铟锡氧化物_ITO_靶材的应用和制备技术
第22卷 第1期 1997年2月 昆 明 理 工 大 学 学 报JOU RNAL O F KUNM I N G UN I V ER ST Y O F SC IEN CE AND T ECHNOLO GY V o l .22N o.1Feb .1997收稿日期:1996-12-02
铟锡氧化物(IT O )靶材的应用和制备技术
钟 毅1 王达健2 刘荣佩3 郭玉忠4
(昆明理工大学材料工程系1,3,4,冶金系2,昆明 650093)
摘要 对铟锡氧化物(ITO )靶材的现有生产工艺方案和应用现状及前景作了综合评述.提出了ITO 靶材成形的新方案——动态成形技术.
关键词 ITO ;靶材成形;ITO 粉末;应用
中图分类号 T G 3
铟在自然界是稀散金属,在矿床中常与锡伴生.已探明我国某矿床的铟储量为440t ,年冶炼铟的生产能力为40t .全世界每年铟的生产能力约为150t ,我国年冶炼铟可达50
t ,居世界首位
.然而我国铟金属主要供外销,对其深加工高新技术产品尚处于起步阶段.为使资源增值,合理利用铟资源的重要途径之一是生产ITO 靶材.近年来我国引进了多条ITO 膜生产线,为制备高性能的膜,必须优先发展高质量的ITO 靶材,但其靶材由国外供给,国外对ITO 靶材制备技术严密封锁.为此,有必要对现有ITO 靶材生产技术作充分地了解,开发制备ITO 靶材的新技术.
1 应用现状及前景
靶材是用作镀膜的材料.ITO 靶材的应用就必须从ITO 膜的应用出发.
铟锡氧化物(ITO )薄膜具有对可见光透明和良好的导电性.其对可见光透过率≥95%;对紫外线的吸收率≥85%;对红外线的反射率≥70%;对微波的衰减率≥85%,ITO 膜层硬度高且耐磨耐蚀,因而在工业上获得了广泛应用.
按照美国铟公司对全世界铟的需求量所作的推算与预测:1989年为102.6t ,1991年达171.1t ,铟产量的增长是基于ITO 膜的需求量,特别是在玻璃工业及液晶显示器上的发展.在全世界铟市场中日本占有率最高,达到65%～70%,日本国内最大的铟需求领域是液晶电视机的ITO 透明电极,日本1992年的ITO 用量比1991年提高30%,1993年消耗的铟约28t ,其中56%用于ITO 膜.预计1995年日本ITO 市场可达80亿日元.
ITO 薄膜及靶材的快速发展是由于它具有优良特性和广泛应用前景
.自1988年以来,大量的铟用于制作ITO 液晶显示装置,如计算器和电脑的透明导电玻璃膜、手表、挂钟等,汽车制造业已开始应用ITO 防雾膜,予计在工业及民用建筑业中将很快得到普及.
ITO 膜能防静电、
防雾除雾.可应用于需要屏蔽电磁波的地方,如计算机机房、雷达的屏蔽保护区,甚至防雷达飞机上.国内已成功地将ITO 膜应用于平面及曲面飞机风
档、双37战车及医疗喉镜.
国内轿车风档是ITO 膜潜在的巨大应用市场.国内在这方面尚处于起步阶段,当前许多真空镀膜厂家正纷纷着手改造设备和工艺以适应轿车ITO 膜的制备要求.专家们注意到,到2000年,中国汽车的保有量为2000万辆,其中轿车450万辆,同期汽车年产量为300万辆,其中轿车为150万辆,与之配套的ITO 靶材需求量将急剧上升.
平面显示技术特别是液晶显示技术正向彩色显示和大型化发展,近年增长率达30%.作为液晶显示器用的透明导电极ITO 获得高速发展,约占功能膜的50%以上.利用ITO 膜的透明导电性及其良好的加工性能,它在液晶屏幕、电子发光显示屏幕、计算器、电脑显示器、高清晰电视等的应用将进一步扩大.
具有电致变色(EC )的灵巧窗的曲型结构是在普通白玻璃上沉积多层膜,其内外两层为ITO 膜,研究表明,EC 玻璃可将建筑物内暖气、冷气和照明等能耗减少50%以上.美国、日本、西欧等国相继制定计划,投入大量人力财力开发,例如日本在“阳光计划”中提出从1992年起五年内实施EC 玻璃的开发.国内正广泛开展ITO 膜在太阳能方面的应用研究和开发.
茶色ITO 膜是铟锡氧化膜的新品种.它能防紫外和红外,可滤去对人体有害的紫外波段,有良好的微波屏蔽作用和低功率激光辐射防护功能,因此镀ITO 膜的玻璃镜片可作特种防护镜.
ITO 膜也可用于炉门、
冷冻食品的显示器以及低压纳灯方面.2 现有IT O 靶材制备工艺
ITO
靶材的生产方案现有以下几种〔1～3〕:铟锡氧化物超微粉的制备工艺有湿法〔3〕和干法〔4〕之分.硝酸铟的分解是湿法制备氧化铟超细粉的常规工艺,采用硝酸铟水溶液加氨水,生成氢氧化铟后焙烧,或者从外部活加沉淀剂生成氢氧化铟再焙烧,但粉体易引入杂质,颗粒易团聚且不规则.采用改进后的高氯酸盐沉淀氢氧化铟、冷冻干燥法制粉工艺,能获得颗粒粒径在1Λm 以下的单分散超微粉.金属铟直接氧化的干法制粉的技术能制备平均粒径在0.1Λm 以下,以表面积10m 2 g 以上,凝聚程度小、
粒度均匀的高纯氧化铟超微粉.铟锡氧化物超微粉的制备质量直接影响高密度ITO 靶材的的事续成形加工.国内还没有关于干法制备铟锡氧化物微分的报道.
