ipd薄膜工艺技术

ipd薄膜工艺技术

（原创实用版）

目录

1.IPD 薄膜工艺技术概述

2.IPD 薄膜工艺技术的应用领域

3.IPD 薄膜工艺技术的优势

4.IPD 薄膜工艺技术的发展前景

正文

一、IPD 薄膜工艺技术概述

IPD 薄膜工艺技术，即等离子体增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称 PECVD）技术，是一种制造薄膜材料的先进工艺。该技术通过等离子体与气体分子的反应，使气体分子活性增强，从而在基材表面形成高质量的薄膜。这种技术广泛应用于各种薄膜材料的制备，如半导体、光学、功能性涂层等领域。

二、IPD 薄膜工艺技术的应用领域

1.半导体产业：IPD 薄膜工艺技术在半导体产业中具有举足轻重的地位，主要用于制备硅薄膜、氧化物薄膜和低 k 材料等，这些薄膜对于提高半导体器件的性能和可靠性至关重要。

2.光学产业：在光学领域，IPD 薄膜工艺技术主要应用于制备光学薄膜，如反射膜、增透膜、偏振膜等。这些薄膜在光学元件、显示器、照明等领域具有广泛应用。

3.功能性涂层：IPD 薄膜工艺技术还可以用于制备具有特定功能的涂层，如防腐、耐磨、抗摩擦等。这些功能性涂层在航空、航天、汽车等产业领域具有广泛应用。

三、IPD 薄膜工艺技术的优势

1.高质量薄膜：IPD 薄膜工艺技术可以制备出具有优异性能的薄膜，这些薄膜在物理、化学和电学性能方面表现出色。

2.可控性强：IPD 薄膜工艺技术具有较强的可控性，可以通过调节等离子体参数、气体成分和工艺条件等实现对薄膜性能的调控。

3.广泛应用：IPD 薄膜工艺技术具有广泛的应用领域，可满足不同产业对薄膜材料的需求。

4.低成本：与传统薄膜制备工艺相比，IPD 薄膜工艺技术具有较低的成本，有利于提高产品的经济效益。

四、IPD 薄膜工艺技术的发展前景

随着科技的不断进步，IPD 薄膜工艺技术在各个领域的应用将不断拓展。未来，该技术将继续向高效、绿色、智能化方向发展，以满足社会对薄膜材料的日益增长需求。

ipd薄膜工艺技术

ipd薄膜工艺技术 （原创实用版） 目录 1.IPD 薄膜工艺技术概述 2.IPD 薄膜工艺技术的应用领域 3.IPD 薄膜工艺技术的优势 4.IPD 薄膜工艺技术的发展前景 正文 一、IPD 薄膜工艺技术概述 IPD 薄膜工艺技术，即等离子体增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称 PECVD）技术，是一种制造薄膜材料的先进工艺。该技术通过等离子体与气体分子的反应，使气体分子活性增强，从而在基材表面形成高质量的薄膜。这种技术广泛应用于各种薄膜材料的制备，如半导体、光学、功能性涂层等领域。 二、IPD 薄膜工艺技术的应用领域 1.半导体产业：IPD 薄膜工艺技术在半导体产业中具有举足轻重的地位，主要用于制备硅薄膜、氧化物薄膜和低 k 材料等，这些薄膜对于提高半导体器件的性能和可靠性至关重要。 2.光学产业：在光学领域，IPD 薄膜工艺技术主要应用于制备光学薄膜，如反射膜、增透膜、偏振膜等。这些薄膜在光学元件、显示器、照明等领域具有广泛应用。 3.功能性涂层：IPD 薄膜工艺技术还可以用于制备具有特定功能的涂层，如防腐、耐磨、抗摩擦等。这些功能性涂层在航空、航天、汽车等产业领域具有广泛应用。 三、IPD 薄膜工艺技术的优势

1.高质量薄膜：IPD 薄膜工艺技术可以制备出具有优异性能的薄膜，这些薄膜在物理、化学和电学性能方面表现出色。 2.可控性强：IPD 薄膜工艺技术具有较强的可控性，可以通过调节等离子体参数、气体成分和工艺条件等实现对薄膜性能的调控。 3.广泛应用：IPD 薄膜工艺技术具有广泛的应用领域，可满足不同产业对薄膜材料的需求。 4.低成本：与传统薄膜制备工艺相比，IPD 薄膜工艺技术具有较低的成本，有利于提高产品的经济效益。 四、IPD 薄膜工艺技术的发展前景 随着科技的不断进步，IPD 薄膜工艺技术在各个领域的应用将不断拓展。未来，该技术将继续向高效、绿色、智能化方向发展，以满足社会对薄膜材料的日益增长需求。

IPD研发流程培训

IPD研发流程培训 IPD（Integrated Product Development）是一种全程集成产品开发流程，是指在产品研发的全过程中，将产品设计、工程开发和制造工艺等各个环节完全统一起来，通过充分协作和迅速互动，以提高产品的研发质量和效率。为了提升企业的研发能力和竞争力，培训工作显得尤为重要。本文将从IPD研发流程、培训内容、培训方法和培训效果等方面进行论述。 一、IPD研发流程 IPD研发流程是指从产品研发概念确定到产品投放市场之间的全过程。主要包括以下几个阶段： 1. 需求分析和概念设计阶段：明确产品的市场需求和客户需求，进行初步的产品概念设计。 2. 详细设计和工程开发阶段：进行产品的详细设计、工程开发和制造工艺的规划与设计。 3. 验证和测试阶段：对产品进行验证和测试，确保产品的功能和质量符合要求。 4. 生产和制造阶段：将产品进行批量生产制造。 5. 市场推广和售后服务阶段：进行产品市场推广和售后服务工作。 二、培训内容 IPD研发流程培训的内容主要包括以下几个方面：

