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射频集成电路产业共性关键技术创新

射频集成电路产业共性关键技术创新
射频集成电路产业共性关键技术创新

射频集成电路产业共性关键技术创新

主题专项申报指南

项目一:射频集成电路设计共性关键技术

1.目标任务

针对通信、北斗导航、射频识别、短距离通

信、物联网、智能终端等射频产品设计开发的需求,在已有的高频低噪声设计技术、片上集成低相位噪声频率合成器设计技术的基础上,重点攻克多通道射频电路和

高频低功耗设计技术等射频收发共性关键技术,形成GPS/BD 兼容卫星导航射频电路、低噪声放大器、测量型导航芯片、北斗/GPS多模卫星导航终端电路、RFID标签芯片等通信导航系列产品。

2.考核指标

项目实施完成后,形成信号跟踪灵敏度≤-164dBm、信号捕获灵敏度≤-148dBm的射频收发技术和多通道、高频低功耗的系列芯片。系列芯片产品将形成规模化生产,并应用于物联网、智能终端、北斗导航终端、物联网、智能穿戴设备等产品中,累计

产值不低于3亿元。

3.经费设置

财政科技经费资助不超过400万元。自筹经费与财

政拨款比例不低于4:1。

有关说明:要求企业牵头申报,鼓励产、学、研结合。

项目二:射频集成电路制造工艺共性关键技术

1.目标任务

针对北斗导航、通信装备、智能终端等设备对特色模拟集成电路制造工艺的需求,重点攻克超低温漂薄膜电阻溅射工艺优化、薄膜电阻长期稳定性控制、圆片级薄膜电阻动态修调等共性关键技术,满足射频集成电路芯片产业化加工需求,并形成兼容模拟集成电路制造工艺

的特色高精度薄膜电阻关键材料的批量化生产能力。

2.考核指标

项目实施完成后,形成绝对温度系数≤30ppm/℃、相对温度系数≤10ppm/℃、修调后电阻精度≤±0.05%的金属薄膜电阻制造工艺,并建成具有量产能力的高精度薄膜电阻加工平台。相较现有材料性能指标提高10个百分点,高精度薄膜电阻技术指标达到国际先进水平,满足射频集成电路芯片产业化加工需

求,产值累计不低于2亿元。

3.经费设置

财政科技经费资助不超过200万元。自筹经费与财政拨款比例不低于4:1。

有关说明:要求企业牵头申报,鼓励产、学、研结合。

雷达射频集成电路的发展及应用

龙源期刊网 https://www.sodocs.net/doc/ed8521081.html, 雷达射频集成电路的发展及应用 作者:黄林锋 来源:《山东工业技术》2017年第24期 摘要:本文概述了雷达射频集成电路技术的特点,是一种以半导体和射频电路技术为基础,一种集信号放大、数据传输和转化功能为一体的技术,并从其发展与演变切入进行研究,探讨了目前常用的几种雷达射频集成电路的发展成果及其应用状况。 关键词:雷达射频集成电路;发展;应用 DOI:10.16640/https://www.sodocs.net/doc/ed8521081.html,ki.37-1222/t.2017.24.099 现代的雷达系统越来越注重高精度的距离探测与跟踪,还要求较强的抗干扰性、目标识别作用和气象探测功能。由此,要求完整一套的现代雷达系统包含近万个信号接收器和信号发射装置,这也极大提高了系统的复杂性和设备的成本造价。雷达系统的现代化除保留上述基本功能,还应减少设备的造价,这推进了射频集成电路在现代雷达领域的研发 [1]。由无线天线、电磁信号处理器、显示屏幕、控制面板、信号的发射和接收器所组成的现代雷达系统。目前,射频集成系统已经应用于信号的发射和接收器,下文从射频集成电路在雷达系统的研发入手,通过深入研究,介绍雷达系统目前的几种应用现状。 1 雷达射频集成电路的发展概述 随射频集成技术和信息化在雷达系统中的深入发展,射频集成电路已经演变了好几个架构形态[2]。以信号接收系统为例,在三十年内演化出三种不同的形态。在此过程,雷达系统的 数字化不断提高,实现某些频段的完全数字化,使射频集成电路向混合集成电路的方向不断发展。 2 雷达系统射频集成电路的发展及应用研究 2.1 射频集成SOC 以单片作为射频电路的集成基板,SiGe和CMOS作为集成射频与数字化特点的技术平台。技术的快速发展极大提高了射频电路的集成化程度,上部集混合频率、放大频率和合成信号功能为一体,下部集增频、分贝放大功能的器件。雷声公司(美国)研发的最新设备——X 波段应用了上述技术 [3],其在实际中具有高性能、减小雷达体积和节约造价的应用优势。 2.2 射频多通道集成电路 在一个集成芯片上集多通道于一体,这种集成电路没有射频集成电路那么多的器件,应用系统的封装工艺,以高度集成化的多通道芯片,实现射频混合电路的性能优化和结构简化。采

