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柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池闫礼

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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池研究

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池研究 【摘要】:铜铟镓硒Cu(InGa)Se_2(CIGS)薄膜太阳能电池,具有转换效率高、成本低、稳定性好等特点,是最有发展前景的薄膜太阳能电池之一。到目前为止,基于三步共蒸发工艺制备的CIGS薄膜太阳能电池的效率已达19.99%,是所有薄膜太阳能电池中最高的。尽管这种制备方法有很多优点,制备成分均匀的大面积电池却具有难以克服的困难,不能满足大规模产业化的要求。在CIGS薄膜太阳能电池产业化进程中,克服其层间的附着力差,制备符合化学计量比具有黄铜矿结构的多晶薄膜吸收层是必须解决的两个最重要的工艺技术。本论文主要研究一种工艺简单、可控、适合产业化需要的技术工艺,即溅射制备合金预制膜后硒化的制备方法。研究采用的溅射系统,是本中心自行设计研制的三靶共溅设备,阴极大小为3英寸,衬底基座可以旋转,以保证制备薄膜的均匀。首先,在碱石灰玻璃衬底上制备厚度约1微米的钼电极,在溅射过程中通过改变工作气压,使Mo电极具有类似层状结构,消除了内应力的影响。通过扫描电镜分析,薄膜表面具有鱼鳞状结构,从而增加了Mo电极和CIGS吸收层之间的接触面积。Mo电极和玻璃衬底之间,及其和CIGS吸收层之间的附着力得到显著提高。然后,在沉积有Mo电极的玻璃衬底上,通过共溅射的方法制备约700纳米厚度的Cu(InGa)预制层薄膜,靶材采用CuIn和CuGa合金靶。硒化采用低温和高温过程依次进行的2步方法,采用固态硒源,硒化室是一个半密封的石墨盒。通过在高温区保温30分钟,制备出了性能优异的CIGS

吸收层薄膜,具有(112)晶面择优取向,显示明显的黄铜矿单一结构。薄膜表面平整,晶粒大小均匀、排列紧密,晶粒大小达到3到5微米。用化学水浴法,制备厚度约70纳米的CdS过渡层。分别采用醋酸镉和硫尿作为镉源和硫源。研究了ZnS薄膜的制备工艺,对无镉电池的制备做了初步探索。最后用射频磁控溅射的方法,研究了常温下制备透明导电材料IT0和ZnO的制备工艺,研究了溅射功率和溅射气压对薄膜性能的影响。所制备的透明导电薄膜在可见光谱范围内,透过率到达80%到90%,方块电阻达到15Ω/□以下。在CIGS薄膜太阳能中,作为上电极材料,具有广泛的应用前景。通过大量的实验,优化了背电极Mo、吸收层CIGS、过渡层CdS(ZnS)、本征氧化锌i-ZnO和搀杂氧化锌n-ZnO(或者ITO)的制备工艺。最后,制备出了结构为Glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/n-ZnO/A1的CIGS电池器件。对器件的性能做了测试分析,在没有减反射层的情况下,转化效率达到7.8%。该研究采用的CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺简单、过程容易控制、设备和材料费用低,没有采用剧毒的气源,适合大规模产业化的要求,为以后进一步的研究开发做了技术储备。【关键词】:CIGS薄膜太阳能电池TCO磁控溅射合金靶固态硒源硒化 【学位授予单位】:华东师范大学 【学位级别】:博士 【学位授予年份】:2009

中国铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池未来发展趋势报告

2010-2012年中国铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池市场全景调查及未来发展趋势报告 报告简介 报告目录、图表部份 目录 第一章铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池概述 1 第一节太阳能电池的分类 1 一、硅系太阳能电池 1 二、多元化合物薄膜太阳能电池 3 三、聚合物多层修饰电极型太阳能电池 3 四、纳米晶化学太阳能电池 5 第二节铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池介绍7 一、CIS太阳电池的结构7 二、CIS太阳电池的特点7 三、生产高效CIS太阳电池的难点8 第三节铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池介绍8 一、CIGS太阳能电池基本概念8 二、CIGS太阳电池的结构9 三、CIGS薄膜太阳电池的优势9 四、CIGS薄膜三种制备技术的特点10 第二章2008-2009年世界CIGS薄膜太阳能电池产业发展状况分析12 第一节2008-2009年世界薄膜太阳能电池的发展分析12 一、全球薄膜太阳能电池产业迅速发展12 二、三种薄膜太阳能电池进入规模生产12 三、薄膜太阳能电池企业纷纷布局14 第二节2008-2009年世界CIGS薄膜太阳能发展概况14

