氮化铝陶瓷基板市场分析

氮化铝陶瓷基板市场分析

氮化铝陶瓷基板是陶瓷基板里面常见的陶瓷基板，在大功率方面散热起到了很好的作用。氮化铝陶瓷基板的市场有它不可替代的作用，今天主要从氮化铝陶瓷基板的性能和应用以及陶瓷基板市场趋势三个方面阐述氮化铝陶瓷基板。

氮化铝陶瓷基板的性能和应用

1，氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。

2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.

4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN 新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。

氮化铝陶瓷基板的市场趋势

无论是氧化铝陶瓷基板还是氮化铝陶瓷基板目前在散热方面的突出特性，以及好的绝缘性，耐腐蚀性。随着制作成本的降低，工艺的成熟。

氮化铝陶瓷是一种高温耐热材料，其热导率高，较氧化铝陶瓷高5倍以上，膨胀系数低，与硅性能一致。使用氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板，具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。随着我国电子信息产业蓬勃发展，我国市场对PCB基板的需求不断上升，氮化铝陶瓷基板凭借其优异性能，市场占有率正在不断提升。

氮化铝陶瓷基板行业进入技术壁垒高，全球市场中，具有批量化生产能力的企业主要集中在日本，日本企业在国际氮化铝陶瓷基板市场中处于垄断地位，此外，中国台湾地区也有部分产能。随着中国电子信息产业快速发展，技术水平不断提高，国内市场对氮化铝陶瓷基板的需求快速上升，在市场的拉动下，进入行业布局的企业开始增多，但现阶段我国拥有量产能力的企业数量依然极少。

根据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年氮化铝陶瓷基板行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，氧化层会对氮化铝陶瓷的热导率产生影响，在基板生产过程中，其加工工艺需进行严格把控，才能保证氮化铝陶瓷基板的优异性能。尽管我国氮化铝陶瓷基板行业在研究领域已经取得一定成果，与国际先进水平的差距不断缩小，但批量生产能力依然不足，金瑞欣以及部分台湾企业氮化铝陶瓷基板产量无法满足国内市场需求，我国氮化铝陶瓷基板市场对外依赖度高。更多氮化陶瓷基板的问题可以咨询金瑞欣特种电路。

氮化铝陶瓷基板用于IGBT模块的研究

氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的深度研究 电动汽车、电力机车、智能电网等领域需要实现电能转换和控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子器件。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。本文采用直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备了氮化铝陶瓷覆铜板，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异，并指出氮化硅陶瓷覆铜板有望在下一代功率模块上广泛应用。 IGBT作为电力电气功率器件的背景 随着《中国制造2015》、《工业绿色发展专项行动实施方案》、《关于加快新能源汽车推广应用的指导意见》以及“特高压规划”等一系列的政策密集出台，我国的高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等项目成为未来几年“绿色经济”的热点。而这些项目对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。但是国内相关技术水平落后导致国内高压IGBT市场被欧、美、日等国家所垄断，高压IGBT产品价格高、交货周期长、产能不足，严重限制了我国动力机车、电动汽车和新能源等领域的发展。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型晶体管，是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，被誉为现代工业变流装置的“CPU”，在轨道交通、航空航天、新能

线路板厂投资分析报告

GKDEAL年产20万平米项目投资分析报告 项 目 投 资 分 析 报 告 二零一一年四月

目录前言 1.项目名称、主办单位及法人代表 2.项目可行性研究报告依据 3.FPC市场预测 4.项目投资及建议方案 5.生产能力及工艺流程 6.原材料供应分析 7.工作人事制度 8.环境保护 9.安全消防 10.项目实施进度计划 11.预计年销量及产量 12.经济效益预测及评价 13.风险分析 14.综合评价 15.****集团未来展望

前言 电子信息技术的不断革新进步，一直是印制电路技术发展的驱动力，随着通讯网络产业的飞速发展，手机、数码像机需求量日益增大，使得柔性电路板产量增加成为必然。微导通孔（MICROVIA）、高密度互联（HDI）是21世纪PWB工业占主导地位的技术。由于QFP器件迅速向BGA、CSP、MCM方向转移，印制电路的线更密、孔更小、板更薄了，迫使印制电路板必须朝着多层化、薄型化、埋（盲）孔技术的方向发展。而普通的单面板由于原材料上涨，单价下跌已几乎到了微利和无利可图的地步。 我公司为适应电子信息技术发展的要求，本着高起点、高标准的现代企业运营的原则，投入重金建立一个以发展为目标、以市场为准绳的电路板生产、研发基地，主要生产以柔性板、多层板、HDI板等技术含量高的产品。以我们所学的专业知识及在本行业近十年专业基础和国内外多家高等院校建立的良好合作关系，大力引进科技人才，营造一个优越的科技研究氛围，更好地组织一批科技精英，将研究成果真正与企业生产、市场发展结合起来，使之转化为生产力，并积极鼓励创新、发展，争取能将更多真正属于自己知识产权的科技产品推向市场、并迅速占领市场，使东莞****电子有限公司成为世界一流的软性线路板供应商。

我国铜箔行业发展现状和前景分析报告

我国铜箔行业发展现状及前景分析 一、铜箔与铜箔产业链上下游分析 1、铜箔与电解铜箔 铜箔是现代电子行业不可替代的基础材料，按照制造工艺的不同可分为压延铜箔和电解铜箔两类。 从产品性能上看，压延铜箔的性能更好。但由于生产压延铜箔的生产工艺复杂、流程长，生产精度要求高，而生产一致性较差。因此，目前，市场上的铜箔以电解铜箔为主，占据了95%以上的市场份额，压延铜箔则作为补充。 电解铜箔(Electrode Posited copper)是指以电解铜为主要原料，用电解法生产的金属铜箔。将电解铜经溶解制成硫酸铜电解溶液，再在专用的电解设备中将硫酸铜电解液通过直流电的作用，电沉积而制成箔，然后对其进行表面粗化、防氧化处理等一系列处理后经分切检测后制成成品。 2、电解铜箔的上游市场 铜材加工行业是电解铜箔行业原材料的主要供应产业。铜材加工，是以阴极铜为原材料，将其加工成铜管、铜杆、线缆等产品。铜材加工行业属于竞争性行业，行业发展充分、技术进步快。铜杆是电解铜箔生产的主要原材料，是生产成

