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二极管_正负极_型号大全

二极管_正负极_型号大全
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二极管

一、二极管的种类

二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。

1.整流二极管

整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。

因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。

整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。

由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封

装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。

选用整流二极管时,主要应考虑其大整流电流、大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

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普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管(例如l N系列、2CZ系列、RLR系列等)即可。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工反向恢复时间较短的整流二极管或快恢复二极管。

2.检波二极管

检波二极管是把叠加在高频载波中的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

检波二极管要求正向压降小,检波效率高,结电容小,频率特性好,其外形一般采用EA玻璃封装结构。一般检波二极管采用锗材料点接触型结构。

选用检波二极管时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。

3.开关二极管

由于半导体二极管存正向偏乐下导通电阻很小。而在施加反向偏压截止时。截止电阻很大,存开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起接通和关断的作用,故把用于这一目的的半导体二极管称为开关二极管。

开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。

中速开关电路和检波电路可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1sS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路的主要参数(例如正向电流、高反向电压、反向恢复时问等)来选择开关二极管的具体型号。

4.稳压二极管

稳压二极管义名齐纳二极管。稳压二极管是利用PN结反向击穿时电压基本上不随电流变化而变化的特点来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为稳压二极管(简称稳压管) 。稳压二极管是根据击穿电压来分挡的,其稳压值就是击穿电压值。稳压二极管主要作为稳压器或电压基准元件使用,稳压二极管可以串联起来得到较高的稳压值。

选用的稳压二极管应满足应朋电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同,稳压二极管的大稳定电流应高于应用电路的大负载电流50%左右。

5。快速恢复二极管(FR D)

快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种新型的半导体二极管。这种二极管的开关特性好,反相恢复时间短,通常用于高频开关电源中作为整流二极管。

快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频(如电视机中的行频)整流。快速恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向导通状态急剧转换到截止状态,从输出脉冲下降到零线开始。到反向电源恢复到大反向电流的10%所需要的时

间,用符号表示。

超快速恢复二极管(SRD)是在快速恢复二极管的基础上研制的,它们的主要区别就是反向恢复时间更小。普通快速恢复二极管的反向恢复时间为几百纳秒,超快速恢复二极管(SRD)的反向恢复时间一般为几十纳秒。数值越小的快速恢复二极管的工作频率越高。

当工作频率在几十至几百k H z时,普通整流二极管正反向电压变化的时间慢于恢复时间,普通整流二极管就不能正常实现单向导通而进行整流工作了.此时就要用快速恢复整流二极管才能胜任,因此,彩电等家用电器采用开关电源供电的整流二极管通常为快速恢复二极管,而不能用普通整流二极管代替,否则,用电器可能会不能正常工作。

常见快速恢复二极管的外形如图3所示。

6。肖特基二极管(sBD)

肖特基二极管是肖特基势垒二极管(Sehottky Barrier Diode,简称SBD)的简称。足近年来生产的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时问极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4 V左右,而整流电流却可达到几千安培,这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

肖特基二极管是用贵重金属(金、银、铝、铂等)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属一半导体器件。

肖特基二极管通常用在高频、大电流、低电压整流电路中。常见的肖特基二极管外形如图4所示。

7.瞬态电压抑制二极管

瞬态电压抑制二极管简称T V P管(transient—voltage—suppressor)。它是在稳压管的工艺基础上发展起来的一种半导体器件,主要应用于对电压的快速

过压保护电路中。可广泛用于计算机、电子仪表、通信设备、家用电器以及野外作业的机载/船用及汽车用电子设备,并可以作为人为操作引起的过电压冲击或霄电对设备的电击等保护元件。

瞬态电压抑制二极管按照其峰值脉冲功率可以分为四类:50()w、1000W、1500W、5000w。每类按照其标称电压分为若干种。

瞬态电压抑制二极管在两端电压高于额定值时,会瞬间导通,两端电阻将以极高的速度从高阻改变为低阻,从而吸收一个极大的电流,将管子两端的电压钳位在一个预定的数值上。瞬态电压抑制二极管的外形如图5所示。

