晶体管测试仪简介

开始/测试按键

SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座

DC 电源接口

LCD 显示屏

开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座

一. 产品概述

本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。

二. 注意事项

● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。

● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。

三. 技术指标

电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF

电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω

四. 使用方法

a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。

b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。

c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。

d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。

五. 校准

短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。之后屏幕提示断开1，

2，3

测试点，断开后继续，直到提示校准结束。

POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe Socket

DC IN LCD Screen POWER/TEST

Small Devices Container Plug-in Devices Socket

1. Product Description

This Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test di?erent kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET.

2. Cautions

● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one .

3. Measuring parameters

Resistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω

4. Instructions

a. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power o? 20 seconds after measurement.

b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected.

c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature.

5. Calibration

Short the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to con?rm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration ?nish.

晶体管测试仪

大屏幕

128*64点阵屏

倾斜设计

大视角

左右按键

大体积，操作简便

方便左手或右手操作

多种供电方式

电池：9V（6F22，万用表电池)

DC供电：9~12V

贴片测试

支持多种不同的封装

的SMD器件：

贴片电感，电容

SMA，SMB，SMC，

TO-252，SOT23，

SOP8, 0603,0805，

1206等

插件测试

弹片式插座

支持各种2或3脚插件

类器件

电解电容放电

电解电容测试前需先放电

内部提供1K /1W 的放电电阻，最大支持2000uF/50V电容

可外接探头

提供外部探头插座：

支持万用表笔

支持鳄鱼夹

支持电容测试夹

ESR阻值表

附电解电容ESR值参考表

方便用户判断电容是否合格

此表参数仅供参考，不同厂家生产的电容，

ESR值可能不一样。

贴心小元件放置区

防止小元件掉落或被风吹走

元件分类，方便查找

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明 输入电压：直流6.8V-12V 工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测 ●晶体管测试仪控制 测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。 在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。 在一次测试完成后，如果没有检测到器件。长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。当需要从某个功能里退出时，则长按开关。 ●测试器件 测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。这三个测试点在测试座里的分布如下：

在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3 测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。 测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。要再一次测试则按一次开关。 测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。 ●校准 测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。校准分为快速校准和全功能校准。 快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。进入快速校准过程后，屏幕上会出现一些数据，不用管他。等待直到屏幕上出现闪烁的字符串“isolate Probes!”后，去掉短接TP1、TP2、TP3的导线。直到屏幕出现字符串“Test End”后，快速校准完成。首次校准时，使用全功能校准方式。 全功能校准需要从功能菜单里进入，还需要另外准备一个220nf的电容器。全功能校准执行更加全面的校准过程，会花费更长的时间。进入功能菜单后，旋转测试按钮来到菜单项“Selftest”,然后按下测试按钮就进入全功能校准过程，屏幕上首先冒出闪烁的字符串“short Probes!”, 这时和快速校准一样，用导线把三个测试点短接，等待校准过程进行，在屏幕冒出闪烁的字符串“isolate Probes!”时，去掉短接在三个测试点的导线，继续等待校准过程进行，在屏幕冒出字符串“1-||-3 > 100nf”时，把准备好的220nf电容器安装在测试点TP1和TP3上。等待直到屏幕提示“Test End”,全功能校准过程完成。 ●功能菜单 Switch off 关机。 Transistor 晶体管测试，也即是开机后的默认功能。 Frequency 测量频率。长按测试按钮可以退出频率测量功能。频率测量范围从1Hz到1MHz以上，当被测频率低于25KHz时，显示周期。 f-Generator 方波发生器，有多档方波频率可选，左旋或右旋测试按钮切换不同的方波频率，长按测试按钮退出方波发生器。 10-bit PWM 脉冲信号发生器，左旋或右旋测试按钮调节脉冲的占空比，从1% - 99%。长按测试按钮退出脉冲信号发生器。 C+ESR@TP1:3 电容在线测量功能，可以从TP1和TP3引出两根导线，对2uF-50mF 电容器在线测量其电容值和ESR，注意测试前被测电容需完全放电，如果是在线测量，电容所在的电路需完全断电后才能进行。 1- - 3 电阻连续测量方式，不断测试安装在TP1和TP3上的电阻值，电感值。被测电阻小于2100欧姆时才会测量其电感，电感测量范围从0.01mH-20H .长按测试按钮退出。

