内存芯片命名规则

芯片命名规则

MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插

TI芯片的命名规则

例如： 说明: (A)指产品线代码 产品线代码用于区分不同的产品类型，因TI产品线非常广，故同一代码有可能包含一个或多个产品线又或多种代码表示同一种产品线，如例图所示TLV包含电源管理器、运算放大器、数据转换器、比较器、音频转换器等系列产品；SN74LVC为74系列逻辑电路，因工作电平、电压、速度、功耗不同又分为74HC、74LS、74LV、74AHC、74ABT、74AS等系列。 (B)指基本型号 基本型号(也称为基础型号)用于区分不同的产品类型，与封装、温度及其它参数无关。 (C)指为产品等级 产品等级表示产品工作温度，为可选项。 C=商业级，工作温度范围为0°C至+70°C I或Q=工业级，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C至+85°C、-40°C至+125°C 未标识等级代码，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C~+85°C，-55°C~+100°C 等。 (D)指产品封装 产品封装代码以1-3位数的英文代码表示（BB产品线中存在超过3位数的代码符号），详细封装信息请对照“封装代码对照表”。 (E)指产品包装方式 产品包装代码为可选项，TI通用器件中包装方式代码标识为R表示以塑料卷装方式包装，未标识则表示为塑料管装方式包装。 (F)指绿色标记转换：G4 绿色标记的转换：从2004 年6 月1 日开始，当TI 器件/封装组合转换成“环保”复合成型材料时，TI 将把无铅(Pb) 涂层类别中的"e" 更改为"G"。例如，在实施环保复合成型材料之前，TI 采用NiPdAu 涂层所制造器件的无铅(Pb) 涂层类别为"e4"。实施后，该无铅(Pb) 涂层类别将更改为"G4"。（在无铅(Pb) 涂层类别中将"e" 替换成"G" 目前还不属于JEDEC 标准的一部分，但会对TI 产品实施这一步。） (G)指产品版本 无规律，详见产品规格书。 BGA CUS, GDH, GDJ, GDP, GDQ, GDU, GDW, GDY, GEA, GFM, GFN, GFS, GFT, GFU, GFV, GFW, GFX, GGC, GGD, GGE, GGH, GGN, GGP, GGQ, GGR, GGS, GHQ, GJQ, GJY, GJZ, GKN, GKP, GKQ, GKZ, GLM, GLW, GND, GNH, GNP, GNT, GPG, GPV, GVM, GWM, SAE, ZAJ, ZAK, ZAL, ZAY, ZBD, ZCF, ZCH, ZCJ, ZDB, ZDH, ZDJ, ZDL, ZDP, ZDQ, ZDR, ZDT, ZDU, ZDW, ZDY, ZEA, ZED, ZEL, ZEN, ZER, ZEW, ZFE, ZJZ, ZKB, ZND, ZPV, ZVA, ZWD, ZWF, ZWG, ZWL, ZWM, ZWQ, ZXF, ZXN, ZXQ BBGA MICROSTAR GFZ, GGB, GGF, GGM, GGT, GGU, GGV, GGW, GHA, GHB, GHC, GHG,

芯片封装命名规则

芯片封装之多少与命名规则 芯片封装之多少与命名规则 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三、PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。

芯片命名规则

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：

内存上面的标识解读

内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4） 2011-10-28 17:29:11| 分类： | 标签：|字号订阅 一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank. Single Rank:1组Memory chip Dual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per side Quad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per side Rank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率! 解读内存中的Bank 两种内存Bank的区别 内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。 1.物理Bank 传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行，内存总线

的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。其实这个看法是错误的! 一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。读到这里，大家也应该知道，我们可以通过两种方式来增加这种类型内存的容量。第一种就是通过增加每一个独立模块的容量来增加Bank的容量，第二种方法就是增加Bank的数目。由于目前内存颗粒位宽的限制，一个系统只有一个物理Bank已经不能满足容量的需要。所以，目前新一代芯片组可以支持多个物理Bank，最少的也能支持4个物理Bank。对于像Intel i845D这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要考虑一下插槽数与内存Bank 的分配问题了。因为如果选购双Bank的内存，这意味着在Intel i845D芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了的话芯片组将无法识别。这里我建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购 内存，如果主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单

