电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器
第一部分第二部分第三部分第四
部分第五
部分
第六
部分
第七
部分
第八
部分
用字母表示主称用字母表示材
料
用数字或者字
母表示分类
用数
字或
者字
母直
接表
示
用数
字或
者字
母直
接表
示
用数
字或
者字
母直
接表
示
用数
字或
者字
母直
接表
示
用数
字或
者字
母直
接表
示
符号意义符号意义符号意义额定
功率阻值允许
误差
精密
等级
封装
R 电阻
器H 合成
膜
1，2 普通
W 电位
器S 有机
实芯
3 超音
频
N 无机
实芯
4 高阻T 碳膜
5 高温Y 氧化
膜
7 精密J 金属
膜
（箔
）
8 电阻
器-高
压
I 玻璃
釉膜
电位
器-特
殊
X 线绕9 特殊
G 高功
率
T 可调
W 微调
M 敏感
2，电容器
第一部分（材
料）
第二
部分
分类
（第
三部
分）
（用
数字
或者
字母
直接
表
示）
第四
部分
（用
数字
或者
字母
直接
表
示）
第五
部分
（用
数字
或者
字母
直接
表
示）
第六
部分
符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级
C 电容
器C 高频
瓷
1 圆片非密
封
非密
封
箔式T 低频
瓷
2 圆形非密
封
非密
封
箔式I 玻璃
釉
3 叠形密封密封烧结
粉液
体O 玻璃
膜
4 独石密封密封烧结
粉固
体Y 云母 5 穿心穿心
V 云母
纸
6 支柱
等
无极
性Z 纸介7
J 金属
化纸
8 高压高压高压
D 铝电
解
9 特殊特殊
A 钽电
解
G 高功率
N 铌电
解
W 微调
Q 漆膜
G 合金
电解
E 其它
电解
材料
B 聚苯
乙烯
等非
极性
有机
薄膜
L 聚酯
等极
性有
机薄
膜
H 复合
介质
3，电感器
第一部分第二部
分
第三部
分
第四部
分
第五部
分
第六部
分
主称特征型式序号
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义L 线圈G 高频X 小型 A
ZL 高频阻
流圈
B
4，变压器
第一部分第二部
分
第三部
分
第四部
分
第五部
分
第六部
分
主称特征型式序号
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义DB 电源变
压器
G 高频X 小型 A
CB 音频输
出变压
器
B
RB 音频输
入变压
器
GB 高压变
压器
HB 灯丝变
压器
SB/ZB 音频
（阻
尼）输
送变压
器
SB/EB 音频
（定压
或者自
耦式）
输送变
压器
5，半导体二、三极管
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、
G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、
BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、
┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、
B-PNP型低频管、
C-NPN型高频管、
D-NPN型低频管、
F-P控制极可控硅、
G-N控制极可控硅、
H-N基极单结晶体管、
J-P沟道场效应管，如2SJ----
K-N沟道场效应管，如2SK----
M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；
不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、
JANTX-特军级、
JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、
无---非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN-军级、
2-三极管、
N-EIA注册标志、
3251-EIA登记顺序号、
A-2N3251A档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、
B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、
D-低频大功率三极管、
E-隧道二极管、
F-高频小功率三极管、
G-复合器件及其他器件、
H-磁敏二极管、
K-开放磁路中的霍尔元件、
L-高频大功率三极管、
M-封闭磁路中的霍尔元件、
P-光敏器件、
Q-发光器件、
R-小功率晶闸管、
S-小功率开关管、
T-大功率晶闸管、
U-大功率开关管、
X-倍增二极管、
Y-整流二极管、
Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、
一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，
字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；
其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；
后缀的第三部分是字母V，代小数点，
字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，