本的主要构成部分；铜杆产品质量的优劣对电解铜箔的生产有较大的影响。 铜杆属于大宗商品，市场价格透明，市场竞争比较充分。 3、电解铜箔的下游市场 铜箔的下游销售，一般采用“铜价+加工费”的模式。铜的价格随着大宗商品的报价而变动，加工费则根据市场情况而发生变动。 铜箔按下游需求可以分为标准铜箔（CCL、PCB）、锂电铜箔和电磁屏蔽用铜箔。标准铜箔是生产覆铜板（CCL）和印制线路板（PCB）的主要原材料，普遍应用于电子信息产业，是铜箔第一大应用领域，厚度一般在12-70μm（标准铜箔）；锂电铜箔主要用于消费类锂电池、动力类锂电池及储能用锂电池，为铜箔第二大应用领域；锂电铜箔既充当电池内负极活性材料载体，又充当负极电子收集与传导体厚度一般7~20微米。电磁屏蔽用铜箔，主要应用于医院、通信、军事等需要电磁屏蔽等部分领域，其比重较小。 二、我国铜箔行业产能产量发展现状 1、国内铜箔产业历年产能产量分析 根据中电协铜箔行业分会的统计，我国2011年-2016年铜箔产业的历年产能和产量如下图：

七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性

七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性 氮化铝陶瓷基板在大功率器件模组，航天航空等领域备受欢迎，那么氮化铝陶瓷基板都有哪些种分类以及氮化铝陶瓷基板特性都体现在哪些方面？ 一，什么是氮化铝陶瓷基板以及氮化铝陶瓷基板的材料 氮化铝陶瓷基板是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷基板，也叫氮化铝陶瓷基片。热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是大功率集成电路和散热功能的重要器件。 二，氮化铝陶瓷基板分类 1，按电镀要求来分 氮化铝陶瓷覆铜基板（氮化铝覆铜陶瓷基板），旨在氮化铝陶瓷基板上面做电镀铜，有做双面覆铜和单面覆铜的。 2，按应用领域分 LED氮化铝陶瓷基板（氮化铝led陶瓷基板），主要用于LED大功率灯珠模块，极大的提高了散热性能。 igbt氮化铝陶瓷基板,一般用于通信高频领域。 3，按工艺来分 氮化铝陶瓷基板cob（氮化铝陶瓷cob基板),主要用于Led倒装方面。 dpc氮化铝陶瓷基板,采用DPC薄膜制作工艺，一般精密较高。 dpc氮化铝陶瓷基板(AlN氮化铝dbc陶瓷覆铜基板)，是一种厚膜工艺，一般可以实现大批量生产。 氮化铝陶瓷基板承烧板 3，按地域分

有的客户对特定的氮化铝陶瓷基板希望是特定地域的陶瓷基板生产厂家，因此有了： 日本氮化铝陶瓷基板 氮化铝陶瓷基板台湾 氮化铝陶瓷基板成都 福建氮化铝陶瓷基板 东莞氮化铝陶瓷基板 台湾氮化铝陶瓷散热基板 氮化铝陶瓷基板珠海 氮化铝陶瓷基板上海 4，导热能力来分 高导热氮化铝陶瓷基板，导热系数一般较高，一般厚度较薄，一般导热大于等于170W的。 氮化铝陶瓷散热基板，比氧化铝陶瓷基板散热好，大于等于50W~170W. 三，氮化铝陶瓷基板特性都有哪一些？ 1，氮化铝陶瓷基板pcb优缺点 材料而言：陶瓷基板pcb是陶瓷材料因其热导率高、化学稳定性好、热稳定性和熔点高等优点，很适合做成电路板应用于电子领域。许多特殊领域如高温、腐蚀性环境、震动频率高等上面都能适应。氮化铝陶瓷基板，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。硬度较高，交工难度大，压合非常难，一般加工成单双面面陶瓷基板pcb. 2,氮化铝陶瓷基板产品规格（尺寸/厚度、脆性） 氮化铝陶瓷基板的产品规格尺寸厚度，有不同的尺寸对应不同个的厚度，具体如下： 氮化铝陶瓷基板尺寸一般最大在140mm*190mm,氮化铝陶瓷基板厚度一般在

国内铝基板发展的现状与国际先进水平的差距分析

国内铝基板发展的现状与国际先进水平的差距分析热量是LED和其它硅类半导体的大敌。随着电子工业的飞速发展，电子产品的体积越来越小，功率密度越来越大，如何寻求散热及结构设计的最佳方法，就成为当今电子工业设计的一个巨大的挑战。铝基板无疑是解决散热问题的有效手段之一。 一、铝基板性能特征介绍 铝基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，它由独特的三层结构所组成，分别是电路层（铜箔）、绝缘层和金属基层（请见下图1）。 图1 铝基板结构示意图 铝基板工作原理：功率器件表面贴装在电路层，器件运行时所产生的热量通过绝缘层快速传导到金属基层，然后由金属基层将热量传递出去，从而实现对器件的散热（请见图2）与传统的FR-4 相比，铝基板能够将热阻降至最低，使铝基板具有极好的热传导性能；与厚膜陶瓷电路相比，它的机械性能又极为优良。此外，铝基板还有如下独特的优势：? 符合RoHs 要求； ? 更适应于SMT 工艺；

? 在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理，从而降低模块运行温度，延长使用寿命，提高功率密度和可靠性； ? 减少散热器和其它硬件（包括热界面材料）的装配，缩小产品体积，降低硬件及装配成本； ? 将功率电路和控制电路最优化组合； ? 取代易碎的陶瓷基板，获得更好的机械耐久力。

线路层 线路层（一般采用电解铜箔）经过蚀刻形成印制电路，用于实现器件的装配和连接。与传统的FR-4 相比，采用相同的厚度，相同的线宽，铝基板能够承载更高的电流。 图4 铝基板与FR-4 的铜箔电流承载能力的比较

