2015-2016-01 存储器练习题 带参考答案分析
存储器练习题参考答案
一、选择题（75+7题）
1、计算机系统中的存储器系统是指( D )。
A、RAM存储器
B、ROM存储器
C、主存储器
D、主存储器和外存储器
2、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来( C )。
A、存放数据
B、存放程序
C、存放数据和程序
D、存放微程序
3、存储单元是指( B )。
A、存放一个二进制信息位的存储元
B、存放一个机器字的所有存储元集合
C、存放一个字节的所有存储元集合
D、存放两个字节的所有存储元集合
4、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是( D )。
A、便于读写数据
B、减小机箱的体积
C、便于系统升级
D、解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾
5、存储周期是指( C )。
A、存储器的读出时间
B、存储器的写入时间
C、存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔
D、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔
6、和外存储器相比，内存储器的特点是( C )。
A、容量大，速度快，成本低
B、容量大，速度慢，成本高
C、容量小，速度快，成本高
D、容量小，速度快，成本低
7、某计算机字长16位，它的存储容量64K，若按字编址，那么它的寻址范围是( B )。
A、0～64K
B、0～32K
C、0～64KB
D、0～32KB
8、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。
A、64,16
B、16,64
C、64,8
D、16,16
9、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。
A、8,512
B、512,8
C、18,8
D、19，8
10、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是( C )。
A、0～1M
B、0～512KB
C、0～256K
D、0～256KB
11、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是( A )。
A、0～1M
B、0～4MB
C、0～4M
D、0～1MB
12、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围( C )。
A、0～4MB
B、0～2MB
C、0～2M
D、0～1MB
13、某计算机字长为32位，其存储容量为16MB，若按双字编址，它的寻址范围是( B )。
A、0～16MB
B、0～8M
C、0～8MB
D、0～16MB
14、某SRAM芯片，其容量为512×8位，加上电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为( D )。
A、23
B、25
C、50
D、19
15、相联存储器是按( C )进行寻址的存储器。
A、地址指定方式
B、堆栈存取方式
C、内容指定方式
D、地址指定与堆栈存取方式结合
16、主存储器和CPU之间增加cache的目的是( A )。
A、解决CPU和主存之间的速度匹配问题
B、扩大主存储器的容量
C、扩大CPU中通用寄存器的数量
D、既扩大主存容量又扩大CPU通用寄存器数量
17、采用虚拟存储器的主要目的是( B )。
A、提高主存储器的存取速度
B、扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度
C、提高外存储器的存取速度
D、扩大外存储器的存储空间
18、在虚拟存储器中，当程序在执行时，( D )完成地址映射。
A、程序员
B、编译器
C、装入程序
D、操作系统
19、下列说法中不正确的是( B )。
A、每个程序的虚地址空间可以大于实地址空间，也可以小于实地址空间
B、多级存储体系由cache、主存和虚拟存储器构成
C、cache和虚拟存储器这两种存储器管理策略都利用了程序的局部性原理
D、当cache未命中时，CPU可以直接访问主存，而外存与CPU之间则没有直接通路
20、在cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为( A )。
A、全相联映射
B、直接映射
C、组相联映射
D、混合映射
21、以下描述中基本概念正确的句子是( A )。
A、硬盘转速高，存取速度快
B、软盘转速快，存取速度快
C、硬盘是接触式读写
D、软盘是浮动磁头读写
22、组成2M*8bit的内存，可以使用（ C ）
A、1M*8bit进行并联
B、1M*4bit进行串联
C、2M*4bit进行并联
D、 2M*4bit进行串联
23、若SRAM芯片容量为2M*8bit，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是（ B ）
A.21
B. 29
C. 18
D.不可估计
24、若RAM中每个单元为16位，则下面所述正确的是（ B ）
A.地址线也是16位
B.地址线与16位无关
C.地址线与16位有关
D.地址线不得少于16位
25、RAM芯片串联时可以（ B ）
A.增加存储字长