通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：
第一部分：O-表示半导体器件。
第二部分：A-二极管、C-三极管、
AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。
电子元器件选型要求规范-实用的经典要点
1目录 2总则 (3) 2.1目的 (3) 2.2适用范围 (3) 2.3电子元器件选型基本原则 (3) 2.4其他具体选型原则： (3) 3各类电子元器件选型原则 (4) 3.1电阻选型 (5) 3.2电容选型 (6) 3.2.1铝电解电容 (6) 3.2.2钽电解电容 (7) 3.2.3片状多层陶瓷电容 (7) 3.3电感选型 (7) 3.4二极管选型 (8) 3.4.1发光二极管： (8) 3.4.2快恢复二极管： (8) 3.4.3整流二极管： (8) 3.4.4肖特基二极管： (9) 3.4.5稳压二极管： (9) 3.4.6瞬态抑制二极管： (9) 3.5三极管选型 (9) 3.6晶体和晶振选型 (10) 3.7继电器选型 (10) 3.8电源选型 (11) 3.8.1AC/DC电源选型规则 (11) 3.8.2隔离DC/DC电源选型规则 (11) 3.9运放选型 (11) 3.10A/D和D/A芯片选型 (12) 3.11处理器选型 (13) 3.12FLASH选型 (14) 3.13SRAM选型 (14) 3.14EEPROM选型 (14) 3.15开关选型 (14) 3.16接插件选型 (15) 3.16.1选型时考虑的电气参数： (15) 3.16.2选型时考虑的机械参数： (15) 3.16.3欧式连接器选型规则 (15) 3.16.4白色端子选型规则 (16) 3.16.5其它矩形连接器选型规则 (16) 3.17电子线缆选型 (16) 4附则 (17)
2总则 2.1目的 为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。 2.2适用范围 适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。 2.3电子元器件选型基本原则 1)普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏 门芯片，减少开发风险。 2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较 好的元器件，降低成本。 3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停 产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。 5)可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。 6)向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。 7)资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。 8)降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参 见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。 9)便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴 型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。 2.4其他具体选型原则： 除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则: 1)所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能 少选择物料的种类。 2)功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。 3)禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。
(完整word版)产品命名编码规则
深圳市佳华利道新技术开发有限公司 产品命名编码规则 修定日期：2014/08/21 批准审核修订 文件标题产品命名编 码规则 文件编号 UP201408210 1 版本 A 修订部门总经办修订日期2014-08-21 页次 4
目录 一、目的 (2) 二、造用范围 (2) 三、物料编码的组成 (2) 四、编号规则说明 (2) 4.1 一级分类 (3) 4.2 二级分类 (3) 4.3 序号 (4) 4.4 版本号 (4)
文件编号：UP20140821001 深圳市佳华利道新技术开发有限公司 物料编码规范文件版本：01 文件页码：共 4 页 生效日期：2014-8-21 一.目的： 保证公司的物料编码规范化，便于物料接收、检验、储存、请购、盘点、账目、使用 及维护等作业,及确保产品在形成的各阶段都有唯一的标示，并具有可追溯性。 二..适用范围： 公司运作中涉及的所有物料，不包含办公用品等。 三..物料编码的组成：（先分大类，在分小类） 物料编码共9位阿拉伯数字组成，分为一级分类（2位），二级分类（2位），序号 3位），版本（2位）其组成形式为： 物料名称 1 0 0 0 1 0 1 0 1 一级分类二级分类序号版本 （大类）（小类） 四．编号规则说明： 如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推（实验用材料除外）。