图5 铝基板与传统装配方式应用比较 绝缘层 绝缘层是铝基板最核心的技术，主要起到粘接，绝缘和导热的功能。铝基板绝缘层是功率模块结构中最大的导热屏障。绝缘层热传导性能越好，越有利于器件运行时所产生热量的扩散，也就越有利于降低器件的运行温度，从而达到提高模块的功率负荷，减小体积，延长寿命，提高功率输出等目的。 图5 是一个典型的电机控制器模块，其中右侧图示采用传统工艺（FR-4），使用了大量的散热器、热界面材料和其它配件，模块体积庞大，结构复杂，装配成本较高；而左侧因为采用了高导热性能的铝基板，得到了一个高度自动化的表贴产品，整个产品的部件从130 个减少到18 个，功率负荷增加了30％，模块体积大大缩小。此类高功率密度的模块，只有高导热性能的铝基板方可胜任。 金属基层

中国铜箔市场发展趋势展望报告

2011-2015年中国铜箔市场竞争格与未来前景预测报告 铜箔由铜加一定比例的其它金属打制而成。铜箔是一种阴质性电解材料，沉淀于电路板基底层上的一层薄的、连续的金属箔，它作为PCB的导电体。它容易粘合于绝缘层，接受印刷保护层，腐蚀后形成电路图样。Copper mirror test(铜镜测试)：一种助焊剂腐蚀性测试，在玻璃板上使用一种真空沉淀薄膜。 中国产业信息网发布的《2011-2015年中国铜箔市场竞争格与未来前景预测报告》共十章。首先介绍了世界铜箔产业运行态势、中国铜箔市场运行环境等，接着分析了中国铜箔市场发展的现状，然后介绍了中国铜箔市场竞争格局。随后，报告对中国铜箔行业做了重点企业经营状况分析，最后分析了中国铜箔市场发展前景与投资预测。您若想对铜箔产业有个系统的了解或者想投资铜箔行业，本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章2010-2011年世界铜箔产业运行态势分析 第一节2010-2011年世界铜箔产业运行环境综述 第二节2010-2011年世界铜箔业运行概况 一、世界电解铜箔业发展与演进 二、世界铜箔生产工艺研究 三、国外PCB用铜箔技术新发展 四、全球压延铜箔市场动态分析 第三节2010-2011年世界主要铜箔生产国家运行分析

一、美国 二、日本 三、韩国 第四节2011-2015年世界铜箔市场发展趋势分析 第二章2010-2011年世界压延铜箔重点企业运行浅析第一节Nippon Mining（日本） 第二节福田金属Fukuda、Olin brass（美国） 第三节Hitachi Cable（日本） 第四节Microhard（日本） 第三章2010-2011年中国铜箔市场运行环境分析 第一节2010年中国宏观经济环境分析 一、GDP历史变动轨迹分析 二、固定资产投资历史变动轨迹分析 三、2011年中国宏观经济发展预测分析 第二节2010-2011年中国铜箔市场政策环境分析 一、锂离子用铜箔技术标准 二、中国铜箔基础板出口退税政策调整 三、《国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》第三节2010-2011年中国铜箔市场社会环境分析 第四章2010-2011年中国铜箔市场发展现状分析 第一节2010-2011年中国铜箔业发展动态 一、铜箔行业发展规模分析 二、铜箔产业发展机遇分析 三、铜箔产品价格走势分析 第二节2010-2011年中国铜箔技术水平分析 一、新CO2雷射直接铜箔加工技术 二、中国攻克18微米铜箔技术

银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究

Semiconductor Technology Vol. 29 No. 3 March 2004 41 １　引言 随着半导体ＩＣ芯片集成化、速度和功率的日益提高，以及电子整机向小、轻、薄方向发展，对与之相适应的高密度电路基板的要求也越来越高。过去采用高温共烧技术制成的多层陶瓷基板，由于布线导体材料必须是诸如钨、锰等高熔点金属，不仅电阻大，性能差，而且成本高，很难推广应用。而ＡｌＮ／ｇｌａｓｓ复合材料的烧结温度可控制在１０００℃以内，从而使得和高导电银的共烧成为可能。 本文将研究以银为共烧布线材料，采用丝网印刷金属化图形，流延制备ＡｌＮ／ｇｌａｓｓ复合材料坯片，来实现低温共烧。 ２　实验过程 银基多层氮化铝陶瓷基板低温共烧的工艺研究 戎瑞芬，汪荣昌，顾志光 （复旦大学材料科学系，　上海　２００４３３） 摘要：从低温共烧的工艺角度来研究氮化铝坯片和银浆的排胶，从而确立排胶的温度及烧结气氛的控制。结果表明，二次排胶法与在氮气气氛中加入微量氧进行烧结，获得了综合性能优良的银布线多层陶瓷基板。 关键词：氮化铝；银浆；排胶；低温共烧 中图分类号：ＴＮ４０５；ＴＢ３５ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００４）０３－００４１－０３ Ｒｅｓｅａｒｃｈ　ｏｆ　ＬＴＣＣ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　ｓｉｌｖｅｒ－ｂａｓｅｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ＡｌＮ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ＲＯＮＧ　Ｒｕｉ－ｆｅｎ，　ＷＡＮＧ　Ｒｏｎｇ－ｃｈａｎｇ，　ＧＵ　Ｚｈｉ－ｇｕａｎｇ， （　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，　Ｆｕｄａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，　Ｓｈａｎｇｈａｉ　２００４３３，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ｔｈｅ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｖｅｈｉｃｌｅ　ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＡｌＮ　ｇｒｅｅｎ　ｔａｐｅ　ａｎｄ　Ａｇ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｐａｓｔｅ ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｖｉｅｗ　ｏｆ　ＬＴＣＣ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　ａｎｄ　ｏｐｔｉｍｕｍ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｖｅｈｉｃｌｅｅｖａｃｕａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｃｏｆｉｒｉｎｇ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ．　Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅｂｅｓｔ　ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｓｉｌｖｅｒ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ＡｌＮ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｃａｎ　ｂｅｅｎａｃｈｉｅｖｅｄ　ｂｙ　ｔｗｏ－ｓｔｅｐ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｖｅｈｉｃｌｅ　ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　ｃｏｆｉｒｅ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｕｓｉｎｇ　ｍｉｘｅｄａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ　ｇａｓｅｓ　ｏｆ　ｎｉｔｒｉｄｅ　ａｎｄ　ｍｉｃｒｏ　ｆｒａｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｏｘｉｄｅ． Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ： ＡｌＮ；Ａｇ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｐａｓｔｅ；ｖｅｈｉｃｌｅ　ｅｖａｃｕａｔｉｏｎ；ＬＴＣＣ 图１ ＡｌＮ多层基板制备工艺流程图ＡｌＮ多层基板制备工艺流程图见图１。 专题报 道