1. IPD流程的概念和原理：介绍IPD流程的定义、目标和原理，使培训对象对IPD流程有一个整体的认识。 2. IPD流程的具体阶段和任务：详细介绍IPD流程中各个阶段和任务的内容和要求，让培训对象能够清楚了解每个阶段的工作重点和注意事项。 3. IPD流程的工具和方法：介绍IPD流程中常用的工具和方法，如需求分析工具、概念设计工具、详细设计工具等，帮助培训对象掌握实际操作的技巧。 4. IPD流程的案例分析：通过实际案例的分析，让培训对象能够更好地理解IPD流程的实施过程和效果。 三、培训方法 IPD研发流程培训的方法可以采用多种形式，如下： 1. 理论讲解：通过讲解PPT、教材等形式，向培训对象传授IPD流程的相关理论知识。 2. 案例分享：通过邀请有经验的专家或企业代表，分享成功的IPD 案例，使培训对象能够更好地理解IPD流程的应用场景和实施方法。 3. 桌面演练：通过虚拟仿真软件或实际案例的模拟操作，让培训对象亲自参与IPD流程的实施和操作。 4. 小组讨论：将培训对象分成小组进行讨论和研讨，促使他们在交流中互相学习和进步。

IPD流程操作细则

IPD流程操作细则 IPD（Integrated Product Development）流程是指整合产品研发、 制造、市场推广等环节，通过有效的项目管理和协同工作，实现产品从概 念到市场的快速发布和成功推广。作为一家知名的全球性科技公司，华为 在产品开发过程中积累了丰富的经验和成功案例，以下是华为IPD流程的 操作细则。 1.项目启动：确定项目目标、范围和资源，在组织内成立项目团队。 项目团队由开发、制造、市场等相关部门的代表组成，确保整个流程的协 同和协调。 2.前期调研：进行市场调研和需求分析，了解行业趋势和竞争对手情况，明确产品的定位和差异化竞争策略。 3.创新设计：通过创新设计方法，进行产品概念生成和评估。采用敏 捷开发和迭代原则，从市场反馈中不断优化产品设计。 4.技术开发：基于产品设计方案，进行具体的技术开发和实现。进行 原材料的采购和制造工艺的优化，确保产品质量和成本控制。 5.测试验证：经过初步开发和制造，进行产品的测试验证和质量控制。包括功能测试、性能测试和可靠性测试等，确保产品的稳定性和可靠性。 6.量产交付：根据测试验证的结果，进行批量制造和供应链管理。确 保产品的准时交付和质量一致性。 7.市场推广：根据市场调研结果，制定市场推广策略和计划。包括产 品定价、渠道选择和推广活动的组织等，以实现产品的销售目标。

8.客户支持：建立完善的客户服务和技术支持体系，确保客户满意度 和产品的良好口碑。 9.项目总结和持续改进：在项目结束后，对整个流程进行总结和评估，提取经验教训并进行持续改进。建立知识管理和经验积累机制，为下一次 项目提供参考和借鉴。 在华为的IPD流程中，还有一些重要的操作要点需要注意。 首先，项目团队的组建要充分考虑跨部门和跨职能的合作。通过有效 的沟通和协作，避免信息孤岛和合作沟通不畅的问题。 其次，项目管理要注重时间和成本控制。制定详细的项目计划和里程碑，建立监控和评估机制，确保项目的进度和质量得到有效控制。 另外，技术创新和市场营销要密切结合。在产品设计和开发过程中， 要充分考虑市场需求和用户体验，确保产品的市场竞争力和用户满意度。 此外，IPD流程中的每个环节都要建立明确的工作标准和规范。包括 产品设计标准、测试验证标准、制造工艺标准等，确保产品的一致性和标 准化。 最后，要注重知识管理和团队学习。通过项目总结和持续改进，将项 目中的经验教训和成功经验进行总结和归纳，为今后的项目提供参考和借鉴。 总结起来，华为的IPD流程操作细则包括项目启动、前期调研、创新 设计、技术开发、测试验证、量产交付、市场推广、客户支持和项目总结 等九个主要环节。在每个环节中，要注意团队协同、时间成本控制、技术 创新和市场营销的结合、工作标准和规范的建立以及知识管理和团队学习

IPD研发流程详细操作流程活动说明

IPD研发流程详细操作流程活动说明 IPD（Integrated Product Development，集成产品开发）是一种综 合性的产品开发方法，旨在将设计、工程、制造、市场等各环节有效整合，以提高产品的开发效率和质量。下面将详细说明IPD研发流程的具体操作 流程活动。 1.初始需求调研：首先，团队成员需要与客户进行沟通，了解产品的 初始需求和市场需求。通过市场调研、用户访谈等方式搜集关于产品的信 息和反馈。 2.制定需求规格书：基于需求调研收集到的信息，制定一份详细的需 求规格书，确认产品的功能特性、性能要求、设计约束等要求。 4.详细设计：在概念设计的基础上，对产品进行更加详细的设计。包 括具体的结构设计、材料选择、工艺路线等。同时，要进行初步的性能分 析和设计验证，确保产品的可行性和可靠性。 5.试制样品制造：根据详细设计结果，开始试制样品的制造。此时需 要与原材料供应商、加工厂家等合作，确保材料和工艺的符合设计要求。 制造的样品可以是手工制作的样品（称为“手样”），也可以使用CNC加 工或者各种制造技术来制造。 6.样品测试：试制样品完成后，对样品进行各种测试与验证，确保其 性能和质量符合设计要求。测试的内容包括结构强度测试、功能测试、易 用性测试等。根据测试结果，及时对样品进行改进和优化。 7.批量生产：当样品满足设计要求后，可以进行批量生产。这需要与 供应商协商，制定合理的生产计划和生产工艺，并对生产过程进行监控和 质量控制。

