微电子器件原理总结
三种管子的工作原理、符号、结构、电流电压方程、电导、跨导、频率
然后还有集边效应，二次击穿
双极型晶体管：
发射极电流集边效应：
（1）定义：由于p-n 结电流与结电压的指数关系，发射结偏压越高，发射极边缘处的电流较中间部位的电流越大
（2）原因：基区体电阻的存在引起横向压降所造成的
（3）影响：增大了发射结边缘处的电流密度，使之更容易产生大注入效应或有效基区扩展效应，同时使发射结面积不能充分利用
（4）限制：限制发射区宽度，定义发射极中心到边缘处的横向压降为kT /q 时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2S eff 。S eff 称为有效半宽度。
发射极有效长度 ：
（1）定义：沿极条长度方向，电极端部至根部之间压降为kT/q 时所对应的发射极长度称为发射极有效长度
（2）作用：类似于基极电阻自偏压效应，但沿Z 方向，作用在结的发射区侧
二次击穿和安全工作区：
（1）现象：当晶体管集电结反偏增加到一定值时，发生雪崩击穿，电流急剧上升。当集电结反偏继续升高，电流I c 增大到某—值后,cb 结上压降突然降低而I c 却继续上升，即出现负阻效应。
（2）分类：
基极正偏二次击穿（I b >0）、零偏二次击穿和（I b =0）、反偏二次击穿（I b <0）。
（3）过程：①在击穿或转折电压下产生电流不稳定性；
②从高电压区转至低电压区，即结上电压崩落，该击穿点的电阻急剧下降；
③低压大电流范围：此时半导体处于高温下，击穿点附近的半导体是本征型的；
④电流继续增大，击穿点熔化，造成永久性损坏。
（4）指标：在二次击穿触发时间t d 时间内，消耗在晶体管中的能量 ?=d
t SB IVdt E 0
称为二次击穿触发能量（二次击
穿耐量）。晶体管的E SB （二次击穿触发功率P SB )越大，其抗二次击穿能力越强。
（5）改善措施：
1、电流集中二次击穿
①由于晶体管内部出现电流局部集中，形成“过热点”，导致该处发生局部热击穿。
②导致电流局部集中的原因：
1.大电流下I e的高度集边。
2.原材料或工艺过程造成的缺陷和不均匀性。在缺陷处杂质扩散快，造成结不平坦、基区宽度W b不均匀等。
3.发射极条、基极条间由于光刻、制版等原因造成各部位尺寸不均匀而引起的电位分配不均匀。
4.总的I E在各小单元发射区上分配不均匀，边缘处散热能力强，中心处散热能力差，造成中心部位T j较高，
故二次击穿后熔融点多在中心部位。
5.由于烧结不良形成空洞而造成的局部热阻过大，使该处结温升高，电流增大。
6.晶体管的结面积越大，存在不均匀性的危险也越大，越易发生二次击穿。
③改善及预防措施：
1. 降低r b，以改善发射极电流集边效应;
2. 提高材料及工艺水平，尽可能消除不均勾性。
3. 改善管芯与底座间的散热均匀性，消除出于接触不良而形成的“过热点”。
4. 采用发射极镇流电阻。
2、雪崩注入二次击穿
①由集电结内的电场分布及雪崩倍增区随I c变化，倍增多子反向注入势垒区而引起
②改善及预防措施：
1. 增加外延层厚度，使W c≥BV ceo/E M。但这会使集电区串联电阻r cs增大，影响其输出功率。
2. 采用双层集电区结构增大外延层掺杂浓度，以增大雪崩二次击穿临界电流密度J co。
3. 采用钳位二极管。镇流电阻R E可以防止正偏二次击穿，钳位二极管D可以防止反偏二次击穿。
（6）安全工作区：
1、定义：晶体管能够安全工作的范围。一般用SOAR或SOA表示。由最大集电极电流I CM、雪崩击穿电压BV CEO、最
大耗散功率P CM及二次击穿触发功率P SB参数包围而成。
2、拓展方法：脉冲工作条件拓宽了晶体管的安全工作区，且随脉宽减小而扩大。
①脉冲信号的占空比越大，P SB越小，占空比＜5％时就不易损坏。
②固定占空比时，脉冲宽度越窄，P SB越大。而当脉宽＜100ms后，安全工作区已不再受二次击穿功率P SB的限制。当脉宽＞ls时，其测量结果与直流情况无异。
结型场效应晶体管：
一、工作原理：通过改变垂直于导电沟道的电场强度（栅极电压）来控制沟道的导电能力，从而调制通过沟道的电流。由于场效应晶体管的工作电流仅由多数载流子输运，故又称之为“单极型场效应晶体管”
二、符号： 三、结构：
（S —源极、G —栅极、D —漏极）
四、分类：
(1)结型栅场效应晶体管(缩写JFET 、体内场效应器件)
(2)肖特基栅场效应晶体管——金属-半导体场效应晶体管(缩写MESFET 、体内场效应器件)
(3)绝缘栅场效应晶体管(缩写IGFET 、表面场效应器件)
(4)薄膜场效应晶体管(缩写TFT 、表面场效应器件)
五、特点：
(1)体积小，重量轻
(2)FET 是一种通过输入电压的改变控制输出电流的电压控制器件。
(3)FET 的直流输入阻抗很高，一般可达109—1015Ω
(4)FET 类型多、偏置电压的极性灵活、动态范围大、其各级间可以采用直接耦合的形式。
(5)噪声低，特别适合于要求高灵敏度、低噪声的场合。
(6)热稳定性好。
(7)抗辐射能力强。
(8)相对于双极晶体管，制作工序少、工艺简单，有利于提高产品合格率、降低成本。
六、特性
(1)直流特性
①JFET 沟道夹断前的电流-电压方程
②饱和区电流-电压方程
③夹断电压V P0：沟道厚度因栅p +-n 结耗尽层厚度扩展而变薄，当栅结上的外加反向偏压V GS 使p +-n 结耗尽层厚度等于沟道厚度一半(h =a )时，整个沟道被夹断，此时的V
称为JFET 的夹断电压
V p0=V D -V p 表示整个沟道由栅源电压夹断时，栅p-n 结上的电压降
⑤最大饱和漏极电流I DSS
V GS =V D 时的漏极电流，又称最大漏源饱和电流。
减小沟道电阻率，增大JFET 的最大饱和漏极电流。通过控制a 准确控制I DDS 。
⑥栅源击穿电压BV GS
W
x a N q L A L R D n )(20-?==μρ平衡态沟道电阻
表示栅源之间所能承受的栅p-n 结最大反向电压。V DS =0时，此电压决定于n 型沟道区杂质浓度。V DS >0时，漏端n 区电位的升高使该处p-n 结实际承受的反向电压增大，所以实测的BV
值还与V 有关。
⑦漏源击穿电压BV DS 表示在沟道夹断条件下，漏源间所能承受的最大电压。
输出功率P o
⑧输出功率P 0
P o 正比于器件所能容许的最大漏极电流I Dmax 和器件所能承受的最高漏源峰值电压(BV DS -V Dsat )，其中I Dmax ≠I Dss
(2)交流小信号参数
DS
2.特性：
饱和区跨导随栅压幅度减小而增大，V GS =V D 时达到最大值G 0。
