元器件封装命名规则
1框架结构：分为原理图元件库和PCB元件库两个库,每个库做为一个单独的设计项目
1.1依据元器件种类，原理图元件库包括以下16个库：
1.1.1单片机
1.1.2集成电路
1.1.3TTL74系列
1.1.4COMS系列
1.1.5二极管、整流器件
1.1.6晶体管：包括三极管、场效应管等
1.1.7晶振
1.1.8电感、变压器件
1.1.9光电器件：包括发光二极管、数码管等
1.1.10接插件：包括排针、条型连接器、防水插头插座等
1.1.11电解电容
1.1.12钽电容
1.1.13无极性电容
1.1.14SMD电阻
1.1.15其他电阻：包括碳膜电阻、水泥电阻、光敏电阻、压敏电阻等
1.1.16其他元器件：包括蜂鸣器、电源模块、继电器、电池等
1.2依据元器件种类及封装，PCB元件封装库包括以下11个库：
1.2.1集成电路（直插）
1.2.2集成电路（贴片）
1.2.3电感
1.2.4电容
1.2.5电阻
1.2.6二极管整流器件
1.2.7光电器件
1.2.8接插件
1.2.9晶体管
1.2.10晶振
1.2.11其他元器件
2PCB元件库命名规则
2.1集成电路（直插）
用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装
尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽
N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm
W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm
如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装
2.2集成电路（贴片）
用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装
尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽
N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm
M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm
W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm
如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装
若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm
2.3电阻
2.3.1SMD贴片电阻命名方法为：封装+R
如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装
2.3.2碳膜电阻命名方法为：R-封装
如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装
2.3.3水泥电阻命名方法为：R-型号
如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装
2.4电容
2.4.1无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C
如：6032C表示封装为6032的电容封装
2.4.2SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距
如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装
2.4.3电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径
如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装
2.5二极管整流器件
命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148
2.6晶体管
命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电
路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名
作为封装名
2.7晶振
HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸
如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装
2.8电感、变压器件
电感封封装采用TDK公司封装
2.9光电器件
2.9.1贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示
如：0805D表示封装为0805的发光二极管
2.9.2直插发光二极管表示为LED-外径
如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
2.9.3数码管使用器件自有名称命名
2.10接插件
2.10.1SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种：2
mm，2.54mm
如：SIP7-2.54表示针脚间距为2.54mm的7针脚单排插针
2.10.2DIP+针脚数目+针脚间距来表示双排插针，引脚间距为两种：2
mm，2.54mm
如：DIP10-2.54表示针脚间距为2.54mm的10针脚双排插针
2.10.3其他接插件均按E3命名
2.11其他元器件
详见《Protel99se元件库清单》
3SCH元件库命名规则
3.1单片机、集成电路、二极管、晶体管、光电器件按照器件自有名称命
名
3.2TTL74系列和COMS系列是从网上找的元件库，封装和编码需要在画原
理图时重新设定
3.3电阻
3.3.1SMD电阻用阻值命名，后缀加-F表示1%精度，如果一种阻值有不
同的封装，则在名称后面加上封装
如：3.3-F-1812表示的是精度为1%，封装为1812，阻值为3.3欧的电阻
3.3.2碳膜电阻命名方法为：CR+功率-阻值
如：CR2W-150表示的是功率为2W，阻值为150欧的碳膜电阻
3.3.3水泥电阻命名方法为：R+型号-阻值
如：R-SQP5W-100表示的是功率为5W，阻值为100欧的水泥电阻
3.3.4保险丝命名方法为：FUSE-规格型号，规格型号后面加G则表示保
险管
如：FUSE-60V/0.5A表示的是60V,0.5A的保险丝
3.4电容
3.4.1无极性电容用容值来命名，如果一种容值有不同的封装，则在容
值后面加上封装。
如：0.47UF-0805C表示的是容值为0.47UF，封装为0805C的电容
3.4.2SMT独石电容命名方法为：容值-PCB封装
如：39PF-RAD0.2表示的是容值为39PF，引脚间距为200mil的S
MT独石电容
3.4.3钽电容命名方法为：容值/耐压值，如果参数相同，只有封装不同，
则在耐压值后面加“_封装”
如：220UF/10V表示的是容值为220UF，耐压值为10V的钽电容
3.4.4电解电容命名方法为：容值/耐压值_E
如：47UF/35V_E表示的是容值为47UF，耐压值为35V的电解电容
3.5晶振
3.5.1用振荡频率作为SCH名称
3.6电感
3.6.1用电感量作为SCH名称，如果电感量相同，封装不同，则在电感
量后面加封装来区分
如：22UH-NLFC3225表示电感量为22UH，封装为NLFC3225的电感
3.7接插件
