教你怎么识别内存条

关于内存条

2008-10-10 09:09

金士顿内存条的行货的辨别方法

第一：拿到新的内存条后首先要确认你的内存条上必须有以下两个标签（一个是金士顿的老人头标签，一个是总代理的标签。中国总代共有五个：（弼信恒盈AVNET 联强骏禾）第二：当着卖内存条的商人的面去

https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,/china/verify验证内存上的产品ID和序列号，如果邮件反馈该内存条被反复验证，切忌千万不能要。要求更换！一定要没有被反复验证的，因为新的内存条上的ID和序列号只能验证一次！

第三：一定要有上面五个总代的标签，不要轻易相信什么800等一些的刮开密码的确认电话，那是忽悠人的东西。现在个人都可以申请800电话，总之只相信总代理的标签！

由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现，被一些不法之徒看中，假货由此也就混入市场。不过，除了假货之外，因Kingston合法代理商不同，所以贴的标也就不同，所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。

两种代理商防伪标签

1目测方法：

购买时对内存防伪标的鉴别，金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。当视线与防伪标表面垂直时，看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色，而当视线与标签形成一个夹角以后，标签就变成了橄榄绿色。这种方法是最简便直接的防伪办法，消费者在购买时就可以立即检验产品真伪，及时发现假货。

铭牌同时就是防伪标

2一分钟网上辨别：

请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签:

防伪标图样

另外，打800电话或全球网络查询网站

https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,/china/verifynew/真假识别，你只需向该网站提交相关的内存产品信息，该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。

先卖个关子，再次重申鉴别金士顿所有产品相对来说最安全、最快捷的方法。如照片所示，通过800防伪电话查询。但是，对眼我要提醒大家，并不是简简单单的按照您所购买产品上面的800电话联系。而是要记住本站提供的正确的800电话：800-8571992。这年头什么东西没有假的，造一个假电话防伪标签太正常

了~~而且假电话还有人接哦~~即使你报个123456也是正品T_T

再卖个关子，再向大家介绍一个比较普遍的鉴别方法。通过金士顿内存上面贴有标签来可以辨别，在不同角度金士顿的LOGO会有颜色的变化，就像看人民币一样。但是！这个方法的安全系数比较低，而且很多假货上面的LOGO也可以变色。

相信此时很多朋友已经有了很大意见，对于上面的鉴别方法。所以，再为您介绍一个相对来说非常有效的方法：通过PCB板颜色来辨别。如上图，正品颜色鲜艳，假货则是颜色暗淡。由于投入的成本大小不同，用料不同，所以由此差异，其他的不必多说。

进入正题，现在介绍“对式数码相机鉴别法”。工具，只需要一部普通数码相机，只要拥有500万以上像素，分辨率可以达到2048×1536以上便可以，对变焦等其他参数没有任何要求。（2005年以后的数码相机基本都可以达到要求）

最后只需要准备好您准备鉴别的内存条就可以啦~~

将相机调到最大分辨率，最大像素对准注册商标的标记?，让通过相机的照片回放或者将照片传到电脑上放到原始尺寸即可，是正品还是假货一看便知。正品的金士顿内存条“R”的外环是由两个“KINGSTON”，而反观假货则是由一滩油墨围城，什么形状也看不出。多说无疑，了解就好。