8.产品推广：批量生产后，开始着手产品的市场推广。制定合适的市 场推广计划，包括产品宣传、销售渠道选择等。同时，根据市场反馈和用 户的反应，对产品进行必要的修改和改进。 9.售后服务：IPD流程中，售后服务是一个重要的环节。及时解决用 户的问题和疑问，并收集用户的反馈和建议，以便于优化产品设计和改进。 10.不断改进：IPD流程并非是一个线性的过程，而是一个循环的过程。建立一个反馈机制，收集用户反馈、市场数据等信息，并及时对产品 进行改进和完善。 以上就是IPD研发流程的详细操作流程活动说明。通过系统化的流程 和明确的活动，IPD能够帮助团队更高效地进行产品开发，提高产品的质 量和市场竞争力。

集成无源元件对PCB技术发展的影响

集成无源元件对PCB技术发展的影响集成无源元件技术可以集成多种电子功能，具有小型化和提高系统性能的优势，以取代体积庞大的分立无源元件。文章主要介绍了集成无源元件技术的发展情况，以及采用IPD薄膜技术实现电容。电阻和电感的加工，并探讨了IPD对PCB技术发展的影响。 1引言 随着电子技术的发展，半导体从微米制程进入纳米制成后，主动式电子元件的集成度随之大幅提升，相对搭配主动元件的无源元件需求量更是大幅增长。电子产品的市场发展趋势为轻薄短小，所以半导体制程能力的提升，使相同体积内的主动元件数大增，除了配套的无源元件数量大幅增加，也需要有较多的空间来放置这些无源元件，因此必然增加整体封装器件的体积大小，这与市场的发展趋势大相径庭。从成本角度来看，总成本与无源元件数量成正比关系，因此在大量无源元件使用的前提下，如何去降低无源元件的成本及空间，甚至提高无源元件的性能，是当前最重要的课题之一。 IPD(Integrated Passive Devices集成无源元件)技术，可以集成多种电子功能，如传感器。射频收发器。微机电系统MEMS.功率放大器。电源管理单元和数字处理器等，提供紧凑的集成无源器件IPD产品，具有小型化和提高系统性能的优势。因此，无论是减小整个产品的尺寸与重量，还是在现有的产品体积内增加功能，集成无源元件技术都能发挥很大的作用。 在过去的几年中，IPD技术已经成为系统级封装(SiP)的一个重要实现方式，IPD技术将为“超越穆尔定律”的集成多功能化铺平道路;同时，PCB的加工可

以引入IPD技术，通过IPD技术的集成优势，可以弥合封装技术和PCB技术之间不断扩大的差距。 IPD集成无源元件技术，从最初的商用技术已经发展到目前以取代分立无源元件，在ESD/EMI.RF.高亮度LED.数字混合电路等行业带动下稳步增长。 Yole关于薄膜集成无源和有源器件的研究报告预计，到2013年总市场份额超过10亿美元，IPD技术将被广泛应用于航空航天。军工。医疗。工控和通讯等各个领域的电子行业。 2薄膜IPD技术介绍 IPD技术，根据制程技术可分为厚膜制程和薄膜制程，其中厚膜制程技术中有使用陶瓷为基板的低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)技术和基于HDI高密度互连的PCB印制电路板埋入式无源元件(Embedded Passives)技术;而薄膜IPD技术，采用常用的半导体技术制作线路及电容。电阻和电感。 LTCC技术利用陶瓷材料作为基板，将电容。电阻等被动元件埋入陶瓷基板中，通过烧结形成集成的陶瓷元件，可大幅度缩小元件的空间，但随着层数的增加，制作难度及成本越高，因此LTCC元件大多是为了某一特定功能的电路;HDI 埋入式元器件的PCB技术通常用于数字系统，在这种系统里只适用于分布装焊的电容与中低等精度的电阻，随着元件体积的缩小，SMT设备不易处理过小元件。虽然埋入式印刷电路板技术最为成熟，但产品特性较差，公差无法准确把握，因为元件是被埋藏在多层板之内，出现问题后难以进行替换或修补调整。相比LTCC技术和PCB埋置元器件技术，集成电路的薄膜IPD技术，具有高精度。

ipd基本知识

ipd基本知识 IPD基本知识 IPD（Intelligent Product Development）是指智能产品开发领域的基础知识和概念。它涵盖了从产品概念到产品上市的整个生命周期，包括产品设计、开发、测试、制造和维护等各个方面。本文将从几个重要的角度介绍IPD的基本知识。 一、IPD的定义和目标 IPD是一种以用户需求为导向的产品开发方法，旨在提高产品的质量和效率。它通过整合各个环节的资源和信息，实现产品的快速开发和持续改进。IPD的核心目标是满足用户需求、降低开发成本、缩短开发周期和提高产品竞争力。 二、IPD的关键要素 1. 用户需求：IPD的起点是用户需求的确定。只有深入了解用户的需求和期望，才能设计出真正满足用户需求的产品。 2. 跨部门协作：IPD需要各个部门之间的紧密合作，包括市场部门、设计部门、工程部门和制造部门等。只有各个部门齐心协力，才能实现产品的快速开发。 3. 创新设计：IPD强调创新设计，追求产品的差异化和竞争优势。创新设计可以包括新的功能、新的材料和新的生产工艺等方面。 4. 风险管理：IPD需要对产品开发中的各种风险进行有效管理，包括技术风险、市场风险和制造风险等。通过风险管理，可以降低项