Atmel改变命名规则的芯片型号对照表

A t m e l改变命名规则的芯 片型号对照表 Prepared on 21 November 2021

ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMELATMLU702 DIP ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP ATMEL ATMLU706DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DIP ATMELATMLU708 DIP ATMEL ATMLU709 DIP ATMEL ATMLU710 DIP ATMEL ATMLU711 DIP ATMEL ATMLU712 DIP ATMEL ATMLU713 DIP ATMEL ATMLU714 DIP ATMELATMLU715 DIP ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP ATMEL ATMLU718 DIP ATMEL ATMLU719 DIP AT24C256BN-SH-T ATMEL ATMLU720 DIP AT24C256B-PU ATMEL ATMLU721 DIP AT24C256N-10SI18 ATMEL ATMLU722 DIP

ATMEL ATMLU723 DIP ATMEL ATMLU724 DIP AT24C32CN-SH-T ATMEL ATMLU725DIP ATMEL ATMLU726 DIP AT24C512BN-SH25-B ATMEL ATMLU727 DIP AT24C512BN-SH-B ATMELATMLU728 DIP AT24C512B-PU25 ATMELATMLU729 DIP ATMEL ATMLU730 DIP ATMEL ATMLU731 DIP ATMELATMLU732 DIP AT24C64CN-SH-B ATMELATMLU733 DIP AT24C64CN-SH-T ATMEL ATMLU734 DIP ATMEL ATMLU735 DIP ATMEL ATMLU736 DIP AT25DF041A-SH-B ATMEL ATMLU737DIP ATMEL ATMLU738 DIP ATMEL ATMLU739DIP AT26DF081A-SSU-SL965 ATMEL ATMLU740 DIP AT26DF081A-SU-SL965 ATMEL ATMLU741 DIP AT26DF161-SUATMEL ATMLU742DIP AT26DF321-SU ATMEL ATMLU743DIP AT27BV256-70JU ATMELATMLU744 DIP AT27C010-70PUATMEL ATMLU745 DIP

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀： MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数 四字母后缀： B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围： C= 0℃ 至70℃（商业级） I =-20℃ 至+85℃（工业级） E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55?至+125℃（军品级） 5．封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，6 8 S:4，80

B:10，64 L:4 0 T:6，160 C:12，192 M:7，4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8（圆形） E:16 O:4 2 W:10（圆形） F:22，256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2，10 0 Y:8（圆形） H:44 R:3，8 4 Z:10（圆形） I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1．前缀： AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号 3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V 4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插

51单片机命名规则知识分享

51单片机命名规则

51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含 Flash存储器，C表示为 CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载 Flash存储器。

在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数 X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。 X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。 X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数 X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。 X＝Q，表示 PQFP封装。’ X＝J，表示 PLCC封装。 X＝A，表示 TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插 DIP封装。 X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示 SOIC封装。 后缀中第三个参数 X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十 70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十 85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十 125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十 150℃。 后缀中第四个参数 X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用 MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是 ATMEL公司的Flash单片机，内部是 CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封 DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式 ,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机

Atmel改变命名规则的芯片型号对照表

ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMEL ATMLU702 DIP AT24C02B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP AT24C04-10PU-2.7 ATMEL ATMLU706 DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DI P AT24C04N-10SU-2.7 ATMEL ATMLU708 DIP AT24C08A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU709 DIP AT24C08A-10TU-2.7 ATMEL ATMLU710 DIP AT24C08AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU711 DIP AT24C128-10PU-2.7 ATMEL ATMLU712 DIP AT24C128N-10SU-2.7-SL383 ATMEL ATMLU713 DIP AT24C16A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU714 DIP AT24C16A-10TI-1.8 ATMEL ATMLU715 DIP AT24C16AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP AT24C256B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU718 DIP AT24C256BN-10SU-1.8 ATMEL ATMLU719 DIP

芯片封装与命名规则

芯片封装与命名规则(转)2006-9-16 23:50:00 1 已推 一.DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二.QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装PQFP（Plastic Quad F lat Package） 封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三.PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足P GA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利

国外IC芯片命名规则

MAXIM专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀：MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数 四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级） I =-20℃至+85℃（工业级） E =-40℃至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55℃至+125℃（军品级） 5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封 P 塑封双列直插/ W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，68 S:4，80 B:10，64 L:40 T:6，160 C:12，192 M:7，48 U:60 D:14 N:18 V:8（圆形） E:16 O:42 W:10（圆形） F:22，256 P:20 X:36 G:24 Q:2，100 Y:8（圆形） H:44 R:3，84 Z:10（圆形） I:28