二、全球CIGS电池发展现状16 三、全球铜铟镓硒太阳能电池领导厂商发展概况19 第三节2009-2012年世界CIGS薄膜太阳能电池产业发展趋势分析21 第三章2008-2009年世界主要国家CIGS薄膜太阳能电池发展分析23 第一节2008-2009年世界CIGS薄膜太阳能企业发展动态23 一、IBM与TOK将共同开发新型CIGS太阳能电池23 二、德国SOLIBRO开始提供CIGS太阳能电池23 三、IBM涂布法CIGS太阳能电池转换效率突破12.8%24 四、VEECO公司CIGS薄膜太阳能电池设备获得订单24 五、亚化宣布进军CIGS薄膜太阳能领域25 第二节2008-2009年美国CIGS薄膜太阳能电池发展分析25 一、美国化合物太阳能电池专利权人分析25 二、美国CIGS化合物太阳能电池研发状况26 三、美国CIGS化合物太阳能电池厂商商业化动向27 四、2008年美国CIGS电池转换效率再创历史新高28 第三节2008-2009年日本CIGS薄膜太阳能研发状况28 一、日本研制成功CIGS太阳电池新制法28 二、日本采用CIGS太阳电池技术成功试制图像传感器29 三、日本量产型CIGS型太阳电池模块光电转换率实现15.9% 30 四、日本柔性CIGS太阳能电池单元转换率达全球之首31 第四章2008-2009年国外CIGS太阳电池主要生产企业运营透析32 第一节美国GLOBAL SOLAR ENERGY INC.(GSE)32 一、公司概况32 二、2008年GSE美国CGIS太阳能电池生产厂投产32 三、世界最大CIGS薄膜太阳能电池阵在GSE投入使用32 第二节日本的HONDA SOLTEC CO.,LTD 33 一、公司概况33 二、本田SOLTEC开发出CIGS型太阳能电池33

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的现状及未来

铜铟镓硒薄膜太阳能电池的现状及未来学术界和产业界普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池,第三代太阳能电池就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜 太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池。 铜铟镓硒薄膜太阳能电池是多元化合物薄膜电池的重要一员,由于其优越的综合性能,已成为全球光伏领域研究热点之一。本文阐述了铜铟镓硒薄膜太阳能电池的特性和竞争优势;介绍了国内外在铜铟 镓硒薄膜太阳能电池领域的研究现状;最后探讨了铜铟镓硒薄膜太阳 能电池的应用展望。 关键词:太阳能电池;薄膜;铜铟镓硒;展望 近几年,世界各国加速发展各种可再生能源替代传统的化石能源,以解决日益加剧的温室效应、环境污染和能源枯竭等全球危机。作为理想的清洁能源,太阳能永不枯竭,正成为当今世界最具发展潜力的产业之一。目前,太阳能电池市场主要产品是单晶硅和多晶硅太阳能电池,占市场总额的80%以上。由于晶硅电池的高成本和生产过程的高污染,成本更低、生产过程更加环保的薄膜太阳能电池得到快速发展。现阶段,有市场前景的薄膜太阳能电池有3种,分别是非晶硅、碲化镉(CdTe)和铜铟镓硒(CuInGaSe2,一般简称CIGS)薄膜太阳能电池。作为直接带隙化合物半导体,铜铟镓硒吸收层吸收系数高达