跨导的单位是西门子S(1S ＝1A/V)。
器件的跨导与沟道的宽长比W /L 成正比。
由于存在着沟道长度调制效应，所以 L 不能无限制地减小以得到好的饱和特性。
通常采用多个单元器件并联扩大沟道宽度的方法增大器件的跨导。
跨导随栅电压V GS 和漏电压V DS 而变化，当V GS =0，V DS =V Dsat 时，跨导达最大值。
②漏极电导g D
③高场迁移率的影响：
1.迁移率随场强上升而减小，导致漏极电流和跨导相对肖克莱模型减小，并随沟道场强而变化；
2.载流子达到极限漂移速度，使得漏极电流在沟道漏端夹断之前饱和，跨导趋于常数；
3.沟道漏端形成静电偶极层，承受漏极电流饱和后增加的漏极电压，并使沟道漏端不能夹断。
(3)频率特性参数：
①载流子渡越时间截止频率 f 0 由载流子从源端到漏端所需的渡越时间所限定的频率极限。
②特征频率f T
1时所对应的频率。
③最高振荡频率f M
共源组态下，本征管在输入、输出端均共轭匹配，且输出对输入的反馈近似为零，功率增益为1时的极限频率。
(4)功率特性参数：
①最大输出功率P M
V DS L 为沟道夹断时漏源间允许施加的最大电压； V K 或V KF 为拐点电压； I F 为最大输出电流；
R lm 为获得最大输出功率的负载电阻。
d
S gs T M g R R f f )(21+=
②最大输出电流I F
是沟道源端栅结空间电荷区消失时通过沟道的漏极电流。为栅结正偏电压值大小等于栅结内建电势差V D时的理论极限值。
③漏源击穿电压BV DS
1.定义：硅中、高频JFET的BV DS主要由栅空间电荷区的雪崩击穿电压决定。
2.产生原因：漏接触电极附近的电场过强；栅电极边缘处电场过强。
MOS型场效应晶体管：
一、工作原理：
表面场效应——当V GS =0V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D 、S 之间加上电压不会在D 、S 间形成电流。当栅极加有电压0＜V GS ＜V T 时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P 型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，将漏极和源极沟通，所以不足以形成漏极电流I D 。
二、结构 三、分类：
四、特性
(1)阈值电压
①定义：阈值电压V T 是栅极下面的半导体表面呈现强反型，从而出现导电沟道时所加的栅源电压。
栅源电压的作用： 1.抵消金-半之间接触电势差2.补偿氧化层中电荷 3.建立耗尽层电荷（感应结）4.提供反型的2倍费米势
②影响因素：
1.偏置电压的影响
V DS 、V BS
2.栅电容C ox
C ox 越大，单位电压的变化引起的电荷变化越大（阈值电压越小）
制作薄而致密的优质氧化层，可在一定程度上提高C ox
选用高介电常数材料并用SiO 2过渡以减少界面态
3.功函数差Φms
4.衬底杂质浓度的影响
5.氧化膜中电荷的影响
i A F F ox F A ox F ox B s ox B T n N q kT qN t C Q V C Q V ln 2]4[20210max max =+-=+-=+-=φφεεφεεφ其中（理想型）
学年自我鉴定【五篇】
学年自我鉴定【五篇】 【篇一】学年自我鉴定 时光如流水般匆匆逝去，弹指一挥间，大二的生活也已经结束了。回顾这一年来的付出和收获，有喜悦，有失落，有得到，也有失去。在领导、老师和同学们的关心、帮助下，通过自身不断努力，各方面均取得一定的进步。在这一年的时间里，也发生了不少改变，下面是我的大二全面总结，传承优点，改进不足。 在学习上，我始终严格要求自己，凭着对个人目标和知识的强烈追求，勤奋好学，态度端正，目标明确，基本上牢固的掌握了一些专业知识和技能，同时把所学的理论知识应用于实践活动中，把所学知识转化为动手能力、应用能力和创造能力，力求理论和实践的统一。 同时我勤奋刻苦，一直把“宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来”作为自己的座右铭，激励自己前进。面对浩瀚无涯的知识，我主动好学，求知若渴。在学习上有不懂的地方，虚心请教老师和同学，也热心帮助过同学。我积极参加考证培训，并利用业余时间，去图书馆看书，丰富自己的知识面。 在工作上，作为班级的生活服务委员，我认真落实各项工作措施，做到对全班同学负责，并调动同学们建设班级的积极性，与同学们一起朝着优秀班集体的目标奋斗。使大家能在良好的班级氛围中奋发图强，以健康向上的心态迎接每一天的挑战。努力的工作使我在学年结束时被评为优秀班干部。
暑期时，曾做过兼职工作，锻炼培养自己的工作能力，并从中积累经验，为大四的实习做好准备。这些兼职机会不仅丰富了自己的人生阅历，也极大得开阔了自己的眼界，还为以后的专业工作打下了坚实的基础。 在生活上，养成了良好的生活习惯，生活充实而有条理，有严谨的生活态度和良好的生活作风，拥有自己的良好出事原则，能与同学们和睦相处；积极参加各项课外活动，从而不断的丰富自己的阅历。 在心理方面，我锻炼坚强的意志品质，塑造健康人格，克服各种心理障碍，以适应社会发展要求。同时充分发扬艰苦朴素的生活作风，勤俭节约，自立自强。团结同学，与人为善，与同学相处融洽。与寝室同学关系，在共同生活中我学会了发现别人的优点，欣赏别人的优点，学习别人的优点，凡事多包容。 总的来说，我的大二生活是一段极其美好的时光，让我思想更加的成熟，学会用更理智的眼光去看待问题，冷静完善的处理学习、工作和生活上的问题。积极的人在每一次忧患中都看到一个机会，而消极的人则在每个机会都看到某种忧患。我将不断的改进自身的不足之处，追求进步，做一个勤奋努力，勇于超越的有为青年！【篇二】学年自我鉴定回首大三这一年来的生活，有渴望、有追求、有成功也有失败，我孜孜不倦，执着探求，百般锻炼，逐渐成为了一个能适应社会要求的新时代的大学生，并为以后的工作学习打下坚实的基础。
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
计算机组成原理名词解释
