常用电子元器件芯片资料-常见变容2极管参数

常见变容二极管参数表

型号电容量(工作电压)电容比率电容比率工作频率

S-153**(9V)

16P(2V)7>600MHz

S-135**

15P7>800MHz

1S-553T **

14P4>800MHz

KV-131043P(8V)93P(2V)**

>100MHz

KV-123630P(8V)540P(1V)20AM

1S14930P540P18AM

1SV-14930P540P18AM AM-10930P(9V)460P(1V)15AM MV-20911P(9V)33P3UHF MV-220916P550P>2.090MHz BB-11217P12P(3V)18AM

S208**(9V)

17P(4V)>4.5>900MHz

MV21056P(9V)22P(4V)**

UHF

MV21077P(10V)7P **

UHF

SD-116**

30P

**

>900MHz

1SV-10113P15P(2V)**

100MHz

2CC-32**(25V)

25P(3V)

**

>800MHz

2AC12P(25V)27P(3V)

2CC1**(25V)

20P(3V)50MHz

2CB143P(25V)18-30P(3V)5-750MHz 303B3-5P(25V)18P(3V)>6

DB300**(25V)

18P(3V)50MHz

BB11210P(25V)180P(3V)

目前主流Intel主板芯片组介绍

买电脑，要能省则省，根据每个人的使用需求不同，就需要选购不同的电脑。这个时候，选择一款合适的主板就很重要，而主板上，主板芯片组就是一个很核心的部件，它影响着主板的性能，平台的定位和主板的性能一定要符合，才能够选择到极具性价比的电脑。这就是今天要说的问题，向大家介绍目前市面主流的Intel主板芯片组，希望大家能够从规格上了解到各款主板的区别，在选购主板的时候做到心中有底。 G31： 目前在Intel平台低端市场，G31芯片组主板可以说是独占鳌头，与它同为“3”系列整合主板的G33和G35芯片组主板都因各自的一些原因都非常少见，而nVIDIA出品的MCP73整合主板又因为不支持双通道等硬伤而性能短缺，现在市场上Intel低端平台，首选就是G31主板。 G31芯片组可以支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并支持双通道DDR2内存，并可以支持800MHz的内存频率。在显示性能方面，G31芯片组整合了Intel GMA 3100显示核心，可以应付大多数的日常使用需求，并且支持Display Port、DVI等视频输出接口。南桥方面，G31芯片组搭配的是ICH7南桥芯片，ICH7南桥提供了4个SATA接口、6个USB接口以及4条PCI-E通道。虽然ICH7南桥提供的接口方面不太丰富，不过考虑到G31芯片组的市场定位，这样的配置对于入门平台来说，还是足够使用的。 G41： Intel G41芯片组是一款新的入门级整合芯片组，于2008年第四季度发布。在市场定位上，G41芯片组和G31相同，最终的目的，是让G41芯片组主板取代G31芯片组主板，成为Intel平台入门级平台的首选主板。G41芯片组主板在性能上较G31芯片组主板更加强大，支持DX 10特效，并且在高清硬解方面，也支持部分格式的高清片源硬解。