国内长沙矿冶研究院采用化学合成的方法适当控制合成条件,制得10～200nm 的超细粉末,经热压或模压予成形,并在特定条件下烧结,实验规模制得化学组成为In 2O 3:
SnO 2=9.1,纯度为99.99%,相对密度达90%平板状靶材〔5〕.
国外制靶工艺都以专利的形式报道.日本住友金属矿山公司,采用湿法制粉工艺,通
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过大于100M Pa 压力模压,在不同压力下成形和不同温度下烧结,其靶材密度如表1.采
用干法制粉,平均粒径为0.1Λm 以下,凝集度小,比表面积为10m 2 g 以上,烧结性良好,
粒度分布波动小,与SnO 2粉末的混合状态好,经300M Pa 冷等静压,在1500℃,10个大气压下保持6h 时烧结,其靶材指标如表2.
表1 不同成形压和烧结温度下的靶材相对密度
试样号比表面
m 2 g -1烧结温度 ℃
靶材相对密度 %
成形压(×100) M Pa 成形压(×150) M Pa 成形压(×300) M Pa 12345672.25.812.131.539.455.533.0
1100
1010
980
830
570
500
60055.555.560.075.883.180.070.158.360.164.881.788.085.073.262.863.868.388.394.588.876.0表2 不同粉末粒径下的靶材相对密度
试样号
粉未粒径 Λm 靶材相对密度 %烧结后结晶粒径 Λm 1
2
3
4
50.050.080.090.240.59989595857835323095
由此可见,ITO 靶材的成形方案选择不同,粉末粒径和成形压力的变化以及烧结温度的改变都会影响靶材的密度.在现有成形技术中,热等静压设备昂贵,成本较高;粉浆浇注成形难以获得密度高而均匀的靶材;粉浆浇注加冷等静压成形,可获得较高密度的靶材,但需要非常细的粉末,如要求颗粒的比表面积达到39.4m 2 g (粉末粒径相当于21nm ),才能使靶材的相对密度达到94.5%,这热必使制粉的成本急刷上升,因此有必要引入新的成形工艺.
3 ITO 靶材的动态成形方案
为满足溅射用靶材的质量要求,必须重点解决确保ITO 靶材质量的几项关键技术,即(1)铟锡氧化物粉末要高纯超细;(2)靶材相对密度要高(>90%);(3)靶材组织结构要均匀.传统的ITO 靶材成形存在一定的问题,这里针对成形工序提出适合管状靶材的动态成形方案.
3.1 开发管状靶材的必要性
常用的平面溅射靶材材料利用率低(20%～40%),刻蚀靶材均匀性差〔6〕.而管状靶材溅射原子可向各个方向飞行,均匀性好,溅射面积大,更换操作方便,生产效率高,靶材利用率高(>80%)〔3〕,并且对零件内壁的沉积具有独特的优越性.国内引进的多条生产
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线均采用旋转靶,要求使用管状靶材,随着大面积ITO 镀膜器件的需要,其应用将更为普遍.由ITO 平面靶材发展到管状靶材对提高经济效益和改善ITO 膜质量将产生重要影响.
3.2 动态成形
混合粉的成形工艺拟采用动态成形方案,包括冲击成形和爆炸成形工艺.冲击成形是粉末冶金中成形速度较快的一种方法〔7〕,现已出现了粉末冲击成形机,压坯体的密度和强度较高.冲击压力机的冲击速度为6.1～18.3m s ,这个速度大约与锻锤速度相当,冲击成形效果显著.如为了得到同一密度的压坯,用钢模压制需压力50000N ,而冲击成形时,只要用20N 落锤,以4m s 的速度冲击两次即可以了,冲击成形示意图如图1
.
图1
粉末冲击成型示意图图2 粉末爆炸成型装置
爆炸成形或称爆炸等静压制,其装置示意图如图2.爆炸成形是利用炸药产生的高压以冲击波形式均匀地传给粉末,不需要昂贵的模具和设备费,操作方便,成本低,能得到比普通压制密度高得多的密度〔8〕.采用该法加工成形钨粉所得的压坯相对密度达到97.6%,氧化铝粉的相对密度达到95.5%.在爆炸成形中,震动波穿过粉末,并且在几微秒(10-6s )内产生非常高的压力,可达100×103M Pa ,比等静压制的压力(300M Pa )高约300多倍.震动波的穿行将引起颗粒间的剪切,并且由于温升可能伴随粉末表面间的焙化,使粉末粒子间达到理想的粘结和高的压坯密度,由于压力脉冲的作用时间极短,抑制了扩散,因此爆炸成形能够保持成形后快速固化颗粒所固有的亚稳性.爆炸成形用于靶材成形具有以下几点技术优势.
1)特别适合于管状靶材的成形
众所周知,爆炸冲击震动波属于疏密波,若用于棒状的成形,只能用外爆加载,疏密波在棒中心总是存在使压实材料松驰的波,常常会形成马赫孔,通常用卸波体来减弱其作用.而管状靶材的成形,无论是采用内爆加载还是外爆加载,总是存在自然卸波边界,那么它的压实工艺条件将比棒材压实工艺条件容易挖制得多.
2)对制粉的要求将大大降低
实验证明,爆炸成形所要求的粉末尺寸,并非越小越好,相反在小于某一粒径时,将得
不到压实的材料.如爆炸烧结永磁铁Sm 2Fe 17N Y ,粉体尺寸必须大于0.3Λm 〔9〕.但无论如
何,制粉质量仍是至关重要的.采用爆炸压实新工艺来成形ITO 靶材,可以降低对制粉技术的要求,从而找出粉末粒度、靶材相对密度和靶材利用率三者之间存在的优化关系,达到理想的技术经济结合.
