AON780_datasheet芯片资料
30V Dual N-Channel MOSFET
V DS
I D (at V GS =10V)22A R DS(ON) (at V GS =10V)< 21m ? R DS(ON) (at V GS = 4.5V)
< 26m ?
Symbol
V DS V GS
I DM I
AS , I AR E AS , E AR T J , T STG
Symbol
t ≤ 10s Steady-State Steady-State
R θJC
Maximum Junction-to-Case
°C/W
°C/W Maximum Junction-to-Ambient A D
6.275
7.5Power Dissipation
B
P D W Power Dissipation
A
P DSM W T A =70°C
172T A =25°C A
T A =25°C I DSM A T A
=70°C
I D 2214
T C =25°C T C =100°C Avalanche energy L=0.1mH C
mJ Avalanche Current
C
7Continuous Drain Current
189A 19The AON7804 is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two low R DS (ON) MOSFETs in a dual DFN3x3 package. The AON7804 is well suited for use in compact DC/DC converter applications.
V Maximum
Units Parameter Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted 30V V ±20Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage 30Units Maximum Junction-to-Ambient A
°C/W R θJA 306040Junction and Storage Temperature Range -55 to 150
°C
Thermal Characteristics
48Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
Parameter
Typ Max T C =25°C
3.17T C =100°C Top View
S2D2G2
G1D1S1D2
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AON7804
General Description
Features
Symbol
Min Typ Max Units BV DSS 30
V
V DS =30V, V GS =0V
1T J =55°C
5I GSS 10
μA V GS(th)Gate Threshold Voltage 1.2 1.8
2.4V I D(ON)
48
A 1721T J =125°C
232126
m ?g FS 30S V SD 0.75
1V I S
15
A C iss 600
740888pF C oss 77110145pF C rss 5082115pF R g
0.5 1.1 1.7?Q g (10V)12
1518nC Q g (4.5V)6
7.59
nC Q gs 2.5nC Q gd 3nC t D(on)5
ns t r 3.5ns t D(off)19ns t f 3.5
ns
t rr 6810ns Q rr
14
18
22
nC
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Body Diode Reverse Recovery Time
Drain-Source Breakdown Voltage On state drain current
I D =250μA, V GS =0V V GS =10V, V DS =5V V GS =10V, I D =8A
Reverse Transfer Capacitance I F =8A, dI/dt=500A/μs
V GS =0V, V DS =15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS Parameter
Conditions I DSS μA V DS =V GS I D =250μA V DS =0V, V GS = ±20V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Forward Transconductance
Diode Forward Voltage R DS(ON)Static Drain-Source On-Resistance
m ?I S =1A,V GS =0V V DS =5V, I D =9A
V GS =4.5V, I D =7A
V GS =10V, V DS =15V, R L =1.7?, R GEN =3?
Gate resistance
V GS =0V, V DS =0V, f=1MHz
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge V GS =10V, V DS =15V, I D =8A
Gate Source Charge Gate Drain Charge Total Gate Charge Body Diode Reverse Recovery Charge I F =8A, dI/dt=500A/μs
Maximum Body-Diode Continuous Current
Input Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime A. The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2
FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The Power dissipation P DSM is based on R θJA t ≤ 10s value and the maximum allowed junction temperature of 150°C. The value in any given application depends on the user's specific board design.
B. The power dissipation P D is based on T J(MAX)=150°C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.
C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=150°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial T J =25°C.
D. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to case R θJC and case to ambient.
E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300μs pulses, duty cycle 0.5% max.
F. These curves are based on the junction-to-case thermal impedence which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a maximum junction temperature of T J(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse rating.
G. The maximum current rating is package limited.
H. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C.
