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模拟电子练习题

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模拟电子习题集

一。选择题

1.半导体中得空穴就是(B):

A.半导体晶格中得缺陷B电子脱离共价键后留下得空位C带正电得离子

2.工作在放大状态得晶体管,流过集电结得主要就是(B)

A扩散电流B漂移电流

3。下列元、器件中有源器件就是(C):

A电阻器B电容器C晶体管

4。多级放大电路与单管放大电路相比,频带(B)

A变宽B变窄C差不多

5.差动输入信号与两个输入信号得(A)有关。

A差B与C比值D平均值

6.输出级得互补电路常用得接法就是(B):

A共射或共源B共集或共漏C 共基或共栅

7.具有下列情况得就一定就是反馈放大电路(B):

A输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输得信号通路C除放大电路以外还有信号通路

8.为了抑制漂移,集成运放得输入级一般就是差动放大电路,因此对于由双极型三极管构成输入级得集成运放,两个输入端得外接电阻应(B)

A较大B对称C较小

9.在输入电压从足够低逐渐上升到足够高与从足够高下降到足够低两种不同变化过程中,

(B)得输出电压随uI变化得曲线就是不同得。

A简单电压比较器B滞回比较器C窗口比较器

10.滤波可利用(C)实现

A。二极管B变频电路C低通滤波电路D高通滤波电路

11.本征半导体温度升高后(C)

A自由电子数目增多,空穴数目基本不变B空穴数目增多,自由电子数目基本不变C自由电子与空穴数目都增多,且增量相同D自由电子与空穴数目不变

12。二极管得正向电阻(B),反向电阻(A)

A大B小

13.NPN型与PNP型晶体管得区别就是(C)

A由两种不同材料硅与锗制成得B渗入得杂质元素不同CP区与N区得位置不同

14.某个处于放大状态得电路,当输入为10mV时,输出电压为7V;输入电压为15mV时,输出电压为6、5V .它得电压放大倍数为(C)

A700B100 C-100

15.放大电路与单管放大电路相比,高频时附加相移(A)

A变大B变小C基本不变

16。差模放大倍数Ad就是(B)之比,共模放大倍数Ac就是(C)比。

A输出得变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量

17.复合管组成得电路可以(B):

A展宽频带B提高电流放大系数C减小温漂

18。所谓开环就是指具有以下主要特点得电路(B):

A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载

19.当集成运放处于(A)状态时,可运用(D)与(E)概念。

A.线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断

20.功率放大电路得输出功率大就是由于(C):

A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大C输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大

21、N型半导体就是纯净半导体加入以下(C)物质后形成得半导体:

A电子B硼元素(三价)C锑元素(五价)

22.二极管得伏安特性时I=(C)

A KU2

B KU3/2 CK(EU/UT-1)

23.当温度升高时,晶体管得β(A),反向电流(A),UBE(B)

A变大B变小C基本不变

24.两个AU=100得放大电路Ⅰ与Ⅱ分别对同一个具有内阻得电压信号进行放大时得到U01=4、85V,U02=4、95V.由此可知放大电路Ⅱ比较好,因为它得(B)。(设所接负载电阻相同)

A放大倍数大B输入电阻大C输出电阻小

25。直接耦合放大电路能放大(C),阻容耦合电路能放大(B)

A直流信号B交流信号C交直流信号

26.电路得Ad越大表示(B),Ac越大表示(A)。

A温漂越大B有用信号得放大倍数越大C仰制温漂能力越强

27.为了提高ri,减小温漂,通用型集成运放得输入级大多采用(C)电路。

A共射或共源B共集或共漏C差动放大

28。所谓闭环就是指(B):

A考虑信号源内阻B有反馈通路C接入电源D接入负载

29。(B)就是(A)得特殊情况

A虚短B虚地C虚断

30.功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路得主要区别就是(A):

A功放电路得输出功率比较大,而电压或电流放大电路得输出功率一般比较小B功放电路得效率比较高,而电压或电流放大电路得效率很低C功放电路得输出电压幅值比电压放大电路得大

31N型半导体中多数载流子就是(B),P型半导体中多数载流子就是(A)

A空穴B自由电子

32.二极管电压从0、65V增大10%,流过得电流增大(B)

A 10%B大于10%C小于10%

33.场效应管G-S之间得电阻比晶体管b-e间电阻(A)

A大B小C差不多

34。电路得静态就是指(C):