4.1 一级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 10 ：电池箱组件 20 ：电机 30 ：动力系统控制器 40 ：低压元件零件 50 ：高压零部件 60 ：电子零部件 70 ：普通材料 80 ：杂类 4.2 二级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 物料类别（10-90）零件属性代码 （01-99） 序号 （001-999） 版本 （01-99） 10 电池箱组件01 电池芯001 3.2V/25Ah 02 电池模块 03 电池箱 001 箱体构件01 002 箱体构件02 003 箱体构件02 004 左侧构件 005 右侧构件 006 滚轮支撑板01 007 滚轮支撑板02 008 支承滚轮 009 固定块01 010 固定块02 011 顶盖 012 塑料卡扣6×3 013 塑料卡扣6×2 014 拉紧扣带 015锁紧扣 016 桥接片01 017 桥接片02 018 前汇流铜片 019 后汇流铜片 020负极连接片01 021 负极连接片02 022 负极连接片03 023 负极连接片04 024 正极连接片
常用电子元件型号与封装
常用电子元件型号与封装 名称型号及规格名称型号及规格稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电源座DC head D5.5*11mm 稳压管BZX84-C5V6/ 电源座DC head D3.5*10mm 稳压管BZX84-C2V7/ 电源座DC head D6*14.5mm 稳压管R1114-3.3 SOT-25A电源座3PIN(诺基亚电源座）稳压管AMS1117-3.3 SOT223石英晶振8.0M 5032 稳压管AMS1117-5.0 SOT223石英晶振16.0M 5032 晶体管TRANSISTOR UM6K1石英晶振16.0M 11*4mm 三级管2SD1664 SC-62石英晶振29.491MHZ HC-49SMD 三级管2SK3018 UMT3石英晶振12MHz 5*3.5 SMT 三级管2SK208-Y UMT3电阻22R ±1% 0402 三级管MMBT2301LT1 SOT-23可调电阻2K±1% EVM3Y 三级管2N7002LT1 SOT-23电阻 1.5M±1% 0402 二极管RB751V-40 TE-17 0805电阻1M±1% 0402 稳压管BZ84C2V7LT1 Z12 SOT23电阻768K±1% 0402 下接8P插座BOX0512Y08RLETND-A电容3300PF±5% 0402蜂鸣器HXD（R）12*9mm电阻300K±1% 0402 蜂鸣器RD（+）9*6mm电阻270K ±1% 0402 蜂鸣器ADK-2808AB-13C电阻240K±1% 0402 蜂鸣器扁嘴 12*7mm电阻150K±1% 0402 电感33nH 0603电阻120K±1% 0402 电感150nH 0603电阻100K±1% 0402 电感270nH 0603电阻68K±1% 0402 电感 6.8nH 0603电阻51K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 10uH电阻47K±1% 0402 电感SDR32-100MNP/SR0302电阻33K±1% 0402 电感4D18-470N 47uH电阻20K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD10uH电阻15K±1% 0402 电感PI-CDE4532 SMD 47uH电阻10K±1% 0402 电感4D18-100N SMD 22uH磁珠HB-1M2012-260J 0805线圈XL-L1010062晶振垫片11*4*1mm 共模电感CM-2012-121T 2012天线430MHz 黑色直头线绕电感33nH 0603 天线430MHz 黑色弯头线绕电感150nH 0603 天线ANT-433-3E(长） 线绕电感270nH 0603 天线ANT-433-2.5J(短) 线绕电感39nH 0603 天线ANT-2.4-2.5J弯帽(短) 线绕电感12nH 0603 天线ANT-2.4-2.5灰白弯帽(长)发光二极管Blue 1206上接8P插座BOX0512Y08RUETND-A 透镜D8.4*4.5IC TLC2272 SSOP-8透镜D5.5*2.5IC MCP602T-1/ST SSOP-8 IC TLC2272 SOP-8IC MCP604T-1/ST SSOP-14 IC TLC274 SOP-14IC LM324 SSOP-14 IC LM324 SOP-14IC MAX3221CAE TSSOP-16 IC74HC27 SOP-14IC74HCT125PW TSSOP-14 IC74HC08 SOP-14IC TLC2274 SSOP-14
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
绝缘子型号命名规则
绝缘子型号的含义 绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2 表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝
电子元件分类与编码标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
电子元器件的规格参数知识讲解
电子元器件的规格参 数
123电子元器件的规格参数 描述电子元器件的特性参数的数量称为它们的规格参数。规格参数包括标称值、额定值和允许偏差等。电子元器件在整机中要占有一定的体积空间，所以其外形尺寸也是一种规格参数。 电子元器件的质量系数：用于度量电子元器件的质量水平，通常描述了元器件的特性参数、规格参数环境因素变化的规律，或者划定了他们不能完成功能的边界条件。 电子工艺的质量参数一般有：温度系数、噪声电动势、高频特性及可靠性等，从整机制造工艺方面考虑，主要有机械强度和可焊性。 通常，用信噪比来描述电阻、电容、电感一类无源元件的噪声指标，对于晶体管或集成电路一类有源器件的噪声，则用噪声系数来衡量。在设计制作接收微弱信号的高增益放大器时，应当尽量选用低噪声的电子元器件。使用专用的“噪声测试仪”可以方便的测量出元器件的噪声指标。 电子元器件的命名与标注 通常电子元器件的名称应该反映出它们的种类、材料、特征、型号、生产序号和区别代号，并且能够表示出主要的电器参数。电子元器件的名称由字母和数字组成。对于元件来说，一般用一个字母代表它的主称，如R表示电阻器，C代表电容，L表示电感，W表示电位器，等等；用数字或字母表示其他信息。型号及参数在电子元器件上的标注：直标法、文字符号法和色标法。 文字符号法：①用元件的形状及其表面的颜色区别元件的种类，如在表面安装的元件中，除了形状的区别外，黑色表示电阻，棕色表示电容，淡蓝色表示电感。②电阻的基本标注单位是欧姆，电容的基本标注单位是皮法，电感的
基本标注单位是微亨；用三位数字标注元件的数值。③对于十个基本标注单位以上的元件，前两位数字表示数值的有效数字，第三位数字表示数值的倍率。例如， 对于电阻器上的标注，100表示其阻值为10×10^0=10,223表示其阻值为22×10^3=22K 对于电容器上的标注，103表示其容量为10×10^3pf=0.01uf,475表示其容量为47×10^5=4.7uf 对于电感器上的标注，820表示82×10^0=82Uh ④对于十个基本标注单位以下的元件，第一位、第三位数字表示数值的有效数字，第二位用字母R表示小数点。例如， 对于电阻器上的标注，3R9表示其阻值为3.9 色表法：在圆柱形元件（主要是电阻）上印制色环，在球形元件（电容、电感）和异形器件（如三极管）体上印制色点，表示它们的主要参数和特点，称为色码标注法。 用背景颜色区别种类——用浅色表示碳膜电阻，用红色表示金属膜或金属氧化膜电阻，深绿色表示线绕电阻。在研制电子产品是，要仔细分析电路的具体要求。在那些稳定性、耐热性、可靠性要求比较高的电路中，应该选用金属膜或金属氧化膜电阻；如果要求功率大、耐热性好，工作频率又不高，则可选用线绕电阻；对于无特殊要求的一般电阻则可使用碳膜电阻，以便降低成本。 电阻器的质量判别方法 ①看电阻器引线有无折断及外壳烧焦现象。
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.sodocs.net/doc/433067252.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
电子元器件大全
电子元器件大全 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！ 更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、数控系统、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉 （pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，
(整理)元器件封装命名规则ds.
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
电子元件符号大全
电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
产品型号命名规则
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 为规范本公司的产品，现将本公司现有产品的命名规则规范如下： 1.外置灯管：External Tube 例：GXLED-NS1-48-2-CW-C 即这个是24W系列灯管（一个电源2根灯管，1.2M长，色温5000K，透明罩。 型号单支功率灯珠 GXLED-NS1-48-2-XX-X 12 3528 GXLED-NS1-48-3-XX-X 18 3528 GXLED-NS1-96-1-XX-X 24 5730 GXLED-NS2-48-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS2-2U-2-XX-X 18 5730 GXLED-NS3-48-2-XX-X 18 2835 2.内置灯管：Internal Tube 例：GXLED-NSN-48-3-3-CW-C 即常规系列1.2M长，277V 27W色温5000K，透明罩。