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(3)不丧失粉末的优良性质〔3,10〕
常规的制靶工艺,要达到较高的相对密度,均须通过烧结工艺.通过晶粒的长大来致密化.晶粒尺寸从0.02Λm 长大到30Λm 左右,从终形看,靶材事实上的晶粒尺寸,已不是超细粉,不可避免地丧失了超细粉的特性,通过努力制备的超细粉仅用了其易于成形烧结的特性,这无疑是巨大的浪费.爆炸成形过程已包含了烧结机理,其相对密度已达90%以上,可以不通过烧结工序,使成形后的靶材仍保留其粉末的晶粒度,不丧失粉末本身的优良性质.因此,可以认为爆炸成形方法是ITO 靶材成形中一个较为理想的途径.
4 结语
我国是铟资料大国,以生产靶材计,每吨铟可增值115万美元.国外虽然有成熟的制靶工艺,但技术格外保密.为使资源增值,必须立足自己开发生产工艺,经过论证认为:动态成形方案是ITO 靶材成形的一种切实可行方案,具有较大的技术优势,同时,这一成形技术不仅可用于ITO 靶材的成形,还可用于诸如金属间化合物、非金属陶瓷的成形.
参 考 文 献
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Prepara tion Technolog ies and Appl ica tion s
of the I nd iu m T i n Ox ide (IT O )Targets
Zhang Y i 1 W ang D ajian 2 L iu Rongp ei 3 Guo YuZhong
4(D epartm ent of M aterials Engineering 1,3,4)D epartm ent of M etallurgy 2,Kunm ing U niversity of
Science and T echno logy ,Kunm ing 650093)
Abstract T he p resent p reparati on techno logies and app licati ons p ro spects of the Indium T in O xide (ITO )target are review ed .A new route of ITO target fo r m ing ——dynam ic fo r m ing techno lgoy is p ro 2po sed .
Key worrds ITo ;target fo r m ing ;ITO pow der ?07? 昆明理工大学学报1997年
氧化铟锡(ITO)
氧化铟锡(ITO) 链接：https://www.sodocs.net/doc/a012956763.html,/baike/2363.html 氧化铟锡(ITO) 简介 氧化铟锡(ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物(In2O3) and 锡（IV族）氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90%In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，透明，略显茶色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子 将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。 因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点）。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。 使用 ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。 ITO也被用于各种光学镀膜，最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别 的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL激光器的布拉格反射器。 ITO薄膜应力规可以在高于1400 °C及严酷的环境中是用，例如气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎 原文地址：https://www.sodocs.net/doc/a012956763.html,/baike/2363.html 页面 1 / 1
铟锡合金靶材
概况（Survey）： 铟是一种化学元素，它的化学符号是In，它的原子序数是49 性状（Character）： 铟是一种柔软的银灰色金属，带有光泽。 铟可用作低熔点合金、半导体、整流器、热敏电阻等。含24%铟及76%镓的合金，在室温下是液体。 物理性质（Physical property）： 物质状态：固态 熔点：429.75 K（156.60 °C） 沸点：2345 K（2072 °C） 摩尔体积：15.76310-6m3/mol 汽化热：231.5 kJ/mol 熔化热：3.263 kJ/mol 声速：1215 m/s（293.15K）原子性质（Atomic properties）： 原子量：114.818 原子量单位 原子半径（计算值）：155（156）pm 共价半径：144 pm 范德华半径：193 pm 价电子排布：4d105s25p1 电子在每能级的排布：2，8，18，18，3 氧化价（氧化物）：1,2,3（两性的）[1] 晶体结构：四方晶格 名称规格尺寸纯度 铟粒（In）1mm—10mm 99.99% 99.995% 99.999% 铟粉（In）-200目99.99% 99.995% 99.999%