主机：CPU、存储器和输入输出接口合起来构成计算机的主机。 CPU：中央处理器，是计算机的核心部件，由运算器和控制器构成。 运算器：计算机中完成运算功能的部件，则ALU 和寄存器构成。 外围设备：计算机的输入输出设备，包括输入设备、输出设备和外存储设备。 数据：编码形式的各种信息，在计算机中作为程序的操作对象。 指令：构成计算机软件的基本元素，表示成二进制数编码的操作命令。 透明：在计算机中，从某个角度看不到的特性称该特性是透明的。 位：计算机中的一个二进制的数据代码（0或1），是数据的最小表示单位。 字：数据运算和存储单位，其位数取决于计算机。 字节：衡量数据量以及存储器容量的基本单位，1字节等于8位二进制信息。 字长：一个数据字包含的位数，一般为8位、16位、32位和64位等。 地址：给主存储器不同的存储位置指定的一个二进制编号。 存储器：计算机中存储程序和数据的部件，分为内存和外存两种。 存储器的访问：对存储器中数据的读操作和写操作。 总线：计算机中连接功能单元的公共线路，是一束信号线的集合。硬件：由物理元器件构成的系统，计算机硬件是一个能够执行指令的设备。 软件：由程序构成的系统，分为系统软件和应用软件两种。 兼容：计算机部件的通用性。 操作系统：主要的系统软件，控制其他程序的运行，管理系统资源并且为用户提供操作界面。 汇编程序：将汇编语言程序翻译成机器语言程序的计算机软件。 汇编语言：采用文字方式（助记符）表示的程序设计语言，其中大部分指令和机器语言中的指令一一对应。 编译程序：将高级语言的程序转换成机器语言程序的计算机软件。 解释程序：解释执行高级语言程序的计算机软件，，解释并执行源程序的语句。 系统软件：计算机系统的一部分，进行命令解释、操作管理、系统维护、网络通信、软件开发和输入输出管理的软件。 应用软件：完成应用功能的软件，专门为解决某个应用领域中的具体任务而编写。 指令流：在计算机的存储器与CPU之间形成的不断传递的指令序列。 数据流：在计算机的存储器与CPU之间形成的不断传递的数据序列。 接口：部件之间的连接电路，如输入输出接是主机与外围设备之间传递数据与控制信息的电路。 存储器的容量：是衡量存储器容纳信息能力的指标。主存储器中数据的存储一般是以字为单位进行。存储器中存储的一个字的信息如果是数据则称为数据字，如果是指令则称为指令字。
大三学年鉴定自我总结
篇一：大三学年自我鉴定评价 大三学年自我鉴定 时间匆匆流逝，转眼就到了大三，总结过去，有苦有甜，岁月的痕迹记载在大三学年自我鉴定，希望要写自我鉴定大学生有帮助。 回首三年的大学校园生活生涯和社会实践生活,有渴望,有追求,有成功也有失败,我孜孜不倦,不断地挑战自我,充实自己,为实现人生的价值打下坚实的基础. 在思想品德上,本人有良好道德修养,并有坚定的政治方向,我积极地向党组织靠拢,使我对我们党有可更为深刻的认识.参加了市直和中央,省属驻梅单位2004年度入党积极分子培训班的培训.本人遵纪守法,爱护公共财产,关心和帮助他人,并以务实求真的精神热心参与学校的公益宣传和爱国活动. 在学习上,我热爱自己的专业还,还利用课余时间专修计算机专业知识,使我能轻松操作各种网络和办公软件.曾获过三等奖学金,在书法和体育运动都获得好面的等级考试已达标.除了在专业知识方面精益求精外,平时我还涉猎了大量网络编程,网络管理与维护,网页设计等知识.并且相信在以后理论与实际结合当中,能有更大提高. 在生活上,我最大的特点是诚实守信,热心待人,勇于挑战自我,时间观念强,有着良好的生活习惯和正派作风.由于平易近人待人友好,所以一直以来与人相处甚是融洽,连续担任了分院的乒协的秘书长一职.在工作上,对工作热情,任劳任怨,责任心强,具有良好的组织交际能力,和同学团结一致,注重配合其他学生干部出色完成各项工作,得到了大家的一致好评. 三年的大学生活,使自己的知识水平,思想境界,工作能力等方面都迈上了一个新的台阶.在这即将挥手告别美好大学生活,踏上社会征途的时候,我整军待发,将以饱满的热情,坚定的信心,高度的责任感去迎接新的挑战,攀登新的高峰. 大三学年鉴定表 大时光飞逝，一个紧张而又充实的学年又过去了。在忙碌的大三里，无论是思想上还是在学习，工作上，我都收获很大。大三学年转瞬即逝，这一年给我自己留下了很多值得总结的东西，下面就几个主要方面进行个人总结。在思想政治方面：通过在校的学习，认真学习并掌握了马列主义，毛泽东思想和邓小平理论的基本原理，树立科学的世界观，人生观，价值观。努力培养了实事求是，严谨学习，独立思考，勇于创新的开拓精神，热爱自己的专业学习。具有正确的政治方向和饱满的政治热情，拥护的领导和社会主义制度，关心国家大事，热爱祖国，热爱人民，上进心强。我一如的坚定自己的政治信仰，不断学习各类书籍，努力提高自身素质！三年来，自己一直严格遵守学校制定的各项规章制度，积极参加学校组织的各项活动，虚心向老师、同学请教学习上的问题，学习他们的经验，能较好地完成各科学业。学习是忙碌的，繁重的，有时会感觉很累，有时候侯还得熬几个通宵，可是，我也充实着、快乐着，在学习中也得到了极大的锻炼和满足。学习上，吸取了前两年的经验和教训，我努力协调各方面时间，上课认真听讲，记好笔记，在阅读课外书的数量上有了大大的增多，坚持每个星期看专业书。学习是学生的天职，从大三开始，我们真正进入了专业课的学习阶段，这也增长了我们的专业知识、拓宽了我们的专业视野。大学学习最重要的是学会学习，掌握方法。由于专业课是我们第一次接触到，也深知专业课的重要性，所以在学习的过程中，重点把握规律性、富于创造性，独立思考，这也是我一直努力的方向。在学习中也收获了一份自信。在课余时间，我还充分利用学校的图书馆资源，抓紧时间阅读各方面的书本知识，以求提高自己的知识面，拓宽自己思考问题的角度。比起大一大二有了很大进步，成绩也明显有所提高。生活中，我充满感恩之心，努力善待身边的每一个人，做好生活中的每一件事情，我都可以和同学们友好相处，互帮互爱…回顾大学三年来，我似乎都在不停的学习，在进入大 四、即将面临毕业的时候我不得不停下来，好好思考。以往总是计划了一大堆，安排了很棒
计算机组成原理-名词解释培训资料
计算机组成原理-名词 解释
1.存储容量:是指存储器可以容纳的二进制信息量，用存储器中存储地址寄存器 MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。 2.寻址方式：寻址方式就是寻找操作数或操作数地址的方式。 3.机器字长：指CPU一次能处理二进制数据的位数 4.指令字长:一个指令字中包含二进制代码的位数。 5.存储字长：一个存储单元存储一串二进制代码（存储字） 6.MIPS——百万条指令/秒，运算速度单位 7.指令——一组二进制代码，由操作码和地址码组成 8.程序——若干指令或命令的集合 9.MAR——存储器地址寄存器，存放存储单元地址 10.MDR——存储器数据寄存器，存储字长 11.主频——CPU响应速度 12.CPI——执行一条指令所需周期数 13.FLOPS——每秒浮点运算次数 14.CPU——中央处理器，由运算器和控制器组成 15.PC——程序计算器，用于取指令并自动计数 16.IR——指令寄存器，分析指令 17.CU——控制单元，执行指令，产生微操作 18.ALU——运算单元，进行算数，逻辑运算 19.ACC——累加器，存放操作数和结果 20.MQ——乘商寄存器 21.X——操作数寄存器