三极管工作原理分析精辟透彻看后你就懂

三极管工作原理分析，精辟、透彻，看后你就懂 随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。 3、饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic 的产生。 很多教科书对于这部分内容，在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书，大多采用了回避的方法，只给出结论却不讲原因。即使专业性很强的教科书，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，使讲解内容前后矛盾，甚至造成讲还不如不讲的效果，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。笔者根据多年的总结思考与教学实践，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，并通过具体的教学实践收到了一定效果。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，但本人还

是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善。 一、传统讲法及问题： 传统讲法一般分三步，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），如示意图A。1.发射区向基区注入电子；2.电子在基区的扩散与复合；3.集电区收集由基区扩散过来的电子。”（注1） 问题1：这种讲解方法在第3步中，讲解集电极电流Ic的形成原因时，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，从而产生了Ic，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，同时又强调基区的薄。这种强调很容易使人产生误解。以为只要Vc足够大基区足够薄，集电结就可以反向导通，PN结的单向导电性就会失效。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic只能受控于Ib。

晶体管测试仪简介

开始/测试按键 SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座 DC 电源接口 LCD 显示屏 开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座 一. 产品概述 本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。 二. 注意事项 ● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。 ● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。 三. 技术指标 电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF 电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω 四. 使用方法 a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。 b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。 c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。 d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。 五. 校准 短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。之后屏幕提示断开1， 2，3 测试点，断开后继续，直到提示校准结束。 POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe Socket DC IN LCD Screen POWER/TEST Small Devices Container Plug-in Devices Socket 1. Product Description This Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test di?erent kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET. 2. Cautions ● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one . 3. Measuring parameters Resistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω 4. Instructions a. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power o? 20 seconds after measurement. b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected. c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature. 5. Calibration Short the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to con?rm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration ?nish. 晶体管测试仪

自制晶体管耐压测试仪

自制晶体管耐压测试仪 本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。 一、工作原理：电路原理如图所示。时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S 在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。 二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。其他元件如图1所示。 三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。由实验可知，Q1的β值越大，则输出电压越高，反之则越低。当电压基本正常后，加装C5，再测a点电压约为即为正常，然后将万用表串入XA、XB之间，直接测量通过R6的电流。当S拨在1端时约为70uA,S拨在2端时，约为为正常。否则，可通过改变R7或R8的阻值来解决。到此调试工作即告结束，本仪器即可投入使用。 四、注意事项：1.由于本测试仪线路中存在高压，因此在线路布局上要防止高压打火，在使用中要防遭电击；2.测试前把万用表量程拨到大于被测元件耐压值档，若被测元件耐压值不楚时，需先用较大量程档测量；3.由于电路工作时电流较大（200～500mA），故电源GB最好选用镍镉电池或5号干电池。

三极管的工作原理

三极管的工作原理集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

项目一三极管的工作原理 三极管，全称应为半导体三极管，也称晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器·件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。分成NPN 和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。下图是各种常用三极管的实物图和符号。 一、三极管的电流放大作用 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、三极管的偏置电路 三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取）。当基极与发射极之间的电压小于时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因为小于时，基极电流都是0）。如果我们事先在三极管的基 极上加上一个 合适的电流 （叫做偏置电 流，上图中那 个电阻Rb就 是用来提供这 个电流的，所 以它被叫做基 极偏置电 阻），那么当 一个小信号跟 这个偏置电流 叠加在一起 时，小信号就

晶体管测试仪

XJ4810型半导体管特性图示仪的使用方法晶体管测试仪的使用方法 晶体管特性图示仪的使用 晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A 四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。

AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。

晶体管电子滤波器

直流电源滤波电路及电子滤波器原理分析 整流电路是将交流电变成直流电的一种电路，但其输出的直流电的脉动成分较大，而一般电子设备所需直流电源的脉动系数要求小于0．01．故整流输出的电压必须采取一定的措施．尽量降低输出电压中的脉动成分，同时要尽量保存输出电压中的直流成分，使输出电压接近于较理想的直流电，这样的电路就是直流电源中的滤波电路。 常用的滤波电路有无源滤波和有源滤波两大类。无源滤波的主要形式有电容滤波、电感滤波和复式滤波(包括倒L型、LC滤波、LCπ型滤波和RCπ型滤波等)。有源滤波的主要形式是有源RC滤波，也被称作电子滤波器。 直流电中的脉动成分的大小用脉动系数来表示，此值越大，则滤波器的滤波效果越差。 脉动系数(S)=输出电压交流分量的基波最大值／输出电压的直流分量 半波整流输出电压的脉动系数为S=1．57，全波整流和桥式整流的输出电压的脉动系数S≈O．67。对于全波和桥式整流电路采用C型滤波电路后，其脉动系数S=1／(4(RLC／T-1)。(T为整流输出的直流脉动电压的周期。) RC-π型滤波电路，实质上是在电容滤波的基础上再加一级RC滤波电路组成的。如图1虚线 框即为加的一级RC滤波电路。若用S'表示C1两端电压的脉动系数，则输出电压两端的脉动系数S=(1/ωC2R')S'。 由分析可知，在ω值一定的情况下，R愈大，C2愈大，则脉动系数愈小，也就是滤波效果就越好。而R值增大时，电阻上的直流压降会增大，这样就增大了直流电源的内部损耗；若增大C2的电容量，又会增大电容器的体积和重量，实现起来也不现实。 为了解决这个矛盾，于是常常采用有源滤波电路，也被称作电子滤波器。电路如图2。它是由C1、R、C2组成的π型RC滤波电路与有源器件--晶体管T组成的射极输出器连接而成的电路。由图2可知，流过R的电流IR=IE／(1+β)=IRL ／(1+β)。流过电阻R的电流仅为负载电流的1/(1+β)．所以可以采用较大的R，与C2配合以获得较好的滤波效果，以使C2两端的电压的脉动成分减小，输出电压和C2两端的电压基本相等，因此输出电压的脉动成分也得到了削减。 从RL负载电阻两端看，基极回路的滤波元件R、C2折合到射极回路，相当于R减小了(1+β)倍，而C2增大了(1+β)倍。这样所需的电容C2只是一般RCπ型滤波器所需电容的1／β，比如晶体管的直流放大系数β=50，如果用一般RCπ

-放大电路的组成及工作原理

2.4 放大电路的组成及工作原理 参考教材：《模拟电子技术基础》孙小子张企民主编西安：西安电子科技大学出版社 一、教学目标及要求 1、通过本次课的教学，使学生了解晶体管组成的基本放大电路的三种类型， 掌握放大电路的组成元器件及各元器件的作用，理解放大电路的工作原理。 2、通过本节课的学习，培养学生定性分析学习意识，使学生掌握理论结合生 活实际的分析能力。 二、教学重点 1、共发射极放大电路的组成元器件及各元器件作用； 2、共发射极放大电路的工作原理。 三、教学难点 1、共发射极放大电路的组成元器件及各元器件作用； 2、共发射极放大电路的工作原理。 四、教学方法及学时 1、讲授法 2、1个学时 五、教学过程 （一）导入新课 同学们，上节课我们已经学习了晶体管内部载流子运动的特性以及由此引起的晶体管的一些外部特性，比如说晶体管的输入输出特性等，在这里，我要强调一下，我们需要把更多的注意力放在关注晶体管的外部特性上，而没有必要细究内部载流子的特点。由晶体管的输出特性，我们知道，当晶体管的外部工作条件不同时，晶体管可以工作在三个不同的区间。分别为：放大区、截止区、饱和区，其中放大区是我们日常生活中较为常用的一种工作区间。大家是否还记得，晶体管工作在放大区时所需要的外部条件是什么吗（发射结正偏，集电结反偏）？这节课，我们将要进入一个晶体管工作在放大区时，在实际生活中应用的新内容学习。 2.4放大器的组成及工作原理 一、放大的概念 放大：利用一定的外部工具，使原物体的形状或大小等一系列属性按一定的比例扩大的过程。日常生活中，利用扩音机放大声音，是电子学中最常见的放大。其原理框图为： 声音声音 扩音器原理框图 由此例子，我们知道，放大器大致可以分为：输入信号、放大电路、直流电源、输出信号等四部分，它主要用于放大小信号，其输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。对放大电路的基本要求:一是信号不失真,二是要放大。

晶体管扫盲 transisteoe

晶体管 目录[隐藏] 1【简介】英文简述 【历史】 【晶体管的发展历史及其重要里程碑】 【晶体管出现的意义】 【晶体管的重要性】 1【晶体管分类】电力晶体管 1光晶体管 1双极晶体管 1双极结型晶体管 1场效应晶体管 1静电感应晶体管 1单电子晶体管 1绝缘栅双极晶体管 1【主要参数】耗散功率 1频率特性 1反向电流 【晶体管开关的作用】 o【相关历史事件】 o【如何用万用表测试三极管】 o晶体管的检测和更换