概况（Survey）： 锡是一种化学元素，其化学符号是Sn。它的原子序数是50。 性状（Character）： 它是一种主族金属。纯的锡有银灰色的金属光泽，它拥有良好的伸展性能，它在空气中不易氧化，它的多种合金有防腐蚀的性能，因此它常被用来作为其它金属的防腐层。 物理性质（Physical property）： 状态：固态 密度（接近室温）：(白锡) 7.365 g2cm?3密度（接近室温）：(灰锡) 5.769 g2cm?3熔点时液体密度：6.99 g2cm?3 熔点：505.08 K，231.93 °C，449.47 °F 沸点：2875 K，2602 °C，4716 °F 熔化热：(白锡) 7.03 kJ2mol?1 汽化热：(白锡) 296.1 kJ2mol?1 比热容：(白锡) 27.112 J2mol?12K?1原子性质（Atomic properties）：氧化态：8, 7, 6, 4, 3, 2, 1, -2 （弱酸性） 电负性：2.3（鲍林标度） 原子半径：134 pm 共价半径：146±7 pm 名称规格尺寸纯度 锡丝（Sn）Φ0.2—1.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+% Φ1.0—3.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+% Φ3.0—6.0mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+% 锡片（Sn）50*50*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+% 100*100*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+% 200*250*(0.2-1.5)mm 99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
导电膜氧化铟锡ITO
氧化铟锡 氧化铟锡(ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物(In2O3) and 锡（I V族）氧化物(SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。 氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。 氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。 因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。PEDOT和P EDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点）。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。 使用 ITO主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸等应用、有机发光二极管、以及太阳能电池、和抗静电镀膜还有EMI屏蔽的透明传导镀膜。 ITO也被用于各种光学镀膜，最值得注意的有建筑学中红外线-反射镀膜(热镜)、汽车、还有钠蒸汽灯玻璃等。别的应用包括气体传感器、抗反射膜、和用于VCSEL 激光器的布拉格反射器。 ITO薄膜应力规可以在高于1400 °C及严酷的环境中是用，例如气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎 在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。 作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外、红外。 ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率. 在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形.其中透光率达90%以上,ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之比例来控制,通常Sn2O3:In2O3=1:9. 多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。 透明导电膜屏蔽玻璃的导电膜层材料主要为ITO（铟锡氧化物半导体）膜、金属镀膜等，是通过真空磁控溅射镀膜工艺生产的，其特点是在150KHz~1GHz范围内有
氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究解读
第28卷第2期光学学报 V ol.28,N o.22008年2月 ACTA OPTICA SINICA February,2008 文章编号:0253-2239(200802-0403-06 氧化铟锡薄膜的椭偏光谱研究 孙兆奇 1,2 曹春斌 1,2,3 宋学萍 1,2 蔡琪 1,2 1 安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230029; 2 光电信息获取与控制教育部重点实验室,安徽合肥230039 3
安徽农业大学理学院,安徽合肥230036 摘要用溅射法在Si 片上制备了厚度为140nm 的氧化铟锡(IT O薄膜。X 射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构。在1.5~4.5eV 范围内对IT O 薄膜进行了椭偏测量。分别用德鲁德-洛伦茨谐振子(Drude+L or enz oscillator s模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量、进行了拟合,得到I T O 薄膜的折射指数n 的变化范围在1.8~2.6之间,可见光范围内消光系数k 接近于零,在350nm 波长附近开始明显变化,且随着波长的减小k 迅速增加。计算得到直接和间接光学带隙分别是3.8eV 和4.2eV 。并在1.5~4.5eV 段给出一套较为可靠的、具有实用价值的I T O 介电常量和光学常量。 关键词薄膜光学;椭圆偏振术;光学常量测量;椭偏建模及解谱;IT O 薄膜中图分类号 O484 文献标识码 A 收稿日期:2007-07-04;收到修改稿日期:2007-10-11 基金项目:国家自然科学基金(50642038、教育部博士点专项基金(20060357003、安徽省人才专项基金(2004Z029和安徽大学人才队伍建设基金资助课题。 作者简介:孙兆奇(1955-,男,回族,贵州贵阳人,教授,博士生导师,主要从事薄膜物理方面的研究。E -mail:szq@https://www.sodocs.net/doc/a012956763.html, Study on Ellipsometric Spe ctra of ITO Film Sun Zhao qi 1,2 Cao Chunbin 1,2,3 So ng Xueping 1,2 Cai Qi 1,2 1 School of Phy si cs an d Ma ter ia l Scien ce ,Anhu i Univ er sity ,Hefei ,Anhu i 230039,Chin a 2