目失败的概率。 5. 敏捷开发：IPD倡导敏捷开发方法，通过迭代开发和快速反馈，快速响应市场需求和用户反馈。敏捷开发可以大大加快产品的上市速度。 三、IPD的流程和方法 IPD的流程可以分为以下几个阶段：产品概念阶段、需求分析阶段、设计开发阶段、测试验证阶段和制造维护阶段。每个阶段都有相应的方法和工具支持，例如市场调研、用户需求调研、设计工具和仿真工具等。IPD还强调持续改进和学习，通过不断的反馈和优化，提高产品的质量和性能。 四、IPD的优势和挑战 IPD具有以下优势： 1. 提高产品质量：IPD将用户需求作为核心，确保产品能够满足用户的期望，提高产品的质量和用户满意度。 2. 缩短开发周期：IPD通过各个环节的紧密协作和快速反馈，大大缩短了产品的开发周期，提高了市场竞争力。 3. 降低开发成本：IPD通过优化设计和制造流程，降低了产品的开发和制造成本，提高了企业的盈利能力。 4. 提高创新能力：IPD强调创新设计和敏捷开发，激发了企业的创新能力，推动了技术进步和产品升级。 然而，IPD也面临一些挑战：

IPD研发流程经验分享

IPD研发流程经验分享 IPD研发流程是指集成产品开发流程（Integrated Product Development）的缩写，是一种系统化、流程化的产品研发管理方法。下面将从IPD研发流程的定义、步骤和经验分享三个方面进行说明。 一、IPD研发流程的定义 二、IPD研发流程的步骤 1.意识形态阶段：明确产品的市场需求和技术要求，建立开发团队并明确项目的目标和愿景。 2.概念设计阶段：基于市场需求和技术要求，进行产品概念设计和技术可行性分析。确定产品的整体结构和性能指标。 3.详细设计阶段：进行产品的详细设计和制造工艺规划，明确产品的各个细节，包括材料、制造工艺和工程要求等。 4.制造和实施阶段：根据详细设计的要求，进行产品的制造和组装。同时进行产品测试和质量控制，确保产品符合要求。 5.交付和后续支持阶段：完成产品的制造和测试后，根据市场需求进行产品交付。同时提供产品的后续支持和维护。 三、IPD研发流程的经验分享 1.充分了解市场需求：在意识形态阶段，要与市场部门密切合作，了解市场需求，根据市场需求确定产品的目标和愿景。只有深入了解市场需求，才能开发出符合市场需求的产品。

2.提前进行技术可行性分析：在概念设计阶段，必须进行技术可行性 分析，评估技术上的可行性和风险。只有在确保技术方案可行的情况下， 才能进入后续的详细设计阶段。 3.注重设计细节：在详细设计阶段，应注重产品的细节设计，包括材 料选择、制造工艺规划和工程要求等。只有在设计阶段做足功课，才能确 保产品的质量和性能。 4.加强质量控制：在制造和实施阶段，要加强产品的质量控制，及早 发现和解决潜在问题，确保产品符合要求。同时，要建立质量管理体系， 对产品的质量进行全面管控。 5.积极宣传和推广：在交付和后续支持阶段，要积极宣传和推广产品，使产品获得更多的市场份额。同时，要提供产品的后续支持和维护，确保 客户的满意度。 综上所述，IPD研发流程是一种系统化、流程化的产品研发管理方法，其定义为一种综合考虑产品开发的技术、市场、财务等因素，以满足客户 需求为导向的产品研发方法。在实施过程中，需要遵循五个阶段的步骤， 即意识形态、概念设计、详细设计、制造和实施、交付和后续支持。经验 分享包括充分了解市场需求、提前进行技术可行性分析、注重设计细节、 加强质量控制和积极宣传和推广等。通过合理运用IPD研发流程，可以提 高产品的研发效率和质量，满足客户的需求，提升市场竞争力。

ipd薄膜工艺技术

ipd薄膜工艺技术 1. 引言 ipd薄膜工艺技术是一种用于集成电路封装中的关键工艺，其主要应用于制造集成 电路中的薄膜电容器。在现代集成电路中，薄膜电容器被广泛应用于模拟电路、射频电路和传感器等领域。ipd薄膜工艺技术能够在集成电路的表面上制备出具有高 质量和稳定性的薄膜电容器，为集成电路的性能提供了重要支持。 本文将介绍ipd薄膜工艺技术的基本原理、工艺步骤以及应用领域，并对其进行详细的分析和讨论。 2. ipd薄膜工艺技术的基本原理 ipd薄膜工艺技术是一种基于化学沉积的工艺方法，通过在集成电路表面上沉积薄 膜材料来制备薄膜电容器。其基本原理是利用化学反应在表面上形成一层薄膜，然后通过控制反应条件和工艺参数来调节薄膜的厚度和性能。 ipd薄膜工艺技术主要包括以下几个步骤： 2.1 表面准备 在开始薄膜沉积之前，需要对集成电路表面进行准备。这包括清洗、去除氧化物和其他杂质等步骤，以确保薄膜能够牢固地附着在表面上。 2.2 薄膜沉积 薄膜沉积是ipd薄膜工艺技术的核心步骤。常用的薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝等。沉积方法主要有热氧化、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等。通过控制沉积条件和工艺参数，可以实现对薄膜厚度和性能的精确控制。 2.3 薄膜退火 薄膜沉积后，还需要进行薄膜退火处理，以提高薄膜的结晶度和稳定性。退火温度和时间的选择对薄膜的性能有重要影响，需要根据具体的应用需求进行调节。 2.4 薄膜刻蚀 在薄膜沉积完成后，可能需要进行薄膜刻蚀。刻蚀可以用于调节薄膜的形状和尺寸，以满足特定的电路设计要求。常用的刻蚀方法包括湿法刻蚀和干法刻蚀等。 3. ipd薄膜工艺技术的应用领域 ipd薄膜工艺技术在集成电路封装中有广泛的应用。以下是一些常见的应用领域：