[编辑本段]【简介】 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 英文简述 晶体管（transistor计：MOS transistor; npn化：transistor）A transistor is a semiconductor device, commonly used as an amplifier or an electrically controlled switch. The transistor is the fundamental building block of the circuitry that governs the operation of computers, cellular phones, and all other modern electronics. Because of its fast response and accuracy, the transistor may be used in a wide variety of digital and analog functions, including amplification, switching, voltage regulation, signal modulation, and oscillators. Transistors may be packaged individually or as part of an integrated circuit, which may hold a billion or more transistors in a very small area. [编辑本段]【历史】 1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。 电力晶体管 20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。由于电子管处理高频信号的效果不理想，人

晶体管在线测试仪原理

6.15 晶体管在线测试仪 在维修家用电路时经常 会对晶体三极管的好坏进行判别，特别是焊在电路板上的三极管，如果不焊开引脚，则判别好坏比较困难，如果用本节介绍的小仪器便可使该问题迎刃而解。 1、电路原理 晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。 对称方波发生器由555时基电路A2和阻容元件R3、C1构成，A2第三脚输出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。反向器由555时基电路A1构成，它接成施密特触发器，A1的2、6两脚输入电平直接取自A2的第3脚，当输入低电平时，A1置位，第3脚输出高电平；当输入高电平时，A1复位，第3脚输出低电平，所以A1输出与A2输出始终保持反向。A1与A2共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。 测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2等组成的双向辅助电源与LED1、LED2极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。 合上电源开关S，仪器工作指示灯LED3长亮发光、LED1、LED2则交替发光。若用鳄鱼夹将一只完好的NPN三极管按电路所示连接相应c、b、e插孔，由于被测管集电极c和发射极e之间存在饱和压降，负半周时，LED1、LED2均不发光，正半周时，通过R1提供基极偏流使被测管导通，LED2被旁路不发光而LED1发光；当待测的是PNP三极管时，情况正好相反，LED1被旁路不发光而LED2发光，从而可判断晶体管是PNP型还是NPN型。 如果被测管是坏管则有3种情况：①集电极与发射极间短路：此时c-e间无压降，发光管LED1、LED2被旁路，且是双向旁路均不发光；②集电极与发射极间开路：这时相当于电路未接入待测管，LED1、LED2都发光；③基极与集电极（或基极与发射极）存在短路或开路：它们都会使LED1、LED2、发光。 2、元器件选择 LED1、LED2和LED3最好分别采用红色、绿色、和黄色3种不同颜色的发光二极管。 RP1、RP2选用WS型有机实心微调电位器。R1~R4可选用RTX-1/8W型碳膜电阻器。C1选用CT4型独石电容器，C2选用CD11-16V型铝电解电容器。 S为1×1小型拨动式电源开关。G选用4F22型6V层叠式电池或4节7号电池串联供给。

绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性

绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性 场效应管(MOSFET是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的 输入电阻可高达1015W而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称为MOS t,按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。 绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽 型两类。下面简单介绍它们的工作原理。 1、增强型绝缘栅场效应管 2、图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区, 并用金属铝引出两个电极，称为漏极D和源极S如图6-38(a)所示。然后在半导体表面覆盖 一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称为栅极G 另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS f。它的栅极与其他电 极间是绝缘的。图6-38(b)所示是它的符号。其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。 源极s tiffiG m 引纯 ? N旳道增强型场效应管紡拘示胃图低州沟道壇强型场效应管符号 图6-38 N沟道增强型场效应管 场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图6-39(a) 可以看出，漏极D和源极S之间被P型存底隔开，则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0寸，即使加上漏-源电压UDS而且不论UDS的极性如何，总有一个PN结处于 反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流ID - 0。 若在栅-源极间加上正向电压，即UGS> 0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同 时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当UGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图6-39(b)所示。UGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子 就增多，当UGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层， 且与两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称 为反型层，如图6-39(c)所示。UGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底

晶体管结构与工作原理

晶体三极管知识 晶体三极管作为重要的半导体器件，其基本结构和工作原理需要掌握。下面具体介绍。 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为射极( emitter, E )、基极(base, B)和集极(collector, C)，名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中 性的p型区和n型区隔开。 (a) (b) 图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓 "正向活性区” (forwad active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏 区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形 下，电洞和电子的电位能的分布图。 三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec,与由基极注入 射极的电子流InB? E (这部分是三极管作用不需要的部分) 。InB? E在射极与与电 洞复合，即InB? E=I Erec o pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。