不过，目前G41芯片组主板的价格还是要比G31芯片组主板贵一些，可以根据使用需要进行选购。 虽然在Intel的G41芯片组系统图表上，G41芯片组使用的是ICH10(R)南桥芯片，不过在实际中，为了节约成本，降低售价，南桥芯片使用的依然是和G31芯片组相同的ICH7南桥芯片，不过，即便如此，ICH7还是能够满足用户的一般使用需求的，对这方面，不用太过在意。 G41芯片组支持Intel LGA 775封装的系列处理器，并可以支持DDR2和DDR3双通道内存，并支持PCI-E 1.1规范，提供了一条PCI-E 1.1 16X插槽，在集成显示核心方面，G41主板集成了Intel GMA X4500显示核心，该显示核心支持DX 10，并且可以支持部分格式的高清硬解。并且，G41芯片组主板可以支持DVI和Display Port视频输出。 G43： G43和G45这两款整合主板芯片组于2008年6月发布，同时发布的还有P45和P43两款非整合主板芯片组，从那时候起，Intel “4”系列的芯片组主板就开始发售，G43和G45两款芯片组是相对定位中高端的两款整合芯片组。 G43芯片组的北桥芯片方面，规格与G41芯片组有一些提升，虽然同是集成Intel GMA X4500显示核心，不过在视频输出方面，G43芯片组提供了G41所没有HDMI接口，并且，还支持PCI-E 2.0规范。南桥方面，ICH10(R)系列南桥芯片也更加的强大，不仅提供了更多的USB、SATA接口，还可以支持eSATA，并且ICH10R芯片还支持硬盘RAID 模式，并且该系列南桥提供了6条PCI-E通道，可以支持千兆网卡等等。 G45： G45芯片组是Intel系列整合芯片组中定位比较高端的，它是Intel系列整合芯片组中唯一可以实现全高清硬解的芯片组，目前在市场上，也有一些499元的G45主板出售，价格方面还是比较亲民的。 G45芯片组集成的是Intel GMA X4500HD显示核心，该显示核心要比G41和G43芯片组集成的显示核心多出“HD”字样，也就是可以实现全高清硬解。除此之外，北桥和南桥芯片其他规格和G43芯片组相同，不过在实际测试中，G45芯片组的3D性能要较G43高一些，G43又要较G41高一些，差别也不是太大。 P31： P31芯片组是作为一款入门级的非整合主板芯片组推出的，不过经过市场的洗牌，现在P31芯片组的主板已经很少能够看到了，市场上仅剩的一些P31主板，甚至在价格上比G31主板还贵，所以，使用这款芯片组的主板并不推荐选购。 P31芯片组同时搭配的是ICH7南桥，在规格放面，和G31主板基本相同，不过要比G31主板少了集成的核心，在这一点上，P31芯片组和G31芯片组各有各的优势，毕竟整合了显示核心的芯片肯定会带来更高的发热，这对于主板的稳定性会有一定的影响。 P35： 在2008年6月前，Intel的“4”系列芯片组主板还未推出的时候，P35主板就是Intel市场上的明星主板，虽然并不是“3”系列芯片组主板中规格最高的，但是，却是性能与价格最均衡的主板。不过，从有了P45芯片组主板后，拥有更强的规格的P45芯片组主板开始吸引更多用户的注意，P35芯片组主板的市场占有率就开始走了下坡路。到了现在，P35芯片组主板已经很少，同时，不少厂商为了清理最后的库存，不少P35主板都以一个很优惠的价格出售，相比同价位的P45芯片组主板，这些P35主板都有更好的用料和做工，而在超频性能方面，又要比P43更好，所以也还是有

常用三极管型号及参数

常用三极管型号及参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W **NMO场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W ** NMO场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W ** NMO场效应 IRFP9240 200V 12A 150W ** PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W **PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W ** NMO场效应 IRFP450 500V 14A 180W **NMO场效应IRFP440 500V 8A 150W **NMO场效应IRFP353 350V 14A 180W **NMO场效应IRFP350 400V 16A 180W **NMO场效应IRFP340 400V 10A 150W **NMO场效应IRFP250 200V 33A 180W **NMO场效应IRFP240 200V 19A 150W **NMO场效应IRFP150 100V 40A 180W **NMO场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W **NMO场效应IRFP054 60V 65A 180W **NMO场效应IRFI744 400V 4A 32W **NMO场效应IRFI730 400V 4A 32W **NMO场效应IRFD9120 100V 1A 1W **NMO场效应IRFD123 80V 1.1A 1W **NMO场效应IRFD120 100V 1.3A 1W **NMO场效应IRFD113 60V 0.8A 1W **NMO场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W **NMO场效应

常有三极管参数

一、元件参数手册 https://www.sodocs.net/doc/1318502339.html,可以下载 二、常用高频三极管型号与参数 常用高频发射三极管型号及参数 型号功率增益电压频率工作状态封装123脚 2N3375 10W 5dB 28V 400MHz FM/AM/SSB TO-60 2N3553 2,5W 10dB 28V 175MHz FM/AM TO-39 C B E 2N3632 20W 7dB 28V 175MHz FM TO-60 2N3866 5W 10dB 28V 400MHz WINTransceiver TO-39 C B E 2N3924 4W 6dB 13,6V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N4427 2W 10dB 12V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5108 1W 5dB 24V 1200MHz WINTransceiver TO-39 2N5109 3,5W 11dB 15V 200MHz WINTransceiver TO-39 2N5421 3W 9dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5913 2W 7dB 12,5V 175MHz WINTransceiver TO-39 2N5943 1W 8dB 15V 400MHz FM TO-39 2SC730 0,8W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E 2SC1096 10W 60MHz FM TO-220 2SC1173 10W 100MHz FM/AM/SSB TO-220 2SC1306 16W 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E 2SC1307 16W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E 2SC1590 5W 10dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C 2SC1591 14W 7,5dB 12,5V 136-174MHz FM TO-220 B E C 2SC1678 5W 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E 2SC1728 8W 80MHz WINTransceiver TO-202 E B C 2SC1729 14W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E 2SC1909 10W 14,5dB 13,5V 50MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E 2SC1944 13W 11,1dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-220 B C E 2SC1945 16W 14,5dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B E C 2SC1946 25W 6,7dB 13,5V 175MHz FM T-31E 2SC1946A 30W 10dB 13,5V 175MHz FM T-31E 2SC1947 3W 10dB 13,5V 175MHz FM TO-39 C B E 2SC1957 1,8W 17dB 12V 30MHz WINTransceiver TO-126 E C B 2SC1966 3W 7,8dB 13,5V 470MHz FM T-31E 2SC1967 7W 6,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E 2SC1968 14W 3,7dB 13,5V 470MHz FM T-31E 2SC1968A 14W 5,4dB 13,5V 470MHz FM T-31E 2SC1969 18W 12dB 12V 30MHz FM/AM/SSB TO-220 B C E 2SC1970 1,5W 10dB 13,5V 175MHz WINTransceiver TO-220 B E C

Intel 5 系列芯片组简介

【Intel 5系列芯片组】 随着英特尔基于Lynnfield（林恩菲尔德）和Clarkdale（克拉克代尔）核心的处理器（Core i7/i5/i3）发布，配套的主板芯片也浮出水面，除商业平台的 B55和Q57外，在消费级平台上，一共有四款芯片可供选择，即P55、P57、H55和H57。 【这是2009年Intel 5系列的发布图，高端的X48、X58，主流的P、H系列】 【3芯片转变为2芯片：新的Nehalem（尼黑勒姆）架构处理器采用二芯片解决方案】 由于在Lynnfield和Clarkdale的CPU中整合了PCIE 2.0控制单元（Bloomfield无），并且Clarkdale也会整合GFX图形单元，它们的整合度比Bloomfield更高，相当于将原来北桥（GMCH，图形/存储器控制器中心，俗称为“北桥”）的大部分功能转移到了CPU中，因此英特尔抛弃了过去的三芯片结构（CPU + GMCH + ICH），开始采用新的双芯片结构（CPU + PCH，PCH为Platform Controller Hub，原研发代号为Ibex Peak）。

新的PCH芯片除了包含有原来南桥（ICH）的IO功能外，以前北桥中的Display单元、ME（Management Engine，管理引擎）单元也集成到了PCH中，另外NVM控制单元（NVRAM控制单元，Braidwood技术）和Clock Buffers也整合进去了，也就是说，PCH并不等于以前的南桥，它比以前南桥的功能要复杂得多。 CPU与PCH间会采用传统的DMI （Direct Media Interface）总线进行通信。在三芯片时代，南北桥间就是依靠DMI总线作数据交换的，但是X58芯片（北桥）与Core i7处理器间用的是QPI （Quick Path Interconnect）总线连接。DMI总线的带宽仅有2GB/s，QPI最高带宽可达到25.6GB/s，两者显然不是一个数量级的，因此有些读者可能觉得新的双芯片间数据通信会遭遇瓶颈，实际上这种担心是多余的。 以上面这个架构图来看，在CPU内部，可以分为CPU核心（绿色虚线框）和GPU核心（红色虚线框）两块，在GPU核心这一块，包含有GPU控制器、内存控制器和PCIE控制器等几部分，相当于原来意义上的北桥，CPU与GPU这两个核心间是通过QPI总线来通信的。再看蓝色虚线框内的PCH芯片，主要是一些功能性的单元，比原来的南桥功能更丰富，但它与CPU间同样不需要交换太多数据，因此连接总线采用DMI已足够了。新的Nehalem平台采用了双芯片结构，但逻辑结构上和以前三芯片是一样的。

常用变容二极管

常用变容二极管 变容二极管（Varactors ），又称为电压调谐电容（Voltage variable Capactors ，VVC ）或调谐二极管（Tuning Diodes ），当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量，随反向偏压增大而减小。变容二极管优点主要表现在：（1）体型小巧易于安装；（2）易于实现自动电子调谐（Auto Electronic Tuning ），方便遥控的电子调谐器的设计。如今的电视系统或通信系统中的频道选择及呼叫等电路，基本上都由变容二极管完成。 1、 变容二极管工作原理 变容二极管的等效电路如图1（a ）所示。 图1 （a ）变容二极管的等效电路 （b ）变容二极管的简化等效电路 其中，R p ——反向偏压的结电阻（Junction Resistance ）； 's L ——外部引线电感； s L ——内部引线电感； c C ——封装电容； s R ——二极管体电阻； j C ——结电容。 通常，等效电路中的电感与封装电容等都可略去不计，简化后的等效电路如图1（b ）所示。一般地，变容二极管与外加电压的关系可表示为 (1) j j D C C v V γ = - (1) j C 为变容二极管的结电容，0j C 为变容管加零偏压时的结电容；V D 为变容管PN 结内建 电位差（硅管V D =0.7V ，锗管V D =0.3V ）；γ为变容二极管的电容变化指数，与频偏的大小有关；v 为变容管两端所加的反向电压。在小频偏情况下，选γ=1的变容二极管可近似实现线性调频；在大频偏情况下，必须选γ=2的超突变结变容二极管，才能实现较好的线性调频。 变容二极管的j C v - 特性曲线如图2所示。当加入的反向电压为 cos Q Q m v V v V V t ΩΩ=+=+Ω时，设电路工作在线性调制状态，在静态工作点Q 处，可得曲线的斜率为/c k C V =??。

全系列常用三极管型号参数资料(精)

全系列常用三极管型号参数资料 编者按：这些虽不能涵盖所有的三极管型号，例如3DD系列等，但是都是极其常用的型号，例如901系列，简直是无所不在。在网上查的电子元件手册都是卖书的广告，找到点参数型号确实不易。 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013

主板芯片组详解

[转帖]主板芯片组详解 Intel 845E Intel 845E是为了533MHz外频Pentium 4推出的DDR芯片组，它正式支持533MHz的系统前端总线，支持DDR266的内存规范，由于i845PE的推出，其价格势必降低，也是其成为一款高性价比的主流芯片组，很适合对性能要求较高和资金又不很充裕的用户购买，其支持533MHz的系统前端总线，在升级上也有较大的空间。 i845E芯片组由北桥芯片82845E GMCH和南桥芯片ICH4组成，继续使用i845的架构，南桥采用了ICH4芯片，支持增强型的六声道 AC97音效控制器和USB 2.0的通用串行总线传输规范。 技术规范 支持 Intel Pentium4 处理器 提供 400/533MHz 系统前端总线 支持 AGP 2X/4X 支持最多 2.0GB DDR200/266 SDRAM 南北桥芯片之间采用Intel Hub Architecture总线连接，提供高达266MB/s 数据传输宽带 支持网络唤醒功能 内建 AC-97控制芯片 内建 10/100M以太网络适配器 支持 ATA 33/66/100/磁盘传输界面 支持 6个USB 2.0接口 支持高级电源管理功

Intel 845D i845D是第一代的基于Pentium 4处理器的DDR整合型芯片组，由于i845使用SDRAM的效能实在无法满足Pentium 4处理器的需求，使得Pentium 4处理器在家用主流系统的性能表现平平，但i850芯片组的价格有过高，在这样的情形下，intel只好回到DDR SDRAM的的怀抱，i845D就是Intel在i845芯片组的基础上改进其内存管理器，使其支持DDR200/266的SDRAM，在DDR内存的帮助下，Pentium 4的性能得到了长足的提高，其合理的价格也使得Pentium 4处理器迅速的流行起来。但Intel官方并没有用i845D为其命名，而是用其代替了原来的i845，由于其推出的时间较长，其价格已经大幅降低，其性能表现仍然不差，搭配400外频的Pentium 4十分理想，是一个高性价比的组合，配合一款600元左右的Gefcrce 3 Ti显卡，满全可以满足大部分个人用户和游戏爱好者的需求。 i845D芯片组由北桥芯片82845 MCH和南桥芯片ICH2组成，作为第一款P4平台的DDR芯片组，其同时兼容DDRAM和SDRAM内存，而且南桥芯片ICH2整合了10/100M自适应以太网络控制器、6声道AC97音效控制器以及USB 1.1的支持，其外设的扩展能力还是十分强大的。 技术规范 支持 Intel Pentium4 处理器 提供 400系统前端总线 支持最多 2.0GB DDR200/266/PC133 SDRAM 南北桥芯片之间采用Intel Hub Architecture总线连接，提供高达266MB/s 数据传输宽带 支持网络唤醒功能 内建 AC-97控制芯片

常用晶体三极管参数

常用晶体三极管参数 2008-05-12 11:12 常用晶体三极管参数 名称封装极性耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频 300V 0.5A 0.625W MPSA42

Intel 7系芯片组详尽说明

Intel 7系芯片组详尽、权威规格对比 由于型号达到了九款之多，包括桌面四款Z77、H777、Z75、B75，笔记本五款HM77、HM76、HM75、HM70、UM77相互之间的规格差异显得相当繁琐，因此我们特意搜集整理了来自Intel官方的一些技术资料，对这九款芯片组的异同做一个归纳总结。Intel 7系列芯片组采用65nm工艺制造，FCBGA封装，其中桌面版尺寸27×27毫米，焊球数量942个，球间距0.7毫米，热设计功耗6.7W，移动版尺寸25×25毫米，焊球数量989个，球间距0.6毫米，热设计功耗4.1W、待机3.7W，只有面向超极本的UM77为3.0W。 价格方面和之前披露的相同，桌面版四款依次为48美元、43美元、40美元、37美元，移动版中只公开了HM77、HM76分别为48美元、43美元，其它不详。 Intel 7系列桌面芯片组规格对比

Intel 7系列笔记本芯片组规格对比 解析—— PCI-E 2.0端口：除了HM70、UM77都是四个之外，其它均为八个，都能拆分成x1、x2或者x4。 PCI总线：只有B75保留了原生支持，其它全部砍掉，相应主板只能借助第三方桥接芯片支持。 USB 3.0/2.0接口：Z77、H77、Z75、HM77都是完整的4/10个，B75、HM76减少到4/8个，UM77是4/6个，HM70只剩下2/6个，HM75则是0/12个(即不支持USB 3.0)。 SATA 6Gbps/3Gbps接口：Z77、H77、Z75、HM77、HM76、HM75都是完整的2/4个，B75改为1/5个，HM70、UM70则是1/3个。 整合图形核心：全部支持，P67之类的悲剧不会重演。 视频输出：除了UM77不支持VGA/LVDS之外(超极本放不下这个)，其它都是所有规格都支持，包括 VGA/DVI/HDMI/DisplayPort/eDP。 WiDi 3.0无线显示技术：笔记本型号全都有，但需要配合相应模块才行。 AHCI：全部支持。 RAID 0/1/5/10磁盘阵列：Z77、H77、Z75、HM77、UM77支持。 SRT固态硬盘加速技术：Z77、H77、HM77、UM77支持。 ATT防盗技术：全部支持。 AMT 8.0主动管理技术：全部不支持。 SBA小型商业优势技术：B75、HM77、UM77支持。 RST快速启动技术：全部支持，但需要搭配特定的Ivy Bridge处理器。 ACPI S1睡眠状态：全部支持。 HD Audio高保真音频：全部支持。 千兆以太网MAC：全部支持。

常见二极管参数大全

1N系列稳压管

快恢复整流二极管

常用整流二极管型号和参数 05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 1N4001硅整流二极管 50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A) 1N4002硅整流二极管 100V, 1A, 1N4003硅整流二极管 200V, 1A, 1N4004硅整流二极管 400V, 1A, 1N4005硅整流二极管 600V, 1A, 1N4006硅整流二极管 800V, 1A, 1N4007硅整流二极管 1000V, 1A, 1N4148二极管 75V, 4PF,Ir=25nA,Vf=1V, 1N5391硅整流二极管 50V, 1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A) 1N5392硅整流二极管 100V,1.5A, 1N5393硅整流二极管 200V,1.5A, 1N5394硅整流二极管 300V,1.5A, 1N5395硅整流二极管 400V,1.5A, 1N5396硅整流二极管 500V,1.5A, 1N5397硅整流二极管 600V,1.5A, 1N5398硅整流二极管 800V,1.5A, 1N5399硅整流二极管 1000V,1.5A, 1N5400硅整流二极管 50V, 3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A) 1N5401硅整流二极管 100V,3A, 1N5402硅整流二极管 200V,3A, 1N5403硅整流二极管 300V,3A, 1N5404硅整流二极管 400V,3A,

常用三极管参数大全

型号耐压(V)电流(A)功率(W) 型号耐压(V)电流(A)功率(W) B857 70V4A40W BU2508A 1500V8A125W BU2508AF1500V8A45W BU2508DF1500V8A45W BU2520AF1500V10A45W BU2520AX1500V10A45W BU2520D F 1500V10A45W BU2520DX1500V10A45W BU2522AF1500V10A45W BU2522AX1500V10A45W BU2522D F 1500V10A45W BU2522DX1500V10A45W BU2525AF1500V12A45W BU2525AX1500V12A45W BU2527AF1500V12A45W BU2527AX1500V12A45W BU2532AL1500V15A150W BU2532AW1500V16A125W BU2725D X 1700V12A45W BU406 400V5A60W BU4522AF1500V10A45W BU4522AX1500V10A45W BU4523AF1500V11A45W BU4523AX1500V11A45W BU4525AF1500V12A45W BU4525DF1500V12A45W BU4530AL1500V16A125W BU4530AW1500V16A125W BUH1015 1500V14A70W BUH315D 1500V6A44W BUT11A 1000V5A100W C3039 500V7A50W C3886A 1500V8A50W C3996 1500V15A180W C3997 1500V20A250W C3998 1500V25A250W c4242 450V7A40W C4288A 1600V12A200W C4532 1700V10A200W C4634 1500V0.01A2W C4686A 1500V50mA10W C4762 1500V7A50W C4769 1500V7A60W C4891 1500V15A75W C4897 1500V20A150W C4924 1500V10A70W C5027 1100V 50W C5039 800V5A30W C5045 1600V15A75W C5047 1600V25A25W C5048 1500V12A50W C5086 1500V10A50W C5088 1500V8A60W C5129 1500V10A50W C5142 1500V20A200W C5144 1700V20A200W C5148 1500V8A50W C5149 1500V8A50W C5243 1700V15A200W C5243 1700V15A200W C5244 1500V20A200W C5244A 1600V20A200W C5250 1500V8A50W C5251 1500V12A50W C5252 1500V15A50W C5294 1500V20A120W C5296 1500V8A60W C5297 1500V8A60W C5301 1500V20A120W C5302 1500V15A75W C5331 1500V15A180W C5386 1500V7A50W 三极管参数大全1

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200～1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02～13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02～13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02～13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02～13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02～13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs （1）快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号 二极管（国标） 2．半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1～2AP7，2AP11～2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4000系列。 无标记的二极管，则可用万用表电阻挡来判别正、负极，万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小，反向电阻大的特点，将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡，因为R×1挡使用的电流太大，容易烧坏管子，而R×10k挡使用的电压太高，可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接，测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理，在所测得较大阻值的一次，与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小，说明管子内部短路；若正、反向电阻均很大，则说明管子内部开路。在这两种情况下，管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300～500?，硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高，不能承受较高的电压和通过较大的电流，多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大，但适用的频率较低，多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时，既要考虑正向电压，也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时，要求工作频率高，正向电阻小，以保证较高的工作效率，特性曲线要好，避免引起过大的失真。

常用贴片三极管主要参数及丝印

常用贴片三极管主要参数(SOT-23) 序号型号 TYPE 极性 POLA RITY P D (mW) I C (mA) BV CBO (V) BV CEO (V) h FE V CE(sat)I C/I B f TYPE (MHZ) 打标 Marking Min/Max I C mA V CE Volts Max Volts mA 1S9012PNP3005004025120/3505010.6500501502T1 2S9013NPN3005004025120/3505010.650050150J3 3S9014NPN2001005045200/1000150.31005150J6 4S9015PNP2001005045200/1000150.310010150M6 5S9018NPN20050251870/190 1.O50.51001600J8 6S8050NPN3005004025120/3505010.650050150J3Y 7S8550PNP3005004025120/3505010.6500501502TY 8SS8050NPN1001500402585/30010010.58008080Y1 9SS8550PNP1001500402585/30010010.58008080Y2 10C1815NPN20015060500130/400260.251001080HF 11A1015PNP2001505050130/400260.31001080BA 12C945NPN2001506050130/400160.310010150CR 13A733PNP2001506050120/475160.31001050CS 142SC1623NPN200100605090/600160.310010250L4、L5、L6、L7 15M28S NPN20010004020300/1000010010.556002010028S 16M8050NPN2001000402580/30010010.580080150Y11 17M8550PNP2001000402585/30010010.580080150Y21 18MMBT5551NPN30060018016080/25010 5.O0.550 5.O80G1 19MMBT5401PNP300600160150100/20010 5.O0.5500.51002L 20MMBTA42NPN300300300300100/20010100.2202501D 21MMBTA92NPN300300300300100/20010100.2202502D 222SC2412NPN2001506050120/560160.4505180BQ、BR、BS 232SC3356NPN300100201250/30020100.51057000R23、R24、R25 242SC3837NPN30050301856/39010100.52041500CN、CP、CQ、CR 252SC3838NPN30050201156/3905100.51053200AN、AP、AQ、AR 26BC807-16PNP2255005045100/25010010.7500502005A 27BC807-25PNP2255005045160/40010010.7500502005B 28BC807-40PNP2255005045250/60010010.7500502005C 29BC817-16NPN2255005045100/25010010.7500502006A 30BC817-25NPN2255005045160/40010010.7500502006B 31BC817-40NPN2255005045250/60010010.7500502006C 32BC846A NPN2251008065110/220250.610051001A 33BC846B NPN2251008065200/450250.610051001B 34BC847A NPN2251005045110/220250.610051001E 35BC847B NPN2251005045200/450250.610051001F 36BC847C NPN2251005045420/800250.610051001G 37BC848A NPN2251003030110/220250.610051001J 38BC848B NPN2251003030200/450250.610051001K 39BC848C NPN2251003030450/800250.610051001L 40BC858A PNP2251008065125/250250.6510051003A 41BC858B PNP2251008065220/475250.6510051003B 42BC857A PNP2251005045125/250250.6510051003E 43BC857B PNP2251005045220/475250.6510051003F 44BC875C PNP2251005045420/800250.6510051003G

常见大中功率管三极管参数(精)

常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN