wifi模块开发 芯片选型对比

Wifi模块开发调研

本文对几款主流的wifi芯片进行对比，包括TI公司的cc3200，乐鑫的esp8266，联发科的mt7681。通过了解它们的特点和开发环境等方面的需求，选取适用于自己使用的芯片来进行物联网wifi模块的开发。

1CC3200

1.1芯片简介

CC3200是TI无线连接SimpleLink Wi-Fi和物联网（IoT）解决方案最新推出的一款Wi-Fi MCU，是业界第一个具有内置Wi-Fi的MCU，是针对物联网应用、集成高性能ARM Cortex-M4的无线MCU。客户能够使用单个集成电路开发整个应用，借助片上Wi-Fi、互联网和强大的安全协议，无需Wi-Fi经验即可实现快速的开发。CC3200是一个完整平台解决方案，其中包括软件、示例应用、工具、用户和编程指南、参考设计以及TI E2E支持社区。CC3200采用易于布局的四方扁平无引线（QFN）封装。

有人科技的USR-C322模块采用的是TI的CC3200方案，基于ARM Cortex-M4内核，运行频率高达80MHz；超低功耗：低功耗，在网待机低至3.5mA，深度休眠最低25uA；Simplelink 功能：实现一键联入Wi-Fi网络；另外支持自定义网页、websocket、httpd client等功能。

1.2特点

Wi-Fi网络处理器（CC3200）包含一个Wi-Fi片上互联网和一个可完全免除应用MCU处理负担的专用ARM MCU。Wi-Fi片上互联网包含802.11b/g/n射频、基带和具有强大加密引擎的MAC，可以实现支持256位加密的快速安全的互联网连接。Wi-Fi片上互联网还包括嵌入式TCP/IP和TLS/SSL协议栈、HTTP服务器和多种互联网协议。CC3200支持站点、接入点和Wi-Fi直连3种模式，支持WPA2个人和企业安全性以及WPS2。

1.3开发支持

官方提供的SDK包含用于CC3200可编程MCU的驱动程序、40个以上的示例应用以及使用该解决方案所需的文档。它还包含闪存编程器，这是一款命令行工具，用于闪存软件并配置网络和软件参数（SSID、接入点通道、网络配置文件等）、系统文件和用户文件（证书、网页等）。

SDK中所有的应用例程均支持CCS开发环境、并且都是不带操作系统的。当然，也有一些例程基于实时操作系统FreeRTOS和TI RTOS，也有一部分支持IAR、GCC开发环境。因此，此款芯片可以在TI的CCS集成开发环境下开发，可以不涉及操作系统，使开发更简单。

2ESP8266

2.1芯片简介

从图中可以看出,芯片内部集成CPU，是32位的处理器，既作为wifi协议处理器，也作为应用处理器，主频支持80MHz和160MHz两种频率，开发者可以编写应用程序下载到芯片，处理器可以运行开发者编写的应用程序，应用程序是使用官方提供的ESP FLASH DOWNLOAD TOOL工具通过UART0烧写到芯片外接的SPI Flash；有一块SRAM，除开运行自带的程序剩余了50k给开发者；带有SDIO接口、SPI接口、GPIO接口、I2C接口，GPIO口有PWM的复用功能，实际还有两个UART口，结构图中没有给出，UART0支持流控，UART1只有TX功能；芯片内部没有集成Flash，需要外接SPI Flash，当前支持512KB，1024KB，2048KB，4096KB四种大小。

2.2SmartConfig功能

手机上运行ESP-TOUCH软件可以配置ESP8266连接到手机当前连接的路由器，过程是手机先给路由器发送信息包，然后路由器广播这些信息包，ESP8266再从这些信息包提取路由器SSID和Password，从启动配置到ESP8266连接到路由器所花时间在10S以下。

2.3开发环境

乐鑫官方暂时没有像Keil、IAR一样的集成开发环境，不像开发STM32之类的单片机，可以在线调试，它的开发方式和在Linux系统上开发应用程序相似，官方提供了SDK，开发者使用文档编辑器编写程序，如source insight，程序编写好后和SDK一起使用官方提供的编译器编译，编译通过后会生成bin文件，使用官方提供的Flash烧写工具将bin烧写到芯片外接的Flash，芯片启动后则会运行应用程序。

官方提供的编译器需要在Linux系统下运行，如果是Windows系统，需要安装虚拟机，官方提供的方式是在Windows下安装Oracle VM VirtualBox，是免费的虚拟机软件，无需破解。

2.4程序开发

官方提供了底层SDK，无需开发者操作寄存器，所有的功能都有相关的函数，官方提供了两个版本的SDK，一是非操作系统的ESP8266NONOS SDK，二是基于FreeRTOS操作系统的ESP8266RTOS SDK；ESP8266NONOS SDK是官方最先推出的，功能比较全，由于SDK中需要运行自带的应用程序，开发者编写的程序需要通过设置事件触发，不能掌握程序的主动权，而ESP8266RTOS SDK是官方后期推出的，功能上会比ESP8266NONOS SDK少一些，SDK中自带的应用程序以任务的形式在运行，与SDK的关联较少，编程较为方便。

3MT7681

3.1芯片介绍

MT7681是2014年6月3日联发科技发布的专为智能家庭(Smart Home)应用而设计的系统单芯片（SoC）解决方案。MT7681主要针对如灯泡、门锁、插座等小型设备，支持802.11n，可轻松为嵌入式设备设计网络服务，整合电源管理单元、低杂讯放大器、射频切换器，所有功能都整合在40针脚的5*5毫米的封装中。其特点是：

-支持Linux平台，完整的协议栈(protocol stack)有助于快速开发应用程序。

-目前功耗最低的Linux平台Wi-Fi SoC，功耗仅为之前产品的60%。

-支持联发科技的Smart Connection智能手机应用程序。

3.2Smart Connection

联发科技的智能手机应用程序Smart Connection是一款卓越的解决方案，从照明灯具、智能电视、智能门锁到其他家电，各种不同的智能家庭设备都可通过Wi-Fi网络在单一接口上实现互相连接。此应用程序支持Android、iOS、Windows及Linux等平台，也支持搭载非联发科技SoC的智能手机。

3.3开发环境

MT7681的开发，属于嵌入式linux的开发，需要使用linux系统，比如Ubuntu/Fedora，搭建交叉编译环境，可以在windows系统下面安装虚拟机，通过在虚拟机上运行linux系统来实现。