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30V Dual N-Channel MOSFET
AON7804
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V GS (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
1
2
3
4
5
V DS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
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TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
2
4
6
8
10
3
6
912
15
Q g (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics V G S (V o l t s )
2004006008001000
12000
5
10
15202530
V DS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics C a p a c i t a n c e (p F )https://www.sodocs.net/doc/ca15457826.html,
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Vds
Charge
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Vdd
Vds
Id
Vgs
BV I Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
AR
DSS
2
E = 1/2 LI Vdd
AR AR
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30V Dual N-Channel MOSFET
AON7804
目前主流Intel主板芯片组介绍
买电脑，要能省则省，根据每个人的使用需求不同，就需要选购不同的电脑。这个时候，选择一款合适的主板就很重要，而主板上，主板芯片组就是一个很核心的部件，它影响着主板的性能，平台的定位和主板的性能一定要符合，才能够选择到极具性价比的电脑。这就是今天要说的问题，向大家介绍目前市面主流的Intel主板芯片组，希望大家能够从规格上了解到各款主板的区别，在选购主板的时候做到心中有底。 G31： 目前在Intel平台低端市场，G31芯片组主板可以说是独占鳌头，与它同为“3”系列整合主板的G33和G35芯片组主板都因各自的一些原因都非常少见，而nVIDIA出品的MCP73整合主板又因为不支持双通道等硬伤而性能短缺，现在市场上Intel低端平台，首选就是G31主板。 G31芯片组可以支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并支持双通道DDR2内存，并可以支持800MHz的内存频率。在显示性能方面，G31芯片组整合了Intel GMA 3100显示核心，可以应付大多数的日常使用需求，并且支持Display Port、DVI等视频输出接口。南桥方面，G31芯片组搭配的是ICH7南桥芯片，ICH7南桥提供了4个SATA接口、6个USB接口以及4条PCI-E通道。虽然ICH7南桥提供的接口方面不太丰富，不过考虑到G31芯片组的市场定位，这样的配置对于入门平台来说，还是足够使用的。 G41： Intel G41芯片组是一款新的入门级整合芯片组，于2008年第四季度发布。在市场定位上，G41芯片组和G31相同，最终的目的，是让G41芯片组主板取代G31芯片组主板，成为Intel平台入门级平台的首选主板。G41芯片组主板在性能上较G31芯片组主板更加强大，支持DX 10特效，并且在高清硬解方面，也支持部分格式的高清片源硬解。不过，目前G41芯片组主板的价格还是要比G31芯片组主板贵一些，可以根据使用需要进行选购。 虽然在Intel的G41芯片组系统图表上，G41芯片组使用的是ICH10(R)南桥芯片，不过在实际中，为了节约成本，降低售价，南桥芯片使用的依然是和G31芯片组相同的ICH7南桥芯片，不过，即便如此，ICH7还是能够满足用户的一般使用需求的，对这方面，不用太过在意。 G41芯片组支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并可以支持DDR2和DDR3双通道内存，并支持PCI-E 1.1规范，提供了一条PCI-E 1.1 16X插槽，在集成显示核心方面，G41主板集成了Intel GMA X4500显示核心，该显示核心支持DX 10，并且可以支持部分格式的高清硬解。并且，G41芯片组主板可以支持DVI和Display Port视频输出。 G43： G43和G45这两款整合主板芯片组于2008年6月发布，同时发布的还有P45和P43两款非整合主板芯片组，从那时候起，Intel “4”系列的芯片组主板就开始发售，G43和G45两款芯片组是相对定位中高端的两款整合芯片组。 G43芯片组的北桥芯片方面，规格与G41芯片组有一些提升，虽然同是集成Intel GMA X4500显示核心，不过在视频输出方面，G43芯片组提供了G41所没有HDMI接口，并且，还支持PCI-E 2.0规范。南桥方面，ICH10(R)系列南桥芯片也更加的强大，不仅提供了更多的USB、SATA接口，还可以支持eSATA，并且ICH10R芯片还支持硬盘RAID 模式，并且该系列南桥提供了6条PCI-E通道，可以支持千兆网卡等等。 G45： G45芯片组是Intel系列整合芯片组中定位比较高端的，它是Intel系列整合芯片组中唯一可以实现全高清硬解的芯片组，目前在市场上，也有一些499元的G45主板出售，价格方面还是比较亲民的。 