陶瓷基板应用行业前景以及行业发展

陶瓷基板应用行业前景以及行业发展陶瓷基板无论在LED大功率照明、大功率模组、制冷片，还是在汽车电子等领域发展需要增加，今天小编就来分享一些陶瓷基板的应用行业清洁和行业发展情况。 陶瓷基板应用行业具体有哪些？ 1，氧化铝陶瓷覆铜板电容压力传感器在各种汽车上用量巨大，市场达近百亿，但是目前氧化铝陶瓷覆铜板主要依赖进口，国内的陶瓷氧化铝板在材料的弹性模量、弹性变形循环次数、使用寿命和可靠性凤方面还有差距，尚未进入商业化实际应用。 2，在航天发动机、风力发电、数控机床等高端装备所使用的陶瓷转承，不但要求高的力学性能和热学性能，而且要求优异的耐磨性、可靠性和长寿命，目前国产的氮化硅陶瓷轴承球与日本东芝陶瓷公司还有明显差距；与国际上著名的瑞典SKF公司、德国的FAG公司和日本的KOYO等轴承公司相比，我们的轴承还处于产业产业链的中低端，像风电和数控机床等高端产品还依赖进口。 3，在汽车、冶金、航天航空领域的机械加工大量使用陶瓷刀头，据统计市场需求达数十亿元。陶瓷刀具包括氧化铝陶瓷基、氮化硅基、氧化锆增韧氧化铝、氮碳化钛体系等，要求具有高硬度。高强度和高可靠性。目前国内企业只能生产少量非氧化铝陶瓷刀具，二像汽车缸套加工用量巨大的氧化铝套擦刀具还依赖从瑞典sandvik、日本京瓷、日本NTK公司、德国CeranTec公司进口。 4，在军工国防用到的透明和透红线陶瓷材料，如果氧化钇、氧化镁、阿隆、镁铝尖晶石）陶瓷以及具有激光特性透明陶瓷。目前我们的技术还限于制备有限的尺寸，对于国际上已经达到半米大尺寸透明陶瓷材料我们还很困难，无论在工艺技术和装备上均有差距。

陶瓷基板行业发展趋势 根据新思界产业研究中心发布的《2019-2023年氮化铝陶瓷基板行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，氧化层会对氮化铝陶瓷的热导率产生影响，在基板生产过程中，其加工工艺需进行严格把控，才能保证氮化铝陶瓷基板的优异性能。尽管我国氮化铝陶瓷基板行业在研究领域已经取得一定成果，与国际先进水平的差距不断缩小，但批量生产能力依然不足，仅有军工背景的斯利通具有量产能力。斯利通以及部分台湾企业氮化铝陶瓷基板产量无法满足国内市场需求，我国氮化铝陶瓷基板市场对外依赖度高。 新思界行业分析人士表示，氮化铝陶瓷是现阶段性能最为优异的PCB基板材料，由于其生产难度大、生产企业数量少，其产品价格较高，应用范围相对较窄。但随着氮化铝陶瓷基板技术工艺不断进步，生产成本不断下降，叠加电子产品小型化、集成化、多功能化成为趋势，行业未来发展潜力巨大。在此情况下，我国PCB基板行业中有实力的企业需尽快突破氮化铝陶瓷基板量产瓶颈，实现进口替代。 陶瓷基板龙头企业也非常关注陶瓷基板的发展动向和发展前景。更多陶瓷基板行业信息可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣十年制作经验，用心服务好每一个客户，做好每一块板。

高导热铝基板在汽车领域的应用

小强铝基板制作
众所周知，半导体材料在工作时受环境温度影响较大。大功率 LED 的光电转换效率更低， 工作过程中只有 10%～25%的电能转换成 光能，其余的几乎都转换成热能。加之汽车前大灯安装在炙热的发动 机舱内，高温水箱、引擎、排气系统所产生的热将 led 前大灯置于 严酷的环境中。传统车灯灯泡所产生的热远高于 LED，但灯泡输出的 亮度不会因为热而变化，其热设计的重点是壳体内的均温设计。而 LED 的光输出却会因为自身的热或来自发动机舱的高温而影响本身 PN 结温稳定， LED 光通量 Ф 和波长等重要参数受到 PN 结温的直接 V 影响，这种不良的温度循环将导致发光效率和寿命急剧下降。因此散 热成为 LED 作为光源设计的重要课题。 1、汽车前大灯的散热技术 1.1 被动散热与主动散热 通常的散热设计中，焊装大功率 LED 的电路板被紧紧固定在散 热器上。 LED 工作时所产生的热量通过传导方式经由电路板被传导到 热传导率较好的铝质散热器上。 铝质散热器的翼片与空气大面积接触 将热散发开来。为了有效地减小散热器和电路板之间的热阻，其间填

小强铝基板制作 充了导热介质。选用的散热器其翼片形状和面积是可以满足 LED 大 灯散热方案的设计。这种散热方式我们称之为被动散热。 主动散热常用液冷、热管、风冷等方式。由于液冷使用的液体必 须在泵的带动下强制循环带走散热器的热量， 热管则依靠高导热性能 的传热元件在全封闭真空管内的液体的蒸发与凝结来传递热量， 二者 都不适合车灯内使用。风冷散热具有价格较低、安装简单等优点最为 常用。针对被动散热方式存在的散热器中心区域温度相对集中的情 况，加装风扇强制对流后(见图 1)，对缓解散热器温度不均匀有明显 效果。 1.2 LED 散热通道设计
图 1：加装风扇后强制对流