在金士顿LOGO的边缘处也是暗藏玄机，不过只要有了相机什么都好说，方法与上面的相同。正品仍然是由一连串的英文组成，假货仍然是一溜的墨迹。

最后提醒：：上面实行以上方法的前提是要确定标签上的编码要与PCB板以及外包装上的编码完全相同。这样才能从标签上入手鉴别。小熊在线

https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,

以上就是对眼为各位朋友奉上的关于正品金士顿内存条的鉴别方法。如果您都牢记之后，马上进入下一篇！

除了内存条以外的其他类型产品暂时对眼没有发现什么能够普及的方法，只有拿到当地代理商处利用高倍显微镜鉴别。

所有的金士顿产品上面可以随着角度变色的晶体结构在高倍显微镜下均可以看到“K”。假货则一片朦胧（不知道电子显微镜能否看到上面的细菌-.-!!）

本篇关于金士顿真假辨别到此结束。希望您能完全掌握，避免购买假货而损害到自己的利益。

●内存颗粒造假？

颗粒即是指内存条上的RAM芯片，通常在业内也叫做IC芯片或IC颗粒，是内存条的核心部件。这里要纠正一个概念上的误区，萌萌见过不少用户把内存品牌当作颗粒品牌，这是相当严重的错误。虽然很多内存条品牌都将颗粒上的标识印刷成自身名称，但实际上大部分内存条品牌都不出产颗粒（关于这种remark 的行为将在后文详细阐述OCER观点）。

目前世界上出产DDR2内存颗粒的主要厂家有：（排名不分先后）

[韩系：Hynixelectronic（现代电子）、SAMSUNGElectronic（三星电子）]

[美系：Micron（镁光）]

[德系：Infineon（英飞凌）/Qimonda（奇梦达）]

[台系：Mosel（茂矽）、Nanya（南亚）、PSC（力晶）]

[日系：Elpida（尔必达）]

……

市面中销售的内存条都是采用这些颗粒焊接到PCB上制造而成。而很多品牌为了追求高利润而掩盖真相，往往将颗粒表面打磨成自身的品牌，甚至干脆抹去原有标识留下一个黑底。以下就具体案例进行分析。

虽然颗粒上印刷的名称是PNY，但实际采用的是MicronD9系列颗粒。

PNY到底怎么想的笔者真不晓得，地球人都知道Micron的颗粒是最值钱的。而PNY却将其二次打磨，这到底是要掩饰什么？莫非这个官方规格为DDR2-1066的产品是用默认DDR2-533的D9GCT颗粒封装而成？官方超频了100%，厉害，镁光的颗粒真的很厉害！Remark成1066，这利润足够让厂家数票子的手抽筋了。

A-DATA VitestaExtremeEditionDDR2-1066采用镁光D9GMH颗粒，6MD22中的“6”代表06年生产，“M”代表一年中的偶数周。

A-DATA采用镁光D9GMH颗粒的EE版本内存

眼神好的读者可以仔细观察一下威刚拿来封装的这批镁光颗粒的流水线批号（小号），即在芯片左下角的4位字符。图中展现出的几个颗粒小号均不相同，可是颗粒周期却都是6MD22。这到底寓意着什么呢？既然是超出默认工作频率的产品，厂商在制作前就有必要对其进行筛选，那么小号有差异能否证明是经过筛选的呢？会不会有另一种可能：为了更低的价格拿到颗粒而去向晶圆厂订购UTT 或已经被更有实力的大厂筛选过的那些白盘？我们只能替已经选购了这款产品的同学祈祷不是这种可能了，因为一切都只是笔者的猜测，但这些猜测并不是毫无依据。毕竟在我们测试过的众多采用镁光颗粒的内存当中，A-DATA的成绩总

是落后的。祝它一路走好。

Leadmax（超胜）在不久前成功获得韩系大厂Hynix（海力士，俗称：现代）内存在中国大陆地区正式授权的唯一总代理，许多消费者开始更多的留意其自有品牌的Leadmax超胜内存条。凭借着DDR时代DT-D43、DT-D5给玩家们留下的好印象，Hynix内存还是深受消费者欢迎的。记得在DDR2时代初期，Infineon势头很劲，更名为Qimonda后似乎少了那几分锋芒，随之而来的MicronD9让消费者重新看到了希望，大、小D9的表现都很让人满意，不过这其中还有另外一家很有实力的厂商被忽视掉了，那就是Hynix。它的FP-Y5及FP-S5都广受好评，下面先让我们领略一下真正的Y5和S5全貌。

Y5是默认DDR2-667CL5的芯片

S5是默认DDR2-800CL5的芯片

既然超胜作为海力士的大陆区唯一授权代理，那么它的产品应该是使用正品HynixY/S系列芯片封装而成，可是事实是怎样呢？让我们一起看看现在市面上实际贩售的超胜内存真身：