最详细解读射频芯片

最详细解读射频芯片 传统来说,一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机,一般包含五个部分部分:射频部分、基带部分、电源管理、外设、软件。 射频部分:一般是信息发送和接收的部分; 基带部分:一般是信息处理的部分; 电源管理:一般是节电的部分,由于手机是能源有限的设备,所以电源管理十分重要; 外设:一般包括LCD,键盘,机壳等; 软件:一般包括系统、驱动、中间件、应用。 在手机终端中,最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大;基带芯片负责信号处理和协议处理。那么射频芯片和基带芯片是什么关系? 1. 射频芯片和基带芯片的关系 先讲一下历史,射频(Radio Frenquency)和基带(Base Band)皆来自英文直译。其中射频最早的应用就是Radio——无线广播(FM/AM),迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。 基带则是band中心点在0Hz的信号,所以基带就是最基础的信号。有人也把基带叫做“未调制信号”,曾经这个概念是对的,例如AM为调制信号(无需调制,接收后即可通过发声元器件读取内容)。 但对于现代通信领域而言,基带信号通常都是指经过数字调制的,频谱中心点在0Hz的信号。而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的,这完全看具体的实现机制。 言归正传,基带芯片可以认为是包括调制解调器,但不止于调制解调器,还包括信道编解码、信源编解码,以及一些信令处理。而射频芯片,则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。 所谓调制,就是把需要传输的信号,通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器(RF Transceiver)发送出去的工程,解调就是相反的过程。 2.工作原理与电路分析 射频简称RF射频就是射频电流,是一种高频交流变化电磁波,为是Radio Frequency的缩写,表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围在300KHz~300GHz之间。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流,大于10000次的称为高频电流,而射频就是这样一种高频电流。高频(大于10K);射频(300K-300G)是高频的较高频段;微波频段(300M-300G)又是射频的较高频段。射频技术在无线通信领域中被广泛使用,有线电视系统就是采用射频传输方式。

RF 设计与应用----射频集成电路封装

RF设计与应用----射频集成电路封装 关键词:射频,多层电路板,电路封装 摘要:针对无线通信产品业者所面临的课题,本文试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度,来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响,以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 在行动通讯质量要求的提高,通讯带宽的需求量大增,因应而生的各项新的通讯规范如GPRS、W-CDMA、CDMA-2000、Bluetooth、 802.11b纷纷出笼,其规格不外乎:更高的数据传输速率、更有效的调变方式、更严谨的噪声规格限定、通讯功能的增强及扩充,另外再加上消费者对终端产品“轻、薄、短、小、久(包括产品的使用寿命、维护保固,甚至是手机的待机时间)”的诉求成了必要条件;于是乎,为了达成这些目的,各家厂商无不使出混身解数,在产品射频(Radio Frequency)、中频(Intermediate Frequency)与基频(Base Band)电路的整合设计、主动组件的选择应用、被动组件数目的减少、多层电路板内线路善加运用等,投注相当的心血及努力,以求获得产品的小型化与轻量化。 针对这些无线通信产品业者所面临的课题,我们试着从封装技术在射频集成电路上应用的角度,来介绍射频集成电路封装技术的现况、现今封装技术对射频集成电路效能的影响,以及射频集成电路封装的未来发展和面临的挑战。 射频集成电路封装技术的现况 就单芯片封装(Single Chip Package)的材质而言,使用塑料封装( P l a s t i c Pac kage)的方式,是一般市面上常见到的高频组件封装类型,低于3GHz工作频率的射频集成电路及组件,在不严格考虑封装金属导线架(Metal Lead Frame)和打线(Wire Bond)的寄生电感(Parasitic Inductance)效应下,是一种低成本且可薄型化的选择。由于陶瓷材料防水气的渗透性特佳及满足高可靠度的需求,故也有采用陶瓷封装技术;对于加强金属屏蔽作用及散热效果的金属封装,可常在大功率组件或子系统电路封装看到它的踪迹。

