ito靶材的制备
ITO靶材
ITO靶材简介
ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。
靶材制备技术
日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。
ITO靶材的制造技术
高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。
目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。
真空热压法
真空热压是利用热能与机械能将材料陶瓷致密化的工艺，可制备出密度达91%~96%的高密度ITO陶瓷靶。热压法的工艺流程是利用加热加工模具后，注入试料，以压力将模型固定于加热板，控制试料之熔融温度及时间，以达融化后硬化、冷却，再予以取出模型成品即可。热压法是加压成型和加热烧结同时进行的工艺，此工艺的优点是：(1)热压时，因为粉末处于热塑性状态，形变阻力小，易于塑性流动和致密化，所以所需的成型压力较小。(2)由于同时加温、加压，有助于粉末颗粒的接触、扩散和流动等传质过程，降低了烧结温度和缩短烧结时间，抑制了晶粒的长大。(3)热压法容易获得接近理论密度、气孔率接近于零的烧结体，容易得到细晶粒的组织。此方法的主要缺点为：由于受热压设备压力和模具尺寸所限，靶材尺寸较小，目前靶材最大尺寸为400×300mm；对模具材料要求高(一般为高纯高强石墨)，模具寿命短，损耗大，且在高温下与ITO靶材容易发生还原反应。热压机需要进口，而且不适于工业化连续生产，生产效率低，产品成本高；靶材晶粒均一性差。
日本索尼公司的专利中，采用真空热压法制备ITO靶材的烧结工艺为：烧结温度1 100℃，压力为100 kg/ cm2，保温30 min，制得的靶材的平均粒径0.7μm，靶材致密度为98%。美国学者B.L.Gehman[6]在ITO粉中添加微量元素(如A1、Si、Mg等)，在Ar气中，用石墨模具进行热压，得到一组不同密度的靶材，最高相对密度为96.0%，最低为85.6%。
目前国内ITO靶材生产厂家普遍采用热压法生产ITO靶材，此法生产的ITO 靶材由于尺寸小、晶粒大小不均匀，只能用于低挡TN-LCD、建筑玻璃镀膜和冰柜玻璃镀膜等低端领域。
热等静压法
热等静压法(hot isostatic pressing，HIP)既可以认为是加压下的烧结，也可以认为是高温下的压制。相对于传统的无压烧结而言，热等静压法可以在相对较低的温度下(一般约为物料熔点的0.5~0.7倍)获得完全致密化，而且可以很好地控制组织结构，抑制晶粒生长，获得均匀的、各向同性的组织，可以“净成型”加工成具有一定复杂外形的产品。热均压工艺是将原料粉末成型以后，以金属或玻璃材料包覆其外，然后再同时加温、加压，使得粉末陶瓷致密化。热等静压法制备ITO靶材的工艺流程主要为：将单相的ITO 固溶体粉末在一定的还原气氛（如H2、N2 与H2 的混合气体）和温度（300～500℃）下进行部分还原，还原度控制在0。02～0。2之间，再用模压或冷等静压以及两者兼用的成型方法（100～
300MPa）将还原后的粉体压制成初坯，将初坯置于不锈钢的包套中并在两者之间辅以隔离材料，然后对包套抽真空并且封口，最后置于热等静压炉中在800～1050℃，50～200MPa的压力下进行2～6h热等静压制备出ITO靶材。
热等静压法是国外最常用制备ITO溅射靶材的方法，热等静压法的优点是：(1)能克服在石墨模具中热压的缺点，不易还原。(2)由于制品在加热加压状态下，各个方向同时受压，所制得的产品密度极高(几乎达到理论密度)，可制成大尺寸产品。(3)热等静压强化了压制和烧结过程，降低了烧结温度，避免了晶粒长大，可获得极好的物理力学性能。其缺点是：由于使用均方性气体压力，没有剪应力及模具摩擦力，因此保形性非常优良，但靶材尺寸受设备压力和压缸限制，无法制备大尺寸靶材；设备昂贵，投资成本高；生产效率低，生产成本高，产品竞争力不强。
日本东曹公司采用热等静压方法，将O2导入烧结容器中，罐体内部采用镀氧化铝、镀氮化硼(BN)以及它们的多层喷镀，镀层的厚度为100~800μm，烧结温度为1 100℃，烧结压力为100 kg/cm2，烧结时间为2~4h。此方法制得的ITO 靶材的致密度为90%~100%，大多数形成了95%~99%的极高密度的烧结体。德国莱博德材料有限公司M·施罗特，采用热等静压法制造ITO靶材。他采用由部分还原的In2O3、SnO2粉末，该粉末具有氧化皮外层，内包金属相核，这种粉末采用热压或热等静压，容易进行致密烧结，制成的ITO靶具有高的机械强度和溅射靶的基质，可达到理论密度值96%以上的相对密度。
中南工业大学粉末冶金国家重点实验室张树高、黄伯云利用热等静压的方法制造ITO靶材，采用质量比为9：1的In2O3和SnO2原料粉末，其平均粒径为30~200nm，纯度为99·99%;先进行冷等静压，压力为200~280MPa，保压时间10分钟;然后进行热等静压，热等静压温度为1100~1300℃，保温时间0.5~6h，气氛压力为100~120MPa，可以制造出高密度、高纯度、大尺寸的ITO靶材。
常压烧结法
常压烧结法是上世纪90年代初期兴起的一种靶材制备方法，它是采用预压方式(或粉浆浇铸方式)制备高密度的靶材素坯，在一定气氛和温度下对靶材素坯进行烧结，通过对烧结温度和烧结气氛控制，使靶材素坯晶粒的生长得到有效控制，达到靶材的高致密化及晶粒分布的均匀性。常压烧结法的主要工艺为：将具有一定摇实密度(Tap Density)的In2O3粉末与SnO2粉末混合，制备成浆料进行粉浆浇铸或者在加入少量成型剂的情况下进行模压或冷等静压(成型压力一般为