8.发光二极管

发光二极管的英文简称是LED,它是采用磷化镓、磷砷化镓等半导体材料制成的、可以将电能直接转换为光能的器件。发光二极管除了具有普通二极管的单向导电特性之外,还可以将电能转换为光能。给发光二极管外加正向电压时,它也处于导通状态,当正向电流流过管芯时,发光二极管就会发光,将电能转换成光能。

发光二极管的发光颜色主要由制作管子的材料以及掺人杂质的种类决定。目前常见的发光二极管发光颜色主要有蓝色、绿色、黄色、红色、橙色、白色等。其中白色发光二极管是新型产品,主要应用在手机背光灯、液晶显示器背光灯、照明等领域。

发光二极管的工作电流通常为2~25mA。工作电压(即正向压降)随着材料的不同而不同:普通绿色、黄色、红色、橙色发光二极管的工作电压约2v;白色发光二极管的工作电压通常高于2.4V;蓝色发光二极管的工作电压通常高于3.3V。发光二极管的工作电流不能超过额定值太高,否则,有烧毁的危险。故通常在发光二极管回路中串联一个电阻R作为限流电阻。

红外发光二极管是一种特殊的发光二极管,其外形和发光二极管相似,只是它发出的是红外光,在正常情况下人眼是看不见的。其工作电压约1.4v,工作电流一般小于20mA。有些公司将两个不同颜色的发光二极管封装在一起,

使之成为双色二极管(又名变色发光二极管)。这种发光二极管通常有三个引脚,其中一个是公共端。它可以发出三种颜色的光(其中一种是两种颜色的混和色),故通常作为不同工作状态的指示器件。

常见发光二极管的外形如图6所示。

9.雪崩二极管(Avalanche Diode)

雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件,它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。

雪崩二极管利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越半导体晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用微波通信、雷达、战术导弹、遥控、遥测、仪器仪表等设备中。

10.双向触发二极管

双向触发二极管也称二端交流器件(DIAC)。它是一种硅双向电压触发开关器件,当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时,两端即导通,导通将持续到电流中断或降到器件的小保持电流才会再次关断。双向触发二极管通常应用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。双向触发二极管在常用的调光灯中的应用电路如图7所示。

11.变容二极管

变容二极管(英文名称variable—Cacitance Diode,缩写为VCD)是利用反向偏压来改变PN结电容量的特殊半导体器件。变容二极管相当于一个容量可变的电容器,它的两个电极之间的PN结电容大小,随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。当加到变容二极管两端的反向电压增大时,变容二极管的容量减小。由于变容二极管具有这一特性,所以它主要用于电调谐回路(如彩色

电视机的高频头)中,作为一个可以通过电压控制的自动微调电容器。

选用变容二极管时,应着重考虑其工作频率、高反向工作电压、大正向电流和零偏压结电容等参数是否符合应用电路的要求,应选用结电容变化大、高Q 值、反向漏电流小的变容二极管。

二、二极管的识别与检测

1.二极管的识别

晶体二极管在电路中常用VD加数字表示,如:VD5表示编号为5的二极管。在国家标准电路中,常用二极管的符号如图8所示。

二极管的识别很简单:小功率二极管的负极通常在表面用一个色环标出;有些二极管也采用“P”、“N”符号来确定二极管极性,“P”表示正极,“N”表示负极;金属封装二极管通常在表面印有与极性一致的二极管符号;发光二极管则通常用引脚长短来识别正负极,长脚为正,短脚为负。

整流桥的表面通常标注内部电路结构或者交流输入端以及直流输出端的名称,交流输入端通常用“AC”或者“~”表示;直流输出端通常以“+”、“~”符号表示。

贴片二极管由于外形多种多样,其极性也有多种标注方法:在有引线的贴片二极管中,管体有白色色环的一端为负极;在有引线而无色环的贴片二极管中,引线较长的一端为正极;在无引线的贴片二极管中,表面有色带或者有缺口的一端为负极。

2.二极管的检测

在用指针式万用表检测二极管时,数值较小的一次黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。正反向电阻均为无穷大,则表明二极管已经开路损坏;若正反向电阻均为0,则表明二极管已经短路损坏。正常情况下,锗二极管的正向电阻约1.6kΩ。

用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

若用数字万用表的二极管挡检测二极管则更加方便:将数字万用表置在二极管挡,然后将二极管的负极与数字万用表的黑表笔相接,正极与红表笔相接,此时显示屏上即可显示

二极管正向压降值(如图9所示)。不同材料的二极管,其正向压降值不同:硅二极管为0.55~0.7V,锗二极管为0.15~0.3V。若显示屏显示“0000”,说明管子已短路;若显示“0L” (如图10所示)或者“过载”,说明二极管内部开路或处于反向状态,此时可对调表笔再测。

三、二极管的主要参数

不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数:

1.额定正向工作电流

额定正向工作电流是指二极管长期连续T作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为1 40℃左右,锗管为90℃左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的lN400l型锗二极管的额定正向工作电流为l A。

2.大浪涌电流

大浪涌电流是允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值通常为额定正向工作电流的20倍左右。

3.高反向工作电压

加在二极管两端的反向电乐高到一定值时,管子将会击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了高反向工作电压值。例如,lN400l二极管反向耐压为50V,lN4007的反向耐压为l000v。

4.反向电流

反向电流( )是指二极管在规定的温度和高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高1 0℃,反向电流增大一倍。例如2APl 型锗二极管,在25℃时,反向电流为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

5.反向恢复时间

从正向电压变成反向电压时,理想情况是电流能瞬时截止,实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。

6.大功率

大功率就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。这个极限参数对稳压二极管等显得特别重要。

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

1N系列常用整流二极管的主要参数

1N 系列常用整流二极管的主要参数
反向工作 峰值电压 URM/V 额定正向 整流电流 整流电流 IF/A 正向不重 复浪涌峰 值电流 IFSM/A 正向 压降 UF/V 反向 电流 IR/uA 工作 频率 f/KHZ 外形 封装
型 号
1N4000 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5100 1N5101 1N5102 1N5103 1N5104 1N5105 1N5106 1N5107 1N5108 1N5200 1N5201 1N5202 1N5203 1N5204 1N5205 1N5206 1N5207 1N5208 1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5405 1N5406 1N5407 1N5408
25 50 100 200 400 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 50 100 200 300 400 500 600 800 1000
1
30
≤1
<5
3
DO-41
1.5
75
≤1
<5
3
DO-15
2
100
≤1
<10
3
3
150
≤0.8
<10
3
DO-27
常用二极管参数: 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW,

肖特基二极管特性详解(经典资料)分析

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

常用二极管型号及参数大全

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0

DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

BAS40W-04(SOT-323)肖特基二极管规格

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAS40W/-04/-05/-06 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES z Low Forward Voltage z Fast Switching BAS40W MARKING: 43? BAS40W-06 MARKING: 46 BAS40W-05 MARKING :45 BAS40W-04 MARKING :44 Maximum Ratings @T a =25℃ Parameter Symbol Limit Unit Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC b locking v oltage V RRM V RWM V R 40 V Forward continuous c urrent I FM 200 mA Power d issipation P D 150 mW Thermal r esistance j unction to a mbient R θJA 667 ℃/W Junction temperature T J 125 ℃ Storage temperature range T STG -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions M in M ax U nit Reverse breakdown voltage V (BR) I R = 10μA 40 V Reverse voltage leakage current I R V R =30V 200 nA Forward voltage V F I F =1mA I F =40mA 380 1000 mV Diode capacitance C D V R =0,f =1MHz 5 pF Reverse r ecovery time t r r I rr =1mA, I R =I F =10mA R L =100? 5 n s B,Jul,2012 【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 https://www.sodocs.net/doc/4712313292.html,

二极管符号大全

二极管符号大全 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流

常用二极管型号_大全

常用整流二极管型号大全lzg 极管型号:4148安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G安装方式:贴片 二极管型号:1SS355安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 IN4001 50 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4002 100 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4003 300 110 30 5.0 1.0 DO--41 IN4004 400 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4005 600 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4006 800 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN4007 1000 1.0 30 5.0 1.0 DO--41 IN5391 50 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5392 100 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5393 200 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5394 300 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5395 400 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5396 500 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5397 600 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5398 800 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 IN5399 1000 1.5 50 5.0 1.5 DO--15 RL151 50 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL152 100 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL153 200 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL154 400 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL155 600 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL156 800 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 RL157 1000 1.5 60 5.0 1.5 DO--15 普通整流二极管参数(二) 型号最高反向峰值电压(v) 平均整流电流(a) 最大峰值浪涌电流(a 最大反向漏电流(Ua) 正向压降(V) 外型 RL201 50 2 70 5 1 DO--15 RL202 100 2 70 5 1 DO--15 RL203 200 2 70 5 1 DO--15 RL204 400 2 70 5 1 DO--15

常用二极管型号参数大全

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41

直插二极管的正负极的分辨方法

直插二极管的正负极的分辨方法 直插二极管的正负极利用万用表怎么辨别? 机械万用表测试二极管,在正向导通的情况下,黑表笔所接一端为正极 数字万用表测试二极管,所示读数为二极管正向导通电压,红表笔所接一端为正极 1、首先,二极管上本身有标识。在二极管的一端上有一条线(直插的二极管周围都有,贴片的是一个面上有)。靠近线条这一端为负极,远离线条的那一端为正极。 2、万用表测量。用Rx100或Rx1K档位,用两个表笔(表笔连接万用表的一端要确保连接正确)来回测量,一个方向测量阻值为无穷大,另一方向有读数(即指针动了,但不同性质的二极管,读数不同)。当指针动了以后,黑笔连着的那端为正极,红笔那端为负极。如果是数字方用表,直接选择欧姆档,测量结果一样。 把表的选扭先拧到电阻档位,然后把两个表笔分别连接二极管的两极,表针会向右移动(如果表针不移动,就反接二极管的两端),在这种状态下,红色表笔连接的就是+,黑色为- 指针式的测得电阻小的时候,黑笔接的是正极。 数字式用专门测二极管的档,响的看表上的指示,也就是红接的正极。二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电

子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。 想要转载本站信息,请留下本站链接直插二极管https://www.sodocs.net/doc/4712313292.html,/

稳压二极管型号对照表

稳压二极管型号对照表 美标稳压二极管型号 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3 1N4732 4V7 1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V 需要规格书请到以下地址下载, https://www.sodocs.net/doc/4712313292.html,/products/Rectifiers/Diode/Zener/ 经常看到很多板子上有M记的铁壳封装的稳压管,都是以美标的1N系列型号标识的,没有具体的电压值,刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值,希望对大家有用 1N4727 3V0 1N4728 3V3 1N4729 3V6 1N4730 3V9 1N4731 4V3

1N4733 5V1 1N4734 5V6 1N4735 6V2 1N4736 6V8 1N4737 7V5 1N4738 8V2 1N4739 9V1 1N4740 10V 1N4741 11V 1N4742 12V 1N4743 13V 1N4744 15V 1N4745 16V 1N4746 18V 1N4747 20V 1N4748 22V 1N4749 24V 1N4750 27V 1N4751 30V 1N4752 33V 1N4753 36V 1N4754 39V 1N4755 43V 1N4756 47V 1N4757 51V DZ是稳压管的电器编号,是和1N4148和相近的,其实1N4148就是一个0.6V 的稳压管,下面是稳压管上的编号对应的稳压值,有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压,如5V6就是5.6V的稳压管。 1N4728A 3.3 1N4729A 3.6 1N4730A 3.9 1N4731A 4.3 1N4732A 4.7 1N4733A 5.1 1N4734A 5.6 1N4735A 6.2 1N4736A 6.8 1N4737A 7.5 1N4738A 8.2 1N4739A 9.1 1N4740A 10 1N4741A 11 1N4742A 12

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

整流二极管型号

整流二极管型号整流二极管型号大全上网时间: 2010-12-01整流二极管型号整流二极管型号大全 05Z6.2Y硅稳压二极管Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y硅稳压二极管Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X硅稳压二极管Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002硅整流二极管100V, 1A, 1N4003硅整流二极管200V, 1A, 1N4004硅整流二极管400V, 1A, 1N4005硅整流二极管600V, 1A, 1N4006硅整流二极管800V, 1A, 1N4007硅整流二极管1000V, 1A, 1N4148二极管75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391硅整流二极管50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管100V,1.5A, 1N5393硅整流二极管200V,1.5A, 1N5394硅整流二极管300V,1.5A, 1N5395硅整流二极管400V,1.5A, 1N5396硅整流二极管500V,1.5A, 1N5397硅整流二极管600V,1.5A, 1N5398硅整流二极管800V,1.5A, 1N5399硅整流二极管1000V,1.5A, 1N5400硅整流二极管50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管100V,3A, 1N5402硅整流二极管200V,3A, 1N5403硅整流二极管300V,3A, 1N5404硅整流二极管400V,3A, 1N5405硅整流二极管500V,3A, 1N5406硅整流二极管600V,3A, 1N5407硅整流二极管800V,3A, 1N5408硅整流二极管1000V,3A 常用整流二极管型号大全 极管型号:4148 安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号:SA5.0A/CA-SA170A/CA安装方式:直插 二极管型号:IN4007/IN4001 安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:低频 二极管型号:70HF80 安装方式:螺丝型功率特性:大功率频率特性:高频 二极管型号:MRA4003T3G 安装方式:贴片 二极管型号:1SS355 安装方式:贴片功率特性:大功率 二极管型号6A10安装方式:直插功率特性:大功率;型号:2DHG型安装方式:直插功率特性:大功率 二极管型号B5G090L安装方式:直插功率特性:小功率频率特性:超高频

二极管_正负极_型号大全

二极管 一、二极管的种类 二极管有多种类型:按材料分,有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等;按制作工艺可分为面接触二极管和点接触二极管;按用途不同又可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管、光电二极管、发光二极管、开关二极管、快速恢复二极管等;接构类型来分,又可分为半导体结型二极管,金属半导体接触二极管等;按照封装形式则可分为常规封装二极管、特殊封装二极管等。下面以用途为例,介绍不同种类二极管的特性。 1.整流二极管 整流二极管的作用是将交流电源整流成脉动直流电,它是利用二极管的单向导电特性工作的。 因为整流二极管正向工作电流较大,工艺上多采用面接触结构。南于这种结构的二极管结电容较大,因此整流二极管工作频率一般小于3kHz。 整流二极管主要有全密封金属结构封装和塑料封装两种封装形式。通常情况下额定正向T作电流LF在l A以上的整流二极管采用金属壳封装,以利于散热;额定正向工作电流在lA以下的采用全塑料封装。另外,由于T艺技术的不断提高,也有不少较大功率的整流二极管采用塑料封装,在使用中应予以区别。 由于整流电路通常为桥式整流电路(如图1所示),故一些生产厂家将4个整流二极管封 装在一起,这种冗件通常称为整流桥或者整流全桥(简称全桥)。常见整流二极管的外形如图2所示。 选用整流二极管时,主要应考虑其大整流电流、大反向丁作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

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肖特基二极管作用及型号

肖特基二极管 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B 为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B →A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 二、肖特基二极管作用

高压整流二极管型号有哪些 高压整流二极管型号大全

高压整流二极管型号有哪些高压整流二极管型号大全 高压整流二极管的型号多种多样,因为毕竟其使用的地方不同,故而对于高压整流二极管的型号要求也不一样,比如高压硅整流二极管,硅稳压二极管、普通硅稳压二极管等等,这些都会因为因地而异,因时而异。我们都知道电源对于我们日常生活的重要性,也知道电源在 这个社会中的作用,所以知道并了解高压整流二极管型号,或许有很大的帮助也说不定哦!

接下来,就让咱们进一步去了解高压整流二极管型号吧高压整流二极管型号因为高压整流二极管的使用方式不同,故而在安装方式上也有所不一样。所以高压整流二极管型号多种多样,比如采用直插方式的高压整流二极管,其型号有SA5.0A/CA-SA170A/CA。这些个型号,所表示的则是经过最大的电流值以及功率等等。高压整流二极管,在我们的日常生活中,或许很多人都没有怎么见过,也不知道其主要作用,不过这个高压整流二极管型号,对于我们来说,还是很有用处的。高压整流二极管一般型号型号有很多,故而不相同的产品也有很多。比如高压整流二极管一般型号3KV-30A,经过的电流范围大概是在50mA-100mA;经过的电压范围大概是在3KV-450KV;其频率范围在50HZ-100KHZ。其性能优势,电流电压性能稳定可靠,更多的不同外形样式,也可以供大家选择,而且其制作的工艺技术可靠,结构、设计等等,都非常让人信赖,这个高压整流二极管一般型号,也是现如今比较常用的型号。高压整流二极管常用型号这种二极管,具有很强的单向导电性,是一种大面积功率的半导体器件,结电容较大,而且做工的频率比较低,反向电压从25V-3000V左右,一般都是在几千赫兹。高压整流二极管常用型号有很多。比如IN4007/IN4001,采用直插方式,70HF80、MRA4003T3G等等,这些高压整流二极管型号都

二极管参数中英文对照表

二极管参数中英文对照表

Cj Junction Capacita nee 结电容 nV Rectification Efficie ncy 整流效率 If DC Forward Curre nt 正向直流电流 l(AV) Average Forward Rectified Curre nt 正向平均整流电流 ID Sta nd-off Reverse Leakage Curre nt 关态反向漏电流 IFSM Peak Forward Surge Curre nt 正向浪涌峰植电流 Non Repetitive Surge Peak on-state Curre nt 不重复浪涌峰值开 ITSM 态电流 IDM Maximum Reverse Leakage 最大反向漏电流 IFRM Repetitive Peak Forward Curre nt 正向重复峰值电流 IH Holdi ng Curre nt 维持电流 IO Mea n Forward Curre nt 正向平均电流 IR Reverse Leakage Current 反向漏电流 Irr Reverse Recovery Curre nt 反向恢复电流 IPPM Maximum peak lmpulse Curre nt 最大脉冲峰值电流 IRM Maximum peak Reverse Curre nt 最大峰值反向电流 IRM(REC) Maximum peak Reverse recovery Curre nt 最大峰值反向恢复电流 Maximum Non-repetitive recovery Peak Curre nt 最大峰值反向恢 复电流 On-state Test Curre nt 导通测试电流 Rati ng for fusi ng 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续时间的积分 值 Maximum Steady State Power Dissipati on 最大稳态功耗 Peak Pulse Power Dissipatio n 峰值脉冲功耗 Total Power Dissipati on 总功耗 IRSM IT I2t PM(AV) PPM Ptot Qrr ROJA

SD103BWS贴片肖特基二极管规格书

SD103AWS-SD103CWS Case : Molded plastic body Terminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity : Polarity symbols marked on case Mounting Position : Any Marking : SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6 FEATURES MECHANICAL DATA MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection Negligible reverse recovery time low reverse capacitance =25 A =25 SOD-323 Dimensions in millimeters and (inches) SCHOTTKY DIODES

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS 0 10 20 30 40 V R REVERSE VOLTAGE(V) FIG. 2-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS I F ,F O R W A R D C U R R E N T (m A ) C J , C A P A C I T A N C E (p F ) 100 10 1.0 0.1 0 0.5 1.0 1000 100 10 1.0 0.1 0.01V R REVERSE VOLTAGE(V)

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