B.增加存储单元数量
C.提高存储器的速度
D.降低存储器的平均价格
26、RAM芯片并联时可以（ A ）
A.增加存储字长
B. 增加存储单元数量
C.提高存储器的速度
D.降低存储器的平均价
27、下面所叙述不正确的是（ C ）
A.随机存储器可以随时存取信息，掉电后信息丢失
B.访问随机存储器时，访问时间与单元的物理位置无关
C.内存中存储的信息均是不可改变的
D.随机存储器和制度存储器可以统一编址
28、和外存相比，内存的特点是（ C ）
A.容量大，速度快，成本低
B.容量大，速度慢，成本高
C.容量小，速度快，成本高
D.容量小，速度快，成本低
29、下列元件中存取最快的是（）
A.Cache
B.寄存器
C.内存
D.外存
30、RAM和ROM的主要区别是（ B ）
A.断电后，ROM内保存的信息会丢失，RAM则可长期保存而不会丢失
B.断电后，RAM内保存的信息会丢失，ROM则可长期保存而不会丢失
C.ROM是外存，RAM是内存
D.RAM是外存，ROM是内存
31、某计算机字长16位，其存储容量为2MB，按半字编址，它的寻址范围是（ C ）
A.0~8M-1
B.0~4M-1
C.0~2M-1
D.0~1M-1
32、某计算机字长32位，其存储容量为8MB，按双字编址，它的寻址范围是（ D ）
A.0~256K-1
B.0~512K-1
C.0~2M-1
D.0~1M-1
33、计算机的存储器采用分级方式是为了（ B ）
A.减少主机箱的体积
B.解决容量、价格、速度三者之间的矛盾
C.保存大量数据方便
D.操作方便
34、在主机和CPU之间增加cache的目的是（ C ）
A.增加内存容量
B.提高内存的可靠性
C.解决CPU与内存之间的速度匹配问题
D.增加内存容量，同时加快存取速度
35、采用虚拟存储器的主要目的（ B ）
A.提高主存的存取速度
B.扩大存储器空间，并能进行自动管理
C.提高外存的存取速度
D.扩大外存储器空间
36、程序访问的局部性是使用（ B ）的依据。
A.缓冲
B.Cache
C.虚拟内存
D.进程
37、有关高速缓冲存储器的说法正确的是（ B ）
A.只能在CPU 以外
B.CPU内外都可以设置
C.只能在CPU以内
D.若存在cache，CPU就不能再访问主存
38、软盘驱动器在寻找数据时（ C ）
A.盘片不动，磁头运动
B.盘片运动，磁头不运动
C.盘片运动，磁头运动
D.盘片不动，磁头不运动
39、磁盘存储器的记录方式一般采用（ C ）
A.归零制
B.不归零制
C.改进的调频制
D.调相制
40、一张3.5英寸软盘的存储容量为（），每个扇区存储的固定数据是（ A ）。
A.1.44MB，512B
B.1MB，1024B
C.2MB，256B
D.1.44MB，512KB
41、磁盘的等待时间通常指（ A ）
A.磁盘转半周所需的时间
B.磁盘转2/3周所需的时间
C.磁盘转1/3周所需的时间
D.磁盘转一周所需的时间
42、以下描述中基本概念正确的句子是（ A ）
A.硬盘转速高、存取速度快
B.软盘转速高、存取速度快
C.硬盘是接触式读写
D.软盘是浮动磁头读写
43、若磁盘的转速提高一倍，则（ D ）
A.平均存取时间减半
B.平均寻道时间减半
C.存储密度可以提高一倍
D.平均定位时间不变
44、活动头磁盘存储器的平均存取时间是指（ C ）
A.最大找道时间加上最小找道时间
B.平均找道时间
C.平均找道时间加平均等待时间
D.平均等待时间
45、活动头磁盘存储器的找道时间是指（ C ）
A.最大找道时间
B.最小找道时间
C.最大找道时间加上最小找道时间的平均值
D.最大找道时间加上最小找道时间
46、在下列几种存储器中，CPU可直接访问的是（ A ）。
A. 主存储器
B. 磁盘
C. 磁带
D. 光盘
47、在主存和CPU之间增加cache存储器的目的是( C )。
A. 增加内存容量
B. 提高内存的可靠性
C. 解决CPU与内存之间的速度匹配问题
D.增加内存容量，同时加快存取速度
48、SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为( B )。
A．64，16 B．16，16 C．64，8 D．16，64。
49、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最
高的是( C )。
A DRAM
B SRAM
C FLASH ROM
D EPROM
50、双端口存储器所以能进行高速读/写操作，是因为采用（ D ）。
A.高速芯片 B 新型器件 C 流水技术 D 两套相互独立的读写电路
51、某单片机字长32位，其存储容量为4MB。若按字编址，它的寻址范围是（A ）。
A.1M
B.4MB
C.4M
D.1MB
52、 EEPROM是指（D ）
A.读写存储器 B 只读存储器 C 闪速存储器 D 电编程只读存储器
53、一个Cache-主存系统，采用50MHz 的时钟，存储器以每一个时钟周期传输一个字的速率，连续传输8 个字，以支持块长为8 个字的Cache，每个字4 个字节。假设读操作所花的时间是：1 个周期接受地址，3 个周期延迟，8 个传输周期传输8 个字；写操作所花的时间是：1 个周期接受地址，2 个周期延迟，8 个周期传输8 个字，3 个周期恢复和写入纠错码，则当系统以35%为读操作，65%为写操作的访问情况工作，则存储器最大带宽为（ D ）A．133.2MBps B．114.4MBps C．126MBps D．120.3MBps
分析：
时钟50MHZ，时钟周期为20ns.