100～300MPa)或两者兼而用之；用粉浆浇铸或者添加了成型剂的坯料要在300～500℃的温度范围进行长时间的脱水与脱脂处理，最后在压力至少达到1atm的纯氧或空气气氛下进行烧结，烧结的温度为1450～1550℃，所获得的靶材为单一ITO固溶体相，其相对密度为95%以上，ITO烧结体的晶粒尺寸为1～20μm，抗弯强度50～200MPa，靶体的比电阻约为1×10-4?·cm，热导率约为 1.5×10-2～47×10-2cal·cm-1·s-1。
常压烧结法的主要优点有：靶材尺寸不受设备限制，能生产大尺寸靶材，且设备投入少、生产成本低，生产效率高，靶材性能优良，易实现工业化生产。适合高端显示器用镀膜靶材性能要求。缺点是：该法与其它方法相比是最难烧结的方法，要获得致密的烧结体，往往要提高原料粉末的烧结活性或添加烧结助剂。而活性剂以及烧结助剂很难再从烧结体中去除。对粉末的烧结活性有很高的要求，因此对粉体的形状、粒度以及粒度分布要求较严，为了达到要求一般对粉末进行球磨、气流粉碎以及沉降分级处理。制备的靶材一般较薄，所以对靶材变形的控制要求很严，一般要求有很好的净成型能力。
常压烧结法制ITO靶材的难点体现在密度的提高，因为在高温下(特别是温度高于1200℃)ITO固溶体中的In2O3与SnO2 会分解，并且以气态方式升华：由此可见在低氧压特别是欠氧的气氛中，由于In2O3、SnO2 的分解以及In2O3、SnO以气态的方式挥发，气态物质从ITO固溶体中逃逸形成了很多气流通道和孔隙，阻碍了ITO靶材密度的提高。因而在ITO靶材的烧结过程中通入一定压力的纯氧或空气气氛来提高氧的分压，抑制上述的分解与挥发过程对于获得高密度的靶材至关重要。
常压烧结法对粉末的烧结活性有很高的要求，日本新日矿集团的专利中，采用烧结法工艺制备ITO靶材，素坯使用冷等静压工艺，在1000kg/cm2的压力下成型，素坯的密度可达3.98 g/cm3，素坯在烧结前须在80℃下干燥24 h，然后在1 650℃、纯O2气氛下烧结9 h，制的靶材。常压烧结法对靶材变形的控制要求很严，传统的常压烧结是将素坯直接放在刚玉垫板上烧结，由于素坯的底面与刚玉垫板存在摩擦，导致上下两面收缩不一致，样品变形。为解决这个问题，日本东曹公司的专利是：在刚玉板上铺一层5 mm厚的氧化铝粉末，素坯放置在粉末上，烧结气氛为O2，在1 550℃烧结5 h，其靶材致密度可达99.5%。
中色(宁夏)东方集团公司在2008 年年中，已经基本掌握了ITO 靶材的烧结工艺，现可生产出300mm×600mm×(6～10)mm，相对密度≥99%，稳定在
99.5%左右的大尺寸、高密度ITO 烧结靶材。经过德国贺利士公司、深圳南玻镀膜公司、蚌埠华益镀膜公司等用户试用，各项性能指标均达到或接近日本日矿和韩国三星康宁靶材水平。
冷等静压法
冷等静压技术(Cold Isostatic Pressing，简称CIP，是在常温下，通常用橡胶或塑料作包套模具材料，以液体为压力介质，液体传递超高压使粉末成型，为进一步烧结，煅造或热等静压工序提供坯体。一般使用压力为100~ 630MPa。在低压氧气气氛气压保护下，将ITO粉体采用冷等静压压成大块陶瓷胚体，然后在0.1~0.9MPa纯氧环境中，用1500~1600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的陶瓷靶。
冷等静压法制备靶材的特点是：与机械压制相比，由于冷等静压制压力大，工件受力均匀，特别适宜压制大尺寸的粉末制品。压制的粉末制品具有密度高，密度均匀，压制的粉末不需添加润滑剂等优点。生产成本较低，适于批量生产，但是使用高温带压纯氧，生产带有一定的危险。RXYQ-16-55高温高氧烧结炉已由浙江长兴益丰特种陶瓷窑业有限公司研制成功。
日本同和鈜业株式会社的江岛、光一郎发明的ITO靶材制备方法，采用比表面积15m2/g的纳米粉末，采用冷等静压法压出相对密度45%的坯体，在1500℃左右温度下烧制10h，可制备出相对密度为99%以上的溅射靶。日本东曹株式会社的内海健太郎、黑泽聪、星野浩采用平均粒径为0.1~1.5μm的In2O3和SnO2混合粉末，添加PVA等粘合剂，先在300~500℃的温度下干燥5~20h进行脱粘合剂处理然后在1500~1600℃下，纯氧气氛中烧结5~30h，制备出的ITO靶材相对密度为99%以上。
李锦桥设计出制备ITO靶材的专用设备，将ITO粉体冷等静压压成大块溅射靶坯体，然后在0.1~0.5MPa纯氧环境中，在1500~l600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的溅射靶。这种高温高氧烧结炉已由浙江长兴益丰特种溅射靶窑业有限公司研制成功。该炉定型设计后有望工业化批量生产，为我国ITO 溅射靶国产化打下基础。另外，李晶等也进行了冷等静压烧结法制备ITO靶材制备靶材的研究。他们先采用化学沉淀法制备复合粉末，通过冷等静压进行粉末压制，压制出相对密度约为60%的生坯，然后将此压坯在1600℃下烧结6h，可得到相对密度>90%的ITO靶材。总之，采用冷等静压制坯，纯氧气氛和1550~1650℃条件下烧结的方法是目前国外采用较多的烧结方法。
放电等离子烧结