22.I/0——输入/输出接口 23.总线——一种能由多个部件分时共享的公共信息传输线路 24.总线宽度——数据线的根数 25.总线带宽——每秒传输的最大字节数 26.存储器带宽——单位时间内从存储器进出信息的最大数量 27.汉明码——有一位纠错能力的编码 28.字：数据运算和存储的单位，其位数取决于具体的计算机。 29.字节：衡量数据量以及存储容量的基本单位。 30.字长：一个数据字中包含的位数，反应了计算机并行计算的能力。 31.接口：计算机主机与外围设备之间传递数据与控制信息的电路 32.端口：接口中的数据中转站 33.DMA 方式：直接存储器访问，直接依靠硬件实现主存与外设之间的数据直接传 输，传输过程本身不需CPU程序干预。 34.单级中断：CPU在执行中断服务程序的过程中禁止所有其他外部中断。 35.多级中断：CPU在执行中断服务程序的过程中可以响应级别更高的中断请求。 36.现场保护：CPU在响应中断请求时，将程序计数器和有关寄存器内容等系统的状 态信息存储起来，以使中断处理结束之后能恢复原来的状态继续执行程序，称为现场保护。 37.中断向量：外设在向CPU发出中断请求时，由该设备通过输入输出总线主动向 CPU发出的一个识别代码 38.中断屏蔽：CPU处理一个中断的过程中，对其他一些外部设备的中断进行阻止。
电力电子技术课程重点知识点总结
1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT，以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性，以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构，和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管（选用二极管时考虑的电压电流裕量） 7.单相半波可控整流的输出电压计算（P44） 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化（P45） 10.单相桥式全控整流电路中，元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压（思考题，书上没答案，自己试着算） 13.什么是自然换相点，为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图，波形图（P56、57、P58、P59、P60，对比着记忆），以及这些管子的导通顺序。
15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题：P95：1 3 5 13 16 17，重点会做 27 28，非常重要。 20.四种换流方式，实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路，以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题，P138 2 3题，非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比，如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。
学年总结鉴定表自我总结
学年总结鉴定表自我总结 篇一：大二学年个人总结鉴定表 大二学年个人总结鉴定表 转瞬又过去了一年。在这第二个学年里，我逐渐走向成熟，一年的时间我逐渐确立了明确的未来方向，一年的时间我向梦想又近了一步。 在学习上，我深知学习的重要性。大学时代是学习现代科学知识的黄金时代，我们应该抓住这个有利的时机，用知识来武装自己的头脑。为此我合理安排时间，调整好作息时间，分配好学习、工作、娱乐的时间。其次，保质保量的完成老师布置的作业，认真对待考试，大二的学习中，我尽管进步了，但离心中的目标还很远，仍需要努力，尤其是在过去的两年里自己一次奖学金也没有得到过，我应该抓紧学习，争取能有好成绩。思想上，思想端正，能吃苦耐劳，努力学习各个领域的知识来武装自己充实自己，积极提升自己的世界观，人生观，价值观，为成功奠定基础。多些与人为善为乐，用实际行动来展现当代大学生的风采。 在生活上,我崇尚质朴的生活，并养成良好的生活习惯和正派的作风。此外，对时间观念性十分重视。由于平易近人待人友好，所以一直以来与人相处十分融洽。在课余时间参加各种社会活动，并进行兼职，学到了很多做人的道理。
在工作中，对工作责任心强、勤恳踏实，认真完成导员安排的各项工作，积极团结同学，有奉献精神，积极参加学校，班级的团体活动。 在以后的大学生活中，我会努力朝着自己的目标前进，为以后的生活，工作创造更有利的条件。 篇二：学年自我鉴定范文 时光荏苒,光阴似箭。转眼间,在大学已经呆了一年多了。记得刚进大学时对大学充满了各种憧憬与希望。大学里一切事物都是那么新鲜,一年下来学到了很多,也感悟了很多。在一年的学习和工作中,有成功的喜悦,也有失败的辛酸。大学是社会的缩影,很多事物都要靠自己的实力去争取,去竞争,不仅要搞好自己的学习成绩,更要培养自己的人际交往的能力。因此,我不断地挑战自我,充实自己,为实现人生的价值打下坚实的基础。 在思想品德上,我认真学习思想道德修养,坚定自己的信念。在平日的学习、生活中,我积极地向党组织靠拢,使我对党有了可更为深刻的认识。并参加了学院组织的“入党积极分子”的培训。在学校遵纪守法、爱护公共设施、乐于关心和帮助他人,树立正确的人生观和价值观。并以务实求真的精神热心参与学校的公益宣传和爱国活动。 在学习上,经过一年的学习,我逐渐熟悉了大学的这
集成电路工艺认识实习报告
集成电路工艺认识实习报告 1.专题一MEMS（微机电系统）工艺认识 1.1 重庆大学微系统研究中心概况 重庆微光机电工程技术研究中心依托于重庆大学，主要合作单位有中国电子科技集团公司第二十四研究所等。中心主要从事MEMS设计、研发及加工关键技 术研究、产业化转化和人才培养。 中心建立了面向西南地区的“MEMS器件及系统设计开发联合开放实验室，拥有国际先进的MEMS和CMOS电路设计及模拟软件，MEMS传感器及微型分析仪 器的组装和测试设备。 1.2主要研究成果 真空微电子压力传感器、集成真空微电子触觉传感器、射频微机械无源元件、硅微低电压生化分析系统、折衍混合集成微小型光谱分析仪器、全集成硅微二维加速度传感器、集成硅微机械光压力传感器、硅微加速度阵列传感器、硅微力平衡电容式加速度传感器、反射式混合集成微型光谱分析系统、微型振动式发电机系统、真空微电子加速度传感器 1.3微系统中心主要设备简介 1.3.1. 反应离子刻蚀机 1.3.2双面光刻机 1.3.3. 键合机 1.3.4. 探针台