3.7.1SCH命名和PCB命名一致
3.8其他元器件
3.8.1命名详见《Protel99se元件库清单》
4其他需要说明的
4.1SCH元件库中每一个元件都对应一个元件编码，均和E3编码一致，这
样在生成PCB元件清单时，直接生成E3编码
4.2《Protel99se元件库清单》中如果PCB或SCH其中有一个空缺，则表
示元件库中无此PCB封装或SCH原理图
4.3某些SCH命名可能画原理图时不太方便，调用时可以稍作修改
4.4并非E3所有电子元器件都列入库内，需要在使用过程中扩充元件库
4.5有于没有作图经验，建库过程中难免有错误或不合常规之处，还请同
仁在使用过程中小心留意，多多指点。
.........
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
封装命名规则
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
电子元件分类与编码标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
PCB封装库命名规则
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.sodocs.net/doc/8a8762455.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
pcb封装库命名规则
pcb封装库命名规则 PCB封装库命名规则 1、集成电路(直插) 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如:DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2 、集成电路(贴片) 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如:SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 3、电阻 3.1 SMD贴片电阻命名方法为:封装+R 如:1812R表示封装大小为1812的电阻封装 3.2 碳膜电阻命名方法为:R-封装 如:R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 3.3 水泥电阻命名方法为:R-型号
如:R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 4、电容 4.1 无极性电容和钽电容命名方法为:封装+C 如:6032C表示封装为6032的电容封装 4.2 SMT独石电容命名方法为:RAD+引脚间距 如:RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 4.3 电解电容命名方法为:RB+引脚间距/外径 如:RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 5、二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 6 、晶体管命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 7、晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如:AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 8、电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 9、光电器件 9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如:0805D表示封装为0805的发光二极管 9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管 9.3 数码管使用器件自有名称命名 10、接插 10.1 SIP+针脚数目+针脚间距来表示单排插针，引脚间距为两种:2mm，2.54mm
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
封装命名规则
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
电子元器件编码规则
电子元器件编码规则 Document serial number【UU89WT-UU98YT-UU8CB-UUUT-UUT108】
电子元器件编码规则一、范围 本标准规定了电子元器件编码规则，分别给出详细编码规则。 本标准适用于拓思拓科技有限公司内电子类物料的编号。 二、系统构造的说明 A BB B C - DDDD- XXXX- X 精度空位（环保区分时备 用） 误差/封装信息/引脚数/修 正编号/空位 元件种类/电气参数/型号 元件种类/电气参数/型号 元件种类/电气参数/型号 物品代码 三、内容 1、电阻 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 电阻值:1 Ω=10A0 10Ω=1000 100Ω=1010 1K=1020以此类推 功率: A=1/16W B=1/8W C=1/4W D=1/2W E=1W F=2W G=3W 元件种类:
贴片= SMD 电阻代码R 2.电容 A BB B C - DDD D - XXXX - X 精度:1=1% 2=5% 3=10% 4=20% 封装:0402 0603 0805 1206 A型=A000 B型=B000 电容值:1 pf=10A0 10pf=1000 100pf=1010 1nf=1020以此类推 耐压值: A= B=10V C=16V D=25V E=35V F=50V G=63V 元件种类: 贴片= SMD 电容代码C 3、三极管 A BB B C - DDD D - XXXX - X 厂家 区分 封装:SOT23=ST23 8050 8550 3904
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精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
PDMS_元件命名规则
PDMS_元件命名规则 管道元件命名规则 Index 目录 1.Naming Components 元件命名 2. Deriving Bolt Names 螺栓命名 3. COCO Table Coding 联接兼容表命名 4. Component CATREF coding 元件CATREF命名 第 1 页共 62 页 1. Naming Components 元件命名 Size Facing Rating Component Type Standard number International Standard International Standard: 国际标准 A ANSI Standard (ANSI) B British Standard (BS) C China (中国) D Deutsche Institut für Normung (DIN) F FRAMATOME I ISO M Manufacturers Standardisation Society (MSS) P American Petroleum Institute (API) J Japanese Standards Standard 标准 BS1560, ANSI B16.9, DIN 2050，中国(如GB、JB等)etc.
