三星闪存芯片命名规律
三星闪存芯片命名规律
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
4 : SLC 4 Chip XD Card
A : SLC + Muxed I/ F Chip
B : Muxed I/ F Chip
D : SLC Dual SM
E : SLC DUAL (S/ B)
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
J : Non-Muxed OneNand
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
Q : 4CHIP SM
R : SLC 4DIE STACK (S/ B)
S : SLC Single SM
T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP
V : 4 STACK MSP
W : SLC 4 Die Stack
4－5. Density
12 : 512M
16 : 16M
28 : 128M
32 : 32M
40 : 4M
56 : 256M
64 : 64M
80 : 8M
1G : 1G
2G : 2G
4G : 4G
8G : 8G
AG : 16G
BG : 32G
CG : 64G
DG : 128G
00 : NONE
6－7. organization
00 : NONE
08 : x8
16 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V
B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V)
D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V
R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)
T : 2.4V~3.0V
U : 2.7V~3.6V
V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V
0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/ nB
4 : Quad nCE & Single R/ nB
5 : Quad nCE & Quad R/ nB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
11. "─"
12. Package
A : COB
B : TBGA
C : CHIP BIZ
D : 63-TBGA
E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)
F : WSOP (Lead-Free)
G : FBGA
H : TBGA (Lead-Free)
I : ULGA (Lead-Free)
J : FBGA (Lead-Free)
K : TSOP1 (1217)
L : LGA
M : TLGA
N : TLGA2
P : TSOP1 (Lead-Free)
Q : TSOP2 (Lead-Free)
R : TSOP2-R
S : SMART MEDIA
T : TSOP2
U : COB (MMC)
V : WSOP
W : WAFER
Y : TSOP1
13. Temp
C : Commercial
I : Industrial
S : SmartMedia
B : SmartMedia BLUE
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
3 : Wafer Level 3
14. Bad Block
A : Apple Bad Block
B : Include Bad Block
D : Daisychain Sample
K : Sandisk Bin
L : 1~5 Bad Block
N : ini. 0 blk, add. 10 blk
S : All Good Block
0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
15. NAND-Reserved
0 : Reserved
16. Packing Type
- Common to all products, except of Mask ROM
- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)
17~18. Customer "Customer List Reference"
注:这里说的容量单位都是bit,要除以8才是我们常说的容量值.
K9GAG08U0M 详细信息如下:
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
G : MLC Normal
4~5. Density
AG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)
6. Technology
0 : Normal (x8)
7. Organization
0 : NONE 8 : x8
8. Vcc
U : 2.7V~3.6V
9. Mode
0 : Normal
10. Generation
M : 1st Generation
11. "─"
12. Package
P : TSOP1 (Lead-Free)
13. Temp
C : Commercial
14. Customer Bad Block
B : Include Bad Block
15. Pre-Program Version
0 : None
K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O 是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
芯片命名规则
MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插
电容的型号命名
电容的型号命名 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系） 电容的型号命名：
电容命名规则
三星电容例：CL10B104KA8NNNC 规格说明：CL=积层陶瓷电容 03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S 电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 10 0000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"." 如：3R3 = 3.3pF 误差： B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20% 承受的耐压： Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V 厚度： 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫
米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米 端头类别： A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% 产品： A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动 预留的用途包装方式： B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱
芯片封装命名规则
芯片封装之多少与命名规则 芯片封装之多少与命名规则 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三、PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。
村田瓷片电容命名规则