105cm-1,转化效率是所有薄膜太阳能电池中最高的,已成为全球光伏领域研究热点之一,即将成为新一代有竞争力的商业化薄膜太阳能电池。 1、铜铟镓硒薄膜太阳能电池的特性和竞争优势 太阳能电池的材料一般要求主要包括:半导体材料的禁带宽度适中;光电转化效率比较高;材料制备过程和电池使用过程中,不存在环境污染;材料适合规模化、工业化生产,且性能稳定。经过数十年电子工业的研究发展,作为半导体材料硅的提炼、掺杂和加工等技术已经非常成熟,所以,现在的商品太阳能电池主要硅基的。但是,硅是间接带隙半导体材料,在保证电池一定转化效率前提下,其吸收层厚度一般要求150~300微米以上,理论极限效率为29%,按目前技术路线,提升效率的难度已经非常巨大。同时考虑到加工过程近40%的材料损耗,材料成本是硅太阳能电池的最主要构成。另外,其材料生产过程的高温提炼、高温扩散导致其制备过程能耗高,这使其能量偿还周期长,整体成本高。尽管经过近几年的规模化发展,市场价格得到大幅下降,其每瓦成本仍高于2美元。如果再考虑到其制备过程的高污染,更增加了其环境治理社会成本,这些都严重制约了其竞争优势。相比较,薄膜太阳能电池具有较大的成本下降空间,同时它能够以多种方式嵌入屋顶和墙壁,非常适合光电一体化建筑和大型并网电站项目。在这种情况下,薄膜太阳能电池引起了人们的重视,近几年成了科技工作者的研究重点。从全球范围来看,光伏产业近期仍将以

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铜铟镓硒薄膜太阳能电池项目可行性研究报告 编制单位:北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间:https://www.sodocs.net/doc/95420863.html, 高级工程师:高建

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目录 第一章总论 (1) 1.1项目概要 (1) 1.1.1项目名称 (1) 1.1.2项目建设单位 (1) 1.1.3项目建设性质 (1) 1.1.4项目建设地点 (1) 1.1.5项目主管部门 (1) 1.1.6项目投资规模 (2) 1.1.7项目建设规模 (2) 1.1.8项目资金来源 (3) 1.1.9项目建设期限 (3) 1.2项目建设单位介绍 (3) 1.3编制依据 (3) 1.4编制原则 (4) 1.5研究范围 (5) 1.6主要经济技术指标 (5) 1.7综合评价 (6) 第二章项目背景及必要性可行性分析 (8) 2.1项目提出背景 (8) 2.2本次建设项目发起缘由 (8) 2.3项目建设必要性分析 (8) 2.3.1促进我国铜铟镓硒薄膜太阳能电池产业快速发展的需要 (9) 2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (9) 2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (9) 2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (9) 2.3.5提升企业竞争力水平,有助于企业长远战略发展的需要 (10) 2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (10) 2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (11) 2.4项目可行性分析 (11) 2.4.1政策可行性 (11) 2.4.2市场可行性 (11) 2.4.3技术可行性 (12) 2.4.4管理可行性 (12) 2.4.5财务可行性 (13) 2.5铜铟镓硒薄膜太阳能电池项目发展概况 (13)

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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池 项目 可行性研究报告 编制单位:北京中投信德国际信息咨询有限公司 编制时间:https://www.sodocs.net/doc/95420863.html, 高级工程师:高建

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目录 第一章总论 (1) 1.1项目概要 (1) 1.1.1项目名称 (1) 1.1.2项目建设单位 (1) 1.1.3项目建设性质 (1) 1.1.4项目建设地点 (1) 1.1.5项目主管部门 (1) 1.1.6项目投资规模 (2) 1.1.7项目建设规模 (2) 1.1.8项目资金来源 (3) 1.1.9项目建设期限 (3) 1.2项目建设单位介绍 (3) 1.3编制依据 (3) 1.4编制原则 (4) 1.5研究范围 (5) 1.6主要经济技术指标 (5) 1.7综合评价 (6) 第二章项目背景及必要性可行性分析 (8) 2.1项目提出背景 (8) 2.2本次建设项目发起缘由 (8) 2.3项目建设必要性分析 (8) 2.3.1促进我国铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池产业快速发展的需要 (9) 2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (9) 2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (9) 2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (9) 2.3.5提升企业竞争力水平,有助于企业长远战略发展的需要 (10) 2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (10) 2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (11) 2.4项目可行性分析 (11) 2.4.1政策可行性 (11) 2.4.2市场可行性 (11) 2.4.3技术可行性 (12) 2.4.4管理可行性 (12) 2.4.5财务可行性 (13) 2.5铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目发展概况 (13)