Type 类型 PDMS 常用类型:ATTA, TEE, BEND, ELBO, REDU, FLAN, OLET, NOZZ CROSS, VALVE, INST etc. Rating 压力等级 ANSI, BS, API, MSS 125#, 150#, 300#, 600#, 900#, 1500#, 2500#, 3000#, 6000#, 9000# (#=lb/sq. in.) China(中国) 0.25MPa,0.6MPa,1.0MPa, 1.6MPa, 2.5MPa, 6.3MPa, 10.0MPa, 16.0MPa, 25.0MPa, 32.0MPa, DIN (ND=Nenndruck) 10, 16, 25, 63, 100, 160, 250, 320, 400 Facing 端面类型 ANSI,BS,API,MSS,DIN ANSI,BS,API,MSS DIN China RF Raised Face TO Tongue FE Tongue RF 凸面法兰 FF Flat Face GR Groove NU Groove FF 平面法 兰 RTJ Ring Type Joint MA Male VS Projection RTJ 环连接面法兰 SCF Screwed Female FE Female RS Recess SCF 内螺纹连接 SCM Screwed Male SCM 外螺纹连接 TUB Plain End TUB 管子 BLF Blinded BLF 盲板 BWD Buttweld End BWD 对焊连接 LIN Lined Facing Size: 公称直径 Nominal bore sizes in inches or mm 英制或公制的公称直径 Typical Catalogue Names: 典型的Catalogue命名 BARC200 = BS1640 BW CONC REDUCER AAEA200 = ANSI B16.9 BW ELBOW 90 DEG CAFWBD0= 中国国标GB12459-96 PN1.6Mpa带颈对焊法兰 DCZFBP0 = DIN 2633 FLANGED NOZZLE PN16RF DAVHBPR= DIN 3202 GLOBE VALVE PN16 RF 第 2 页共 62 页
元器件封装命名规则ds
印制板设计 元器件封装命名规则
目次 1 范围 (1) 2 规范性引用文件 (1) 3制订规则 (1) 3.1以B开头的封装 (1) 3.2以C开头的封装 (1) 3.3以D开头的封装 (2) 3.4以E开头的封装 (2) 3.5以F开头的封装 (2) 3.6以G开头的封装 (2) 3.7以H开头的封装 (2) 3.8以K开头的封装 (2) 3.9以L开头的封装 (2) 3.10以R开头的封装 (2) 3.11以S开头的封装 (3) 3.12以T开头的封装 (3) 3.13以U开头的封装 (3) 3.14以V开头的封装 (3) 3.15以X开头的封装 (3) 3.16以Z开头的封装 (4)
印制板设计 元器件封装命名规则 1 范围 本部分适用于印刷电路板元器件封装的命名。 2 规范性引用文件 3制订规则 按照《项目代号》的分类方法，对标准封装库中贴片及插装元器件的命名做了以下规定。 3.1以B开头的封装 3.1.1蜂鸣器 3.1.1.1用Ba/b/c表示。B: 蜂鸣器、驻极话筒；a：两脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）。一些特殊的蜂鸣器、驻极话筒封装用B加型号表示，例如：OBO-27CO的封装用B27CO 表示。 3.1.2气敏传感器 3.1.2.1用Ba表示。B：气敏传感器。a：元器件型号。例如：TGS822、TGS813的封装用BTGS822和BTGS813表示。 3.2以C开头的封装 3.2.1插装类电容器 3.2.1.1铝电解电容器用CEa/b/c表示。CE：铝电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：直径（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。 3.2.1.2钽电解电容器用CTa/b表示。CT：钽电解电容器；a：两管脚间距（mm）；b：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。 3.2.1.3其它类的电容器用Ca/b/c或Ca/c表示。C：电容器；a：两管脚间距（mm）；b：外型，长×宽（mm）；c：管脚直径（mm）或管脚截面长×宽（mm）。外型很薄的瓷介、瓷片、独石或钽电容器可不标注外型尺寸，用Ca/c表示。 注：对于一些两管脚间距、管脚直径或管脚截面长×宽均相同，只是外形尺寸不同的元器件，制作封装并命名时采取向下兼容的原则（却以最大的外形尺寸为制做封装的标准）。 3.2.2 贴片类电容器 3.2.2.1 贴片电容器0603、0805在前加C，用C0603、C0805表示，1206与Pertel98库相同。 3.2.2.2 贴片铝电解电容器用CESa表示。CES：贴片铝电解电容器；a：直径。 3.2.2.3 贴片钽电解电容器用CTS-a表示。CTS：贴片钽电解电容器；a：封装尺寸代码。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元器件封装命名规则
PIC 是单片机的一种，比如51单片机，avr单片机；而每个厂家制作的单片机都要给其起名字，名字里会有许多信息，具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”，或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1．前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号，特别地：dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2．系列号:10、12、16、18、24、30、33、32，其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3．器件型号（类型）： C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4．改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5．晶体标示： LP 小功率晶体， RC 电阻电容， XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6．频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ -20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ 7．温度范围： 空白 0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 8．封装形式：
L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
[整理]PCB元器件封装建库规范.
XXXXXXXXXXXXX质量管理体系文件 编号：CZ-DP-7.3-03 PCB元器件封装建库规范 第 A 版 受控状态： 发放号： 2006-11-13发布 2006-11-13实施 XXXXXXXXXXX发布
1 编写目的 制定本规范的目的在于统一元器件PCB库的名称以及建库规则，以便于元器件库的维护与管理。 2 适用范围 本规范的适用条件是采用焊接方式固定在电路板上的优选元器件，以CADENCE ALLEGRO作为PCB建库平台。 3 专用元器件库 3.1 PCB工艺边导电条 3.2 单板贴片光学定位（Mark）点 3.3 单板安装定位孔
4 封装焊盘建库规范 4.1 焊盘命名规则 4.1.1器件表贴矩型焊盘： SMD[Length]_[Width]，如下图所示。 通常用在SOP/SOJ/ QFP/ PLCC等表贴器件中。 如：SMD32_30 4.1.2器件表贴方型焊盘： SMD [Width]SQ，如下图所示。 如：SMD32SQ 4.1.3器件表贴圆型焊盘： ball[D]，如下图所示。通常用在BGA封装中。 如：ball20
4.1.4器件圆形通孔方型焊盘： PAD[D_out]SQ[d_inn] D/U ; D代表金属化过孔, U 代表非金属化过孔。 如：PAD45SQ20D,指金属化过孔。PAD45SQ20U,指非金属化过孔。 4.1.5器件圆形通孔圆型焊盘： PAD[D_out]CIR[d_inn]D/U ; D代表非金属化过孔, U 代表非金属化过孔。 如：PAD45CIR20D,指金属化过孔。PAD45CIR20U,指非金属化过孔。 4.1.6散热焊盘 一般命名与PAD命名相同，以便查找。如PAD45CIR20D 4.1.7过孔： via[d_dirll]_[description]，description可以是下述描述： GEN：普通过孔；命名规则：via*_bga 其中*代表过孔直径 Via05_BGA：0.5mm BGA的专用过孔； Via08_BGA：0.8mm BGA的专用过孔； Via10_BGA：1.0mm BGA的专用过孔； Via127_BGA：1.27 mm BGA的专用过孔；
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
元器件封装命名规范
元器件封装命名规范
前言 概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名
1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)
2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)