读操作的时间：Tr =（1+3+8）×20n s = 240ns
写操作的时间：Tw = （1+2+8+3）×20ns = 280ns
则综合加权的时间是：240ns×0.35 + 280ns×0.65 = 266ns
带宽为（也就是266ns 可以传输8 个字，或者说传输32 字节）：
Bn = 32B/（266×10-9 s）≈ 120.3MBps
54、在下列Cache 替换算法中，一般情况下，（ D ）性能最优。
A．随机法 B．先进先出法 C．后进先出法 D．近期最少使用法
55、4 片16K×8 位的存储芯片可以设计成（ D ）容量的存储器。
Ⅰ. 64K×8 位Ⅱ. 32K×4 位Ⅲ. 32K×16 位Ⅳ. 16K×32 位
A．Ⅰ、Ⅱ B．Ⅱ、Ⅲ C．Ⅰ、Ⅲ D．Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
56、某机器字长16 位，主存容量为16MB，若按半字寻址，其寻址范围大小为（ D ）。
A．4M B．2M C．8M D．16M
57、高速缓冲存储器Cache 一般采取（ A ）。
A. 随机存取方式
B. 顺序存取方式
C. 半顺序存取方式
D. 只读不写方式
58、若存储周期250ns，每次读出16 位，则该存储器的数据传送率为（ C ）。
A. 4×106字节/秒
B. 4M 字节/秒
C. 8×106字节/秒
D. 8M 字节/秒
59、半导体静态存储器SRAM 的存储原理是（ A ）。
A. 依靠双稳态电路
B. 依靠定时刷新
C. 依靠读后再生
D. 信息不再变化
60、在下列 Cache 替换算法中，一般说来哪一种比较好（D ）。
A．随机法 B．先进先出法C．后进先出法D．近期最少使用法
解析：在Cache替换算法中，随机法是随机地确定替换的存储单元，先进先出法是替换最早调入的存储单元，它们都没有根据程序访存局部性原理，命中率较低；近期最少使用法比较正确地利用了程序访存局部性原理，替换出近期用得最少的存储块，命中率较高，是一种比较好的替换算法。而后进先出法不是Cache所使用的替换算法，此法在堆栈存储结构中使用。
61、存储器的随机访问方式是指（D ）。
A．可随意访问存储器B．按随机文件访问存储器
C．可对存储器进行读出与写入D．可按地址访问存储器任一编址单元，其访问时间相同且与地址无关
62、高速缓冲存储器（cache）的存取速度（ C ）。
A．比内存慢，比外存快 B．比内存慢，比寄存器快C．比内存快，比寄存器慢63、某计算机的主存为3KB，则内存地址寄存器需要（ C ）位就足够了。
A．10 B．11 C．12 D．13
解析：3KB小于212，
64、在微机中，CPU访问各类存储器的频率由高到低的次序为（ A ）。
A．高速缓存、内存、磁盘、磁带 B．内存、磁盘、磁带、高速缓存
C．磁盘、内存、磁带、高速缓存 D．磁盘、高速缓存、内存、磁带
65、常用的虚拟存储器寻址系统由（ A ）两级存储器组成。
A．主存—辅存 B．cache—主存 C．cache—辅存 D．cache—cache 66、下面说法中，正确的是（ D ）。
A．EPROM是不能改写的 B．EPROM是可改写的，所以也是一种读/写存储器
C．EPROM只能改写一次D．EPROM是可改写的，但它不能作为读/写存储器
67、在一个具有24条地址线的微机系统中，装有16KB ROM, 480KB RAM和100MB的硬盘，说明其内存容量为（ A ）。
A．496KB B．16KB C．100MB D.480KB
解析：内存由ROM和RAM构成
68、对于地址总线为32位的微处理器来说，其直接寻址的范围可达（ D ）。
A．1MB B．16MB C．64MB D．4GB
解析：32根地址线，寻址空间232
69、在磁盘和磁带两种磁表面存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储
方式分，( B )。
A．二者都是串行存取； B．磁盘是部分串行存取，磁带是串行存取；
C．磁带是部分串行存取，磁盘是串行存取； D．二者都是并行存取。
70、DRAM的中文含义是.( B )
A、静态随机存储器
B、动态随机存储器
C、静态只读存储器
D、动态只读存储器
71、动态RAM的特点是（C ）
A、工作中需要动态地改变存储单元内容
B、工作中需要动态地改变访存地址
C、每隔一定时间需要刷新
D、每次读出后需要刷新
72、计算机的主存储器是指（ C ）。
A、RAM和C磁盘
B、ROM
C、ROM和RAM
D、硬盘和控制器
73、下列不能用作存储容量单位的是（ B ）。
A、Byte
B、MIPS
C、KB
D、GB
74、存储容量1GB等于（ C ）。
A、1024B
B、1024KB
C、1024MB
D、128MB
75、ROM是只读存储器，固化有开机必读的例行程序，关机时（ B ）。
A.信息自动消失
B.不会消失消失后自行恢复 D.用户可以随时改写
2009-2012研究生全国统考存储器部分选择题（部分）
1、某计算机的Cache共有16块，采用2路组相联映射方式（即每组2块）。每个主存块大小为32字节，按字节编址。主存129号单元所在主存块应装入到的Cache组号是（ C ）。 A．0 B. 2 C. 4 D. 6
2、某计算机主存容量为64KB，其中ROM区为4KB，其余为RAM区，按字节编址。现要用2K ×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片来设计该存储器，则需要上述规格的ROM芯片数和RAM芯片数分别是( D ).
A．1、15 B．2、15 C．1、30 D．2、30
3、用若干个2K x 4位芯片组成一个8K x 8位存储器，则0B1FH所在芯片的最小地址是( D )
A.0000H
B.0600H
C.0700H
D.0800H
4、下列有关RAM和ROM得叙述中正确的是( A ).
I RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器
II RAM和ROM都是采用随机存取方式进行信息访问
III RAM和ROM都可用做Cache IV RAM和ROM都需要进行刷新
A. 仅I和II
B. 仅II和III
C. 仅I ，II， III
D. 仅II，III，IV
5、下列各类存储器中，不采用随机存取方式的是( B )
A．EPROM B．CDROM C．DRAM D．SRAM
6、某计算机存储器按字节编址，主存地址空间大小为64MB，现用4M×8位的RAM芯片组成32MB的主存储器，则存储器地址寄存器MAR的位数至少是( D )
A．22位 B．23位 C．25位D．26位
7、下列关于闪存（Flash Memory）的叙述中，错误的是( A )。
A．信息可读可写，并且读、写速度一样快
B．存储元由MOS管组成，是一种半导体存储器
C．掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器
D．采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器
二、填空题
1、计算机系统中的存储器分为（内存）和（外存）。在CPU执行程序时，必须将指令存放在（内存）中。
2、输入、输出设备以及（辅助存储器）统称为外围设备。
3、计算机存储器的最小单位为（比特）。1KB容量的存储器能够存储 8192个这样的基本单位。
4、对存储器的要求是（容量大，速度快，成本低），为了解决这三方面的矛盾，计算机采用（多级存储）体系结构。
5、存储器的技术指标有（存储容量），（存取时间），(存储周期），（存储器带宽）。
、CPU能直接访问(cache)和(主存)，但不能直接访问( 辅助存储器 )。
、广泛使用的SRAM和DRAM都是半导体（随机访问）储器，前者的速度比后者快，但（集成度）不如后者高。它们的共同缺点是断电后（不能）保存信息。
8、相联存储器不按地址而是按（内容）访问的存储器。
9、cache是为了解决CPU和主存之间（速度）不匹配而采用的一项重要的硬件技术。
0、主存与cache的地址映射有（全相联）、（直接）（组相联）三种方式。其中（组相联）方式，适度地兼顾了前二者的优点又尽量避免其缺点。
11、半导体SRAM靠（触发器）存储信息，半导体DRAM则是靠（电荷存储器件存储信息）。
12、DRAM存储器的刷新一般有（集中式、分散式和异步式）三种方式，之所以刷新是因为（有电荷泄漏，需定期补充）。
13、使用cache是为了解决（CPU和主存的速度匹配，提高主存速度）问题，存储管理主要由（硬件）实现。使用虚拟存储器是为了解决（扩大主存容量和地址分配）问题，存储管理主要由（软件）实现。后一种情况下，CPU（不能直接）访问第二级存储器。
14、虚拟存储器通常由（主存）和（辅存）两级存储系统组成。为了在一台特定的机器上执行程序，必须把（逻辑地址）映射到这台机器主存储器的（物理地址）空间上，这个过程称为（地址映射）。
15、为了便于主存和辅存之间的信息交换，虚拟存储器一般采用（二维）或三维的复合地址格式。根据地址格式不同，虚拟存储器分为（页式、段式和段页式）三种。
16、根据目前常用的存储介质可以把存储器分为（半导体存储器、磁表面存储器和光存储器）3 种。
17、 ROM 可分为掩模式只读存储器（ MROM ）、可编程只读存储器（ PROM ）、可擦除可编程只读存储器（ EPROM ）和电擦除可编程只读存储器（ EEPROM ） 4 种。
18、采用4K × 4 位规格的静态 RAM 存储芯片扩展为32K × 16 位的存储器，需要这种规模的存储芯片（ 32 ）片。
19、要组成容量为4K × 8 位的存储器，需要 8 片4K × 1 位的静态 RAM 芯片并联，或者需要 4 片1K × 8 位的静态 RAM 芯片串联。
20、 Cache 的地址映射方式有（直接映射、全相联映射和组相联映射）3 种。
21、某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，它的最大存储容量是（232×16位）。
22、某ＳＲＡＭ的单元存放有一个数据如３ＣＨ，ＣＰＵ将它读取后，该单元的内容是（3CH）。
23、三级存储系统是由（Cache ）、主存储器和（辅（外）存）构成。
24、一个具有8KB直接映像Cache的32位计算机系统，主存容量为32MB，假定该Cache 中块的大小为4个32位字。主存地址中区号（ 12 ）位，块号（ 9 ）位，块内地址（ 4 ）位。主存地址为ABCDEF16的单元在Cache中的位置是（DEFH ）。
解：区号：32MB/8KB=4K， 12位
块号：8KB/4*4B=512， 9位
块内地址：4*32/8=16， 4位（字节地址）
主存地址为ABCDEF16的单元在Cache中的位置是0 1101 1110 1111，即DEF16
25、地址线A15～A0（低），若选取用16K×1存储芯片构成64KB存储器，则应由地址码（最高2位）译码产生片选信号。
解：用16K×1芯片构成64KB的存储器，需要的芯片数量为：(64K×8)/(16K×1)=32，每8片一组分成4组，每组按位扩展方式组成一个16K×8位的模块，4个模块按字扩展方式构成64KB的存储器。存储器的容量为64K=216，需要16位地址，选用A15-A0为地址线；每个模块的容量为16K=214需要14位地址，选用A13-A0为每个模块提供地址；A15、A14通过2-4译码器对4个模块进行片选。
26、将2K×4位的RAM存储芯片构成一个8KB的存储器，所需的芯片数量（ 8 ）片，需要（ 13 ）根地址线寻址该存储器，每个芯片需要（ 11 ）位地址，它们是（ A0-A10 ），片选信号由（ A11 A12 ）提供。