ipd质量流程框架

ipd质量流程框架 IPD（Integrated Product Development）质量流程框架是一种综合 性的产品开发流程方法，主要用于管理和控制新产品的研发和生产过程。 通常，IPD质量流程框架包括以下几个主要步骤： 1.项目立项阶段：确定项目目标和范围，明确产品的市场需求和背景，制定项目计划和时间表，并制定项目管理方法。 2.前期概念设计阶段：对产品进行概念设计，明确产品的功能、性能、特性等要求，确定产品的整体方案和技术路线，制定前期设计评审和验证 计划。 3.详细设计阶段：基于前期概念设计结果，进行详细设计和制造流程 规划，明确产品的结构和工艺要求，制定设计评审和验证计划。 4.工艺试验和验证阶段：对产品进行工艺试验和验证，包括材料选用、工艺流程排布、工装制作等工作，制定工序质量控制计划。 5.工厂生产阶段：进行实际生产，并进行过程控制和质量监控，确保 产品符合设计要求，并进行工艺改进和优化。 6.产品测试和验证阶段：对生产的产品进行验收测试和验证，确保产 品质量满足设计标准和用户需求，制定产品测试计划和验证标准。 7.市场推广和销售阶段：进行市场推广和销售工作，收集用户反馈和 问题反馈，及时处理产品质量问题，进行售后服务和质量改进。 8.持续改进阶段：根据市场反馈和用户需求，进行持续改进和创新， 进行研发和技术升级，提高产品质量和市场竞争力。

在IPD质量流程框架中，强调了整个产品开发过程的综合性和连续性，包括从项目立项到市场推广和持续改进的全过程管理。通过这个框架，可 以有效地控制产品开发过程中的风险和质量问题，提高产品的市场竞争力 和用户满意度。 此外，为了确保IPD质量流程的有效实施，还需要建立相应的质量管 理体系和质量控制措施，包括质量标准制定、质量培训、质量测评和评估等。通过这些措施，可以不断完善和改进质量管理，提高产品质量和企业 的竞争力。 总之，IPD质量流程框架是一种综合性的产品开发流程方法，通过对 产品开发全过程的管理和控制，可以提高产品质量和市场竞争力，实现持 续改进和可持续发展。

基于薄膜IPD工艺的N77频段多零点带通滤波器设计

基于薄膜IPD工艺的N77频段多零点带通滤波器设计 王浩威;郭瑜;傅肃磊;王为标;吴浩东 【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2022(41)5 【摘要】针对微波滤波器对高性能和低成本的应用需求,将薄膜集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺与印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)工艺相结合,设计了一款含有三个传输零点的宽带集总带通滤波器。为提升器件Q 值,降低带内损耗并缩小器件尺寸,将滤波器谐振回路的电感以三维电感的形式设置于金属层较厚的PCB基板中,而其他电路结构则被集成在高阻硅基片上,通过倒装焊植球的方式(Flip-Chip Ball Grid Array,FBGA)将高阻硅基芯片键合到基板上。为验证理论的有效性,加工制备了一款N77频段的带通滤波器,其不包括外部管脚的整体尺寸为2.2 mm×3.0 mm,1 dB带宽为918 MHz,带测试板的实测插损为-2.58 dB。测试结果与预期的仿真结果达成一致。 【总页数】6页(P526-530) 【作者】王浩威;郭瑜;傅肃磊;王为标;吴浩东 【作者单位】江南大学物联网工程学院;无锡市好达电子股份有限公司;南京大学物理学院 【正文语种】中文 【中图分类】TN713 【相关文献】

1.基于数字电位器的多频段带通滤波器设计 2.基于IPD工艺的小型化无反射带通滤波器设计 3.一种基于IPD工艺应用于5G网络的带通滤波器设计 4.一种基于协同仿真C频段大功率带通滤波器设计 5.基于空间映射的Ka频段带通滤波器设计 因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买

一种基于IPD工艺的低成本Wilkinson功分器

一种基于IPD工艺的低成本Wilkinson功分器 钱州强;邢孟江;杨晓东;王尓凡;徐珊 【摘要】设计一款基于TGV-IPD(Through Glass Via-Integrated Passive Devices)工艺的集总式Wilkinson功分器.由于使用的玻璃材料介电常数为6.58、损耗角正切值为0.0086且电导率小于10-10 S/m,因此该种材料是IPD工艺衬底的理想选择.通过三维电磁场仿真软件(HFSS)建模仿真,采用玻璃通孔技术设计了三维螺旋电感,在4.5 GHz处Q值达到127,比硅基平面螺旋电感增加了95,比最新提出的玻璃槽电感最大增加了30.此外,利用三维螺旋电感配合电阻、电容建立了Wilkinson功分器物理模型,模型体积为850μm×1500μm×400μm.仿真结果显示,该功分器中心频率为4.5 GHz,插入损耗为-3.3 dB,隔离度为-25.5 dB,带宽为600 MHz. 【期刊名称】《通信技术》 【年(卷),期】2018(051)009 【总页数】5页(P2262-2266) 【关键词】玻璃通孔;TGV电感;高Q值;Wilkinson功分器 【作者】钱州强;邢孟江;杨晓东;王尓凡;徐珊 【作者单位】昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504

【正文语种】中文 【中图分类】TN713 0 引言 随着摩尔定律的终结及后摩尔定律的提出，集成技术从平面扩展到第三维度[1]。 传统的射频（RF）无源元件如滤波器、功分器和天线等，体积庞大，很难被封装 在系统内。为了解决这个问题，许多研究人员一直尝试使用先进的制造工艺来制作射频器件。例如，使用低温共烧陶瓷（LTCC）、集成无源器件（IPD）、液晶聚 合物（LCP）等工艺，开发了许多先进的小型化RF器件[2-4]。然而，这些工艺生产出来的器件只能进行简单堆叠，不能嵌入转接板进一步减小其所占的体积，且平面螺旋电感的Q值一般可以达到10～50，对某些高端产品是不够的。通过硅通孔技术（Through Silicon Via，TSV）或玻璃通孔技术（Through Glass Via，TGV）的3D IPD技术形成的三维螺旋电感，Q值可以达到50～150。采用这种电感实 现一些RF器件，不仅实现了低损耗和紧凑的外形尺寸，还可以很容易地将这些器件嵌入到采用各种材料制作而成的转接板（Interposer）构成的3D IC结构[5]， 如图1所示。这种结构能大幅提升芯片集成度，改善电器互联性能，提升运行速度，并降低功耗、设计难度和成本，是未来的发展趋势[6]。 图1 典型的三维集成高速电路模型 1 玻璃转接板的优势 当硅用作垂直互连的中介层材料时，需要额外的介电层（如氧化硅）以用于电隔离。此外，这种介电层厚度为亚微米尺度，在高频信号传输中难以在TSV之间提供良 好的电隔离[7]。硅也可以耦合到通孔，引入类似MOS管的电容性寄生[8]。玻璃 通孔（TGV）作为3D集成的技术，已经被深入研究[9-10]。名叫EN-A1的无碱