铟的特点、性质、储量、化合物及主要应用领域
立志当早，存高远 铟的特点、性质、储量、化合物及主要应用领域 是（铁）闪锌矿，含量为100～1000ppm，在铜矿中也有一定含量的铟。由于铟在矿物中含量很低，不能作为单独一种工业原料开采；及时铟在闪锌矿中含量最富，也仍然不能作为独立开采的矿物，只能在重有色金属冶炼过程中做为综合利用原料的副产品回收。一般在进行原料的综合冶炼时，只要铟的含量达到200ppm，就具有综合回收的价值。铟是一种银白色的金属，相对密度为7.3，熔点为156.6℃，沸点为2075℃；其性质柔软，可塑性强，并有延展性，可压成极薄的薄片，但拉伸极限低，黏度大，故难拉成丝和不利于切削。铟的导电性比铜约低4/5，其热膨胀系数几乎是铜的1 倍以上。铟的化学性质与铁近似，长与锌、铁一起形成类质同象物。铟可生成一价、二价和三价化合物，但只有三价化合物是稳定的，在水溶液中只存在三价铟的化合物。氧化铟（In2O3）是黄色不溶于水的物质，当铟在空气中氧化或将氢氧化铟煅烧时 都可得到氧化铟。氧化铟可在700～800℃时被氢或炭还原成为金属。低价氧化物InO 或In2O 是还原时的中间产品。将碱或氨与铟盐的溶液作用，可以制得氢氧化铟，呈白色胶状沉淀。氢氧化铟在PH 值为3.5～3.7 的稀溶液中就开始析出，当铟的浓度增加时，氢氧化铟析出的PH 值可向酸性移动。三氯化铟是无色、易于挥发的化合物，熔点为586℃，但是，在450℃时已开始升华，可溶解于水。硫酸铟[In2（SO4）3]是铟的重要盐类之一，在中性溶液中结晶出无水化合物[In2（SO4）3·5H2O]，在100～120℃时，还逐渐脱水成为无水化合物。硫酸铟为白色固体，溶解于水。铟和硫可以生成硫化物，如将硫化氢通入中性或弱酸性的醋酸铟溶液中，就会析出黄色硫化物InS。目前，铟的矿产资源主要集中在美国、俄罗斯、加拿大、南非和中国，但是，其他地方如西欧有精炼厂。按USGS 统计，2000 年世界精矿生产量为220 吨，比上年增加了
铟锡氧化物(ITO)靶材综述
铟锡氧化物（ITO）靶材 铟(In)元素的发现已有100多年的历史，经过了约60年才开始在工业和技术上得到应用。In是一种多用途的金属，主要以与其他有色金属组成一系列的化合物半导体、光电子材料、特殊合金、新型功能材料及有机金属化合物等形式应用于电子、冶金、仪表、化工、医药等行业，其应用范围不断扩大。 中国是全球最大的In生产国，由于国内需求有限，In产品以初级原料方式大量出口，成为全球In市场主要供应国。In是现代高新技术产业的重要支撑材料，关系到国力的增强。因此我国大量出口In初级原料不符合国家的根本利益。目前全球In消耗量的50％以上用于加工铟锡氧化物(indiumtin oxides，IT0)靶材，制造透明电极用于生产平面显示器。平面显示器的ITO薄膜含In约78％，这种神奇的混合物通过一层透明而又导电的薄膜将玻璃转化成彩色显示屏。在可见光区是透明的，可吸收紫外线，反射红外线，有利于环保，具有良好的热稳定性。 近年国内对ITO靶材的需求量大幅增长。目前国内生产的ITO靶材密度低，无法满足高端平板显示器行业对于靶材质量的要求．仅仅部分用于低端液晶产品中。目前世界上只有日本、美国、德国等少数发达国家和地区能生产ITO靶材，而我国平板显示器产业所需求的ITO靶材的98％依赖于进口，因此，研制开发ITO靶材生产技术是现有In生产企业开发In深加工技术的首选目标。
2 ITO靶材的主要制备方法 国外ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定。其主要制备方法有热等静压法、热压法和烧结法。 2．1热等静压法 热等静压法(hot isostatic pressing，HIP)既可以认为是加压下的烧结，也可以认为是高温下的压制。相对于传统的无压烧结而言，热等静压法可以在相对较低的温度下(一般约为物料熔点的0．5～0．7倍)获得完全致密化，而且可以很好地控制组织结构，抑制晶粒生长，获得均匀的、各向同性的组织，可以“净成型”加工成具有一定复杂外形的产品。热等静压法制备ITO靶材的工艺流程主要为：用模压或冷等静压以及两者兼用的成型方法将ITO粉末压制成初坯；初坯置于不锈钢包套中，并在两者之间辅以隔离材料，然后对包套抽真空并且封口；置于热等静压炉中进行热等静压(温度800～1050℃，压力50～200MPa，时间2～6h)制备出IT0靶材。 热等静压法的特点： (1)能克服在石墨模具中热压的缺点，不易还原。 (2)由于制品在加热加压状态下，各个方向同时受压，所制得的产品密度极高(几乎达到理论密度)，可制成大尺寸产品。 (3)热等静压强化了压制和烧结过程，降低了烧结温度，避免了晶粒长大，可获得极好的物理力学性能。 制品的成本较高，生产周期较长。 日本东曹公司采用热等静压方法，将O2导入烧结容器中，罐体内部采
透明导电氧化物薄膜与氧化铟锡薄膜
