国外IC芯片命名规则
MAXIM专有产品型号命名
MAX XXX (X) X X X
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1．前缀：MAXIM公司产品代号
2．产品字母后缀：
三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数
四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数
3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电
4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）
I =-20℃至+85℃（工业级）
E =-40℃至+85℃（扩展工业级）
A = -40℃至+85℃（航空级）
M =-55℃至+125℃（军品级）
5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装
D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100
E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT
F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）
J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）
K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装
L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD
M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片
N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封
P 塑封双列直插/ W 晶圆
6．管脚数量：
A:8 J:32 K:5，68 S:4，80
B:10，64 L:40 T:6，160
C:12，192 M:7，48 U:60
D:14 N:18 V:8（圆形）
E:16 O:42 W:10（圆形）
F:22，256 P:20 X:36
G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）
H:44 R:3，84 Z:10（圆形）
I:28
AD常用产品型号命名
单块和混合集成电路
XX XX XX X X X
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1．前缀：AD模拟器件，HA 混合集成A/D，HD 混合集成D/A
2．器件型号
3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V
4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：
I、J、K、L、M 0℃至70℃
A、B、C-25℃或-40℃至85℃
S、T、U -55℃至125℃
5．封装形式：
D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装
E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装
F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装
G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装
H 密封金属管帽T TO-92型封装
J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装
M 陶瓷金属盖板双列直插W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插
N 料有引线芯片载体Y 单列直插
Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体
P 塑料或环氧树脂密封双列直插
高精度单块器件
XXX XXXX BI E X /883
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1．器件分类：ADC A/D转换器OP 运算放大器
AMP 设备放大器PKD 峰值监测器
BUF 缓冲器PM PMI二
次电源产品
CMP 比较器REF 电压比较器
DAC D/A转换器RPT PCM 线重复器
JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器
LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关
MAT 配对晶体管SSM 声频产品
MUX 多路调制器TMP 温度传感器
2．器件型号
3．老化选择
4．电性等级
5．封装形式：
H 6腿TO-78 S 微型封装
J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插
K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体
P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插
PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插
Q 16腿陶瓷双列直插Y 14腿陶瓷双列直插
R 20腿陶瓷双列直插Z 8腿陶瓷双列直插
RC 20引出端无引线芯片载体
6．军品工艺
ALTERA产品型号命名
XXX XXX X X XX X
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1．前缀：EP 典型器件
EPC 组成的EPROM器件
EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列
EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列
EPX 快闪逻辑器件
2．器件型号
D 陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装
P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装
S 塑料微型封装T 薄型J形引线芯片载体
J 陶瓷J形引线芯片载体W 陶瓷四面引线扁平封装
L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列4．温度范围：C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃
5．腿数
6．速度
ATMEL产品型号命名
AT XX X XX XX X X X
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1．前缀：ATMEL公司产品代号
2．器件型号
3．速度
A TQFP封装P 塑料双列直插
B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装
C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路
D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路
F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路