IPD技术的原理与应用

IPD技术的原理与应用 随着信息技术的飞速发展，IPD技术（Intelligent Product Development，智能产品开发技术）在各个行业中得到了广泛的应用。 本文将介绍IPD技术的原理和应用。 一、IPD技术的原理 IPD技术是基于人工智能和大数据分析的智能化产品开发技术。其 原理主要包括以下几个方面： 1. 大数据分析：IPD技术通过对大量的历史数据进行分析，提取隐 藏在数据中的规律和趋势。这些数据可以包括市场需求、用户反馈、 产品性能等各个方面的信息。通过对数据的深入挖掘和分析，可以为 产品开发提供有力的支持和指导。 2. 人工智能算法：IPD技术利用人工智能算法对大数据进行处理和 预测分析。通过机器学习、神经网络等技术手段，可以实现自动化的 数据处理和模型建立，从而准确预测产品的性能和用户需求。人工智 能算法可以对复杂的问题进行优化和求解，提高产品开发的效率和准 确度。 3. 虚拟仿真技术：IPD技术利用虚拟仿真技术对产品进行全过程的 仿真和分析。通过构建虚拟模型，可以对产品的结构、性能和可靠性 进行评估和测试。虚拟仿真技术可以模拟不同环境条件下的产品行为，帮助开发团队及时发现和解决问题，避免在实际生产中出现不必要的 损失。

二、IPD技术的应用 IPD技术在各个行业中都有广泛的应用，下面以汽车行业为例，介 绍IPD技术的具体应用。 1. 产品设计优化：IPD技术可以通过对市场需求和用户反馈的分析，为产品设计提供有针对性的建议和优化方案。例如，可以通过数据分 析了解消费者对车辆外观、内饰、性能等方面的偏好，从而在设计阶 段就能满足用户的需求。 2. 制造工艺优化：IPD技术可以通过虚拟仿真技术对汽车的制造工 艺进行优化。例如，在喷漆过程中，通过模拟不同的涂料喷洒方式和 喷涂参数，可以提前发现并解决可能出现的质量问题，提高产品制造 的稳定性和一致性。 3. 故障诊断与预测：IPD技术可以通过对汽车传感器数据的实时监 测和分析，实现车辆故障的诊断和预测。例如，通过对发动机传感器 数据的实时采集和分析，可以提前发现可能出现的故障，并给车主提 供相应的维修建议。 4. 智能制造与物联网应用：IPD技术可以将制造过程中的各个环节 进行信息化和智能化的集成。通过物联网技术，可以实现设备之间的 互联互通，实现生产过程的动态监控和管理。同时，通过对大数据的 分析，可以实现生产线的自动调度和优化，提高生产效率和质量水平。 总结：

基于IPD工艺的小型化无反射带通滤波器设计

基于IPD工艺的小型化无反射带通滤波器设计 刘赣;邢孟江;李小珍;李楠;杨晓东 【摘要】设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的小型化无反射带通滤波器.它区别于传统滤波器最大的特点是它将阻带信号吸收掉而不是反射回信号源,可以极大的提高电路的线性度.在无反射高低通滤波器的电路拓扑结构下,采用串联形式,完成了具有超宽带的无反射带通滤波器的建模与仿真.该滤波器中心频率为2.03 GHz,中心频率处的插入损耗小于1 dB,BW-3dB≤1.91 GHz,回波损耗≥8.5 dB,带外抑制峰值≥14.47 dB,整体尺寸仅为1.6 mm×1.25 mm×0.3 mm.通过仿真实验,验证了串联方式的无反射带通滤波器的可行性. 【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2018(037)009 【总页数】5页(P69-73) 【关键词】集成无源器件(IPD);带通滤波器;小型化;无反射;串联;高宽带 【作者】刘赣;邢孟江;李小珍;李楠;杨晓东 【作者单位】昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650500;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650500;昆明学院信息技术学院,云南昆明650500;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650500;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650500 【正文语种】中文 【中图分类】TN713

随着通信技术的不断发展,对于无源器件的性能要求不断提高,高性能、低成本、小型化成为无源器件设计的重点。滤波器作为无源器件中的一个重要组件,是射频电路中不可或缺的一部分[1]。传统滤波器设计电路,是通过阻带把不希望通过的信号反射回信号源,这将对系统的通信性能造成巨大的影响。在传统滤波器的研究基础上,如何实现滤波器阻带信号无反射正逐渐成为一个学术研究热点[2-11]。 无反射滤波器也称为吸收式滤波器,它区别于传统滤波器最大的特点是它将阻带信号吸收掉而不是反射回信号源,可以极大地提高电路的线性度。在国外,无反射滤波器的研究已经展开[2-6]。2010年,Morgan和Boyd首次提出了无反射滤波器概念,给出了低通、高通、带通、带阻四款无反射滤波器的电路拓扑及设计方法,并且基于印制电路板(PCB)工艺,采用分立元件,设计并加工了4阶325 MHz无反射低通滤波器和中心频率210 MHz、带宽200 MHz的无反射带通滤波器,级联方式为传统滤波器设计方法中的串联级联[2-4]。2016年,韩国的Lee等[5]开始研究一阶无反射带通滤波器,采用集总式表面贴装器件(SMD),设计并加工了一款中心频率为95 MHz,BW-3dB≤30 MHz的无反射带通滤波器。2017年,伊朗科技大学的Amirhosseini和Taskhiri在研究Morgan提出的无反射滤波器基础上,设计了一种任意奇数阶和任意阻带衰减的无反射低通滤波器的电路原型,并加工了一款三阶中心频率为40 MHz,阻带衰减As=20 dB的无反射低通滤波器[6]。 随着国内集成电路的发展,无反射滤波器的理论和设计研究变得非常有意义。同时,很多人开始寻求新的工艺技术来进一步实现滤波器结构的小型化,IPD工艺凭借其体积小、价格低和兼容性高等优点,逐渐成为研究的热点[7-10]。如表1所示,给出了几种基材设计滤波器的参数对比。 目前,在国内,有关无反射带通滤波器的论文还比较少,还处在起步阶段,2014年,电子科技大学的秦巍巍等[11]仿真设计了一款通带中心频率为3500 MHz,BW-3