o Part Numbering (Part Number)Safety Standard Certified Ceramic Capacitors t Capacitance Expressed by three figures. The unit is pico-farad (pF). The first and second figures are significant digits, and the third figure expresses the number of zeros which follow the two numbers. o Individual Specification Code In case part number cannot be identified without "Individual Specification", it is added at the end of part number. Expressed by three-digit alphanumerics. three digits (q Product ID and w Series Category) express "Series Name". In case of Safety Certified Capacitors, first three digits express product code. The following fourth figure expresses certified type shown in r Safety Standard Certified Type column. t 102y M q DE u N3r KH e E3w 2i A o q Product ID w Series Category e Temperature Characteristics r Rated Voltage/Safety Standard Certified Type y Capacitance Tolerance u Lead Style i Packaging
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：
电容的型号命名方式
电容的型号的命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系）
电容的型号命名规则
电容的型号命名： 1、各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2、电容的标志方法： (1)直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 (3)色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金+100 R 黄-220 2 B 灰+30 S 绿-330 3 C 黑0 T 蓝-470 4 G ±30 U 紫-750 5 H 棕-30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红-80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙-150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是% 。 第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。 第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。 第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3、电容的主要特性参数： (1) 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。
电容器的型号命名方法及分类
电容器（capacitor）简称电容，也是组成电子电路的主要元件。它可以储存电能，具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。从某种意义上说，电容器有点像电池。尽管两者的工作方式截然不同，但它们都能存储电能。电池有两个电极, 在电池内部，化学反应使一个电极产生电子，另一个电极吸收电子。而电容器则要简单得多，它不能产生电子——它只是存储电子。它是各类电子设备大量使用的不可缺少的基本元件之一。各种电容器在电路中能起不同的作用，如耦合和隔直流、旁路、整流滤波、高频滤波、调谐、储能和分频等。电容器应根据电路中电压、频率、信号波形、交直流成分和温湿度条件来加以选用。 发展简况 傻瓜相机的闪光灯电容器 最原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。1874年德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现
在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器，1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器，1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。 基本原理 电容器是由两个电极及其间的介电材料构成的。介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，遂使束缚在极板上的电荷相应增加，维持极板间的电位差不变。这就是电容器具有电容特征的原因。电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U的乘积。电容量与极板面积和介电材料的介电常数ε成正比，与介电材料厚度(即极板间的距离)成反比。 电容量的单位是法。容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储1库仑的电量。1库仑为6.25e18（6.25*10^18，即625 亿亿）个电子。1安培表示每秒钟流过1库仑电子的电子流动速率，因此，容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储数量为1安培-秒的电子。1法的电容器通常相当大。根据电容器的电压承受能力的不同，它可能会有金枪
各大品牌电容的命名规则
各大品牌电容的命名规则 图1 SAMSUNG电容的命名 图2 MURATA电容的命名
图3 TDK电容的命名 图4 KYOCERA电容的命名 图5 TAIYO-YUDEN电容的命名 图6 KEMET电容的命名
图7 PANSONIC电容的命名
图8 YAGEO/国巨电容的命名 图9 华新（Walsin）电容的命名 图10 风华电容的命名
图11 宇阳电容的命名 SOD/SOT系列产 品1 产能：400kk/月 品种： 开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管、ESD保护二极 管、达林顿三极管、高压三极管、普通三极管、数字三极管、 稳压电路等。 封装： SOD-123 、SOD-323、SOD-523、SOT-23 、SOT-323、 SOT-363 、 SOT-523、SOT-89 、SOT-143、DFN 表面安装器件
产能：200kk/月 品种： 贴片整流二极管、快恢复二极管、超高速开关二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制二极管、固态放电管、双向触发二极管、贴片整流桥等。 封装： SOD-123FL 、 DO-213AA 、 DO-213AB 、 SMAJ 、 SMA 、 SMB 、 SMC 、DB-1、 DB-S 、TBS 、MBM 、 MBS 、SMAFL 、TO-277A 塑封二极管 Plastic Diode 产能：600kk/月 品种： 全系列塑封整流二极管 、 快恢复开关二极管 、 超高速二极管 各类电器专用二极管 、 肖特基系列二极管、固态放电管二极管 瞬态电压抑制二极管 、 双向触发二极管 、 变阻器二极管 高反压二极管 封装： R-1、A-405、A-405F 、DO-41、DO-15、DO-15L 、DO-15B R-3、DO-27、DO-27S 、R-6 汽车整流器 Automotive Rectifier