G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列
J 塑料J形引线芯片载体V 自动焊接封装
K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片
L 无引线芯片载体Y 陶瓷熔封
M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块
N 无引线芯片载体，一次可编程
5．温度范围：C 0℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃
6．工艺：空白标准
/883 Mil-Std-883, 完全符合B 级
B Mil-Std-883，不符合B 级
BB产品型号命名
XXX XXX (X) X X X
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DAC 87 X XXX X /883B
4 7 8
1．前缀：
ADC A/D转换器MPY 乘法器
ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器
DAC D/A转换器PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器
DIV 除法器PGA 可编程控增益放大器
INA 仪用放大器SHC 采样/保持电路
ISO 隔离放大器SDM 系统数据模
块
MFC 多功能转换器VFC V/F、F/V变换器
MPC 多路转换器XTR 信号调理器
2．器件型号
3．一般说明：
A 改进参数性能L 锁定
Z + 12V电源工作HT 宽温度范围4．温度范围：
H、J、K、L 0℃至70℃
A、B、C -25℃至85 ℃
R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：
L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插
M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插
N 塑料芯片载体U 微型封装
P 塑封双列直插
6．筛选等级：Q 高可靠性QM 高可靠性，军用
7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入
CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码
8．输出：V 电压输出I 电流输出
CYPRESS产品型号命名
XXX 7 C XXX XX X X X
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1．前缀： CY Cypress公司产品，CYM 模块，VIC VME总线
2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM 7C404 FIFO
7C9101 微处理器
3．速度：
A 塑料薄型四面引线扁平封装V J形引线的微型封装
B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装
D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插
F 扁平封装X 芯片
G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体
H 带窗口的密封无引线芯片载体HD 密封双列直插
J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封HV 密封垂直双列直插
L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插
P 塑料PS 塑料单列直插
Q 带窗口的无引线芯片载体PZ 塑料引线交叉排列式双列直插
R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷
S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封N 塑料四面引线扁平封装
5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）
I 工业用（-40℃至85℃）
M 军用（-55℃至125℃）
6．工艺： B 高可靠性
HITACHI常用产品型号命名
XX XXXXX X X
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1．前缀：
HA 模拟电路HB 存储器模块
HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED）
HM 存储器（RAM）HR光电器件（光纤）
HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器
HG 专用集成电路
2．器件型号
3．改进类型
4．封装形式：
P 塑料双列PG 针阵列
C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插
CP 塑料有引线芯片载体CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体
FP 塑料扁平封装G 陶瓷熔封双列直插
SO 微型封装
INTERSIL产品型号命名
XXX XXXX X X X X
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1．前缀： D 混合驱动器G 混合多路FET
ICL 线性电路ICM 钟表电路
IH 混合/模拟门IM 存储器
AD 模拟器件DG 模拟开关
DGM 单片模拟开关ICH 混合电路
MM 高压开关NE/SE SIC产品2．器件型号
3．电性能选择
4．温度范围：A -55℃至125℃， B -20℃至85℃， C 0℃至70℃
I -40℃至125℃，M -55℃至125℃
5．封装形式：
A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体
B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插
C TO-220型S TO-52型
D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型
E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型
F 陶瓷扁平封装V TO-39型
H TO- 66型Z TO-92型
I 16脚密封双列直插/W 大圆片
J 陶瓷双列直插/D 芯片
K T O-3型Q 2引线金属管帽
6．管脚数：
A 8，
B 10，
C 12，
D 14，
E 16，
F 22，
G 24，
H 42，I 28，J 32，K 35，L 40，M 48，N 18，
P 20，Q 2，R 3，S 4，T 6，U 7，
V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）
Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）
NEC常用产品型号命名
μP X XXXX X
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1．前缀
2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，
C 双极模拟电路
D 单极型数字电路
3．器件型号：
4．封装形式：
A 金属壳类似TO-5型封装J 塑封类似TO-92型
B 陶瓷扁平封装M 芯片载体
C 塑封双列V 立式的双列直插封装
D 陶瓷双列L 塑料芯片载体
G 塑封扁平K 陶瓷芯片载体