G45芯片组集成的是Intel GMA X4500HD显示核心，该显示核心要比G41和G43芯片组集成的显示核心多出“HD”字样，也就是可以实现全高清硬解。除此之外，北桥和南桥芯片其他规格和G43芯片组相同，不过在实际测试中，G45芯片组的3D性能要较G43高一些，G43又要较G41高一些，差别也不是太大。 P31： P31芯片组是作为一款入门级的非整合主板芯片组推出的，不过经过市场的洗牌，现在P31芯片组的主板已经很少能够看到了，市场上仅剩的一些P31主板，甚至在价格上比G31主板还贵，所以，使用这款芯片组的主板并不推荐选购。 P31芯片组同时搭配的是ICH7南桥，在规格放面，和G31主板基本相同，不过要比G31主板少了集成的核心，在这一点上，P31芯片组和G31芯片组各有各的优势，毕竟整合了显示核心的芯片肯定会带来更高的发热，这对于主板的稳定性会有一定的影响。 P35： 在2008年6月前，Intel的“4”系列芯片组主板还未推出的时候，P35主板就是Intel市场上的明星主板，虽然并不是“3”系列芯片组主板中规格最高的，但是，却是性能与价格最均衡的主板。不过，从有了P45芯片组主板后，拥有更强的规格的P45芯片组主板开始吸引更多用户的注意，P35芯片组主板的市场占有率就开始走了下坡路。到了现在，P35芯片组主板已经很少，同时，不少厂商为了清理最后的库存，不少P35主板都以一个很优惠的价格出售，相比同价位的P45芯片组主板，这些P35主板都有更好的用料和做工，而在超频性能方面，又要比P43更好，所以也还是有
了解一下集成电路的基础知识要点
了解一下集成电路的基础知识要点 将许多电阻、二极管和三极管等元器件以电路的形式制作半导体硅片上，然后接出引脚并封装起来，就构成了集成电路。集成电路简称为 集成块，下图 (a)所示的LM380就是一种常见的音频放大集成电路， 其内部电路如图（b）所示。 图 (a) 图（b） 对于大多数人来说，不用了解内部电路具体结构，只需知道集成电路 的用途和各引脚的功能。 单独集成电路是无法工作的，需要给它加接相应的外围元件并提供电 源才能工作。下图中的集成电路LM380提供了电源并加接了外围元件，它就可以对6脚输入的音频信号进行放大，然后从8脚输出放大的音 频信号，再送入扬声器使之发声。 有些时候，我们会把集成电路和芯片混为一谈，比如在大家平常讨论 话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成 电路行业、IC行业往往也是一个意思。实际上，这两个词有联系，也 有区别。集成电路实体往往要以芯片的形式存在，因为狭义的集成电路，是强调电路本身，比如简单到只有五个元件连接在一起形成的相 移振荡器，当它还在图纸上呈现的时候，我们也可以叫它集成电路， 当我们要拿这个小集成电路来应用的时候，那它必须以独立的一块实物，或者嵌入到更大的集成电路中，依托芯片来发挥他的作用；集成 电路更着重电路的设计和布局布线，芯片更强调电路的集成、生产和 封装。而广义的集成电路，当涉及到行业（区别于其他行业）时，也 可以包含芯片相关的各种含义。 芯片也有它独特的地方，广义上，只要是使用微细加工手段制造出来 的半导体片子，都可以叫做芯片，里面并不一定有电路。比如半导体 光源芯片；比如机械芯片，如MEMS陀螺仪；或者生物芯片如DNA芯片。
Intel 5 系列芯片组简介
【Intel 5系列芯片组】 随着英特尔基于Lynnfield（林恩菲尔德）和Clarkdale（克拉克代尔）核心的处理器（Core i7/i5/i3）发布，配套的主板芯片也浮出水面，除商业平台的 B55和Q57外，在消费级平台上，一共有四款芯片可供选择，即P55、P57、H55和H57。 【这是2009年Intel 5系列的发布图，高端的X48、X58，主流的P、H系列】 【3芯片转变为2芯片：新的Nehalem（尼黑勒姆）架构处理器采用二芯片解决方案】 由于在Lynnfield和Clarkdale的CPU中整合了PCIE 2.0控制单元（Bloomfield无），并且Clarkdale也会整合GFX图形单元，它们的整合度比Bloomfield更高，相当于将原来北桥（GMCH，图形/存储器控制器中心，俗称为“北桥”）的大部分功能转移到了CPU中，因此英特尔抛弃了过去的三芯片结构（CPU + GMCH + ICH），开始采用新的双芯片结构（CPU + PCH，PCH为Platform Controller Hub，原研发代号为Ibex Peak）。
新的PCH芯片除了包含有原来南桥（ICH）的IO功能外，以前北桥中的Display单元、ME（Management Engine，管理引擎）单元也集成到了PCH中，另外NVM控制单元（NVRAM控制单元，Braidwood技术）和Clock Buffers也整合进去了，也就是说，PCH并不等于以前的南桥，它比以前南桥的功能要复杂得多。 CPU与PCH间会采用传统的DMI （Direct Media Interface）总线进行通信。在三芯片时代，南北桥间就是依靠DMI总线作数据交换的，但是X58芯片（北桥）与Core i7处理器间用的是QPI （Quick Path Interconnect）总线连接。DMI总线的带宽仅有2GB/s，QPI最高带宽可达到25.6GB/s，两者显然不是一个数量级的，因此有些读者可能觉得新的双芯片间数据通信会遭遇瓶颈，实际上这种担心是多余的。 以上面这个架构图来看，在CPU内部，可以分为CPU核心（绿色虚线框）和GPU核心（红色虚线框）两块，在GPU核心这一块，包含有GPU控制器、内存控制器和PCIE控制器等几部分，相当于原来意义上的北桥，CPU与GPU这两个核心间是通过QPI总线来通信的。再看蓝色虚线框内的PCH芯片，主要是一些功能性的单元，比原来的南桥功能更丰富，但它与CPU间同样不需要交换太多数据，因此连接总线采用DMI已足够了。新的Nehalem平台采用了双芯片结构，但逻辑结构上和以前三芯片是一样的。
最常用的电子元器件及使用常识.