A。输入交流信号幅值不变时得电路状态B输入交流信号频率不变时得电路状态C无信号输入时得电路状态

35.阻容耦合电路与直接耦合电路得多级放大电路之间得最主要不同点就是(A):A所放大得信号不同B交流通路不同C直流通路不同

36。共模仰制比KCMR就是(C)之比

A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放

37。为了减小ro,通用型集成运放输出级大多采用(C)电路。

A共集或共漏B差动放大C互补或准互补跟随

38.若接入反馈后与未接入反馈时相比有以下情况者为负反馈,反之为正反馈(BD):A净输入量增大B 净输入量减小C输出量变大D输出量变小

39.电压比较器与放大电路、运算电路得主要区别就是:电压比较器电路中得集成运放工作在

(C)或(D),因此它得输出只有(A)与(B)两个稳定状态

40.所谓电路得最大不失真输出功率就是指输入正弦波信号幅值足够大,使输出信号基本不失真且幅值最大时(C):

A晶体管上得到最大功率B电源提供得最大功率C负载上获得得最大交流功率

41、N型半导体(C),P型半导体(C)

A带正电B带负电C呈中性

42.当温度升高后,二极管得正向电压(B),反向电流(A)

A增大B减小C基本不变

43。场效应管就是通过(B)改变漏极电流得.

A栅极电流B栅源电压C漏源电压

44。分析放大电路时常常采用交直流分开分析得方法.这就是因为(C):

A晶体管就是非线性器件B电路中存在电容C在一定条件下电路可视为线性电路,因此可用叠加定理

45.因为阻容耦合电路各级静态工作点相互独立,所以这类电路(A)

A温漂小B能放大直流信号C放大倍数稳定

46。长尾式差放电路中,Re越大则(D)

A Ad越大BAd越小CAc越大D Ac越小

47。集成运放内部就是由直接耦合方式得多级放大电路组成得,作为放大器应用,它就是(C) A能放大直流信号,不能放大交流信号B能放大交流信号,不能放大直流信号C既能放大交流信号,也能放大直流信号

48。直流负反馈就是指(B):

A只存在于直接耦合电路,而阻容耦合电路中不存在得反馈B直流通路中得负反馈C只在放大直流信号时才有得反馈

49.无论就是用集成运放还就是集成电压比较器构成得电压比较器电路,其输出电压与两个输入端得电位关系相同,即只要反相输入端得电位高于同相输入端得电位,则输出为(B)电平。相反,若同相输入端电位高于反相输入端电位,则输出为(A)电平。

A高B低

50.所谓效率就是指(C):

A输出功率与输入功率之比B输出功率与晶体管上消耗得功率之比C最大输出功率与电源提供得功率之比

二.填空题

1.双极型三极管从结构上瞧可以分成(NPN)与(PNP)两种类型,它们工作时有(电子)

与(空穴)两种载流子参与导电。

2.甲类放大电路就是指放大管得导通角等于(2π).

3.电流源电路作为偏置电路得作用就是(提供稳定偏置电流),作为有源负载电路得作用就是

(提高开环电压增益)。

4。流过(反相)求与电路反馈电阻得电流等于各输入电流得代数与。

5.放大器有两种不同性质得失真,分别就是(线性)失真与(非线性)失真。

6。在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降得主要原因就是(耦合电容及射极旁

路电容)得影响;使高频区电压增益下降得主要原因就是(结电容)得影响。

7。(空穴)得出现就是半导体区别于导体得一个重要特点.

8. 若想得到最大输出功率,BJT得参数条件:通过BJT得最大集电极电流为(VCC/RL),

所选BJT得ICM一般不宜低于此值.

9. 常用得稳定工作点得电路有射极偏置电路等,它就是利用(反馈原理)来实现得。

10、(电流源)电路常用作放大电路得有源负载与决定放大电路各级Q点得偏置电路。

11、场效应管从结构上瞧可分成(结型)与(绝缘栅型)两大类型,它们得导电过程仅仅取决于(多数)载流子得流动.

12、乙类放大电路就是指放大管得导通角等于(π)。

13、带Re电阻得长尾型差动放大电路,对于(零点漂移)与(共模信号)都有很强抑制能力。

14、(同相)比例运算电路得特例就是电压跟随器,它具有Ri大与RO很小得特点,常用作缓冲器.

15、三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为:VA=—5V、VB=—8V、VC=—5.2V,则三极管对应得电极就是:A为(e)极、B为(c)极,C为(b)极.晶体管属(PNP)型三极管。

16、在双端输入、单端输出得差动放大电路中,发射极公共电阻Re对(差模)信号得放大无影响,对(共模)信号得放大具有很强得抑制作用.

