon produces an electron hole pair at most,the por-

tion of photon energy higher than Eg are all wasted. (d)photon selectivity is assumed such that photons with

high energy preferentially excite the transition need higher energy.See Fig.2;photons with energy higher between Eg2and Eg will excite process A IV?rst while photons with energy higher than Eg will?rst excite process A CV.

Ordinary silicon can only absorb photons with energy higher than the forbidden gap energy,the energy loss of the part below forbidden gap energy is

E0=

Eg

N(E)E dE(1)

E stands for the photon energy and the N(E)is for the num-ber of photons whose energy is E,its unit is(S cm2ev)?1. Photons with energy higher than Eg enable electronic to

Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell ef?ciency979 jump from the valence band to the conduction band.Ac-

cording to the assumption(c),for ordinary silicon,a consid-

erable number of photons with energy greater than Eg,and

the extra part(E-Eg)cannot be used,the energy loss of this

part is

E0 = ∞

Eg

N(E)(E?Eg)dE(2)

The total loss of sunlight for ordinary silicon at room tem-perature is

L0=

E0+E0

∞

N(E)E dE

(3)

The sunlight loss of ordinary silicon calculated according to the above formulas is about51%.

The electronics have three kinds of transition(shown in Fig.2)after introducing an impurity band into silicon.We assumed that the photon with energy below Eg1cannot be absorbed and this part of the sunlight loss can be expressed as

E1=

Eg1

N(E)E dE(4)

According to assumption(d),the sunlight loss of mi-crostructured silicon when photon energy is between Eg1 and Eg2is

E2=

Eg2

Eg1

N(E)(E?Eg1)dE(5) Similarly,

E3=

Eg

Eg2

N(E)(E?Eg2)dE(6) E4=

∞

Eg

N(E)(E?Eg)dE(7) The total sunlight loss is

L=E1+E2+E3+E4

∞

N(E)E dE

(8)

When the introduced impurity band is close to the valence band,that is EI>EC,we will get similar formulas.With MATLAB software,we calculated the sunlight loss when the width of doped impurity band is between0ev and0.2ev according to formulas(4)–(8).The result is shown in Fig.3.

According to Fig.3,the sunlight loss of silicon after the introduction of impurity band is related with the impurity ionization energy of the central impurity band and the width of the impurity band.The results show that a minimum sun-light loss of about35.6%can be obtained when the

impurity Fig.3Relationship of sunlight loss,position of doped impurity in the band gap of silicon(above)and impurity band width(below)

band with EI=0.366ev or EI=0.754ev,d=0.11ev is introduced into the band gap of silicon.The greater the im-purity ionization energy,the lower the sunlight loss when the ionization energy of the introduced impurity is less than 0.366ev;the case is opposite for introducing impurity band with ionization energy greater than0.754ev.The relation-ship between the sunlight loss and the width of impurity band is not monotone,but in most cases,the wider the im-purity band,the greater the sunlight loss.

Figure4shows the sunlight loss when sulfur shown in Fig.1is introduced into silicon,assuming that the impurity band width is from0ev to0.2ev.The calculation results show that the minimum light loss of35.61%can be got when the introduced sulfur exists in the form of primarily ionized diatomic sulfur with impurity ionization energy of0.371ev and d=0.1.

It should be noted that we did not take into account the fact that one high-energy photon can generate numbers of electron hole pairs in femtosecond laser microstructured sil-

980W.Fang et

al.

Fig.4Relationship of sunlight loss and impurity band width when doping with sulfur of different modalities

icon,because energy released in the transition of electrons, which were excited by high energy photons,from excited states back to the conduction band,is no longer released in the form of heat by crystal collision,but stimulates electrons from the value band to the deep level or from a deep level to the conduction band due to the introduced deep level sub-bands in the non-equilibrium supersaturated process.We as-sume that the reused probability of the remaining energy of high-energy photons after the?rst transition is g,and for-mulas(5),(6)and(7)should be changed for a more precise result:

E2=

Eg2

Eg1

N(E)(E?Eg1)(1?g)dE(9)

E3=

Eg2

Eg1

N(E)(E?Eg1)(1?g)dE(10) E4=

∞

Eg

N(E)(E?Eg)(1?g)dE(11)

As there is still no comparatively thorough understanding of this phenomenon till now and we know so little about the probability g,we just give the formulas here and no longer discuss it further.Furthermore,numbers of impurity levels or bands are introduced into silicon inferred from a great deal of experimental results,thus the transitions of electrons are diverse.Nevertheless,we just illuminate the relationship between the sunlight loss,the adulteration ionization energy and the impurity band width in the simplest case here.We will further discuss the case that one phonon generates sev-eral electron hole pairs and the case that several middle lev-els are introduced into black silicon in our future work.3Analysis of the ef?ciency of intermediate band solar cell based on femtosecond laser microstructured silicon

We?rst use Detailed Balance Theory to discuss the limiting conversion ef?ciency of ideal silicon solar cell with interme-diate band.It must be noted that like the analysis before,we did not consider the phenomenon of multiple electronic out-puts for femtosecond laser microstructured silicon,and here we just discuss the relationship between the limiting con-version ef?ciency of the ideal three-band silicon solar cell and the position of the introduced intermediated band in sil-icon according to Detailed Balance Theory.This limit of the conversion ef?ciency will have signi?cant reference value for a solar cell based on femtosecond laser microstructured silicon if suitable impurity levels were introduced into sili-con.The physical model for intermediate band solar cells is similar to Fig.2.