放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，通过样品及间隙的部分电流激活晶粒表面，在孔隙间局部放电，产生等离子体，粉末颗粒表面被活化、发热；同时，通过模具的部分电流加热模具，使模具开始对试样传热，试样温度升高，开始收缩，产生一定密度，并随着温度的升高而增大，直至达到烧结温度后收缩结束，致密度达到最大。与常规烧结方式相比，SPS方法具有操作简单、高速烧结、降低烧结温度、再现性高、安全可靠、节省空间、节省能源及成本低等特点。已经被成功地应用于梯度功能材(FGM)、金属基复合材料(MMC)、纤维增强陶瓷(FRC)、纳米材料、多孔材料、磁性材料、金属间化合物和高致密度、细晶粒陶瓷等各种新材料的制备。SPS烧结，利用未添加任何烧结助剂的粉体在中性气氛下，在较低的温度下制备元素分布均匀，具有较高致密度和较好热学性能和电学性能的ITO靶材。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。
与常规烧结方式相比，SPS法具有操作简单、高速烧结、再现性高、安全可靠、节省空间、节省能源及成本低等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。
K. Yamazaki用SPS方法初步制备出超细晶粒的WC2Co系金属陶瓷。T. Nishimura用SPS方法制备了α2Si3N4和β2Si3N4陶瓷,烧结温度为1500~1600℃,烧结时间5~7min,达到理论密度的98%以上,晶粒尺寸为150~200nm。杜大明等也用此法获得了致密的氮化硅陶瓷。高濂等用SPS方法制备了20%Al2O32ZrO2陶瓷,烧结压力为45MPa,得到理论密度高于98%的细晶粒样品,断裂韧性KIC(压痕法测定)接近10MPa·m1/2。另外,用SPS方法在1450℃时烧结得到了弯曲强度达1000MPa的纳米5vol% SiC2Al2O3陶瓷。Cs.Balázsi用放电等离子烧结获得了几乎完全致密的碳纳米管增韧氮化硅复合陶瓷,其力学性能明显优于热等静压法制得的制品。我国从2000年起,武汉理工大学、北京工业大学、清华大学、北京科技大学、中科院上海硅酸盐所等单位也相继引进了日本制造的SPS设备,开展了用SPS技术制备新材料的研究工作,主要用来烧结纳米材料和陶瓷材料。
各种制备方法都有优点与缺点，我们综合自己掌握的知识与技术选择合适的方法进行改进技术弥补缺点充分利用优点制备靶材，得到靶材的各项性能符合我们制备薄膜的要求，进而节约资源与降低成本，使得ITO薄膜的应用范围更加
广泛。
ITO靶材的研究现状及发展趋势
ITO靶材制备的研究现状
从目前ITO产业的现状来看，以日本Japan Energy、TOSOH及Mitsui三家厂商囊括了80％以上的ITO 靶材市场，而Japan Energy在TFT及PDP方面市场占有率较大，TOSOH在Color Filter方面较强，Mitsui则分配较为平均。日本企业生产的靶材以大尺寸、高性能占据着显示器中高端领域，主要以常压烧结法作为靶材主要生产方法，常压烧结法也是目前ITO 靶材生产的主流技术。我国虽然是世界第一产铟大国，铟产量占世界产量的70%(原生铟)，但是目前我国在铟的深加工方面却处于初级阶段，从亚洲金属网相关分析来看，全球84%铟用于ITO行业，(其次的几个消费领域分别是：合金领域，占全球铟用量量的8%；化合物消费领域占5%，半导体行业占2%，研究行业占1%)，全球90%以上的平板显示器件生产都集中在亚洲，因此，目前韩国、中国、台湾地区，都在积极研发和引进常压烧结技术，韩国三星已经在这方面取得了突破性的进展，打破了日本企业在方面的技术垄断地位。由于日本企业的技术封锁，我国的常压烧结技术目前处于初级研发阶段，因此技术突破还须时日。目前国内可供应商品靶材的单位主要有以下几家：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。株洲冶炼集团有限责任公司，是我国早期开展ITO靶材研究工作的主要单位之一，该公司与华中科大联合建立了博士后工作站，专门从事ITO粉末及靶材的研究，经过近十年的研究，采用热等静压法所研制的ITO靶材相对密度≥99%，最大尺寸达到320mm×300mm。宁夏九0五集团在纳米级铟锡氧化物(ITO)粉体和高性能ITO靶材的研究与制造方面，率先在国内研制出了平均粒径小于40nm的ITO超细粉体，并采用热等静压法制备出相对密度大于98%的ITO靶材。威海蓝狐公司开发出相对密度≥99%，平板靶材最大尺寸380mm×200mm;筒形ITO靶材密度≥99%。韶关西格玛技术有限公司依托于中南大学粉末冶金研究所，成立了相关公司，专业从事氧化物纳米粉末及其相关制品的设计开发、生产、销售和服务，其研制的ITO靶材相对密度≥99%晶粒度5~15μm，电阻率0.14×10-3Ω·cm，外观为黑色。柳州华锡公司利用其在铟原材料上优势，也积极开
展ITO靶材的研究工作，并与桂林电子科技大学开展了大尺寸超高密度ITO靶材制备的新工艺研究。目前该公司所公布的ITO靶材的性能指标如下：相对密度>99%，电阻率≤0.25×10-3Ω·cm，规格300mm×300mm×(5~10)mm，颜色为灰黑色。
ITO靶材的发展趋势
近年来，随着平板显示器尺寸大型化的发展，对ITO靶材尺寸及密度的要求也越来越高，热压设备与技术已远远不能满足其要求。因此，以烧结工艺生产大尺寸、高密度ITO靶材已成为国内各大靶材生产厂家研发的重点。LCD经过长时间的发展后，产品质量不断提升，成本也不断下降，对ITO靶材的要求也随之提高，因此，配合LCD的发展，未来ITO靶材发展大致有以下的趋势。目前LCD、PDP 及OLED 等显示技术的发展，要求提升ITO靶材品质，降低成本，所以ITO靶材呈现以下的发展趋势。
1)尺寸大型化随着液晶模块产品轻薄化和低价化趋势的不断发展，相应的ITO玻璃基板也出现了明显的大型化的趋势，因此ITO靶材单片尺寸大型化不可避免。为了满足大面积镀膜的工艺要求，技术先进企业采用大尺寸靶材，以减少靶材的拼接接缝数量，提高效率和品质。这主要是由于靶材之间的缝隙破坏了靶材表面电子的定向运动，并且，在缝隙处容易集聚大量的电荷，从而容易引起靶材的放电现象，造成靶材过早黑化。靶材的黑化会造成很多问题，如面电阻增大，膜厚增加，透过率降低，靶材的溅射率降低，导电功率加大和电压升高等。
2)低电阻率随着LCD愈来愈精细化发展的趋向，以及它的驱动程序不同，需要更小电阻率的透明导电膜，要求改善ITO靶材性能，改进溅射技术和装备。目前ITO靶材所形成的ITO膜电阻，在基极温度350℃时，已达到1。1×10-4?·cm以下，而高端液晶显示用ITO膜，要求更低的电阻。
3)高密度化密度作为ITO靶材最重要的技术指标，直接影响到靶材的使用效率和ITO膜的品质，若使用低密度靶材，有效溅射面积会减少、溅射速度也会降低，靶材的使用周期会缩短，造成成本升高，ITO膜品质下降；使用高密度靶则表面变化较小，膜品质高，使用周期长。
4)靶材本体一体化。如前所述，靶材将朝大面积发展，以往技术能力不足时，必须使用多片靶材拼焊成大面积，但由于接合处会造成镀膜质量下降，因此目前大多以一体成形为主，以提升镀膜质量与使用率。未来新世代LCD玻璃基板尺
寸的加大，对靶材生产厂家是一项严苛的挑战。
5)提高使用率提高ITO靶材的溅射使用效率，一直是该领域研究的热点和难点之一。平面ITO溅射靶使用效率约为20～25%，而采用非平面式溅射靶将可使其使用率提升至40%～60%。目前，靶材生产企业都在积极研究开发旋转式ITO靶材以及管状ITO靶材，此技术的研发与应用势必会给ITO产业带来新的技术革新。
目前在ITO 靶材技术方面，虽然还是日本企业领先和掌握着先进技术，但国内多家厂商在积极研究开发自主的应用技术。国家目前对铟的出口采取了许可证制度，使得国际铟呈现出了局部短缺的现象，ITO 靶材的生产格局将有可能发生大变化，国内的靶材生产厂家遇到了前所未有的良好机遇。若高性能ITO 靶材生产技术能够本土化，势必会对ITO 产业的发展产生深远的影响，提升我国企业在平板显示领域的整体竞争力。
现有靶材的不足
目前国内生产并能供应的I T O靶材的尺寸都相对比较小。几个厂家提供的靶材尺寸如下：宁夏有色金属冶炼厂 2 0 0 ×1 5 0 ×( 6 ～1 0 ) mm；广西柳州华锡集团有限责任公司2 5 0×2 0 0 mm。这些都是小尺寸靶材，虽然这些靶材满足了一定的生产需要，但是，根据时代发展的要求和科学技术部《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》( 1 9 9 9 ) 所指出的方向，即电子专用材料近期产业化的重点是：ITO大型靶材和ITO导电玻璃。在镀制I T O膜过程中，为了满足大面积镀膜的工艺要求，必须将多块小的靶材进行连接，S D P 一8 5 O VTMB设备用两片构成一副完整的靶材，ARI s O一8 0 0设备用四片，这样势必影响靶材的利用率，更严重地影响镀膜的质量。这是因为，靶材之间的缝隙破坏了靶材表面电子的定向运动，并且，在缝隙处容易集聚大量的电荷，从而容易引起靶材的放电现象，造成靶材过早黑化。靶材的黑化会造成很多问题，如面电阻增大，膜厚增加，透过率降低，靶材的溅射率降低，导电功率加大和电压升高，由此，整个靶材的面放电增多等等，降低靶材的利用率。因此，着手研究生产大面积靶材有着及其重要的意义。
ITO靶材制作的难点就是氧化铟锡在高温下的分解和挥发行为，这种物性使
得制备靶材工艺难度大大增加。如何保持粉末特性和控制烧结体内晶粒尺寸的优点，为靶材具有良好微观结构提供了条件。如何让提高ITO靶材的质量，满足镀膜技术和要求日益提高的客观需要。
生产大面积靶材所面临的难题
生产靶材的工艺大多采用热等静压方式，这种生产有受压缸尺寸的限制，不能生产出大尺寸的靶材，而要增大压缸的尺寸，则成本会成倍的增长。另外，在生长大尺寸的靶材时，如何确保大尺寸溅射靶材的微观结构与组织的均一性以及避免产生缺陷，也是一个有待解决的课题，溅射靶材的微观结构的均一性对于溅射时的成膜速率、淀积薄膜的质量及厚度分布等均有很大的影响。细晶粒结构的溅射靶材的成膜速率大于粗晶粒靶材。所以，如何生产大尺寸并保持微观结构与组织均匀性，合成搞密度靶材是靶材研制的难题。
ITO靶材在LCD