1.3.5. 等离子去胶机 1.3.6. 旋转冲洗甩干机 1.3.7. 氧化／扩散炉 1.3.8. 低压化学气相淀积系统 1.3.9. 台阶仪 1.3.10. 光学三维形貌测试仪 1.3.11. 膜厚测试仪 1.3.1 2. 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机
1.3.13. 箱式真空镀膜机 1.3.14. 槽式兆声清洗机 1.3.15.射频等离子体系统 1.4MEMS的主要特点 体积小，重量轻，材料省，能耗低；完整的MEMS一般是由微动力源、微致动器、微传感器组成，智能化程度高，集成度高；MEMS整体惯性小，固有频率高，响应快，易于信号实时处理；由于采用光刻、LIGA等新工艺，易于批量生产，成本低；MEMS可以达到人手难于达到的小空间和人类不能进入的高温，放射等恶劣环境，靠MEMS的自律能力和对微机械群的遥控，可以完成宏观机械难于完成的任务。 1.5MEMS器件的应用 1.5.1 工业自动控制领域 应用MEMS器件对“温度、压力、流量”三大参数的检测与控制，目前普遍采用有微压力、微流量和微测温器件 1.5.2生物医学领域 微型血压计、神经系统检测、细胞组织探针和生物医学检测，并证实MEMS器件具有再生某些神经细胞组织的功能。
计算机组成原理名词解释问答
计算机系统：是一个由硬件和软件组成的复杂系统 硬件：指构成计算机的物理实体 软件：计算机程序、过程、规则及与这些程序、过程、规则有关的文档，以及从属于计算机系统运行的数据 存储程序：计算机的用途和硬件完全分离。硬件采用固定逻辑提供某些固定不变的功能。通过编制不同的过程来满足不同用户对计算机的应用需求 主机：将一系列硬件都安装在一个机箱内部的机架上，机箱及其上硬件被统称为主机 虚拟机：通过解释和翻译，使用户在使用计算机时仅看到软件界面而不必了解计算机内部的结构和工作原理 主存储器：主板上可以被处理器直接访问的存储器。断电或关机后其上的数据会消失 辅助存储器：在计算机系统断电或关机后不会令存储在其中的信息消失的存储介质 透明性：下一层机器的属性在上一层机器的程序员看来是透明的；计算机系统中客观上存在的事务或属性，从某个角度去看好像是不存在的 吞吐率：指计算机系统在单位时间内完成的任务数 响应时间：指用户在输入命令或数据后到得到第一个结果的时间间隔 软件兼容性：分为向上（下）兼容和向前（后）兼容。向上（下）兼容：为某档机器编制的软件，不加修改就可以正确运行在比它更高（低）档的机器上。向前（后）兼容：为某个时期投入市场的某种型号机器编制的软件，不加修改就可以正确运行在比它早（晚）投入市场的相同型号机器上 可伸缩性：指一个计算机系统能够在保持软件兼容性的同时，不仅可以通过向上扩展性能和功能，还能通过向下收缩来降低价格 C/S模式：客户机与服务器结构。网络上的计算机根据所担当角色不同被分为客户机或服务器。客户机提出请求，接受结果不做太多运算，服务器接受请求，进行处理并返回结果。计算机体系结构：程序员所看到的机器属性，即机器的概念性结构和功能特性 计算机组成：计算机结构的逻辑实现，一种计算机体系结构可由多种不同的计算机组成 计算机实现：计算机体系结构的物理实现，一种计算机组成可由多种不同的计算机实现，是计算机体系结构和组成的基础 主存：又称内存，是CPU能直接寻址的存储空间 辅存：又称外存，CPU不直接访问的存储器 相关联存储器：也称按内容访问的存储器，是通过存储内容的片段来访问的存储器 易失性：在电源关闭时不能保存数据的性质 随机访问的存储器：分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种，周期均等 顺讯访问存储器：存储单元的访问周期随其地址的增大而增加的存储器 访问时间Ta：指从一个读（写）存储器开始到存储器发出完成信号的时间间隔 访问周期Ta：指从一个读（写）存储器操作开始到下一个存储器操作能够开始的最小时间间隔 双口RAM：是在一个SRAM存储器上具有两套完全独立的数据线，地址线和读写控制线，并允许两个独立的系统同时对该存储器进行随机性访问 存储器访问的局部性原理：对一小块聚集的指令或数据的访问只会持续一段时间。然后处理器的访存地址将转移到存储器的其他区域，但在转移到其他区域后又将对一小块相对聚集的程序或数据反复访问的现象 模N交叉存储器：多模块并采用交叉方式进行地址分配的存储器 Cache：高速缓存存储器，介于主存和处理器之间 存储器带宽：每秒传送的二进制位数
电力电子技术总结
1、电力电子技术的概念：所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。 2、电力电子技术的诞生是以 1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。 3、晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。对 晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式，简称相控方式。4、70年代后期，以门极可关断晶闸管（ GTO ）、电力双极型晶体管（ BJT ）和电力场效应晶 体管（Power-MOSFET ）为代表的全控型器件迅速发展。 5、全控型器件的特点是，通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通又可使其关断。 6、把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起，构成电力电子集成电路（ PIC ）。 第二章 1、电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。 ◆为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在开关状态。◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。 ◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器2、电力电子器件的功率损耗 3、电力电子器件的分类 （1）按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件：?主要是指晶闸管（Thyristor ）及其大部分派生器件。 ?器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。◆全控型器件：?目前最常用的是 IGBT 和Power MOSFET 。 通态损耗断态损耗开关损耗 开通损耗关断损耗