中国铜箔市场分析

中国铜箔市场分析 1 产品介绍 按铜箔的不同制法，可分为压延铜箔和电解铜箔两大类。 1.1电解铜箔(Electrode Posited copper) 电解铜箔是将铜先经溶解制成溶液，再在专用的电解设备中将硫酸铜电解液在直流电的作用下，电沉积而制成原箔，然后根据要求对原箔进行表面处理、耐热层处理及防氧化处理等一系列的表面处理。电解铜箔不同于压延铜箔，电解铜箔两面表面结晶形态不同，紧贴阴极辊的一面比较光滑，称为光面；另一面呈现凹凸形状的结晶组织结构，比较粗糙，称为毛面。电解铜箔和压延铜箔的表面处理也有一定的区别。由于电解铜箔属柱状结晶组织结构，强度韧性等性能要逊于压延铜箔，所以电解铜箔多用于刚性覆铜板的生产，进而制成刚性印制板。 对电解铜箔(包括粗化处理后的)主要有厚度、标准质量、外观、抗张强度、剥离强度、抗高温氧化性、铜箔的质量电阻系数的技术性能要求。除以上7项主要性能要求外，有些国家、地区的厂家，还有其他方面性能要求，如延伸率、耐折性、硬度、弹性系数、高温延伸性、表面粗糙度、蚀刻性、可焊性、UV油墨的附着性、铜箔的色相等。 随着印制板的高密度细线化、多层化、薄型化(<0.8mm)及高频化的不断发展，一些高性能的电解铜箔制造技术也应运而生，这种铜箔的市场占有比例将达到40%以上。这些高性能电解铜箔的类型如下。 ①优异的抗拉强度及延伸率铜箔常态下的高抗拉强度及高征伸率，可以提高电解铜箔的加工处理性，增强刚性避免皱纹以提高生产合格率。高温延伸性(THE)铜箔及高温下高抗拉强度铜箔，可以提高印制板的热稳定性，避免变形及翘曲。

②低轮廓铜箔多层板的高密度布线技术的进步，使得传统型的电解铜箔不适应制造高精细化印制板图形电路的需要。因此，新一代铜箔——低轮廓(LP)和超低轮廓(VLP)电解铜箔相继出现。与一般电解铜箔相比较，LP铜箔的结晶很细腻(<2μm)，为等轴晶粒，不含柱状晶体，是成片层晶体，且棱线平坦、表面粗化度低。VLP铜箔表面粗化度更低，平均粗化度（Ra）为0.55μm，一般铜箔为1.40μm。另外，还具有更好的尺寸稳定性，更高的硬度等特点。 ③超薄铜箔以移动电话、笔记本电脑为代表的携带型电子产品用含微细埋、盲孔的多层板以及BGA、CSP等有机树脂封装基板所用的铜箔向薄箔型、超薄箔型推进。激光蚀孔加工，也需要基板采用极薄铜箔，以便可以对铜箔层直接微线孔加工。在日本、美国等国对12μm、92μm、5μm的电解铜箔已可以工业化生产。目前，超薄铜箔的生产技术的难点或关键点在于能否脱离载体而直接生产且产品合格率较高及开发新型载体。 1.2压延铜箔(Rolled Copper Foil) 压延铜箔是将铜板经过多次重复辊轧而制成的原箔，根据要求进行粗化处理。由于压延铜箔加工工艺的限制，其宽度很难满足刚性覆铜板的要求，所以压延铜箔在刚性覆铜箔板上使用极少。由于压延铜箔耐折性和弹性系数大于电解铜箔，故适用于柔性覆铜箔板上。它的铜纯度最高可达99.9%，高于电解铜箔(最高99.8%)，在毛面上比电解铜箔平滑，这些都有利于电信号的快速传递。因此，近几年国外在高频高速信号传输、细导线印制板的基材上，采用压延铜箔。压延铜箔在音响设备上的印制板基材使用，还可提高音质效果。压延铜箔还用于为了降低细导线、高层数的多层线路板的热膨胀系数(TCE)而制的“金属夹心板”上。日本近年还推出压延铜箔的新品种，如：高韧性压延铜箔，一种具有低温结晶特性的压延铜箔。由于其具有高的抗弯折曲性，适用于柔性板上。另一种是无氧压延铜箔，其特性是含氧量只有0.001%，其拉伸强度高，可用于TAB中要求引线强度高的印制电路板上，以及音响设备的印制板上。

氮化铝陶瓷的制作方法

一种氮化铝陶瓷，各组分及组分的重量份数如下：氮化铝4050份，氮化硅810份，氧化镁1520份，高岭土58份，粉煤灰58份，碳粉1012份，氢氧化钾810份，硅溶胶1215份。本技术提出的氮化铝陶瓷在氮化铝原料的基础上，加入氮化硅、氧化镁、高岭土、粉煤灰、碳粉等材料，相比单一组分的氮化铝陶瓷，性能得到改善，并且造价低，适于大规模生产。 权利要求书 1.一种氮化铝陶瓷，其特征在于各组分及组分的重量份数如下：氮化铝40-50份，氮化硅8-10份，氧化镁15-20份，高岭土5-8份，粉煤灰5-8份，碳粉10-12份，氢氧化钾8-10份，硅溶胶12-15份。 2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷，其特征在于各组分及组分的重量份数如下：氮化铝43份，氮化硅9份，氧化镁17份，高岭土6份，粉煤灰6份，碳粉11份，氢氧化钾9份，硅溶胶13份。 3.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷，其特征在于各组分及组分的重量份数如下：氮化铝46份，氮化硅9份，氧化镁18份，高岭土7份，粉煤灰7份，碳粉11份，氢氧化钾9份，硅溶胶14份。 技术说明书 一种氮化铝陶瓷 技术领域