ipd研发流程

ipd研发流程 IPD研发流程是指在新产品开发过程中，设计团队所采用的以用户为中心的设计方法，即“Interdisciplinary Product Development”的缩写。该流程强调了设计团队与用户之间的互动，以确保最终产品能够满足用户的需求。下面将详细介绍IPD研发流程。 1. 需求分析 在IPD研发流程的第一阶段，设计团队需要与用户进行沟通，以了解用户的需求和期望。这个过程通常包括问卷调查、市场研究和用户测试等活动。通过这些活动，设计团队可以收集到用户的反馈和意见，从而确定产品的设计目标和功能需求。 2. 概念设计 在需求分析阶段完成后，设计团队会开始进行概念设计。这个阶段的主要目标是确定产品的整体外观和功能。设计团队会绘制草图和三维模型，以便与用户进行讨论和反馈。通过这些讨论和反馈，设计团队可以不断改进和优化产品的设计。 3. 详细设计 一旦确定了产品的概念设计，设计团队就会开始进行详细设计。这个阶段的主要目标是制定产品的具体规格和细节。设计团队需要考虑到材料选择、工艺流程、机械结构、电子元器件等方面的因素。

在这个阶段，设计团队通常会使用计算机辅助设计软件（CAD）来完成设计。 4. 原型制作 完成详细设计后，设计团队会开始制作产品原型。原型可以是手工制作的模型，也可以是使用3D打印技术制造的模型。通过制作原型，设计团队可以进一步测试和优化产品的设计。 5. 测试评估 产品原型制作完成后，设计团队会对产品进行测试评估。测试评估通常包括性能测试、可靠性测试、耐久性测试等方面。通过这些测试，设计团队可以检验产品是否符合设计要求，并对产品进行改善。 6. 生产制造 测试评估完成后，设计团队会开始进行生产制造。设计团队需要与生产部门密切合作，确保产品的生产过程符合设计要求。在这个阶段，设计团队通常会提供生产线图、工艺流程图等资料，以协助生产部门完成任务。 IPD研发流程是一种以用户为中心的设计方法，它强调了设计团队与用户之间的互动和反馈。通过这种方法，设计团队可以制定出符合用户需求的产品，并在生产制造过程中保证产品的质量和性能。

ipd研发流程

ipd研发流程 IPD研发流程 IPD（集成产品开发）是一种全面的产品开发方法，它将设计、工程、制造和供应链整合在一起，以确保产品在满足客户需求的同时，实现高质量、低成本和快速上市。本文将详细介绍IPD研发流程。 第一阶段：需求分析 1.1 确定项目目标 在这个阶段，需要明确项目的目标和范围。这包括确定产品的特性、功能、性能要求等。同时也需要考虑项目的预算和时间限制。 1.2 收集用户需求 通过与客户沟通交流，了解客户对产品的需求和期望，包括外观、功能、性能等方面。 1.3 制定需求规格书

根据用户需求和项目目标制定详细的需求规格书。其中包括产品特点、功能要求、性能指标等内容。 第二阶段：概念设计 2.1 初步设计方案 在这个阶段，需要根据需求规格书制定初步设计方案。这包括评估不 同技术方案的可行性，并选择最优解决方案。 2.2 评估风险和可靠性 评估风险和可靠性是概念设计阶段的重要任务。这包括评估产品的可 靠性、安全性和可维护性等方面。 2.3 制定概念设计文档 根据初步设计方案和评估结果，制定概念设计文档。其中包括产品结构、功能布局、材料选择等内容。 第三阶段：详细设计 3.1 详细设计方案

在这个阶段，需要根据概念设计文档制定详细的设计方案。这包括确 定产品的具体尺寸、材料、工艺等方面。 3.2 制定工程图纸 根据详细设计方案制定工程图纸，包括零部件图纸、总装图纸等内容。 3.3 进行模型制作和测试 根据工程图纸进行模型制作，并进行测试验证。这有助于发现问题并 及时解决。 第四阶段：原型生产 4.1 制造原型 根据模型测试结果进行调整后，开始制造原型。在此过程中需要注意 质量控制和时间管理。 4.2 进行原型测试和验证 对原型进行测试和验证，包括功能测试、性能测试、可靠性测试等方

基于IPD工艺的微型化高通无反射滤波器的设计

基于IPD工艺的微型化高通无反射滤波器的设计 徐珊;邢孟江;李小珍;张磊;杨晓东 【摘要】设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的微型化高通无反射滤波器.不同于传统滤波器,该滤波器通过吸收阻带信号,阻止反射信号回信号源来实现滤波器的无反射特性.该滤波器电路由一端终止的低通滤波器原型作偶模等效电路、低通滤波器原型的对偶形式作奇模等效电路设计得到.在HFSS中建立滤波器模型并仿真,结果表明该滤波器截止频率为2.58 GHz,带内插入损耗小于0.3 dB,带外吸收大于19.7 dB,带外抑制大于14 dB,整体尺寸仅为1 mm×1 mm×0.1 mm. 【期刊名称】《通信技术》 【年(卷),期】2018(051)009 【总页数】5页(P2257-2261) 【关键词】微型化;高通滤波器;IPD工艺;无反射 【作者】徐珊;邢孟江;李小珍;张磊;杨晓东 【作者单位】昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明学院信息技术学院,云南昆明650214;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504;昆明理工大学信息工程与自动化学院,云南昆明 650504 【正文语种】中文 【中图分类】TN713