最常用的电子元器件及使用常识 电阻 电阻在电路中用“R” 加数字表示,如:R1表示编号为 1的电阻。电阻在电路中的主要作用为 分流、限流、分压、偏置等。 1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω ,倍率单位有:千欧(KΩ ,兆欧(MΩ等。换算 方法是:1兆欧 =1000千欧 =1000000欧 电阻的参数标注方法有 3种,即直标法、色标法和数标法。 a 、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如: 472表示47×100Ω(即 4.7K ; 104则表示 100K b 、色环标注法使用最多,现举例如下: 四色环电阻五色环电阻(精密电阻 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示: 颜色有效数字倍率允许偏差(% 银色 /x0.01±10 金色 /x0.1±5 黑色 0+0/ 棕色 1x10±1 红色 2x100±2
橙色 3x1000/ 黄色 4x10000/ 绿色 5x100000±0.5 蓝色 6x1000000±0.2 紫色 7x10000000±0.1 灰色 8x100000000/ 白色 9x1000000000/ 电容 1、电容在电路中一般用“C” 加数字表示(如 C13表示编号为 13的电容。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小, 电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πfc (f表示交流信号的频率, C 表示电容容量电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法 3种。电容的基本单位用法拉(F 表示,其它单位还有:毫法 (mF 、微法(uF 、纳法(nF 、皮法(pF 。其中:1法拉 =103毫法 =106微法 =109纳法 =1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明, 如 10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000uF 1P2=1.2PF1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小, 前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。如:102表示 10×102PF=1000PF224表示 22×104PF=0.22uF 3、电容容量误差
常见电源稳压芯片
LM2930T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2930T-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2931AZ-5.0 5.0V低压差稳压器(TO-92) LM2931T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2931CT 3V to 29V低压差稳压器(TO-220,5PIN) 线性LM2940CT-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2940CT-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2940CT-9.0 9.0V低压差稳压器 LM2940CT-10 10V低压差稳压器 LM2940CT-12 12V低压差稳压器 LM2940CT-15 15V低压差稳压器 LM123K 5V稳压器(3A) LM323K 5V稳压器(3A) LM117K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) 线性LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM133K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A)
LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) 线性LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) 线性LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) 线性LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源 LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to 40V稳压器 MC1403 2.5V基准电压源 MC34063 充电控制器
主板芯片组详解
[转帖]主板芯片组详解 Intel 845E Intel 845E是为了533MHz外频Pentium 4推出的DDR芯片组，它正式支持533MHz的系统前端总线，支持DDR266的内存规范，由于i845PE的推出，其价格势必降低，也是其成为一款高性价比的主流芯片组，很适合对性能要求较高和资金又不很充裕的用户购买，其支持533MHz的系统前端总线，在升级上也有较大的空间。 i845E芯片组由北桥芯片82845E GMCH和南桥芯片ICH4组成，继续使用i845的架构，南桥采用了ICH4芯片，支持增强型的六声道 AC97音效控制器和USB 2.0的通用串行总线传输规范。 技术规范 支持 Intel Pentium4 处理器 提供 400/533MHz 系统前端总线 支持 AGP 2X/4X 支持最多 2.0GB DDR200/266 SDRAM 南北桥芯片之间采用Intel Hub Architecture总线连接，提供高达266MB/s 数据传输宽带 支持网络唤醒功能 内建 AC-97控制芯片 内建 10/100M以太网络适配器 支持 ATA 33/66/100/磁盘传输界面 支持 6个USB 2.0接口 支持高级电源管理功
Intel 845D i845D是第一代的基于Pentium 4处理器的DDR整合型芯片组，由于i845使用SDRAM的效能实在无法满足Pentium 4处理器的需求，使得Pentium 4处理器在家用主流系统的性能表现平平，但i850芯片组的价格有过高，在这样的情形下，intel只好回到DDR SDRAM的的怀抱，i845D就是Intel在i845芯片组的基础上改进其内存管理器，使其支持DDR200/266的SDRAM，在DDR内存的帮助下，Pentium 4的性能得到了长足的提高，其合理的价格也使得Pentium 4处理器迅速的流行起来。但Intel官方并没有用i845D为其命名，而是用其代替了原来的i845，由于其推出的时间较长，其价格已经大幅降低，其性能表现仍然不差，搭配400外频的Pentium 4十分理想，是一个高性价比的组合，配合一款600元左右的Gefcrce 3 Ti显卡，满全可以满足大部分个人用户和游戏爱好者的需求。 i845D芯片组由北桥芯片82845 MCH和南桥芯片ICH2组成，作为第一款P4平台的DDR芯片组，其同时兼容DDRAM和SDRAM内存，而且南桥芯片ICH2整合了10/100M自适应以太网络控制器、6声道AC97音效控制器以及USB 1.1的支持，其外设的扩展能力还是十分强大的。 技术规范 支持 Intel Pentium4 处理器 提供 400系统前端总线 支持最多 2.0GB DDR200/266/PC133 SDRAM 南北桥芯片之间采用Intel Hub Architecture总线连接，提供高达266MB/s 数据传输宽带 支持网络唤醒功能 内建 AC-97控制芯片
电子竞赛常用CD40系列芯片资料
例：CD4001/74LS02（四双输入或非门）1、简要功能介绍 2、引脚功能图 3、应用实例电路图 图* 4001构成视力保护器
例：CD4011/74LS08（四2输入端与非门） 1、引脚功能图 逻辑表达式：Y = A.B (1)当X=0、Y=0时，将使两个NAND门之输出均为1，违反触发器之功用，故禁止使用。如真值表第一列。 (2)当X=0、Y=1时，由于X=1导致NAND-A的输出为”1”，使得NAND-B的两个输入均为”1”，因此NAND-B的输出为”0”，如真值表第二列。 (3)当X=1、Y=0时，由于Y=0导致NAND-B的输出为”1”，使得NAND-1的两个输入均为””1，因此NAND-A的输出为”0”，如真值表第三列。 (4)当X=1、Y=1时，因为一个””1不影响NAND门的输出，所以两个NAND门的输出均不改变状态，如真值表第四列。 3、应用实例电路图
例：CD4012/74LS20（双4输入端与非门）
例：CD4017/CD4022（十进制计数/分配器） 1、简要功能介绍 CD4017 是5 位Johnson 计数器，具有10 个译码输出端，CP、CR、INH 输入端。时钟输cd4017入端的斯密特触发器具有脉冲整形功能，对输入时钟脉冲上升和下降时间无限制。INH 为低电平时，计数器在时钟上升沿计数；反之，计数功能无效。CR 为高电平时，计数器清零。 2、引脚功能图 CO：进位脉冲输出 CP：时钟输入端 CR：清除端 INH：禁止端 Q0-Q9 计数脉冲输出端 VDD：正电源 VSS：地 3、应用实例电路图
74LS系列芯片资料
74、74HC、74LS系列芯片资料 74、74HC、74LS系列芯片资料 系列电平典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8 HCT COMS/TTL 25 -8/8 ACT COMS/TTL 10 -24/24 F TTL 6.5 -15/64 ALS TTL 10 -15/64 LS TTL 18 -15/24 注：同型号的74系列、74HC系列、74LS系列芯片，逻辑功能上是一样的。 74LSxx的使用说明如果找不到的话，可参阅74xx或74HCxx的使用说明。 有些资料里包含了几种芯片，如74HC161资料里包含了74HC160、74HC161、74HC162、74HC163四种芯片的资料。找不到某种芯片的资料时， 可试着查看一下临近型号的芯片资料。 7400 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7401 QUAD 2-INPUT NAND GATES OC与非门 7402 QUAD 2-INPUT NOR GATES或非门 7403 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7404 HEX INVERTING GATES反向器 7406 HEX INVERTING GATES HV高输出反向器 7408 QUAD 2-INPUT AND GATE与门 7409 QUAD 2-INPUT AND GATES OC与门 7410 TRIPLE 3-INPUT NAND GATES与非门 7411 TRIPLE 3-INPUT AND GATES与门 74121 ONE-SHOT WITH CLEAR单稳态 74132 SCHMITT TRIGGER NAND GATES 触发器与非门 7414 SCHMITT TRIGGER INVERTERS触发器反向器 74153 4-LINE TO 1 LINE SELECTOR四选一 74155 2-LINE TO 4-LINE DECODER译码器 74180 PARITY GENERATOR/CHECKER奇偶发生检验 74191 4-BIT BINARY COUNTER UP/DOWN计数器 7420 DUAL 4-INPUT NAND GATES双四输入与非门 7426 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7427 TRIPLE 3-INPUT NOR GATES三输入或非门 7430 8-INPUT NAND GATES八输入端与非门 7432 QUAD 2-INPUT OR GATES二输入或门 7438 2-INPUT NAND GATE BUFFER与非门缓冲器 7445 BCD-DECIMAL DECODER/DRIVER BCD译码驱动器