编制 Writer 李长春批准Approver 产品命名规则 3.玉米灯Corn light 样例：GXT20-CW-1-E4即玉米灯20W 色温5000k 输入电压100-277Vac,E39/E40灯头的产品。 4.冰箱灯Refrigerator lamps 样例：GX-CS185070D即这个产品是1.8M的冰箱灯。 5.射灯spot light 样例：GXSL-M81-CW-2即MR16型的8W射灯，输入电压12V，色温5000K，发光角度20°。
编制 Writer 李长春 批准Approver 产品命名规则 6.面板灯 AXON LED Panel light 例：GXTF-A2-1-CW 即这个产品是600X600 110V 调光 5000K 色温面板灯。 7.NOVASTRIP （灯管替换类 灯板LED PCBA+电源DRIVE+PC COVER ） GXNP - X - XX - XX 8、SNOW MACHINE 雪花灯 DIG-HPS 15 NOVASTRI 灯板数 2:1拖2 功率24:24W 色温：SW=3000K WW=3500K 客户公司名 DIGICO IMAGING INC Happy 2015
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
线路板型号命名规则
一、目的及范围 统一规划产品开发中所涉及电路板型号命名，提供和识别产品具体信息内容及相关文档 的可控性，便于操作和统一管理，特此规范与说明。 作用范围包括环氧、铝基、瓷基、柔性、纸基等通用型线路板。 二、适用性 适用于xxxxxx硬件开发部。 三、公司产品开发思路 当前所发布的产品和公司的业务发展方向----向智能感知、物联网方向发展，因此，为保证产品开发进度，采用模块化产品开发模式，不同模块组合构成柔性的、可变的、多样化的产品，从而尽量缩短开发时间，同时减少商务、生产、测试的物流流转时间，为争取最快 的上市时间提供保障。实现“以不变（模块系列）应多变（用户需求）的产品开发模式。 模块化设计的基本方法： 新产品=不变部分（通用模块）+准通用部分（改型模块）+专用部分（新功能模块）从公司当前业务发展和及方向看，通用模块主要有（以后有新的需求再增加）： A：基于视频分析应用通用模块； B：基于物联网应用的通用模块； C：基于逻辑控制的通用模块； D：基于数据交换的通用模块。 因此线路板的命名分为通用模块线路板命名规则和专用功能接口线路板命名规则。 1、通用模块线路板命名规则 版本信息 附属信息 特征信息 业务应用类型 商标“HFC”
商标信息：固定为“HFC”； 业务应用类型（最多3位）： 基于视频分析应用通用模块：标识“A”； 基于物联网应用的通用模块：标识“M2M”； 基于逻辑运算控制类通用模块：标识“LOC”； 基于数据交换的通用模块：标识为“SW”。 *若后续有补充，可进行增添。 特征信息（最多3位）： 主要描述通用模块关键特征，利于区分相同业务应用类型模块之间差异。例如：交换机 有5以太网，则此位标识“5”，有8口，则此位标识“8”。如果没有，默认用“n”标识。 附属信息（最多4位，可数值也可文字） 主要表述核心芯片的信息，诸如，A8板采用TI Davinic DM6446芯片，则在附属信息 中“6446”用于标识； 版本信息（2位数值） 该标识位表示线路板的版本，用括号内数值代表，默认第一版用“(10)”（以版本号右移一位作为版本标识），若更改线路板相关内容，即改版打样，数值相应增加，如改过一次 大的，一次局部布局，并打样，最新版本为“(21)”。 2、专用部分线路板命名规则 在此之前的产品没有按此规则命名的，在改版后必须按以下命名规则执行。 版本信息 附属信息 用途信息 产品类型 商标“HFC” 商标信息：固定为“HFC”；
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
电子元器件规范标准
电阻 分类：固定电阻；排阻；可变电阻；特殊电阻 固定电阻： 1．主要参数：阻值材料类型精度功率封装 2．示例： 4.7K SMD +/-5% 1/16W 0603 备注：常用材料：SMD；碳膜；金属膜；合成膜；玻璃釉；水泥电阻； 常见封装：0603；0805；1206；AXIAL0.3； 派瑞电子选型参数： 排阻： 1．主要参数：阻值材料类型精度功率封装 2．示例： 4.7K SMD +/-5% 1/16W 0603*3 备注：常用材料：SMD；碳膜；金属膜；合成膜；玻璃釉； 常见封装：0603*3；0603*4；0805*3；AXIAL0.3*5；AXIAL0.5*6；派瑞电子选型参数： 可变电阻 1．主要参数：总调电阻变化类型精度功率封装 2．示例： 20K 线性 +/-10% 1W VR-6 备注：变化类型：线性；对数 常见封装：VR-6 派瑞电子选型参数：
特殊电阻 常见分类：热敏电阻；压敏电阻 1．热敏电阻： 1.1主要参数：型号类型标称电阻最大电压封装 1.2示例： MZ72-7RM PTC 7欧 220V RAD0.2 备注：类型：PTC；NTC； 常见封装：RAD0.2；DO-35； 风华高科选型参数：. 2.压敏电阻： 1.1主要参数：型号工作电压压敏电压功耗峰值电流封装 1.2示例： FPV100505G3R3 DC=3.3V,AC= 2.5V 5V 0.05W 20A RAD0.2 备注：常见封装：RAD0.2 风华高科选型参数： 电容 常用分类：瓷电容；其他电容 瓷电容： 1．主要参数：材料类型容值精度耐压值封装 2．示例： X7R 100nF +/-10% 25V 0805 备注：常用材料类型：X7R; X5R; Y5V; Z5U; NPO(COG) 常用封装分类：0402；0603；0805；1206；1210；1812；2220； 派瑞电子选型参数：.