铜铟硒薄膜太阳电池

铜铟硒薄膜太阳电池 一、铜铟硒薄膜太阳电池的结构 铜铟硒(CuInSe2简称CIS)薄膜太阳电池具有高的转换效率、低的制造成本以及性能稳定而成为光伏界研究热点之一。CIS以玻璃为衬底介绍铜铟硒薄膜太阳电池的结构,CIS太阳电池是在玻璃或其他廉价衬底上分别沉积多层而构成的光伏器件,其结构为:光→金属Al栅状电极/窗口层(CdS)/金属背电极(Mo)/玻璃衬底。如图(一)。 图(一)CIS电池结构 CIS太阳电池已发展了不同的结构,主要差别在于窗口材料的选择,最早是用CdS作窗口,其禁带宽度为2.42eV,通过参入适量的ZnS,成为CdZnS材料,带隙有所增加。鉴于CdS对人体有害,大量使用会污染环境,而且材料本身带隙偏窄,近年来窗口层改用ZnO,带宽可达3.3eV,CdS只作为过渡层,其厚度大约几十纳米。为了增加光的入射率,在电池表面做一层减反膜MgF2,有益于电池效率的提高。 CIS电池与NREL的CIS电池光谱曲线的对照情况。从图(二)可以看出,太阳电池的光谱响应在近红外区增加而在蓝光区减少。较差的短波相应主要是由于Cds层较多的光吸收,而好的长波响应说明CIS层具有较低的禁带宽。如果要增加短波响应,首先要降低Cds层的厚度。而窗口层制备采用蒸发法,厚度和电阻率的要求很难兼得。国外报道的Cds层的制备大都采用水浴法,这是因为水浴法生长的膜更加致密,厚薄更易控制。 图(二)CIS太阳电池的光谱曲线 二、工作原理