According to the common Planck formula,the number of photons with energy between EI and Eh which are emitted to the hemisphere at temperature T by the blackbody is

˙N(E

l,E h,T,u)=

2An2π

h c

E

h

E l

E2dE

e

(12)

The meaning of the letters in the formula can be seen from[6].For solar cells with intermediate band,the current I that?ows to the external circuit is

I/q=˙N(Eg,∞,T s,0)?˙N(Eg,∞,T a,u CV)

+˙N(Ec,Eg,T s,0)?˙N(Ec,Eg,T a,u CI)(13)

To get the highest conversion ef?ciency,out?ow of current from the intermediate band should be0:

˙N(E

I,Ec,T s,0)?

˙N(E

I,Ec,T a,u IV)

=˙N(Ec,Eg,T s,0)?˙N(Ec,Eg,T a,u CI)(14)

For a given external voltage solar cell V,we have

qV=u CI+u IV=u CV(15)

The IV curve for solar cells can be obtained by formula(12) to(15);then the maximum ef?ciency for solar cells isη=πVI

σT4S

,σis the Boltzmann constant.

Calculating by the formula above we get the relationship of the theoretically maximum conversion ef?ciency for the ideal three-band silicon solar cell and the band position,as shown in Fig.5.

We can see that the limiting conversion ef?ciency of sil-icon solar cell after introducing a third band is54.1%,the maximum ef?ciency can be obtained when the introduced band is0.362ev away from the bottom of the conduction (or valance)https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html,paring Fig.5with Fig.3we?nd that

Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell ef?ciency

981

Fig.5Relationship of the theoretically maximum conversion ef?-ciency for ideal three-band silicon-based solar cell and band position

the variation trends of sunlight loss and the limiting con-version ef?ciency with the position of introduced energy level are extremely consistent.However,we did not take into account the light absorption and scattering of Earth’s atmosphere when we calculate the limiting conversion ef?-ciency while the solar radiation data used here were mea-sured on the ground.Therefore we believe that the limiting ef?ciency we calculated here may well implicate the actual three-band solar cell model.

Figure 6separately states the relationship between the conversion ef?ciency of solar cell and the cell voltage when different impurity level of sulfur is introduced into silicon.We can see that if silicon was doped with varying amounts of sulfur,a maximum ef?ciency in theory of about 54%can be got when we introduce the primarily ionized diatomic sulfur with impurity ionization energy of 0.371ev into silicon.As the understanding for femtosecond laser microstruc-tured silicon is limited and the mechanism of its wild spec-trum absorption is still under exploration,we have no idea whether this high conversion ef?ciency can be achieved by silicon doping using a femtosecond laser.However,we can study the ef?ciency of a solar cell based on femtosecond laser microstructured silicon according to the existing re-sults.To get an optimal cell ef?ciency,?rstly there should be a stable intermediate impurity band in the forbidden gap of silicon,requiring that the doping concentration of im-purities cannot be lower than 1019cm ?3.The doping con-centration is high enough so that the spacing between im-purity atoms would be small enough to ensure that their outer electron wave function has enough overlap,thereby ensuring the carrier transport and restraining nonradiative recombination [5].Besides,the doped impurity atoms need to be able to ionize effectively to form impurity levels.The general doping concentration of sulfur in

femtosecond

Fig.6Relationship of solar cell conversion ef?ciency and the cell voltage when a different sulfur impurity level is introduced into sili-con

laser microstructured silicon is 1019or 1020[7,8]orders of magnitude so that femtosecond laser microstructured sil-icon can meet the requirement for concentration.But there is no direct evidence that proves that stable impurity levels are formed in silicon by femtosecond laser doping.In addi-tion,the high doping effect brought about by high concentra-tions of impurity doping cannot be ignored because it would severely affect the solar cell ef?ciency.High concentrations of doping would lead to shrinking of forbidden gap,and the shrinkage will decrease voltage of solar cells,thereby re-ducing ef?ciency;a high doping effect would also lead to distinct decrease of carrier mobility and thus shorter minor-ity carrier lifetime.The open circuit voltage would drop if the doping concentration is too high that the impurities can-not be fully ionized.However,for the nano-structure heav-ily doped by chalcogenide and deep-level sub-bands having been formed,the Auger effect possibly develops in the pos-itive direction,that is the electronic excitation probability is greater than the recombination probability,making a high-energy photon in black silicon able to stimulate more than one electron,thus a quantum ef?ciency higher than 100%could be obtained.Therefore,thorough studying of the ef-fect of high concentrations of doping on femtosecond laser microstructured silicon and the selection of suitable impu-rity doping concentration are compulsory to make highly ef?cient solar cells based on femtosecond laser microstruc-tured silicon.

Besides the formation of stable impurity level to restrain the nonradiative recombination,solar cells with impurity in-termediate band also require one to maintain that the recom-bination lifetime of carrier is longer than its relaxation time in each band,so that carriers will not be combined when they move in the band.However,for femtosecond laser mi-

982W.Fang et al.

