(完整版)模电答案第二章
第2章基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)
3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)
4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)
5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)
6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)
7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)
二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
(g) (h) (i)
图T2.2
解：图(a)不能。V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C 2短路。 图(f)不能。输出始终为零。 图(g)可能。
图(h)不合理。因为G -S 间电压将大于零。 图(i)不能。因为T 截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'
100b R k =Ω。填空：要求
先填文字表达式后填得数。
(1)当0i
U V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，
则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。 (2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，
输出电压有效值'
0.6o U V =，
则电压放大倍数u A =&( /o i
U U - )≈( -120 )。 若负载电阻L R 值与c R 相等，则带上 图T2.3 负载后输出电压有效值o U =(
'
L o L c
R U R R ?+ )=( 0.3 )V 。
四、已知图T2.3 所示电路中12,3CC c V V R k ==Ω，静态管压降6,CEQ U V =并在输出端加负载电阻L R ，其阻值为3k Ω。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值om U ≈( A )；
A.2V
B.3V
C.6V
(2)当1i
U mV =&时，若在不失真的条件下，减小R w ，则输出电压的幅值将( C )； A.减小 B.不变 C.增大
(3)在1i
U mV =&时，将R w 调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将( B )；
A.顶部失真
B.底部失真
C.为正弦波
(4)若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( B )。
A.R w 减小
B.c R 减小
C. CC V 减小
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路
B.共集电路
C.共基电路
D.共源电路
E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1 、2.5.1(a)、2.5.4 (a)、2.6.2 和2.6. 9(a)所示；设图中e b R R <，且
CQ I 、DQ I 均相等。选择正确答案填入空内，只需填A 、B 、… …
(l)输入电阻最小的电路是( C )，最大的是( D 、E )； (2)输出电阻最小的电路是( B )；
(3)有电压放大作用的电路是( A 、C 、D )； (4)有电流放大作用的电路是( A 、B 、D 、E )； (5)高频特性最好的电路是( C )；
(6)输入电压与输出电压同相的电路是( B 、C 、E )；反相的电路是( A 、D )。
六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N 沟道和P 沟道MOS 管，如解图T2.6 所示。
图T2.6 解图T2.6
习题
2.1 分别改正图P2.1 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.1
解：(a)将-V CC改为+V CC。
(b)在+V CC与基极之间加R b。
(c)将V BB反接，且在输入端串联一个电阻。
(d)在V BB支路加R b，在-V CC与集电极之间加R c。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.2
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2所示；
(a)
(b)
(c) (d) 解图P2.2
2.3分别判断图P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出u i o
Q A R R &、、和的表达式。
解：图 (a): 123
(1)CC BEQ BQ V U I R R R β-=
+++，CQ BQ I I β=，(1)CEQ CC BQ c U V I R β=-+。
23//u
be
R R A r β=-&，1//i be R r R =，23//o R R R = 图(b)：[]2
23123
(
)///(1)BQ CC BEQ R I V U R R R R R β=-+++，CQ BQ I I β=，
41CEQ CC CQ EQ U V I R I R =--。
4u be R A r β=&，1
//1be i r R R β
=+，4o R R =。 2.4 电路如图P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时0.7BEQ U V =。利用图解法分别求出L R =∞和3L R k =Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压om U （有效值）。
(a) (b)
图P2.4
解：空载时：20,2,6BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===； 最大不失真输出电压峰值约为5.3V ，有效值约为3.75V 。
带载时：20,2,3BQ CQ CEQ I A I mA U V μ===；
最大不失真输出电压峰值约为2.3V ，有效值约为1.63V 。如解图P2.4 所示。
解图P2.4 图P2.5
2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, be r =1kΩ,20i
U mV =&,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表
示。
(1)3
42002010u
A -=-=-?& (×) (2)4 5.710.7u
A =-=-& (×) (3)8054001u A ?=-=-& (×) (4)80 2.52001u
A ?=-=-& (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02
i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5O R k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)
(11)20S U mV ≈& (×) (12)60S
U mV ≈& (√)
2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，U BE =0.7V ，饱和管压降U CES =0.5V 。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？
(1)正常情况；(2)R b1短路；(3)R b1开路；(4)R b2开路；(5)R b2短路；(6)R C 短路；
图P2.6 图P2.7
解:(1)21
17416311CC BE BE
B b b V U U I A R R μ-=
-=-=, 1.32C B I I mA β==，
∴8.3C CC C c U V I R V =-=。
(2) R b1短路,0==B C I I ,∴15C U V =。 (3) R b1开路,临界饱和基极电流23.7CC CES
BS c
V U I A R μβ-=
≈，
实际基极电流2
174CC BE
B b V U I A R μ-=
=。
由于B BS I I >,管子饱和,∴V U U CES C 5.0==。
(4) R b2开路,无基极电流,15C CC U V V ==。 (5) R b2短路，发射结将烧毁，C U 可能为15V 。 (6) R C 短路, 15C CC U V V ==。
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω
时的Q 点、u A &、i R 和o
R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：
22CC BEQ
BEQ BQ b
s
V U U I A R R μ-=-
≈
1.76CQ BQ I I mA β=≈
'26(1)
1.3be bb EQ