?通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。 ◆不可控器件：?电力二极管（Power Diode）?不能用控制信号来控制其通断。（2）按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型：?通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 ?仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控 制。 （3）按照驱动信号的波形（电力二极管除外） ◆脉冲触发型 ?通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开通或者关断的控 制。 ◆电平控制型 ?必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件 开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。 4、几种常用的电力二极管：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管 肖特基二极管优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此， 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。 弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此 多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。 5、晶闸管除门极触发外其他几种可能导通的情况 ◆阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应◆阳极电压上升率du/dt过高 ◆结温较高◆光触发
本科生学年自我鉴定(精选)
本科生学年自我鉴定（精选）新的一学年过去，面对新的学习生活，对过去的学年中的学习情况有许多的感慨，为更好地完成新学年的学习生活，现将以往的学习情况进行总结。请看我的大学学年自我鉴定： 本科生学年自我鉴定第一篇 本人自入学以来，一直遵守学校的各项规章制度，具有良好的思想道德品质，各方面表现优秀。有强烈的集体荣誉感和工作责任心。 思想上，本人有良好的道德修养，热爱祖国，热爱人民。坚决拥护共产党领导和社会主义制度，遵纪守法，爱护公共财产，团结同学，乐于助人，关心国家大事。 学习上，我认真完成了学校安排的所有课业任务，课上踊跃配合老师，课下做好对课程的预、复习工作在学期末进项的两次全校考核中，均以优异成绩全科通过，并获得一等奖学金，“三号学生”的荣誉。 生活上，我崇尚质朴的生活，并养成了良好的生活习惯和正派的作风。此外，对时间观念性十分重视。由于平易近人待人友好，所以一直以来与人相处甚是融洽。在课余时间，经常积极参加体育锻炼，增强身体素质，并且十分热爱劳动。 在这一年里，我学到了很多东西，但我知道要学的还很多，在今后的学习、生活、工作中还要不断提高自己，充实自己，完善自己，展示自己，使自己成为一个有理想、有道德、有文化、有纪律的学生! 本科生学年自我鉴定第二篇 新的一学年过去，面对新的学习生活，对过去的学年中的学习情况有许多的感慨，为更好地完成新学年的学习生活，现将以往的学习情况进行总结。请看我的大学学年自我鉴定：
大二这学年的学习生活是我人生的一大转折点。不满足于现状的我在大一做出的辉煌成绩，而是在已打下的初步基础上不断的挑战自我、充实自己，为实现人生的价值打下更加坚实的基础而不懈努力。我个人认为我本人这学年的校园生活主要由二个主要部分组成:校园学习生涯和社会实践生活。 一直都认为人应该是活到老学到老的我对知识、对本专业一丝不苟，因而在成绩上一直都得到肯定，每学年都获得奖学金。在不满足于学好理论课的同时也结合我的专业性质注重于对各种应用软件和硬件的研究。因此课余的时候我就在外面做起了兼职，也经常就同学和朋友电脑硬件和软件的方面的问题给予以热情的帮助和解答。 有广泛爱好的我特别擅长于排版及网页设计和多媒体的制作，同时对企业的数据库原理和应用产生了浓厚的兴趣，并利用课余和假期时间自修完了这方面的相关课程。我在就任体育委员的同时也参加了校青年志愿者协会和计算机协会，并任活动部长和外联部长职。在日常活动中，我工作热情负责、任劳任怨，勇于开拓进取，和协会内成员团结一致。一年间我牵头组织了由校互联网协会和长江电脑公司合作专门针对在校学生的"和装机零距离"大型讲座活动。由校志愿者提供相关服务人员和活动场地，由恒锋电脑科技有限公司提供技术和设备，共同举办了"个人电脑软硬故障免费维修"和"个人电脑系统维护和修复"等现场咨询活动。从中不但服务了在校学生，提高和加深了他们对计算机的兴趣和了解，而且还为电脑公司赢得他们所期望的利润和效益，学校的各种活动我都热情的参加，在20xx下半年至20xx上半年间参加学院组织的网面设计大赛，并获得不错的成绩，与同学合作做出属于我们班级的自己的主页。在本学年由我们学院组织的校篮球和排球的比赛中，我也以身作则，积极挑选队员备战。功夫不负有心人，我们终于改写我们班在大一的体育各项比赛中不景气的历史:虽然没有做到出类拔萃，但也有所突破。 为学生的我在修好学业的同时也注重于对社会的实践。本着学以致用，实践结合理论的思想，20xx年暑假我以熟练的计算机技术应聘入长江电脑公司技术部任兼职售后服务人员，并被聘为翔胜电脑公司在湖大的校园总代理。自身对这方面有坚实基础和浓厚兴趣的我在出的出色为公司客户服务的过程中，也
晶体加工工艺总结