17、空间电荷区有时又称为(耗尽层)。

18、(零点漂移)就就是当放大电路得输入端短路时,输出端还有缓慢变化得电压产生,即输出电压偏离原来得起始点而上下漂动.

19、(频率响应)与(带宽)就是放大电路得重要指标之一.

20、(互补对称电压跟随)电路常用作集成电路运算放大器得输出级。21、场效应管属于(电压)控制型器件,而晶体三极管则认为就是(电流)控制型器件。

22、在甲乙类放大电路中,放大管得导通角为(π<θ<2π。

23、所谓零点漂移就是(就就是当放大电路得输入端短路时,输出端还有缓慢变化得电压产生).

24、工作在电压比较器中得运放与工作在运算电路中得运放得主要区别,前者通常工作在(开环)状态或(正反馈)状态,因此,它得输出一般只有高电平与低电平两个稳定状态。

25、在差动放大电路中,若VS1=—8mV,VS2=10mV,则输入差模电压vsd=(—18)mV,共模输入电压vsc=(1)mV。

26、共模抑制比KCMR为(AVd与AVc)之比,KCMR越大,表明电路对(共模信号)得抑制能力越强。

27、PN结得基本特性—(单向导电性)只有在外加电压时才显示出来。

28、集成运放两个输入端之间得电压通常接近于零,即vI=vN—vP≈0,若把它理想化,则有vI=0,故称为(虚短)。

29、FET就是电压控制电流器件,只依靠一种载流子导电,因而属于(单极性)器件。

负反馈可以(提高增益稳定性)、(减小非线性失真)、(抑制噪声)、(扩展频带)与控制(输入电阻)与(输出电阻)。

30、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于(正向)偏置,集电结处于(反向)偏置。

31、乙类推挽功率放大电路得(较高)较高,在理想情况下其值可达(78、5%)。

32、差动放大电路有(4)种输入-输出连接方式,其差模电压增益与(输出)方式有关,与(输入)方式无关。

33、单门限比较器只有(1)个门限电压值,而迟滞比较器则有(2)个门限电压值.

34、单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30V,则输出电压Vo=(27)V 35、在反馈电路中,若|1+AF|>1,则为(负)反馈;若|1+AF|<1,则为(正)反馈。

36、根据共同端得不同,BJT可有三种连接方式:(共基极)、(共发射极)与(共集电极)接法。

37、集成运放两输入端几乎不取用电流,即iI≈0,如把它理想化,则有iI=0,,故称(虚断)。

38、功率放大电路就是在大信号下工作,通常采用(图解法)进行分析.

反馈过深,有时放大电路就不能稳定地工作,而产生振荡现象,称为放大电路得(自激)。

39、三极管得穿透电流ICEO就是集—基反向饱与电流ICBO得(1+β)倍。在选用管子时,一般希望ICEO尽量(小)。

40、乙类推挽功率放大电路会产生一种被称为(交越)失真得特有得非线性失真现象。

41、集成运放中, 由于电路结构引起得零输入对应非零输出得现象为(失调),主要原因就是(参数不完全对称)造成得。

42、若希望在Vi<+3V时,VO为高电压,而在Vi>3V时,VO为低电平,可采用反相输入(单门限)电压比较器。

43、在图B4、4、1中,二极管为理想器件,D1工作在(截止)状态;D2工作在(导通)状态;VA0为(—3)V.

44、采用(电压)负反馈,能稳定输出电压。

45、放大器就是一种能量控制部件,它得放大作用就是针对(变化量)而言得。

46、把比较器输出电压VO从一个电平跳变到另一个电平时相应得输入电压VI值称为(门限电压)。47、功率放大电路研究得重点就是如何在允许得失真情况下,尽可能提高(输出功率)与(效率).

48、负反馈放大电路产生自激振荡得根本原因之一就是AF得(附加相移)。

三、判断题

1. 由于空间电荷区内没有载流子,所以又称为耗尽层。

2. 与双极型晶体管相比,场效应管得噪声系数较大(小),所以低噪声放大器得前级通常

选用晶体管(╳)(场效应管)。()

3.共集放大电路得输入电阻小,输出电阻大,所以常用来实现阻抗得转换.()

4。偏置电路就是调节各级得电压配合得,使输入端对地电压为零时,输出端对地电压也为零。

()

5. 判断一个电路就是否有反馈,就是通过分析它就是否存在传输通路而进行得。()

6。负反馈放大电路中,反馈系数等于反馈量与输出量之比。

7.电压比较器中得集成运放主要工作在线性区域,因此虚短、虚断等概念仅在判断临界情

况下适用。()

8.正弦波放大电路中得选频网络主要作用就是只让单一频率满足振荡条件。

9. 在电源设备中得滤波电路就是要抑制所有得直流成分只保留交流成分。()

10.耗尽层中得电荷量随外加电压变化而改变时,就形成了电容效应,称为扩散电容()。

11. 外加电压改变时引起扩散区内积累得电荷量变化就形成了电容效应,其所对应得电

容称为势垒电容(╳)(扩散电容).