mV
r r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：
6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c u
be
R A r β=-≈-& // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93be
us
u
be s
r A A r R ≈?≈-+&& 5o c R R k ==Ω
3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：
(//) 2.3L
CEQ CC CQ c L L c
R U V I R R V R R =
-≈+
(//)115c L u be
R R A r β=-≈-& 34.7be
us
u
be s
r A A r R ≈?≈-+&& // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
2.8若将图P2.7 所示电路中的NPN 管换成PNP 管，其它参数不变，则为使电路正常放
大电源应作如何变化？ Q 点、u A &、i R 和o
R 变化吗？如变化，则如何变化？若输出电压波形底部失真，则说明电路产生了什么失真，如何消除？
解：由正电源改为负电源；Q 点、u A &、i R 和o
R 不会变化；输出电压波形底部失真对应输入信号正半周失真，对PNP 管而言，管子进入截止区，即产生了截止失真；减小R b 。
2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。 (1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；
(2)若测得i U &和o
U &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？
解：(1)mA R U V I c
CE
CC C 2=-=
，A I I C B μβ20/==,
∴Ω=-=
k I U V R B
BE
CC b 565。 (2)由(//)
100o c L u
i be
U R R A U r β=-=-=-&, 可得: 2.625L R k =Ω。 图P2.9
2.10在图P2.9所示电路中，设静态时2CQ I mA =，晶体管饱和管压降0.6CES U V =。试问：当负载电阻L R =∞和3L R k =Ω时，电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于2CQ I mA =，所以6CEQ CC CQ c U V I R V =-=。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 3.822
om U U U V -=
≈
3L R k =Ω时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
' 2.122
om I R U V =
≈
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、u A &、i R 和o
R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？
(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
解：(1)静态分析： 1
12
2b BQ CC b b R U V V R R =
?=+
1BQ BEQ EQ f e
U U I mA R R -=
=+
101EQ BQ I I A μβ
=
=+
e (R ) 5.7CEQ CC EQ c
f U V I R R V =-++= 图P2.11
动态分析：'26(1)
2.73be bb EQ
mV
r r k I β=++≈Ω
(//)7.7(1)c L u
be f
R R A r R ββ=-=-++&
12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω 5o c R R k ==Ω (2) β=200时，1
12
2b BQ CC b b R U V V R R =
?=+（不变）；
1BQ BEQ EQ f e
U U I mA R R -=
=+（不变）
；51EQ BQ I I A μβ
==+（减小）
； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V =-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c L
u
be e f e f
R R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++&（减小）；
12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）； 5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的u A &、i R 和o
R 。 解：(1)求解Q 点： 32.3(1)CC BEQ BQ b e
V U I A R R μβ-=
≈++
(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈ 7.17CEQ CC EQ e U V I R V =-≈
(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：
R L =∞时；(1)0.996(1)e
u
be e
R A r R ββ+=≈++& 图P2.12
//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈Ω
R L =3kΩ时；(1)(//)
0.992
(1)(//)e L u
be e L R R A r R R ββ+=≈++&
//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω
输出电阻：////
371s b be
o e R R r R R β
+=≈Ω+
2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的β=60 , '100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、u A &、i R 和o
R (2)设U s = 10mV （有效值），问?i U =,?o U =
若C 3开路，则?i U =,?o U =
解：(1) Q 点：
31(1)CC BEQ BQ b e
V U I A R R μβ-=
≈++
1.86CQ BQ I I mA
β=≈
图P2.13
() 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V ≈-+≈
u A &、i R 和o
R 的分析： '26(1)
952be bb EQ
mV r r I β=++≈Ω, (//)95c L u
be R R A r β=-≈-& //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。
(2)设U s = 10mV （有效值），则 3.2i
i s s i
R U U mV R R =
?=+； 304o u i
U A U mV =?=& 若C 3开路，则：
//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω ， // 1.5c L u
e R R A R ≈-≈-& 9.6i
i s s i
R U U mV R R =
?=+， 14.4o u i
U A U mV =?=&。 2.14 改正图P2.14 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
(a) (b)
(c) (d)
图P2.14
解：(a)源极加电阻R S ； (b)漏极加电阻R D ；
(c)输入端加耦合电容； (d)在R g 支路加?V GG ， +V DD 改为?V DD
改正电路如解图P2.14所示。
(a)
(b)
(c) (d)
解图P2.14
2.15已知图P2.21 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。 (1)利用图解法求解Q 点；
(2)利用等效电路法求解u A 、i R 和o
R 。
(a)
(b) (c) 图P2.15
解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R =-，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V ==-。如解图P2.15(a)所示。
(a) (b) 解图P2.21
在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R =-+，与2GSQ U V =-的那条输出特性曲线的交点为Q 点，3DSQ U V ≈。如解图P2.21(b)所示。
(2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 21/DS D
m U DSS DQ GS
i g I I mV V u U ?-=
=
=?
5u m d A g R =-=-&； 1i g R R M ==Ω；5o d
R R k ==Ω
2.16已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。
求解电路的Q 点和u
A &。
(a) (b)
图P2.16
解：(1)求Q 点： 根据电路图可知，3GSQ GG U V V ==。
从转移特性查得，当3GSQ U V =时的漏极电流：1DQ I mA = 因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V =-=。
(2)求电压放大倍数：
∵22/
m DQ DO g I I mA V U =
=， ∴ 20u m d
A g R =-=-&
2.17电路如图P2.17 所示。（1）若输出电压波形底部失真，则可采取哪些措施？若输
出电压波形顶部失真，则可采取哪些措施？（2）若想增大u
A &，则可采取哪些措施？ 解：（1）输出电压波形底部失真，类似于NPN 型三极管的饱和失真，应降低Q ，故可减小R 2或增大R 1、R S ；若输出电压波形顶部失真，则与上述相反，故可增大R 2或减小R 1、R S 。
（2）若想增大u
A &，就要增大漏极静态电流以增大m g ，故可增大R 2或减小R 1、R S 。 2.18图P2.18中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN 型、
PNP 型、N 沟道结型… … )及管脚(b 、e 、c 、d 、g 、s ) 。
(a) (b) (c) (d)
(e) (f) (g)
图P2.18
解：(a)不能。(b)不能。
(c)构成NPN 型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
(d)不能。(e)不能。
(f)构成PNP 型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
(g)构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
模拟电子技术模电课后习题含答案第三版
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模拟电路第二章课后习题答案(供参考)
第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）； (f) 无放大作用，电容C 2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b 使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解： 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ；②增大VCC ；③增大β。 解： ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1；②增大R b2；③增大Re ；④增大β。 解： ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &
模电第2章_作业答案
模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第2章半导体三极管及其放大电路1．简答题： （1）放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？ 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 （2）说明利用三极管组成放大电路的基本原则。 答：不论那种组态的放大电路，如果希望能够正常放大信号，必须遵守以下原则。 ①有极性连接正确的直流电源、合理的元件参数，以保证三极管发射结正偏、集电结反偏和合适的静态工作点，使三极管工作在放大区。 ②信号能够从放大电路的输入端加到三极管上，经过三极管放大后，又能传给放大电路的下一级或负载。 (3) 分析放大电路有哪几种方法？几种方法分别有什么特点？ 答：分析放大电路有近似法、微变等效法和图解法。近似法简洁、精确，工程上常用来分析放大电路的静态工作点；微变等效法方便分析放大电路的动态；图解法直观，可同时用于分析放大电路的静态和动态。 （4）共射、共集和共基表示BJT的三种电路接法，而反相电压放大器，电压跟随器和电流跟随器则相应地表达了输出量与输入量之间的大小与相位关系，如何从物理概念上来理解？ 答：共射电路有电压放大作用，且输出电压与输入电压相位相反。为此，称这种放大电
路为反相电压放大器。共集电路没有电压放大作用且输出电压与输入电压同相位。因此，可将这种放大电路称为电压跟随器。共基电路有输出电流与输入电流接近相等。为此，可将它称为电流跟随器。 2．图1所示电路中，已知硅型晶体三极管发射结正向导通电压为0.7V， =100，临界放大饱和时三极管压降（集电极-发射极之间）为0.3V。判断电路中各晶体管的工作状态。 (a) (b) (c) 图1 解：分析：判断晶体三极管的工作状态并计算各级电流问题的分析方法如下。 方法一： 1．对于NPN管，若U BE<0.7V，则管子截止；对于PNP管，若U BE>-0.7V，或U EB<0.7V 则管子截止； 2．若NPN管，U BE>0.7V，PNP管U EB>0.7V，则说明三极管处于放大状态或饱和状态。 对于NPN管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U CE>0.3V（设小功率三极管饱和压降为0.3V），说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U CE<0.3V，说明管子工作在饱和区。 对于PNP管，如果假设三极管工作在放大区，计算结果得管子压降U EC>0.3V，说明管子确实工作在放大状态。如果计算结果得管子压降U EC<0.3V，说明管子工作在饱和区。方法二： 当确定三极管处于非截止状态时，计算三极管的基极电流I B及饱和电流集电极电流I CS （U EC=0.3V），如果βI B I CS，说明电路处于饱和状态。 方法二似乎更为简单。 解：
模电第二章习题答案
习题2-5 设图中的三极管β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =12 V ，R C =3 k Ω，R b =120 k Ω。求静态工作点处的I BQ I CQ 和U CEQ 值。 习题2-15 设图中三极管的β =100，U BEQ =0.6V ，V CC =10V ，R C =3 k Ω，Rb b’=100 Ω。V CC =10V ,，R C =3 k Ω，Re=1.8 k Ω，RF=200Ω，Rb1=33 k Ω，Rb2=100 k Ω，RL=3 k Ω C1，C2和Ce 足够大。 ①求静态工作点 ②画微变等效电路如图 (3)求O i u U A U =； (4)设Rs =4 k Ω，求o s us U A U =
(5)求o i R R 和 ① 2.48,0.94, 5.3E U I I mA U =≈=≈BQ CQ Q CEQ V V ②微变等效电路如图 ③ be 2.9r ≈ k Ω， L be = 6.5 (1)u F R A r R ββ'-≈-++
(4) 12i r ≈ k Ω，= 4.9i us u i s r A A r R -≈-+ (5) R i ≈12 k Ω，R o ≈3 k Ω 习题2-17 画出如图放大电路的微变等效电路，写出计算电压放大倍O1O2 i i U U U U 和数的表达式，并画出当c e R R =时的两个输出电压o1o1U U 和的波形（与正弦波i U 相对应）。
微变等效电路如下图 解 O1i be (1)c e U R U r R ββ=-++ e c O1O2O1O2R u u R U U =≈当时，，和的波形如下图 e be e * 02* )1(1R r R U U Au i ββ+++= = ）（
模拟电路第二章课后习题答案汇编
模拟电路第二章课后 习题答案
第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。 解： (a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求； (b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置（正偏）； (c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置（反偏）； (d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置（正偏）； (e) 有放大作用（电压放大倍数小于1）；
(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0； (g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极； (h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置； (i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 解：
本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb；②增大VCC；③增大β。 解： ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =
模电题库及标准答案
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必
工学模电试题与答案
一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。 （A ）β（B ）β2 （C ）2β（D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。 （A ） 大 （B ） 小 （C ） 相等 三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u 0。
模电课后习题答案
模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===-
()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ +
模电第一章练习习题
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1
第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。
模电答案第二章
第2章基本放大电路 自测题 一?在括号内用“V”和“X”表明下列说法是否正确。 1?只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（X） 2?可以说任何放大电路都有功率放大作用。（V） 3?放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。（X ） 4?电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。（X ） 5?放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（V） 6?由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。 （X ） 7?只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（X ） 二?试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 (a) (b) (c) (d) (e) (f)
(h) 图 T2.2 解：图(a)不能。V BB将输入信号短路。 图(b)可以。 图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。 图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。 图(e)不能。输入信号被电容C2短路。 图⑴不能。输出始终为零。 图(g)可能。 图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。 图(i)不能。因为T截止。 三?在图T2.3所示电路中，已知V cc 12V ,晶体管p=100, R b 100k 。填空：要求先 填文字表达式后填得数。 (1)当U i 0V时，测得U BEQ 0.7V，若要基极电流I BQ 20 A,则R b和R W之和 负载后输出电压有效值U。( L U o)=( 0.3 )V。 R L R c 四、已知图T2.3所示电路中V cc 12V, R c 3k ，静态管压降U CEQ 6V ,并在输出端加负载电阻R L,其阻值为3k 。选择一个合适的答案填入空内。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值U om( A ); A.2V B.3V C.6V ⑵当U& 1mV时，若在不失真的条件下，减小R w，则输出电压的幅值将(C ); A.减小 B.不变 C.增大 (g) (i)
模拟电子技术第五版基础习题测验与解答
模拟电子技术基础习题与解答 2.4.1电路如图题2.4.1所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即1.406V ～1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。 2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω+Ω+?Ω+Ω= D 被反偏而截止。 图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω+Ω+-?Ω+Ω=
模电第一章习题解答
第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图
解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2
解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。
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模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
作业1-2 一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
大学模拟电路答案第一章
第一章半导体材料及二极管 习题类型 1．1半导体材料的导电特性； 1．2～1.9简单二极管电路的分析、计算； 1．10、1．11二极管限幅电路的分析、计算； 1．12～1.16稳压二极管电路的分析、计算； 1．17、1．18稳压管稳压电路的设计。 1.1 某N型Si材料的施主密度/cm3。在T=300K和T=550K时Si的本征浓度分别为/cm3和1015/cm3。计算在这两种温度下的自由电子浓度和空穴浓度，并说明材料 导电特性的变化。 解：（1）T=300K ，肯定成立 /cm3，/cm3。 （2）T=550K ，应联立求解和。 将，代入上二方程可得： 由上式解出/cm3 /cm3。 结论：在T=300K时，，材料呈现杂质导电特性。 在T=550K时，，材料已呈现本征导电特性。 1.2当T＝300K时，Ge和Si二极管的反向饱和电流分别为1μA和0.5pA。如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：，两管已充分导通，故伏安关系近似为，由此 ，取mV（T=300K） V V。
题图1.2 1.3 在T=300K时，利用PN结伏安方程作以下估算： （1）若反向饱和电流A，求正向电压为0.1V，0.2V和0.3V时的电流。 （2）当反向电流达到反向饱和电流的90%时，反向电压为多少？ （3）若正、反向电压均为0.05V，求正向电流与反向电流比值的绝对值。 解： （1）V=0.1V时，A； V=0.2V时，mA； V=0.3V时，A； （2）按题意 由上式解出V （3） 1.4二极管的伏安特性可用来表示，设。如果用一个的干电池正向接在该二极管的两端，试计算将有多大电流通过？电流值是否与实际情况相符？ 解：计算值，实际上，电流一旦超过允许的最大整流电流，管子就因过热而烧毁。 1.5题图1.5中所有二极管的反向饱和电流均为，求输出电压时相应的输入电压。
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u A 、 i R 和 o R 的分析： '26(1) 952be bb EQ mV r r I , (//)95c L u be R R A r & //952i b be R R r , 3o c R R k 。 (2)设U s = 10mV （有效值），则 3.2i i s s i R U U mV R R ； 304o u i U A U mV & 若C 3开路，则： //[(1)]51.3i b be e R R r R k ， // 1.5c L u e R R A R & 9.6i i s s i R U U mV R R ， 14.4o u i U A U mV &。 改正图 所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 (a) (b) (c) (d) 图 解：(a)源极加电阻R S ； (b)漏极加电阻R D ； (c)输入端加耦合电容； (d)在R g 支路加?V GG ， +V DD 改为?V DD 改正电路如解图所示。 (a) (b) (c) (d) 解图 已知图 (a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、
(c)所示。 (1)利用图解法求解Q 点； (2)利用等效电路法求解u A 、i R 和o R 。 (a) (b) (c) 图 解：(1)在转移特性中作直线GS D s u i R ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出1,2DQ GSQ I mA U V 。如解图(a)所示。 (a) (b) 解图 在输出特性中作直流负载线()DS DD D d s u V i R R ，与2GSQ U V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，3DSQ U V 。如解图(b)所示。 (2)首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。 5u m d A g R &； 1i g R R M ；5o d R R k 已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。 求解电路的Q 点和u A &。 (a) (b) 图 解：(1)求Q 点： 根据电路图可知，3GSQ GG U V V 。 从转移特性查得，当3GSQ U V 时的漏极电流：1DQ I mA 因此管压降 5DSQ DD DQ d U V I R V 。
第二章 南邮通达模电习题答案
习题： 一．填空题 1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。 2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利 用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。 3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导 体。N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。 4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。 5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。 6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。 7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。 8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。 9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。 10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。 11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。 12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是 MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。 13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中 题表2-1 二．选择题 1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。 A、杂质浓度 B、温度 C、输入 D、电压 2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。 A.开路 B.短路 C.不能确定 3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向导通 D.反向击穿 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。 A.增大 B.不变 C.减小 5.工作在放大区的某晶体管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为＿＿C＿＿。