Atmel改变命名规则的芯片型号对照表
A t m e l改变命名规则的芯 片型号对照表 Prepared on 21 November 2021
ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMELATMLU702 DIP ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP ATMEL ATMLU706DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DIP ATMELATMLU708 DIP ATMEL ATMLU709 DIP ATMEL ATMLU710 DIP ATMEL ATMLU711 DIP ATMEL ATMLU712 DIP ATMEL ATMLU713 DIP ATMEL ATMLU714 DIP ATMELATMLU715 DIP ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP ATMEL ATMLU718 DIP ATMEL ATMLU719 DIP AT24C256BN-SH-T ATMEL ATMLU720 DIP AT24C256B-PU ATMEL ATMLU721 DIP AT24C256N-10SI18 ATMEL ATMLU722 DIP
ATMEL ATMLU723 DIP ATMEL ATMLU724 DIP AT24C32CN-SH-T ATMEL ATMLU725DIP ATMEL ATMLU726 DIP AT24C512BN-SH25-B ATMEL ATMLU727 DIP AT24C512BN-SH-B ATMELATMLU728 DIP AT24C512B-PU25 ATMELATMLU729 DIP ATMEL ATMLU730 DIP ATMEL ATMLU731 DIP ATMELATMLU732 DIP AT24C64CN-SH-B ATMELATMLU733 DIP AT24C64CN-SH-T ATMEL ATMLU734 DIP ATMEL ATMLU735 DIP ATMEL ATMLU736 DIP AT25DF041A-SH-B ATMEL ATMLU737DIP ATMEL ATMLU738 DIP ATMEL ATMLU739DIP AT26DF081A-SSU-SL965 ATMEL ATMLU740 DIP AT26DF081A-SU-SL965 ATMEL ATMLU741 DIP AT26DF161-SUATMEL ATMLU742DIP AT26DF321-SU ATMEL ATMLU743DIP AT27BV256-70JU ATMELATMLU744 DIP AT27C010-70PUATMEL ATMLU745 DIP
IC芯片命名规则大全
IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀： MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数 四字母后缀： B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围： C= 0℃ 至70℃（商业级） I =-20℃ 至+85℃（工业级） E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55?至+125℃（军品级） 5．封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，6 8 S:4，80
B:10，64 L:4 0 T:6，160 C:12，192 M:7，4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8（圆形） E:16 O:4 2 W:10（圆形） F:22，256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2，10 0 Y:8（圆形） H:44 R:3，8 4 Z:10（圆形） I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1．前缀： AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号 3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V 4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插
Atmel改变命名规则的芯片型号对照表
ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMEL ATMLU702 DIP AT24C02B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP AT24C04-10PU-2.7 ATMEL ATMLU706 DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DI P AT24C04N-10SU-2.7 ATMEL ATMLU708 DIP AT24C08A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU709 DIP AT24C08A-10TU-2.7 ATMEL ATMLU710 DIP AT24C08AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU711 DIP AT24C128-10PU-2.7 ATMEL ATMLU712 DIP AT24C128N-10SU-2.7-SL383 ATMEL ATMLU713 DIP AT24C16A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU714 DIP AT24C16A-10TI-1.8 ATMEL ATMLU715 DIP AT24C16AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP AT24C256B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU718 DIP AT24C256BN-10SU-1.8 ATMEL ATMLU719 DIP
芯片封装与命名规则
芯片封装与命名规则(转)2006-9-16 23:50:00 1 已推 一.DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP 封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二.QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装PQFP（Plastic Quad F lat Package） 封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三.PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足P GA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利
电容的型号命名
电容的型号命名 推荐 电容的型号命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470 4 G ±30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红 -80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙 -150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。 第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。 第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。 第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3．电容的主要特性参数：