4对比与总结

（1）价格方面，esp8266比较有优势，而cc3200价格比较贵，比esp8266贵了不止3倍，mt7681价格处于中间。

（2）性能方面，esp8266性能比较弱，跑不了太复杂运用，mt7681自身有个mcu跑的协议栈，cc3200相对强一点，有专门mcu给用户使用。

（3）开发难度，esp8266屏蔽了部分源代码，提供API，相对开发容易，但是没有提供sock接口；mt7681也屏蔽了部分源码，就是没有mcu的问题，做简单控制可以；而cc3200，好多TI已经提供运用代码，可以很好的学习实例，适合想深入玩wifi的，兼容linux的sock，这点做的很好。

总结，根据目前的需求，需要做产品级别的模块，考虑性能和开发难度，可以选用mt7681，价格适中，性能够用，可以跑linux系统，目前wifi模块的的应用主要是数据透传，完全可以满足需求。

作者：浪迹天涯

时间：2017年3月15日

产品测试及验证计划

产品测试与验证计划 产品名称： 产品版本： 机密等级：机密 批准: 审核: 拟制: 修订说明

目录 1概述 0 1.1 目标、范围和关键技术元素 0 1.1.1 目标 0 1.1.2 范围 0 1.2 产品测试需求和策略 0 1.3 关键日期和里程碑 0 1.4 测试资源需求 0 1.4.1 测试人员需求 (1) 1.4.2 测试仪器/设备需求 (1) 1.4.4 其他需求 (1) 1.5 风险分析 (1) 1.7 交付件 (2) 2各阶段计划 (3) 2.1 原型机（工程样机）测试计划 (3) 2.1.1 测试策略 (3) 2.1.2测试任务安排 (3) 2.1.3 样机测试任务分配： (4) 2.2 中试验证测试计划 (5) 2.2.1 测试策略 (5) 2.2.2 测试任务安排 (5) 2.2.3 中试验证测试任务分配： (6) 2.3 试产验证测试计划 (7) 2.3.1 测试策略 (7) 2.3.2 测试任务安排 (7) 2.3.3 试产验证测试任务分配： (8) 2.5 内部认证及标杆测试计划 (8) 2.5.1 测试策略 (8) 2.5.2 测试任务安排 (8) 2.6 外部认证及标杆测试计划 (9) 2.6.1 测试策略 (9) 2.6.2 测试任务安排 (9)

产品测试与验证计划 1概述 1.1 目标、范围和关键技术元素 1.1.1 目标 确定所有计划、开发和验证阶段的测试活动；明确各测试活动的任务、方法、标准、输入输出、资源需求、风险、角色和职责等。 1.1.2 范围 本计划适用于的产品开发和验证阶段。 1.1.3 关键技术 对测试活动中的关键技术简要说明。 1.2 产品测试需求和策略 概括地分析产品中重点测试对象及其对应的测试方法，明确测试重点和难点，以便决策人员能提前做出相应安排，确保测试活动的及时有效的开展。 本产品与EPT-580对比，新增了FSK MODEM模块，通讯模块存在的难点为接入环境兼容性，因此本产品的测试重点为FSK MODEM的环境兼容性测试。 (1)FSK MODEM环境兼容性测试：构建多种接入环境作为环境兼容性的测试基准。 1.3 关键日期和里程碑 根据WBS列出整个产品测试活动中的主要测试任务的执行日期和主要阶段点。相对产品主计划作出相应的测试安排，列出关键里程碑和主要阶段点。如设计审查和检视、硬件测试、软件测试、集成测试以及beta测试等启动点及周期要求。 2008.04.01 -- 4.30 样机测试 2008.06.01 -- 6.30 中试验证测试 2008.06.20 -- 6.30 可靠性测试 注：上面所列时间为测试执行的时间段，未包括制定测试计划、测试设计的时间。 1.4 测试资源需求 本小节对后面测试任务计划中对测试人员、测试仪器和测试环境等需求的概述，以便进行测试所需的人月及估计费用，以及仪器、环境的预计成本的估算。

变频器主电路选型

通用变频器综合设计 1、设计一个采用二极管整流桥和IGBT的交-直-交电压型变频器主电路，并选择主要元器件的参数。 输入电压范围： 380~480V（正负10%），输出功率11kw（当输出电压为380V时），功率因数75 ?，采用三相SVM PWM，fs=1~15kHz。 .0 cos= （1）选择整流桥和IGBT（EUPEC或三菱均可），根据三菱或EUPEC网站上的程序，计算整流桥和IGBT模块的结温、使用寿命：计算做热Ta=40o C的Rthc-a，选择自冷或风冷情况下的变频器的散热器。（2）Udmax=800V，选择电解电容的耐压和容量，计算电解电容的寿命，自己查资料，如EPCOS、CDE（无感电容）、BHC等。 2、设计上述变频器的保护方案（原理框图，各环节的设计依据，电路框图，主要参数） （1）选择三个输出交流侧霍尔电流传感器的过电流、过载保护方案，设计相应的保护电路（HL传感器，电流放大滤波通道，A/D转换参考电压为5V）。 （2）设计IGBT直通保护和输出短路保护（相间，对地），可选择用带保护的驱动IC实现。 （3）直流侧的电阻能耗制动电路，给出一种软件或硬件控制方案。（制动点的选择） （4）直流侧过电压保护的硬件电路

根据题目要求，本系统主电路可用三相二极管不可控桥式整流电路、中间直流环节和三相IGBT桥式逆变电路三部分组成，实现交-直-交电压型变频器的功能，其拓扑结构如图1所示。 图 1 交—直—交电压型变频器拓扑结构 AC-DC-AC主电路主要包括：整流电路、滤波电路、制动电路以及逆变电路。整流侧采用三相不可控二极管整流桥将交流电整流为直流电，这样功率因数接近于1。由于不控整流出来的电压是脉动的，需要经过滤波电路后供给逆变电路，所以直流侧电容起稳压和滤波的作用。因为考虑到电动机的回馈能量，防止直流侧电压升高，加入能耗制动电路，逆变桥采用三相桥式结构。图中，在直流侧电容前接入了一个与限流电阻相并联的开关，这是由于电容的电容量很大，当合闸突加电压时电容相当于短路，将产生很大的充电电流可能会损坏整流二极管，为了限制充电电流，可以采用限流电阻和延时开关组成的预充电电路对电容进行充电，当电源合闸后延时开关延时数秒，此时通过电阻对电容充电，当电容电压升高到一定值后，闭合开关将限流电阻短路，避免正常运行时的附加损耗。 一、整流逆变元件参数及热设计 1.1 主电路元件选择及其参数 1.1.1 整流二极管的选型