市场实际拍摄的超胜系列内存实体照

芯片特写，希望消费者们仔细观察，注意细节部分

拿DDR2-667规格来讲，原厂海力士芯片表面字样为：FP-Y5712AA；而打磨的芯片表面字样为：F-Y5713Q。不光如此，凭外观也可以看出两者较为明显的区别。“一胖一瘦”还敢出来招摇撞骗，打磨了表面以为就可以瞒天过海？不如直接加个马甲干脆些。

防伪措施貌似做的很完善，但它真的是Hynix颗粒吗？

比较有趣的是：超胜所采用的虽然不是真正的HynixFP-Y5内存芯片，但其超频性能依然很强大，甚至比起Y5来说有过之而无不及。笔者有时给消费者们推荐OC条时就会顺口说出：买超胜他家的假现代去，根儿根儿稳1000。

其实造成以上原因的理由很简单，还是前面所提到的利润问题。否则超胜也不会冒着风险来背叛海力士的。但有两点必须说明：

一、由于海力士是韩系企业，而中国电子消费市场又具有一定的特殊性，因此就算超胜背信弃义做了对不起海力士的勾当也完全不用担心，只要超胜还时不时的帮海力士出货，海力士就会认为它们之间情缘未了。实际上超胜挂着海力士的“洋头”不知道已经卖出了多少“狗肉”。

二、现在超胜销售的产品分为真、假海力士两个版本，本无可厚非，说实话假的质量也不错，但假的就是假的。可惜芯片本身已被打磨，具体那是谁家的颗

粒目前无从考证。不过笔者会继续努力查找这个第三者，希望各位消费者也帮忙协助笔者找到真相。

Elpida虽然是一家日本的合资厂商（ElpidaMemoryInc.是NEC和日立合资建立的专门从事内存颗粒研发生产的公司），但它在某种意义上却方便了用户辨别其颗粒。

由于Elpida芯片四边都存在相当明显的双层折缘，因此无论封装厂商怎么打磨都可以看出来，除非磨到芯片不能工作，相信就连山寨厂都不会傻到这么去做的。

从本质上讲，内存条上采用的颗粒决定了这个产品的理论性能与超频能力的高低。因此，内存已不是品牌至上的时代，颗粒的型号才是产品的本质，我们对此观点的定义就是：唯芯论

本文观点：在挑选内存的时候首先确定其选用的颗粒品牌及型号，根据以下评价，您可以清楚的看到各厂商芯片的实力与风格。对那些倾向稳定适合做服务器内存的产品，想要OC的同学还是擦亮慧眼吧！

Micron：超频至尊

SAMSUNG：风光不在

Hynix：不甘示弱

Infineon：力不从心

Nanya：稳定至上

Elpida：后起之秀

在DDR2内存产品上，我们坚持唯芯论。当你购买内存条的时候，必须要确认此产品采用的是何种芯片，谨防被卖家忽悠而买到并不满意的产品。同时我们也要注意，即使同一品牌，不同批次内存条所采用的颗粒型号也很有可能不相同。此方面的认知对于升级用户尤为重要，假如你之前有一对采用现代S5颗粒的品牌内存，过半年后想升级，那么升级时一定要确认购买的内存条采用的颗粒与之前的产品相同，否则很容易出现兼容性问题。毕竟Windows变起脸也不是那么好看的。

●频率决定性能的关键

内存产品的档次主要以频率及容量来决定。一般同容量同延迟下标称

DDR2-800的内存，售价必然要高过DDR2-667的产品。在实际使用中，频率也是

决定性能的关键。在前文我们已经论述过，由于CPU频率远远高于内存频率，因此制约系统性能的瓶颈主要集中在内存方面，而提升内存频率会明显增强系统的整体性能，这也是我们超频的目的。

目前市面中销售的DDR2内存，从频率上划分有多种规格，常见的分别是DDR-533、DDR2-667、DDR2-800、DDR2-1066、DDR2-1200，共五种规格。其中，前三种规格是JEDEC组织定义的标准频率。