集成电路命名方法
1、日本松下电器公司集成电路命名方法（PANASONIC） AN（电路种类）XXXX（电路序号） 电路种类： AN：模拟，DN：数字 M．J：研制型号，MN：MOS电路 2、日本三洋公司命名方法（SANYO） LA（电路种类）XXXX（电路序号） 电路种类： LA：双极线性电路，LB：双极数字电路 LD：CMOS电路，STK：厚膜电路 3、日本东芝公司集成电路命名方法（TOSHIBA） TA（电路种类）XXXX（电路序号）A（是否改进型）P（封装形式） 电路种类： TA：双极线性电路，TC：CMOS电路 TD：双极数字电路，TM：MOS电路 4、日本电气公司集成电路命名方法（NEC） UP（微型器件）C（电路种类）XXXX（电路序号） C（封装形式）X（改进型） 电路种类： A：分立器件B：数字双极器件 C：线性电路，D：数字CMOS 封装形式： C：塑料封装，陶瓷或陶瓷双列直插 5、欧洲电子联盟荷兰飞利浦公司（PHILIPS） TDA（模拟电路）XXXX（电路序号）P（封装形式） 6、德克萨斯仪器公司（TEXAS INSTRUMENTS CO） 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：N，NE—塑封DIP AC—先进双极IC NT—塑封DIP，24脚 SN—标准IC FN—塑料单层四方芯片载体TAC—CMOS逻辑阵列DJ—小外形封装 TL—线性电路 TMS—MOS存储器/微处理器 TC—CCD图像器 7、仙童公司（FAIRCHILD CO.） 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：F—扁平封装 F—仙童P—塑封DIP SH—混合T—小型DIP uA—线性D—陶瓷DIP 8、RCA公司 商标略！ 前缀字母含义：后缀字母含义：E—双列直插CA—线性IC EN—窄双列直插 CD —CMOS数字IC M—小型外塑封 PA—门阵列D—陶瓷双列直插 SC—标准单元 9、国家半导体公司 10、模拟器件公司（）
封装及命名规则
英文简称 英文全称 中文解释 图片 DIP Double In-line Package 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和 陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装， 应用范围包括标准逻辑IC ，存贮器LSI ，微机电路等。 PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC 封装方式，外形呈正方形，32脚 封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP 封装小得多。PLCC 封装适合用SMT 表面安装技术在PCB 上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。 PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP 封装的芯片引脚之间距离很小， 管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。 SOP Small Outline Package 1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装（SOP ）。以后逐渐派生出SOJ （J 型引脚小外形封装）、TSOP （薄小外形 封装） 、VSOP （甚小外形封装）、SSOP （缩小型SOP ）、TSSOP （薄的缩小型SOP ）及SOT （小外形晶体管）、SOIC （小外形集成电路）等。
以下就各种品牌具体说明 https://www.sodocs.net/doc/f216660516.html, 说明：1后缀CSA 、CWA 其中C 表示普通级，S 表示表贴，W 表示宽体表贴。 2 后缀CWI 表示宽体表贴，EEWI 宽体工业级表贴，后缀MJA 或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA 后缀均为普通双列直插。 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀：MAXIM 公司产品代号 2．产品系列编号： 100-199 模数转换器 600-699 电源产品 200-299 接口驱动器／接受器 700-799 微处理器 外围显示驱动器 300-399 模拟开关 模拟多路调制器 800-899 微处理器 监视器 400-499 运放 900-999 比较器 500-599 数模转换器 3．产品等级：由A、B、C、D 四类组成，A 档最高，依此B、C、D 档 4 ．温度范围： C= 0℃ 至 70℃（商业级） I =-20℃ 至 +85℃（工业级） E =-40℃ 至 +85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55℃ 至 +125℃（军品级） 5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 LLCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插 Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装) R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil) S 小外型封装 T TO5,TO-99,TO-100 U TSSOP,μMAX,SOT W 宽体小外型封装（300mil） X SC-70（3脚，5脚，6脚） Y 窄体铜顶封装 Z TO-92MQUAD /D 裸片 /PR 增强型塑封 /W 晶圆 6．管脚数量： A:8 B:10，64 C:12，192 D:14 J:32 K:5，68 L:40 M:7，48 N:18 S:4，80 T:6，160 U:60 V:8（圆形）
三星电容编码识别
三星电容编码识别 你看盘子的料号如下对比： CL 03 B 104 K Q 8 N N N C 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 系列编码： CL=积层陶瓷电容 2 尺寸编码 03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) 3 介质 I类II类 C=C0G S=S2H L=S2L P=P2H T=T2H R=R2H U=U2J A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S 4 容量 电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 1 00000 （单位pF） 如果中间一位为R 则表示"." 如：4R7 = 4.7pF 5 电容的误差： B=±0.1pf F=±1pf±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf? J=±5% Z=+80/-20% 6 额定电压 R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500V J = 2000V P =10V L =35V D =200V H = 630V K= 3000V 7 厚度： 3=0.30毫米A=0.65毫米M=1.15毫米I=2.00毫米Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米 8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米L=3.20毫米