散热器的选型与计算

散热器的选型与计算 以7805为例说明问题. 设I=350mA,Vin=12V,则耗散功率Pd=(12V-5V)*0.35A=2.45W 按照TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,温升是132℃,设室温25℃,那么将会达到7805的热保护点150℃,7805会断开输出. 正确的设计方法是: 首先确定最高的环境温度,比如60℃,查出7805的最高结温TJMAX=125℃,那么允许的温升是65℃.要求的热阻是65℃/2.45W=26℃/W.再查7805的热阻,TO-220封装的热阻θJA=54℃/W,均高于要求值,都不能使用,所以都必须加散热片,资料里讲到加散热片的时候,应该加上4℃/W的壳到散热片的热阻. 计算散热片应该具有的热阻也很简单,与电阻的并联一样,即54//x=26,x=50℃/W.其实这个值非常大,只要是个散热片即可满足. 散热器的计算: 总热阻RQj-a=(Tjmax-T a)/Pd Tjmax :芯组最大结温150℃ Ta :环境温度85℃ Pd : 芯组最大功耗 Pd=输入功率-输出功率 ={24×0.75+(-24)×(-0.25)}-9.8×0.25×2 =5.5℃/W

总热阻由两部分构成,其一是管芯到环境的热阻RQj-a,其中包括结壳热阻RQj-C和管壳到环境的热阻RQC-a.其二是散热器热阻RQd-a,两者并联构成总热阻.管芯到环境的热阻经查手册知RQj-C=1.0 RQC-a=36 那么散热器热阻RQd-a应<6.4. 散热器热阻RQd-a=[(10/kd)1/2+650/A]C 其中k:导热率铝为2.08 d:散热器厚度cm A:散热器面积cm2 C:修正因子取1 按现有散热器考虑,d=1.0A=17.6×7+17.6×1×13 算得散热器热阻RQd-a=4.1℃/W, 散热器选择及散热计算 目前的电子产品主要采用贴片式封装器件，但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装，这主要是可方便地安装在散热器上，便于散热。进行大功率器件及功率模块的散热计算，其目的是在确定的散热条件下选择合适的散热器，以保证器件或模块安全、可靠地工作。 散热计算 任何器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小，无需散热装置。而大功率器件损耗大，若不采取散

设计和开发验证操作规程

第1页共3页文件名称设计和开发验证操作规程文件编号 起草部门颁发部门批准人 起草人审核人批准日期 起草日期审核日期生效日期 分发部门 1．目的： 确保设计开发过程输出符合输入要求。 2．范围： 适用于产品设计开发全过程。 3．责任： 主要职责部门：研发部、质量部。根据“设计开发任务书”的规定，在各适当的设计阶段由研发部、质量部或项目负责人组织进行验证。 相关部门：其他相关的部门 4．方法 验证：通过提供客观证据对规定要求已得到满足的认定，认定可包括下述活动： a) 变换方法进行计算； b) 类似设计比较，将新设计规范与证实的类似设计规范进行比较； c) 进行试验和演示；样品试验结果，包括自检和延续三方检测； d) 设计文件验证，文件发布前的评审。 设计验证就是将输出结果与输入结果时进行比较。 最常用的验证方法是对应设计输入的要求对输出结果进行阶段检测、试验。 应记录验证结果，当验证为不能满足要求时应采取相应的措施纠正预防。5．时机 验证的时机根据产品设计开发的性质而定，在设计开发的适当阶段进行，建议与各个阶段的评审适当合并。 6．原则与标准 每个环节的验证必须制定验证计划并按计划实施验证；验证的内容应与相应的输入要求相对应。

第2页共3页文件名称设计和开发验证操作规程文件编号 实施验证前必须确立适当的验证合格标准，验证合格标准确定应满足以下三个基本条件：现实性，即验证不能超越客观物质条件的限制或造成超重的经济负担，以至无法实现；可验证性，即标准是否达到，可以通过检验或其他适当的手段加以证实；安全性，即标准应能保证产品的安全。 7．内容 每个环节的验证方案应当包括验证的目标、方法及合格标准，验证方案经副总经理或质量部批准后方可实施； 研发部：根据通过的设计开发生产图设计阶段评审初稿制作样品，研发部负责对样品送权威检测机构检测并出具检测报告。对样品的部分设计、功能或性能，可引用已证实的类似设计的有关证据，作为本次设计的验证依据。并应验证设计文件和图纸的充分性和适宜性。 质量部：小批量试产时，质量部应进行质量检验或试验。 生产部：验证工艺性。 设备部：验证生产环境及设施设备是否满足设计开发产品的生产需求。 采购部：对生产所需外购物料、外协物料的采购进行控制验证，确保所需物料批量供应的可行性。 样品验证通过后，研发部组织各相关部门对小批生产的可行性进行评审，填写《试产报告》，报副总经理批准后研发部指导生产部进行小批试产。 各相关部门：外包方应对产品的设计开发过程进行策划，形成设计开发计划，计划内容应包括：明确产品设计阶段的划分，每一阶段所要达到的目标或要求，确定适合每个设计阶段的评审、验证、确认工作的安排。验证应按合同或协议的规定，验证外包过程的结果是否满足规定的要求。验证可以在组织内部进行，也可以在外包方处进行。验证的要求及方法应在合同或协议中做出规定。应保持外包过程验证记录。 质量部对小批试产的产品进行检验或试验，出具相应的报告，生产部对其工艺进行验证并出具工艺验证报告；采购部出具批量供应可行性报告；财务部出具成本核算报告；研发部综合上述情况，填写《试产总结报告》，经副总经理批准后，作为批量生产的依据。

现代功率模块及器件应用技术

现代功率模块及器件应用技术(1)-IGBT和MOSFET功率模块 0 引言 最近20年来，功率器件及其封装技术的迅猛发展，导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的应用范围、量体裁衣的解决方案、集成化、智能化、更小的体积和重量、效率更高的芯片、更加优质价廉、更长的寿命和更短的产品开发周期。在过去的数年中已有众多的研发成果不断提供新的、经济安全的解决方案，从而将功率模块大量地引入到一系列的工业和消费领域中。 因此，有必要就功率模块的应用技术，如选型、驱动、保护、冷却、并联和串联以及软开关电路等，进行一次全面的系列介绍。 1 IGBT和MOSFET功率模块 1.1 应用范围 如图1所示，当前众多的电力电子电路可由功率MOSFET或IGBT来实现。从上世纪80年代开始，它们先后出现于市场。与传统的晶闸管相比，它们具有一系列的优点，如可关断的特性（包括在短路状态下）、不需要缓冲网络、控制单元简单、开关时间短、开关损耗低等。

图1 功率半导体的应用范围 现在，电力电子技术不断地渗透到新的应用领域中，这首先归功于IGBT和功率MOSFET的迅速发展。同时，它们的应用在其现有的领域内也在不断地深化。数年前，高耐压双极型功率晶体管还被广泛地应用着。而现在只能在少数例外情况下发现它的踪影，其位置已几乎完全被IGBT所取代。 在电流达数十A或以上的应用中，功率MOSFET及IGBT大多为含有硅芯片的绝缘式功率模块。这些模块含有一个或数个晶体管单元，以及和晶体管相匹配的二极管（续流二极管），某些情况下还含有无源元件和智能部分。 虽然功率模块存在仅能单面冷却的缺点，但它还是被广泛地应用于大功率电力电子技术中，与同期问世的平板式IGBT/二极管器件一争高低。尽管平板式器件在双面冷却的条件下可以多散发约30％的热损耗，但功率模块仍然受到用户广泛的欢迎。其原因除了安装简易外，还在于模块的芯片和散热器之间的绝缘、其内部多个不同元器件的可组合性、以及由于大批量生产而导致的低成本。 在当今的市场上，尽管各种有竞争性的功率器件都在不断地发展，但是IGBT模块却稳稳胜出，它的功率范围也在不断延伸。目前生产的IGBT模块已具有了65kV、4.6kV、3.3kV和2.5kV的正向阻断电压。以此为基础，MW 级的、电压至6kV的变流器（采用IGBT串联的电路）已经出现。 另一方面，MOSFET则被应用于越来越高的频率范围。今天，使用合适的电路拓扑与封装技术，已经可以在500kHz 以上实现较大的电流。 IGBT和MOSFET模块已经成为集成电子系统的基本器件，同时也正在成为集成机电系统的基本器件。 1.2 结构和基本功能 下面所述的功率MOSFET和IGBT均指n沟道增强型，因为，它代表了构成功率模块的晶体管的主流。 在一个正向的驱动电压作用下，一块p导通型的硅材料会形成一个导电的沟道。这时，导电的载流子为电子（多子）。在驱动电压消失后，该器件处于截止状态（自截止）。 在大多数情况下，人们采用图2和图4所示的垂直式结构。在这里，栅极和源极（MOSFET）或发射极（IGBT）均位于芯片上表面，而芯片底面则构成了漏极（MOSFET）或集电极（IGBT）。负载电流在沟道之外垂直通过芯片。 在图2所示的功率MOSFET和图4所示的IGBT具有平面式栅极结构，也就是说，在导通状态下，导电沟道是横向的（水平的）。 平面栅极（在现代高密度晶体管中更发展为双重扩散栅极）仍是目前功率MOSFET和IGBT中占统治地位的栅极结构。 平面式MOSFET和IGBT结构是从微电子技术移植而来的，其漏极或集电极由n＋（MOSFET）或p＋（IGBT）井区构成，位于芯片表面。负载电流水平地流经芯片。借助于一个氧化层，n区可以与衬底相互隔离，从而有可能将多个相互绝缘的MOSFET或IGBT与其他结构一起集成于一个芯片之上。 由于平面式晶体管的电流密度仅能达到垂直式结构的30％，因而明显地需要更多的安装面积，所以，它们主要被用在复杂的单芯片电路中。 从构造上来看，功率MOSFET（图2）以及IGBT（图4）由众多的硅微单元组成。每cm2芯片上的单元数可达8.2×105（最新的耐压为60V的MOSFET）以及1×105（高耐压IGBT）。 图2、图4显示了MOSFET和IGBT具有相似的控制区结构。 n－区在截止状态下构成空间电荷区。p导通井区被植入其内，它在边缘地带的掺杂浓度较低（p－），而在中心地带则较高（p＋）。

功率模块选型设计

功率模块选型设计 对于一个具体的应用来说，选择功率模块时需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下： ①器件耐压； ②在实际的冷却条件下，电流的承受力； ③最适合的开关频率； ④安全工作区(SOC)限制； ⑤散热条件与最高运行温度限制； ⑥封装和安装方式 ⑦成本和技术风险 (1)器件耐压设计=(+)K2 =(1.15*600+200)*1.1 =979(V) (1) 式中： ——过电压系数 ——安全系数 ——额定直流电压 ——关断即将结束时的尖峰电压 考虑到回馈制动，电压波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常选择功率管器件耐压都是母线电压的一倍，故IGBT的电压额定值选用1200V。 (2)器件的电流选择

在电力电子设备中，选择功率管模块时，通常先计算通过功率管的最大电流值，然后根据该设备的特点，考虑到过载、电压波动、开关尖峰、温度等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的功率管。 流过IGBT的最大电流为： = =300××1.2×1×1.5 =763.56(A) (2) 式中： ——电流尖峰系数 ——温度降额系数 ——过载系数 ——牵引电动机峰值电流 IGBT的电流额定值选用=800A (3)合适的开关频率 功率管的损耗主要由通态损耗和开关损耗组成，不同的开关频率，通态损耗和开关损耗所占的比例不同。而决定功率管通态损耗的饱和压降和决定开关损耗的开关时间（,）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的功率管。 在低频如<10kHz时，通态损耗是主要的，这需要选择低饱和压降型功率管；当≥15kHz时，开关损耗是主要的，通态损耗占的比例比较小。

设计开发控制程序

1 目的 对设计和开发的全过程进行控制，确保产品能满足顾客的需求和期望及有关法律、法规要求。 2 范围 适用于本公司新产品的设计和开发全过程，包括定型产品的技术改进等。 3 职责 3.1产品开发部负责设计和开发全过程的组织、协调工作，进行设计和开发的策划，确定设 计、开发的组织技术的接口、输入、输出、验证、评审，设计和开发的更改和确认等。 3.2产品开发部负责编制《设计开发计划书》、《设计开发评审记录》、《设计开发验证记录》。 3.3总经理负责下达《设计任务书》及批准《设计开发计划书》。 3.4业务部负责设计开发产品所需材料的采购。 3.5业务部负责根据市场调研或分析，提供市场信息及新产品动向，负责提交顾客使用产品 后的《产品确认报告》。 3.6质检部负责设计开发产品的检验和试验。 3.7生产部负责设计开发产品样板的制作。 4 名词定义（略） 5 工作程序 5.1 设计和开发项目的策划 5.1.1 设计和开发项目的来源 a)营销部与顾客签定的新产品合同或技术协议，通过合同评审后，由总经理下达《设 计任务书》，并将与新产品有关的技术资料转交产品开发部。 b)根据营销部的市场调研或分析，由总经理下达《设计任务书》，并将相关背景资料 转产品开发部。 5.1.2 总经理根据上述项目来源，确定项目负责人，将设计开发策划的输出转化为《设计开 发计划书》。计划书内容包括： a)设计开发的输入、输出、评审、验证、确认等各阶段的划分和主要工作内容； b)各阶段人员职责和权限，进度要求和配合单位； c)资源配置需求，如人员、信息、设备、资金保证等及其他相关内容。 5.1.3设计开发策划的输出文件随着设计开发的进展，在适当时予以修改，应执行《文件控

功率模块封装结构及其技术

功率模块封装结构及其技术 摘要：本文从封装角度评估功率电子系统集成的重要性。文中概述了多种功率模块的封装结构形式及主要研发内容。另外还讨论了模块封装技术的一些新进展以及在功率电子系统集成中的地位和作用。 1 引言 功率（电源或电力）半导体器件现有两大集成系列，其一是单片功率或高压集成电路，英文缩略语为PIC或HI VC，电流、电压分别小于10A、700V的智能功率器件/电路采用单片集成的产品日益增多，但受功率高压大电流器件结构及制作工艺的特殊性，弹片集成的功率/高压电路产品能够处理的功率尚不足够大，一般适用于数十瓦的电子电路的集成；另一类是将功率器件、控制电路、驱动电路、接口电路、保护电路等芯片封装一体化，内部引线键合互连形成部分或完整功能的功率模块或系统功率集成，其结构包括多芯片混合IC封装以及智能功率模块IPM、功率电子模块PEBb、集成功率电子模块等。功率模块以为电子、功率电子、封装等技术为基础，按照最优化电路拓扑与系统结构原则，形成可以组合和更换的标准单元，解决模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、各类封装（导热、填充、绝缘）的选择、植被的工艺流程的国内许多问题，使系统中各种元器件之间互连所产生的不利寄生参数少到最小，功率点楼的热量更易于向外散发，其间更能耐受环境应力的冲击，具有更大的电流承载能力，产品的整体性能、可能性、功率密度得到提高，满足功率管理、电源管理、功率控制系统应用的需求。 2 功率模块封装结构 功率模块的封装外形各式各样，新的封装形式日新月异，一般按管芯或芯片的组装工艺及安装固定方法的不同，主要分为压接结构、焊接结构、直接敷铜DBC基板结构，所采用的封装形式多为平面型以及，存在难以将功率芯片、控制芯片等多个不同工艺芯片平面型安装在同一基板上的问题。为开发高性能的产品，以混合IC封装技术为基础的多芯片模块MCM封装成为目前主流发展趋势，即重视工艺技术研究，更关注产品类型开发，不仅可将几个各类芯片安装在同一基板上，而且采用埋置、有源基板、叠层、嵌入式封装，在三维空间内将多个不同工艺的芯片互连，构成完整功能的模块。 压接式结构延用平板型或螺栓型封装的管芯压接互连技术，点接触靠内外部施加压力实现，解决热疲劳稳定性问题，可制作大电流、高集成度的功率模块，但对管芯、压块、底板等零部件平整度要求很高，否则不仅将增大模块的接触热阻，而且会损伤芯片，严重时芯片会撕裂，结构复杂、成本高、比较笨重，多用于晶闸管功率模块。焊接结构采用引线键合技术为主导的互连工艺，包括焊料凸点互连、金属柱互连平行板方式、凹陷阵列互连、沉积金属膜互连等技术，解决寄生参数、散热、可靠性问题，目前已提出多种实用技术方案。例如，合理结构和电路设计二次组装已封装元器件构成模块；或者功率电路采用芯片，控制、驱动电路采用已封装器件，构成高性能模块；多芯片组件构成功率智能模块。DBC基板结构便于将微电子控制芯片与高压大电流执行芯片密封在同一模块之中，可缩短或减少内部引线，具备更好的热疲劳稳定性和很高的封装集成度，DBC通道、整体引脚技术的应用有助于MCM的封装，整体引脚无需额外进行引脚焊接，基板上有更大的有效面积、更高的载流能力，整体引脚可在基板的所有四边实现，成为MCM功率半导体器件封装的重要手段，并为模块智能化创造了工艺条件。

机电一体化大学本科方案设计书[1]

河南职业技术学院 毕 业 论 文 院校：河南职业技术学院 题目：机电一体化中的电机控制与保护 专业：机电一体化 班级：07级 姓名：靳振平 内容摘要：据机电一体化技术的发展前景，提出一种新型电动执行机构的设

计方案，详细介绍了该执行机构各功能元件的选型与设计、阀位及速度控制原理以及各种关键问题的解决方法。该执行机构将阀门、伺服电机、控制器合为一体，采用8031单片机、变频技术实现了阀门的动作速度和位置控制，解决了阀门的精确定位、阀门柔性开关、极限位置判断、电机保护及模拟信号隔离等技术问题。现场运行情况表明，该电动执行机构具有动作快、保护完善以及便于和计算机通讯等优点，充分利用了机电一体化技术带来的方便快捷。 关键词：电动机阀门继电器保护机电一体化技术总结 引言

在现代化生产过程控制中，执行机构起着十分重要的作用，它是自动控制系统中不可缺少的组成部分。现有的国产大流量电动执行机构存在着控制手段落后、机械传动机构多、结构复杂、定位精度低、可靠性差等问题。而且执行机构的全程运行速度取决于其电机的输出轴转速和其内部减速齿轮的减速比，一旦出厂，这一速度固定不可调整，其通用性较弱。整个机构缺乏完善的保护和故障诊断措施以及必要的通信手段，系统的安全性较差，不便与计算机联网。鉴于以上原因，采用传统的大流量电动执行机构的控制系统，可靠性和稳定性较差。随着计算机网络、现场总线等技术在工业过程中的应用，这种执行机构已远远不能满足工业生产的要求。笔者设计的大流量电动执行机构，采用机电一体化技术，将阀门、伺服电机、控制器合为一体，利用异步电动机直接驱动阀门的开与关。通过内置变频器，采用模糊神经网络，实现阀门的动作速度、精确定位、柔性开关以及电机转矩等控制。该电动执行机构省去了用于控制电机正、反转的接触器和可控硅换向开关模件、机械传动装置和复杂、昂贵的控制柜和配电柜，具有动作快、保护较完善、便于和计算机联网等优点。实际运行表明，该执行机构工作稳定，性能可靠。自电子技术一问世,电子技术和机械技术的结合就开始了,只是出现了半导体集成电路,尤其是出现了以微处理器为代表的大规模集成电路以后,"机电一体化"技术之后有了明显进展,引起了人们的广泛注重.

功率器件的散热计算及散热器选择详细说明

功率器件的散热计算及散热器选择 H e a t D i s p e r s i o n C a l c u l a t i o n F o r P o w e r D e v i c e s a n d R a d i a t o r s S e l e c t i o n 功率管的散热基础理论 功率管是电路中最容易受到损坏的器件.损坏的大部分原因是由于管子的实际耗散功率超过了额定数值.那么它的额定功 耗值是怎样确定的,还有没有潜力可挖呢?让我们来分析一下. 晶体管耗散功率的大小取决于管子内部结温Tj. 当Tj 超过允许值后,电流将急剧增大而使晶体管烧毁.硅管允许结温一般是125~200℃,锗管为85℃左右(具体标准在产品手册中给出).耗散功率是指在一定条件下使结温不超过最大允许值时的电流与电压乘积.管子消耗的功率越大,结温越高.要保证结温不超过允许值,就必须将产生热散发出去.散热条件越好,则对应于相同结温允许的管耗越大,输出也就越大.因此功率管的散热问题是至关重要的. 热阻 为了描述器件的散热情况,引入热阻的概念.电流流过电阻R ，电阻消耗功率RI 2[W]（每秒RI 2焦耳能量），导致电阻温度上升。用隔热材料覆盖电阻，电阻产生的热量不能散发时，则电阻温度随着时间增加而上升，直至电阻烧坏。 一般而言，二物体间的温差越大，温度高的物体向低的物体移动量增多。某电阻置于空气中（如图6.33所示），由于流过电流向电阻提供功率，这功率变为热能。在使电阻温度生高的同时，部分热能散发于空气中。开始有电流流过电阻时，电阻温度不高，因此散发的热也小，电阻温度逐渐上升，散发的热量也上升 与用电阻表示对电流的阻力类似.热阻表示热传输时所受的阻力.即由U1-U2=I ×R 可有类似的关系 T1-T2=P ×R T (1-1) 其中T1-T2为两点温度之差,P 为传输的热功率,R T 是传输单位功率时温度变化度数,单位是℃/W.RT 越大表明相同温差下散发的热能越小.于是结温Tj,环境温度Ta,管耗PCM 及管子的等效热阻R T 之间有以下的关系 Tj-Ta=P CM ×RT (1-2) 若环境温度一定(常以25℃为基准), Tj 已定,则管子等效热阻越小,管耗P CM 就越可以提高.下面我们来看看管子的散热途径及等效热阻的情况. 以晶体管为例.图1-1(a)是晶体管散热的示意图.从管芯(J-Junction)到环境(A-Ambient)之间有几条散热途径: 管芯(J)到外壳(C-Case),通过外壳直接向环境(A)散热;或通过散热器(S)(中间有界面)向环境散热.不同的管芯(指材料、工艺不同)本身的散热情况不同,或者说热阻不同.外壳、散热器等的热阻也各不相同.我们可用一个等效电路来模拟这个散热情况,如图1-1(b)所示.散发的热能Pc 表示为电流的形式;两点的温度分别为结温Tj,和环境温度Ta;结到外壳的热租用Rjc 表示,外壳到环境用Rca 表示,外壳到散热器用Rcs 表示,散热器到环境用Rsa 表示,加散热器后有两条并存的散热途径. 图1-1 晶体管散热情况分析 (a)晶体管散热示意图 (b)散热等效电路 对于小功率管,一般不用散热器,则管子的等效热阻为 R T = Rjc+ Rca (1-3) 而大功率管加散热器后,一般总有Rcs+ Rsa<

GJB9001C设计和开发控制程序

编号: 版次：A/0 设计和开发控制程序 编制 审核_________________________ 批准_________________________ 分发号_______________________ 受控状态可控

发布日期：2017年12月25日实施日期：2018年1月1日

1.目的 本标准旨在对满足产品要求所需的过程进行策划，确保产品能满足顾客和国家有关标准及法律、法规要求。 2.范围适用于本公司满足产品要求所需的策划。 3.职责 3.1总经理负责批准项目建议书，技术分管领导组织协调设计和开发全过程的工作。 3.2项目负责人设计和开发计划书、设计开发输入清单、设计输出文件、设计开发输出清单、设计和开发评审报告、设计和开发验证报告、设计和开发确认报告的编制，及整个设计工作的实施。 3.3技术分管领导负责批准设计和开发计划书、设计和开发评审报告、设计和开发验证报告、设计和开发确认报告、设计更改通知单等。 3.4物供部负责样品试制以及所需零部件的采购。 3.5生产部负责样品的试制。 3.6质量部负责产品设计和开发的检验和试验；负责检验/ 试验数据的整理、分析和处理；负责编制产品试验报告，并向相关部门报送产品试验报告。 3.7营销部根据市场调研或者分析、提出市场信息及新产品的动向，负责提交项目建议书以及客户使用新产品的客户使用报告。 4.工作流程 4.1 设计和开发策划 4.1.1 设计项目的来源 ①公司内外反馈的信息研发部根据公司内外反馈的信息，编制“产品开发建议书”，提出产品开发或技术改造的建议，报总经理批准。产品设计和开发活动应在公司战略目标指导下进行。 ②营销部的市场调查营销部通过对市场调查结果的分析，提出“产品开发建议书”，报总经理批准后，连同有关资料移交研发部。 ③合同评审的结果有技术开发成份的合同或订单（包括技术协议），必须由营销部组织相关部门进行评审。评审通过后，营销部将与客户的有关资料移交研发部。 4.1.2研发部根据评审后的产品开发建议书、技术协议、合同、订单等编制“设计和开发计划书”“设计和开发计划书”包括： a）确定开发产品的性质以及开发所需求的时间以及设计的复杂程度。 b）根据产品特点和复杂程度、公司特点和经验划分设计和开发过程的阶段； c）明确规定每个设计和开发阶段需开展的适当的评审、验证和确认活动，包括这些活动的时机。

对设计和开发过程的审核

日期：2006年12月8日ISO 9001审核实践组指南 对设计和开发过程的审核 1. 介绍 对设计和开发过程进行审核的目的是确定组织对设计和开发过程的管理能够使产品满足预期的使用目的和规定要求。 需要注意的是，对于服务业组织，进行设计和开发的方法可能与“传统”的制造业组织不同（参见《对服务型组织的审核》）。 在深入讨论应当采取什么方式来对设计和开发过程进行审核之前，重要的一点是审核员要理解“设计和开发”这个短语的含义。许多组织因为错误理解这一概念，因而错误地在他们的质量管理体系中删减了该过程。 ISO 9001:2000条款7.3只提到产品和服务的设计和开发。在一些组织中，对过程的设计和开发采用相同的方法可以带来好处，但这并不是标准的要求。 产品设计和开发是将产品要求（例如规范、法规要求和具体的或隐含的顾客要求）转化为规定的产品特性（“产品的区别性特征”）的一组过程。ISO 9000:2005条款3.4.1对产品特性举例如下： ?物质特性（例如机械、电、化学或生物特性）； ?感观特性（例如与嗅觉、触觉、味觉、视觉和听觉有关的特性）； ?行为特性（例如礼貌、诚实、准确）； ?时间特性（例如准时、可靠、可用）； ?工效学特性（例如生理特性，或与人身安全有关的特性）； ?功能特性（例如一架飞机的最大速度）。

为了确定组织是否事实上有设计和开发，审核员需要确定谁负责定义产品或服务的特性，以及如何和在何时进行确定。 （注：这可以适用于原始设计或之后的设计变更） 通常，设计和开发过程包含图1所示的阶段。每个阶段都有特定的产出，这些产出均覆盖了产品设计与开发的商业和技术方面。在一些情况下，组织可能能够有合理的理由从其QMS中删减标准的某些分条款（sub-clause）或个别要求，但不必删减整个条款（clause）。如果组织的产品设计已经完成了很长时间，并且经过了良好的确认，组织可能需要确保根据条款7.3对设计变更进行管理。审核员应当验证删减的合理性。 图 1 –设计和开发过程概览 审核员应当确定组织已实施了、正在实施哪些设计和开发项目。审核员应当选取足够数量的项目，以便能够审核到设计过程的各个阶段。 下面给出了审核设计和开发过程各个阶段的指南。但是应当注意，审核员有可能无法从选取的所有项目中审核到所有阶段。 2. 对设计和开发需求的审核

设计的和开发控制程序

XX公司 设计和开发控制程序 QP8.3 受控状态： 编制： 审核： 批准： 2017-XX-XX发布 2017-XX-XX实施

1 目的 对产品设计和开发的过程、工艺和设计开发过程或新技术引进的控制进行规定，以保证设计和开发工作新技术引进能够顺利进行。 2 范围 适用于公司所有产品设计和开发过程、工艺过程管理以及新技术引进的控制。 3 定义 无 4 职责 4.1总经理（或授权管理者代表）负责设计开发立项、任务书、评审验证报告等批准。 4.2总工程师或分管副总负责领导组织设计和开发工作。 4.3技术部是设计和开发过程的主管部门，负责设计和开发全过程的协调和管理，以识别公司经营环境的变更，并实施设计和开发工作；负责组织会议评审、鉴定，归档文件的管理；负责产品试制过程控制和产品图样的工艺审查；负责产品工艺文件的编制和控制并提供相关技术标准。 4.4市场部负责与顾客的沟通，并根据市场调研分析，提供市场信息、新产品动向及顾客使用需求。 4.5采购部负责向供应商传递产品技术信息及加工需求；参与设计开发过程的验证及评审工作；4.6质管部负责产品的质量管控，参与设计开发过程的验证、测试及评审工作 4.7制造部负责产品的试装、试生产工作，参与设计开发过程的验证及评审工作。 4.8 财务部参与设计开发过程的验证及评审工作； 5 工作程序 5.1设计和开发策划 5.1.1设计和开发立项依据 a）产品开发合同：公司自主设计和开发的产品。 b）市场订单合同：与用户签订的合同或订单。 c）上级下达任务：上级部门直接下达的设计开发任务。 5.1.2 设计和开发立项分类 设计和开发控制流程可根据顾客的要求和实际情况进行调整，具体按照如下两个类别进行：a）重大项目：一般指公司发展规划发展确定的主要项目，投资大、周期长、影响广泛或市场订单量大，需要经过多个部门配合协作才能决定实施的，需按照完整的设计开发流程进行。

汽车应用中的IGBT功率模块

汽车应用中的IGBT功率模块 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBTIGBT 功率模块功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。 各种工业应用中通常会使用多达十几种的绝缘栅双极晶体管（IGBT），设计IGBT模块的目的就是为了向某种专门的应用提供最优的性价比和适当的可靠性。图1为现有的IGBT功率模块的主要组成部分。 商用电动车（EV）和混合动力电动车（HEVHEV）的出现为IGBT模块创造了一个新的市场。EV和HEV中对IGBT功率模块的可靠性要求最高的部分是传动系传动系，IGBT位于逆变器中，为混合系统的电机提供能量。根据传动系的概念，逆变器可以放置在汽车尾箱、变速箱内或引擎盖下靠近内燃机的位置，因此IGBT模块要经受严峻的热和机械条件（振动和冲击）的考验。 为向汽车设计人员提供高可靠性的标准工业IGBT模块，IGBT设计人员必须特别小心地选择材料和设计电气特性，以得到相似甚至更好的结果。 热循环和热冲击试验 在热循环（TC）期间，待测器件（DUT）交替地暴露于被精确设定的最低和最高温度下，使其管壳的温差（ΔTC）达到80K到100K。DUT处于最低和最高温度的存储时间必须足以使其达到热平衡（即2到6分钟）。此项试验的重点是检测焊接处的疲劳特性。 通过更严格的试验，还可以研究其它部分（如模块的框架）所存在的弱点。热冲击试验（TST），也被称作二箱试验，是在经过扩展的ΔTC的条件下进行的，例如从-40-C到+150+C，其典型的存储时间为1小时。 图1：包括基板在内的IGBT模块构架示意图。 功率循环 在热循环/热冲击试验过程中，从外部加热DUT，而在功率循环（PC）期间，DUT被流经模块内部的负载电流主动地加热。因此，模块内部的温度梯度和不同材料层的温度都比热循环过程中高得多。 模块的冷却是通过主动关断负载电流以及使用外部散热措施来实现的。最典型的是使用水冷散热器，但空气冷却系统也较常用。试验装置能在加热阶段停止水流，待进入冷却阶段后再重新打开水流。通过功率循环，能对绑定线的连接以及焊接处的疲劳特性进行研究。 诸如高环境温度、暴露于机械冲击以及特定的驱动循环等环境条件，要求对IGBT功率模块的机械和电气特性给予特别的关注，以便在整个使用寿命期间能确保其性能得到充分发挥，并保持很高的可靠性。本文对IGBT的功率和热循环、材料选型以及电气特性等问题和故障模式进行了探讨。 各种工业应用中通常会使用多达十几种的绝缘栅双极晶体管（IGBT），设计IGBT模块的目的就是为了向某种专门的应用提供最优的性价比和适当的可靠性。图1为现有的IGBT功率模块的主要组成部分。 商用电动车（EV）和混合动力电动车（HEV）的出现为IGBT模块创造了一个新的市场。EV和HEV中对IGBT功率模块的可靠性要求最高的部分是传动系，IGBT位于逆变器中，为混合系统的电机提供能量。根据传动系的概念，逆变器可以放置在汽车尾箱、变速箱内或引擎盖下靠近内燃机的位置，因此IGBT模块要经受严峻的热和机械条件（振动和冲击）的考验。 为向汽车设计人员提供高可靠性的标准工业IGBT模块，IGBT设计人员必须特别小心地

ISO9001-2015设计和开发验证操作规范

设计和开发验证操作规范 （ISO9001：2015） 1．目的： 确保设计开发过程输出符合输入要求。 2．范围： 适用于产品设计开发全过程。 3．责任： 主要职责部门：研发部、质量部。根据“设计开发任务书”的规定，在各适当的设计阶段由研发部、质量部或项目负责人组织进行验证。 相关部门：其他相关的部门 4．方法 验证：通过提供客观证据对规定要求已得到满足的认定，认定可包括下述活动： a) 变换方法进行计算； b) 类似设计比较，将新设计规范与证实的类似设计规范进行比较； c) 进行试验和演示；样品试验结果，包括自检和延续三方检测； d) 设计文件验证，文件发布前的评审。 设计验证就是将输出结果与输入结果时进行比较。

最常用的验证方法是对应设计输入的要求对输出结果进行阶段检测、试验。 应记录验证结果，当验证为不能满足要求时应采取相应的措施纠正预防。5．时机 验证的时机根据产品设计开发的性质而定，在设计开发的适当阶段进行，建议与各个阶段的评审适当合并。 6．原则与标准 每个环节的验证必须制定验证计划并按计划实施验证；验证的内容应与相应的输入要求相对应。 实施验证前必须确立适当的验证合格标准，验证合格标准确定应满足以下三个基本条件：现实性，即验证不能超越客观物质条件的限制或造成超重的经济负担，以至无法实现；可验证性，即标准是否达到，可以通过检验或其他适当的手段加以证实；安全性，即标准应能保证产品的安全。 7．内容 每个环节的验证方案应当包括验证的目标、方法及合格标准，验证方案经副总经理或质量部批准后方可实施； 研发部：根据通过的设计开发生产图设计阶段评审初稿制作样品，研发部负责对样品送权威检测机构检测并出具检测报告。对样品的部分设计、功能或性能，可引用已证实的类似设计的有关证据，作为本次设计的验证依据。并应验证设计文件和图纸的充分性和适宜性。

电磁炉功率模块的设计及控制

南阳理工学院本科生毕业设计(论文) 学院（系）：电子与电气工程学院 专业：电气工程及其自动化 学生： 指导教师： 完成日期2012 年 5 月

南阳理工学院本科生毕业设计（论文） 电磁炉功率模块的设计及控制Design and Control of the Induction Cooker Power Module 总计：毕业设计（论文）26页 表格：0个 插图：25幅

南阳理工学院本科毕业设计（论文） 电磁炉功率模块的设计及控制 Design and Control of the Induction Cooker Power Module 学院（系）：电子与电气工程学院 专业：电气工程及其自动化 学生姓名： 学号： 指导教师（职称）： 评阅教师： 完成日期： 南阳理工学院 Nanyang Institute of Technology

电磁炉功率模块的设计及控制 电气工程及其自动化专业祝松涛 [摘要]本课题针对现有电磁炉功率小、稳定性差等缺陷，开展了基于半桥谐振电路电磁炉的关键技术研究。首先分析大功率电磁炉工作原理，确定了本课题采用电压型串联谐振电路形式，根据此电路形式设计了电路中各参数，包括IGBT的选型，谐振电感、电容的设计，并在此基础上设计了以单片机为控制核心的IGBT驱动电路和智能保护电路。另外，为了电磁炉能够并联扩容，研究了IGBT的均流问题。最后，设计了基于网络阻抗的动态负载模型并提出了电磁炉的自适应恒温控制方法，实现了电磁炉的精确功率控制。 [关键词] 感应加热；串联谐振；功率模块；电磁炉；动态负载 Design and Control of the Induction Cooker Power Module Electrical Engineering and Automation Specialty ZHU Song-tao Abstract: This paper in view of the existing electromagnetic oven power small, poor stability and other defects, based on half-bridge resonant circuit of electromagnetic oven key technology research. First analysis of large power electromagnetic oven working principle, determined that this issue is based on the voltage type series resonant circuit, this circuit was designed according to the circuit parameters, including IGBT selection, resonant inductor, capacitor design, and on this basis to design the IGBT drive circuit and intelligent protection circuit. In addition, in order to electromagnetic stove capable of parallel expansion, studied the IGBT flow problem. Finally, based on the design of the network impedance dynamic load model and proposed the electromagnetic furnace adaptive constant temperature control method, the electromagnetic oven precise power control. Key words:Induction cooker; power module; IGBT driver; induction heating; dynamic load