JEDEC制订的内存规范

而DDR2-1066与DDR2-1200是厂商自己标称的最高稳定频率，换种说法就是“官方超频”。

在主板支持方面，符合JEDEC标准频率的内存可在现有主流的AM2与酷睿2平台上稳定运行。但是1066与1200规格则容易出现一些问题，在第一次安装这种内存后，主板很可能只会以默认的最保守频率起动（DDR2-800）。这种情况主要由内存的SPD所决定，也有的内存开机会直接以默认标称值启动，比如

G.SKILL，这些问题将在未来探讨。总得来说，如果你不懂得如何在主板BIOS

中设置成标称频率，那么这种内存是不会充分发挥性能的，也会造成购买资金的浪费。

由于标称频率决定了产品档次，因此这个数值也是最容易被卖家夸大的一面。要想实现高频率是需要很多条件共同作用，就以DDR21200为例来说，有些内存只需加电压到2.2V，而有些就需要2.6V以上电压，这甚至超出了前一代产品DDR的默认电压。实际上，很多内存需要高激发电压并放宽参数才可以达到高频，有的甚至对电压和宽参数都不感冒。因此想要超频就先要了解一款产品究竟适合什么条件下运行，厂商在生产这个产品时究竟以什么频率为准去检测并最终确定其规格等。频率只是最后的结果，但实现条件必须要明确，这也是最容易被用户忽视的一面。

在4bit预读取的DDR2平台中，处理器的L2Cache与效能的关系非常微妙。在处理器同主频的前提下，L2越大，则内存对延迟的敏感程度越低。当然，如果配合16路L2连接的AM2或IntelCore2Duo/Extreme/Quad处理器会使效能更加出色。因此，我们在对内存进行优化时，首先要考虑到的就是频率，频率与效率有着直接的关系。延迟是在频率无法提升的前提下需要尽量收紧的，而SubTimings差异在日常应用中的表现更是微乎其微。

总之，让我们用发展的眼光来看待身边的一切事物。当年高频低能的DDR2内存现在已经旧貌换新颜了，领先了DDR内存超过一倍的频率，延迟对效能的影响越来越小。而随着产品的成熟与工艺的不断改进，DDR2内存的价格优势又再次突显出来，频率胜过延迟是DDR2内存设置时应该注意的硬道理。

●注意：PCB板的层数

目前市场中可以见到的内存不外乎三种两层，四层，六层。前者多出现于杂牌兼容内存中，成本极其低廉。而四层的PCB是我们最为多见的制造方式。这种结构的PCB板成本与两层相差并不多，但拥有了更大的空间来为布线而服务。最后一种就是六层PCB，这样的结构相比前两者的成本要高出许多，各方面拥有较好的条件，给设计人提供了足够的空间。现在各大厂商内存都采用六层PCB设计。

PCB板的厚度直接影响到线路的排布空间，可想而知二层的PCB由于空间不大，许多线路没有办法“各自为政”，抗干扰的能力自然要差许多，这直接影响到了内存的稳定。而四层PCB因为比前者多了两层，线路排布空间有了一定的改善，但作用并不明显。

然而6层则是一个高性能的临界点，一旦有内存使用六层结构，那意味着内存除了拥有更多的布线空间之外，稳定性都会有了很大的提升。这点缘于空间的增加，可以满足奢侈的设计，将供电线路及接地线路单独设计在两层。给数据传输的线路开辟了宽敞的走线空间，从此不必再和其它信号线路混在一起，抗干扰的能力有了显著的提升，稳定性有了质的飞跃。

6层PCB板但这仅仅应用于名牌产品，有些杂牌产品利用消费者对PCB层的迷信，甚至使用了六层结构，但是有板是一回事，但是板中有没有走线则是另外一回事。这一点目前在市场中出现的产品还并不多见，不过还是要提醒消费者注意。