ITO靶材在LCD之應用與發展趨勢 金屬中心產業資訊與企劃組 張嘉仁 TEL:07-3513121 EXT 2332 一、前言 靶材為鍍膜的材料之一，在電子資訊產品上應用很廣，近年來隨著國內3C 產業的蓬勃發展，靶材逐漸受到重視。其中ITO靶是較特殊的材料，形成薄膜後，因為透明並具導電性，因此通常又稱為透明導電膜。ITO透明導電薄膜在顯示器及光電產品的應用上，扮演著關鍵的角色，且由於國內平面顯示器在全球已具舉足輕重的份量，因此無論是靶材業者或使用者，都非常關注ITO靶材的動向，其後續發展更是值得觀察的課題。 二、ITO靶材的應用 ITO是Indium Tin Oxide的簡稱，所謂ITO是指Indinum及Tin的氧化和合物，ITO靶要形成特性優良的薄膜，除須有精密的濺鍍設備及豐富的實務經驗外，也需有高密度且高穩定性的ITO靶材配合。ITO成膜後，因為透明又具導電性，所以又稱透明導電膜，也因為須具備導電性與透光性，因此品質要求上須低電阻與高透光率。 在LCD的應用上，如【圖1】，所示其可形成電極，與液晶電極構成正負極以驅動液晶分子旋轉，以呈現出不同的文字、圖案與畫面。目前，ITO透明導電膜，除應用在液晶顯示器面板外，尚可應用在許多產品上，如接觸感應面板(Touch Panel)、有機發光平面顯示面板(Organic ELD Panel)、電漿顯示面板(PDP Panel)、汽車防熱除霧玻璃、太陽能電池、光電轉換器、透明加熱器防靜電膜、紅外線反射裝置等。 圖1 ITO在TFT-LCD之應用 資料來源：IEK化材組/金屬中心 ITIS計畫整理 三、ITO靶材發展趨勢 LCD經過長時間的發展後，產品品質不斷提升，成本也不斷下降，相對的，對ITO靶材之要求也隨之提高，因此，配合LCD的發展，未來ITO靶材大致有
【CN110004420A】一种靶材制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910254092.9 (22)申请日 2019.03.31 (71)申请人 柳州呈奥科技有限公司 地址 545616 广西壮族自治区柳州市官塘 大道52号 (72)发明人 黎品英 谢元鸣 梁莉丝 (74)专利代理机构 广州凯东知识产权代理有限 公司 44259 代理人 李勤辉 (51)Int.Cl. C23C 14/35(2006.01) (54)发明名称 一种靶材制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种靶材制备方法，该靶材制 备方法包括以下步骤：清洗原料，对清洗完成的 靶材进行热处理，对具有一定形状的靶材进行冷 等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min 后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理 去除靶材表面压力；将处理后的靶材放置在磁控 溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进 行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体， 对其进行溅射，最终制得靶材；本发明所述的一 种靶材制备方法，靶材质量得到提高，可以保证 不同铝靶材之间晶粒大小的均一性，可以提高了 生产效率，降低了生产成本，同时制得的靶材纯 度高、致密性好、成膜均匀性好；操作工艺简单、 能耗低、无污染且易于实现工业化，具有很好的 应用前景。权利要求书1页 说明书3页CN 110004420 A 2019.07.12 C N 110004420 A
权 利 要 求 书1/1页CN 110004420 A 1.一种靶材制备方法，其特征在于，该靶材制备方法包括以下步骤： 步骤一、清洗原料，对靶材原料进行清洗，用喷枪除去靶材原料表面的灰尘和污垢； 步骤二、对清洗完成的靶材进行热处理，经过热处理后，将靶材放置冷藏密封容器中冷藏30-50min,保持靶材温度在160-180℃之间，随后取出降温后的靶材对其进行锻打形成靶材胚料，将靶材锻打形成靶材胚料靶材进行第二次热处理，热处理时间为1-2h,最终形成具有一定形状的靶材； 步骤三、对步骤二中具有一定形状的靶材进行冷等静压作业，对其常温升压，并且保持8-15min后，并且采用顶电极不加持的方式进行退火处理去除靶材表面压力； 步骤四、将处理后的靶材放置在磁控溅射的样品台上，在靶材底部通入氩气，对其进行预溅射，再通入高纯氩气和氧气的混合气体，对其进行溅射，最终制得靶材。 2.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：靶材原料的电阻小于0.6Ω，其中靶材内银含量为30%，且靶材粉末体积电阻率小于2×10-3Ωcm。 3.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述靶材基距为60-100mm，工作气压0.3-0.9Pa。 4.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：所述预溅射时间不少于6min，溅射时间为40-80min。 5.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法的制备工艺，其特征在于：靶材溅射功率60-90W，靶材基底温度为120℃。 6.根据权利要求1所述的一种靶材制备方法，其特征在于：步骤三中退火处理时注入氮气，且其加热温度为500-750℃，保温时间为20-30s。 2
ito靶材的制备
ITO靶材 ITO靶材简介 ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。 靶材制备技术 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。 ITO靶材的制造技术 高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。 目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。 真空热压法