crostructured silicon,not only a large number of impurities but also abundant defects are introduced into silicon.These defects,together with impurities,will form amounts of re-combination centers within the forbidden band,and these centers will increase the bulk recombination and badly af-fect the lifetime of the minority carrier.There must be sub-stantive defects and dangling bonds on the conical surface of femtosecond laser microstructured silicon,which would speed up the surface recombination carrier.The high den-sity of majority carriers in the surface layer may increase the Auger electron recombination caused by lattice colli-sions and shorten the lifetime of carrier.Thus the loss of carrier recombination is most likely related to the leading electrical losses for solar cells based on femtosecond laser microstructured silicon.Therefore,the effect of defects in femtosecond laser microstructured silicon on its properties must be further studied to reduce the negative impact of de-fects.Some relevant research to minimize the negative im-pact of these defects in microstructured silicon has been car-ried on.In the year2006,T.G.Kim prepared“?at black silicon”with?at surface[8],which is supersaturated with sulfur and free from extended defects(dislocations,grain boundaries,stacking faults,twins)and yet absorbs strongly in the sub-bandgap region.There are also a large number of experimental studies on the effect of annealing on the mi-crostructured silicon[9,10].It is well known that annealing can repair the lattice defects caused by laser irradiation.Al-though the original increased light absorption of microstruc-tured sulfur-doped silicon decreases sharply after annealing, it is found that the optical absorption changes very little for microstructured silicon doped with selenium,tellurium and some elements.

In some respects,black silicon cannot meet the require-ments of high ef?cient intermediate band solar cells accord-ing to the present?ndings,but we expect to improve laser doping or other doping techniques to effectively control the impurity band position and width,and reduce the introduced defects in the doping process in the future,thus making max-imized use of the strong wild spectrum absorption of black silicon and making high ef?ciency solar cells with interme-diate band.

4Conclusion

Making ef?cient solar cells is an effective way to solve to-day’s energy and environmental problems.Solar cells with an intermediate band provides a new idea for high ef?cient solar cells and impurity doping is a comparatively simple way to introduce intermediate bands.Selecting the appro-priate doping impurities and making clear the effect of the impurity and its position within the material on solar cell ef?ciency are absolutely necessary for high ef?ciency im-purity intermediate band solar cells.The new material black silicon with strong wild spectrum absorption is expected to become the ideal material for intermediate band solar cells and other solar cells.We?rstly analyze the enhanced useful-ness of sunlight for microstructured silicon with the three-level model.Calculations show that,for microstructured sil-icon doped with sulfur,the minimal light loss can be ob-tained when suitable amount of sulfur with ionization en-ergy of0.371ev is introduced into silicon.Then the effect of the position of intermediate band in the forbidden band of silicon on the theoretical conversion ef?ciency for the corre-sponding solar cell is discussed using Detailed Balance The-ory.The results show that a maximum ef?ciency can be got when the intermediate band which is0.362ev away from the bottom of the conduction(or top of the valence)band is introduced into silicon.For silicon doped with sulfur,a maximum conversion ef?ciency of about54%in theory can be obtained when a suitable amount of sulfur with ioniza-tion energy of0.371ev is introduced into silicon.Finally, problems that need to be resolved in making intermediate band solar cells based on femtosecond laser microstructured silicon are pointed out.

Acknowledgement This work was co-funded by the Key Pro-gram of Natural Science Foundation of Guandong province(No. 10251063101000001;No.8251063101000006)and the National Nat-ural Science Foundation of China(No.60411130595). References

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晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

晶体硅太阳能电池的制造 工艺流程 This model paper was revised by the Standardization Office on December 10, 2020

提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下： （1）切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 （2）清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。 （3）制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。 （4）磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为－。 （5）周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 （6）去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。 （7）制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 （8）制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。 （9）烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 （10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。

由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的结构及 工作原理 集团文件版本号：（M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988）

一.引言： 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源，不产生任何的环境污染。?? 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业争相投入巨资，扩大生产，以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍，太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW，较2005年成长19％，整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW，较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年，20世纪80年代末期，国内先后引进了多条太阳能电池生产线，使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW，这种产能一直持续到2002年，产量则只有2MW左右。2002年后，欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前，我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW，同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、

日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上，我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区，已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年，尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入，但投入仍然不够，与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励，尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验，在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能，充分发挥政府的示范作用，推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年，可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30％以上，而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10％以上；到2040年，可再生能源将占总能耗的50％以上，太阳能光伏发电将占总电力的20％以上；到21世纪末，可再生能源在能源结构中将占到80％以上，太阳能发电将占到60％以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可以看出，太阳能电池市场前景广阔。 在太阳能的有效利用当中；大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。

晶体硅太阳能电池

晶体硅太阳能电池 专业班级：机械设计制造及其自动化13秋姓名：张正红 学号： 1334001250324 报告时间： 2015年12月

晶体硅太阳能电池 摘要：人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力，能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。人们开始急切地寻找其他的能源物质，而光能、风能、海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来，因此近年来，光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍，并对晶体硅太阳能电池及其关键材料的市场发展方向进行了展望。 关键词：太阳能电池；工作原理；晶体硅；特点；发展趋势 前言 “开发太阳能，造福全人类”人类这一美好的愿景随着硅材料技术、半导体工业装备制造技术以及光伏电池关键制造工艺技术的不断获得突破而离我们的现实生活越来越近！近20年来，光伏科学家与光伏电池制造工艺技术人员的研究成果已经使太阳能光伏发电成本从最初的几美元/KWh减少到低于20美分/KWh。而这一趋势通过研发更新的工艺技术、开发更先进的配套装备、更廉价的光伏电子材料以及新型高效太阳能电池结构，太阳能光伏（PV）发电成本将会进一步降低，到本世纪中叶将降至4美分/KWh，优于传统的发电费用。 大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。通过降低峰瓦电池的硅材料成本，通过提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本，通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本，通过合理的机制建立优秀的技术团队、避免人才的不合理流动、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在！ 一、晶体硅太阳能电池工作原理 太阳能电池是一种把光能转换成电能的能量转换器，太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应。