本技术属于陶瓷材料领域，特别是涉及一种氮化铝陶瓷。 背景技术 氮化铝陶瓷(Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI65.81％，N34.19％，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。 氮化铝陶瓷热导率高，热膨胀系数低，各种电性能优良，机械性能好，抗折强度高，光传输特性好，无毒。单纯氮化铝陶瓷成型困难，造价高。 技术内容 针对单纯氮化铝陶瓷单一组分的缺陷，本技术的目的在于提出多组分的氮化铝陶瓷。 本技术的目的是采用以下技术方案来实现。依据本技术提出的一种氮化铝陶瓷，各组分及组分的重量份数如下：氮化铝40-50份，氮化硅8-10 份，氧化镁15-20份，高岭土5-8份，粉煤灰5-8份，碳粉10-12份，氢氧化钾8-10份，硅溶胶12-15份。 本技术的目的还采用以下技术措施来进一步实现。 所述氮化铝陶瓷，各组分及组分的重量份数如下：氮化铝43份，氮化硅9份，氧化镁17份，高岭土6份，粉煤灰6份，碳粉11份，氢氧化钾9 份，硅溶胶13份。 所述氮化铝陶瓷，各组分及组分的重量份数如下：氮化铝46份，氮化硅9份，氧化镁18份，高岭土7份，粉煤灰7份，碳粉11份，氢氧化钾9 份，硅溶胶14份。 本技术提出的氮化铝陶瓷在氮化铝原料的基础上，加入氮化硅、氧化镁、高岭土、粉煤灰、

为何氮化铝陶瓷基板最适合LED散热基板

为何氮化铝陶瓷基板最适合LED散热基板呢？ LED向着高效率、高密度、大功率等方面发展。体国内LED有了突飞猛进的进展，功率也是越来越大，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。氮化铝陶瓷基板作为LED散热基板实在必行。 LED散热基板市场现状 现阶段常用基板材料有Si、金属及金属合金材料、陶瓷和复合材料等，它们的热膨胀系数与热导率如下表所示。其中Si材料成本高；金属及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配；陶瓷材料难加工等缺点，均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。 LED散热基板三种类型以及特点 功率型LED封装技术发展至今，可供选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。 环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。它起到支撑、导电和绝缘三个作用。其主要特性有：成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。但由于FR-4的基底材料是环氧树脂，有机材料的热导率低，耐高温性差，因此FR-4不能适应高密度、高功率LED封装要求，一般只用于小功率LED封装中。 金属基覆铜基板是继FR-4后出现的一种新型基板。它是将铜箔电路及高分子绝缘层通过导热粘结材料与具有高热导系数的金属、底座直接粘结制得，其热导率约为1.12

W/m·K，相比FR-4有较大的提高。由于具有优异的散热性，它已成为目前大功率LED 散热基板市场上应用最广泛的产品。但也有其固有的缺点：高分子绝缘层的热导率较低，只有0.3W/m·K，导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上；金属Cu、Al的热膨胀系数较大，可能造成比较严重的热失配问题。 金属基复合基板最具代表性的材料是铝碳化硅。铝碳化硅是将SiC陶瓷的低膨胀系数和金属Al的高导热率结合在一起的金属基复合材料，它综合了两种材料的优点，具有低密度、低热膨胀系数、高热导率、高刚度等一系列优异特性。AlSiC的热膨胀系数可以通过改变SiC的含量来加以调试，使其与相邻材料的热膨胀系数相匹配，从而将两者的热应力减至最小。 陶瓷基板作为LED散热基板的优势 陶瓷基板材料常见的主要有Al2O3、氮化铝、SiC、BN、BeO、Si3N4等，与其他基板材料相比，陶瓷基板在机械性质、电学性质、热学性质具有以下特点： (1)机械性能。机械强度，能用作为支持构件；加工性好，尺寸精度高；表面光滑，无微裂纹、弯曲等。 (2)热学性质。导热系数大，热膨胀系数与Si和GaAs等芯片材料相匹配，耐热性能良好。 (3)电学性质。介电常数低，介电损耗小，绝缘电阻及绝缘破坏电高，在高温、高湿度条件下性能稳定，可靠性高。 (4)其他性质。化学稳定性好，无吸湿性；耐油、耐化学药品；无毒、无公害、α射线放出量小；晶体结构稳定，在使用温度范围内不易发生变化；原材料资源丰富。 氮化铝陶瓷基板为何能成为最适合的LED散热基板？ 长期以来，Al2O3和BeO陶瓷是大功率封装两种主要基板材料。但这两种基板材

中国PCB行业现状分析

搜集赚钱效应集中地提前布局享受飙涨乐 趣 高抛低吸把握波段之 王 涨系列全面升级L-2行 情 楼主小哀小爱发表于 2007年8月17日 08:57:29 从统计的角度来看，PCB行业目前十分繁荣，但实际上遇到较多的困难。一方面，发达国家产业的转移造就繁荣，水平提升；另一面，到达阶段顶点之后，发展带来的问题显现，制约前进的空间，劳动力、水电、环境等资本不再廉价。 电子产品进入微利时代，价格战改变了供应链，亚洲国家中，中国兼具成本和市场优势。 PCB行业由于受成本和下游产业转移的影响，正逐渐转移到中国。 中国增长的趋势分析：下游产品的需求推动产业本身的发展，产业从发达国家转移到中国，但中国政府出于对环境保护的考虑，限制4层以下的低端产品，鼓励HDI等高端产品，这些因素共同作用，促进PCB向高端产品发展。 (一)中国PCB产值分析 世界电子电路行业在经过2000~2002年的衰退之后，2003年出现了全面的复苏。全世界2002年PCB总产值为316亿美元，2003年为345亿美元，同比增长%，其中挠性板、刚柔板占15%。而2004年基本保持了这一势头，业内分析人士认为整个世界电子电路的发展，尤其是亚洲和中国的发展迎来了一个新的高峰，而且这个高峰将会持续到2010年。 根据Prismark统计和预测，印刷电路板产品之全球产值于2006~2010年期间将由约420亿美元增至约537亿美元，平均复合年增长率约为%。 产业转移成就中国PCB产业大国，最重要的动力来源于成本和应用产业链两方面。 在成本优势方面，中国在劳动力、土地、水电、资源和政策等方面具有巨大的优势，虽然在主要原材料的还需要进口，但替代进口的产品逐渐增多。 下游产业在中国的蓬勃发展，全球整机制造转移中国，提供了巨大的市场需求空间。是各种电子产品主要配套产品，产业链涉及到电子产品方方面面，无论是消费类家电产品和工业类整机，如计算机、通信设备、汽车，以及国防工业均离不开PCB。 中国由于下游产业的集中及劳动力土地成本相对较低，成为发展势头最为强劲的区域。我国于2003年首度超越美国，成为世界第二大PCB生产国，产值的比例也由2000年的%提升到%，提升了近1倍。2006年中国已经取代日本，成为全球产值最大的PCB生产基地，远远高于全球行业的增长速度。2000~2006年内地PCB市场规模年增率平均达20%，远远超过其他主要生产国。展望未来，在各国外资竞相加码扩产下，预估2007年内地PCB市场规模可望成长17%，全球市占率超过25%。 (二)中国PCB产能分析 由于全方位策略布局的考虑，各国主要PCB生产产商在中国建立产能，中国已成为全球最大