溅射靶材说明
溅射靶材说明 磁控溅射镀膜是一种物理气相镀膜方式，现技术已较为成熟，主要应用于以下领域：装饰薄膜靶材，建筑玻璃、汽车玻璃、低辐射玻璃，平面显示器，光通讯/光学工业，光数据存储工业，光数据存储工业，磁数据存储工业。 一、磁控溅射原理 在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体(通常为Ar氩气)，永久磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还司进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，目前常用的有电子回旋共振(ECR)型微波等离子体溅射。 二、磁控溅射镀膜靶材 按照形状分可分为圆片靶，圆柱靶，台阶圆靶，矩形靶，薄片靶，台阶片靶，环状靶，管状靶。 按照材质可分为：金属靶材、合金靶材、陶瓷靶材等。 材料的纯度按照需求，可从99.9%到99.999%。 详细资料可参考(https://www.sodocs.net/doc/105218944.html,/Cn/Cn_Sputtering_Target.html)
三、晶方使用靶材AlCu4 Target 现使用的是铝铜合金靶材，供应商为瑞士Umicore ，主要成分为纯度为99.9995%的铝（96%）和铜（4%）。应用在半导体硅晶片的真空射频溅镀制程，使用设备为瑞士Oerlicon 公司LLS EVO II Sputtering System 。作用是在硅晶片表面利用铝铜进行镀层，以便制作导电线路，连结和导通CMOS 芯片pad 与表面锡球。 1） Oerlicon Sputtering System 2) AlCu4靶材使用前： 3）AlCu4靶材使用后： 晶方半导体科技（苏州）有限公司 2008-07-29
ITO靶材背景资料
ITO靶材背景资料 用ITO陶瓷靶生产电子溅射ITO透明导电膜玻璃，是当今知识经济时代信息产业极为重要的电子陶瓷产品。目前，该产品只有德国、美国、日本等国家生产，比较著名的有德国LeyboldMaterials莱宝公司，而国内尚处于研究开发阶段，未形成产业。 1、利用ITO透明导电膜玻璃优良的透明导电性能和良好的加工工艺性能，已开始大量用于液晶显示器TFT、LCD、PLZT陶瓷反射显示器制造，用于笔记本电脑、壁挂电视机、移动通讯手机、计算器，各种图像及数码显示电子仪器等，产品可达到薄、轻、低、美的优良性能：薄如壁画；轻只有CRT显示器的几百分之一；低功耗、低电压；画面精美，特别作为CAD图形工作TFT显示器，线条显示明亮清晰，不伤视力，是任何高档CRT显示器所无法比拟的。 2、ITO透明导电膜玻璃作为面发热体，通电后可以除冰霜，用于飞机挡风玻璃、飞机眩窗、激光测距仪、潜望镜观察窗等，多年来已得到了广泛应用。 3、ITO透明导电膜玻璃正反面具有相反的红外线通过及反射性能，玻璃正面具有优良的红外线通过功能，衰减量极小，而反面又具有红外线阳挡反射作用，因而该玻璃具有优良的保温透光性能，已大量用于制造冷藏柜。 随着成本的降低，将可用于房屋节能：夏季时反面朝外，阻挡高热红外线射入，房间凉爽；冬季正面朝外，太阳红外线可照入房内，
房间节能温暖。 4、ITO透明导电膜玻璃对微波具有衰减作用，可达30db，用于需要电磁屏蔽的场所，如计算机机房、雷达屏蔽保护、家电微波炉视窗等。 5、ITO透明导电膜玻璃作为太阳能电池的重要组成部分及透明导电电极，已得到大量应用。 根据有关报道，2001年将大量生产液晶CRT，而且“南波”、“洛波”等大型玻璃产业公司将扩建上马ITO玻璃产品生产线。因此，专家分析ITO陶瓷靶在国内具有良好的产业前景。
金属靶材生产加工项目立项报告
金属靶材生产加工项目 立项报告 规划设计/投资分析/实施方案
金属靶材生产加工项目立项报告 高纯溅射靶材行业是典型的技术密集型行业，要求业内厂商具有较强的技术研发实力和先进的生产工艺，具有完善的品质控制能力。其主要技术门槛表现在以下几个方面。纯度和杂质含量控制是靶材质量最重要的指标。靶材的纯度对溅射薄膜的性能有很大影响。若靶材中夹杂物的数量过高，在溅射过程中，易在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路。靶材的成分与结构均匀性也是考察靶材质量的关键。对于复相结构的合金靶材和复合靶材，不仅要求成分的均匀性，还要求组织结构的均匀性。晶粒晶向控制是产品研发主要攻克的方向。溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺行业深度研究寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。例如在极大规模集成电路制作工艺过程中，每150mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样控制溅射靶材的晶粒，并提高其致密度以解决溅射过程中的微粒飞溅问题是溅射靶材的研发的关键。靶材溅射时，靶材中的原子最容易沿着密排面方向优先溅射出来，材料的结晶方向对溅射速率和溅射膜层的厚度均匀性影响较大，最终影响下游产品的品质和性能。需根据靶材的组织结构特点，采用不同的成型方法，进行反复的塑性变形、热处理工艺加以控制。