解：用2K×4位／片的RAM存储芯片构成一个8KB（8K×8位）的存储器，所需的芯片数量为：（8K×8）/（2K×4）=8片，每两片作为一组共4组，每组内采用位扩展法组成一个2K×8的模块，4个2KX8的模块按字扩展法构成8K×8的存储器，即8KB的存储器。此存储器的容量为8KB，需13位地址（213=8K），选用A12-A0作为地址线，A13，A14，A15不用，各芯片的容量均为2K，需11位地址，用A10~A0向每个芯片提供地址，All， A12通过一个2-4译码器对4个模块进行选择，每个输出控制一个模块内的两个芯片，各个模块的片选控制信号CS对应的输入分别为：00，01，10，11。
三、判断题
1．计算机的主存是由RAM和ROM两种半导体存储器组成的。（T）
2．CPU可以直接访问主存，而不能直接访问辅存。（T）
3．外（辅）存比主存的存储容量大、存取速度快。(F)
4．动态RAM和静态RAM都是易失性半导体存储器。（T）
5．Cache的功能全部由硬件实现。（T）
6．引入虚拟存储器的目的是为了加快辅存的存取速度。(F)
7．多体交叉存储器主要是为了解决扩充容量的问题。(F)
8．Cache和虚拟存储器的存储管理策略都利用了程序的局部性原理。（T）
9．多级存储体系由Cache、主存和辅存构成。（T）
10. CPU访问存储器的时间是由存储器的容量决定的。(F)
四、综合题
1、用512K×8 位的Flash 存储芯片组成一个4M×32 位的半导体只读存储器，存储器按字节编址，试回答以下问题：
（1）该存储器的数据线数和地址线数分别为多少？
（2）共需要几片这样的存储芯片？
（3）说明每根地址线的作用。
解：
（1）由于所需组成存储器的最终容量为4M×32 位，所以需要32 根数据线。而存储器又是以字节编址，所以我们需要将存储器的容量先转换成16M×8 位，所以需要地址线24 根（224=16M）。
（2）采用512K×8 位的Flash 存储芯片组成4M×32 位的存储器时，需要进行位扩展和字扩展：
位扩展：4 片512K×8 位的Flash 存储芯片位扩展可以组成512K×32 位的Flash 存储芯
片。
字扩展：8 组512K×32 位的Flash 存储芯片字扩展可以组成4M×32 位的存储器。
综上，一共需要4×8=32 片512K×8 位的存储芯片。
（3）在CPU 的24 根地址线中（A0～A23），地址线的作用分配如下：
A0、A1、：由于在进行位扩展中，使用了4 片512K×8 位的Flash 存储芯片，而存储器是按字节编址的，所以必须在某个时候都可以取到其中的任何一片，使用00、01、10、11 分别来标记这4 片。
A2～A20 ：每一片都是512K，所以需要19 位（219=512K）来表示。
A21、A22、、A23：因为在扩展中4 片一组，一共有8 组，所以需要用3 位地址线来决定取哪一组（通过3-8 译码器形成片选信号）
2、设有一个具有20位地址和64位字长的存储器，问：
（1）该存储器能存储多少个字节的信息？
（2）如果存储器由256K x 8位SRAM芯片组成，需要多少片？
（3）需要多少位地址作芯片选择？为什么？
【解】
（1）220 * 64 / 8 B = 1M * 8 B = 8 MB
（2）8MB / (256K * 8 / 8 B) = 8MB / 256KB = 32片
（3）∵每8片芯片组成一组256K * 64位的存储器，每片芯片有18位地址（对应于256K 个存储单元）
∴低18位地址直接接芯片的18位地址端，高2位地址通过2：4译码器作芯片选择。
3、CPU执行一段程序时，cache完成存取的次数为2000次，主存完成存取的次数为180次，已知cache存储周期为40ns，主存存储周期为250ns，求cache的命中率、cache/主存系统的效率和平均访问时间。
【解】
Nc = 2000，Nm = 180
tc = 40 ns，tm = 250 ns
∴命中率h = Nc/(Nc+Nm) = 2000/(2000+180) = 0.917 = 91.7%
平均访问时间ta = h*tc+(1-h)tm = 0.917*40+(1-0.917)*250 = 57.43 ns
效率e = tc/ta = 40/57.43 = 0.6965 = 69.65%
4、什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为32位，存取周期为200ns，则存储器的带宽是多少？
解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。
存储器带宽= 1/200ns ×32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒（注：1ns=10-9s）
5、一个容量为16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是多少？当选用下列不同规格的存储芯片时，各需要多少片？
1K×4位，2K×8位，4K×4位，16K×1位，4K×8位，8K×8位
解：地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46根；
选择不同的芯片时，各需要的片数为：
1K×4：（16K×32） / （1K×4）= 16×8 = 128片
2K×8：（16K×32） / （2K×8）= 8×4 = 32片
4K×4：（16K×32） / （4K×4）= 4×8 = 32片
16K×1：（16K×32）/ （16K×1）= 1×32 = 32片
4K×8：（16K×32）/ （4K×8）= 4×4 = 16片
8K×8：（16K×32） / （8K×8）= 2×4 = 8片
6、设有一个具有24位地址和8位字长的存储器，求：
（1）该存储器能存储多少字节的信息？
（2）若存储器由4M×4位的RAM芯片组成，需要多少片？
（3）需要哪种译码器实现芯片选择？说明地址线分配情况
解：
⑴存储单元数为224＝16MB，故能存储16M字节的信息。
⑵由于存储容量为16MB（8位字长），每4M字节需要2片（位并联方式），故需芯片数为16/4×2＝8片。