多功能晶体管测试仪毕设论文

摘要 晶体管的出现在电子器件的历史上具有划时代的意义，在当今社会的重要性更是不容忽略，它实际上是所有现代电器的关键活动元件。因而研究测量其参数的测试仪器的具有重大的意义。 在分析传统XJ4810 型晶体管特性图示仪的电路结构和功能实现的基础上，结合模拟和数字电子技术的特点，确立了整个系统构成。本系统以凌阳16位单片机SPCE061A 为核心，其内部集成了两路10位DA和7通道的AD，用一路DA输出作为压控电压源的输入端，压控电压源的输出端作为集电极电压的控制端；另一路DA则作为压控恒流源的输入端，压控恒流源的输出端则作为基极的电流控制端。用其中的两路AD分别采样基极和集电极电压，采样结果送CPU处理后再送液晶显示器显示。系统采用的液晶显示器是LCM12664ZK点阵图形液晶模块，显示效果好。系统软件采用C语言在凌阳单片机集成开发环境μ’nSP? IDE 2.0.0上编程，利用模块化的程序设计方法编写系统各模块程序，使整个系统性能稳定，易于扩展。 本系统的压控恒流源和压控电压源都是采用运放构成，电路简单，精度能满足设计要求。经测定恒流源的输出范围为±100uA，误差为±0.5uA；电压源的输出范围±10V, 误差为±0.02V。 本测试系统目前能够完成三极管管型和极性判别、输入、输出特性曲线、放大倍数等参数以及二极管一些参数的测定。它具有功能稳定，精确度较高，易于功能扩展等特点。 关键词：SPCE061A；LCM12864ZK；晶体管参数；压控恒流源；压控电压源

Abstract The appearance of transistor has an epochal impact on the history of electronic element, and its significance could not ignore as the active component of all most of electronic devices. So, taking a research on the transistor tester for measuring its parameter has great importance. Based on the analysis of general configuration and working principle the tradition instrument XJ4810, combined with the analog and digital electronic technology, we ascertain the system’s structure. This system bases on SPCE061A, which contains two DAC and seven ADC, one DAC is used as the input of VCVS(V oltage Controlled V oltage Source), which output is used to control the voltage of collector. The other DAC is used as the input of VCCS(V oltage Controlled Current Source), which output is used to control the current of base. The two of seven ADC are used to sample the voltage of collector and base respectively, and the result is send to the display after processing of processor. This system used LCM12864ZK as the display, which has nice display effect. This system software is developed on Integrated Development Environment μ’nSP? 2.0.0 using C langue, and we utilize the modularization method of program design to make the system stable function and to be pronged to other function. This system’s VCCS and VCVS are both compose of amplifier. The circuit is simple, and the precision can meet the demands of design. The result of experiments proves that the range of output current of VCCS is from -100uA to +100uA, the error is ±2.0uA and the range of output voltage of VCVS is from -10V to +10V, and the error is ±0.05V. The system can measure the type and polarity, the input characteristic curve, the output characteristic curve, and amplification of transistor parameter and diodes. It has the stable function and high accuracy. It is easy to be expanded its function. Key words：SPCE061A;LCM12864ZK;Transistor Parameter ;VCCS;VCVS

单结晶体管工作原理

单结晶体管工作原理 双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB，一般在2~15kW之间，RBB一般可分为两段，RBB = RB1+ RB2，RB1是第一基极B1至PN结的电阻；RB2是第一基极B2至PN结的电阻。双基极二极管的符号见图1的右侧。 图 1 双基极二极管的结构与符号等效电路 将双基极二极管按图2(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻RB1、RB2组成的等效电路替代。 当基极间加电压UBB时，RB1上分得的电压为 式中称为分压比，与管子结构有关，约在0.5～0.9之间。

2.当UE＝UBB＋UD时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流IE突然增大。把这个突变点称为峰点P。对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。显然，峰点电压 Up＝UBB＋UD T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 式中UD为单结晶体管中PN结的正向压降，一般取UD＝0.7V。T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量的空穴型载流子，IE增长很快，E和B1之间变成低阻导通状态，RB1迅速减小，而E和B1之间的电压UE也随着下降。这一段特性曲线的动态电阻为负值，因此称为负阻区。而B2的电位高于E的电位，空穴型载流子不会向B2运动，电阻RB2基本上不变。T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V。与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。此后，当调节RP使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的这部分特性称为饱和区。T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 综上所述，单结晶体管具有以下特点：T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 （1）当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 （2）单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。T58838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号-各种图纸 对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。（3）不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。