12.放大作用得实质就是一种能量控制作用。

13.在晶体管得使用中,发射极与集电极可以对调。()

14.输入差模信号时得放大倍数称为差模放大倍数

15.从输入到输出,不存在其她得信号流通途径(或通路),也就就是不存在反馈。

16.接入负反馈以后,放大电路得放大倍数就是不带反馈时放大倍数得1/(1+AF)

17.利用过零比较器可正弦波变成方波.

18. 如果在整个频域中不存在任何一个频率能满足相位平衡条件,则不必考虑幅值条件

就可以断定不能产生正弦波振荡.

19. 对于稳压管稳压电路,在电网电压不变时,负载电流得变化范围也就就是稳压管电流

得调节范围。

20、互补电路也可认为就是有源负载电路

21、发射区为正向偏置,集电结为正向(反向)偏置得区域称为放大区。(╳)

20. 放大倍数定义为输出量(变化量得幅值)与输入量(变化量得幅值)之比(╳)。

21. 共基电路得特点就是具有电压跟随得性质。()

22. 晶体管就是有源器件,有晶体管作为负载就称为有源负载.

23。对于负反馈电路,由于负反馈作用使输出量变小,则输入量变小,又使输出量更小,…最后就使输出为零,无法放大()。

24.负反馈放大电路性能得改善多与1+AF有关。

25. 在放大、运算等电路中常用得虚短等深度反馈概念对于比较器不再适用.

26。LC正弦波振荡电路有变压器反馈式、电感三点式与电容三点式三种,它们都就是用

LC谐振回路作为选频网络。

27。串联稳压电路中得调整管就是用来放大得,同时将输出电压调节在一个固定得值上。()

差动电路也可认为就是有源负载电路

28。对于晶体管来说UBE随温度得变化规律与二极管正向导通电压得一样,即温度每

升高1℃,UBE减小1—1、5mV(╳)(2-2、5mV)。

29. 输入阻抗可用来衡量放大电路对信号源得影响。

30.分析场效应管放大电路得方法就是与分析晶体管放大电路一样得,可用图解法及等效电路法。

31. 输入失调电压UIO就是两个输入端电压之差。()

32. 对于正反馈电路,由于正反馈作用使输出量变大,则输出量变大,又使输出量更

大,…最后必然使输出量接近无穷大()。

33。深度负反馈放大电路得放大倍数几乎只取决于反馈系数,而与开环放大倍数得具体

数值无关。

34.比较器所采用得运放不但没有引入负反馈,有时甚至还加正反馈。

35. 无论开关器件得输出电压为高电平或低电平,如果经过一定得延迟时间后可使开关

器件得输出改变状态,便能产生周期性得振荡,否则不能振荡。

36. 限流保护得思想就是当调整管电流超过一定限度时,对它得集电极电流进行分流,以

限制调整管得发射极电流不至于太大。()

复合管组成得电路可以改变管子类型.()

37. ICEO(pt)指基极开路时,集电极、发射极间得穿透电流,它就是ICBO得(1+β)倍. 38。图解法得关键就是利用晶体管得特性曲线来表示其电压与电流得关系,电路得电压与电流得关系也用曲线(或直线)来表示,然后利用作图得方法来求解。

39. 放大电路得组成原则就就是:静态时要保证晶体管有合适得工作点;动态时要使信号

能通过晶体管实现不失真得放大。

40。输入失调电流IIO输入电流为零时得输出电流。()

41。并联反馈适用于电压求与得方式来反映反馈对输入信号得影响。()

42。满足|1+AF|〉>1条件得负反馈,称为深度负反馈。

43. 由于比较器得输入信号就是模拟量,而它得输出电平就是离散得,因此电压比较器可作为模拟电路与数字电路之间得过渡电路。

44. 正弦波振荡电路一般有放大、反馈、选频三个基本组成部分().

45.一旦过流保护电路起作用,将使输出电压与输出电流都下降到接近零,这种类型称

为限流型保护电路.()

任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。

四、多选题’

1. 二极管在电路中有着广泛得应用,可用于(ABC)

A限幅电路B门电路C整流电路D滤波电路

2. 晶体管得参数变化可以通过在电路形式上进行改进而加以抑制,可采用以下哪些方法

(ABC)

A采用温度补偿得办法B采用负反馈得方法来稳定工作点C采取其她耦合方式

3. 阻容耦合电路与直接耦合电路得多级放大电路之间得主要不同点就是(AC)

A所放大得信号不同B交流通路不同C直流通路不同

4.负反馈对放大电路性能得影响有(ABCD)

A提高放大倍数得稳定性B减小非性失真及抑制干扰噪声C扩展频带D改变输入输出电阻大小

5. 电压比较器与放大电路、运算电路得主要区别就是:电压比较器电路中得集成运放工作在

(CD)

A高电平B低电平C开环状态D正反馈状态

6。稳压管正常工作得条件有(AB)

A必须工作在反向击穿状态B稳压管中得电流要在稳定电流与允许得最大电流之间。C必须工作在正向导通状态

7。多级放大电路得级间耦合可采用以下哪几种方法(ABC)

A直接耦合B阻容耦合C变压器耦合

8。阻容耦合电路(AC)

A各级Q点相互独立B Q点互相影响C各级AU互不影响 D AU互相影响

9.产生自激振荡得关键就是(CD)

A由于附加相移使反馈得极性由正变负B反馈信号足够小C由于附加相移使反馈得极性由负变正D反馈信号足够大

10。下列比较器中有两个阈值得就是(BC)

11、温度对晶体管特性得影响主要包括以下哪些(ABC)

A UBE

B 集电极、基极间得反向饱与电流ICBOC放大系数β

12、下列元、器件中有源器件就是:(DE)

A电阻器B电容器C普通二极管D电池E晶体管

13、集成运放包括以下单元电路(ABCD)

A输入级B输出级C 中间级D偏置电路E稳压电路

14、反馈通路可由下列元、器件组成:(ABCDE)

A电阻器B电容器C电感器D晶体管E集成运放

15、(AB)在uI下降到足够低与uI上升到足够高两种不同情况下得输出电平就是不同得。A简单电压比较器B滞回比较器C窗口比较器

16、放大电路必须遵循得原则(ACD)

A 必须有直流电源而且电源得极性必须与晶体管得类型相配合,以保证晶体管能正常工作。B必须有交流信号

C电阻得设置要与电源相配合,以保证晶体管工作在合适得区域(放大区)内

D保证它能产生变化得晶体管输入电流或输入电压,同时保证已放大了得信号从电路输出,得到尽量大得

△UO或△IO

17、图解法较适用于解决得问题就是(BD)

A输入输出均为小信号时电路得交流性能B输出为大信号时得幅值与波形C输入为高频信号时得情况D静态工作点得设置情况

18、对于由两个晶体管组成得复合管,以下成立得有(AB)

A总得放大倍数为两管放大倍数得乘积B复合管得类型与前面管子得类型相同C复合管得类型与后面管子得类型相同

19、反相比例电路得主要特点就是(ABC)

A共模输入电压可视为零B输出电阻小,可将RO视为零C输入电阻小

20、(AC)得输出电压随uI变化得曲线就是相同得.

21、直接耦合电路有以下几个特点:(ACD)

A低频特性好,能放大缓慢变化得信号B高频特性好C易于集成化D各级Q点互相影响E各级Q点不互相影响

22、h参数等效电路法较适于解决得问题就是(AD)

A输入输出均为小信号时电路得交流性能B输出为大信号时得幅值与形C输入为高频信号时得情况D输入为低频信号时得情况

23、反馈可有以下几种划分(ABCDE)

A直流反馈与交流反馈B正反馈与负反馈C级内反馈与级间反馈D电压反馈与电流反馈E串联反馈与并联反馈

24、比较器得特点有(ACD)

A工作在开环或正反馈状态B工作在深度负反馈状态C非线性D开关特性

25、正反馈电路产生正弦波振荡得条件就是(AB)

A放大电路得相移与反馈网络得相移之与等于2nπB放大倍数与反馈系数得乘积之模等于1 C放大倍数与反馈系数得乘积之模大于1

模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(),反偏时(),所以PN结具有()导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(),等 效成断开; 4、三极管是()控制元件,场效应管是()控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(),集电结()。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(),发射结压降()。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是()、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相 反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输 入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为 ()。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。 二、选择题(每空2分共30分) 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须()它的稳压值Uz 才有导通电流,否则处于()状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(),该管是() 型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是()、()、()。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(),此时应该()偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了()而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是()。

《模拟电子技术》试题(1)

《模拟电子技术与应用》试题(1) 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。 3.当输入信号频率为f L和f H时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ =____、静态时的电源功耗P DC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。 A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中,若u I = 20 mV,则电路的( )。

A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,R i为其输入电阻,R S为常数,为使下限频率f L降低,应( )。 A.减小C,减小Ri B.减小C,增大Ri C.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri 6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ( )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的 b1 、r be1,V2的 b2、r be2,电容C1、C2、C E在交流通路中可视为短路。 1.分别指出V1、V2的电路组态; 2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路; 3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总 一.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=时输出电压为。 B:u I1=3V,u I2=时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=,u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. - B. -5V C. - D. - 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号 源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于 电流,而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来,以便进一步降低成分。 12在三极管多级放大电路中,已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻,则总的电压增益Av=( ); Av1是( )放大器,Av2是( ) 放大器,Av3是( )放大器。 13集成运算放大器在( )状态和( )条件下,得出两个重要结论他们是:( ) 和( ) 14单相桥式整流电路中,若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。 二、选择题: 1、PN结外加正向电压时,扩散电流_______漂移电流,耗尽层_______。

模拟电子技术基础试题与答案

1、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA 变为2mA,那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降 UCEQ=6V;并在输出端加负载电阻RL,其阻值为3kΩ。 选择一个合适的答案填入空。 (1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uom ≈;【】 A.2V B.3V C.6V U =1mV时,若在不失真的条件下,减小RW, (2)当 i 则输出电压的幅值将;【】 A.减小 B.不变 C.增大 U =1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大(3)在 i 输入电压,则输出电压波形将;【】 A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波 (4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。【】 A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小 3、互补输出级采用共集形式是为了使。【】 A.电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 C.带负载能力强 4、选用差分放大电路的原因是。【】 A.克服温漂 B. 提高输入电阻 C.稳定放入倍数 5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频【】 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降。【】 A.3dB B.4dB C.5dB 6、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】 A.输入电阻增大B.输出量增大 C.净输入量增大D.净输入量减小 7、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。【】 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 8、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是。【】 A. 基准电压 B 取样电压C基准电压与取样电压之差 9、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。【】 A.共射放大电路 B. 共集放大电路C.共基放大电路 10、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的【】 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 11、在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。【】

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称 为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具称(载波信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KU X U Y ),电路符号是()。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有 导通电流,否则处于(F )状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是(B)、(D)、(E)。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(b ),此时应该( e )偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了(C)而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。A、电压B、电流C、串联

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题:(每空 1、PN 结正偏时( 2、 漂移电流是( 3、 所谓理想二极管, 等效成断开; 1 分 共 40 分) ),反偏时( )电流,它由( 就是当其正偏时, ),所以 PN 结具有( )载流子形成,其大小与( 结电阻为 ),等效成一条直线; )导电性。 )有关,而与外加电压( 当其反偏时, 结电阻为 ( )。 ), 4、 三极管是( ) 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( 6、 当温度升高时,晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是( 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用 反馈。 控制元件,场效应管是( 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= ( 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=( )、 控制元件。 ),集电结( ),发射结压降( )、( ) ) 。 )。 放大电路。 )负反馈,为了稳定交流输出电流采用( ), 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 )BW 其中 BW=( ),( AF= ( )称为反馈深度。 )。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( 极性相反的两个信号,称为( )信号。 )信号,而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( 13、 OCL 电路是( )电源互补功率放大电路; 、共集电极放大电路具有电压放大倍数( 用在输入级,输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制( )漂移,也称( 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为( 称为( )失真,而采用 OTL 电路是( ),输入电阻( ), )。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题(每空 2 分 共 30 分) )类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻( )等特点,所以常 )漂移,所以它广泛应用于( )电路中。 ),未被调制的高频信号是运载信息的工具, ), 电路符号是( )。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 值Uz 才有导通电流,否则处于( A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是( )型。 稳压时工作在 )状态。 )状态,但其两端电压必须( )它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ,则三个电极分别是( ), A 、( B 、 C 、E ) B 、( C 、B 、E ) C 、(E 、 、对功率放大器的要求主要是( )、( )、( A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 )。 E 、波形不失真 ),此时应该( E 、(PNP ) )偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了( )而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是( )。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ ()倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术基础试题与答案解析

电子电工专业试卷 说明:本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分,第Ⅰ卷XXX页,第Ⅱ卷XXX页。两卷满分为100分,考试时间120分钟。Ⅰ卷答案涂在答题卡上,Ⅱ卷答案写在试卷上。 第Ⅰ卷(选择题,共35分) 注意事项: 每小题选出答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑,如需改动,请用橡皮擦干净后,再选择其答案标号,如果答案不涂写在答题卡上,成绩无效。 一、选择题(本大题共10小题,每小题3分,共计30分。每小题只有一个正确答案。) 1、半导体二极管加正向电压时,有() A、电流大电阻小 B、电流大电阻大 C、电流小电阻小 D、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于() A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是() A、发射结正偏,集电结反偏 B、发射结正偏,集电结正偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是() A、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源V CC应当() A、短路 B、开路 C、保留不变 D、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入() A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V,(见图2所示)则此三极管为() 图2 A、PNP型锗三极管 B、NPN型锗三极管 C、PNP型硅三极管 D、NPN型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB时,说明它的电压放大倍数为() A、20倍 B、-20倍 C、-10倍 D、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( )

模拟电子技术基础试题(含答案)

(120) 1.纯净的半导体叫()。掺入3价杂质元素形成的半导体叫(),它主要靠导电()。 A.空穴B.本征半导体C.P型半导体D.自由电子 2.PN结正偏时,多子的()运动较强,PN结变薄,结电阻较()。 A.扩散B.漂移C.小D.大 3.三极管有()和()两种载流子参与导电,故称作()极型晶体管;而场效应管称作()极型晶体管。A.双极B.空穴C.单极D.自由电子 4.负反馈放大电路的含义是()。 A.输出与输入之间有信号通路 B.电路中存在反向传输的信号通路 C.除放大电路之外还有信号通路 D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5.一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB,当信号频率恰好是上限频率时,实际电压增益为()。A.43dB B.40dB C.37dB D.3dB 6.通常在下面基本组态放大电路中,输入电阻最大的是();输出电阻最小的是();高频特性最好的电路是()。 A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路 7.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是()。 A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容 8.功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使()。 A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强 9.欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入();欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入()。 A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用()滤波电路。 A.带阻B.带通C.低通D.有源 11.直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、()、稳压。 A.比较B.滤波C.调整 (210) 1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。() 2.电路只要满足,就一定会产生正弦波振荡。() 3.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。() 4.若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。() 5.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率。() 1.设图3-1中二极管、为理想二极管,判断它们是导通还是截止?输出电压= ?(4分)

模拟电子技术基础试题及答案

自测题分析与解答 一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (6)由于放大的对象象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都豪无变化;( ) (7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大,电压电流其中一个或两个都放大都可称放大,但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的,而不是直接提供。 (4)×。. (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。 二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。, 【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法 来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型,即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道,P沟道的场效应管,必须在UGs<0的情况下才有导电沟道,在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流,它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点,而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管,由于宦容易积累电荷形成高电压,以致造成击穿现象,所以不能 用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管,则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极,但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。 自测题分析与解答 一、判断下列说法是否正确,用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。( ) G S (6)若耗尽型N沟道MOS管的 u大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) G S 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子,当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。,. (2)×。N型半导体内的多子,电子在没有受到激发的状态下,不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区,空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用,所以在没有外加能量的作用下,结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下,基区的非平衡少子,在外电场作用下越过集电极到达 集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时,耗尽层加宽,沟道变窄,沟道电阻增大。当沟道消失时,RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时,在Si02中渗人大量正离子,在正离子的作用下,P型衬 底表层形成反型层,因为反型层的存在,所以输入电阻不会明显变小。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1 u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100 V ,u I 2 =80V 则差模输入电压u Id =20V ;共模输入电压u Ic = 90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时, 可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固 定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 型锗管 型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的1 = 30,V 2的2 = 50,则复合后的约为( A )。 A .1500 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

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模拟电子技术试题二 一、判断下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判断结果。 (20分) (1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 ( ) (2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。 ( ) (3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。 ( ) (4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 ( ) (5)利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 ( ) (6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 ( ) (7)未加外部电压时,PN 结中电流从P 区流向N 区。 ( ) (8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 ( ) (9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。 ( ) (10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 ( ) 二、选择填空 (20分) (1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入 。 (A )电流负反馈(B )电压负反馈(C )直流负反馈(D )交流负反馈 (2)RC 串并联网络在RC f f π21 0==时呈 。 (A )感性 (B )阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。 (A )共基接法(B )共集接法(C )共射接法(D )差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。 (A )β (B )β2 (C )2β (D )1+β (5)在(A )、(B )、(C )三种电路中输出电阻最小的电路是 ; 既能放大电流,又能放大电压的电路是 。 (A )共基放大电路 (B )共集放大电路 (C )共射放大电路 (6)当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E 。 (A ) > (B ) < (C ) = (D )≤ (7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 (A ) 大 (B ) 小 (C ) 相等

模拟电子技术基础典型习题解答

半导体器件的基础知识 电路如图所示,已知u i=5sinωt(V),二极管导通电压U D=。试画出u i与u O的波形,并标出幅值。 图解图 解:波形如解图所示。 电路如图(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D =。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图 解:u O的波形如解图所示。

解图 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图所示电路中电阻R 的取值范围。 图 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么 图 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故

V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 电路如图(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。 图 解图 解:波形如解图所示 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

模拟电子技术试卷一及答案

中 南 大 学 模拟电子技术试卷(第1套) 一、一、填空题(20分,每空1分) 1.双极型三极管是 控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加 偏置,集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2. 在有源滤波器中,运算放大器工作在 区;在滞回比较器中,运算放大器工作在 区。 3. 在三极管多级放大电路中,已知A u1=20,A u2=-10,A u3=1,则可知其接法分别为:A u1是 放大器,A u2是 放大器,A u3是 放大器。 4. 在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响,对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR = 。 5. 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200 f j A += ,则此滤波器为 滤波器,其通带放大倍数为 ,截止频率为 。 6. 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态;其静态损耗为 ;电路的最大输出功率为 ;每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题:(每题5分,共25分) 1.如图所示电路中D 为理想元件,已知u i = 5sin ωt V ,试对应u i 画出u o 的波形图。

2.测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放 大)。 3. 已知BJT 管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流,说明管子的类型(NPN 或PNP )并在圆圈中画出管子。 4.如图所示电路中,反馈元件R 7构成级间负反馈,其组态为 ; 其作用是使输入电阻 、放大电路的通频带变 。 三、如图所示电路中,β=100,Ω='100b b r ,试计算:(15分) 1.放大电路的静态工作点;(6分) 2.画出放大电路的微变等效电路;(3分) 3.求电压放大倍数A u 、输入电阻R i 和输出电阻R o ;(6分)

完整版模拟电子技术基础习题全解

《模拟电子技术》考试题型 一、判断/思考题 二、填空/改错题 三、分析与选择题 四、计算题 五、设计题 模拟电子技术习题(部分) 一、填空题 1)根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为(绝缘体)、(导体)和(半导体)三类。 2)P型半导体的多数载流子是(空穴),少数载流子是(电子);N型半导体的多数载流子是(电子),少数载流子是(空穴)。 3)PN结具有(单向导电性)性能,即加正向电压时PN结导通,加反向电压时的PN结截止。 4)硅二极管导通时的正向压降约( 0.7 )V,锗二极管导通时的正向压降约( 0.2 )V。

5)交流电流可以无失真地通过二极管. (错) 6)晶体三极管有两个PN结,即()结和()结;有三 个点极,即()极、()极、()极,分别用字母()、()、()表示。 7)晶体三极管的输出特性可分为三个区域,即()区、 ()区、()区。 8)放大电路按三极管的连接方式可分为()、()、()。 9)在放大状态下的NPN型三极管,必定Vc()VB,Ve()VB. 在饱和状态下的PNP型三极管,必定Vc()VB,Ve()VB. 10)三极管的共射直流电流放大系数βo的定义是(). 共射交流电流放大系数β的定义是(). 11)三极管的交流输入电阻RBe与管子的电流放大系数β无关(),与集电极电流Ic有关()。 12)为防止失真,放大器发射结电压直流分量U应比输入信号峰值(),并且要大于发射结的BEO()。 13)负反馈可分为有(),(),()和()等四种基本形式。 14)功率放大器一般按工作状态可分为()放大、()放大和()放大三类。 15)单级共射放大器的输出电阻与负载电阻有关(),与三极管 的集电极电流Ic无关()。

最新模拟电路试卷及答案(十套)

模拟综合试卷一一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。 5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。 6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。 7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2 ,则输出电压为 V; 若u i1=1500μV, u i2 =500μV,则差模输入电压u id 为μV,共模输入信号u ic 为μV。 8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。 10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。频带最宽的是组态。 二.选择题 1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情况为()。 A.β增加,I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小 C.β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是() A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。

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