常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24
IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换
带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.
型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商
型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商
IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR
IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR
IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR
IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR
IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR
IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR
IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR
IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR
IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR
IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR
IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR
IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR
IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR
IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR
IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR
IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR
IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR
IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR
IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR
IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR
IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR
IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR
IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR
IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR
IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR
IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR
IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR
IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR
IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR
IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR
IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR
IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR IRF241 150 - 18 125 TO-204AE - IR IRF242 200 - 16 125 TO-204AE - IR IRF243 150 - 16 125 TO-204AE - IR IRF244 250 - 14 125 TO-204AA - IR IRF245 250 - 13 125 TO-204AA - IR IRF250 200 - 30 150 TO-204AE - IR IRF251 150 - 30 150 TO-204AE - IR IRF252 200 - 25 150 TO-204AE - IR IRF253 150 - 25 150 TO-204AE - IR IRF254 250 - 22 150 TO-204AE - IR IRF255 250 - 20 150 TO-204AE - IR IRF320 400 - 3.0 40 TO-3 - IR
IRF321 350 - 3.0 40 TO-3 - IR
IRF322 400 - 2.5 40 TO-3 - IR
IRF323 350 - 2.5 40 TO-3 - IR
IRF330 400 - 5.5 75 TO-3 - IR
IRF331 350 - 5.5 75 TO-3 - IR
IRF332 400 - 4.5 75 TO-3 - IR
IRF333 350 - 4.5 75 TO-3 - IR
IRF340 400 - 10 125 TO-3 - IR
IRF341 350 - 10 125 TO-3 - IR
IRF342 400 - 8.0 125 TO-3 - IR
IRF343 350 - 8.0 125 TO-3 - IR
IRF350 400 - 15 150 TO-3 - IR
IRF351 350 - 15 150 TO-3 - IR
IRF352 400 - 13 150 TO-3 - IR
IRF353 350 - 13 150 TO-3 - IR
IRF360 400 - 25 300 TO-204AE - IR IRF362 400 - 22 300 TO-204AE - IR IRF420 500 - 2.5 50 TO-3 - IR
IRF421 450 - 2.5 50 TO-3 - IR
IRF422 500 - 2.0 50 TO-3 - IR
IRF423 450 - 2.0 50 TO-3 - IR
IRF430 500 - 4.5 75 TO-3 - IR
IRF431 450 - 4.5 75 TO-3 - IR
IRF432 500 - 4.0 75 TO-3 - IR
IRF433 450 - 4.0 75 TO-3 - IR
IRF440 500 - 8.0 125 TO-3 - IR
IRF441 450 - 8.0 125 TO-3 - IR
IRF442 500 - 7.0 125 TO-3 - IR
IRF448 500 - 9.6 130 TO-204AA - IR
IRF449 500 - 8.6 130 TO-204AA - IR
IRF450 500 - 13 150 TO-3 - IR
IRF451 450 - 13 150 TO-3 - IR
IRF452 500 - 12 150 TO-3 - IR
IRF453 450 - 12 150 TO-3 - IR
IRF460 500 - 21 300 TO-204AE - IR
IRF462 500 - 19 300 TO-204AE - IR
IRF1010 55 0.014 75 150 TO-220AB 2SK2312 IR
IRF1010E 60 0.012 81 170 TO-220AB 2SK2985 IR IRF1010EL 60 0.012 83 170 TO-262 2SK2986 IR
IRF1010ES 60 0.012 83 170 D2PAK 2SK2986 IR
IRF1010N 55 0.012 72 130 TO-220AB - IR
IRF1010NL 55 0.011 84 170 TO-262 - IR
IRF1010NS 55 0.011 84 3.8 D2PAK - IR
IRF1010S 55 0.014 75 150 D2PAK 2SK2376 IR
IRF1310 100 0.04 43 150 TO-220AB 2SK2466 IR
IRF1310N 100 0.036 36 120 TO-220AB - IR
IRF1310NS 100 0.036 36 120 D2PAK - IR
IRF1310S 100 0.04 43 150 D2PAK 2SK2466 IR
IRF2807 75 0.013 71 150 TO-220AB - IR
IRF2807L 75 0.013 71 150 TO-262 - IR
IRF2807S 75 0.013 71 150 D2PAK - IR
IRF3205 55 0.008 98 150 TO-220AB 2SK2985 IR
IRF3205L 55 0.008 110 200 TO-262 2SK2986 IR
IRF3205S 55 0.008 110 200 D2PAK 2SK2986 IR
IRF3315 150 0.082 21 94 TO-220AB - IR
IRF3315L 150 0.082 21 94 TO-262 - IR
IRF3315S 150 0.082 21 94 D2PAK - IR
IRF3415 150 0.042 37 150 TO-220AB - IR
IRF3415S 150 0.042 37 150 D2PAK - IR
IRF3710 100 0.028 46 150 TO-220AB - IR
IRF3710S 100 0.028 46 150 D2PAK - IR
IRF4905 -55 0.02 64 150 TO-220AB - IR
IRF4905L -55 0.02 -74 200 TO-262 - IR
IRF4905S -55 0.02 -74 3.8 D2PAK - IR
IRF510 100 0.54 5.6 43 TO-220AB 2SK2399 IR
IRF510A 100 0.4 5.6 33 TO-220AB 2SK2399 Samsung IRF510S 100 0.54 5.6 43 D2PAK 2SK2399 IR
IRF511(R) 80 0.54 5.6 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF512(R) 100 0.74 4.9 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF513(R) 80 0.74 4.9 - TO-220AB 2SK2399 Harris IRF520 100 0.27 9.2 60 TO-220AB 2SK2399 IR
IRF520A 100 0.2 9.2 45 TO-220AB 2SK2399 Samsung IRF520FI 100 0.27 7 - TO-220FP 2SK2399 ST
IRF520N 100 0.2 9.5 47 TO-220AB 2SK2399 IR
IRF520NS 100 0.2 9.5 47 D2PAK 2SK2399 IR
IRF520S 100 0.27 9.2 60 D2PAK 2SK2399 IR
IRF521(R) 80 0.27 9.2 - TO-220AB 2SK2399 Harris
IRF5210 -100 0.06 -35 150 TO-220AB - IR
IRF5210S -100 0.06 -35 150 D2PAK - IR
IRF522(R) 100 0.36 8 - TO-220AB - Harris
IRF523(R) 80 0.36 8 - TO-220AB 2SK2399 Harris
IRF530 100 0.16 14 88 TO-220AB 2SK2314 IR
IRF530 100 0.16 16 - TO-220AB 2SK2314 ST
IRF5305 -55 0.06 -31 110 TO-220AB 2SJ349 IR
IRF5305L -55 0.06 -31 110 TO-262 2SJ401 IR
IRF5305S -55 0.06 -31 110 D2PAK 2SJ401 IR
IRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 Samsung IRF530FI 100 0.16 10 - TO-220FP 2SK2391 ST
IRF530N 100 0.11 15 60 TO-220AB 2SK2314 IR
IRF530NS 100 0.11 15 63 D2PAK 2SK2789 IR
IRF530S 100 0.16 14 88 D2PAK 2SK2789 IR
IRF531(R) 80 0.16 14 - TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF532(R) 100 0.23 12 - TO-220AB 2SK2399 Harris
IRF533(R) 80 0.23 12 - TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF540 100 0.077 28 150 TO-220AB 2SK2314 IR
IRF540 100 0.077 30 - TO-220AB 2SK2314 ST