⑶若用8片组成一个16M（8位字长），地址总线的低22位可直接连到芯片的A0-A21管脚，而地址总线的高2位（A22，A23）需要通过2：4线译码器进行芯片选择。存储器组成方案为位并联和地址串联相结合的方式。
7、CPU执行一段程序时，cache完成存取的次数为5000次，主存完成存取的次数为2000次。已知cache存取周期为40ns，主存存取周期为160ns。求：
1）Cache 命中率H，
2）Cache/主存系统的访问效率e，
3）平均访问时间Ta。
解：①命中率 H = Nc/（Nc+Nm） = 5000/（5000+2000）=5000/5200=0.96
②主存慢于cache的倍率 R = Tm/Tc=160Ns/40Ns=4
访问效率：
ｅ＝１／［ｒ＋（１－ｒ）Ｈ］＝１／［４+（１－４）×０.９６］
＝８９.３℅
③平均访问时间Ｔａ＝Ｔｃ／ｅ＝４０／０.８９３＝４５nｓ
8、某机器中，已知配有一个地址空间为(0000—1FFF)16的ROM区域，现在用一个SRAM芯片（8K×8位）形成一个16K×16位的RAM区域，起始地址为（2000）16。假设SRAM芯片有CS和WE控制端，CPU地址总线A15——A0，数据总线为D15——D0，控制信号为R / W （读 / 写），MREQ（当存储器读或写时，该信号指示地址总线上的地址是有效的）。要求：（1）满足已知条件的存储器，画出地址译码方案。
（2）画出ROM与RAM同CPU连接图。
解：存储器地址空间分布如图所示，分三组，每组8K×16位。
由此可得存储器方案要点如下：
（1）组内地址：A12——A0（A0为低位）；
（2）组号译码使用2 ：4 译码器；
（3）RAM1，RAM 2各用两片SRAM芯片位进行并联连接，其中一片组成高8位，另一片组成低8位。
（4）用 MREQ 作为2 ：4译码器使能控制端，该信号低电平（有效）时，译码器工作。（5）CPU的R / W 信号与SRAM的WE端连接，当R / W = 1时存储器执行读操作，当R / W = 0时，存储器执行写操作。
CPU
（6）
9、某硬盘由20个磁头，900个柱面，每个柱面46个扇区，每个扇区可记录512B，试计算该硬盘的容量。
解：硬盘容量： 20*900*46*512B=414MB
10、某磁盘组有4个盘片，5个记录面，每个记录面的内磁道直径为22CM，外磁道直径为33CM，最大位密度为1600bit/cm，道密度80道/cm，转速为3600转/秒。
(1)磁盘组的总存储量是多少位？
(2)最大数据传输率是多少？
(3)请提供一个表示磁盘信息地址的方案。
解:
（1）总容量=每面容量*记录面数
每面容量=某一磁道容量*磁道数
某磁道容量=磁道长*本道密度
因此，最内层磁道密度容量=1600bit/cm*22cm*3.14=110528B/道
磁道数=存储区域长*道密度=（33-22）cm/2*80道/cm=440道
最后得到该磁盘组的容量=110528B/道*440道*5=253616000B
(2)最大数据传输率=转速*某磁道的容量=3600转/60s*110528B=6631680B/s
(3)磁盘地址由台号、盘面号、柱面号、扇区号构成，扇区中又以数据块进行组织。
由上述计算可以看出：盘面5个，需3位。柱面440个，需9位。扇区一般为9个，需要4位地址。台号一般设2位。故磁盘地址由18位组成，格式如下
仪器分析考试题及答案
仪器分析练习题及答案 第2章气相色谱分析 一．选择题 1.在气相色谱分析中, 用于定性分析的参数是 ( ) A 保留值 B 峰面积 C 分离度 D 半峰宽 2. 在气相色谱分析中, 用于定量分析的参数是 ( ) A 保留时间 B 保留体积 C 半峰宽 D 峰面积 3. 使用热导池检测器时, 应选用下列哪种气体作载气, 其效果最好？ ( ) A H2 B He C Ar D N2 4. 热导池检测器是一种 ( ) A 浓度型检测器 B 质量型检测器 C 只对含碳、氢的有机化合物有响应的检测器 D 只对含硫、磷化合物有响应的检测器 5. 使用氢火焰离子化检测器, 选用下列哪种气体作载气最合适？ ( ) A H2 B He C Ar D N2 6、色谱法分离混合物的可能性决定于试样混合物在固定相中（）的差别。 A. 沸点差， B. 温度差， C. 吸光度， D. 分配系数。 7、选择固定液时，一般根据（）原则。 A. 沸点高低， B. 熔点高低， C. 相似相溶， D. 化学稳定性。 8、相对保留值是指某组分2与某组分1的（）。 A. 调整保留值之比， B. 死时间之比， C. 保留时间之比， D. 保留体积之比。 9、气相色谱定量分析时（）要求进样量特别准确。 A.内标法； B.外标法； C.面积归一法。 10、理论塔板数反映了（）。 A.分离度； B. 分配系数； C．保留值； D．柱的效能。 11、下列气相色谱仪的检测器中，属于质量型检测器的是（） A．热导池和氢焰离子化检测器；B．火焰光度和氢焰离子化检测器； C．热导池和电子捕获检测器； D．火焰光度和电子捕获检测器。 12、在气-液色谱中，为了改变色谱柱的选择性，主要可进行如下哪种（些）操作？（） A. 改变固定相的种类 B. 改变载气的种类和流速 C. 改变色谱柱的柱温 D. （A）、（B）和（C） 13、进行色谱分析时，进样时间过长会导致半峰宽（）。 A. 没有变化， B. 变宽， C. 变窄， D. 不成线性 14、在气液色谱中，色谱柱的使用上限温度取决于（） A.样品中沸点最高组分的沸点， B.样品中各组分沸点的平均值。 C.固定液的沸点。 D.固定液的最高使用温度 15、分配系数与下列哪些因素有关（）
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第三章存储系统习题参考答案 1．有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问： （1）该存储器能存储多少个字节的信息？ （2）如果存储器由512K×8位SRAM芯片组成，需要多少芯片？ （3）需要多少位地址作芯片选择？ 解：（1）∵ 220= 1M，∴ 该存储器能存储的信息为：1M×32/8=4MB （2）（1000/512）×（32/8）= 8（片） （3）需要1位地址作为芯片选择。 2. 已知某64位机主存采用半导体存储器，其地址码为26位，若使用4M×8位的DRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块板结构形式，问：（1）每个模块板为16M×64位，共需几个模块板？ （2）个模块板内共有多少DRAM芯片? （3）主存共需多少DRAM芯片? CPU如何选择各模块板？ 解：(1). 共需模块板数为m： m=÷224=4(块) (2). 每个模块板内有DRAM芯片数为n: n=(224/222) ×(64/8)=32 (片) (3) 主存共需DRAM芯片为：4×32=128 (片) 每个模块板有32片DRAM芯片，容量为16M×64位，需24根地址线(A23~A0)完成模块板内存储单元寻址。一共有4块模块板，采用2根高位地址线(A25~A24)，通过2：4译码器译码产生片选信号对各模块板进行选择。 3．用16K×8位的DRAM芯片组成64K×32位存储器，要求： (1) 画出该存储器的组成逻辑框图。 (2) 设存储器读/写周期为0.5μS, CPU在1μS内至少要访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷
新一遍所需的实际刷新时间是多少？ 解：（1）组成64K×32位存储器需存储芯片数为 N=（64K/16K）×（32位/8位）=16（片） 每4片组成16K×32位的存储区，有A13-A0作为片内地址，用A15 A14经2：4译码器产生片选信号，逻辑框图如下所示： （2）依题意，采用异步刷新方式较合理，可满足CPU在1μS内至少访问内存一次的要求。 设16K×8位存储芯片的阵列结构为128行×128列，按行刷新，刷新周期T=2ms，则异步刷新的间隔时间为： 则两次刷新的最大时间间隔发生的示意图如下 可见，两次刷新的最大时间间隔为ｔｍａｘ ｔｍａｘ＝15.5-0.5=15 (μS) 对全部存储单元刷新一遍所需时间为t R t R ＝0.5×128=64 (μS)
宏观经济学思考题及参考答案
宏观经济学思考题及参考答案（1） 第四章 基本概念：潜在GDP，总供给，总需求，AS曲线，AD曲线。 思考题 1、宏观经济学的主要目标是什么?写出每个主要目标的简短定义。请详细解释 为什么每一个目标都十分重要。 答:宏观经济学目标主要有四个:充分就业、物价稳定、经济增长和国际收支平衡。 （1)充分就业的本义是指所有资源得到充分利用，目前主要用人力资源作为充分就业的标准;充分就业本不是指百分之百的就业，一般地说充分就业允许的失业范畴为4%。只有经济实现了充分就业，一国经济才能生产出潜在的GDP，从而使一国拥有更多的收入用于提高一国的福利水平。 （2）物价稳定，即把通胀率维持在低而稳定的水平上。物价稳定是指一般物价水平(即总物价水平)的稳定;物价稳定并不是指通货膨胀率为零的状态，而是维持一种能为社会所接受的低而稳定的通货膨胀率的经济状态，一般指通货膨胀率为百分之十以下。物价稳定可以防止经济的剧烈波动，防止各种扭曲对经济造成负面影响。 (3)经济增长是指保持合意的经济增长率。经济增长是指单纯的生产增长，经济增长率并不是越高越好，经济增长的同时必须带来经济发展;经济增长率一般是用实际国民生产总值的年平均增长率来衡量的。只有经济不断的增长，才能满足人类无限的欲望。 （4)国际收支平衡是指国际收支既无赤字又无盈余的状态。国际收支平衡是一国对外经济目标，必须注意和国内目标的配合使用;正确处理国内目标与国际目标的矛盾。在开放经济下，一国与他国来往日益密切，保持国际收支的基本平衡，才能使一国避免受到他国经济波动带来的负面影响。 3，题略 答:a.石油价格大幅度上涨，作为一种不利的供给冲击，将会使增加企业的生产成本，从而使总供给减少，总供给曲线AS将向左上方移动。 b.一项削减国防开支的裁军协议，而与此同时，政府没有采取减税或者增加政府支出的政策，则将减少一国的总需求水平，从而使总需求曲线AD向左下方移动。 c.潜在产出水平的增加，将有效提高一国所能生产出的商品和劳务水平，从而使总供给曲线AS向右下方移动。 d.放松银根使得利率降低，这将有效刺激经济中的投资需求等，从而使总需求增加，总需求曲线AD向右上方移动。 第五章 基本概念：GDP，名义GDP，实际GDP，NDP，DI，CPI，PPI。 思考题： 5.为什么下列各项不被计入美国的GDP之中? a优秀的厨师在自己家里烹制膳食; b购买一块土地; c购买一幅伦勃朗的绘画真品; d某人在2009年播放一张2005年录制的CD所获得的价值; e电力公司排放的污染物对房屋和庄稼的损害;
仪器分析练习题及答案
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存储器相关习题
预览： 计算机组成原理——习题与解析第四章存储器系统邵桂芳 4.2半导体存储器 4.2.1填空题 1. 计算机中的存储器是用来存放__①___的, 随机访问存储器的访问速度与___② ___无关。答案:①程序和数据②存储位置 2. 对存储器的访问包括______和________两类。 答案:①读②写 3. 计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。在CPU 执行程序时,必须将指令存在____③____中。 答案:①内存②外存③内存 4. 主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。 答案:①存储容量②存取时间 5. 存储器中用①来区分不同的存储单元, 1GB=②KB 。 答案:①地址②1024X1024(或220) 6. 半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。 答案:①静态存储器(SRAM) ②动态存储器(DRAM) 7. RAM 的访问时间与存储单元的物理位置①,任何存储单元的内容都能被② 答案:①无关②随机访问 8. 存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。 