常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1
DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应
DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应
MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应
DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应
MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应
DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应
MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应
DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应
MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应
DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应
MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应
DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应
MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应
DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应
MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应
MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
DISCRETE IRFI744400V4A32W**NMOS场效应
MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220IRFI730400V4A32W**NMOS场效应
DISCRETE IRFD9120100V1A1W**NMOS场效应
MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220IRFD12380V1.1A1W**NMOS场效应
DISCRETE IRFD120100V1.3A1W**NMOS场效应
MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220IRFD11360V0.8A1W**NMOS场效应
DISCRETE IRFBE30800V2.8A75W**NMOS场效应
MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220IRFBC40600V6.2A125W**NMOS场效应
DISCRETE IRFBC30600V3.6A74W**NMOS场效应
MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220IRFBC20600V2.5A50W**NMOS场效应
DISCRETE IRFS9630200V6.5A75W**PMOS场效应
MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220IRF9630200V6.5A75W**PMOS场效应
DISCRETE IRF9610200V1A20W**PMOS场效应
MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF954160V19A125W**PMOS场效应
MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220IRF953160V12A75W**PMOS场效应
DISCRETE IRF9530100V12A75W**PMOS场效应
MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220IRF840500V8A125W**NMOS场效应
DISCRETE IRF830500V4.5A75W**NMOS场效应
MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220IRF740400V10A125W**NMOS场效应
DISCRETE IRF730400V5.5A75W**NMOS场效应
MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220IRF720400V3.3A50W**NMOS场效应
DISCRETE IRF640200V18A125W**NMOS场效应
MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220IRF630200V9A75W**NMOS场效应
DISCRETE IRF610200V3.3A43W**NMOS场效应
MOS FET IRF9520 TO-220IRF54180V28A150W**NMOS场效应
DISCRETE IRF540100V28A150W**NMOS场效应
MOS FET IRF9540 TO-220IRF530100V14A79W**NMOS场效应
DISCRETE IRF440500V8A125W**NMOS场效应
MOS FET IRF9610 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE IRF230200V9A79W**NMOS场效应
MOS FET IRF9620 TO-220IRF130100V14A79W**NMOS场效应
DISCRETE BUZ20100V12A75W**NMOS场效应
MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P BUZ11A50V25A75W**NMOS场效应
DISCRETE BS17060V0.3A0.63W**NMOS场效应
MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P2SC4582600V15A75W**NPN
DISCRETE2SC4517550V3A30W**NPN
MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P2SC44291100V8A60W**NPN
DISCRETE2SC4297500V12A75W**NPN
MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK2SC42881400V12A200W**NPN
DISCRETE2SC4242450V7A40W**NPN
MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK2SC4231800V2A30W**NPN
DISCRETE2SC41191500V15A250W**NPN
MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK2SC41111500V10A250W**NPN
DISCRETE2SC4106500V7A50W*20MHZNPN
MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC4059600V15A130W**NPN
MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK2SC403850V0.1A0.3W*180MHZNPN DISCRETE2SC4024100V10A35W**NPN
MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK2SC39981500V25A250W**NPN
DISCRETE2SC39971500V15A250W**NPN
MOS FET IRFR9020TF D-PAK2SC398750V3A20W1000*NPN(达林顿
DISCRETE2SC3953120V0.2A1.3W*400MHZNPN
MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F2SC3907180V12A130W*30MHZNPN DISCRETE2SC38931400V8A50W*8MHZNPN
MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F2SC38861400V8A50W*8MHZNPN DISCRETE2SC3873500V12A75W*30MHZNPN
MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F2SC3866900V3A40W**NPN
DISCRETE2SC3858200V17A200W*20MHZNPN
MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F2SC380730V2A1.2W*260MHZNPN DISCRETE2SC3783900V5A100W**NPN
MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC37201200V10A200W**NPN
MOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F2SC3680900V7A120W**NPN
DISCRETE2SC3679900V5A100W**NPN
MOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F2SC359530V0.5A1.2W90*NPN
DISCRETE2SC3527500V15A100W13*NPN
MOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F2SC3505900V6A80W12*NPN
DISCRETE2SC34601100V6A100W12*NPN
MOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F2SC34571100V3A50W12*NPN
DISCRETE2SC335820V0.15A**7000MHZNPN
MOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F2SC335520V0.15A**6500MHZNPN DISCRETE2SC3320500V15A80W**NPN
MOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F2SC3310500V5A40W20*NPN
DISCRETE2SC3300100V15A100W**NPN
MOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F2SC185520V0.02A0.25W*550MHZNPN
DISCRETE2SC1507300V0.2A15W**NPN
MOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SC149436V6A40W*175MHZNPN
MOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK2SC122260V0.1A0.25W*100MHZNPN DISCRETE2SC116235V1.5A10W**NPN
MOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK2SC100880V0.7A0.8W*50MHZNPN DISCRETE2SC90030V0.03A0.25W*100MHZNPN
MOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK2SC82845V0.05A0.25W**NPN
DISCRETE2SC81560V0.2A0.25W**NPN
MOS FET IRFU410A 500V I-PAK2SC38035V0.03A0.25W**NPN
DISCRETE2SC10660V1.5A15W**NPN
MOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK2SB1494120V25A120W**PNP(达林顿
DISCRETE2SB1429180V15A150W**PNP
MOS FET IRFZ20A TO-2202SB1400120V6A25W1000-20000*PNP(达林顿DISCRETE2SB137560V3A2W**PNP
MOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-2202SB133580V4A30W**PNP
DISCRETE2SB1317180V15A150W**PNP
MOS FET IRFZ30 TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB1316100V2A10W15000*PNP(达林顿
MOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-2202SB124340V3A1W*70MHZPNP
DISCRETE2SB124040V2A1W*100MHZPNP
MOS FET IRFZ40 TO-2202SB123880V0.7A1W*100MHZPNP
DISCRETE2SB118560V3A25W*75MHZPNP
MOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-2202SB1079100V20A100W5000*PNP(达林顿DISCRETE2SB1020100V7A40W6000*PNP(达林顿
MOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F2SB83460V3A30W**PNP
DISCRETE2SB817160V12A100W**PNP
MOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F2SB77240V3A10W**PNP
DISCRETE2SB74470V3A10W**PNP
MOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-2202SB73460V1A1W**PNP
DISCRETE2SB688120V8A80W**PNP
MOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-2202SB67560V7A40W**PNP(达林顿DISCRETE2SB66970V4A40W**PNP(达林顿
MOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频DISCRETE2SB649180V1.5A1W**PNP
MOS FET SFP65N06 60V,65A TO-2202SB647120V1A0.9W*140MHZPNP
DISCRETE2SB44950V3.5A22W**PNP
MOS FET SFP9540 -100V,17A TO-2202SA1943230V15A150W**PNP
DISCRETE2SA1785400V1A1W*140MHZPNP
MOS FET SFP9634 -250V,5A TO-2202SA1668200V2A25W*20MHZPNP
DISCRETE2SA1516180V12A130W*25MHZPNP
MOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-2202SA1494200V17A200W*20MHZPNP DISCRETE2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP
MOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-2202SA1358120V1A10W*120MHZPNP
DISCRETE2SA1302200V15A150W**PNP
MOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK2SA1301200V10A100W**PNP
DISCRETE2SA1295230V17A200W**PNP MOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK2SA1265140V10A30W**PNP DISCRETE2SA1216180V17A200W**PNP MOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK2SB649180V1.5A1W**PNP
DISCRETE2SB647120V1A0.9W*140MHZPNP MOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F2SB44950V3.5A22W**PNP DISCRETE2SA1943230V15A150W**PNP MOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F2SA1785400V1A1W*140MHZPNP
DISCRETE2SA1668200V2A25W*20MHZPNP MOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK2SA1516180V12A130W*25MHZPNP
DISCRETE2SA1494200V17A200W*20MHZPNP MOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP2SA1444100V1.5A2W*80MHZPNP
DISCRETE2SA1358120V1A10W*120MHZPNP MOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP2SA1302200V15A150W**PNP DISCRETE2SA1301200V10A100W**PNP MOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP2SA1295230V17A200W**PNP
DISCRETE2SA1265140V10A30W**PNP MOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-
3P2SA1216180V17A200W**PNP DISCRETE
MOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P
DISCRETE
MOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETE
MOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETE
MOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETE
MOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETE
MOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETE
MOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETE
MOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETE
MOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETE
MOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETE
MOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220
DISCRETE
MOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETE MOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETE MOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETE MOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P DISCRETE
MOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETE
MOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P如有出入请明示,争取完善、正确!
功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型
功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型
功率Pcm放大系数特征频率管子类型 *PNP(达林顿）功率Pcm放大系数特征频率管子类型功率Pcm放大系数特征频率管子类型
常用全系列场效应管 MOS管型号参数封装资料.
场效应管分类型号简介封装常用三极管型号及参数(1 DISCRETE晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm放大系数特征频MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92IRFU02050V15A42W**NMOS场效应 DISCRETE IRFPG421000V4A150W**NMOS场效应 MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23IRFPF40900V4.7A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP9240200V12A150W**PMOS场效应 MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220IRFP9140100V19A150W**PMOS场效应 DISCRETE IRFP460500V20A250W**NMOS场效应 MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220IRFP450500V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP440500V8A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220IRFP353350V14A180W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP350400V16A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220IRFP340400V10A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP250200V33A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220IRFP240200V19A150W**NMOS场效应 DISCRETE IRFP150100V40A180W**NMOS场效应 MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220晶体管型号反压Vbe0电流Icm功率Pcm 放大系数特征频DISCRETE IRFP140100V30A150W**NMOS场效应 MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220IRFP05460V65A180W**NMOS场效应
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
常用场效应管参数大全 (2)
型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃) PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号V ender 供应商 型号耐压（V）内阻（mΩ）电流（A）功率（W）封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR
常用场效应管参数大全(1)
型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
MOS管全参数代换大全
型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG18 0K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538 2SC4633 1500V,0.03A,7W 2SC4451,2SC4576 NPN 2SC4686A 1500V,0.05A,10W 2SC4578 NPN 2SC4833 500V,5A,35W BUT11AF,2SC3310,2SC3570,2SC4026 NPN 2SC4054,2SC4160,2SC4073,2SC4371 2SC4834 500V,8A,45W BU306F,BUT12AF,2SC3626,2SC4130, NPN 2SC4161,2SC4559 2SC4890 1500V,12A,75W BU2525AF,BU2527AF,2SC5105 NPN 2SC4897 1500V,20A,150W 2SC3997,2SC4290A,2SD2356 NPN
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN 结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在 R X 1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。 当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则 该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两
个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G 1与栅极G 2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于RX1 0或RX 100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于RX10 k档，再测栅极G 1与G 2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R X 100档，红表笔接源极S, 黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5 V的电源电压，此时表针指示出的漏源极
常用大功率场效应管
2009-11-16 14:24 IRF 系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换 带有"-"号的参数为P 沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管, 没注明的均为N 沟道场效应管. 型号Drain-to-Source V oltage 漏极到源极电压Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 通态电阻Continuous Drain Current 漏极连续电流（TC=25 ℃ ） PD Total Power Dissipation 总功率耗散（TC=25 ℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商 型号耐压（V ）内阻电流功率封装厂商 IRF48 60 - 50 190 TO-220AB - IR IRF024 60 - 17 60 TO-204AA - IR IRF034 60 - 30 90 TO-204AE - IR IRF035 60 - 25 90 TO-204AE - IR IRF044 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF045 60 - 30 150 TO-204AE - IR IRF054 60 - 30 180 TO-204AA - IR IRF120 100 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF121 60 - 8.0 40 TO-3 - IR IRF122 100 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF123 60 - 7.0 40 TO-3 - IR IRF130 100 - 14 75 TO-3 - IR IRF131 60 - 14 75 TO-3 - IR IRF132 100 - 12 75 TO-3 - IR IRF133 60 - 12 75 TO-3 - IR IRF140 100 - 27 125 TO-204AE - IR IRF141 60 - 27 125 TO-204AE - IR IRF142 100 - 24 125 TO-204AE - IR IRF143 60 - 24 125 TO-204AE - IR IRF150 100 - 40 150 TO-204AE - IR IRF151 60 - 40 150 TO-204AE - IR IRF152 100 - 33 150 TO-204AE - IR IRF153 60 - 33 150 TO-204AE - IR IRF220 200 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF221 150 - 5.0 40 TO-3 - IR IRF222 200 - 4.0 4.0 TO-3 - IR IRF223 150 - 4.0 40 TO-3 - IR IRF224 250 - 3.8 40 TO-204AA - IR IRF225 250 - 3.3 40 TO-204AA - IR IRF230 200 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF231 150 - 9.0 75 TO-3 - IR IRF232 200 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF233 150 - 8.0 75 TO-3 - IR IRF234 250 - 8.1 75 TO-204AA - IR IRF235 250 - 6.5 75 TO-204AA - IR IRF240 200 - 18 125 TO-204AE - IR
常用场效应管(25N120等)参数及 代换
常用场效应管（25N120等）参数及代换 FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用） FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P FQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460
MOS管参数代换大全
MOS管参数代换大全 型号参数国内外相似替换型号资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F 2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C 2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982, NPN 2SD1433 2SC3746 80V,5A,20W 2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691 NPN 2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC3866 900V,3A,40W 2SC2979,2SC3178,2SC3559,2SC3979 NPN 2SC4303 2SC3953 2SC3886 1400V,8A,50W BU508AF,2SC3847,2SC3896,2SD1850 NPN 2SD1886 2SC3997 1500V,20A,250W - NPN 2SC4111 1500V,10A,150W 2SC3307,2SC3897,2SC3995 NPN 2SC4159 180V,1.5A,15W 2SC3298A,2SC3298B,2SD1763A,2SD1772 NPN 2SC4288 1400V,12A,200W 2SC3910,2SC3995 NPN 2SC4538
常用场效应管参数表
（IRF系列） 型号 厂 家用 途 构 造 沟 道 方 式 v111(V) 区 分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3
IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA
场效应管参数解释
场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图: 3.场效应管的主要参数: Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流）
常用场效应管型号及参数表
常用场效应管型号及参数表（三） 2609 IRFF111 IR N 60 3.5 15 TO-205AF 2610 IRFF112 IR N 100 3.0 15 TO-205AF 2611 IRFF113 IR N 60 3.0 15 TO-205AF 2612 IRFF120 IR N 100 6.0 20 TO-205AF 2613 IRFF121 IR N 60 6.0 20 TO-205AF 2614 IRFF122 IR N 100 5.0 20 TO-205AF 2615 IRFF123 IR N 60 5.0 20 TO-205AF 2616 IRFF130 IR N 100 8.0 25 TO-205AF 2617 IRFF131 IR N 60 8.0 25 TO-205AF 2618 IRFF132 IR N 100 7.0 25 TO-205AF 2619 IRFF133 IR N 60 7.0 25 TO-205AF 2620 IRFF210 IR N 200 2.2 15 TO-205AF 2621 IRFF211 IR N 150 2.2 15 TO-205AF 2622 IRFF212 IR N 200 1.8 15 TO-205AF 2623 IRFF213 IR N 150 1.8 15 TO-205AF 2624 IRFF220 IR N 200 3.5 20 TO-205AF 2625 IRFF221 IR N 150 3.5 20 TO-205AF 2626 IRFF222 IR N 200 3.0 20 TO-205AF 2627 IRFF223 IR N 150 3.0 20 TO-205AF 2628 IRFF230 IR N 200 5.5 25 TO-205AF 2629 IRFF231 IR N 150 5.5 25 TO-205AF 2630 IRFF232 IR N 200 4.5 25 TO-205AF 2631 IRFF233 IR N 150 4.5 25 TO-205AF 2632 IRFF310 IR N 400 1.35 15 TO-205AF 2633 IRFF311 IR N 350 1.35 15 TO-205AF 2634 IRFF312 IR N 400 1.15 15 TO-205AF 2635 IRFF313 IR N 350 1.15 15 TO-205AF 2636 IRFF320 IR N 400 2.5 20 TO-205AF 2637 IRFF321 IR N 350 2.5 20 TO-205AF 2638 IRFF322 IR N 400 2.0 20 TO-205AF 2639 IRFF323 IR N 350 2.0 20 TO-205AF 2640 IRFF330 IR N 400 3.5 25 TO-205AF 2641 IRFF331 IR N 350 3.5 25 TO-205AF 2642 IRFF332 IR N 400 3.0 25 TO-205AF 2643 IRFF333 IR N 350 3.0 25 TO-205AF 2644 IRFF420 IR N 500 1.6 20 TO-205AF 2645 IRFF421 IR N 450 1.6 20 TO-205AF 2646 IRFF422 IR N 500 1.4 20 TO-205AF 2647 IRFF423 IR N 450 1.4 20 TO-205AF 2648 IRFF430 IR N 500 2.75 25 TO-205AF 2649 IRFF431 IR N 450 2.75 25 TO-205AF 2650 IRFF432 IR N 500 2.25 25 TO-205AF 2651 IRFF433 IR N 450 2.25 25 TO-205AF