太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应。所谓光生伏打效应就是当物体受到光照时,物体内的电荷分布状态发生变化而产生电动势和电流的一种效应。当太阳光或其他光照射半导体的PN结时,就会在PN结的两边出现电压,叫做光生电压。可将太阳电池发电过程大致概括为4点:(1)光照射到太阳电池表面;(2)太阳电池吸收一定能量的光子,激发出非平衡载流子(电子和空穴对)。这些电子和空穴有足够的寿命,在它们被分离之前不会复合消失;(3)光生载流子在太阳电池内建电场的作用下,电子空穴对被分离,从而产生与内建电场相反的光生电场,即光生电压;(4)在太阳电池两侧引出电极,接上负载,则在外电路中会产生光生电流。 三、铜铟硒薄膜太阳电池的制备方法 制备方法大体分为两类: (a):以Cu,In和Se作源进行反应蒸发,成为共蒸法。目前采用多元共蒸法成膜工艺,虽然可制备出高水平CIGS的电池,但元素的化学配比很难靠蒸发来精确控制,因而电池的良品率不高,产业化的实现比较困难,另外蒸发法其原料的利用率低,对于贵金属来说浪费大,不利于降低成本; (b):先在基底上生长Cu,In层,在Se气氛中进行Se化,最终形成满足配比要求的CuInSe2多晶薄膜,称为硒化法。硒化法中,Cu,In的厚度按配比严格控制,成膜方法有溅射、蒸发和电沉积等等。硒化过程中使用的原料油H2Se+Ar (或H2)气体和Se+ H2固气混合体两种。H2Se气体剧毒,近年来以固态硒作源的硒化法被广泛采用。另外还有其他方法,都是在这两类基础上发展起来的,电池效率做得最高的方法是Cu+Se和In+Se分别共蒸后再硒化。 目前,发现硒化法中用磁控溅射法成膜更适合于工业化生产,因为:根据溅射速率和时间的控制,可以比较可靠地调节各元素的化学配比,有利于提高重复性;薄膜的致密性高,附着力是蒸发膜的数倍;溅射沉积的薄膜均匀性较好,有益于制造大面积的CIS电池;溅射靶材可连续使用较长时间,原料不用经常增添,生产效率较高;大面积磁控溅射成膜技术比较成熟,利于向工业界转移技术。 总之,硒化法师一种行之有效的方法,制备高质量的CIS膜是制备高效CIS 电池的保证,但整体效率的提高还需整体的配合及各环节的严格把关。玻璃基底的选择和钼衬底的制备是基础;在蒸Cu和In时保持少量Se的蒸发,并迅速升温至硒化温度是活的优质CIS膜的关键;窗口层和上电极也是获得高效电池不容忽视的部分。此外,刚制备出来的CIS电池,经测试,其暗态I-V特性基本是直线,开路电压V oc很低,短路电流密度也很小。退火后器件表现出二极管特性,开路电压增长几十倍短路电流也很大提高。由此表明,退火前异质结漏电严重,几乎没有结特性;而经过空气退火,减少了漏电,异质结才真正地建立起来,不仅有二极管特性,而且开路电压和短路电流都得到大幅度的提高。通过XRD(X 射线衍射)测试显示:经过退火的5片电池,有4片出现氧化亚铜峰,二而未经退火的CIS电池,却没有氧化亚铜峰值出现。这是由于CIS与Cds结区内的晶格缺陷及微空洞造成某些金属游离原子产生了短路,使得结区漏电严重,而空气退火使得这些金属原子被氧化而绝缘,减少了漏电,使得电池性能得到改善。CIGS 薄由于掺杂Ga元素,其结晶状况平整度和致密性都有很大改善,因此刚制备出来的CIGS电池的性能明显好于CIS电池。由此可见,注意薄膜材料的致密性是改善结特性的关键之一。 四、影响铜铟硒薄膜太阳电池光电转换效率的各种因素

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池-陈群

CIGS太阳能薄膜电池结构和组件生产工艺 陈群 CIGS目前是最具潜力的高效率、低成本的太阳能薄膜电池,具有如下优点:最高太阳能薄膜电池转换效率;薄膜电池的低成本制作;长期稳定的工作性能;易大规模商业化生产等。如图1所示,完整的CIGS电池结构包括:1-5毫米厚的钠钙玻璃基底;约1微米厚的钼金属背面电极;约2微米厚的铜铟镓硒(硫)光吸收层;约50纳米厚的硫化镉缓冲层;约50纳米厚的氧化锌和约1微米厚的铝杂氧化锌窗口层;约100纳米厚氟化镁光学增透层;约2微米厚镍铝正面电极。 图1 CIGS电池结构 CIGS电池组件在电池制备过程中形成串联,方式如下图2所示。其中P1使用激光刻划,防止相邻电池钼金属电极接触形成短路。P2使用机械探针刻划,使真空溅射的铝掺杂氧化锌与钼金属电极相连形成串联。P3使用机械探针刻划,防止相邻铝杂氧化锌电极接触形成短路。 图2 CIGS电池串联方式 图3概括了CIGS电池组件的生产流程:1、清洗钠钙玻璃基底;2、真空溅镀钼金属背面电极;3、激光刻蚀钼金属形成P1划线;4、制备CIGS光吸收层; 5、化学浴沉积CdS缓冲层; 6、真空溅镀一薄层氧化锌; 7、探针机械切割形成

P2划线;8、真空溅镀一层铝杂氧化锌;9、探针机械切割ZnO,CdS和CIGS形成P3划线;10、并联连接各个电池模块;11、封装电池形成组件。 图3 CIGS电池组件的生产流程 CIGS电池组件成套生产线仪器设备的信息请参考centrotherm公司:https://www.sodocs.net/doc/95420863.html,/startseite/bomuzujian/chanpin1/ctscx.html