该金属靶材项目计划总投资7444.10万元，其中：固定资产投资 5178.95万元，占项目总投资的69.57%；流动资金2265.15万元，占项目 总投资的30.43%。 达产年营业收入18041.00万元，总成本费用14083.11万元，税金及 附加150.99万元，利润总额3957.89万元，利税总额4654.80万元，税后 净利润2968.42万元，达产年纳税总额1686.38万元；达产年投资利润率53.17%，投资利税率62.53%，投资回报率39.88%，全部投资回收期4.01年，提供就业职位314个。 报告根据项目产品市场分析并结合项目承办单位资金、技术和经济实 力确定项目的生产纲领和建设规模；分析选择项目的技术工艺并配置生产 设备，同时，分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。 ...... 靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
超高密度ITO靶材制备--MMF法
三井金属公司过滤式成形模法 （Mitsui Membrane Filter MMF） ITO靶材工艺 1.ITO粉的制备 将氧化铟(In203)、氧化锡(SnO2)等原料粉末混合，煅烧产生In203母相及微细In2Sn3012粒子混合物。具有特定形状的微细In2Sn3012粒子，其特征（图1.1）从粒子之虚拟中心以放射线状形成针状突起的立体星形。In2Sn3012微细粒子的水平费雷特(Feret)直径的平均值以0.25μm以上为较佳，In2Sn3012微细粒子之圆形度系数的平均值以0.8为较佳，尤佳为0.73至0.49（图1.1.1）。成为IT0烧结体本身的体电阻值达1.35x 10-4Ω?cm以下、结瘤和打弧最少的溅镀靶材料。使用该ITO溅镀靶所获得一种物性参差较少的优异ITO膜，具有非晶质安定性、高温下优异的膜特性，可容易进行之后的蚀刻加工，减低蚀刻残渣量。 图1.1 微细粒子从水平方向的全像素数求出水平菲雷特直径的原理示意图 1.In2O3母相 2.微细粒子 3.粒界 4.化合物相 5.无微细粒子区 10.ITO烧结体 (源自JP2008063943 CN101578245A 烧结体及ITO溅射靶) 图1.2 ITO靶材SEM(30000倍)微细粒子照片 2. 素坯成形
将氧化铟氧化锡混合的原料粉末、离子交换水、5mm氧化锆球装入树脂制的罐中，球磨混合20小时；加入有机添加剂(聚羧酸系分散剂)混合1小时；1小时后添加适量蜡系粘结剂，球磨混合19小时。将所构成的磨浆(s1urry)注入到用以从陶瓷原料磨浆将水分减压排水以获得成形体的由非水溶性材料所构成的过滤式成形模，且将磨浆中的水分予以减压排水而制作成形体，并将此成形体进行干燥脱脂。 （源自ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用台湾胜华科技股份有限公司黄敬佩20060607 PPT报告） 图1.3 三井膜过滤成型法（MMF）ITO靶材工艺示意图 平板成形模 凹凸性状成形模 1.浆料 2.上成型框 3.下成型框 4.过滤膜（湿式滤布） 5.填充材料 6.排水孔
ITO靶材的综述
ITO靶材的研究现状与发展趋势 引言 近年来随着平面显示行业以及平板显示器尺寸大型化，性能优良化的高速发展，要求用于高端平面显示器的高密度靶材，具有生产低成本化、尺寸大形化、成分结构均匀化及高利用率的发展趋势。因为ITO靶材性能是决定TCO产品质量，生产效率，成品率的关键。TCO 生产厂商要求生产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀不波动的导电玻璃，这要求ITO靶性能既优良又稳定。 高端TFT- LCD用ITO靶材均来自日本的东曹、日立、住友、日本能源、三井，韩国三星康宁，美国优美克，德国的贺力士等公司。日本在高端ITO靶材生产技术方面一直处于领先地位，几乎垄断了大部分TFT液晶市场。然而，由于国内没有完全打破高密度ITO 靶材生产的技术瓶颈，靶材的产品质量无法满足高端平板显示器的要求，同时我国作为LCD 以及其它需要高密度ITO靶材的平面显示器材的消费大国，国内的平面显示器材所需的高密度ITO靶材几乎全部从国外进口，仅有小批量用于低端液晶产品的生产，难以与国外竞争。因此，对ITO靶材制备工艺的研究具有十分重要的意义。 ITO靶材简介 透明导电薄膜的种类很多，主要有ITO，TCO，AZO等，其中ITO的性能最佳，ITO 具有高的透光率，低电阻率。目前ITO的制备方法主要是磁控溅射，要获得高质量的ITO 薄膜，制备高密度、高纯度和高均匀性的ITO靶材是关键。ITO溅射靶的理论密度为7115g/cm3。优质的成品ITO溅射靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材才具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜。甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。 目前ITO靶材的制备方法主要有热压法、冷等静压-烧结法、热等静压法。其中热等静压法制备的ITO靶材的质量最高，其相对密度能达到99%以上，但是需要昂贵的设备，制备成本较高，周期较长。采用冷等静压-烧结法，烧结温度高，保温时间长，制备工艺复杂。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。SPS 技术具有快速、低温、高效率等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO靶