H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名
PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX
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1. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号
2. 器件型号（类型）：
C CMOS电路CR CMOS ROM
LC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护
AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM
LV 低电压 F 快闪可编程存储器
HC 高速CMOS FR FLEX ROM 3．改进类型或选择
4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns
-15 150ns，-17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns 晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，
XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体
频率标示：-20 2MHZ，-04 4MHZ，-10 10MHZ，-16 16MHZ -20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ
5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃
6．封装形式：
L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口
P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装
W 大圆片SL 14腿微型封装-150mil
JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207mil
SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm
SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm
SP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口
SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装
TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST产品型号命名
普通线性、逻辑器件
MXXX XXXXX XX X X
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1．产品系列：
74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXX
M74HC 高速CMOS
2．序列号
3．速度
4．封装：BIR，BEY 陶瓷双列直插
M，MIR 塑料微型封装
5．温度
普通存贮器件
XX X XXXX X XX X XX
1 2 3 4 5 6 7
1．系列：
ET21 静态RAM ETL21 静态RAM
ETC27 EPROM MK41 快静态RAM
MK45 双极端口FIFO MK48 静态RAM
TS27 EPROM S28 EEPROM
TS29 EEPROM
2．技术：空白…NMOS C…CMOS L…小功率
3．序列号
4．封装： C 陶瓷双列J 陶瓷双列
N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度
6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃
V -40℃~85℃M -55℃~125℃
7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级
存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）
M XX X XXX X X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 8
1．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存
2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率
3．容量：
64…64K位（X8）256…256K位（X8）
512…512K位（X8）1001…1M位（X8）
101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）
2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压
4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压
4002…4M位（X16）801…4M位（X8）
161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级
5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V +10%Vcc
6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns
90 90ns，100/10 100 n
120/12 120 ns，150/15 150 ns
200/20 200 ns，250/25 250 ns 7．封装：
F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）
B 塑料双列直插
C 塑料有引线芯片载体（标准）
M 塑料微型封装N 薄型微型封装
K 塑料有引线芯片载体（低电压）
8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃
快闪EPROM的编号
M XX X A B C X X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1．电源
2．类型： F 5V +10%，V 3.3V +0.3V
3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M
4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块4 扇区
5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×16
6．改型：空白A
7．Vcc：空白5V+10%Vcc X +5%Vcc
8．速度：
60 60ns，70 70ns，80 80ns，90 90ns
100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns
芯片命名规则
MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
TI芯片的命名规则
例如： 说明: (A)指产品线代码 产品线代码用于区分不同的产品类型，因TI产品线非常广，故同一代码有可能包含一个或多个产品线又或多种代码表示同一种产品线，如例图所示TLV包含电源管理器、运算放大器、数据转换器、比较器、音频转换器等系列产品；SN74LVC为74系列逻辑电路，因工作电平、电压、速度、功耗不同又分为74HC、74LS、74LV、74AHC、74ABT、74AS等系列。 (B)指基本型号 基本型号(也称为基础型号)用于区分不同的产品类型，与封装、温度及其它参数无关。 (C)指为产品等级 产品等级表示产品工作温度，为可选项。 C=商业级，工作温度范围为0°C至+70°C I或Q=工业级，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C至+85°C、-40°C至+125°C 未标识等级代码，因产品不同其所表示的工作温度范围也不同，一般为-40°C~+85°C，-55°C~+100°C 等。 (D)指产品封装 产品封装代码以1-3位数的英文代码表示（BB产品线中存在超过3位数的代码符号），详细封装信息请对照“封装代码对照表”。 (E)指产品包装方式 产品包装代码为可选项，TI通用器件中包装方式代码标识为R表示以塑料卷装方式包装，未标识则表示为塑料管装方式包装。 (F)指绿色标记转换：G4 绿色标记的转换：从2004 年6 月1 日开始，当TI 器件/封装组合转换成“环保”复合成型材料时，TI 将把无铅(Pb) 涂层类别中的"e" 更改为"G"。例如，在实施环保复合成型材料之前，TI 采用NiPdAu 涂层所制造器件的无铅(Pb) 涂层类别为"e4"。实施后，该无铅(Pb) 涂层类别将更改为"G4"。（在无铅(Pb) 涂层类别中将"e" 替换成"G" 目前还不属于JEDEC 标准的一部分，但会对TI 产品实施这一步。） (G)指产品版本 无规律，详见产品规格书。 BGA CUS, GDH, GDJ, GDP, GDQ, GDU, GDW, GDY, GEA, GFM, GFN, GFS, GFT, GFU, GFV, GFW, GFX, GGC, GGD, GGE, GGH, GGN, GGP, GGQ, GGR, GGS, GHQ, GJQ, GJY, GJZ, GKN, GKP, GKQ, GKZ, GLM, GLW, GND, GNH, GNP, GNT, GPG, GPV, GVM, GWM, SAE, ZAJ, ZAK, ZAL, ZAY, ZBD, ZCF, ZCH, ZCJ, ZDB, ZDH, ZDJ, ZDL, ZDP, ZDQ, ZDR, ZDT, ZDU, ZDW, ZDY, ZEA, ZED, ZEL, ZEN, ZER, ZEW, ZFE, ZJZ, ZKB, ZND, ZPV, ZVA, ZWD, ZWF, ZWG, ZWL, ZWM, ZWQ, ZXF, ZXN, ZXQ BBGA MICROSTAR GFZ, GGB, GGF, GGM, GGT, GGU, GGV, GGW, GHA, GHB, GHC, GHG,
电子元件分类与编码标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
芯片封装命名规则
芯片封装之多少与命名规则 芯片封装之多少与命名规则 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三、PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.sodocs.net/doc/d98285254.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
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精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
Atmel改变命名规则的芯片型号对照表
A t m e l改变命名规则的芯 片型号对照表 Prepared on 21 November 2021
ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMELATMLU702 DIP ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP ATMEL ATMLU706DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DIP ATMELATMLU708 DIP ATMEL ATMLU709 DIP ATMEL ATMLU710 DIP ATMEL ATMLU711 DIP ATMEL ATMLU712 DIP ATMEL ATMLU713 DIP ATMEL ATMLU714 DIP ATMELATMLU715 DIP ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP ATMEL ATMLU718 DIP ATMEL ATMLU719 DIP AT24C256BN-SH-T ATMEL ATMLU720 DIP AT24C256B-PU ATMEL ATMLU721 DIP AT24C256N-10SI18 ATMEL ATMLU722 DIP
ATMEL ATMLU723 DIP ATMEL ATMLU724 DIP AT24C32CN-SH-T ATMEL ATMLU725DIP ATMEL ATMLU726 DIP AT24C512BN-SH25-B ATMEL ATMLU727 DIP AT24C512BN-SH-B ATMELATMLU728 DIP AT24C512B-PU25 ATMELATMLU729 DIP ATMEL ATMLU730 DIP ATMEL ATMLU731 DIP ATMELATMLU732 DIP AT24C64CN-SH-B ATMELATMLU733 DIP AT24C64CN-SH-T ATMEL ATMLU734 DIP ATMEL ATMLU735 DIP ATMEL ATMLU736 DIP AT25DF041A-SH-B ATMEL ATMLU737DIP ATMEL ATMLU738 DIP ATMEL ATMLU739DIP AT26DF081A-SSU-SL965 ATMEL ATMLU740 DIP AT26DF081A-SU-SL965 ATMEL ATMLU741 DIP AT26DF161-SUATMEL ATMLU742DIP AT26DF321-SU ATMEL ATMLU743DIP AT27BV256-70JU ATMELATMLU744 DIP AT27C010-70PUATMEL ATMLU745 DIP
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
51单片机命名规则知识分享
51单片机命名规则
51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含 Flash存储器，C表示为 CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载 Flash存储器。
在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数 X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。 X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。 X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数 X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。 X＝Q，表示 PQFP封装。’ X＝J，表示 PLCC封装。 X＝A，表示 TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插 DIP封装。 X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示 SOIC封装。 后缀中第三个参数 X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十 70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十 85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十 125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十 150℃。 后缀中第四个参数 X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用 MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是 ATMEL公司的Flash单片机，内部是 CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封 DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式 ,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机
IC芯片命名规则大全
IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀： MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数 四字母后缀： B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围： C= 0℃ 至70℃（商业级） I =-20℃ 至+85℃（工业级） E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55?至+125℃（军品级） 5．封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，6 8 S:4，80
B:10，64 L:4 0 T:6，160 C:12，192 M:7，4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8（圆形） E:16 O:4 2 W:10（圆形） F:22，256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2，10 0 Y:8（圆形） H:44 R:3，8 4 Z:10（圆形） I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1．前缀： AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号 3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V 4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插
元器件封装命名规范
元器件封装命名规范
前言 概述：本文主要描述元器件的封装命名原则。关键词：封装、命名
1.贴装器件 (5) 1.1贴装电容SC （不含贴装钽电容） (5) 1.2贴装二极管（含发光二极管）SD (5) 1.3贴装保险管（含管座）SF (5) 1.4贴装电感SL（不含贴装功率电感 (5) 1.5贴装电阻SR (5) 1.6贴装晶体（含晶体振荡器）SX (6) 1.7小外形晶体管SOT (6) 1.8贴装功率电感SPL (6) 1.9贴装阻排SRN (6) 1.10贴装钽电容STC (6) 1.11球栅阵列BGA (7) 1.12四方扁平封装IC QFP (7) 1.13J引线小外形封装IC SOJ（不含引脚外展式IC） (7) 1.14小外形封装IC SOP (7) 1.15塑封有引线载体（含插座）PLCC (7) 1.16贴装滤波器SFLT (8) 1.17贴装锁相环SPLL (8) 1.18贴装电位器SPOT (8) 1.19贴装继电器SRLY (8) 1.20贴装电池SBAT (8) 1.21贴装变压器STFM (9) 1.22贴装拨码开关SDSW (9) 2.插装器件 (9) 2.1插装无极性电容器CAP (9) 2.2插装有极性圆柱状电容器CAPC (9) 2.3插装有极性方形电容器CAPR (10) 2.4插装二极管DIODE (10) 2.5插装保险管（含管座）FUSE (10) 2.6插装电感器IND (10) 2.7插装电阻器RES (10)
2.8插装晶体XTAL (11) 2.9插装振荡器OSC (11) 2.10插装滤波器FLT (11) 2.11插装电位器POT (11) 2.12插装继电器RLY (11) 2.13插装变压器TFM (12) 2.14插装蜂鸣器BUZZLE (12) 2.15插装LED显示器LED (12) 2.16插装电池BAT (12) 2.17插装电源模块PW (12) 2.18插装传感器SEN (12) 2.19双列直插封装(不含厚膜) DIP (13) 2.20单列直插封装(不含厚膜) SIP (13) 2.21针状栅格阵列封装PGA (13) 2.22双列直插封装厚膜HDIP (13) 2.23单列直插封装厚膜HSIP (13) 2.24插装晶体管TO (14) 2.25开关 (14) 3.插装连接器 (14) 3.1同轴电缆连接器COX (14) 3.2D型电缆连接器DB (15) 3.3电源连接器PWC (15) 3.4视频连接器VDC (15) 3.5音频连接器ADC (15) 3.6USB连接器USB (16) 3.7网口连接器RJ45 (16) 3.8插座PMR (16)
Atmel改变命名规则的芯片型号对照表
ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMEL ATMLU702 DIP AT24C02B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP AT24C04-10PU-2.7 ATMEL ATMLU706 DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DI P AT24C04N-10SU-2.7 ATMEL ATMLU708 DIP AT24C08A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU709 DIP AT24C08A-10TU-2.7 ATMEL ATMLU710 DIP AT24C08AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU711 DIP AT24C128-10PU-2.7 ATMEL ATMLU712 DIP AT24C128N-10SU-2.7-SL383 ATMEL ATMLU713 DIP AT24C16A-10PU-2.7 ATMEL ATMLU714 DIP AT24C16A-10TI-1.8 ATMEL ATMLU715 DIP AT24C16AN-10SU-2.7 ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP AT24C256B-10PU-1.8 ATMEL ATMLU718 DIP AT24C256BN-10SU-1.8 ATMEL ATMLU719 DIP
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则 2，电容器
5，半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分的意义分别如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。 表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、 ┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。