电容的分类及选型知识
电容的分类及选型知识大全
电容是电子电路设计中不可缺少的元器件，在滤波、去耦、耦合以及微积分电路中具有不可代替的作用。市场上生产电容器的厂家极多，比较著名的公司有国的SAMSU日本的村田，美国的AVX等。各个公司的产品都有自己的规格型号和命名方式，选用时应该到官
网查找自己所需要的型号。
本文介绍的是电容的一般性分类和选购的基本指导原则，供设计者在设计时
宏观把握电容的选型。电容有多种分类方式，其中最重要的是按照介质进行分类。因为介质直接影响电容的性能。
一、电容的分类方式
1. 按结构可分为：1）固定电容、2）可变电容、3）半可变电容（微调电容）顾名思义，固定
电容（Fixed capacitance ）的容值是固定不变的, 当然，这个固定指的是相
对固定，因为电容的容值随着电压和温度的改变会稍微有变动，这就
是为何电容都有精度，常见的精度有5% 10% 20%等等。
可变电容（Variable capacitor ）指的是容值可以改变的电容，道理如滑动变阻器一样。可
变电容多用于相位补偿电路中，例如示波器探头的补偿电容。
半可变电容（微调电容Tuning capacitor ）道理与可变电容一样，但是其电容改变围很小，也可用于补偿电路。
2. 按极性分为：1）极性电容、2）非极性电容
极性电容是具有正负方向的，接反会产生严重后果，甚至是爆炸（电解电容），极性电容的容值一般比较大。
非极性电容是没有正负方向之分的，使用更加方便。
3、按照介质分类
1）气体介质电容：空气电容
2）电解电容：液态电解电容（如铝质电解电容）和固态电解电容（钽电容）
3）无机介质电容：瓷介电容、云母电容、玻璃釉电容
4）有机介质电容：
①聚乙酯电容（Mylar电容）、金属化聚乙酯电容（MKT电容）
②聚丙烯电容（PP电容）、金属化聚丙烯电容（MKF电容）
③聚苯乙烯电容（PS电容）、聚碳酸电容、聚酯电容（涤纶电容）
以上为电容分类的大体情况。其中按照介质分类是最重要的分类方式，因为介质影响电容的性能。其中每种分类方式中还有其他分类，在后文予以介绍。
二、不同介质电容的特点
1. 气体介质电容
气体介质电容器就是以空气或者其他气体作为介质的电容器，由多片可
180。转动的动片与多片固定的定片组成，它的电容量在一定围连续可调。当将
动片全部旋进定片间时，其电容量为最大；反之，将动片全部全部旋出定片间时，电容量最
小。如图所示为空气介质可变电容器的外形。空气介质可变电容器具有能精确调节电容量、介质损耗小、稳定性好、寿命长、体积较大、绝缘电阻高等特点。一般用在收音机、电子仪器、通信设备及有限广播电视等电子设备中。空气介质电容器一般应用围不广
2、电解电容（Electrolytic capacitor ）
1）液态电解电容（铝质电解电容）
几乎所有的液态电解电容都是铝质电解电容。铝质电解电容的突出特点是：单位容值大，尺寸小（仅仅是相对而言），电感适中。其耐压值可以从 6.3V到500V。铝质电解电
容一般为圆柱形。其缺点是：一般具有极性，漏电流大，损耗大，频率特性差，稳定性差，
不能承受低温和低气压，一般只能用于地面设备。由于铝质电解电容器的上述特点，所以铝质电解电容器一般用于储能、旁路
和低频滤波作用。
关于电解电容器特性介绍见《液态铝铝电解电容器特性介绍》，关于铝质电
解电容器的电压容值对应关系及封装见《电解电容封装尺寸》及《电解电容封装》。
2）固态电解电容（钽电容）
①基本性能概述
钽电容是常见的固态电解电容，钽电容是一种用金属钽（Ta）作为阳极材料而制成的电解电容。按照结构的不同可以分为箔式和钽烧粉结式两种结构。在钽烧粉结式电容中，又因为工作介质的不
同，分为固体电解质的钽电容和非固体电解质的钽电容，其中固体钽电
解电容用量大，如CA型，CA42型等。
钽电解电容器与铝电解电容器相比具有如下特点：
a. 体积小。钽电容的单位体积的电容量大，因此体积可以做的更小
b. 使用温度围广。钽电容的温度围可达-55 C到100C，铝质电解电容虽然也能达到这个温度，但是性能变差；
C.寿命长、绝缘电阻高，漏电流小，功耗低。钽电容的钽氧化膜不仅能耐腐
蚀，还能长时间保持优良的性能。
d. 阻抗频率特性好。钽固体电解电容可以工作在50KHZ以上。
e. 可靠性高。钽氧化膜的化学性能稳定，又因钽阳极基体Ta205耐强酸强碱，使得钽
电解电容相比铝质电解电容具有低损耗、温度稳定性更好。
但是钽电容也具有一下缺点：
漏电流大，价格贵，具有极性，稳定性差，精度差，耐压值低。目前，钽电容的耐压
值最大为50V。(参加AVX公司提供的参数表)。
②SAMSU公司产品基本介绍
SAMSUN司生产的钽电容有9个系列。这9个系列的区别与联系如下：
SCN series : Stander Series :标准型号圭寸装，容值从0.15u至U 68u，每种容值对应的封
装也不一致，在选购时要注意查找资料。
SCSSeries : MiniaturiZed Tantalum : 小型化钽电容。该系列容值为0.47u 到680u
SCS-Pseries : 2012 siZe miniaturiZed ，该系列全部是2012 封装，容值
是0.22u到22u。可以认为该系列是SCS的缩小版。
SCM-Series:Utral-MiniaturiZed(1608), 超小封装钽电容，1.0u 至U 10u;
SCF-Series : Face DownTantalum : 对于滤波、旁路、耦合和阻断电路具有
更好的性能;
SCE-Series : Low ESR低等效串联电阻，可以降低功耗
SCL-Series : Low Profile Tantalum : 该种电容降低了厚度；
PCS-Series : 该种电容具有较低的等效串联电阻，更加适合大电流波动的处
理。
PCL-Series :在PCS的基础上，降低了高度
3. 无机介质电容
⑴ 片状多层瓷电容MLCC
瓷电容器( ceramic capacitor ；ceramic condenser ) 就是用瓷作为电介质，在瓷基体两面
喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。它的外
形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
瓷电容器又分为低频瓷电容器和高频瓷电容器两种，或者分成I 类瓷电容器
和II类瓷电容器两种。通常NPO,SLO,CO是I类瓷介电容，X7R,X5R,丫5U, 丫5V 是II 类瓷介电容，I 类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II 类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等。
根据介质的不同，通常可以将瓷电容器分为以下几类：
①NPO( CO啖，属于第一类瓷电容器,超稳定级电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片瓷电容器。它的填充介质是由
铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPC电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55 C到+125C时容量变化为0士Oppm/C，电容量随频率的变化小于土0.3 △ Co NPO电容的漂移或滞后小于土0.05%，相对大于士2%勺薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于土0.1%。NPO
电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺
寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量围。COG是NPC 中
最好的一种.
封装DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033 卩F 1000pF---0.018 M f
概括为：NPC类瓷电容器温度稳定性好，频率特性好。
NPO t 容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
②稳定级电容器X5R/X7R/X6S介质
这三种电容器都是误差在15%^者22%的，算作稳定级，但是其使用温度有所不同。
X5R表示工作在-55度到+85度，整个温度围偏差正负15%
X7R表示工作在-55度到+125度，整个温度围偏差正负15%
X6S表示工作在-55度到105度，整个温度围偏差正负22%
X7R电容器被称为温度稳定型的瓷电容器。当温度在-55 C到+125C时其容量变化为15濡要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容
量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%A C,表现为10年变化了约5% X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是
IGBT吸收电容选型手册(EACO)
Electrical specifications, ordering codes Part Number Cap (μF) Dimention(mm) du/dt (v/μs) Ipeak A Irms max A ESR (m?) L B H STM-1200-2.2-*P# 2.2 57.5 35.0 50.0 455 1001 30.0 2.4 STM-1200-2.2-*S# 2.2 57.5 30.0 50.0 455 1001 29.5 2.4 STM-1200-2.5-*P# 2.5 57.5 35.0 50.0 455 1138 31.0 2.3 STM-1200-2.5-*S# 2.5 57.5 30.0 50.0 455 1138 30.5 2.3 STM-1200-3.0-*P# 3.0 57.5 35.0 50.0 455 1365 32.0 2.1 STM-1200-4.5-*S# 4.5 57.5 42.5 56.0 455 2047 33.0 1.7 Ur 1500Vdc, Urms 575Vac, Upk 2000Vdc STM-1500-0.33-*P# 0.33 42.5 24.5 27.5 800 264 13.5 4.6 STM-1500-0.33-*S# 0.33 42.5 18.0 31.5 800 264 13.0 4.6 STM-1500-0.39-*P# 0.39 42.5 24.5 27.5 800 312 14.0 4.3 STM-1500-0.39-*S# 0.39 42.5 22.0 30.0 800 312 13.5 4.3 STM-1500-0.47-*P# 0.47 42.5 33.5 35.5 800 376 18.0 3.7 STM-1500-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 800 376 17.5 3.7 STM-1500-0.68-*P# 0.68 42.5 33.5 35.5 800 544 19.5 3.1 STM-1500-0.68-*S# 0.68 42.5 28.0 37.0 800 544 19.0 3.1 STM-1500-0.75-*P# 0.75 42.5 33.5 35.5 800 600 20.5 2.8 STM-1500-1.0-*P# 1.0 42.5 33.0 45.0 800 800 23.0 2.5 STM-1500-1.0-*S# 1.0 42.5 30.0 45.0 800 800 22.5 2.5 STM-1500-1.2-*P# 1.2 57.5 30.0 45.0 560 672 25.0 2.8 STM-1500-1.5-*P# 1.5 57.5 35.0 50.0 560 840 28.0 2.5 STM-1500-1.8-*P# 1.8 57.5 35.0 50.0 560 1008 29.5 2.3 STM-1500-2.5-*S# 2.5 57.5 42.5 56.0 560 1400 31.0 1.8 Ur 1700Vdc, Urms 575Vac, Upk 2000Vdc STM-1700-0.22-*P# 0.22 42.5 24.5 27.5 880 194 13.2 5.3 STM-1700-0.22-*S# 0.22 42.5 17.0 28.0 880 194 13.0 5.3 STM-1700-0.33-*P# 0.33 42.5 24.5 27.5 880 290 14.0 5.0 STM-1700-0.33-*S# 0.33 42.5 22.0 30.0 880 290 13.5 5.0 STM-1700-0.47-*P# 0.47 42.5 33.5 35.5 880 413 19.0 3.8 STM-1700-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 880 413 18.5 3.8 STM-1700-0.56-*P# 0.56 42.5 33.5 35.5 880 492 19.5 3.1 STM-1700-0.56-*S# 0.56 42.5 28.0 37.0 880 492 19.0 3.1 STM-1700-0.68-*P# 0.68 42.5 33.5 35.5 880 598 20.0 2.9 STM-1700-0.82-*P# 0.82 42.5 33.0 45.0 880 721 22.1 2.5 STM-1700-0.82-*S# 0.82 42.5 30.0 45.0 880 721 19.5 2.5 STM-1700-1.0-*P# 1.0 57.5 30.0 45.0 610 610 23.5 2.7 STM-1700-1.2-*P# 1.2 57.5 30.0 45.0 610 732 26.2 2.6 STM-1700-1.5-*P# 1.5 57.5 35.0 50.0 610 915 28.5 2.4 STM-1700-2.2-*S# 2.2 57.5 42.5 56.0 610 1342 30.0 1.8 Ur 2000Vdc, Urms 630Vac, Upk 2400Vdc STM-2000-0.10-*P# 0.10 42.5 24.5 27.5 1000 100 8.0 13.0 STM-2000-0.10-*S# 0.10 42.5 15.0 26.0 1000 100 8.5 13.0 STM-2000-0.15-*P# 0.15 42.5 24.5 27.5 1000 150 10.5 7.5 STM-2000-0.15-*S# 0.15 42.5 15.0 26.0 1000 150 10.0 7.5 STM-2000-0.22-*P# 0.22 42.5 24.5 27.5 1000 220 12.0 5.1 STM-2000-0.22-*S# 0.22 42.5 22.0 30.0 1000 220 11.5 5.1 STM-2000-0.33-*P# 0.33 42.5 33.5 35.5 1000 330 16.5 4.1 STM-2000-0.33-*S# 0.33 42.5 28.0 37.0 1000 330 16.0 4.1 STM-2000-0.39-*P# 0.39 42.5 33.5 35.5 1000 390 17.5 3.6 STM-2000-0.39-*S# 0.39 42.5 28.0 37.0 1000 390 17.0 3.6 STM-2000-0.47-*P# 0.47 42.5 33.0 45.0 1000 470 20.5 3.2 STM-2000-0.47-*S# 0.47 42.5 28.0 37.0 1000 470 20.0 3.2 STM-2000-0.56-*P# 0.56 42.5 33.0 45.0 1000 560 21.5 3.0 STM-2000-0.68-*P# 0.68 57.5 30.0 45.0 700 476 22.5 3.5 STM-2000-0.82-*P# 0.82 57.5 30.0 45.0 700 574 24.0 3.1 STM-2000-1.0-*P# 1.0 57.5 35.0 50.0 700 700 27.0 2.8
电容器选用的基本知识(上)
電容器選用的基本知識（上） 文/唐凌 在一般電子電路中，尤其是與Hi-Fi有關的各種電路包括HFIFAF 電容器使用的頻度，大致上僅次於電阻器然電阻器使用雖多，而其作用特性種類卻遠較電容器為單純，因為在一張線路圖上，我們常常可以看到有關電阻規格的說明是除特別說明外一律用碳膜1/2瓦，而電容器就沒有那麼方便了。 因為電容器的規格，除了電壓容量之外還有因結構不同而產生的種種形體及特性上的差異，若有選用錯誤，不僅電路不能工作，甚至於將發生危險包括損及其他零件和人體等本文擬就以業餘者為對象，敘述一般電容器的選用常識，因編幅有限，是特將其較實用者優先論述。 一電子電路中的電容器 電容器的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現象，使得電容器有著種種不同的用途，例如在電動馬達中，我們用它來產生相移，在照相閃光燈中，用它來產生高能量的瞬間放電等等，而在電子電路中，電容器不同性質的用途尤多，這許多不同的用途，雖然也有截然不同之處，但因其作用均係來自充電與放電，所以，在不同用途之間，亦難免有其共同之處，例如傍路電容實際上亦可稱為平滑濾波電容，端看從哪一個角度來解釋。 以下係就一般習慣的稱呼做為分類，來說明電容器在不同電路中的作用和基本要求。 1.1直流充放電電容 電容器的基本作用既是充電和放電，於是直接利用此充電和放電的功能便是電容器的主要用途之一。 在此用途中的電容器，有如蓄電池和飛輪一般的功能，在供給能量高於需求時即予吸收並儲存，而當供給能量低於需求或沒有能量供給時，此儲存的能量即可放出電容器充放電的作用與
電池充放電的作用不一樣，電池不管在充電或放電時，所需之作用時間均較長，因此，它無法在瞬間吸收大量的電能，也無法在瞬間放出大量的電能。 圖1-1是常見的整 流電路，圖中二極 體僅導通下半週 的電流，在導通期 間把電能儲存於 電容器上，在負半 週時，二極體不導 電，此時負載所需 的電能唯賴電容 器供給。 在此電路中，你可能想到，電容器在正半週所充之電能是否足夠維持到負半迵使用關於這個問題，有三個因素來決定 1.交流電在正半週時能否充份供應所需能量 2.電容器在正半週的充電期間，是否能夠儲存充份的能量 3.負載所需的平均電能是多少。 以上三個因素之中，1.2.數字若很大，而3.的需求則很小，即使在理論上亦無法獲得純粹的直流，因為電容器並非在正半週的全部時間都在充電，而只是在正半週的電壓高於電容器既有的電壓時，才有充電的作用在電容器不接負載時漏電流亦不計，其充電的時間只是正半週的前四分之一週電壓上升時及至電壓上升到峰值後，第二個正半週就不再充電了當電容器接上負之後，開始放電，在不充電的時間內，放去了多少電能，在充電時才能回多少電能，正是因為這樣，所以紋波是無法等於零的。 通常的整流充放電電路，都是在交流接近峰值的極短時間內充電，然後做穩定的如前級放大器或不穩定的如B類放大器放電，而放電之量亦僅佔總電容量極小的部份但也有少數電路中的電容是做長時間緩慢充電而後在瞬間大量放電的，這類電路例如照相用之閃光電路和點銲機中之放電電路等，其電容所要求的特性自與一般整流用電容不一樣。 1.2電源平滑濾波及反交連電容
2 电容知识大全——专家超详细讲解
万鹏原创：最强最深入的电容讲座·实战篇 字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 01-18 09:39 作者: 万鹏来源: 泡泡网查看: 1718 次 本文作者万鹏简介：95年开始接触显卡，97年开始在《电脑报》、《微型计算机》上发表文章，99年进入耕宇公司，目前任职耕宇公司市场部，PCPOP技术顾问。曾用笔名：ECLIPSE、INTENSE、万大善人。假如您还没阅读过本文的上篇，那么我们强烈推荐您先阅读一遍：会攒机不叫DIY，迄今为止最深入的电容剖析。 第1页：铝电解液电容的制造过程 小地：万鹏你好，在上次的文章当中，我们了解了电容的构造、原理、阴极和阳极的分类，并且对如今性能最优秀的电解电容——固体聚合物导体电容进行了详尽的剖析。而这次，我们要谈些什么呢？ 万鹏：假如说上次我们所讲的内容，都是以理论为主的话，那么这次我们要谈的则更加的实际——这包括电容的制造过程、电容的寿命以及不同品牌、不同型号电容的性能特点。 在本章节我们首先讲一讲贴片铝电解液电容的制造方法，贴片铝电解液电容是如今的显卡上最常见的电容之一。大家看完本章后，就能明白这种电容是如何从原材料变成现在的模样了。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容 贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解： 第一步：铝箔的腐蚀。 假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。 因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。 第二步：氧化膜形成工艺。
电容器基本知识
電容器基本知識 一、定義：由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號：“C” 三、單位：法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由於電容能充放電所致，所以能通上交流 五、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中，總容量=1÷各電容容量倒數之和 例： 2.並聯電路中，總容量=各電容容量之和 例： 七、電容的標示： 1.直標法：直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法：用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如：“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質，一般有真合介質、漆膜介質等)
2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質，如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容： 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的，陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3)，此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層，氧化膜的厚度即為箔間之距離(d)，此厚度可由化成來加以控制，由於氧化膜的介電常數高且厚度薄，故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液，而陰箔只是將電流傳屋電解液而已，電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极，以陽极氧化所開氧化膜作為電介質，以液體電解液為電解質，另與陰极鋁箔所構成之電容器。
电容的分类知识大全
1 电容器种类 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 1.1 电解质电容器种类: 依照细部材质、形状、功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性 型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等. 1.2 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电 介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解液）作为阴极而构成的电容器。电解电容 器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚至几十万微法的容量,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目 前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电容器。 由于构成电解电容器两电极的材料不同，因此有极性的区分，一般极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为负,在电路中使用时正、负极不能接错。当 极性被反接或两端所加电压超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。 铝电解电容器
铝电解电容器采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。铝电解 电容器制造时是将电解质吸附在吸水性好、拉力强的衬垫上，另外再加一层铝箔作为负极引线，然后与正极铝箔一起卷绕起来放入铝壳或塑料壳中封装。 铝电解电容器单位体积所具有的电容量特别大，可以做到数万微法的大容量，这一点它 比其他类型的电容器有不可比拟的优势.铝电解电容器在工作过程中具有"自愈"特性。不过应注意铝电解电容器经受电击穿后很难完全自愈，即使能勉强使用也极不可靠。 铝电解电容器也有很显著的缺点： 1、其绝缘性能较差。铝电解电容器在所有类别的电容器中绝缘性能几乎是最差的,特别是高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA。漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 2、损耗因子较大。由于电解质的导电性不太好，电阻较大，因此损耗较大，低压铝电 解电容器的DF（损耗因子）通常在10％以上。Tanδ（损耗角正切值）随着测量频率的增 加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、温度特性及频率特性均较差。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小；随着温度 的下降，电容量会变小。铝电解电容其一般只能在－20℃～＋70℃的范围内使用（低温时 阴极电解液会固结，高温时会使得电解电容器的性能迅速劣化，寿命及静电容量都缩短到只有原來的几分之一），也有在—40℃～＋105℃范围内应用的型号，要根据设备的运行环境 温度选择合适的温度范围。 4、铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器，不宜突然施加 额定工作电压，而应逐渐升压至额定电压。 5、传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极，在片式化方面存在较大的障碍，故其 片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。 铝电解电容器具有极性。如果极性接反,电容器的漏电流会急剧增大，芯子严重发热，导 致电容器失效，并可能燃烧爆炸，损害线路板上的其它器件。所以使用时要注意极性问题。 不过近年来也出现了无极性铝电解电容器，它适宜在要求容量大、体积小、耐压高、有电平翻转可能的电路中选用。但要注意，除非必要，一般不选用无极性铝电解电容器，因为和普通的极性铝电解电容器相比，它成本高，等效串联电阻大，且长期在极性状态下工作后介质 的翻转性能会变差。 近年来出现一种PA-Cap系列聚合物固体片式铝电解电容器，采用导电性高分子聚合物 材料作为固体电解质制成,相对于其它电解电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）值、有更好的容量频率曲线、稳定的温度特性，电性能也更好一些。在高频滤波、抗干扰、电源补 偿等电路中可以用作传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品。 钽电解电容器
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COG/COH
COG
, ,
-55
125
,
0
30ppm/
0
60ppm/
0805
CG
101
J
500
N
T
(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 10
0 1
J G C B D
5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF
10 10 10 10
2
6R3 100 250 500
6.3V 10V 25V 50V
S C N / / T B
WB
W
T
L mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.30
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钽电容选型和外形介绍
钽电容选型介绍及外形尺寸 | | 2010年08月23日 | [字体：小大] | 点击推荐给好友 关键词：钽电容 一、钽电容介绍 钽电容是由稀有金属钽加工而成，先把钽磨成微细粉，再与其它的介质一起经烧结而成。目前的工艺有干粉成型法和湿粉成型法两种。钽电容由于金属钽的固有本性，具有稳定好、不随环境的变化而改变、能做到容值很大等特点，在某些方面具有陶瓷电容不可比较的一些特性，因此在很多无法使用陶瓷电容的电路上钽电容被广泛采用。 目前全球主要有以下几个品牌的钽电容：AVX、KEMET、VISHAY、NEC，其中AVX 和VISHAY的产量最大，而且质量最好。 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY和AVX为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ① 表示系列，VISHAY有293D和593D两个系列，293D表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1欧，一般在100毫欧到500毫欧之间。 ② 表示电容的容量，范围从0.1UF----680UF ③ 表示容量误差，钽电容的容量误差有两种：一是±10%（K）和±20%（M） ④ 表示电容的耐压，指在85℃时额定直流电压，钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤ 表示钽电容的尺寸大小，有A、B、C、D、E、P五种尺寸 ⑥ 表示电容的焊点材料，一般是镍银，和钯银 ⑦ 表示包装方式，有两种包装方式，7寸盘和13寸盘
2、外形尺寸 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D普通系列 593D低阻系列（通用低阻钽电容为100UF----470UF）
电容的基础知识要点
电容的基础知识 常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。 图1 电容的外形 表1 常用电容的结构和特点
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量 系列见表3。 表2 常用固定电容允许误差的等级 ±10%±20% (+20% -30%) (+50% -20%) (+100%-10%)
ⅡⅢⅣⅤ 表3 常用固定电容的标称容量系列 电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超 过电容的直流工作电压值。 表4是常用固定电容直流工作电压系列。有*的数值，只限电解电容用。 表4 常用固定电容的直流电压系列
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。 电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。 图2 表5 电容的类别和符号
表6 常用电容的几项特性
电容基本知识
产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上分主要有：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。 当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关，介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降，而且和绝缘电阻一样，介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大，因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地，介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作 电压的2.5倍）時，不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子键和共价键牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限，并非无穷大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作，它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗（Xc），就好像功率损耗决定于电阻的阻抗，或者叫做电容的等效电阻（ESR） Xc是由公式：Xc＝1/[2πFC]计算出来，这里的F是频率，单位是Hz；C是容量，单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下，允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的：I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压，电流是峰值电流，单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来：I=Ea/Xc，这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1：0.1pF，500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10－12)]＝1591ohms 电流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例2：1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10－12)]＝159ohms 电流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例3：10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10－12)]＝15.9ohms 电流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 结论：最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率，在功率极限下工作 的电流峰值是7A，平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下，电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作，它的实际最大工作电流是2Arms，如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷（Q），而Q值与电容量（C）和外加电压（V）成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为： =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位，在实际使用中很难达到，因此通常采用的是法拉的分数，即： 皮法（pF）=10-12F 纳法（nF）=10-9F 微法（mF）=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压，单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数： C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中，f=4.452，尺寸A和t的单位用英寸，电容量用皮法表示。单层电容器为例，电极面积1.0×1.0″，介质层厚度0.56″，介电常数2500， C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF 如果采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸单位改为cm， C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系，增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而，对于单层电容器来说，无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此，平行 列阵迭片电容器的概念被提出，用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中，由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄，电极面积A得以大大增加，因此电容量C会随着因子N（介质层数）的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452（t’） 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量，现在如果采用相同的介质材料，以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得（这里重合电极面积A’为0.030×0.020″）。 C=2500（0.030）（0.020）30/4.452（0.01）=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸，选择有很高介电常数和良好电性能（能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度）的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 电容的标志方法 （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1PF，C——±0.2PF，D——±0.5PF，F——±1PF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
名师推荐各种电容分类知识
电容符号 廉纶电容 金属膜电容
电子制作中需要用到各种各样的电容器，它们在电路中分别起着不同的作用。与电阻器相似，电容器通常简称其为电容，用字母C表示。顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”。尽管电容器品种繁多，但它 们的基本结构和原理是相同的。两片相距很近的金属中间被某绝缘物质(固体、气体或液体)所隔开，就构成了电容器。两片金属称为极板，中间的物质叫做介质。电容器也分为容量固定的与容量可变的。但常见的是固 定容量的电容，最多见的是电解电容和瓷片电容。 不同的电容器储存电荷的能力也不相同。规定把电容器外加 1 伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。电容的基本单位 为法拉(F)。但实际上，法拉是一个很不常用的单位，因为电容器的容量往往比1法拉小得多，常用的电容单位有微法(卩F)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，它们的关系是： 1 法拉(F)= 1000000微法(卩F) 1 微法(卩F)= 1000 纳法(nF)= 1000000 皮法(pF) 0
在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点，一般1卩F以上的电容均为电解电容，而1卩F以下的电容多为瓷片电容，当然也有其他的，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。电解电容有个铝壳，里面充满了电解质，并引出两个电极，作为正（+）、负（-）极，与其它电容器不同，它们在电路中的极性不能接错，而其他电容则没有极性。 把电容器的两个电极分别接在电源的正、负极上，过一会儿即使把电源断开，两个引脚间仍然会有残留电压（学了以后的教程，可以用万用表观察），我们说电容器储存了电荷。电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。充好电的电容器两端有一定的电压。电容器储存的电荷向电路释放的过程，称为电容器的放电。 举一个现实生活中的例子，我们看到市售的整流电源在拔下插头后，上面的发光二极管还会继续亮一会儿，然后逐渐熄灭，就是因为里面的电容事先存储了电能，然后释放。当然这个电容原本是用作滤波的。至于电容滤波，不知你有没有用整流电源听随身听的经历，一般低质的电源由于厂家出于节约成本考虑使用了较小容量的滤波电容，造成耳机中有嗡嗡声。这时可以在电源两端并接上一个较大容量的电解电容（1000卩F,注意正极接正极），一般可以改善效果。发烧友制作HiFi 音响，都要用至少1 万微法以上的电容器来滤波，滤波电容越大，输出的电压波形越接近直流，而且大电容的储能作用，使得突发的大信号到来时，电路有足够的能量。 电子电路中，电容器只能通过变化电流，不能通过直流电，在电路中起着“通交流，隔直流”的作用。电路中，电容器常被用作耦合、旁路、滤波等，都是利用它“通交流，隔直流”的特性。那么交流电为什么能够通过电容器呢？我们先来看看交流电的特点。交流电不仅方向往复交变，它的大小也在按规律变化。电容器接在交流电源上，电容器连续地充电、放电，电路中就会流过与交流电变化规律一致的充电电流。电容器的选用涉及到很多问题。首先是耐压的问题。加在一个电容器的两端的电压超过了它的额定电压，电容器就会被击穿损坏。一般电解电容的耐压分档为6.3 V ，10 V，16 V，25 V，50 V 等。 分类 1 ．固定电容器电容量固定的电容器叫做固定电容器。根据介质的不同可分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解几种。 1.1 陶瓷电容器 陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆 管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又 分高频瓷介和低频瓷介两种。 高频瓷介电容器适用于无线电、电子设备的高频电路。具有小的正电容温度系数的电容器，使用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合(包括高频在内) 。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。常见的瓷介电容器有：穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，特别适于高频旁路用。
pn结电容(pnjunctioncapacitance)物理知识大全-最新教学文档
pn结电容（p-njunctioncapacitance）物理知 识大全 苏霍姆林斯基说：让学生变得聪明的办法，不是补课，不是增加作业量，而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它，欢迎阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全。 pn结电容（p-njunctioncapacitance） pn结电容(p-njunctioncapacitance) pn结具有电容特性。pn结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。pn结的耗尽层宽度随加在pn结上的电压而改变。当pn结加正向偏压时，势垒区宽度变窄、空间电荷数量减少，相当于一部分电子和空穴存入势垒区。正向偏压减小时，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这相当于一部分电子和空穴的取出。对于加反向偏压情况，可作类似分析。pn结的势垒宽度随外加电压改变时，势垒区中电荷也随外加电压而改变，这和电容器充放电作用相似。这种pn结的电容效应称势垒电容。另外，在正偏结中，有少数非平衡载流子分别注入n区和p区的一个扩散长度范围内(称做扩散区)，其密度随正向电压的增加而增加，即在两个扩散区内储存的少数非平衡载流子的数目随pn结的正向电压而变化。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称
为pn结的扩散电容。pn结电容是可变电容。势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化。pn结电容使电压频率增高时，整流特性变差，是影响由pn结制成器件高频使用的重要因素。利用pn结电容随外加电压非线性变化特性，可制成变容二极管，在微波信号的产生和放大等许多领域得到广泛的应用。 感谢阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全，希望大家从中得到启发。
电容知识介绍
电容知识介绍 一、电容的基础知识： 电容是一种最基本的电子元器件，基本上所有的电子设备都要用到。小小一颗电容却是一个国家工业技术能力的完全体现，世界上最先进的电容设计和生产国是美国和日本，我国自主力量还很薄弱，并且生产的产品也都以低档为主。 电容的基本单位为法拉（F），常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是： 1法拉（F）= 106微法（μF） 1微法（μF）= 103纳法（nF）= 106皮法（pF） 1pF = 10-12F 1nF = 10-9F= 103 ×10-12F= 102pF 1uF = 10-6F= 106 ×10-12F= 105pF 104表示0.1uF，105表示1 uF， 106表示10uF，226表示22 uF。 电容的误差等级一般分为3级：I级±5%（J），II级±10%（K），III级±20%（M）0402封装：1.0mm长×0.5mm宽 0603封装：1.6mm长×0.8mm宽（60mil×0.0254=1.524mm，30mil=0.762mm）0805封装：2.0mm长×1.25mm宽（80mil×0.0254=2.032mm，50mil=1.27mm）1206封装：3.2mm长×1.6mm宽 1210封装：3.2mm长×2.5mm 宽 1812封装：4.5mm长×3.2mm宽 2010封装：5.0mm长×2.5mm 宽 2225封装：5.6mm长×6.5mm宽 2512封装：6.5mm长×3.2mm宽 A型钽电容：3.2mm长×1.6mm宽×1.6mm高 B型钽电容：3.5mm长×2.8mm宽×1.9mm高 C型钽电容：6.0mm长×3.2mm宽×2.5mm高 D型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×2.8mm高 E型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×4.0mm高
电容器基础知识
第1 页，共8 页 电解电容器简介 一.电容器基本原理: 1.电容器定义:一种能贮存电荷的电子组件. 2.电容器的构成: 由中间夹有电介质的两块金属板构成.当两极板分别带有等量异号的电荷Q时,若极间的电位差为V,则两者之比就称为电容器的电容量. AL2O3） 引导端 二.铝质电解电容器特色与原理之运用: 1.铝电解电容器的构造. 由阳极化成铝箔与阴极腐蚀箔、导针、电解纸、电解液结合而成 化成:利用电解液在直流电作用下在纯AL表面生产一层致密的AL2O3皮膜. 阳极箔经化成后，含有一高介电常数的氧化膜(AL2O3).此氧化皮膜当作阳极箔与阴极箔的绝缘层.氧化皮膜的厚度即为两箔间的距离(d),此厚度的厚薄可由化成来加以控制。由于氧化皮膜的介电系数高，且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容器的容量为高。电解电容器的实际阴极是与氧化膜接解之电解液。而阴极箔只是将电流传到电解液而已民，电解纸是用来帮助电解液之吸收及避免阳极箔、阴极箔直接接触，因磨擦而使氧化皮膜受损 2.E/C特色与原理之运用。 电容器是电子设备中大量使用的主要组件之一.它具有隔直流和分离各种频率的能力.广泛用在隔直流﹑耦合﹑旁路﹑滤波﹑谐振回路调谐﹑能量转换﹑控制电路中的时间常数组件等方面. 三. E/C电气特性介绍. 铝质电解电容器一般电气特性包括:←静电容量;↑损失角;→泄漏电流. 1.静电容量:表征电容器贮存电荷能力的大小. 静电容量: C= =ε(法拉第定律). ε—介电常数d—两极间距离s—两极间相对面积 电容器的标称容量:E24﹑E12﹑E6三个系列.分别适用于允许偏差±5%(Ⅰ级) ﹑±10%(Ⅱ级)﹑±20%(Ⅲ级)的规格.这三个系列内的数值是按下式计算并经过必要的修正得到,即: U Q d S
常用电容知识与种类_大全
一：电解电容： 1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 二：无极电容： 1．瓷片电容： A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大， 稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。 B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定 性好/ 应用：高频电路。 2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小 型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种 叫II型，容量大，但性能一般 3．CY-云母电容：电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路 5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变 电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用： 通讯，广播接收机等。 6．薄膜介质微调电容器：可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小， 体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路。 7．CL-聚酯涤纶电容（常见绿皮封装CL11）：电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。 CL21：金属化聚脂膜电容，红皮环氧树脂封装/或黄皮塑壳封装（外观类似CBB电容）。 CL21X/CL23/CL233X：超小型金属化聚脂膜电容，红皮、环氧树脂封装/或多色塑壳封装。8．CB/PS-聚苯乙烯电容（常见水晶封装）：电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，