氮化铝陶瓷的烧结简介及调控

氮化铝陶瓷的烧结简介 及调控 公司标准化编码 [QQX96QT-XQQB89Q8-NQQJ6Q8-MQM9N]

氮化铝陶瓷的烧结简介及调控 摘要：AlN陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等 优点，在模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、大功率集成电路等电子器件上的应用日益广泛。然而AlN共价性强，烧结非常困难，通常使用稀土金属氧化物和碱土金属氧化物添加剂形成液相来促进烧结。 关键词：氮化铝陶瓷烧结烧结助剂 Introduction and regulation of sintering of aluminum nitride ceramics Abstract: Aluminum nitride is being used more widely in electronic device for module circuit,silicon controlled rectifier,high power transistor and high power integrated circuit because of its high thermal conductivity, low dielectric constant and thermal expansion coefficient close to that of silicon. However, AlN is difficult to sinter due to its high covalent bonding. For full densification, rare-earth and/or alkaline earth oxides are often added as sintering aids in the fabrication of A1N ceramics. Keywords: AlN ceramic; Sinter; Conventional sintered

氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺

氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺 氮化铝陶瓷基板相对于氧化铝套基板而氧，机械强度和硬度增加，相应的导热率比氧化铝陶瓷基板更高。氮化铝陶瓷基板生产制作难度增加，加工工艺也有所不同。今天小编主要是讲述一下氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺。 一，氮化铝陶瓷基板生产制作流程 1，氮化铝陶瓷基板生产制作过程 氮化铝陶瓷基板生产制作流程，大致和陶瓷基板的制作流程接近，需要做烧结工艺，厚膜工艺，薄膜工艺因此具的制作流程和细节有所不同。氮化铝陶瓷基板制作流程详见文章“关于氧化铝陶瓷基板这个八个方面你知道几个？” 2，氮化铝陶瓷基板研磨 氮化铝陶瓷电路板的制作流程是非常复杂的，第一步就是氮化铝陶瓷电路板的表面处理，也叫作研磨，其作用是去除其表面的附着物以及平整度的改善。 众所周知，氮化铝陶瓷基板会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多，遇到比较薄的板厚要求的时候，研磨就是一个非常难得事情了，要保证氮化铝陶瓷电路板不会碎裂，还要达到尺寸精度和表面粗糙度的要求，需要专业的人操作。 不同的研磨方式对氮化铝陶瓷电路板的平整度、生产率、成品率的影响都是很大的，而且后续的工序是没办法提高基材的几何形状的精度。所以氮化铝陶瓷电路板的制作选用的都是离散磨料双面研磨，对于生产企业来讲整个工序的成本会提升很多，但是为了使客户得到比较完美的氮化铝陶瓷电路板。 另外研磨液是一种溶于水的研磨剂，能够很好的做到去油污，防锈，清洁和增光效果，所以可以让氮化铝陶瓷电路板超过原本的光泽。然而如今国内市场上的一些氮化铝

陶瓷电路板仍旧不够完美，例如产品的流痕问题，是困扰氮化铝陶瓷电路板加工行业的难题。主要还是没有办法达到比较好的成本控制和生产工艺。 3，氮化铝陶瓷基板切割打孔 金瑞欣特种电路采用是激光切割打孔，采用激光切割打孔的优点： ●采用皮秒或者飞秒激光器，超短脉冲加工无热传导，适于任意有机&无机材料的高 速切割与钻孔,小10μm的崩边和热影响区。 ●采用单激光器双光路分光技术,双激光头加工，效率提升一倍。 ●CCD视觉预扫描&自动抓靶定位、大加工范围650mm×450mm、XY平台拼接精 度≤±3μm。 ●支持多种视觉定位特征，如十字、实心圆、空心圆、L型直角边、影像特征点等。 ●自动清洗、视觉检测分拣、自动上下料。 ●8年激光微细加工系统研发设计技术积淀、性能稳定、无耗材。 二，氮化铝陶瓷基板加工制造工艺 氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系数相匹配等优点，成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。成型工艺是陶瓷制备的关键技术，是提高产品性能和降低生产成本的重要环节之一。 1，氮化铝陶瓷的湿法成型工艺 陶瓷的湿法成型近年来成为研究的重点，因为湿法成型具有工艺简单、生产效率高、成本低和可制备复杂形状制品等优点，易于工业化推广。 湿法成型包括流延成型、注浆成型、注射成型和注凝成型等料浆均匀流到或涂到支撑板上，或用刀片均匀的刷到支撑面上，形成浆膜，经干燥形成一定厚度的均匀的素坯