晶体加工工艺总结（德清华瑞光学） 晶体加工 1、方解石：光轴面抛光后不能用白胶布保护，必需用黑胶布。光轴面B=Ⅲ，用玻璃盘细磨，细磨光圈半个左右。抛光：用绸布（真丝布）绑在抛光好的平玻璃板上，一定要平，然后用704粘合剂均匀地涂在绸布上，未干时放在平玻璃板上轻轻磨一下，然后等完全干透。 2、白宝石、红宝石：要求B=Ⅳ，θ=1′，N=1，ΔN=1/2。一般用钢盘加研磨膏抛光，钢盘一定要改好。如果B要求较高，可用特殊胶盘。细磨一定要好。 3、磁光（旋光）晶体：YIG、GGG。细磨一定用碳化硼280#，20#，抛光先用宝石粉W2.5抛亮后，再用刚玉微粉W1.5抛，用水晶作垫子。 4、BBO，微潮，磨砂用302#、302.5#。在铁盘或玻璃盘上磨。抛光用CeO2可抛好。晶体易开裂，加工时及加工前后均应注意保持恒温。并要求选取无包裹的纯单晶加工，有方向要求。BBO晶体较软，易划伤，抛光面不可与任合物擦拭。BBO晶体易潮解，抛光后置于红外灯下烘干，然后置于密封干燥的容器中保存。 5、氟化钙（CaF2）B=Ⅲ，可用CeO2抛好。用302#、303#磨砂，用宝石粉抛亮后，改用钻石粉水溶液抛光圈和道子。用宝石粉W1抛光很快，然后用W0.5 抛光圈和道子。用聚胺树脂作抛光模范，也可用宝石粉抛亮后用氧化铬抛光，胶盘用软胶盘，工件最好抛高光圈，但不必高太多。 6、LBO材料硬度与K9相似，点胶上盘，如封蜡可用电烙铁直接封，研磨、抛光同K9玻璃相似，用CeO2抛光。 7、氟锂锶锂：软晶体、易坏，B=Ⅱ，上盘用红外灯慢慢加热。在清洗时不可多擦表面，否则易出道子。用氟化锂做保护片，W1.５刚玉粉抛亮后改用Ｗ０.５钻石微粉水溶液抛光。用CeO2抛光也可抛好。（５００目） 8、KTP晶体：硬度和ＺＦ相差不多，用ＺＦ做保护片，进行抛光。ＫＤ＊Ｐ、ＫＴ＊Ｐ，用软胶盘（一般用特殊配制的胶盘），也可用１＃（天较冷）２＃（天较热）号胶盘，抛光后用洗砂倒边。ＫＤ＊Ｐ易潮解、易碎，抛光时温度、湿度要求较高。 9、双４５°ＬＮ电光Ｑ开关：双４５°ＬＮ电光Ｑ开关是一种利用ＬＮ晶体作材料加工成的斜方棱镜，有六个加工面，其中四个面抛光，另两个面只须定向和研磨。在四个抛光面中，入射面、出射面为晶体Ｙ晶面。入射面、出射面的夹角为４５°±１′，电极面为Ｘ晶面，须镀金。加工时首先要确定Ｙ基准面，Ｘ、Ｙ晶面的衍射角为θ（１１０）＝１７°２４′和θ（３００）＝３１°１２′。上盘用石膏模固定，配盘材料用ＬＮ或与ＬＮ相似的Ｋ９玻璃。加工时入射面、出射面主要控制几何尺寸和平行度，技术要求：Ｎ＝１/４、Ｂ＝Ⅲ，θ≤１０〞。加工第一个４５°反射面主要控制角度和塔差，第二个４５°反射面除控制零件的长度外，还要控制光线经过四个抛光面反射后所反映出来的综合平行度。由于光线在晶体内部经过四次反射，因此测量综合平行度只是分划板读数的１／４n（n为ＬＮ折射率）通常要求θ≤１０〞。ＬＮ电光Ｑ开关的两个４５°反射面的粗糙程度的好坏与晶体抗激光损伤能力密切相关。ＬＮ属于铁电晶体，当抛光级剂选用不当时会出现抛不亮或返毛现象，可通过选高熔点的抛光剂或在溶液中加入ＨＣＬ或肥皂粉，如果仍不行须重新磨砂。 10、Mg2SiO4 (镁橄榄石)晶体，莫氏硬度为7，抛光较难。 1、用聚胺树脂硬胶盘加Ｗ3.５、Ｗ2.５宝石研磨膏抛光，大约要5~6小时，一天左右可抛亮。 2、抛亮厚用Ｗ０.５钻石微粉水溶液改光圈。低光圈较难改。 11、SeZn晶体，软晶体。磨砂用302#、302.5#在玻璃盘上，抛光用软胶盘，先用W1.
电力电子总结完美版
一、填空题 1、对SCR 、TRIAC 、GTO 、GTR 、Power MOSFET 、这六种电力电子器件，其中要用交流 电压相位控制的有SCR TRIAC 。可以用PWM 控制的有GTO GTR Power MOSFET IGBT;要用电流驱动的有SCR TRIAC GTO GTR (准确地讲SCR 、TRIAC 为电流触发型 器件)，要用电压驱动的有Power MOSFET IGBT ；其中工作频率最高的一个是Power MOSFET ，功率容量最大的两个器件是SCR GTR;属于单极性的是Power MOSFET;可能发生 二次击穿的器件是GTR,可能会发生擎住效应的器件是IGBT ；属于多元集成结构的是Power MOSFET IGBT GTO GTR 。 2、SCR 导通原理可以用双晶体管模型来解释，其触发导通条件是阳极加正电压并且门极有触发电流，其关断条件是阳极电流小于维持电流。 3、GTO 要用门极负脉冲电流关断，其关断增益定义为最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值的比即off β=ATO GM I I ，其值约为5左右,其关断时会出现特殊的拖尾 电流。 4、Power MOSFET 通态电阻为正温度系数；其定义式为= |DS DS U GS I ≥0，比较特殊的是器件体内有寄生的反向二极管，此外，应防止其栅源极间发生擎住效应。 5、电力二极管额定电流是指最大工频正弦半波波形条件下测得值，对于应用于高频电力电子电路的电力二极管要用快恢复型二极管，但要求其反向恢复特性要软。 6、在电力电子电路中，半导体器件总是工作在开关状态，分析这类电路可以用理想开关等效电路；电力电子技术的基础是电力电子器件制造技术，追求的目标是高效地处理电力。 7、硬开关电路的电力电子器件在换流过程中会产生较大的开关损耗，主要原因是其电压波形与电流波形发生重叠，为了解决该缺陷，最好使电力电子器件工作在零电压开通，零电流关断状态；也可采用由无源元件构成的缓冲技术，但它们一般是有损耗 的。 8、电力电子电路对功率因数的定义与线性电路理论的定义在本质上的差别是有基波因数。 9、交流调压电路采用由两个SCR 反并联接法组成交流开关作为控制，若交流电路的大感性 负载阻抗角为80度，则SCR 开通角的移相范围80度到180度。 10、SCR 三相全控变流电路带直流电动机负载时，其处于整流状态时触发角应满足小于90度 条件；其处于有源逆变状态时触发角应满足大于90度 条件；SCR 的换流方式都为电网 换流。 11、有源逆变与无源逆变的差异是交流侧接在电网上还是接在负载上；加有续流二极管的任何整流电路都不能实现有源逆变的原因是负载被二极管短路不能产生负电压。逆变角的定义是α>90度时的控制角βπα=- 12、电压源逆变器的输出电压是交流方 波；其逆变桥各臂都要反并联 二极管。 13、SPWM 的全部中文意思是正弦脉冲宽度调制，这种技术可以控制输出交流的大小；产 生SPWM 波的模拟法用自然采样法。而计算机则采用规则采样法。 14、单端正激式DC/DC 变换电路要求在变压器上附加一个复位 绕组，构成磁复位 电路； 反激式DC/DC 变换电路与Buck-Boost 直流斩波器类似。 15、肖特基二极管具有工作频率高 ，耐压低 的应用特点。肖特基二极管具有反向恢复时间短，正向压降小，耐压低，效率高等特点。 16、GTR 关断是工作点应在 截止 区，导通时工作点应在 饱和 区；它有可能因存在 二 次击穿而永久失效的缺陷。