铜铟镓硒(CIGS)太阳能薄膜电池项目可行性研究报告

铜铟镓硒(CIGS )太阳能薄膜电池项目 可行性研究报告

第一章总论 一、项目背景 (一)项目名称:铜铟镓硒(CIGS太阳能薄膜电池 (二)项目承担单位:某某浩德集团有限公司 (三)项目主管单位:国家高新技术开发区管理委员会 (四)项目拟建地区和地点:国家高新技术开发区新能源产业园 (五)可行性研究报告研究范围 1、太阳能光伏产业和技术发展趋势研究 2、市场需求及产品销售预测 3、项目建设的必要性、建设条件及选址 4、CIGS太阳能薄膜电池的技术方案和工程方案 5、环境保护方案 6、节能措施 7、投资估算及资金筹措 &财务及经济效益分析 (六)可行性研究报告编制依据 2007 年1、国务院颁布的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南( 度)》 2、《建设项目经济评价方法和参数》(第三版) 3、技术提供方德国centroherm公司提供的经济技术参数 4、国内外太阳能光伏产业发展状况

5、国家有关法律法规和财税政策 (七)研究工作概况 1、项目建设的必要性 (1)太阳能电池是太阳能光伏产业中技术含量高、经济体量最高的核心组件,成长性好,市场空间巨大,投资引进技术先进的太阳能电池项目将推动光伏产业的快速发展,有利于节能减排目标的实现,有利于能源结构的调整,有利于区域经济结构的优化。 未来数年光伏行业的复合增长率将高达30%以上。至2020 年全球光伏发电装机容量将达到300GW整个产业的年产值将超过3000亿美元,至2040年光伏发电将达到全球发电总量的15-20%。 该项目的引进与建设将有力促进城市圈“两型社会”的建设。加快太阳能光伏产业的发展,有望改变我国城乡的民用能源结构。大力引进、发展和生产包括CIGS模组片产品系列在内的新能源项目既具有良好的发展前景,又符合国家、省、市产业发展政策,国家发改委、科技部、商务部、知识产权局发布的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2007)》将开发生产高效率低成本的太阳能光伏电池、新型太阳能电池及制造设备确定为重点项目。既有很好的经济效益,又有良好的社会效益。本项目建设将有力促进城市圈“两型社会”的建设和发展。 (2)德国centrotherm公司开发生产的CIGS薄膜太阳能电池是目前世界上光电转化率最高的第三代太阳能电池,并提供交钥匙工程服务,包销生产初期所有产品。该项目的引进将填补国内空白,带动我国太阳能电池的升级换代,推动区域高新技术产业结构优化,并具有良好经济回报。 Centrotherm公司开发的CIGS太阳能薄膜电池技术水平在世界处于领先,规模化生产技术成熟,生产成本低、原材料消耗少、单位产品能耗低、用途广泛,产品具有强劲的市场竞争力,经济性能优良将为投资者带来丰厚的回报。

铜铟镓硒项目环境影响报告书

铜铟镓硒项目环境影响 报告书 Document serial number【LGGKGB-LGG98YT-LGGT8CB-LGUT-

年产3MW铜铟镓硒薄膜太阳能 电池、组件研发增资项目 环境影响报告书 (简本) 二○一○年四月 第1章总论 项目由来 太阳能作为一种清洁能源,对我国能源替代及可持续发展意义重大。目前,学术界和产业界普遍认为太阳能光电池的发展目前已经进入了第三代,第一代为单晶硅太阳能电池片,第二代为多晶硅、非晶硅太阳能电池片,第三代就是薄膜太阳能电池,分硅系列和非硅系列。 目前传统晶硅电池应用仍较多,商业化程度高,但硅材料的匮乏及不断高涨的价格限制了晶硅太阳能电池的发展。而薄膜太阳能电池从根本上解决这一问题,且具有光电转换效率高、成本低、可大面积沉积在廉价的玻璃甚至塑料衬底上等优势,发展前景越来越被人看好。据预测,到2030年薄膜太阳能电池将占整体太阳能电池份额的30%以上,从而与晶体硅太阳能电池平分秋色。 铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池就是薄膜太阳能电池中的佼佼者。CIGS薄膜太阳能电池是多元化合物半导体薄膜电池,具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等显着特点,光电转换效率接近于晶体硅太阳能电池,居各种薄膜太阳能电池之首,而成本则是晶体硅电池的三分之一,被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳能电池”,是近几年研究开发的热点。该电池具有柔和、均匀的黑色外观,在现代化高层建筑等领域也将有很大的市场,是对于外观有较高要求场所的理想选