集成电路命名方法

1、日本松下电器公司集成电路命名方法（PANASONIC） AN（电路种类）XXXX（电路序号） 电路种类： AN：模拟，DN：数字 M．J：研制型号，MN：MOS电路 2、日本三洋公司命名方法（SANYO） LA（电路种类）XXXX（电路序号） 电路种类： LA：双极线性电路，LB：双极数字电路 LD：CMOS电路，STK：厚膜电路 3、日本东芝公司集成电路命名方法（TOSHIBA） TA（电路种类）XXXX（电路序号）A（是否改进型）P（封装形式） 电路种类： TA：双极线性电路，TC：CMOS电路 TD：双极数字电路，TM：MOS电路 4、日本电气公司集成电路命名方法（NEC） UP（微型器件）C（电路种类）XXXX（电路序号） C（封装形式）X（改进型） 电路种类： A：分立器件B：数字双极器件 C：线性电路，D：数字CMOS 封装形式： C：塑料封装，陶瓷或陶瓷双列直插 5、欧洲电子联盟荷兰飞利浦公司（PHILIPS） TDA（模拟电路）XXXX（电路序号）P（封装形式） 6、德克萨斯仪器公司（TEXAS INSTRUMENTS CO） 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：N，NE—塑封DIP AC—先进双极IC NT—塑封DIP，24脚 SN—标准IC FN—塑料单层四方芯片载体TAC—CMOS逻辑阵列DJ—小外形封装 TL—线性电路 TMS—MOS存储器/微处理器 TC—CCD图像器 7、仙童公司（FAIRCHILD CO.） 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：F—扁平封装 F—仙童P—塑封DIP SH—混合T—小型DIP uA—线性D—陶瓷DIP 8、RCA公司 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：E—双列直插CA—线性IC EN—窄双列直插 CD —CMOS数字IC M—小型外塑封 PA—门阵列D—陶瓷双列直插 SC—标准单元 9、国家半导体公司 10、模拟器件公司（）

解读内存颗粒编号含义

现代内存颗粒编号含义 现代品牌的内存在国内的销售量一直名列前茅，不少消费者选购内存时都会考虑产品的规格参数。其实，小编有一个方法可以让消费者简单直观的了解到内存的规格－－解读编号含义，现在我们以现代内存为例，图解说明让大家迅速学会解读编号。 现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称－－Hynix。

B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用＂D5、D43、D4、J、M、K、H、L＂8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。 D部分编号12个小部分分解示意图 采用现代颗粒的内存颗粒特写

封装及命名规则

英文简称 英文全称 中文解释 图片 DIP Double In-line Package 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和 陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装， 应用范围包括标准逻辑IC ，存贮器LSI ，微机电路等。 PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC 封装方式，外形呈正方形，32脚 封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP 封装小得多。PLCC 封装适合用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP 封装的芯片引脚之间距离很小， 管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。 SOP Small Outline Package 1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装（SOP ）。以后逐渐派生出SOJ （J 型引脚小外形封装）、TSOP （薄小外形 封装） 、VSOP （甚小外形封装）、SSOP （缩小型SOP ）、TSSOP （薄的缩小型SOP ）及SOT （小外形晶体管）、SOIC （小外形集成电路）等。

以下就各种品牌具体说明 https://www.sodocs.net/doc/1812470512.html, 说明：1后缀CSA 、CWA 其中C 表示普通级，S 表示表贴，W 表示宽体表贴。 2 后缀CWI 表示宽体表贴，EEWI 宽体工业级表贴，后缀MJA 或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA 后缀均为普通双列直插。 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀：MAXIM 公司产品代号 2．产品系列编号： 100-199 模数转换器 600-699 电源产品 200-299 接口驱动器／接受器 700-799 微处理器 外围显示驱动器 300-399 模拟开关 模拟多路调制器 800-899 微处理器 监视器 400-499 运放 900-999 比较器 500-599 数模转换器 3．产品等级：由A、B、C、D 四类组成，A 档最高，依此B、C、D 档 4 ．温度范围： C= 0℃ 至 70℃（商业级） I =-20℃ 至 +85℃（工业级） E =-40℃ 至 +85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55℃ 至 +125℃（军品级） 5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 LLCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) S 小外型封装 T TO5,TO-99,TO-100 U TSSOP,μMAX,SOT W 宽体小外型封装（300mil） X SC-70（3脚，5脚，6脚） Y 窄体铜顶封装 Z TO-92MQUAD /D 裸片 /PR 增强型塑封 /W 晶圆 6．管脚数量： A:8 B:10，64 C:12，192 D:14 J:32 K:5，68 L:40 M:7，48 N:18 S:4，80 T:6，160 U:60 V:8（圆形）

内存命名规则

内存条可以通过查看内存颗粒的型号来确认其容量大小。 下面就以几个大厂的内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。 三星内存颗粒 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。 编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit 的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数