2020-2026年FPC行业重点企业调研及投资规划建议报告

5G通信、汽车及消费电子等拉动柔性印制线路板（FPC）市场需求（附报告目录） 1、柔性印制线路板（FPC）市场需求规模分析 柔性印制线路板（FPC），又称“软板”，属于印制线路板（PCB）的一种，是电子产品的关键电子互联器件。FPC具有配线密度高、重量轻、厚度薄、弯折性好的优点，符合电子产品向高密度、小型化、高可靠性发展的方向。在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、航空航天、国防军工、通讯设备计算机外设、可穿戴设备、数码相机等领域或产品上得到了广泛的应用。 相关报告：北京普华有策信息咨询有限公司《2020-2026年FPC行业重点企业调研及投资规划建议报告》 随着下游应用领域的快速发展，全球市场对FPC需求不断增长，该行业产值整体呈上升趋势。主要下游为消费电子产品、汽车电子产品、通信设备三大应用领域，其轻薄化趋势日益显现，未来对FPC的市场需求将维持不断增长的态势。 2014-2018年全球FPC产值增长分析

资料来源：普华有策市场研究中心 近些年，随着欧美国家的生产成本提高，以及亚洲地区FPC下游市场不断兴起，FPC生产重心逐渐转向亚洲。具备良好制造业基础及生产经验的日本、韩国、中国台湾等国家和地区FPC产业迅速成长，并成为全球FPC的主要产地。近年来，中国逐渐成为FPC主要产地，中国地区FPC产值占全球的比重不断提升，中国地区FPC（含外资企业）产值占全球的比重从2009年23.7%已增至2018年45%左右。 2、FPC行业下游三大应用领域分析 FPC行业三大应用领域为消费电子、汽车电子、通信设备，其中，消费电子在三大领域中占比最大，主要终端产品包括智能手机、平板电脑、PC电脑、消费电子类等。各应用领域产品轻薄化趋势日益显现，未来下游终端电子产品市场规模的扩大及转型升级将推动FPC 行业稳定发展，从而带动电磁屏蔽膜、导电胶膜、挠性覆铜板等行业的发展。 （1）消费类电子产品需求分析 1）智能手机领域 智能手机自2007年起步以来发展迅猛，在2010年末首次超过PC同期出货量，其后进入高规模高增长阶段，至2013年其出货量首次超过功能手机，以年出货10亿部以上的市场体量成为当今市场容量最大的电子产品分支。2016年之后，全球智能手机行业进入了稳定增长期。2019年智能手机总出货量为14.86 亿台。 随着智能手机的创新升级，在指纹识别、双摄像头、全面屏、无线充电、人脸识别等应用中均需使用FPC，FPC和电磁屏蔽膜的用量将随着智能手机功能越来越多而增长。5G新应用将带来FPC市场新增量，高速高频FPC成为主要发展方向；高性能FPC是影响双面屏幕

世界极薄铜箔的发展现状

世界极薄铜箔的发展综述（上） 祝大同 极薄铜箔是电子铜箔中属于高尖端、高性能的一类铜箔，它的制造技术即有着独有的特点，又有将当前电子铜箔最高水平的技术汇集于其一身。这类铜箔产品制造技术在目前世界上只有少数几家日本企业所拥有、所垄断，在我国铜箔业界还未见到有哪个企业能生产出真正概念上的这类铜箔产品。这也是我国铜箔业界所需要今后努力攻克的。 目前在国内铜箔业界，有些人士对极薄铜箔的概念存在着模糊、错误的认识。如认为，极薄铜箔的主要应用市场是锂离子电池；还有的认为，它在HDI多层板中未来使用将成为一种潮流，由此也夸大了它的未来市场发展空间；还有的认为极薄铜箔就是将它“做薄”就行（其实不然它的制造技术除将其做得很薄以外，还包括着它的剥离层、载体的形成技术，以及特殊的表面处理技术等）。因此，我们很需要对这类电子铜箔的市场更准确、更客观的认识，对它的技术发展现状有更深入的了解。为此，笔者撰写此文，以助读者对极薄铜箔的市场、技术及现有厂家的产品有更多的了解。 1．极薄铜箔的定义 极薄铜箔（ultra thin copper foil）是指厚度在9μm及其以下的印制电路板用铜箔（极薄铜箔又被称为“超薄铜箔”）。在2009年新颁布的IPC-4101C 标准中，涉及极薄铜箔范围的品种有两种规格，即箔的代号为Q（9μm）和E（5μm），对它的厚度规定如见表1所示。

表1 IPC-4101C中规定的极薄铜箔规格 （摘自IPC-4101C的表1-2 “Copper Foil Weight and Thickness”内容） 由于极薄铜箔在拿取上的困难，因此一般它都复合有载体作为支撑。载体的种类有金属箔(铜箔、铝箔)、有机薄膜等。由于它目前产品形式很大部分都以带有载体的薄铜箔，因此有的文献中将它称为附有载体的铜箔。 PCB用极薄铜箔一般是由电解或压延生产制造出。并以采用电解方法制造出的铜箔品种为绝大多数。无论是极薄电解铜箔，还是极薄压延铜箔都属于高性能、高附加值的电子铜箔。 2极薄铜箔的需求市场 2.1极薄铜箔在PCB制造技术发展中的需求 20世纪90年代起整机电子产品更加朝着轻、薄、小型化方向发展，产品的形式更多的采用了可携带型、高功能型。这些电子产品的电子安装也更加高密度化。这就需要IC封装及PCB产业的产品及制作工艺上，也都向着轻薄短小的目标看齐，其必备的要素即为细线化、高密度化、薄化及高可靠化，而要达到此要件的首要目标之一是作为PCB导电层的铜箔去实现超薄化。铜箔的薄型化，不仅是为了满足PCB的细线化、高密度化、薄层化的要求，还是为了适应PCB的高可靠性的要求。 2.1.1 采用薄形化铜箔对应微细线路发展 20世纪90年代起整机电子产品更加朝着轻、薄、小型化方向发展，产品的形式更多的采用了可携带型、高功能型。这些电子产品的电子安装也更加高密度化。这就需要IC封装及PCB产业的产品及制作工艺上，也都向着轻薄短小的目