择,如大型建筑物的玻璃幕墙等。另外,该电池在空间微小卫星动力电源的应用上也具有广阔的市场前景。 根据《杭州高新技术产业开发区管理委员会文件》杭高新[2009]246号文“关于薄膜太阳能电池、组件研发增资项目核准的批复”,普尼太阳能(杭州)有限公司由HONGKONG OPTONY CO., LIMITED和哈尔滨高科技(集团)股份有限公司共同出资,总投资由10万美元增加到4000万美元,注册资本由10万美元增加到1500万美元,于2009年9月18日在滨江区注册成立。公司自主研发设计的高效薄膜太阳能电池及组件结合了当今世界最高效率的薄膜太阳能光伏技术与先进的聚光概念,兼具低成本及高效率的特点,可为产品用户提供了可靠而廉价的清洁电力。普尼太阳能(杭州)有限公司在杭州高新技术开发区租用杭州市滨江区江陵路88号浙江万轮车业集团有限公司5幢1~2层生产厂房,租赁面积3086.56m2,投资4000万美元,引进进口先进设备,建设一条3MW的CIGS薄膜太阳能电池生产线,主要从事技术开发、技术服务、太阳能系统集成、薄膜太阳能电池配套组件等。目前,企业生产基地处于厂区施工建设及设备安装调试阶段,计划于2010年运营第一条中试生产线。 根据《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》、国务院[1998]第253号令《建设项目环境保护管理条例》中的有关规定,在工程项目可行性研究阶段须进行环境影响评价工作。建设单位于2010年1月委托浙江大学承担该项目中试生产线的环境影响评价报告书的编制工作。我单位在接受委托后,对项目拟建地进行了现场踏勘,对周围环境进行了调查分析,在征求环保主管部门意见和相关资料收集整理的基础上,编制了本环境影响评价报告书。 通过环境影响评价,可了解建设项目建设前的环境现状,预测项目建成后对周围大气环境、水环境及声环境的影响程度和范围,并提出防治措施和减轻项目建设对周围环境影响的可行措施。同时进行公众参与调查,可了解项目周围公众对本项目的态

关于编制铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目可行性研究报告编制说明

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池 项目 可行性研究报告 编制单位:北京中投信德国际信息咨询有限公司 编制时间:https://www.sodocs.net/doc/95420863.html, 高级工程师:高建

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目录 第一章总论 (1) 1.1项目概要 (1) 1.1.1项目名称 (1) 1.1.2项目建设单位 (1) 1.1.3项目建设性质 (1) 1.1.4项目建设地点 (1) 1.1.5项目主管部门 (1) 1.1.6项目投资规模 (2) 1.1.7项目建设规模 (2) 1.1.8项目资金来源 (3) 1.1.9项目建设期限 (3) 1.2项目建设单位介绍 (3) 1.3编制依据 (3) 1.4编制原则 (4) 1.5研究范围 (5) 1.6主要经济技术指标 (5) 1.7综合评价 (6) 第二章项目背景及必要性可行性分析 (8) 2.1项目提出背景 (8) 2.2本次建设项目发起缘由 (8) 2.3项目建设必要性分析 (8) 2.3.1促进我国铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池产业快速发展的需要 (9) 2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (9) 2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (9) 2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (9) 2.3.5提升企业竞争力水平,有助于企业长远战略发展的需要 (10) 2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (10) 2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (11) 2.4项目可行性分析 (11) 2.4.1政策可行性 (11) 2.4.2市场可行性 (11) 2.4.3技术可行性 (12) 2.4.4管理可行性 (12) 2.4.5财务可行性 (13) 2.5铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池项目发展概况 (13)

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