据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Micron内存颗粒 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面

TI公司产品命名规则

TI产品命名规则 产品分类及描述： 该公司半导体产品分类较多，包括：存储器产品组、数字信号处理器（DSP）、电源管理IC、放大器和线性器件、微控制器、数据转换器、温度传感器和控制IC、标准线性器件等。就我们日常所接到的询价情况来看，我将先主要介绍数字信号处理器（DSP）、微控制器、电源管理IC这三种。 ◆数字信号处理器（DSP）： DSP(digital singnal processor) 芯片，也称数字信号处理器，是一种具有特殊结构的微处理器。DSP芯片的内部采用程序和数据分开的哈佛结构，具有专门的硬件乘法器，广泛采用流水线操作，提供特殊的DSP 指令，可以用来快速地实现各种数字信号处理算法。根据数字信号处理的要求，DSP芯片一般具有如下的一些主要特点： （1）在一个指令周期内可完成一次乘法和一次加法。 （2）程序和数据空间分开，可以同时访问指令和数据。 （3）片内具有快速RAM，通常可通过独立的数据总线在两块中同时访问。（4）具有低开销或无开销循环及跳转的硬件支持。 （5）快速的中断处理和硬件I/O支持。 （6）具有在单周期内操作的多个硬件地址产生器。 （7）可以并行执行多个操作。 （8）支持流水线操作，使取指、译码和执行等操作可以重叠执行。 与通用微处理器相比，DSP芯片的其他通用功能相对较弱些。 3、 TI品牌电子芯片命名规则： SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明: SN或SNJ表示TI品牌 SN军标,带N表示DIP封装,带J表示DIP(双列直插),带D表示表贴,带W表示宽体SNJ军级,后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级. CD54LS×××/HC/HCT: ◆无后缀表示普军级 ◆后缀带J或883表示军品级 CD4000/CD45××: 后缀带BCP或BE属军品 后缀带BF属普军级 后缀带BF3A或883属军品级 TL×××: 后缀CP普通级IP工业级后缀带D是表贴 后缀带MJB,MJG或带/883的为军品级 TLC表示普通电压TLV低功耗电压 TMS320系列归属DSP器件, MSP430F微处理器 BB产品命名规则: 前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级 前缀INA,XTR,PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIP PA表示高精度 TI产品命名规则：SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明：

DDR命名规则

现代内存编号规则 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K

DDR3(HYNIX)编码规则

H 5 T Q XX X X X X X - XX X HYNIX MEMORY PRODUCT FAMILY POWER SUPPLY DENSITY & REFRESH ORGANIZATION NUMBER OF BANKS OPERATING TEMPERATURE & POWER CONSUMPTION SPEED(tCL-tRCD-tRP) PACKAGE TYPE DIE GENERATION : VDD=1.5V & VDDQ=1.5V : VDD=1.35V & VDDQ=1.35V 5 : DRAM Q C : 512Mb, 8K/64ms Refresh : 1Gb, 8K/64ms Refresh : 2Gb, 8K/64ms Refresh : 4Gb, 8K/64ms Refresh : 8Gb, 8K/64ms Refresh 511G 2G 4G 8G 486 : x4: x8: x16 : 8 Banks : 16 Banks 34 C L E I A : Commercial Temp 1) & Normal Power : Commercial Temp 1) & Low Power : Extended Temp 2) & Normal Power : Industrial Temp 3) & Normal Power : Commercial Temp 1) & 1.35 VDD Power P9PA PB H8H9HA G6G7G8S5S6 : DDR3-1600 9-9-9: DDR3-1600 10-10-10: DDR3-1600 11-11-11: DDR3-1333 8-8-8: DDR3-1333 9-9-9: DDR3-1333 10-10-10: DDR3-1066 6-6-6: DDR3-1066 7-7-7: DDR3-1066 8-8-8: DDR3-800 5-5-5: DDR3-800 6-6-6 F M H : FBGA SDP (Single Die Package): FBGA DDP (Dual Die Package): FBGA QDP (Quad Die Package) : 1st : 2nd : 3rd : 4th M A B C Note: 1) Commercial Temperature: 0°C ~ 85°C 2) Extended Temperature: -25°C ~ 85°C 3) Industrial Temperature: -40°C ~ 85°C 4) ROHS : Restriction Of Hazardous Substances : 5th : 6th : 7th : 8th D E F G PACKAGE MATERIAL L P R : Leaded : Lead Free (ROHS 4) compliant): Lead Free & Halogen Free (ROHS 4) compliant) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 PRODUCT MODE T : DDR3 SDRAM