大学生学年自我鉴定
大学生学年自我鉴定 篇一：大学生学年>自我鉴定 一学年的学习任务又已接近尾声，默然回首，这一年来虽没有轰轰烈烈的战果，但在潜移默化中仍取得了许多不可磨灭的成绩。为了发扬成绩，弥补不足，以利于今后的工作和学习，特自我鉴定如下： 从****年入校就读以来，一直以严谨的态度和满腔的热情投身于学习中，虽然有成功的喜悦，但也有失败的辛酸。然而日益激烈竟争的社会也使我充分地认识到：成为一名德智体美劳全面发展的优秀大学生的重要性。因此，我仍然孜孜不倦，不断地挑战自我，充实自己，为实现人生的价值打下坚实的基础。 思想品德方面 我有着良好道德修养，坚定的政治方向。在平日的学习、生活中，我积极地向党组织靠拢，使我对党有了可更为深刻的认识。并参加了学院组织的“入党积极分子”的>培训。在学校遵纪守法、爱护公共设施、乐于关心和帮助他人，勇于批评与自我批评，树立了正确的人生观和价值观。并以务实求真的精神热心参与学校的公益宣传和爱国活动。 本人一贯具有热爱祖国，热爱党的优良传统，思想上积极要求上进，认真学习“>三个代表”重要思想和“与时俱进”的时代特色，以一名新世纪团员的要求时刻鞭策自己。这一年来我始终坚持自强不息，立志成材的信念，始终保持着昂扬的斗志和坚韧不拔的作风，坚定不移地朝着既定的奋斗目标前进。 学习方面 严格要求自己，凭着对个人目标和知识的强烈追求，刻苦钻研，勤奋好学，态度端正，目标明确，基本上牢固的掌握了一些专业知识和技能，同时把所学的理论知识应用于实践活动中，把所学知识转化为动手能力、应用能力和创造能力，力求理论和实践的统一。在学习和掌握本专业理论知识和应用技能的同时，还注意各方面知识的扩展，广泛的涉猎其他学科的知识，从而提高了自身的思想文化素质，为成为一名优秀的大学生而不懈奋斗 身体、心理素质方面 在生活上，养成了良好的生活习惯，生活充实而有条理，有严谨的生活态度和良好的生活作风，为人热情大方，诚实守信，乐于助人，拥有自己的良好出事原则，能与同学们和睦相处；积极参加各项课外活动，从而不断的丰富自己的阅历。在心理方面，我锻炼坚强的意志品质，塑造健康人格，克服各种心理障碍，以适应社会发展要求。
微电子器件原理总结
三种管子的工作原理、符号、结构、电流电压方程、电导、跨导、频率 然后还有集边效应，二次击穿 双极型晶体管： 发射极电流集边效应： （1）定义：由于p-n 结电流与结电压的指数关系，发射结偏压越高，发射极边缘处的电流较中间部位的电流越大 （2）原因：基区体电阻的存在引起横向压降所造成的 （3）影响：增大了发射结边缘处的电流密度，使之更容易产生大注入效应或有效基区扩展效应，同时使发射结面积不能充分利用 （4）限制：限制发射区宽度，定义发射极中心到边缘处的横向压降为kT /q 时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2S eff 。S eff 称为有效半宽度。 发射极有效长度 ： （1）定义：沿极条长度方向，电极端部至根部之间压降为kT/q 时所对应的发射极长度称为发射极有效长度 （2）作用：类似于基极电阻自偏压效应，但沿Z 方向，作用在结的发射区侧 二次击穿和安全工作区： （1）现象：当晶体管集电结反偏增加到一定值时，发生雪崩击穿，电流急剧上升。当集电结反偏继续升高，电流I c 增大到某—值后,cb 结上压降突然降低而I c 却继续上升，即出现负阻效应。 （2）分类： 基极正偏二次击穿（I b >0）、零偏二次击穿和（I b =0）、反偏二次击穿（I b <0）。 （3）过程：①在击穿或转折电压下产生电流不稳定性； ②从高电压区转至低电压区，即结上电压崩落，该击穿点的电阻急剧下降； ③低压大电流范围：此时半导体处于高温下，击穿点附近的半导体是本征型的； ④电流继续增大，击穿点熔化，造成永久性损坏。 （4）指标：在二次击穿触发时间t d 时间内，消耗在晶体管中的能量 ?=d t SB IVdt E 0 称为二次击穿触发能量（二次击 穿耐量）。晶体管的E SB （二次击穿触发功率P SB )越大，其抗二次击穿能力越强。 （5）改善措施： 1、电流集中二次击穿 ①由于晶体管内部出现电流局部集中，形成“过热点”，导致该处发生局部热击穿。
计算机组成原理名词解释
主机：CPU、存储器和输入输岀接口合起来构成计算机的主机。 CPU :中央处理器，是计算机的核心部件，由运算器和控制器构成。 运算器：计算机中完成运算功能的部件，则ALU 和寄存器构成。 外围设备：计算机的输入输岀设备，包括输入设备、输岀设备和外存储设备。 数据：编码形式的各种信息，在计算机中作为程序的操作对象。 指令：构成计算机软件的基本元素，表示成二进制数编码的操作命令。 透明：在计算机中，从某个角度看不到的特性称该特性是透明的。 位：计算机中的一个二进制的数据代码（0或1），是数据的最小表示单位。 字：数据运算和存储单位，其位数取决于计算机。 字节：衡量数据量以及存储器容量的基本单位，1字节等于8位二进制信息。 字长：一个数据字包含的位数，一般为8位、16位、32位和64位等。 地址：给主存储器不同的存储位置指定的一个二进制编号。 存储器：计算机中存储程序和数据的部件，分为内存和外存两种。 存储器的访问：对存储器中数据的读操作和写操作。 总线：计算机中连接功能单元的公共线路，是一束信号线的集合。 硬件：由物理元器件构成的系统，计算机硬件是一个能够执行指令的设备。 软件：由程序构成的系统，分为系统软件和应用软件两种。 兼容：计算机部件的通用性。 操作系统：主要的系统软件，控制其他程序的运行，管理系统资源并且为用户提供操作界面。 汇编程序：将汇编语言程序翻译成机器语言程序的计算机软件。 汇编语言：采用文字方式（助记符）表示的程序设计语言，其中大部分指令和机器语言中的指令一一对应。 编译程序：将高级语言的程序转换成机器语言程序的计算机软件。 解释程序：解释执行高级语言程序的计算机软件，解释并执行源程序的语句。 系统软件：计算机系统的一部分，进行命令解释、操作管理、系统维护、网络通信、软件开发和输入输出管理的软件。 应用软件：完成应用功能的软件，专门为解决某个应用领域中的具体任务而编写。 指令流：在计算机的存储器与CPU之间形成的不断传递的指令序列。 数据流：在计算机的存储器与CPU之间形成的不断传递的数据序列。 接口：部件之间的连接电路，如输入输岀接是主机与外围设备之间传递数据与控制信息的电路。 存储器的容量：是衡量存储器容纳信息能力的指 标。主存储器中数据的存储一般是以字为单位进行。存储器中存储的一个字的信息如果是数据则称为数据字，如果是指令则称为指令字。 原码：带符号数据表示方法之一，用一个符号位表