ITO靶材制备
ITO靶材的制备及其性能研究 培养单位：材料复合新技术国家重点实验室 学科专业：复合材料学 研 究 生：郭 伟 指导老师：王为民 教 授 2009年5月
分类号 学校代码 10497 UDC 学号 104972060235 学 位 论 文 题 目 ITO 靶材的制备及其性能研究 英 文 题 目 Study on Fabrication of ITO Targets and Its properties 研究生姓名 郭 伟 姓 名 王为民 职称 教授 学位 博士 单位名称 材料复合新技术国家重点实验室 邮 编 430070 申请学位级别 硕 士 学科专业名称 复合材料学 论文提交日期 2009.5 论文答辩日期 2009.5 学位授予单位 武汉理工大学 学位授予日期 答辩委员会主席 评阅人 2009年5月 指导教师
独创性声明 本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 学位论文使用授权书 本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权武汉理工大学可以将本学位论文的全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大学认可的国家有关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社会公众提供信息服务。 (保密的论文在解密后应遵守此规定) 研究生（签名）：导师（签名）：日期：
靶材项目商业计划书
靶材项目 商业计划书 规划设计/投资分析/产业运营
靶材项目商业计划书 靶材是薄膜制备的关键原料之一，主要应用于半导体、显示、磁记录、太阳能等领域。全球半导体贸易统计协会（WSTS）数据，2016年全球靶材 市场的下游结构中，半导体占比10%、平板显示占34%、记录媒体占29%、 太阳能电池占21%。不止于半导体应用，溅射靶材在平面显示、磁记录媒体等领域的应用空间广阔。 该靶材项目计划总投资8770.78万元，其中：固定资产投资6940.05 万元，占项目总投资的79.13%；流动资金1830.73万元，占项目总投资的20.87%。 达产年营业收入12413.00万元，总成本费用9636.63万元，税金及附 加140.53万元，利润总额2776.37万元，利税总额3299.85万元，税后净 利润2082.28万元，达产年纳税总额1217.57万元；达产年投资利润率 31.65%，投资利税率37.62%，投资回报率23.74%，全部投资回收期5.71年，提供就业职位229个。 严格遵守国家产业发展政策和地方产业发展规划的原则。项目一定要 遵循国家有关相关产业政策，深入进行市场调查，紧密跟踪项目产品市场 走势，确保项目具有良好的经济效益和发展前景。项目建设必须依法遵循
国家的各项政策、法规和法令，必须完全符合国家产业发展政策、相关行业投资方向及发展规划的具体要求。 ......
靶材项目商业计划书目录 第一章申报单位及项目概况 一、项目申报单位概况 二、项目概况 第二章发展规划、产业政策和行业准入分析 一、发展规划分析 二、产业政策分析 三、行业准入分析 第三章资源开发及综合利用分析 一、资源开发方案。 二、资源利用方案 三、资源节约措施 第四章节能方案分析 一、用能标准和节能规范。 二、能耗状况和能耗指标分析 三、节能措施和节能效果分析 第五章建设用地、征地拆迁及移民安置分析 一、项目选址及用地方案
ITO靶材烧结工艺
ITO靶材烧结工艺 ITO（氧化铟锡）是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO 靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。ITO 靶材性能的重要指标是成分、相结构和密度，ITO溅射靶材的 成分为In 2O 3 +SnO 2 ，氧化铟与氧化锡成分配比通常为90:10（质 量比），在ITO靶材的生产过程中必须严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度。 ITO靶材制备流程 一、ITO靶材的成型工艺 制备出成分均匀、致密度较高的初坯，对经过低温热脱脂和烧结后工艺处理得到的靶材的致密度和电阻率有着重要的作用。目前在靶材成形方面常用的方法主要有：冷等静压成
形、注浆成形、爆炸压实成形、凝胶注模成形等。 二、ITO靶材的烧结工艺 经过成形工艺处理后的ITO素坯只是半成品，素坯需要进行进一步的烧结处理得到ITO靶材。 ITO靶材的烧结技术主要由以下几种：常压烧结法、热压法、热等静压法（HIP）、微波烧结法、放电等离子烧结法等。 三、常压烧结法 又称气氛烧结法，是指以预压方式制造高密度的靶材，在一定的气氛和温度下烧结的方法。由于对气氛和温度分别进行了严格的控制，避免了晶粒的长大，提高了晶粒分布的均匀性。 特点：该法具备生产成本低、靶材密度高、可制备大尺寸靶材等优点。但是，常压烧结法一般通过添加烧结助剂进行烧结，而烧结助剂难以彻底去除，而且在烧结过程中靶材容易断裂，因此该法对其生产工艺提出了较高的技术要求。日本企业就是以其成熟的常压烧结法作为主要技术，生产的靶材具有高性能 四、热等静压法 其原理是在高压氩气的氛围下，将粉体材料置入具有高温高压的容器中，粉体在均匀压力的作用下形成密度非常高的靶材。