第一章 透明导电氧化物薄膜与 氧化铟锡薄膜1.1.透明导电氧化物薄膜 透明导电氧化物（Transparent Conducting Oxide简称TCO）薄膜主要包括In、Sn、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性。氧化铟锡（或掺锡氧化铟，Indium Tin Oxide简称ITO）薄膜是综合性能最优异的透明电极材料，ITO是一种重掺杂、高简并的n型半导体，光学禁带宽度达到3.5eV以上，其载流子浓度可达到1021cm3，迁移率为15-450cm2V?1S?1，目前一般认为其半导体化机理为掺杂（掺锡）和组分缺陷（氧空位）。ITO作为优异的透明导电薄膜，其较低的电阻率可达到10?4?cm，可见光透过率可达85%以上，其优良的光电性质使其成为具有实用价值的TCO薄膜[1][2]。ITO透明导电膜除了具有高可见光透过率和低电阻，还具有一系列独特性能，如紫外线高吸收，红外线高反射，微波高衰减；加工性能良好，具有较好的酸刻、光刻性能；良好的机械强度和耐磨损性、耐碱化学稳定性；较高的表面功函数（约为4.7eV）等，ITO薄膜被广泛应用于平板显示器件、太
阳能电池、微波与射频屏蔽装置、触摸式开关和建筑玻璃等领域[3]。 对于TCO薄膜来说，目前的主要应用领域一般是作为单一的电学涂层或光学涂层，即利用其金属导电性和光学透明性，但其导电性和透明性仍需进一步提高，同时考虑到光电子器件在不同环境中的使用，TCO薄膜在恶劣环境中的稳定性也需要得到改善，应该开发出高质量的透明导电氧化物薄膜，以开拓更广的应用领域。在TCO薄膜的不同应用领域，对于TCO 薄膜的性能有不同的要求，单一的TCO薄膜难以满足各种性能的需要，虽然SnO2:F[4]，ZnO:Al[5]和In2O3:Mo[6]等三元组分氧化物能够部分解决一些问题，但无法达到较好的综合性能。目前多元复合体系透明导电薄膜的研究得到了一定的发展，可以制备出一些具有独特性能的TCO薄膜[7]-[10]，多元复合体系TCO薄膜能够保持传统TCO材料性能的前提下，可以通过改变组分而调整薄膜的电学、光学、物理和化学性质以及表面能，从而获得传统TCO材料所不具备的性能，以满足特定的需要。因此，如何进一步提高ITO薄膜的各种性能，拓展其应用前景，显得尤其重要。 对于ITO等透明导电氧化物来说，掺杂的有效性应满足三种基本要求：（1）掺杂离子与宿主离子之间存在价态差；（2）掺杂替代离子半径等于或小于宿主离子半径；（3）掺杂离子不会形成新的化合物，只存在In2O3的单一相。一般认为ITO的特性主要依赖于其氧化态和杂质的浓度，通过引入施主杂质可以调节载流子浓度，施主原子取代晶格的位置，提供了多余的自由电子而提高了导电性。高价态的金属离子（如Zr4+等）对ITO中In3+的取代可以成为ITO掺杂的关键所在，高价态的金属离子对In3+的取代可
铟锡氧化物纳米粉的显微结构
铟锡氧化物纳米粉的显微结构 高愈尊 李永洪 张泰宋 (北京有色金属研究总院,北京100088) 摘 要 采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。250 热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。600 热处理1h后粉末粒度为10~20nm,铟锡质量比接近9 1。铟锡氧化物颗粒接近球形,分散性好。 关键词 铟锡氧化物 纳米粉 微结构 中图法分类号 T G146.4 铟锡氧化物纳米粉经热压烧结加工成溅射靶材,用来制备薄膜[1,2]。纳米铟锡氧化物制成的靶材可以达到90%以上的高密度,这种靶材溅射效率高并能减少制膜过程中的离子轰击损伤。纳米靶材热传导性好,韧性好,能防止应力开裂现象的发生。由于纳米靶材的晶粒极细,可以认为各晶面在靶面上出现的几率相同,溅射后形成的薄膜均匀性很好。这种薄膜在电子工业中有广泛的应用。铟锡氧化物(ITO)薄膜用作透明导电电极膜,在液晶显示器[3-5]、光电元件[6]和探测器[7,8]以及汽车和飞机挡风玻璃的防冻去雾加热膜方面已有广泛应用。 本文研究的铟锡氧化物纳米粉是用化学共沉淀法制备的,粒度8~20nm,容易实现工业化规模生产。 1 实验方法 用化学共沉淀法制备铟锡氢氧化物纳米粉。把铟锡氢氧化物纳米粉放入磁舟中分别在马弗炉内于200~700 之间不同温度加热0 5~1 5h,然后研究其显微结构的变化。 用APD-10X光衍射仪作X光结构分析。X光衍射仪的工作条件为Cu靶,40kV,40mA,衍射仪测角器的扫描速度4( )/min,扫描角度2 范围20 ~70 。 用JEM-2000FX型透射电子显微镜观察铟锡氧化物的形貌和测定粒度,并用能量色散X 光光谱(EDS)来测定成分。粉末试样分散在电镜微栅铜网上作电子显微镜观察。 2 实验结果 未经热处理的铟锡氢氧化物颗粒无一定的规则形状,颗粒度为10~30nm,其透射电子显微镜明场像如图1所示。铟锡氢氧化物的 X 图1 铟锡氢氧化物的T EM像 Fig.1 TEM image of indium tin hydroxide 第8卷第2期Vol.8 No.2 中国有色金属学报 The C hinese Journal of Nonferrous Metals 1998年6月 Jun.1998 收稿日期:1997-03-06;修回日期:1997-07-09 高愈尊,男,57,教授级高工
镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究
镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长发光半导体材料。为满足紫外透明光电子器件和紫外半导体发光器件的发展需求,研究新型紫外透明宽带隙半导体薄膜材料具有重要的实际意义。 氧化铟(In2O3)和氧化镓(Ga2O3)薄膜都是宽带隙半导体材料,它们的光学带隙分别为3.6 eV和4.9eV。镓铟氧化物[Ga2xIn2(1-x)O3]可以看作由In2O3和Ga2O3材料按照不同比例形成的三元固溶体,Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的带隙可以实现在3.6-4.9 eV范围内调制,很有希望作为紫外透明导电薄膜和紫外发光材料得以广泛应用。 然而,当前国内外对Ga2xIn2(1-x)O3材料的报道还很少,对Ga2xIn2(1-x)O3薄膜更是缺乏深入而系统的研究。本论文中,首先通过实验探索适合In2O3薄膜和Ga2O3薄膜外延生长的单晶衬底及实验条件；然后在此基础上进行 Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的制备,并对其结构和光电特性进行研究,为该材料在透明 光电子器件领域的应用提供依据或参考。 氧化锡薄膜也是一种有前途的宽带隙透明导电材料,不但具有比GaN和ZnO 更宽的带隙和更高的激子束缚能,而且具有制备温度低、物理化学性能稳定等优点。传统方法制备的多晶氧化锡薄膜由于缺陷较多而限制了其在半导体器件领域的应用,因而对高质量氧化锡单晶外延薄膜的制备及光电性质研究十分必要。 本文采用的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法不仅适于制备结构完整的氧化锡单晶薄膜,而且便于商业化生产,具有一定的科学意义和良好的实用前景。本论文内容分为四部分：第一部分使用MOCVD方法制备In2O3薄膜,并对制备薄膜
铟锡氧化物_ITO_靶材的应用和制备技术
第22卷 第1期 1997年2月 昆 明 理 工 大 学 学 报JOU RNAL O F KUNM I N G UN I V ER ST Y O F SC IEN CE AND T ECHNOLO GY V o l .22N o.1Feb .1997收稿日期:1996-12-02 铟锡氧化物(IT O )靶材的应用和制备技术 钟 毅1 王达健2 刘荣佩3 郭玉忠4 (昆明理工大学材料工程系1,3,4,冶金系2,昆明 650093) 摘要 对铟锡氧化物(ITO )靶材的现有生产工艺方案和应用现状及前景作了综合评述.提出了ITO 靶材成形的新方案——动态成形技术. 关键词 ITO ;靶材成形;ITO 粉末;应用 中图分类号 T G 3 铟在自然界是稀散金属,在矿床中常与锡伴生.已探明我国某矿床的铟储量为440t ,年冶炼铟的生产能力为40t .全世界每年铟的生产能力约为150t ,我国年冶炼铟可达50 t ,居世界首位 .然而我国铟金属主要供外销,对其深加工高新技术产品尚处于起步阶段.为使资源增值,合理利用铟资源的重要途径之一是生产ITO 靶材.近年来我国引进了多条ITO 膜生产线,为制备高性能的膜,必须优先发展高质量的ITO 靶材,但其靶材由国外供给,国外对ITO 靶材制备技术严密封锁.为此,有必要对现有ITO 靶材生产技术作充分地了解,开发制备ITO 靶材的新技术. 1 应用现状及前景 靶材是用作镀膜的材料.ITO 靶材的应用就必须从ITO 膜的应用出发. 铟锡氧化物(ITO )薄膜具有对可见光透明和良好的导电性.其对可见光透过率≥95%;对紫外线的吸收率≥85%;对红外线的反射率≥70%;对微波的衰减率≥85%,ITO 膜层硬度高且耐磨耐蚀,因而在工业上获得了广泛应用. 按照美国铟公司对全世界铟的需求量所作的推算与预测:1989年为102.6t ,1991年达171.1t ,铟产量的增长是基于ITO 膜的需求量,特别是在玻璃工业及液晶显示器上的发展.在全世界铟市场中日本占有率最高,达到65%～70%,日本国内最大的铟需求领域是液晶电视机的ITO 透明电极,日本1992年的ITO 用量比1991年提高30%,1993年消耗的铟约28t ,其中56%用于ITO 膜.预计1995年日本ITO 市场可达80亿日元. ITO 薄膜及靶材的快速发展是由于它具有优良特性和广泛应用前景 .自1988年以来,大量的铟用于制作ITO 液晶显示装置,如计算器和电脑的透明导电玻璃膜、手表、挂钟等,汽车制造业已开始应用ITO 防雾膜,予计在工业及民用建筑业中将很快得到普及. ITO 膜能防静电、 防雾除雾.可应用于需要屏蔽电磁波的地方,如计算机机房、雷达的屏蔽保护区,甚至防雷达飞机上.国内已成功地将ITO 膜应用于平面及曲面飞机风
铟的特点、性质、储量及其化合物有哪些,主要应用于哪些领域
立志当早，存高远 铟的特点、性质、储量及其化合物有哪些，主要应用于 哪些领域 是(铁)闪锌矿，含量为100～10000ppm，在铜矿中也有一定含量的铟。由于铟在矿物中含量很低，不能作为单独一种工业原料开采;即使铟在闪锌矿中含量最富，也仍然不能作为独立开采的矿物，只能在重有色金属冶炼过程中作为综合利用原料的副产品回收。一般在进行原料的综合冶炼时，只要铟的含量达到200ppm，就具有综合回收的价值。铟是一种银白色的金属，相对密度为7.3，熔点为156.6℃，沸点为2075℃;其性质柔软，可塑性强，并有延展性，可压成极簿的薄片，但拉伸极限低，黏度大，故难拉成丝和不利于切削。铟的导电性比铜约低4/5，其热膨胀系数几乎是铜的1 倍以上。铟的化学性质与铁近似，常与锌、铁一起形成类质同象物。铟可生成一价、二价和三价化合物，但只有三价化合物是稳定的，在水溶液中只存在三价铟的化合物。氧化铟(In2O3)是黄色不溶于水的物质，当铟在空气中氧化或将氢氧化铟煅烧时都可得到氧化铟。氧化铟可在700～800℃时被氢或炭还原成为金属。低价氧化物1nO 或In2O 是还原时的中间产品。将碱或氨与铟盐的溶液作用，可以制得氢氧化铟，呈白色胶状沉淀。氢氧化铟在pH 值为3.5～3.7 的稀溶液中就开始析出，当铟的浓度增加时，氢氧化铟析出的pH 值可向酸性移动。三氯化铟是无色、易于挥发的化合物，熔点为586℃，但是，在450 ℃时已开始升华，可溶解于水。 硫酸铟(In2(SO4)3 是铟的重要盐类之一，在中性溶液中结晶出五水化合物[In2(S04)3-5H20]，在100～120℃时，还逐渐脱水成为无水化合物。硫酸铟为白色固体，溶解于水。铟和硫可以生成硫化物，如将硫化氢通人中性或弱酸性的醋酸铟溶液中，就会析出黄色硫化物InS。目前，铟的矿产资源主要集
铟锡氧化物导电薄膜RF溅镀法制备及鉴定
銦錫氧化物導電薄膜RF濺鍍法製備及 鑑定 1.目的 以RF濺鍍法(Radio Frequency Sputtering Deposition)製備銦錫氧化物導電薄膜，並對其進行鑑定。 2.原理 自從1968年荷蘭Philips公司之Boort和Groth在銦化物表面上噴灑氯化錫液體，而得到3 × 10-4Ω．㎝以之低電阻係數的透明導電薄膜後，ITO薄膜之研究就一直被熱烈的討論著。 ITO，銦錫氧化物，這個名詞原本應該叫做Tin-doped Indium Oxide，即摻雜錫之銦氧化物。一些人簡稱它叫Indium Tin Oxide （ITO），使之成為共通語言。 銦錫氧化物（ITO）薄膜，由於其極佳的導電特性（電阻係數可至2 × 10-4Ω ．㎝下，約為最佳導體銀金屬之100倍），及高可見光之透過性（圖2.2）及高紅外光之反射性（圖2.3），一直是學術界及工業界積極探討之對象。透明導電薄膜可以應用於許