2014射频集成电路复习

第一章 1.频谱划分 ?无线电波段中,将30~300千赫范围内的频率称低频(LF) ?中频(MF)是指,频段由300KHz 到3000KHz的频率 ?高频(HF),介于3MHz与30MHz之间的频率 ?RFID,13MHz ?个人移动通信: 900MHz,1.8GHz,1.9GHz,2GHz ?射频:频率范围从300KHz~30GHz之间,目前研究的主要频段为 30MHz ~3GH 2.通信系统模型 4.调制原因 ?为了有效地把信号用电磁波辐射出去 ?有效的利用频带传输多路频率范围基本相同的基带信号 第二章 1.阻抗匹配网络的作用 阻抗匹配网络的使用是为了让放大器从信号源获得最大的功率,或者让放大器向负载传输最大的功率,或使放大器具有最小噪声系数等。 2.长线、短线概念,集总参数、分布参数 传输线有长线和短线之分。所谓长线是指传输线的几何长度与线上传输电磁波的波长比值(电长度)大于或接近1,反之称为短线。满足L<<λ条件的电路称为集总参数电路。不满足L<<λ条件的电路称为分布参数电路。 3.馈线匹配问题 ?无限长传输线上各处的电压与电流的比值定义为传输线的特性阻抗,用Z 0 表示。 ?同轴电缆的特性阻抗的计算公式为 Z。=〔60/√εr〕×Log ( D/d ) [ 欧]。 ?式中,D 为同轴电缆外导体铜网内径;d 为同轴电缆芯线外径;εr为 导体间绝缘介质的相对介电常数。通常Z0 = 50 欧,也有Z0 = 75 欧的。 由上式不难看出,馈线特性阻抗只与导体直径D和d以及导体间介质的介电常数εr有关,而与馈线长短、工作频率以及馈线终端所接负载阻抗无关 4.史密斯圆图的用途 ①读取阻抗、导纳、反射系数、驻波比等②阻抗和传输线匹配网络设计 ③微波、射频放大器设计④微波、射频振荡器设计 第三章 1.分立电路与集成电路中,无源元件与有源元件的对比 ?分立电路中,无源元件和有源元件相比价格低、易实现 ?集成电路中,无源元件占用面积大、成本高、品质因数低 2.趋肤效应:随着频率的增加,电流趋向于导体表面的效应

集成电路与系统

集成电路与系统 集成电路设计与集成系统专业工资待遇 截止到 2013年12月24日,57740位集成电路设计与集成系统专业毕业生的平均薪资为4639元,其中应届毕业生工资3701元,0-2年工资4104元,10年以上工资5104元,3-5年工资6069元,8-10年工资10494元,6-7年工资11198元。 集成电路设计与集成系统专业就业方向 集成电路设计与集成系统专业学生毕业后可到国内外各通信、雷达、电子对抗等电子系统设计单位和微电子产品的单位从事微电子系统的研发设计。。 集成电路设计与集成系统专业就业岗位 硬件工程师、电气工程师、模拟集成电路设计工程师、研发工程师、射频集成电路设计工程师、设计工程师、等。 集成电路设计与集成系统专业就业地区排名 集成电路设计与集成系统专业就业岗位最多的地区是上海。薪酬最高的地区是肇庆。 就业岗位比较多的城市有:上海[36个]、北京[30个]、深圳[28个]、苏州[11个]、西安[10个]、武汉[9个]、广州[7个]、成都[6个]、无锡[6个]、济南[6个]等。 就业薪酬比较高的城市有:肇庆[8065元]、信阳[6999元]、北京[6279元]、上海[6194元]、佛山[5265元]、厦门[5231元]、杭州[5024元]、南京[5013元]、惠州[4999元]、沈阳[4867元]、大连[4799元]等。 集成电路设计与集成系统专业在同类专业排名

集成电路设计与集成系统专业在专业学科中属于工学类中的电气信息类,其中电气信息类共34个专业,集成电路设计与集成系统专业在电气信息类专业中排名第28,在整个工学大类中排名第95位。 在电气信息类专业中,就业前景比较好的专业有:计算机科学与技术,自动化,软件工程,信息工程,电气工程及其自动化,网络工程,计算机软件,电子信息工程,通信工程等。

射频集成电路综述

射频集成电路低噪声放大器研究前景

摘要 近年来,随着无线通信技术在移动通信、全球互联接入以及物联网等领域越来越广泛的应用。对于现代通信系统往往要求提供两个甚至更多的无线服务,因此就要求射频电路前端中的关键部件低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)能在多个频带下具有放大能力。因此如何能够放大多个频带的宽带低噪声放大器成为研究热点。 低噪声放大器是现代无线通信、雷达、电子对抗系统等应用中的十分重要的部分,常用于接收系统的前端,在放大信号的同时降低噪声干扰,提高系统灵敏度。如果在接受系统的前端连接高性能的低噪声放大器,在低噪声放大器增益足够大的情况下,就能抑制后级电路的噪声,则整个接收机系统的噪声系数将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低,接收机系统的噪声系数也会变小,信噪比得到改善,灵敏度大大提高。由于可见噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能,对于整个接收系统技术水平的提高,也起了决定性的作用。 宽带低噪声放大器是一种需要有良好的输入匹配的部分。输入匹配是要求兼顾阻抗匹配和噪声系数的,对于这两个指标一般来说是耦合在一起的。现有的宽带匹配技术需要反复协调电路各部分参数,通过对阻抗匹配和噪声系数这两个指标的折中设定来达到输入匹配的要求,因此给设计增大了难度。 噪声抵消技术是一种可以有效的将上述两个重要参数进行分离的方法,对降低设计复杂度、缩短设计周期、降低设计成本具有重要意义。现有的噪声抵消电路结构基本上都是基于CMOS工艺的。近年来,随着SiGe 技术的发展,SiGe BiCMOS工艺逐渐成为射频集成电路工艺的主流。然而,基于 SiGe工艺的采用噪声抵消结构的设计方法还未见报道。因此,本文基于SiGe工艺,开展对工作于0.8-5.2GHz频段低噪声放大器的噪声抵消电路结构的设计研究。