●注意：PCB元件排布

PCB板走线、布局这同样是一个面子问题，但是它并不像是主板用料一样，可以让普通消费者看的懂。比如普通的电解电容上都会写有品牌，性能指标，但是内存这种全部采用贴片电容的产品，其品牌，指标属于隐性的非业内人士无法识别出来他的质量。好的品牌自然没的说，而兼容内存则通常喜欢在这些元件中打小算盘。

比如使用廉价的贴片产品，并且空出了许多PCB的贴片电容印刷位。给人以空荡荡的感觉。内存整体并没有用电容与颗粒包裹，这样的内存自然性能不会好，虽然这里讲选择可超频内存，但是对于普通消费者选择实用的内存笔者也有必要在这里说明一下。

●注意：SPD隐藏的重要信息

内存SPD元件

这个小东西看似不起眼，但是却是内存中的一个重要角色。它里面存放着内存可以稳定工作的指标信息以及产品的生产，厂家等信息。这个东西许多杂牌内存中也有，但由于比较混乱，其中的猫腻比较多，有些产品看似有SPD这个元件，但是其中并没有写入相关的信息。

更有甚者根本就没有为SPD这颗元件，又或者有些兼容内存生产商直接COPY 名牌产品的SPD，让人看上去像模像样，但一旦上机使用，主板读出SPD的工作指标，那么杂牌产品就原形毕露了，因为多方面的影响，杂牌的“基础”根本不及名牌产品，自然其也无法达到名牌产品SPD中的指标，稳定性将大幅度的下降(但是传闻现在JS可以自己刷SPD)。

●注意：金手指光泽程度

要保证稳定的超频工作，金手指也是一个不可忽视的地方。看似普普通通的一个“信号传输接口”它也是为内存提供稳定特性的一个重点。质量好的金手指从外观看上去会富有光泽，由于镀层的关系直接给消费者呈现的将会是一个“漂亮的接口”，而忽视这方面的厂家的产品金手指则暗淡无光。

通常的金手指都会采用电镀或化学沉金工艺，而厚度一般在5微米左右，做工精良的产品甚至达到更多，给人以厚实的感觉。好的金手指因为加入了镀层工艺，所以一定程度上防止了氧化的发生，而没有做这类加工的产品则意味着从生产出来金属就已经开始被氧化了。

氧化所带来的危害直接影响到电脑的稳定，经常有开机不能点亮等问题多是由于金手指引起的。可以说这是内存可以工作最基本的东西，如同主板一样，没有一个好的基础，再好的配件也无法发挥效能。

●注意：内存颗粒很关键

我们知道，内存颗粒最开始出厂并不时我们看到的样子。刚出厂的DRAM都是整块的晶圆，晶圆需要进行切割、封装等工序，才能成为我们现在看到的颗粒。当生产一种规格的DRAM晶圆后，晶圆厂自己会切割、封装一些颗粒，作为样品，并将相关的编号信息记录在案。而对外出售的时候，有时候会整块晶圆出售，内存模组厂商自行联系相关的工厂对晶圆进行切割封装，根据自己的要求打上自己的标识。

Kingston不生产内存颗粒，但是其内存条上的颗粒却有Kingston的标。

这样，你会发现一些没有晶圆生产工厂的内存模组厂商，在其产品的内存颗粒上，也会有自己的品牌标识。而有的时候，晶圆厂商也会将晶圆切割封装后制成成品颗粒出售。这也是为什么在同家品牌同一系列的内存条上，有的批次是打的内存颗粒厂商的标，而有的批次则打的是自己的标。内存模组厂商选择哪种方式，基本上由当时的成本决定。

内存颗粒它的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。一些玩家喜欢通过观察内存颗粒上的信息，如颗粒厂家生产编号，相关颗粒的速度、规格信息等等，来判断内存好不好超，这样的批次如CPU一般有着较大的差异。一款内存好超与否从某种意义上说，颗粒占了较大的比重。由于目前内存市场的混乱，许多内存厂商使用的颗粒也比较混乱。

D9颗粒

在购买时可不要被JS忽悠这个是什么什么顶级颗粒所以价格贵一些，目前市场上的普条基本没有极品颗粒，就算是也不能片面的认为颗粒的速度，或是相关批次颗粒编号来判断该内存条是否好超频。

DDR2与DDR的区别

与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

DDR2与DDR的区别示意图

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达

4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

DDR2的定义：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2

内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333

到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别：

在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz 上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：

除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

电脑组装图解

电脑组装图解 第一步：安装CPU处理器 当前市场中，英特尔处理器主要有32位与64位的赛扬与奔腾两种（酷睿目前已经上市，酷睿处理器是英特尔采用0.65制作工艺的全新处理器，采用了最新的架构，同样采用LGA 775接口，在今后一段时间内，英特尔将全面主推酷睿处理器。由于同样采用LGA 775接口，因此安装方法与英特尔64位奔腾赛扬完全相同）。32位的处理器采用了478针脚结构，而64位的则全部统一到LGA775平台。由于两者价格差距已不再明显，因此我推荐新装机用户选择64位的LGA775平台，32位的478针脚已不再是主流，不值得购买。

上图中我们可以看到，LGA 775接口的英特尔处理器全部采用了触点式设计，与478针管式设计相比，最大的优势是不用再去担心针脚折断的问题，但对处理器的插座要求则更高。 这是主板上的LGA 775处理器的插座，大家可以看到，与针管设计的插座区别相当的大。在安装CPU之前，我们要先打开插座，方法是：用适当的力向下微压固定CPU的压杆，同时用力往外推压杆，使其脱离固定卡扣。

压杆脱离卡扣后，我们便可以顺利的将压杆拉起。 接下来，我们将固定处理器的盖子与压杆反方向提起。

LGA 775插座展现在我们的眼前。 在安装处理器时，需要特别注意。大家可以仔细观察，在CPU处理器的一角上有一个三角形的标识，另外仔细观察主板上的CPU插座，同样会发现一个三角形的标识。在安装时，处理器上印有三角标识的那个角要与主板上印有三角标识的那个角对齐，然后慢慢的将处理器轻压到位。这不仅适用于英特尔的处理器，而且适用于目前所有的处理器，特别是对

教你如何调整DDR内存参数

教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。

从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras

主流DDR内存芯片与编号识别

我们关注哪些厂商 在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号， 最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有 相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新 换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新 产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。 这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位 的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正 的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自 己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再 自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可 能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术 人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。 那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面 这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。 从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中 国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、 冲电气（Oki，日本）。

全面教你认识内存参数

全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28

内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片

现代内存颗粒编码细则

现代(Hynix)内存编号示含义 (2010-01-21 17:04:43) 转载▼ 标签： 分类：电脑知识 电脑 ddr400 hynix ddr内存 it HY5DU56822AT-H 现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。 B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二

所示D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V 来分别代表不同的工作电压 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR 内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K 刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP 封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表

笔记本内存条安装图解(超详细)

笔记本内存安装详细图解 笔记本内存安装之所以显得那么神秘，主要是因为大家接触得太少的缘故。相信只要装过一次，大家就会熟悉起来。 安装笔记本的内存，请在断电情况下进行，并先拆掉电池，如果在冬天，手摸水管或洗手放掉静电。因各笔记本构造不尽相同，本文仅供参考，请根据自己笔记本情况判断是否适合，因安装不当，造成的一切后果，与本人无关。 温馨小贴士：内存现有SDR,DDR,DDR2,DDR3之分，各种内存不能混用，购买前请确定自己的机器是用的什么类型内存，如果不能确定，可以用CPU-Z这个软件检测一下,如果你没有这软件,可以上百度搜一下后自行下载。 内存条 内存条小常识： PC 2100是DDR 266内存 PC 2700是DDR 333内存 PC 3200是DDR 400内存 PC2 4200是DDR2 533内存 PC2 4300是DDR2 533内存 PC2 5300是DDR2 667内存 PC3 6400是DDR2 800内存 PC3 8500是DDR3 1066内存 PC3 10700是DDR3 1333内存