0 引言 随着国家经济的快速发展和通信技术的不断进步，移动终端设备向着微型化、高性能的目标转化大势所趋，对其搭载的微波器件也提出了更高要求。滤波器是通信和无线系统射频前端最重要的器件之一[1]。传统实现无反射特性的电路，是通过阻带把不希望通过的信号反射回输入端。在大部分应用中，这些反射回输入端的信号会造成诸如互调产物、增益波动等影响系统性能的问题。类似混频器的非线性器件对带外信号会产生响应，且对阻带的反射信号高度敏感[2-4]。为了消除滤波器阻带中确实且普遍存在的反射信号，国内外许多专家进行了专门的研究[5-9]。2011年，美国国家射电天文台科学家MatthewA. Morgan等首次提出无反射概念，提出了一种基于对称电路设计无反射滤波器的理论，并在此理论基础上采用PCB工艺设计了3 dB带宽为188 MHz，带外抑制60 dB，100 MHz时插入损耗1 dB 的低通无反射滤波器[5]。2016年，韩国的Tae-Hak Lee和Boyoung Lee采用集总式表面贴装器件（SMD）的方式，设计加工了中心频率为95 MHz、3 dB带宽为30 MHz的无反射带通滤波器[6]。2018年，美国科罗拉多大学Dimitra Psychogiou等基于由带通型和带阻型信道组成的互补双工器结构，设计了调频范围0.8～1.1 GHz、中心频率为0.98 GHz、通带插入损耗0.91 dB、0.55～1.45 GHz范围内回波损耗大于10 dB的带通滤波器[7]。在国内，2014年，电子科技大学秦巍巍等提出采用微带线结构实现的一种新型无反射带通滤波器。该滤波器通带中心频率为3 500 MHz、3 dB带宽为479 MHz、通带内插入损耗小于3 dB、通带内电压驻波比小于2、带外驻波比在很大频率范围内小于3.5[8]。2015年，上海交通大学张程等利用耦合相消原理设计了一种调频频率为5.17～5.56 GHz的无反射可调带阻滤波器，通带内插损值约为0.44 dB，阻带范围内回波损耗大于10 dB，阻带抑制15 dB[9]。

系统集成中的高阻硅IPD技术

系统集成中的高阻硅IPD技术 刘勇 【摘要】Integrated passive device(IPD)technology can integrate discrete passive devices into a substrate,and improve the Q factor and system integration level. The inductor whose Q factor is up to 70 can be prepared by high resistance silicon IPD (HRS-IPD) technology because the HRS substrate has a good RF property. HRS-IPD based on thin film technology has the characteristics of high precision and high integration;meanwhile,by which the feature size can be reduced by one order of mag-nitude. Batch fabrication with lower cost can be realized with the mature silicon technology. Furthermore,HRS-IPD technology can be combined with through silicon via(TSV)technology to realize 3D system packaging. The analyses indicate that the HRS-IPD technology has a good application prospect in system integration.%集成无源器件（IPD）技术可以将分立的无源 器件集成在衬底内部，提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的 射频特性，高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基 于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。此外，高阻硅IPD技术 可与硅通孔（TSV）技术兼容，可实现三维叠层封装。分析表明，高阻硅IPD技术在系统集成中具有广泛应用前景。 【期刊名称】《现代电子技术》 【年(卷),期】2014(000)014

ipd滤波器制造工艺

ipd滤波器制造工艺 IPD滤波器制造工艺 简介 •IPD滤波器，全称为Integrated Passive Device Filter，是一种集成无源元器件的滤波器。 •它具有小尺寸、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于无线通信、射频识别和消费电子等领域。 •IPD滤波器的制造工艺对其性能和可靠性起着关键的作用。 工艺流程 1.设计：根据滤波器的频率特性和功耗要求，利用CAD 软件设计滤波器的电路结构。设计时要考虑芯片面积和布线的优 化。 2.掩膜制备：根据CAD设计结果，使用光刻技术将电路 图案转移到掩膜上。掩膜上的光刻层决定了芯片器件结构和铜层 的位置。 3.衬底制备：选择合适的衬底材料，例如玻璃基板或硅 基板。对衬底进行清洗和化学处理，以便于后续的电路制备。

4.薄膜沉积：在衬底上进行金属或者介电薄膜的沉积。 沉积技术常用的有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD） 等。 5.电路制备：利用光刻和蚀刻技术将光刻层上的图案转 移到薄膜上。薄膜蚀刻后形成滤波器的电路结构。 6.封装与测试：将制备好的芯片进行封装，以保护器件 并方便引脚连接。封装完成后，对IPD滤波器进行性能测试和可 靠性验证。 制造工艺的关键问题 •准确性：制造过程中要保证图案的精确转移，尤其是对于高频应用来说，误差会对滤波器的性能产生显著影响。 •良率：由于制造过程中存在很多环节，如衬底清洗、薄膜沉积和光刻等，每个环节都会影响到良率。如何提高制造过 程的稳定性和一致性是关键。 •成本：制造工艺的改进旨在降低成本，包括材料成本、设备成本和人力成本等。 制造工艺的发展趋势 1.微纳加工技术：随着微纳加工技术的发展，IPD滤波 器的制造过程越来越精细。微纳加工技术可以实现更小尺寸的器 件和更高集成度的电路。