硅太阳能电池的结构及工作原理

一.引言： 太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源，不产生任何的环境污染。 当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业争相投入巨资，扩大生产，以争一席之地。 全球太阳能电池产业1994-2004年10年里增长了17倍，太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。2006年全球太阳能电池安装规模已达1744MW，较2005年成长19％，整个市场产值已正式突破100亿美元大关。2007年全球太阳能电池产量达到3436MW，较2006年增长了56%。 中国对太阳能电池的研究起步于1958年，20世纪80年代末期，国内先后引进了多条太阳能电池生产线，使中国太阳能电池生产能力由原来的3个小厂的几百kW一下子提升到4个厂的4.5MW，这种产能一直持续到2002年，产量则只有2MW左右。2002年后，欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给中国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。 目前，我国已成为全球主要的太阳能电池生产国。2007年全国太阳能电池产量达到1188MW，同比增长293%。中国已经成功超越欧洲、日本为世界太阳能电池生产第一大国。在产业布局上，我国太阳能电池产业已经形成了一定的集聚态势。在长三角、环渤海、珠三角、中西部地区，已经形成了各具特色的太阳能产业集群。 中国的太阳能电池研究比国外晚了20年，尽管最近10年国家在这方面逐年加大了投入，但投入仍然不够，与国外差距还是很大。政府应加强政策引导和政策激励，尽快解决太阳能发电上网与合理定价等问题。同时可借鉴国外的成功经验，在公共设施、政府办公楼等领域强制推广使用太阳能，充分发挥政府的示范作用，推动国内市场尽快起步和良性发展。 太阳能光伏发电在不远的将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体。预计到2030年，可再生能源在总 绿色环保节能太阳能 能源结构中将占到30％以上，而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10％以上；到2040年，可再生能源将占总能耗的50％以上，太阳能光伏发电将占总电力的20％以上；到21世纪末，可再生能源在能源结构中将占到80％以上，太阳能发电将占到60％以上。这些数字足以显

太阳能电池探究亮特性光照强度关系

扬州大学物理科学与技术学院 大学物理综合实验训练论文实验名称：太阳能电池探究亮特性光照强度关系 班级：物教1201班 姓名：郑清华 学号：120801117 指导老师：李俊来

太阳能电池探究亮特性光照强度关系 物教1201 郑清华指导老师：李俊来 摘要：本文介绍了太阳能电池研究背景、实验原理等。在不同光强条件对单晶硅太阳电尺进行了测试.研究发现,当光强为3433.56—10617.33W/2 m时,开路电压随着光强的增加呈对数关系增加,短路电流几乎呈线性变化。效率随着光强的增加先增加后减小,最大效率值1、21%。填充因子随着光强的增加减小。 关键词：太阳能电池;输出特性；光强特性。 一、研究背景 随着经济社会的不断发展，能量与能源问题的重要性日益凸显。人类对能源的需求，随着社会经济而急剧膨胀，专家估计目前每年能源总消耗量为200亿吨标准煤，并且其中90%左右为不可再生的化石能源来维持。就目前情况，全球化石能源储备只能维持100年左右。太阳能以其清洁、长久、无害等优点自然而然成为人类可持续发展不得不考虑的能源方式。太阳每年通过大气向地球输送的能量高达3×1024焦耳，而地球上人类一年的能源总需求达到约4.363×1020焦耳，也就是说，如果我们可以收集其中的万分之一到万分之二就足够我们的需求。太阳能是最为清洁的能源，并且不受任何地域限制，随处可取。此外，将太阳能转换为电能后，电能又是应用范围最广，输送最方便的一种能源。 太阳能一般指太阳光的辐射能量。我们知道在太阳内部无时无刻不在进行着氢转变为氦的热核反应，反应过程中伴随着巨大的能量释放到宇宙空间。太阳释放到宇宙空间的所有能量都属于太阳能的范畴。太阳能电池是目前太阳能利用的关键环节，核心概念是pn结和光生伏特效应 晶体硅太阳电池在如今的光伏市场中占据了绝对主导的地位,而且这一地位在今后很长一段时间内不会改变,因此提高晶体硅太阳电池效率,降低生产成本, 使晶体硅太阳电池能与常规能源进行竞争成为现今光伏时代的主题.太阳能是最具发展潜力的新能源。光伏发电是解决能源危机，实现能源可持续发展的重要途径之一。硅太阳能电池是当今市场的主流产品，其最高效率是24.7%，由新南威尔士大学马丁·格林教授研制的PERL单晶硅电池取得单并保持至今。继续提高转换效率十分困难，但电池的效率会随温度和光强变化而变化。因此，研究温度和光强对太阳能电池的影响是必要的。 二、太阳能光伏电池实验 （一）实验目的 1.了解pn结的基本结构与工作原理。 2.了解太阳能电池组件的基本结构，理解其工作原理。

太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率

太阳能电池板太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率. 1.效率越大,相同面积的太阳能电池板输出功率也就越大, 用高效率的太阳 能电池板可以节省安装面积, 但是价格更贵. 2.太阳能电池的功率, 在太阳能电池板的背面标牌中, 有关于太阳能电池 板的输出参数, 如VOC开路电压,ISC短路电流,VMP工作电压,IMP工作电流, 等. 但我们只需要用工作电压和工作电流就可以了, 这两个相乘就可以得 这块太阳能电池板的输出功率. 太阳能电池板介绍：采用高质量单晶/多晶硅材料,经精密设备树脂封装生产出来的太阳能板,有良好的光电转换效果,外形美观,使用寿命长。 太阳能电池板的作用是将太阳的光能转化为电能后，输出直流电存入蓄电池中。太阳能电池板是太阳能发电系统中最重要的部件之一。 太阳能电池组件可组成各种大小不同的太阳能电池方阵，亦称太阳能电池阵列。太阳能电池板的功率输出能力与其面积大小密切相关，面积越大，在相同光照条件下的输 出功率也越大。 2.太阳能电池板的种类 (1)单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，最高的达到24%，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。 (2)多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为%的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单 晶硅太阳能电池还略好。