集成电路设计基础复习

1、解释基本概念:集成电路,集成度,特征尺寸 参考答案: A、集成电路(IC:integrated circuit)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的集成块。 B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。 C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长(L)尺寸。 2、写出下列英文缩写的全称:IC,MOS,VLSI,SOC,DRC,ERC,LVS,LPE 参考答案: IC:integrated circuit;MOS:metal oxide semiconductor;VLSI:very large scale integration;SOC:system on chip;DRC:design rule check;ERC:electrical rule check;LVS:layout versus schematic;LPE:layout parameter extraction 3、试述集成电路的几种主要分类方法 参考答案: 集成电路的分类方法大致有五种:器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型,通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS 集成电路。按集成规模可分为:小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式,可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分,集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。 参考答案: “自顶向下”的设计步骤中,设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能;其次进行结构设计;接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图,并经各种验证后以标准版图数据格式输出。 5、比较标准单元法和门阵列法的差异。 参考答案:

射频电路和射频集成电路线路设计

射频电路和射频集成电路线路设计(9天) 培训时间为9天 课程特色 1)本讲座总结了讲演者20多年的工作,报告包括 o设计技术和技巧的经验, o获得的美国专利, o实际工程设计的例子, o讲演者的理论演译。 o 【主办单位】中国电子标准协会 【协办单位】智通培训资讯网 【协办单位】深圳市威硕企业管理咨询有限公司 o 2)本讲座分为三个部分: A. 第一部分讨论和強调在射频电路设计中的设计技术和技巧, 着重论述设计中关鍵性 的技术和技巧,譬如,阻抗匹配,射频接地, 单端线路和差分线路之間的主要差別,射频集成电路设计中的难题……可以把它归类为橫向论述. 到目前为止,这种着重于设计技巧的論述是前所未有的,也是很独特的。讲演者认为,作为一位合格的射频电路设计的设计者,不论是工程师,还是教授,应当掌握这一部分所论述的基本的设计技术和技巧,包括: ?阻抗匹配; ?接地; ?射频集成电路设计; ?测试 ?画制版图; ? 6 Sigma 设计。 B. 第二部分: 描述射频系统的基本参数和系统设计的基本原理。

C. 第三部分: 提供个别射频线路设计的基本知识。这一部份和现有的有关射频电路和 射频集成电路设计的书中的论述相似, 其內容是讨论一个个射频方块,譬如,低噪声放大器,混频器,功率放大器,壓控振蕩器,頻率综合器……可以把它归类为纵向论述,其中的大多数内容来自本讲座的讲演者的设计 ?在十几年前就已经找到了最佳的低噪声放大器的设计方法但不曾经发表过。在低噪声放大器的设计中可以同时达到最大的增益和最小的噪 声; ?获得了可调谐濾波器的美国专利; ?本讲座的讲演者所建立的用单端线路的设计方法来进行差分对线路的设计大大简化了设计并缩短了线路仿真的时间; ?获得了双线巴伦的美国专利。 学习目标在本讲座结束之后,学员可以了解到 o比照数码电路,射頻电路设计的主要差別是什麼? o什么是射频设计中的基本概念? o在射频电路设计中如何做好窄带的阻抗匹配? o在射频电路设计中如何做好宽带的阻抗匹配? o在射频线路板上如何做好射频接地的工作? o为什么在射频和射频集成电路设计中有从单端至双差分的趋势? o为什么在射频电路设计中容许误差分析如此重要? o什么是射频和射频集成电路设计中的主要难题?射频和射频集成电路设计师如何克服这些障碍?

集成电路设计基础 课后答案

班级:通信二班姓名:赵庆超学号:20071201297 7,版图设计中整体布局有哪些注意事项? 答:1版图设计最基本满足版图设计准则,以提高电路的匹配性能,抗干扰性能和高频工作性能。 2 整体力求层次化设计,即按功能将版图划分为若干子单元,每个子单元又可能包含若干子单元,从最小的子单元进行设计,这些子单元又被调用完成较大单元的设计,这种方法大大减少了设计和修改的工作量,且结构严谨,层次清晰。 3 图形应尽量简洁,避免不必要的多边形,对连接在一起的同一层应尽量合并,这不仅可减小版图的数据存储量,而且版图一模了然。 4 在构思版图结构时,除要考虑版图所占的面积,输入和输出的合理分布,较小不必要的寄生效应外,还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法),并力求版图美观大方。 8,版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项? 答:1 各不同布线层的性能各不相同,晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。高速电路,电荷的分配效应会引起很多问题。 2 随器件尺寸的减小,线宽和线间距也在减小,多层布线层之间的介质层也在变薄,这将大大增加布线电阻和分布电阻。 3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线,特别是通过

较大电流的那部分电源线和地线。因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线,避免交叉,或者用多层金属工艺,提高设计布线的灵活性。 4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容,一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声,使电路不能正常工作。、 5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um,以避免芯片键和时,因应力而造成电路损坏。

射频介绍

《射频集成电路设计基础》讲义 课程概述 关于射频(RF) 关于射频集成电路 无线通信与射频集成电路设计 课程相关信息 RFIC相关IEEE/IEE期刊和会议

关于射频 ? 射频= Radio Frequency (RF) → Wireless! ? Why Wireless? – 可移动(Mobile) – 个人化(Personalized) – 方便灵活(Self-configuring) – 低成本(在某些情况下) – and more ... ? Why Wired? <<>><>?