PC3 12800是DDR3 1600内存 一代DDR、二代DR2、三代DDR3内存互不通用，插槽插不进去内存就是型号不对，切忌霸王硬上弓！拔插内存请一定要先切断电源，释放静电，稍等几分钟，开机前确认已经插好内存。 目前笔记本内存安装位置主要有两个地方，主要在机身底部或者键盘下方，其中又以底部最为常见，笔者的本本正好是前面一种。位于机身底部的内存插槽一般都用一个小盖子保护着，只要拧开这个内存仓盖上面的螺丝，就可以方便地安装内存；而位于键盘下方的内存插槽，在安装内存时需要先把键盘拆下来，虽然复杂一些，但只要耐心把固定机构找出来，也可以很快完成添加内存操作。下面将以机身底部的安装方式为例加以说明。 1、准备一支大小合适的十字螺丝刀，假如是键盘下面的安装方式还可能用到一字螺丝刀。 简单的工具与内存

内存芯片参数介绍

内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、

内存型号说明

Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，

内存篇-三个影响内存性能的重要参数

内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1

DDR 内存参数

一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

如何通过颗粒编号，识别当今现代（HYNIX）内存条规格 消费者通过查看颗粒编号的含义，以识别自己购买内存是否为正品的文章，已经很早就有人开始写了。但随着现代新品颗粒的推出，以及对颗粒编号的调整，早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。而当今市场，不论是原厂还是兼容，使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见，再加上消费者因新编号定义不明，而受骗上当的例子仍然存在，因此，我们将对现代颗粒的最新编号定义，对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。 一、DDR SDRAM： 现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期，颗粒制造厂稍有个风吹草动，都会影响到整个零售市场的内存价格。现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件，更是决定着整个内存市场走势的关键。虽然，它并不是利润最高的产品，但由于是主流规格的原因，仍然是内存经销商“走量”的首选产品。 我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。这种最新上市的DDR 500原厂现代内存，采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。从这组编号，我们可以了解到如下一些信息：这是一款DDR SDRAM内存，容量256MB，使用了8颗粒结构，并占用2个bank数，封装方式则采用了TSOP II结构。 究竟这些含义是如何被分辨出来的呢？下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。 HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1．HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2．内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3．处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4．芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5．内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6．内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7．接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8．内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9．能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

内存条的安装方法【图文讲解】

内存条的安装方法【图文讲解】 在安装内存条之前，大家不要忘了看看主板的说明书，看看主板支持哪些内存，可以安装的内存插槽位置及可安装的最大容量。不同内存条的安装过程其实都是大同小异的，这里主要说明常见的SDRAM、DDR RAM、RDRAM内存。下面一起来看看内存条的安装方法详细步骤图解： STEP1：首先将需要安装内存对应的内存插槽两侧的塑胶夹脚（通常也称为“保险栓”）往外侧扳动，使内存条能够插入，如图1所示。转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 转自电脑入门到精通网 转自电脑入门到精通网 小提示：在任何一块支持RDRAM的主板上，你都能够看到RIMM内存插槽是成对出现。因为RDRAM内存条是不能够一根单独使用，它必须是成对的出现。RDRAM 要求RIMM内存插槽中必须都插满，空余的RIMM内存插槽中必须插上传接板（也称“终结器”），这样才能够形成回路。转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 转自电脑入门到精通网 转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,

转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, STEP2：拿起内存条，然后将内存条的引脚上的缺口对准内存插槽内的凸起（如图2所示）；或者按照内存条的金手指边上标示的编号1的位置对准内存插槽中标示编号1的位置。转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,

转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, STEP3：最后稍微用点用力，垂直地将内存条插到内存插槽并压紧，直到内存插槽两头的保险栓自动卡住内存条两侧的缺口，如图3所示。 转自电脑入门到精通网 转自https://www.sodocs.net/doc/394544448.html, 本文由孕婴童网https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,整理发布

内存参数

内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更

新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的

内存型号说明

内存型号说明： Samsung 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量； 56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36