多包括透明加熱元件（transparent heating element )、抗靜電( anti-static )膜、電磁波防護( electromagnetic-shield ) 膜、太陽能電池之透明電極、防反光塗佈( anti-reflection )及熱反射鏡(heat reflecting mirror)等電子、光學及光電裝置上。 目前ITO薄膜主要被使用於液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD）之透明導電電極材料上;但由於上述之光學特性未來具有被當作省能源用之熱線反射膜塗佈在門窗之玻璃上。日本為當前世界最大ITO薄膜製造國，其產量隨著LCD的成長，已由1985年之100萬平方米，增至1991年之1000平方米；未來隨著LCD 及其他顯示器（如electroluminescent display）之持續成長以及熱線反射玻璃之應用，其發展潛力及重要性將不容忽視。 ITO薄膜之優良導電特性主要來自於錫的摻雜( Tin-doping )及氧的空位( oxygen vacancy )兩種帶電載子( charge carrier)之存在而大幅提昇其導電度。ITO薄膜中，銦錫氧化物因錫的摻雜，而使得其晶格中部份位置之銦原子被取代。由於錫之價電子比銦多1，當每個錫取代銦，便可多放出一個電子，因此錫以n-type donor的方式來提高銦錫氧化物之導電性。氧的空位在ITO薄膜中，因晶格氧的位置沒有填補，而使得該鍵結之兩個電子釋出形
铟元素-铟元素化学符号-铟元素符号
铟元素|铟元素化学符号|铟元素符号 化学元素解释： 概述铟(英文：indium)，元素符号In，原子序数49，原子量114.82，属周期系ⅢA族。铟是一种柔软的银灰色金属，带有光泽。从常温到熔点之间，铟与空气中的氧作用缓慢，表面形成极薄的氧化膜，温度更高时，与氧、卤素、硫、硒、碲、磷作用。大块金属铟不与沸水和碱反应，但粉末状的铟可与水作用，生成氢氧化铟。铟与冷的稀酸作用缓慢，易溶于浓热的无机酸和乙酸、草酸。铟能与许多金属形成合金。铟的氧化态为+1和+3，主要化合物有In2O3、In(OH)3，与卤素化合时，能形成一卤化物和三卤化物。铟-115是最常见的铟同位素，带有微弱的放射性。 发现及用途1863年F.赖希和H.T.里希特为了寻找铊而研究闪锌矿，用处理矿物所得的硫化物进行光谱分析，发现一条靛蓝色光谱，认为是一种新元素，并命名为铟，意思是靛蓝色，同年分离出金属铟。铟主要作为包复层或与其它金属制成合金，以增强耐腐蚀性;铟有优良的反射性，可用来制造反射镜;铟合金可作反应堆控制棒;在无线电和半导体技术中，铟及铟的化合物也有重要用途。铟可用作低熔点合金、半导体、整流器、热敏电阻等。含24%铟及76%镓的合金，在室温下是液体。铟是电子、电信、光电产业不可或缺的关键原材料
之一，70%的铟用于制造液晶显示产品，在电子、电信、光电、国防、通讯等领域具有广泛用途，极具战略地位。铟产业被称为信息时代的朝阳产业。 存在铟在地壳中的含量为1 10-5%，它虽然也有独立矿物，硫铟铜矿(CuInS2)、硫铟铁矿(FeInS4)、水铟矿[In(OH)3]，但量极少，绝大部分铟都分散在其他矿物中，主要是含硫的铅、锌矿物，闪锌矿中铟的含量为0.0001%～0.1%，铅锌冶炼厂和锡冶炼厂都能回收铟。 资源分布铟是非常稀少的金属，全世界铟的地质含量仅为1.6万吨，为黄金地质储量的1/6。铟在地壳中的含量约十万分之一，没有独立矿物，广泛分布于闪锌矿中，含量在0.1%以下。铟矿物多伴生在有色金属硫化矿物中，特别是硫化锌矿，其次是方铅矿、氧化铅矿、锡矿、硫化铜矿和硫化锑矿等。虽然在一些有色金属精矿中铟得到初步富集，但由于铟品位低，一般不可直接作为提铟原料。而上述有色金属精矿经过冶炼或高炉炼铁后得到的粗锌、粗铅、炉渣、浸出渣、溶液、烟尘、合金、阳极泥等是提铟的主要原料。中国拥有世界上最大的铟储量，也是全球最大的铟生产国和出口国，产量占世界铟总产量的30%以上。2006年，中国精铟产量近6吨，原生铟供应量占全球的60%以上。日本是世界上最大的铟消费国，每年铟需求量占世界铟年产量的70%以上，绝大部分从中国进口。 综合性质物理性质 颜色和状态：银白色金属 声音在其中的传播速率(m/S)：1215
铟的应用领域
立志当早，存高远 铟的应用领域 铟称得上合金的维生素，铟合金可用作钎焊料，铟是无铅焊料新的重要添加元素，世界无铅焊料的发展趋势有利于铟钎焊料的应用。利用铟合金熔点低的特点还可制成特殊合金，用于消防系统的断路保护装置及自动控制系统的热控装置;添加少量铟制造的轴承合金是一般轴承合金使用寿命的4-5 倍;铟合金还可用于牙科医疗、钢铁和有色金属的防腐装饰件、塑料金属化等方面。 由于铟具有较强的抗腐蚀性及对光的反射能力，可制成军舰或客轮上的反射镜。铟对中子辐射敏感，可用作原子能工业的监控剂量材料，目前用在原子能工业的铟，大约与电子工业上的用量相近。 铟可在蓄电池中作添加剂，在无汞碱性电池中作为缓蚀剂，可使电池成为绿色环保产品。铟在防止雾化层方面的用量不断增加，铟涂层最初是在汽车制造业中采用，有可能普及到工业及高档民用建筑业中去。日本索尼公司发明了以铟代替钪的新阴极，这样每根电子枪的成本就降到了掺钪电子枪的十分之一左右。因此，在电视机大功率输出、长寿命方面，铟的应用发展前景引人注目。在光电子领域，铟及其化合物半导体具有广泛的用途。在铟基III-V 族化合 物半导体如锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)等中，研究和应用最早的是锑化铟(InSb)，而最受重视并具有潜在应用前景的是磷化铟(InP)，它在微波通讯向毫米波通讯方面，作为光纤通讯的激光光源和异质结太阳能电池材料方面，都有突破性进展，展现了铟应用的可喜前景。锑化铟和砷化铟在红外探测和光磁器件方面也有重要用途。在太阳能电池中，含铟化合物薄膜材料正异军突起，以其高转换率、低成本、便于携带等优势受到瞩目。铜铟硒(CIS)等I-II- VI 三元化合物薄膜半导体材料，由于有价格低廉、性能良好和工艺简单的优点，将成为今后大力发展太阳电池工业的一个重要方向，促使铟在该领域的应