Intel 7系芯片组详尽说明
Intel 7系芯片组详尽、权威规格对比 由于型号达到了九款之多，包括桌面四款Z77、H777、Z75、B75，笔记本五款HM77、HM76、HM75、HM70、UM77相互之间的规格差异显得相当繁琐，因此我们特意搜集整理了来自Intel官方的一些技术资料，对这九款芯片组的异同做一个归纳总结。Intel 7系列芯片组采用65nm工艺制造，FCBGA封装，其中桌面版尺寸27×27毫米，焊球数量942个，球间距0.7毫米，热设计功耗6.7W，移动版尺寸25×25毫米，焊球数量989个，球间距0.6毫米，热设计功耗4.1W、待机3.7W，只有面向超极本的UM77为3.0W。 价格方面和之前披露的相同，桌面版四款依次为48美元、43美元、40美元、37美元，移动版中只公开了HM77、HM76分别为48美元、43美元，其它不详。 Intel 7系列桌面芯片组规格对比
Intel 7系列笔记本芯片组规格对比 解析—— PCI-E 2.0端口：除了HM70、UM77都是四个之外，其它均为八个，都能拆分成x1、x2或者x4。 PCI总线：只有B75保留了原生支持，其它全部砍掉，相应主板只能借助第三方桥接芯片支持。 USB 3.0/2.0接口：Z77、H77、Z75、HM77都是完整的4/10个，B75、HM76减少到4/8个，UM77是4/6个，HM70只剩下2/6个，HM75则是0/12个(即不支持USB 3.0)。 SATA 6Gbps/3Gbps接口：Z77、H77、Z75、HM77、HM76、HM75都是完整的2/4个，B75改为1/5个，HM70、UM70则是1/3个。 整合图形核心：全部支持，P67之类的悲剧不会重演。 视频输出：除了UM77不支持VGA/LVDS之外(超极本放不下这个)，其它都是所有规格都支持，包括 VGA/DVI/HDMI/DisplayPort/eDP。 WiDi 3.0无线显示技术：笔记本型号全都有，但需要配合相应模块才行。 AHCI：全部支持。 RAID 0/1/5/10磁盘阵列：Z77、H77、Z75、HM77、UM77支持。 SRT固态硬盘加速技术：Z77、H77、HM77、UM77支持。 ATT防盗技术：全部支持。 AMT 8.0主动管理技术：全部不支持。 SBA小型商业优势技术：B75、HM77、UM77支持。 RST快速启动技术：全部支持，但需要搭配特定的Ivy Bridge处理器。 ACPI S1睡眠状态：全部支持。 HD Audio高保真音频：全部支持。 千兆以太网MAC：全部支持。
常用电子元器件大全
第一章电子元器件 第一节、电阻器 1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN 1.3 电阻器在电路符号：R 或WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧 1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过 这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。 表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。 a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百 分数表示,未标偏差值的即为±20%. b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示 有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472 表示47×102Ω（即4.7K Ω）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、 1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、 0=0Ω. c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂, 第四环是 色环电阻器的误差范围(见图一) 四色环电阻器（普通电阻) 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数(10的倍幂) 允许误差 颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑0 0 0 10 棕 1 1 1 10±1% 红 2 2 2 10±2% 橙 3 3 3 10 黄 4 4 4 10
常用 系列芯片手册
常用74系列芯片手册 7400TTL2输入端四与非门 7401TTL集电极开路2输入端四与非门 7402TTL2输入端四或非门 7403TTL集电极开路2输入端四与非门 7404TTL六反相器 7405TTL集电极开路六反相器 7406TTL集电极开路六反相高压驱动器 7407TTL集电极开路六正相高压驱动器 7408TTL2输入端四与门 7409TTL集电极开路2输入端四与门 7410TTL3输入端3与非门 74107TTL带清除主从双J-K触发器 74109TTL带预置清除正触发双J-K触发器 7411TTL3输入端3与门 74112TTL带预置清除负触发双J-K触发器 7412TTL开路输出3输入端三与非门 74121TTL单稳态多谐振荡器 74122TTL可再触发单稳态多谐振荡器 74123TTL双可再触发单稳态多谐振荡器 74125TTL三态输出高有效四总线缓冲门 74126TTL三态输出低有效四总线缓冲门 7413TTL4输入端双与非施密特触发器 74132TTL2输入端四与非施密特触发器 74133TTL13输入端与非门 74136TTL四异或门 74138TTL3-8线译码器/复工器 74139TTL双2-4线译码器/复工器 7414TTL六反相施密特触发器
74145TTL BCD—十进制译码/驱动器 7415TTL开路输出3输入端三与门 74150TTL16选1数据选择/多路开关 74151TTL8选1数据选择器 74153TTL双4选1数据选择器 74154TTL4线—16线译码器 74155TTL图腾柱输出译码器/分配器 74156TTL开路输出译码器/分配器 74157TTL同相输出四2选1数据选择器74158TTL反相输出四2选1数据选择器7416TTL开路输出六反相缓冲/驱动器74160TTL可预置BCD异步清除计数器74161TTL可予制四位二进制异步清除计数器74162TTL可预置BCD同步清除计数器74163TTL可予制四位二进制同步清除计数器74164TTL八位串行入/并行输出移位寄存器74165TTL八位并行入/串行输出移位寄存器74166TTL八位并入/串出移位寄存器 74169TTL二进制四位加/减同步计数器7417TTL开路输出六同相缓冲/驱动器74170TTL开路输出4×4寄存器堆 74173TTL三态输出四位D型寄存器 74174TTL带公共时钟和复位六D触发器74175TTL带公共时钟和复位四D触发器74180TTL9位奇数/偶数发生器/校验器74181TTL算术逻辑单元/函数发生器 74185TTL二进制—BCD代码转换器 74190TTL BCD同步加/减计数器 74191TTL二进制同步可逆计数器 74192TTL可预置BCD双时钟可逆计数器
电子设计常用芯片
741 运算放大器 2063A JRC杜比降噪 20730 双功放 24C01AIPB21 存储器 27256 256K-EPROM 27512 512K-EPROM 2SK212 显示屏照明 3132V 32V三端稳压 3415D 双运放 3782M 音频功放 4013 双D触发器 4017 十进制计数器/脉冲分配器4021 游戏机手柄 4046 锁相环电路 4067 16通道模拟多路开关 4069 游戏机手柄 4093 四2输入施密特触发器 4098 41256 动态存储器 52432-01 可编程延时电路 56A245 开关电源 5G0401 声控IC 5G673 八位触摸互锁开关 5G673 触摸调光 5G673 电子开关 6116 静态RAM 6164 静态RAM 65840 单片数码卡拉OK变调处理器7107 数字万用表A/D转换器74123 单稳多谐振荡器 74164 移位寄存器 7474 双D触发器 7493 16分频计数器 74HC04 六反相器 74HC157 微机接口 74HC4053 74HCU04 六反相器 74LS00 与门 74LS00 4*2与非门 74LS00 四2与非门 74LS00 与门 74LS04 6*1非门 74LS08 4*2与门 74LS11 三与门 74LS123 双单稳多谐振荡器 74LS123 双单稳多谐振荡器 74LS138 三~八译码器 74LS142 十进制计数器/脉冲分配器74LS154 4-16线译码器 74LS157 四与或门74LS161 四2计数器 74LS161 十六进制同步计数器 74LS161 四~二计数器 74LS164 数码管驱动 74LS18 射频调制器 74LS193 加/减计数器 74LS193 四2进制计数器 74LS194 双向移位寄存器 74LS27 4*2或非门 74LS32 四或门 74LS32 4*2或门 74LS374 八位D触发器 74LS374 三态同相八D触发器 74LS377 74LS48 7位LED驱动 74LS73 双J-K触发器 74LS74 双D触发器 74LS85 四位比较器 74LS90 计数器 75140 线路接收器 75141 线路接收器 75142A 线路接收器 75143A 线路接收器 7555 时钟发生器 79MG 四端负稳压器 8051 空调单片机 8338 六反相器 A1011 降噪 ACVP2205-26 梳状滤波视频处理 AD536 专用运放 AD558 双极型8位D-A（含基准电压）变换器AD558 双极型8位D-A（含基准电压）变换器AD574A 12比特A/D变换器 AD650 AD670 8比特A/D变换器（单电源）1995s-2、15 AD7523 D-A变换器1994x-125 AD7524 D-A变换器1994x-126 AD7533 模数转换器1994x-141 AD7533 模数转换器1995s-184 ADC0804 8比特A/D变换器1995s-2、20 ADC0809 8CH8比特A/D 1995s-2、23 ADC0833 A/D变换4路转换器1995s-2 ADC80 12比特A/D变换器1995s-2、8 ADC84/85 高速12比特A/D变换器1995s-2 AG101 手掌游戏机1993x-155 AM6081 双极型8位D-A变换器1994x-127 AMP1200 音频功放皇后1993s-104 AN115 立体声解码1991-135 AN2510S 摄象机寻象器1994x-109 AN2661NK 影碟机视频1995s-45
常见存储器芯片资料(简版)
2716 2716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装：双列直插式封装，24个引脚 基本结构：带有浮动栅的MOS管 封装：直插24脚， 引脚功能： Al0~A0：地址信号 O7~O0：双向数据信号输入输出引脚； CE：片选 OE：数据输出允许； Vcc：+5v电源， VPP：+25v电源； GND：地 2716读时序：
2732 相较于2716： Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成，共可保存4K×8位二进制信息 封装：直插24脚 引脚功能： A0~A11地址 E片选 G/VPP输出允许/+25v电源 DQ0~7数据双向 VSS地 VCC+5v电源 2732读时序
2764、27128、27256、27512等与之类似27020 存储空间：256kx8 读写时间：55/70ns 封装：直插/贴片32脚 引脚功能：
A0~A17地址线 I/O0~7数据输入输出 CE片选 OE输出允许 PGM编程选通 VCC+5v电源 VPP+25v电源 GND地 27020读时序： 27040与之类似 RAM--6116 6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns, 封装：24线双列直插式封装.
引脚功能: A0-A10为地址线; CE是片选线; OE是读允许线; WE是写允许线. 操作方式： RAM—6264 6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制 造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns, 封装：直插式28脚 引脚功能： A0~A12:地址线 WE写允许 OE读允许 CS片选
Intel平台主流芯片组全析全解(Intel芯片组篇)
目前在市场上流行的Intel芯片组产品中，有老款的945/965系列芯片组、占据主流市场的Bearlake 3系列新列芯片组，而即将在明年第一季度上市、研发代号为Eaglelake的4系列芯片组也同样值得我们关注。 老骥伏枥——9系列酷睿2芯片组 第一代正式支持Conroe处理器的965系列芯片组已经渐别市场 伴随着Intel酷睿2处理器一同上市的Intel P965/G965芯片组，同时也被认为是第一代正式支持酷睿2处理器的芯片组产品。随后，各类经过供电模块改良并破解FSB的945P/945PL等酷睿2主板纷纷登场，而整合主板领域则主要由945GC接替945G/GZ等产品市场，继续成为低端整合酷睿2市场的主力军。虽然无论945P还是945GC都不能原生支持1066Mhz FSB，但800Mhz FSB的奔腾双核E和赛扬4系列处理器的
Intel 9系列整合芯片组规格对比 但再经典的产品也有终被淘汰的一天。从目前我们从厂家透露的情况来看，不少大品牌已经停止了P965主板的生产，各大代理手上的P965主板也非常稀少，特别是大品牌、热门P965主板来说，已经很难买到“新品”。而945GC虽然还是目前Intel在整合市场上不可或缺的产品，但某台系一线大厂透露这款芯片组也将在08年3月份进入清货阶段。
当打之年——Intel Bearlake（3系列）芯片组 Intel Bearlake系列芯片组是Intel今年5月份推出的最新产品。该系列芯片组当初以首款支持Intel 45nm处理器、支持DDR3内存为卖点进入人们视线。同时，Intel Bearlake也是首款此用65nm工艺制程的芯片组，因此在发热量和功耗方面均比前者——9系列芯片组有不少改进。 BearLake架构芯片组是继P965芯片组后Intel推出的首款桌面芯片组，也是首款支持DDR3内存的桌面解决方案，在这点上Intel再一次把AMD抛到后面。BearLake架构采用了65nm工艺制程，较之前P965（90nm）和P975X（110nm）均有所进步。从Intel 的Roadmap可以看出，BearLake家族仍主要针对主流市场，和之前的975X定位的高端
常用电子元器件培训资料
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号
二．半导体管 三．其它电气图形符号
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法 示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器）
2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ， 表５
例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后0的个数 允许误差 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。
主流Intel主板芯片组介绍
G31： 目前在Intel平台低端市场，G31芯片组主板可以说是独占鳌头，与它同为“3”系列整合主板的G33和G35芯片组主板都因各自的一些原因都非常少见，而nVIDIA出品的MCP73整合主板又因为不支持双通道等硬伤而性能短缺，现在市场上Intel低端平台，首选就是G31主板。 G31芯片组可以支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并支持双通道DDR2内存，并可以支持800MHz 的内存频率。在显示性能方面，G31芯片组整合了Intel GMA 3100显示核心，可以应付大多数的日常 使用需求，并且支持Display Port、DVI等视频输出接口。南桥方面，G31芯片组搭配的是ICH7南桥芯片，ICH7南桥提供了4个SATA接口、6个USB接口以及4条PCI-E通道。虽然ICH7南桥提供的接口方面不太丰富，不过考虑到G31芯片组的市场定位，这样的配置对于入门平台来说，还是足够使用的。 G41： Intel G41芯片组是一款新的入门级整合芯片组，于2008年第四季度发布。在市场定位上，G41芯 片组和G31相同，最终的目的，是让G41芯片组主板取代G31芯片组主板，成为Intel平台入门级平台 的首选主板。G41芯片组主板在性能上较G31芯片组主板更加强大，支持DX 10特效，并且在高清硬解 方面，也支持部分格式的高清片源硬解。不过，目前G41芯片组主板的价格还是要比G31芯片组主板贵
一些，可以根据使用需要进行选购。 虽然在Intel的G41芯片组系统图表上，G41芯片组使用的是ICH10(R)南桥芯片，不过在实际中， 为了节约成本，降低售价，南桥芯片使用的依然是和G31芯片组相同的ICH7南桥芯片，不过，即便如此，ICH7还是能够满足用户的一般使用需求的，对这方面，不用太过在意。 G41芯片组支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并可以支持DDR2和DDR3双通道内存，并支持PCI-E 1.1规范，提供了一条PCI-E 1.1 16X插槽，在集成显示核心方面，G41主板集成了Intel GMA X4500 显示核心，该显示核心支持DX 10，并且可以支持部分格式的高清硬解。并且，G41芯片组主板可以支 持DVI和Display Port视频输出。 TOP yangbo10272#大中小发表于 2009-8-16 00:08 只看该作者 G43： G43和G45这两款整合主板芯片组于2008年6月发布，同时发布的还有P45和P43两
常用电子元件的功能
常用电子元件的功能 电子元件（1）<电阻> 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为：分流、限流、分压、偏置等。＃1、参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1兆欧=1000千欧=1000000欧电阻的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示47×100Ω（即4.7K）；104则表示100K b、色环标注法使用最多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻（精密电阻）＃2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差（%）银色/ x0.01 ±10 金色/ x0.1 ±5 黑色0 +0 / 棕色 1 x10 ±1 红色 2 x100 ±2 橙色 3 x1000 / 黄色4 x10000 / 绿色5 x100000 ±0.5 蓝色6 x1000000 ±0.2 紫色7 x10000000 ±0.1 灰色8 x100000000 / 白色9 x1000000000 / 电子元件（2）<电容> ＃1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能
贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。＃2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示 22×104PF=0.22 uF ＃3、电容容量误差表符号F G J K L M 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J 表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 电子元件（3）<晶体二极管> 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的二极管。＃1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。