IRF540A 100 0.052 28 107 TO-220AB 2SK2466 Samsung IRF540FI 100 0.077 16 - TO-220FP 2SK2391 ST
IRF540N 100 0.052 27 94 TO-220AB 2SK2466 IR
IRF540NS 100 0.052 27 110 D2PAK 2SK2466 IR
IRF540S 100 0.077 28 150 D2PAK 2SK2789 IR
IRF541(R) 80 0.077 28 - TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF542(R) 100 0.1 25 - TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF543(R) 80 0.1 25 - TO-220AB 2SK2314 Harris
IRF550A 100 0.04 40 167 TO-220AB 2SK2466 Samsung IRF610 200 1.5 3.3 36 TO-220AB 2SK2381 IR
IRF610A 200 1.5 3.3 38 TO-220AB 2SK2381 Samsung IRF610S 200 1.5 3.3 36 D2PAK 2SK2920 IR
IRF611(R) 150 1.5 3.3 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF612(R) 200 2.4 2.6 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF613(R) 150 2.4 2.6 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF614 250 2 2.7 36 TO-220AB 2SK2840 IR
IRF614A 250 2 2.8 40 TO-220AB 2SK2840 Samsung IRF614S 250 2 2.7 36 D2PAK - IR
IRF620 200 0.8 7 - TO-220AB 2SK2381 ST
IRF620A 200 0.8 5 47 TO-220AB 2SK2381 Samsung IRF620FI 200 0.8 4.3 - TO-220FP 2SK2381 ST
IRF620S 200 0.8 5.2 50 D2PAK 2SK2920 IR
IRF621(R) 150 0.8 5 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF6215 -150 0.29 -11 83 TO-220AB - IR
IRF622(R) 200 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF623(R) 150 1.2 4 - TO-220AB 2SK2381 Harris
IRF624 250 1.1 4.4 50 TO-220AB 2SK2840 IR
IRF624A 250 1.1 4.1 49 TO-220AB 2SK2840 Samsung IRF624S 250 1.1 4.4 50 D2PAK - IR
IRF625 250 1.1 3.8 - TO-220AB 2SK2840 Harris
IRF626 275 0.68 6.5 - TO-220AB - Harris
IRF627 275 1.1 3.8 - TO-220AB - Harris
IRF630 200 0.4 9 74 TO-220AB YTA630 IR
IRF630A 200 0.4 9 72 TO-220AB YTA630 Samsung IRF630S 200 0.4 9 74 D2PAK 2SK2401 IR
IRF631(R) 150 0.4 9 - TO-220AB 2SK2350 Harris
IRF632(R) 200 0.4 9 - TO-220AB YTA630 Harris
IRF633(R) 150 0.6 8 - TO-220AB 2SK2350 Harris
IRF634 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 IR
IRF634A 250 0.45 8.1 74 TO-220AB 2SK2914 Samsung IRF634S 250 0.45 8.1 74 D2PAK 2SK2598 IR
IRF635 250 0.45 8.1 - TO-220AB 2SK2914 Harris
IRF636 275 0.34 13 - TO-220AB - Harris
IRF637 275 0.45 8.1 - TO-220AB - Harris
IRF640 200 0.18 18 125 TO-220AB YTA640 IR
IRF640A 200 0.18 18 139 TO-220AB YTA640 Samsung IRF640S 200 0.18 18 125 D2PAK 2SK2401 IR
IRF641(R) 150 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF642(R) 200 0.18 18 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF643(R) 150 0.22 16 - TO-220AB 2SK2382 Harris IRF644 250 0.28 14 125 TO-220AB 2SK2508 IR
IRF644A 250 0.28 14 139 TO-220AB 2SK2508 Samsung IRF644S 250 0.28 14 125 D2PAK 2SK2598 IR
IRF645 250 0.28 14 - TO-220AB 2SK2508 Harris
IRF646 275 0.28 15 - TO-220AB - Harris
IRF647 275 0.28 14 - TO-220AB - Harris
IRF650A 200 0.085 28 156 TO-220AB - Samsung
IRF654A 250 0.14 21 156 TO-220AB - Samsung
2SJ112 100 10 100
2SJ113 100 10 100
2SJ114 200 8 100
2SJ115 160 8 100
2SJ116 400 8 125
2SJ118 140 8 100
2SJ119 160 8 100
2SJ131 170 10 100
2SJ200 180 10 120
2SJ201 200 12 150
2SJ351 180 8 100
2SJ352 200 8 100
2SJ459 450 4 70
IRF9130 100 12 75 IRF9132 100 10 75 IRF9140 100 19 125 IRF9142 100 15 125 IRF9230 200 6.5 75 IRF9231 150 6.5 75 IRF9232 200 5.5 75 IRF9233 150 5.5 75 IRF9240 200 11 125 IRF9241 150 11 125 IRF9242 200 9 125 IRF9243 150 9 125 IRF9540 100 19 125 IRF9541 60 19 125 IRF9542 100 15 125 IRF9543 60 15 125 IRF9640 200 11 125 IRF9641 100 11 125 IRF9642 200 9 125 IRF9643 150 9 125 IRF9630 200 6.5 75 IRF9631 150 6.5 75 IRF9632 200 5.5 75 IRF9633 150 5.5 75 MTM2P45 450 2 75 MTM2P50 500 2 75 MTM5P18 180 5 75 MTM5P20 200 5 75 MTM5P25 250 5 75 MTM8P10 100 8 75 MTM8P18 180 8 125 MTM20P10 100 20 125 MTP2P45 450 2 75
MTP2P50 500 2 75
MTP5P18 180 8 75
MTP5P20 200 5 75
MTP5P25 250 5 75
MTP8P18 100 8 75
MTP8P20 200 8 75
MTP8P25 250 8 75
MTP2P50E 500 2 75 SSM11P20 200 11 125 SSM20P10 100 20 125 SMP3P10 100 3 20
SMP11P20 200 11 125 SMP20P10 100 20 125 VPO335N1 350 2.7 125 IXTM5P50A 500 5 125 IXTM6P25A 250 6 75 IXTM7P15A 150 7 125 IXTM7P20A 200 7 75 IXTM7P45A 450 7 125 IXTM7P50A 500 7 125 IXTM8P25A 250 8 125 IXTM8P45A 450 8 150 IXTM8P50A 500 8 150 IXTM9P15A 150 9 125 IXTM9P20A 200 9 125 IXTM9P25A 250 9 125 IXTM10P45A 450 10 200 IXTM10P50A 500 10 200 IXTM11P15A 100 15 125 IXTM11P20A 200 15 125 IXTMQQP45A 450 11 200 IXTM11P50A 500 11 200 IXTM12P25A 250 12 125 IXTM13P15A 150 13 125 IXTM13P20A 200 13 125 IXTM13P25A 250 13 125 IXTM15P15A 150 15 150 IXTM15P20A 200 15 150
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
一种大功率场效应管隔离驱动电路
一种大功率场效应管隔离驱动电路 余洋云南交通技术学院 摘要：本文介绍了一种高性能的的大功率场效应管隔离驱动电路，并就其技术原理、性能、特点以及运用做了详细的阐述。 关键词：场效应管,隔离,驱动电路 A high power MOSFET isolated driver circuit Yu Yang yunnan traffic institute of technology abstract：This article describes one model of china-made high-power MOSFET Isolation drive Circuit and detailed introduction of its performance,features and application. Keywords: MOSFET, Isolation, drive Circuit 1 概述 大功率场效应管因工作频率高，驱动损耗小等优点在高频大功率电子设备中成为不可替代的功率半导体器件，尤其是在高频大功率开关电源以及高频感应加热设备中，大功率场效应管几乎是了唯一可以选择的功率器件。由于主回路工作电压高，驱动功率大，且开关频率高，为了减少功率变换电路对控制电路（尤其是以DSP等数字处理器为核心的控制系统）干扰，实际运用中需要把功率电路和控制电路隔离，因此就需要具有隔离驱动功能的大功率场效应管驱动电路。目前市场上的场效应驱动器很多，但大多以IR公司的小功率的专用IC为主，这类IC 的缺点在于本能实现控制电路与功率电路的隔离驱动，且驱动能力小。本文向大家介绍的大功率场效应管隔离驱动电路具有驱动功率大、工作频率高、电路简单等特点，可应用于250A/1000V以内容量的大功率场效应管隔离驱动。 电路采用了变压器调制解调隔离驱动技术，信号延迟时间短，抗干扰能力强；采用了干扰脉冲抑制技术，脉冲宽度小于调制电路RS触发器1/2时钟周期宽度的干扰脉冲都将被忽略；内部集成隔离的DC/DC变换电路，只需外供15V电源即可稳定工作。
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两
个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
常用场效应管(25N120等)参数及 代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460
常用场效应管参数表
（IRF系列） 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3
IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA
场效应管参数解释
场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）
常用场效应管型号及参数表
常用场效应管型号及参数表（三） 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF
毕业设计-0820常用三极管场效应管参数
常用三极管、场效应管参数 基础知识基本概念备忘录 2009-10-15 18:39 阅读37 评论0 字号：大中小 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应 IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应 IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应 IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应
常用场效应管参数大全共11页文档
常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ 6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB