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中南大学模电作业题第一章答案

中南大学模电作业题第一章答案
中南大学模电作业题第一章答案

中南大学模电试题(卷)与答案解析-成考类

中南大学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。 3.在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是放大器,A u2是放大器,A u3是放大器。 4.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响,对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR =。 5.设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为200 1 200 f j A + = & ,则此滤波器为滤波器,其通带放大倍数为,截止频率为。 6.如图所示的功率放大电路处于类工作状态;其静态损耗为;电路的最大输出功率为;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D为理想元件,已知u i = 5sinωt V ,试对应u i画出u o的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分)

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷(四套附答案)

中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题(110分钟)(第一套) 一、填空题:(每空1分,共15分) =+的两种标准形式分别为 1.逻辑函数Y AB C ()、()。2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。 3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。 4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为,则输出电压为()v。 5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。 6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。 7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共15分) 1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门” 来实现。 2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q 的表达式,并画出对应A、 B、C的P、Q波形。

三、分析图3所示电路:(10分) 1)试写出8选1数据选择器的输出函数式; 2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图; 3)说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。(15分) 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a) (b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。(8分)

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100μV ,u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12V ,R S 10k Ω,R B1 120k Ω, R B2 39k Ω,R C 3.9k Ω , R E 2.1k Ω, R L 3.9k Ω , r bb’ Ω,电流放大系数β50,电路中电容容量足够 大,要求: 1.求静态值I BQ ,I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V ); 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L

中南大学模电试卷及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100, Ω = ' 100 b b r,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

模电复习题和答案

《模拟电子技术实践》课程 习题答案 一、填空题 1、共集电极放大器的特点有输入阻抗大、输出阻抗小、电压放大倍数≈1等。是从射极输出,所以简称射极跟随器。 2、三极管有放大、饱和、截止三种工作状态,在数字电路中三极管作为开关使用时,它是工作在饱和、截止两种状态下。 3、在三极管的输出特性曲线中,当I B=0时的I C是穿透电流I CEO。 4E,V C=8V,V B=3.7V,则该管是NPN、处于放大状态。 5、集成运放其内部电路的耦合方式是直接耦合。 6、三极管的输出特性曲线分为饱和、截止、放大等区域,三极管放大器处于截止区的条件是发射结反偏、集电结反偏。 7、场效应管是一种利用电压来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是 电压控制型器件,三极管是电流控制型器件。 8、三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置;三极管的结温升高时穿透电流I CEO将增加。 9、二极管具有单向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为0.1-0.2 V;硅管约为0.4-0.5 V。 10、串联型可调稳压电源由取样电路、基准电路、比较放大、调整电路四个部分组成。 11、我们通常把大小相等、极性相同的输入信号叫做共模信号把大小相等、极性相反的信号叫做差模信号。集成运算放大器一般由输入电路、电压放大电路、推动级、输出级四个部分组成。 12、稳压电源一般由变压电路、整流电路、滤波电路、稳压电路四个部分组成。 13、理想集成放大器的开环差模电压放大倍数A VO为_无穷大,共模抑制比K CMR为无穷大,差模 输入电阻为无穷大。 14、单相半波整流电路输出电压的有效值U O=0.45U2 ,单相桥式整流电路输出电压的有效值 U O=0.9U2 ;整流电路是利用二极管的单向导电特性将交流电变成直流电的。滤波电路是利用电容或电感的储能充放电性质来减少脉动成分的。 15、三端固定式稳压器LM7805的输出电压为_5_V;LM7924输出电压为-24V。 16、理想乙类互补功率放大电路的效率为78.5%,理想甲类功率放大器的效率为50% 。 17、如希望减小放大电路从信号源索取电流,则可采用B;如希望负载变化时输出电流稳定,应 引入D;如希望动态输出电阻要小,应引入A;(A 电压负反馈;B 并联负反馈;C 串联负反馈;D电流负反馈)。 18、在图示电路中,已知开环电压放大倍数Au=10000,若需要Auf =100,则电路的负反馈系数 F为0.01。 19、多级放大器耦合的方式有阻容耦合、 变压器耦合、直接耦合;集成运算放大器是一种直接 耦合耦合放大器。 20、多级放大器与单级放大器相比,电压放大倍数较大;通频带较窄; 21、能使输入电阻提高的负反馈是C;能使输入电阻降低的负反馈是D; 能使输出电阻提高的负反馈是B;能使输出电阻降低的负反馈是A; (A 电压负反馈;B 电流负反馈:C 串联负反馈:D 并联负反馈)22、电压串联负反馈能稳定输出A ,并能使输入电阻D;

模电期末复习题目

模电题目 一、填空题 1.为使BJT发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的条件是(发射极正偏,集电极反偏)。 2.N型半导体是在纯硅或锗中加入(磷(+5))元素物质后形成的杂质半导体。 3.差分放大电路对(差模)信号有放大作用,对(共模)信号起到抑制作用。 3.在电容滤波和电感滤波中,(电感)滤波适用于大电流负载,(电容)滤波的直流输出电压高。 5.集成运放主要包括输入级、(中间放大级)、(输出级)和 (偏置)电路。其中输入级一般采用(差模)电路。 6.为稳定放大器的静态工作点,应在放大电路中引入(直流负)反馈,为稳定放大器的输出电压应引入(电压负)反馈。 7.与甲类功放电路相比,乙类互补对称功率放大电路的优点是(管耗小),其最高效率可达到(78.5%),但容易产生(交越)失真。 8.集成运算放大器是一种采用(直接)耦合方式的多级放大电路,它的输入级常采用差分电路形式,其作用主要是为了克服(共模干扰)。 9.若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出需要的输入信号为10mV,该电路的反馈深度为(10)。 10.产生1Hz~1MHz范围内的低频信号一般采用(RC)振荡器,而产生1MHz以上的高频信号一般采用(LC)振荡器 11.半导体二极管具有(单向导电)作用,稳压二极管用作稳压元件时工作在(反向击穿)状态。 12.晶体三极管是一种(电流)控制型器件,当工作在饱和区时应使其发射结(正偏)集电结(正偏),而场效应管是一种( 电压) 控制型器件。 13.集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、(低)输出电阻的(直接)耦合方式的多级放大电路。 14.差分放大电路有四种输入-输出方式,其差模电压增益大小与输(出)有关而与输(入)方式无关。 15.在放大电路中引入(直流负)反馈可以稳定放大电路的静态工作点,。 16.三种组态的放大电路中(共发射极组态、共基极组态、共集电极组态)输入电阻最小的是(共集电极放大)电路。 17.在一个交流放大电路中,测出某晶体管三个管脚对地电位为:(1)端为1.5V,(2)端为4V,(3)端为2.1V,则(1)端为(发射)极;(2)端为(集电)极;(3)端为(基)极;该管子为(NPN)型晶体管。 18.若要设计一个输出功率为10W的乙类功率放大器,则应选择PCM至少为(4 )W的功率管两只。 19.电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为(电流),输入端比较量为(串联)的负反馈放大器,它使输入电阻(增大),输出电阻(增大)。 20.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(增大)。 21. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时,石英晶体呈(阳性);当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈(感性);其余情况下石英晶体呈(容性)。

中南大学模拟电子技术试卷全四套

---○---○--- ---○---○--- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 … … … … 评卷 密 封 线 … … … … …… 密 封线 内不 要答 题 ,密封 线外 不 准 填写 考 生信 息, 违 者 考试 成 绩 按0 分 处理 … … … ……… 评 卷 密封 线 … …… … 中南大学考试试卷(1) 20 ~20 学年 1 学期 电子技术 课程 时间110分钟 80学时, 5 学分,闭卷,总分100分,占总评成绩 70 % 20 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 合 计 满 分 10 19 16 12 8 15 10 10 100 得 分 评卷人 复查人 一、选择题(本题10分,每小题2分) 1.三极管工作在饱和状态时,发射结和集电结处于( A )。 A .两者均正偏; B .前者正偏,后者反偏; C .两者均反偏; D .前者反偏,后者正偏; 2.电路如图所示,所有二极管均为理想元件,则D1、D2、D3的工作状态为( A )。 A .D1导通,D2、D3截止; B .D1、D2截止,D3导通; C .D1、D3截止,D2导通; D .D1、D2、D3均截止; 3.欲使放大电路的输入电阻增加,带负载能力强,应引入( B )。 A .电流串联负反馈; B .电压串联负反馈; C .电流并联负反馈; D .电压并联负反馈; 4.能使逻辑函数F=A ⊕B ⊕C ⊕D 均为1的输入变量组合是( A )。 A .1101,0001,0100,1000 B .1100,1110,1010,1011 C .1110,0110,0111,1111 D .1111,1001,1010,0000 4.右图所示波形反映的逻辑函数是( AB )。 (其中A 、B 为输入波形,Y 为输出波形) A .与非; B .异或; C .同或; D .或; 5.对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有( B )。 A .尽可能高的电压放大倍数 B.尽可能大的输出功率 C. 尽可能小的零点漂移 得 分 评卷人

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

中南大学大规模集成电路考试及答案合集

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---○---○ --- 学 院 专业班级 学 号 姓 名 ………… 评卷密封线 ……………… 密封线内不要答题,密封线外不准填写考生信息,违者考试成绩按0分处理 ……………… 评卷密封 中南大学考试试卷 时间110分钟 题 号 一 二 三 合 计 得 分 评卷人 2013 ~2014 学年一学期大规模集成电路设计课程试题 32 学时,开卷,总分100分,占总评成绩70 % 一、填空题(本题40分,每个空格1分) 1. 所谓集成电路,是指采用 ,把一个电路中 所需的二极管、 、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的 或介质基片上一同制作出来,形成完整电路,然后 在一个管壳内,成为具有特定电路功能的微型结构。 2. 请写出以下与集成电路相关的专业术语缩写的英文全称: ASIC : ASSP : LSI : 3. 同时减小 、 与 ,可在保持漏源间电流不变的前提下减小器件面积,提高电路集成度。因此,缩短MOSFET 尺寸是VLSI 发展的趋势。 4. 大规模集成电路的设计流程包括:需求分析、 设计、体系结构设计、功能设计、 设计、可测性设计、 设计等。 5. 需求规格详细描述系统顾客或用户所关心的内容,包括 及必须满足的 。系统规格定义系统边界及系统与环境相互作用的信息,在这个规格中,系统以 的方式体现出来。 6. 根据硬件化的目的(高性能化、小型化、低功耗化、降低成本、知识产权保护等)、系统规模/性能、 、 、 等确定实现方法。 7. 体系结构设计的三要素为: 、 、 。 8. 高位综合是指从 描述自动生成 描述的过程。与人工设计相比,高位综合不仅可以尽可能地缩短 ,而且可以生成在面积、性能、功耗等方面表现出色的电路。 9. 逻辑综合就是将 变换为 ,根据 或 进行最优化,并进行特定工艺单元库 的过程。 10. 逻辑综合在推断RTL 部品时,将值的变化通过时钟触发的信号推断为 , 得 分 评卷人

最新模电数电复习题(已整理)

第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

模电复习题含答案

判断题 1、在N型半导体中如果掺有足够量的三价素,可将其改型为P型半导体(√). 2、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电(×)。 3、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) 4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。(√) 5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作(√) 6、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用(√) 7、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,(√)它只能放大交流信号。(√) 8、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响,(√)它只能放大直流信号。(×) 9、运放的输入失调电压U IO是两输入电压之差(×) 10、运放的输入失调电流I IO是两输入端电流之差(×) 11、若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈(×) 12、负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲基本相同(√) 13、运算放大电路一般均引入负反馈(√) 14、在集成运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地(×)。 15、只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波震荡(×) 16、凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。(×) 17、在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大(×) 18、功放电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率(√)。 19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压(√)。 20、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出平均电压变为原来的一半(×)。 二、填空题 1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体,加入三价元素可形成形成P型半导体。 2、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12uA增大到22uA时,I C从1mA变到2mA,那麽它的β约为100 。 3、要求输入电阻1K至2K电压放大倍数大于3000,第一级采用共射放大电路,第二级采用共射放大电路 4、为了稳定静态工作点,应引入直流负反馈。 5为了稳定放大电路的输出电流,应引入电流负反馈。 6、反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地,而同相比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 7、同相比例运算电路可实现Au>1的放大器。 8、LC并联网络在谐振时呈阻性,在信号频率大于谐振频率时呈容性,在信号频率小于谐振频率时呈感性。 三、选择题 1、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A变窄B基本不变C变宽 2、当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为 B A前者反偏,后者也反偏B前者正偏,后者反偏C前者正偏,后者也正偏 3、Ugs=0时,能够工作在恒流区的场效应管有 A C A结型管B增强型MOS管C耗尽型MOS管

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套附答案完整版

中南大学数字电子技术基础期末考试试卷四套 附答案 Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-NNUUT-NUT108】

中南大学信息院《数字电子技术基础》 期终考试试题(110分钟)(第一套) 一、填空题:(每空1分,共15分) =+的两种标准形式分别为()、()。 1.逻辑函数Y AB C 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是()。 3.半导体存储器的结构主要包含三个部分,分别是()、()、()。 4.8位D/A转换器当输入数字量为5v。若只有最低位为高电平,则输出电压为()v;当输入为,则输出电压为()v。 5.就逐次逼近型和双积分型两种A/D转换器而言,()的抗干扰能力强,()的转换速度快。 6.由555定时器构成的三种电路中,()和()是脉冲的整形电路。 7.与PAL相比,GAL器件有可编程的输出结构,它是通过对()进行编程设定其()的工作模式来实现的,而且由于采用了()的工艺结构,可以重复编程,使它的通用性很好,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共15分) 1.将逻辑函数P=AB+AC写成“与或非”表达式,并用“集电极开路与非门”来实现。 2.图1、2中电路均由CMOS门电路构成,写出P、Q的表达式,并画出对应 A、B、C的P、Q波形。 三、分析图3所示电路:(10分) 1)试写出8选1数据选择器的输出函数式; 2)画出A2、A1、A0从000~111连续变化时,Y的波形图; 3)说明电路的逻辑功能。 四、设计“一位十进制数”的四舍五入电路(采用8421BCD码)。要求只设定一个输出,并画出用最少“与非门”实现的逻辑电路图。(15分) 五、已知电路及CP、A的波形如图4(a)(b)所示,设触发器的初态均为“0”,试画出输出端B和C的波形。(8分)

中南大学模电第二章作业答案解析

2.分别改正下图所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原 (a)静态时,发射结正偏,集电结反偏,-VCC改为+VCC (b) 没有RB发射结会烧坏,集电结不能反偏 (c)没有RB1当ui=0时发射结两端电压为零,VBB反过来。 (d)没有RB在交流通路中,VBB短路,交流信号加不进来。 3.放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要求I CQ=2mA,确定此时的静态工作点,并确 定此时的R b的值; ②利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的最大不失真输出电压U om(有效值); ③若R b调至150kΩ且i B的交流分量i b(t)=20sinωt(μA),画出i C和u CE的波形图,这时出现什么失真?

解:(1)直流负载线 12 ,.4,0====-=Ce C c ce C c CC ce U O I I U R I V U 作负载线得:I CQ =40μA Ω =≈+=k R U R I V b CE b B CC 30004 .012 (2)R L =∞直流负载线与交流负载线重合Uom=6/1.414=4.23V R L =3K ?,R L //R C =1.5 K ? 当 U CEQ +1.5*I CQ =9 ,Uom=1.5*I CQ/1.414=2.12V

(3) 当RB=150K ?时,IBQ=80Ma 4.电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:

中南大学模拟电子线路考试题3(附答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第3套) 一. 填空题 (每空1分,共20分) (注:同一题中可能只给出部分“空”的选项) 1. U GS = 0时,能够工作在恒流区的场效应管有: 。 A. JFET ; B.增强型MOSFET ; C.耗尽型MOSFET ; 2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V , V 2 =11.3V , V 3 =0V ,则该BJT 的基极电位等于 ,由 材料制成,管型为 。 3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A 均为 –100,将它们连成两级放大电路后,其电压放大倍数应 10000,且与级间耦合方式 。 A.大于; B. 等于; C.小于; E. 有关; F. 无关; 4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 , 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。 A.差; B.和; C.平均值; 5. 互补输出级通常采用 接法,是为了提高 。“互补”是指两个 类型三极管交替工作。 A. 负载能力; B.最大不失真输出电压; 6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式;适合于放大 频率信号;输入级一般为 放大器,其目的是为了 。 7. 恒流源在集成运放中有两个作用: 一是为各级提供 , 二是作为有源负载用来提高 。 8. 信号处理电路中,为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器, 应该选用 滤波器;欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号,应该选用 滤波器。 9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法,与BJT 的三种接法相比,共源放大器相当于 放大器。 二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。设U BEQ =U CES = 0.7V 。 (10分) 1.用图解法确定静态工作点I CQ ,U CEQ ; 2.确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。

中南大学电工学习题册习题答案 (1)

1 习题1——直流电路 1、 解1: 结点a :I 1+I 2=I 3 回路1:R 1I 1–R 2I 2+U S2–U S1=0 回路2:R 2I 2+ R 3I 3–U S2=0 图1 习题1的图 联立求解,得:I 1= –0.2A ,I 2= 1.6A ,I 3= 1.4A U s1起负载作用,其功率P 1= U s1 I 1= –2.4W U s2起电源作用,其功率P 2= U s2 I 2=24W 2、 解2:I 1 、I 2 、I 3 、I 4如图所示。 结点a :I 1+I +I 2=0 结点b :I 1+I =I 3+I 4 回路1:4I –8I 1=0 回路2:5I 2+9–4I 4–4I =0 回路3:2I 3=4I 4 图2 习题2的图 联立求解,得: I = 2/3A ,I 1= 1/3A ,I 2= –1A ,I 3= 2/3A ,I 4= 1/3A

3Ω 6 V 3Ω 1Ω 5Ω I 1 + - I 1a I 1b 3、 解3:①电压源单独作用时, I 1= –(I 1a + I 1b )= –(1+1) = –2A ②电流源单独作用时, I 2= –(I 2a + I 2b )= –(–1+3) = –2A 由叠加定理,I = I 1+ I 2= –4A 电压源单独作用 电流源单独作用 4、 图4 习题4的图 解4:①当开关在位置1时,电流源I S 单独作用时,毫安表读数I=K 1I S = 40mA ; ②当开关在位置2时,电流源I S 和电压源U S1同时作用,利用叠加定理有: I=K 1I S +K 2U S1 代入数据有:-60=40+ 10K 2 解得: K 2= -10 ③当开关在位置3时,电流源I S 和电压源U S2同时作用, U S1 I 1 S 2 3 U S2 R 5 + - - + U S2 I S R 4 R 3 R 2 R 1 A 3Ω 6 A 3Ω 1Ω 5Ω I 2 I 2a I 2b

中南大学模电试卷及答案分解

1 + j A 中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第 1 套) 一、一、填空题(20 分,每空 1 分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工 作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知 A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为: A u1 是 放大器,A u2 是 放大器,A u3 是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极 R e 公共电阻对 信号 的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比 K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 &= 200 f 200 ,则此滤波器为 滤波器, 其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的 最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题 5 分,共 25 分) 1.如图所示电路中 D 为理想元件,已知 u i = 5sin ωt V ,试对应 u i 画出 u o 的波形图。

2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。 3.已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP)并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R7构成级间负反馈,其组态为; 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中,β=100,r bb'=100Ω,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o;(6分)

模电数电复习考试题(已整理)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

模电试题(题库)

模电试题库 一、填空题。 1、由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、温度升高时,三极管的β将 (增加、减小、不变)。 3、要让三极管工作在放大区,发射结要求 ,集电结要 (正偏或反偏)。 4、当差分放大器两边的输入电压为1i u =7mV ,2i u =-3mV ,输入信号的差模分量为 ,共模分量 为 。 5、在放大电路中,如果要想提高输出电阻,减小输入电阻的要求,应引入 反馈。 6、直流稳压电源一般是由_________、、________、_________四部分组成。 7、乙类推挽放大器,由于三极管的死区电压造成的失真现象,这种失真称为 。 8、 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。 [ 9、放大器级间耦合方式有三种: 耦合; 耦合; 耦合;在集成电路中通常采用 耦合。 10、负反馈能够改善放大电路的性能,例如它可以提高增益的稳定性, , , 等。 11、场效应管属于_______________控制器件,而三极管属于_____________控制器件。(电压或电流) 12、差放电路中,公共发射极电阻Re 对于共模信号而言,相当于每个差放管的发射极接入________ _____的电阻,对于差模信号而言,Re 相当于为__________ ______。 13、负反馈能使放大器许多性能获得改善,如_______________、__________________、 __________________、__________________。但是性能的改善是以牺牲______________________为代价的 14、振荡电路的振幅平衡条件是:__________________________,相位平衡条件是: ___________________________. 15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态,必须满足的外部条件是_________________ _________ ___________, ( 16.为简化分析过程,在应用集成运放时总假定它是理想的,理想运放具有以下特点:开环差模增益A d =___________,开环输入电阻R i =_____________, 开环输出电阻R o =_______________。 17、某双极型半导体三极管其三个电极流过的电流如图所示:分别为:①、②、③10mA ,则该三极管为________ 型,三个电极分别为:①___e _____ ②____b ___ ___③__c ______ 。 18.三极管各电极的电流分配关系为_e=b+c _。 19.晶体管的输出特性是指当三极管基极电流I B 一定时,___________与_____________之间的关系。 20.晶体管输出特性有三个区域: 、 和 。晶体管工作在 时,相当于闭合的开关;工作在 时,相当于断开的开关。 21.三极管图形符号中的发射极的箭头表示三极管的________________方向。 22.在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入__________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入____________反馈;为了提高输入阻抗,宜引入___________反馈。

电工技术作业参考答案

《电工技术》作业参考答案 作业1 1-1 00=--U I R E V E 23323056.0=+?= W EI P E 11655233=?==(发出) W R I P R 156.025020=?==(吸收) W P U 16505230=?=(吸收) U R E P P P +=0(功率平衡)该支路吸收电能 1-2 (1) N N N I U P = A I N 450200== Ω===5.1216 20020I P R N (2) V U 5245.050=?+= (3) A I Short 1045 .052== 1-3 (a) V U 44040105=?+= A I 1.050 5-=-= (b) V U 50)4010(1=+?= A I 1= 1-4 V U AB 914)16(7=---= 1-5 S 断开时 V U A 459186-=?-= S 闭合时 V U A 151 566=?+-= 作业2 2-1 0321=++I I I 0)()(2222011101=++-++-E I R R I R R E 0)()(3333011101=++-++-E I R R I R R E 代入数据解方程可得,1I =A 322,3 1132-==I I A 2-2 0)(3323=+++-R I R I I E s 0331=+-R I R I U S 代入数据解方程可得=3I -0.5A =U 3.5V 2-3 (略) 2-4 =I 0A 2-5该电路中只有两个结点,选左边结点为参考结点,结点电压方程如下:

V E E E U 344010 310440101101101101010321==++++= 再根据KVL 可得三个电流 3 221034402201=-=I A 3112-=I A 3113-=I A 2-6 将10Ω支路断开,左边回路电流为A 121315=- 右边回路电流为 A 22 4= V U C 12211130=?-+= Ω=+?++?= 111111111eq R A I 111211012=+= 2-7 (a ) Ω=1eq R V U C 111010=+= (b) Ω==+?=3 812328484eq R A I SC 5444=+= 作业3 3-1 Ω=?==50059.1314L X L ω A I 44.0500 220== )90314sin(244.0?-=t i Ω=?==1008 .313141016 WC X C 3-2 Ω=?==1003148.311016C X C ωA X I C 2.2220== )90314sin(22.2?+=t i 3-3 Ω+=+=K j jX Z L 25.15.1 A k V I 152.05.2380=Ω= 6.05 .25.1cos ==? W UI P 656.346.0152.0380cos =??==?VAR UI Q 2.468.0152.0380sin =??==? VA UI S 76.57152.0380=?== 3-4Ω=?==8.31100 3141016 C X C ω 8.318.31j jX R Z C -=-= A Z I 9.42 8.31220220=?== 3-5 3.433.3310150500032321j j j j Z Z Z Z Z =Ω+=-=+?+ A j I 9008.53 .4302201-∠=∠=?

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