太阳能电池转换效率

Research on New Technologies of Photoelectric Conversion Efficiency in Solar Cell Tianze LI, Chuan JIANG, Cuixia SHENG School of Electric and Electronic Engineering Shandong University of Technology Zibo 255049 ,China e-mail: ltzwang@https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html, Hengwei LU,Luan HOU, Xia ZHANG School of Electric and Electronic Engineering Shandong University of Technology Zibo 255049 ,China e-mail: henrylu007@https://www.sodocs.net/doc/da6741649.html, Abstract—The characteristics of the solar energy and three conversion mode of solar energy including photovoltaic conversion, solar thermal conversion, and photochemical conversion are represented in this paper. On this basis,the materials used in solar cell, as well as the working principle of solar cells, the factors of low convert efficiency of solar cells and the two major bottlenecks encountered in the solar application are analyzed.The idea that spontaneous arrangement of compound organic molecules is achieved by changing the molecular arrangement structure of the organic thin-film solar is put forward. The new structure of liquid crystal layer come into being accordingly so that the electron donor and the receptor molecules of the mixture are separated, and the contacting area between them is enlarged. So the efficiency solar photovoltaic is improved. The research and development of this new technology can solve the technical problem of the low conversion efficiency of solar cell, and open up an effective way to improve the conversion efficiency of solar cells. At last,the prospect of solar photovoltaic technology, solar energy exploit technology and the development of industry is offered in the article. Keywords- photoelectric conversion efficiency; electron donor and recipient; photovoltaic generate power technology I.I NTRODUCTION Energy is the material basis of human society survival and development. In the past 200 years?the energy system based on coal, oil, natural gas and other fossil fuel has greatly promoted the development of human society. However, material life and spiritual life is increasing, the awareness of serious consequences brought from the large-scale use of fossil fuels is increasing at the same time: depletion of resources, deteriorating environment, in addition to all of the above, it induce political and economic disputes of a number of nations and regions, and even conflict and war. After in-depth reflection of the development process of the past, human advance seriously the future path of sustainable development. Today in the 21st century, there is no a problem as important as a sustainable energy supply, especially for the benefit of solar energy development and has been highly concerned by all mankind. Around the world are faced with limited fossil fuel resources and higher environmental challenges, it is particularly important to adhere to energy conservation, improve energy efficiency, optimize energy structure, rely on scientific and technological progress, development and utilization of new and renewable sources.After analyzing two bottleneck problems which affect the conversion efficiency of the solar cell, we put forward a new structure of molecular arrangement of the solar cell to improve the conversion efficiency of the solar cell. II.T HE F EATURES O F S OLAR A ND T HREE C ONVERSION M ODES A.The Features of Solar Solar resources are solar radiation energy on the entire surface of the earth. Solar energy has four features. Firstly, solar energy is sufficient. The gross of solar radiation energy on the surface of the earth is about 6h1017kWh every year. It can be used several billions of years, which is reproducible and cleanest. It isn’t monopolized by any groups or coutries. Secondly, the energy density of solar energy is low. People want to obtain higher energy density by condensers. Thirdly, because of climatic change, the solar energy is mutative. For example, cloudy day and rainy day, the solar energy is weak. People should consider energy storage or use auxiliary devices which provide conventional energy to use solar energy in a row. Forthly, because of the earth rotation, the earth revolution and the angle between the axis of rotation and the orbital plane, days and sensons must change on the earth, solar energy must change too. Fifthly, use of solar energy can make energy level appropriate allocation, so heat energy is made used of. When the sun light shines on the earth, part of the light is reflected or scattered, some light is absorbed, only about 70% of the light which are direct light and scattered light passes through the atmosphere to reach the surface of the earth. Part of the light on the surface of the earth is absorbed by the objects surface, another part is reflected into the atmosphere. Fig.1 shows the schematic diagram of the sun incident on the ground. Figure1. Schematic diagram of the sun incident on the ground 978-1-4244-7739-5/10/$26.00 ?2010 IEEE

有机太阳能电池转换效率的理论极限值约为21%

有机太阳能电池转换效率的理论极限值约为21％ 电荷分离时存在0.4 eV能量损失的情况下，光电转换效率的理论极限值与太阳能电池可吸收的光能的最小值（光吸 收端能量）之间的关系。红线表示无机太阳能电池的理论极限值，蓝线表示有机太阳能电池的新的理论极限值 在作为新一代太阳能电池备受关注的“有机太阳能电池”方面，日本产业技术综合研究所（产综研）对这种电池将阳光转换成电力的能力——“光电转换效率”（以下简称转换效率）的理论极限进行了模拟计算，得出气数值约为21％。 日本正以产综研太阳能发电工学研究中心为核心，汇集环境能源、测量计量标准、纳米技术材料制造等多领域研究人员组成有机太阳能电池极限效率研讨会，开展有机太阳能电池转换效率的理论极限方面的研究。此次在理论上计算出的约21％的极限值高出目前所能实现的10～12％实际效率许多，表明今后通过选择及改进材料并优化结构，还有望使转换效率进一步提高。 目前主流的晶体硅太阳能电池等无机太阳能电池的转换效率理论极限已获知。此次便是以此为基础，并将无机太阳能电池与有机太阳能电池在吸收光后产生电力的机理方面的不同纳入考虑因素，计算出了有机太阳能电池的转换效率理论极限值。该成果有望成为有机太阳能电池的转换效率“能够提高到何种程度”的研发指南。上述成果将于近期在应用物理学会杂志《Applied Physics Letters》的在线版上公开。 有机太阳能电池拥有有机材料所特有的薄轻软柔特性，可安装在以往的晶体硅太阳能电池板难以设置的场所，作为新一代太阳能电池备受期待。不过，与晶体硅太阳能电池相比，有机太阳能电池在提高转换效率及耐久性方面还存在技术课题。但近年来其转换效率快速提高，有研究称已超过10％，达到了与非晶硅太阳能电池相当的水平。因此，业

几种商业化的高效晶体硅太阳能电池技术

高效晶体硅太阳能电池技术 摘要：晶体硅太阳能电池是目前应用技术最成熟、市场占有率最高的太阳能电池。本文在解释常规太阳能电池能量损失机理的基础上，介绍了可应用于商业化生产的高效晶体硅太阳能电池技术及其工艺流程，并对每种电池技术的优、缺点及工艺难度进行了评价。 关键词：晶体硅电池；高效电池；商业化 1 引言 能源是一个国家经济和社会发展的基础. 目前广泛使用的石油、天然气、煤炭等化石能源面临着严峻的挑战. 2005年2 月我国通过了《中华人民共和国可再生能源法》,从立法角度推进可再生能源的开发和利用,这是解决我国能源与环境、实现可持续发展的重要战略决策。 不论从资源的数量、分布的普遍性,还是从清洁性、技术的可靠成熟性来说,太阳能在可再生能源中都具有更大的优越性,光伏发电已成为可再生能源利用的首要方式。而晶硅太阳电池一直占据着光伏市场的最大份额. 与其它的可再生能源一样,目前要使之从补充能源过渡到替代能源,太阳电池光伏发电推广的最大制约因素仍然是发电成本。围绕着降低生产成本的目标,以高效电池获取更多的能量来代替低效电池一直是科学研究的的热门[1]. 近年来 高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就，在美国、德国和日本,高效太阳能电池研究正如火如荼，特别是美国，商品化高效电池的转换效率已超过20%。 . 2 硅太阳能电池能量损失机理 目前研究成果表面，影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面：①光学损失. 包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失,其中反射和阴影损失是可以通过技术措施减小的,而长波非吸收损失与半导体性质有关；②电学损失. 它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触（欧姆接触）电阻损失. 相对而言,欧姆损失在技术上比较容易降低,其中最关键的是降低光生载流子的复合,它直接影响太阳电池的开路电压。而提高电池效率的关键之一就是提高开路电压V oc。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入了大量的复合中心。此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,背表面的复合速度S b 对太阳电池特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看,为了降低太阳电池的成本和提高效率,现在生产厂家也在不断地减小硅片的厚度,以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施. 3 高效晶体硅太阳能电池技术 3.1 背接触电池IBC/MWT/EWT （1）IBC电池（PCC电池） 背接触电池是由Sunpower公司开发的高效电池，其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背面，量产效率可达19%～20%。 这种把正面金属栅线去掉的电池结构有很多优点[2]：（1）减少正面遮光损失，相当于增加了有效半导体面积，有利于增加电池效率；（2）有可能大大降低组件装配成本，因为全部外部接触均在单一表面上；（3）从建造结构的观点看来提供了增值，因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被组件背面所替代。

晶硅太阳能电池的特点和种类

晶体硅太阳能电池的种类及特点 太阳能电池已经有30多年的发展历史。目前世界各国研制的硅太阳能电池种类繁多，；主要系列有单晶、多晶、非晶硅几种。其中单晶硅太阳能电池占50％，多晶硅电池占20％、非晶占30％。我国光伏发电发展需解决的关键问题。太阳能光伏发电发展的瓶颈 是成本高。为此，需加大研发力度，集中在降低成本和提高效率的关键技术上有所突破，主要包括：a)晶体硅电池技术。降低太阳硅材料的制备成本：开发专门用于晶体硅太阳 能电池的硅材料，是生产高效和低成本太阳电池的基本条件；同时实现硅材料国产化和 提高性能，从产业链的源头，抓好降低成本工作。提高电池／组件转换效率：高效钝化 技术，高效陷光技术，选择性发射区，背表面场，细栅或者单面技术，封装材料的最佳 折射率等高效封装技术等。光伏技术的发展以薄膜电池为方向，高效率、高稳定性、低 成本是光伏电池发展的基本原则。 单晶硅在太阳能的有效利用当中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，也是最具 活力的研究领域。而硅材料太阳能电池无疑是市场的主体，硅基(多晶硅、单晶硅)太阳 能电池占80％以上，每年全世界需消费硅材料3000t左右。生产太阳能电池用单晶硅， 虽然利润比较低，但是市场需求量大，供不应求，如果进行规模化生产，其利润仍然很 可观。目前，中国拟建和在建的太阳能电池生产线每年将需要680多吨的太阳能电池用 多晶硅和单晶硅材料，其中单晶硅400多吨，而且，需求量还以每年15％～20％的增长 率快速增长。硅系列太阳能电池中，单晶硅太阳能电池在实验室里最高的转换效率为23％，而规模生产的单晶硅太阳能电池，其效率为15％，技术也最为成熟。高性能单晶 硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成熟的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅 的电池工艺已近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂 等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率 主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳 能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制 成倒金字塔结构。通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得 的电池转化效率超过23％。单晶硅具有完整的金刚石结构。通过掺杂得到n，P型单晶硅，进而制备出p／n结、二极管及晶体管，从而使硅材料有了真正的用途。单晶硅太阳能电 池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶 硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度 降低其成本是非常困难的。 多晶硅众所周知，利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但 目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光 电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过 程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合 1

高效晶体硅太阳能电池介绍

高效晶体硅太阳电池简介（1） PERC电池是澳大利亚新南威尔士大学光伏器件实验室最早研究 的高效电池。它的结构如图2-13a所示，正面采用倒金字塔结构，进行双面钝化，背电极通过一些分离很远的小孔贯穿钝化层与衬底接触，这样制备的电池最高效率可达到23.2％[26]。由于背电极是通过一些小孔直接和衬底相接触的，所以此处没能实现钝化。为了尽可能降低此处的载流子复合，所设计的孔间距要远大于衬底的厚度才可。然而孔间距的增大又使得横向电阻增加（因为载流子要横向长距离传输才能到达此处），从而导致电池的填充因子降低。另外，在轻掺杂的衬底上实现电极的欧姆接触非常困难，这就限制了高效PERC电池衬底材料只能选用电阻率低于0.5 Ωcm以下的硅材料。 为了进一步改善PERC电池性能，该实验室设想了在电池的背面增加定域掺杂，即在电极与衬底的接触孔处进行浓硼掺杂。这种想法早已有人提出，但是最大的困难是掺杂工艺的实现，因为当时所采用的固态源进行硼掺杂后载流子寿命会有很大降低。后来在实验过程中发现采用液态源BBr3进行硼掺杂对硅片的载流子寿命影响较小，并且可以和利用TCA制备钝化层的工艺有很好的匹配。1990年在PERC结构和工艺的基础上，J.Zhao在电池的背面接触孔处采用了BBr3定域扩散制备出PERL电池，结构如图2.13b所示[27]。定域掺硼的温度为900 ℃，时间为20 min，随后采用了drive-in step技术（1070 ℃，2 h）。经过这样处理后背面接触孔处的薄层电阻可降到20 Ω/□以下。孔间距离也进行了调整，由2 mm缩短为250 μm，大大减少了横

向电阻。如此，在0.5 Ωcm和2 Ωcm的p型硅片上制作的4 cm2的PERL电池的效率可达23-24％，比采用同样硅片制作的PERC电池性能有较大提高。 1993年该课题组对PERL电池进行改善，使其效率提高到24％，1998年再次提高到24.4％，2001年达到24.7％，创造了世界最高记录。这种PERL电池取得高效的原因是[28]：（1）正面采光面为倒金字塔结构，结合背电极反射器，形成了优异的光陷阱结构；（2）在正面上蒸镀了MgF2/ZnS双层减反射膜，进一步降低了表面反射；（3）正面与背面的氧化层均采用TCA工艺（三氯乙烯工艺）生长高质量的氧化层，降低了表面复合；（4）为了和双层减反射膜很好配合，正面氧化硅层要求很薄，但是随着氧化层的减薄，电池的开路电压和短路电流又会降低。为了解决这个矛盾，相对于以前的研究，增加了“alneal”工艺，即在正面的氧化层上蒸镀铝膜，然后在370 ℃的合成气氛中退火30 min，最后用磷酸腐蚀掉这层铝膜。经过“alneal”工艺后，载流子寿命和开路电压都得到较大提高，而与正面氧化层的厚度关系不大。这种工艺的原理是，在一定温度下，铝和氧化物中OH-离子发生反应产生了原子氢，在Si/SiO2的界面处对一些悬挂键进行钝化。（5）电池的背电场通过定域掺杂形成，掺杂的温度和时间至关重要，对实现定域掺杂的接触孔的设计也非常重要，因为这关系到能否在整个背面形成背电场以及体串联电阻的大小。在这个电池中浓硼扩散区面积为30 μm×30 μm，接触孔的面积为10 μm ×10 μm，孔间距为250 μm，浓硼扩散区的面积仅占背面积的1.44%。定域扩散

晶体硅太阳能电池依然是主流

未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，但其主导地位仍不会根本改变；而薄膜电池如果能够解决转换效率不高，制备薄膜电池所用设备价格昂贵等问题，会有巨大的发展空间。 目前太阳能电池主要包括晶体硅电池和薄膜电池两种，它们各自的特点决定了它们在不同应用中拥有不可替代的地位。但是，专家认为，未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，但其主导地位仍不会根本改变；而薄膜电池如果能够解决转换效率不高、制备薄膜电池所用设备价格昂贵等问题，会有巨大的发展空间。晶体硅太阳能电池依然是主力 在太阳能光伏领域，晶体硅太阳能电池的转换效率较高，原材料来源简单，因此虽然薄膜太阳能电池迅速崛起，但晶体硅太阳能电池目前仍是太阳能电池行业的主力。在2007年全球前十大太阳能电池生产商中，有9家是以生产晶体硅太阳能电池为主的。 据应用材料公司提供的PV（光伏）产业预测，尽管多晶硅太阳能电池技术相对市场占有率有下降趋势(即2007年45%，2010年40%，2015年37%)，但总体上多晶硅太阳能电池年增长率在以40%—50%的速度发展，未来市场相当可观。 硅是自然界存量最多的元素之一，硅材料来源广泛、价格低廉且容易获得，大生产制造技术成熟，电池制造成本持续下降，业内专家预计，未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜电池的发展等原因而下降，但主导地位仍不会根本改变。而随着太阳能电池尺寸的加大，多晶硅太阳能电池制造技术的成熟，其转换效率和单晶硅电池的差距越来越小，制造成本优势逐渐显现，所占份额也会不断提高。以高纯多晶硅为原料而制备的晶硅电池占据现有太阳能电池80%以上的市场，由于其原料易于制备，电池制备工艺最为成熟，在硅系太阳能电池中转换效率最高，无论其原料还是产品都对人类无毒无害等优点而获得了广泛的开发和应用。预计在未来的20年～30年里还不可能有其他材料和技术能取代晶硅电池位居第一的地位。 多晶硅产能扩大成本降低 多晶硅太阳能电池之所以占据主流，除取决于此类电池的优异性能外，还在于其充足、廉价、无毒、无污染的硅原料来源，而近年来多晶硅成本的降低更将使多晶硅太阳能电池大行其道。 随着硅太阳能商业化电池效率不断提高、商业化电池硅片厚度持续降低和规模效应等影响，硅太阳能成本仍在降低，规模每扩大1倍，成本降低约20%。

几种商业化的高效晶体硅太阳能电池技术

几种商业化的高效晶体硅太阳能电池技术 摘要：晶体硅太阳能电池是目前应用技术最成熟、市场占有率最高的太阳能电池。本文在解释常规太阳能电池能量损失机理的基础上，介绍了可应用于商业化生产的高效晶体硅太阳能电池技术及其工艺流程，并对每种电池技术的优、缺点及工艺难度进行了评价。 关键词：晶体硅电池；高效电池；商业化 1 引言 能源是一个国家经济和社会发展的基础. 目前广泛使用的石油、天然气、煤炭等化石能源面临着严峻的挑战. 2005年2 月我国通过了《中华人民共和国可再生能源法》,从立法角度推进可再生能源的开发和利用,这是解决我国能源与环境、实现可持续发展的重要战略决策。 不论从资源的数量、分布的普遍性,还是从清洁性、技术的可靠成熟性来说,太阳能在可再生能源中都具有更大的优越性,光伏发电已成为可再生能源利用的首要方式。而晶硅太阳电池一直占据着光伏市场的最大份额. 与其它的可再生能源一样,目前要使之从补充能源过渡到替代能源,太阳电池光伏发电推广的最大制约因素仍然是发电成本。围绕着降低生产成本的目标,以高效电池获取更多的能量来代替低效电池一直是科学研究的的热门[1]. 近年来 高效单晶硅太阳能电池研究已取得巨大成就，在美国、德国和日本,高效太阳能电池研究正如火如荼，特别是美国，商品化高效电池的转换效率已超过20%。 . 2 硅太阳能电池能量损失机理 目前研究成果表面，影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面：①光学损失. 包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失,其中反射和阴影损失是可以通过技术措施减小的,而长波非吸收损失与半导体性质有关；②电学损失. 它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的体电阻以及金属-半导体接触（欧姆接触）电阻损失. 相对而言,欧姆损失在技术上比较容易降低,其中最关键的是降低光生载流子的复合,它直接影响太阳电池的开路电压。而提高电池效率的关键之一就是提高开路电压V oc。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入了大量的复合中心。此外,当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时,背表面的复合速度S b 对太阳电池特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看,为了降低太阳电池的成本和提高效率,现在生产厂家也在不断地减小硅片的厚度,以降低原材料的价格.因此必须有减少前、背两个表面的光生载流子复合的结构和措施. 3 高效晶体硅太阳能电池技术 3.1 背接触电池IBC/MWT/EWT （1）IBC电池（PCC电池） 背接触电池是由Sunpower公司开发的高效电池，其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背面，量产效率可达19%～20%。 这种把正面金属栅线去掉的电池结构有很多优点[2]：（1）减少正面遮光损失，相当于增加了有效半导体面积，有利于增加电池效率；（2）有可能大大降低组件装配成本，因为全部外部接触均在单一表面上；（3）从建造结构的观点看来提供了增值，因为汇流条和焊线串接存在引起的视觉不适被组件背面所替代。

太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率

太阳能电池板 太阳能电池的的性能主要取决于它的光电转换效率和输出功率. 1.效率越大,相同面积的太阳能电池板输出功率也就越大, 用高效率的太阳能电池板可以节省安装面积, 但是价格更贵. 2.太阳能电池的功率, 在太阳能电池板的背面标牌中, 有关于太阳能电池板的输出参数, 如VOC开路电压,ISC短路电流,VMP工作电压,IMP工作电流, 等. 但我们只需要用工作电压和工作电流就可以了, 这两个相乘就可以得这块太阳能电池板的输出功率. 太阳能电池板介绍：采用高质量单晶/多晶硅材料,经精密设备树脂封装生产出来的太阳能板,有良好的光电转换效果,外形美观,使用寿命长。 太阳能电池板的作用是将太阳的光能转化为电能后，输出直流电存入蓄电池中。太阳能电池板是太阳能发电系统中最重要的部件之一。 太阳能电池组件可组成各种大小不同的太阳能电池方阵，亦称太阳能电池阵列。太阳能电池板的功率输出能力与其面积大小密切相关，面积越大，在相 同光照条件下的输出功率也越大。 2.太阳能电池板的种类 (1)单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，最高的达到24%，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。 (2)多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12%左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界最高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。 ：