内存规格参数

内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存

第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。

DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael

D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.sodocs.net/doc/394544448.html,

目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)

摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao

服务器内存安装方法

内存安装方法 本文主要简要介绍FlexServer服务器内存安装的方法，分为R390机架式服务器与B390刀片式服务器两部分。 总体上说，服务器内存安装依照编号顺序进行即可。服务器的所有内存插槽编号均由“数字+字母”的形式组成，实际安装时需要关注的仅仅是编号中的字母部分。扩容时按照A，B，C，D，……的顺序进行，同时兼顾多个CPU对应内存尽量均衡。 首先说机架式服务器，机架式服务器中R390为两路CPU，其每个CPU有4个通道12个内存。插槽机架式服务器的内存插槽上会盖有一个导风盖，盖子上会具体记录内存插槽编号： 简单说机架式服务器的主要扩容顺序如下： 12A-9B-1C-4D-11E-8F-2G-5H-10I-7J-3K-6L 只要看好对应的插槽进行安装即可。特别提醒的是在服务器中每个CPU两侧各有6个插槽，图中红线两侧的插槽分属两个不同CPU，扩容时请兼顾两个CPU的内存数量均衡。如果遇到奇数个数的内存，建议插在CPU1（主CPU）上。

内存条具体的形态如上图所示，进行安装前请先确保内存条本身完好，不应有任何的弯曲损坏。 安装时，先将插槽两侧的小卡扣向下按下，再将内存插入插槽中即可，插好后内存条应该无松动。由于内存下方一边较长一边较短，需要按照正确的方向进行放置。 小卡扣 较短一侧 对于刀片式服务器，扩容方法类似，只是刀片服务器中内存插槽数有所缩减。每个CPU只有4通道8个插槽，每个通道减为两个插槽。需要注意的是CPU与内存插槽的对应关系仍然没有改变，内存插槽分布在CPU两侧。 在扩容时，现将刀片从刀框上取下：

如上图所示，拔出刀片时请先开启卡扣。

教你看懂内存编码

教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX

必看的电脑高手装机图解教程

必看的电脑高手装机图解教程（图文并茂） 电脑diy装机对于专门从事电脑行业的人来说不算什么，是非常简单的事，甚至都谈不上会了不难，但对于普通人刚接触电脑的人来说可能是很神秘的，什么时候也自己组装一台电脑试试，成为很多人的现实理想。下面就以英特尔处理器为例图解电脑装机的全过程，老鸟不要笑话，虽然简单，但你敢说自己一开始就那么明白，英特尔的cpu均采用了LGA 775接口，无论是入门的赛扬处理器，还是中端的奔腾E与Core 2，甚至高端的四核Core 2，其接口均为LGA775，安装方式完全一致。所以本人喜欢英特尔，规范简单，不像AMD搞那么多系列，针脚五花八门，一个字“乱”。

上图中可以看到，LGA 775接口的英特尔处理器全部采用了触点式设计，与AMD的针式设计相比，最大的优势是不用再去担心针脚折断的问题，但对处理器的插座要求则更高。 这是主板上的LGA 775处理器的插座，大家可以看到，与针管设计的插座区别相当的大。在安装CPU之前，我们要先打开插座，方法是：用适当的力向下微

压固定CPU的压杆，同时用力往外推压杆，使其脱离固定卡扣。 压杆脱离卡扣后，我们便可以顺利的将压杆拉起。 接下来，我们将固定处理器的盖子与压杆反方向提起。

LGA 775插座展现在我们的眼前。 在安装处理器时，需要特别注意。大家可以仔细观察，在CPU处理器的一角上有一个三角形的标识，另外仔细观察主板上的CPU插座，同样会发现一个三角

形的标识。在安装时，处理器上印有三角标识的那个角要与主板上印有三角标识的那个角对齐，然后慢慢的将处理器轻压到位。这不仅适用于英特尔的处理器，而且适用于目前所有的处理器，特别是对于采用针脚设计的处理器而言，如果方向不对则无法将CPU安装到全部位，大家在安装时要特别的注意。