<<>><>? ? 多高的频率才是射频? ? 为什么使用高频频率? 30-300kHz LF 中波广播530-1700 kHz 300kHz-3MHz MF 短波广播 5.9-26.1 MHz 3-30MHz HF RFID 13 MHz 30-300MHz VHF 调频广播88-108 MHz 我们关心的频段 300-1000MHz UHF (无线)电视54-88, 174-220 MHz 1-2 GHz L-Band 遥控模型72 MHz 2-4 GHz S-Band 个人移动通信900MHz, 1.8, 1.9, 2 GHz 4-8 GHz C-Band WLAN, Bluetooth (ISM Band) 2.4-2.5GHz, 5-6GHz 注1:本表主要参考国外标准 注2:ISM =Industrial, Scientific and Medical

关于射频集成电路 ? 是什么推动了RFIC的发展? – Why IC? – 体积更小,功耗更低,更便宜→移动性、个人化、低成本 – 功能更强,适合于复杂的现代通信网络 – 更广泛的应用领域如生物芯片、RFID等 ? Quiz: why not fully integrated? ? 射频集成电路设计最具挑战性之处在于,设计者向上必须 懂得无线系统的知识,向下必须具备集成电路物理和工艺 基础,既要掌握模拟电路的设计和分析技巧,又要熟悉射频 和微波的理论与技术。(当然,高技术应该带来高收益:) <<>><>?

IC设计基础笔试集锦

IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)笔试集锦 1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路 相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念)。(仕兰微面试题目) 什么是MCU? MCU(Micro Controller Unit),又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机。 MCU的分类 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途;OTP ROM的MCU价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 RISC为Reduced Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为精简执令运算集,好处是CPU核心 很容易就能提升效能且消耗功率低,但程式撰写较为复杂;常见的RISC处理器如Mac的Power PC 系列。 CISC就是Complex Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为复杂指令运算集,它只是CPU分类的一种,好处是CPU所提供能用的指令较多、程式撰写容易,常见80X86相容的CPU即是此类。 DSP有两个意思,既可以指数字信号处理这门理论,此时它是Digital Signal Processing的缩写;也可以是Digital Signal Processor的缩写,表示数字信号处理器,有时也缩写为DSPs,以示与理论的区别。 2、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知) 答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 3、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)otp是一次可编程(one time programme),掩膜就是mcu出厂的时候程序已经固化到里面去了,不能在写程序进去!( 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目) 5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目) 6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目) 7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。(未知) 8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知) 9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题) 10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛) 11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试) 先介绍下IC开发流程: 1.)代码输入(design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码 语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.)电路仿真(circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具: Verolog:CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具: AVANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp 3.)逻辑综合(synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真 中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目) 13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素?(仕兰微面试题目) 14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

集成电路设计基础复习要点

集成电路设计基础复习要点 第一章集成电路设计概述 1、哪一年在哪儿发明了晶体管?发明人哪一年获得了诺贝尔奖? 2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的?发明人哪一 年为此获得诺贝尔奖? 3、什么是晶圆?晶圆的材料是什么? 4、晶圆的度量单位是什么?当前主流晶圆尺寸是多少?目前最大晶 圆尺寸是多少? 5、摩尔是哪个公司的创始人?什么是摩尔定律? 6、什么是SoC?英文全拼是什么? 7、说出Foundry、Fabless和Chipless的中文含义。 8、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式? 9、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式? 10、目前集成电路技术发展的一个重要特征是什么? 11、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容? 12、什么叫“流片”? 13、什么叫多项目晶圆(MPW) ?MPW英文全拼是什么? 14、集成电路设计需要哪些知识范围? 15、著名的集成电路分析程序是什么?有哪些著名公司开发了集成电 路设计工具?

16、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULDI的中文含义是什么?英文全拼是 什么?每个对应产品芯片上大约有多少晶体管数目? 17、国内近几年成立的集成电路代工厂家或转向为代工的厂家主要有 哪些? 18、境外主要代工厂家和主导工艺有哪些? 第二章集成电路材料、结构与理论 1、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪些? 2、常用的半导体材料有哪些? 3、半导体材料得到广泛应用的原因是什么? 4、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的? 5、砷化镓(GaAs) 和其它III/V族化合物器件的主要特点是什么? 6、GaAs晶体管最高工作频率f T可达多少?最快的Si晶体管能达到多 少? 7、GaAs集成电路主要有几种有源器件? 8、为什么说InP适合做发光器件和OEIC? 9、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么? 10、什么是欧姆接触和肖特基接触? 11、多晶硅有什么特点? 12、什么是材料系统?

课程名称:射频集成电路设计方法学专题

课程名称:射频集成电路设计方法学专题 先修课程:微波电路、微波技术 适用学科范围:电磁场与微波技术 开课形式:双语授课方式 课程目的和基本要求: 射频,通常指包括高频、甚高频和超高频,其频率在 3 MHz-1000 MHz ,是无线通信领域最为活跃的频段。在最近十几年里,无线通信技术得到了飞跃式的发展,射频器件快速的代替了使用分立半导体器件的混合电路,这些技术都是对设计者的挑战。现在使用的数字、模拟手机电话,个人通信服务和一些新技术都离不开RFIC的应用和设计,例如,无线局域网、汽车的无钥进入、无线收费、全球自动定位(GPS)自动导航系统、自动跟踪系统、远端控制。形成了对收发信机射频集成电路(RFIC)的巨大需求。随着特征尺寸的减小,深亚微米工艺MOS管的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟电路成为可能,并在全世界形成了一个研究热点。 目前,IC工作的频率越来越高,在设计中必须考虑信号频率高带来的相应问题。具有RF电路的知识有助于提高IC设计能力。本课程从设计方法学角度讲解射频集成电路设计的问题、方法和常用电路。主要包括:RF基本原理、分析方法、常用电路和技术,以及相关仿

真软件的使用等,使学生了解通信系统中的RFIC的应用和使用RF 电路仿真软件正确设计RF电路。本课程重点是如何设计和构造主要射频电路模块以使IC技术与RF技术相结合的方法学。 课程主要内容: 对于RFIC设计而言,只有在工艺出现后才可能有RF器件模型和库,因此RFIC具有其特殊半导体集成工艺与射频电路相结合所具有的独特的特点而形成了一门新的学科方向。随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能,.本课程讨论用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题.首先介绍各种收发器的体系结构,对它们的优缺点进行比较,指出在设计中要考虑的一些问题。其次讨论CMOS 射频前端的重要功能单元,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器。对各单元模块在设计中的技术指标,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论。 本课程还讨论射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法。本课程还讨论对射频模块的不同的设计限制,包括设计中主要涉及的频率响应、增益、稳定性、噪声、失真(非线性)、阻抗匹配和功率损耗。本课程重点是如何设计和构造主要射频电路模块以使IC技术与RF技术相结合的方法学。第一章介绍RF基本原理、分析方法、常用电路和技术,以及相关仿真软件的使用等。第二章主要描述模块

集成电路设计基础复习

1. 在P 衬底硅片上设计的PMOS 管可以分为n+层、SiO 2层、多晶硅层、金属层和N 井层。 2. 在集成电路设计中,制造厂商所给的工艺中有R □为它成为(方块电阻)。 3. MOS 管元件参数中的C ox 是栅极单位面积所具有的(电容值)。 4. 对于NMOS 而言,工作在饱和区中,其漏电流I D 等于(21()2D P ox GS TH W I C V V L μ= -),不能使用β或K 来表示。 5. 对于PMOS 而言,工作在饱和区中,其漏电流I D 等于 (21(||)2D P ox SG TH W I C V V L μ=--),不能使用β或K 来表示。 6. 对于工作在饱和区的NMOS 而言,其g m 等于(2D m GS TH I g V V =-),只能有I D 和过 驱动电压表示。 7. 对于工作在饱和区的NMOS 而言,其g m 等于(m g =),只能有I D 、W 、L 以及工艺参数表示。 8. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域,可以作为MOS 电阻的区域为(深度三极管区)。 9. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域中,可以作为电流源的区域为(饱和区)。 10. 对于NMOS 而言,导电沟道形成,但没有产生夹断的外部条件为(V DS 小于V GS -V TH )。 11. 差动信号的优点,能(有效抑制共模噪声),增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和输出线性度更高。 12. 分析MOS 共栅放大电路,其电流增益约等于(1)。 13. 差动信号的优点,能有效抑制共模噪声,增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和(输出线性度更高)。 14. 共源共栅电流镜如下图所示,当V X 电压源由大变小的过程中,M2和M3管,(M3)先退出饱和区。

射频开关基础知识详细讲解

射频开关基础知识详细讲解 射频和微波开关可在传输路径内高效发送信号。此类开关的功能可由四个基本电气参数加以表征。 虽然多个参数与射频和微波开关的性能相关,然而以下四个由于其相互间较强的相关性而被视为至关重要的参数:隔离度,插入损耗,开关时间,功率处理能力。 隔离度即电路输入端和输出端之间的衰减度,是衡量开关截止有效性的指标。插入损耗(也称传输损耗)为开关处于导通状态下时损耗的总功率。由于插入损耗可直接导致系统噪声系数的增大,因此对于设计者而言,插入损耗是最为关键的参数。 开关时间是指开关从“导通”状态转变为“截止”状态以及从“截止”状态转变为“导通”状态所需要的时间。该时间上可达高功率开关的数微秒级,下可至低功率高速开关的数纳秒级。开关时间的最常见定义为自输入控制电压达到其50%至最终射频输出功率达到其90%所需的时间。此外,功率处理能力定义为开关在不发生任何永久性电气性能劣化的前提下所能承受的最大射频输入功率。

图示为使用12个不同SMA母同轴连接器的单刀十二掷机电式开关一 例 射频和微波开关可分为机电式继电器开关以及固态开关两大类。这些开关可设计为多种不同构型——从单刀单掷到可将单个输入转换成16种不同输出状态的单刀十六掷,或更多掷的构型。切换开关为一种双刀双掷构型的开关。此类开关具有四个端口以及两种可能的开关状态,从而可将负载在两个源之间切换。 机电式继电器开关的插入损耗较低(《0.1dB),隔离度较高(》 85dB),且可以毫秒级的速度切换信号。此类开关的主要优点在于,其可在直流~毫米波(》50 GHz)频率范围内工作,而且对静电放电不敏感。此外,机电式继电器开关可处理较高的功率水平(达数千瓦的峰值功率)且不发生视频泄漏。

射频集成电路应用及发展

射频集成电路应用及发展 简介 射频集成电路(Radio Frequency Integrated Circuit,RFIC),严格来说,是指在0.8GHz以上频段工作的模拟电路,包括微博和毫米波电路。射频集成电路主要包括滤波器、低噪放放大器(LNA)、压控振荡器(VCO)、混频器、放大/驱动器、频率合成器、功率放大器(PA)和功率管理等电路。用这些射频集成电路可以构成RF收发器,其中,用LNA、VCO、混频器、驱动器等可以构成信号接收链的接受前端,即接收器系统;而频率合成器和功率放大器等则构成发射器。对于数字无线接收器,还必须使用A/D转换器和D/A转换器将信号进行转换。以便进行所需的计算、处理和实现所需要的发送功能。 主要技术性能 我国已经研制多款的RF收/发芯片, 应用范围 射频集成电路的应用十分的广泛,是最重要的一类军用核心器件。主要RFIC 应用与电子对抗、智能武器、军用航空装备、军用卫星、各类航天器、导弹、全球卫星定位系统、雷达系统、通信设备、诱骗术、无源毫米波成像、高度仪、远距离遥感和仪器仪表中。单片微博集成电路(MMIC)在军事航空领域的应用不断的增加。在一个雷达系统中,一个自适应相控天线可能有成千上万个T/R模块,MMIC非常好的重复生产性、小尺寸、轻重量等优点,对其实现就非常的重要和必要了。在通信领域中,MMIC可应用与光纤系统、卫星系统、陆地固定及移动无线系统。 技术和发展趋势 射频集成电路是20世纪90年代中期以来随着IC工艺的改进而出现的一种新型器件。射频移动通信技术的总趋势是走向高速化、大宽带。在军用领域,高频化是主要趋势之一,军事需求仍是RF技术发展的重要推动力。在高传输速率、大频带的要求条件下,接收机要有大的动态范围,然而对发射机而言,则要求具有高线性度的信号放大能力和更高的功率。MMIC高性能、小体积、低成本等特点使其在军事、航天、同性等领域大战迅速,单片化已成为RFIC发展的重要趋势。 RFIC的技术发展趋势主要有工作频率更高、尺寸更小的新器件研究;专用高频、高速电路设计技术研究;专用测试技术研究;高频封装技术研究。

集成电路设计基础——发展史

集成电路设计系列第2章集成电路发展史

本章概要 2.1 集成电路的发明 2.2 微处理器的发展 2.3 摩尔定律 2 2.4 今天的IC

年德国科学家Ferdinand 1874年,德国科学家Ferdinand Braun 发现在一定的条件下,晶体能够单向传导电流并将这种现象能够单向传导电流,并将这种现象称为“整流(rectification )。 年意大利人G i l M i 3 1895年,意大利人Gugielmo Marconi 发明了利用电波传输信号的新技术,成为无线通信的开端晶体探测器首成为无线通信的开端。晶体探测器首次被用于无线电接收机中,用于从载波中提取有用信号称之为“检波”波中提取有用信号,称之为检波。

1904年,英国科学家John Ambrose Fleming,发明了第一只电子管,被称为 Fleming Valve。 “Fleming Valve” 4 这只电子管只有阴极和阳极两个电极。他通过研究 ,将个有用信号调制到从阴极到阳极的 Edison Effect,将一个有用信号调制到从阴极到阳极的 直流电流之上。

5 1906年,美国科学家Lee de Forest 给电子管加一个电极(称为栅极), 从而使电子管具有了放大的能力, 可以视作为晶体管的前身。

机械计算装置 英国剑桥大学教授 Charles Babbage于1932 Ch l B bb 年设想,1934年开发 被称为差动引擎 (Difference Engines) 采用十进制 6 可完成加、减、乘、除 有25000个机械部件,总 成本17470英镑

模拟射频IC设计理论学习过程

模拟射频IC设计基础理论知识学习及进阶过程 模拟集成电路设计最重要的是基础理论知识,基础理论的重要性很多人一开始并没有意识到,工作一段时间,做过几个项目以后就会深有感触。除此之外就是个人的学习能力和分析问题、解决问题的能力,其实这些能力还是与基础知识有极大关系。 因为理论知识的学习需要一个系统的学习过程,其中涉及到非常多的相关课程,并不是一门实践课所能解决的。基础理论知识的学习途径很多,可以是学校的基础课和专业课,也可以是个人自学相关课程,IC设计所需要的理论知识的深度不是完成学业应付考试的水平所能比拟的,因此需要一个刻苦的深入学习过程。本文主要介绍模拟射频IC设计中所需要的相关基础理论知识的学习过程。 本文就从模拟、射频IC所需要的基础理论知识说起,一步一步说明如何进阶学习。最基础的是高等数学,电路分析基础,模拟电路基础,数字电路,信号与系统,自动控制理论,高频电路基础,射频微波电路理论,无线通信原理,这些是电路方面需要具备的基础知识,其中模拟电路和射频电路需要深入学习,学校课程上的那点皮毛是完全不够用的,需要做到知其然也知其所以然,很多公式及理论的计算推导过程最好彻底吃透;射频电路的S参数、smith圆图、阻抗匹配、噪声系数、线性度、射频收发机结构等理论知识很关键,这个过程非常考验个人的学习能力;无线通信原理是做射频ic必须熟悉的系统方面的知识,射频ic绝大部分是用于通信领域的。然后需要学习的是半导体工艺相关的基础知识,包括半导体器件物理、半导体工艺技术及流程等微电子基础理论知识,因为模拟射频集成电路用到的晶体管、无源器件建模和半导体工艺关系紧密,射频电路实际设计中采用的增强隔离性及降低噪声耦合等的方法和工艺息息相关。 基础知识扎实以后可以开始具体模拟ic设计的课程学习,当然这部分的学习过程也可以和基础知识学习过程结合起来,很多经典ic设计教材都是从基础知识开始讲起,一步一步进阶模拟ic设计的。这个过程比较推荐P.R.Gray的《模拟集成电路分析与设计》,当然最好是英文原版,翻译版本错误多多,容易把初学者带沟里,这本教材的分析推导过程无比详细,能够跟着推导一遍的话绝对收获无穷,从基础的工艺,器件模型,基本放大电路到模拟电路的精髓---运算放大器每一部分都是ic设计的核心基础。其它经典模拟ic教材还有Allen的《CMOS analog circuit design》,拉扎维的《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》等等。 模拟ic课程以后就可以进入到射频集成电路的设计课程,这里也有很多经典教材,拉扎维的《射频微电子》,托马斯李的《CMOS射频集成电路设计》,还有清华池保永编写的《CMOS

射频集成电路设计基础.

《射频集成电路设计基础》讲义 低噪声放大器(LNA) LNA的功能和指标 二端口网络的噪声系数 Bipolar LNA MOS LNA 非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声 CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配 参考文献 <<>><>?

LNA的功能和指标 ? 第一级有源电路,其噪声、非线性、匹配等性 能对整个接收机至关重要 ? 主要指标 LNA – 噪声系数(NF) 取决于系统要求,可从1 dB以下到好几个dB,NF与工作点有关– 增益(S21) 较大的增益有助于减小后级电路噪声的影响,但会引起线性度的恶化– 输入输出匹配(S11, S22) 决定输入输出端的射频滤波器频响 – 反向隔离(S12) – 线性度(IIP3,P1dB) 未经滤除的干扰信号可通过互调(Intermodulation)等方式使接收质量降低 <<>><>?

二端口网络的噪声系数 ? 噪声参数 , 定义 ,则 Noiseless Network i n S,2 Y S v n2i n 2 Source Two-port Network i n i u i c + =i c Y c v n = F i n S,2i n v n Y S + []2 + i n S,2 -----------------------------------------= F i n S,2i u v n Y S Y c + () + []2 + i n S,2 ---------------------------------------------------------= 1 i u2Y S Y c +2v n2 + i n S,2 ------------------------------------- + = Y S G S jB S + =,Y c G c jB c + =R n v n2 4kT f? -------------- =,G u i u2 4kT f? -------------- = , G S i n S,2 4kT f? -------------- = F1 G u Y S Y c +2R n + G S ---------------------------------------- +1 G u G S ----- G S G C + ()2B S B C + ()2 + G S ----------------------------------------------------------R n ++ == <<>><>?

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