答案:①存储体②读写电路 9. 地址译码分为①方式和②方式。 答案:①单译码②双译码 10.双译码方式采用①个地址译码器,分别产生②和③信号。 答案:①两②行选通③列选通 11.若RAM 芯片内有1024个单元,用单译码方式,地址译码器将有①条输出线;用双译码方式,地址译码器有②条输出线。 答案:①1024 ②64 12. 静态存储单元是由晶体管构成的①, 保证记忆单元始终处于稳定状态, 存储的信息不需要②。 答案:①双稳态电路②刷新(或恢复) 13.存储器芯片并联的目的是为了①,串联的目的是为了②。 答案:①位扩展②字节单元扩展 14.计算机的主存容量与①有关,其容量为②。 答案:①计算机地址总线的根数②2地址线数 15.要组成容量为4MX8位的存储器, 需要①片4MXl 位的存储器芯片并联, 或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。 答案:①8 ② 4 16.内存储器容量为256K 时,若首地址为00000H ,那么末地址的十六进制表示是 答案:3FFFFH 17.主存储器一般采用①存储器件,它与外存比较存取速度②、成本③。 答案:①半导体②快③高 18.三级存储器系统是指______这三级: 答案:高缓、内存、外存 预览：
(完整版)思考题及习题2参考答案
第2章思考题及习题2参考答案 一、填空 1. 在AT89S51单片机中，如果采用6MHz晶振，一个机器周期为。答：2μs 2. AT89S51单片机的机器周期等于个时钟振荡周期。答：12 3. 内部RAM中，位地址为40H、88H的位，该位所在字节的字节地址分别为 和。答：28H，88H 4. 片内字节地址为2AH单元最低位的位地址是；片内字节地址为A8H单元的最低位的位地址为。答：50H，A8H 5. 若A中的内容为63H，那么，P标志位的值为。答：0 6. AT89S51单片机复位后，R4所对应的存储单元的地址为，因上电时PSW= 。这时当前的工作寄存器区是组工作寄存器区。答：04H，00H，0。 7. 内部RAM中，可作为工作寄存器区的单元地址为 H～ H。答：00H，1FH 8. 通过堆栈操作实现子程序调用时，首先要把的内容入栈，以进行断点保护。调用子程序返回指令时，再进行出栈保护，把保护的断点送回到，先弹出的是原来中的内容。答：PC, PC，PCH 9. AT89S51单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的，因为AT89S51单片机的PC是16位的，因此其寻址的范围为 KB。答：64 10. AT89S51单片机复位时，P0~P3口的各引脚为电平。答：高 11. AT89S51单片机使用片外振荡器作为时钟信号时，引脚XTAL1接，引脚XTAL2的接法是。答：片外振荡器的输出信号，悬空 12. AT89S51单片机复位时，堆栈指针SP中的内容为，程序指针PC中的内容为 。答：07H，0000H 二、单选 1. 程序在运行中，当前PC的值是。 A．当前正在执行指令的前一条指令的地址 B．当前正在执行指令的地址。 C．当前正在执行指令的下一条指令的首地址 D．控制器中指令寄存器的地址。 答：C 2. 判断下列哪一种说法是正确的？
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气相色谱分析 一．选择题 1.在气相色谱分析中, 用于定性分析的参数是( ) A 保留值 B 峰面积 C 分离度 D 半峰宽 2. 在气相色谱分析中, 用于定量分析的参数是( ) A 保留时间 B 保留体积 C 半峰宽 D 峰面积 3. 使用热导池检测器时, 应选用下列哪种气体作载气, 其效果最好？( ) A H2 B He C Ar D N2 4. 热导池检测器是一种( ) A 浓度型检测器 B 质量型检测器 C 只对含碳、氢的有机化合物有响应的检测器 D 只对含硫、磷化合物有响应的检测器 5. 使用氢火焰离子化检测器, 选用下列哪种气体作载气最合适？( ) A H2 B He C Ar D N2 6、色谱法分离混合物的可能性决定于试样混合物在固定相中（）的差别。 A. 沸点差， B. 温度差， C. 吸光度， D. 分配系数。 7、选择固定液时，一般根据（）原则。 A. 沸点高低， B. 熔点高低， C. 相似相溶， D. 化学稳定性。 8、相对保留值是指某组分2与某组分1的（）。 A. 调整保留值之比， B. 死时间之比， C. 保留时间之比， D. 保留体积之比。 9、气相色谱定量分析时（）要求进样量特别准确。 A.内标法； B.外标法； C.面积归一法。 10、理论塔板数反映了（）。 A.分离度； B. 分配系数；C．保留值；D．柱的效能。 11、下列气相色谱仪的检测器中，属于质量型检测器的是（） A．热导池和氢焰离子化检测器； B．火焰光度和氢焰离子化检测器； C．热导池和电子捕获检测器；D．火焰光度和电子捕获检测器。 12、在气-液色谱中，为了改变色谱柱的选择性，主要可进行如下哪种（些）操作？（） A. 改变固定相的种类 B. 改变载气的种类和流速 C. 改变色谱柱的柱温 D. （A）、（B）和（C） 13、进行色谱分析时，进样时间过长会导致半峰宽（）。 A. 没有变化， B. 变宽， C. 变窄， D. 不成线性 14、在气液色谱中，色谱柱的使用上限温度取决于（） A.样品中沸点最高组分的沸点， B.样品中各组分沸点的平均值。 C.固定液的沸点。 D.固定液的最高使用温度 15、分配系数与下列哪些因素有关（） A.与温度有关； B.与柱压有关； C.与气、液相体积有关； D.与组分、固定液的热力学性质有关。 二、填空题 1.在一定温度下, 采用非极性固定液，用气-液色谱分离同系物有机化合物, ____________先流出色谱柱,
第7章_微型计算机存储器习题参考答案
计算机存储器 7.1 一个微机系统中通常有哪几级存储器？它们各起什么作用？性能上有什么特点？ 答：一个微机系统中通常有3级存储器结构：高速缓冲存储器、内存储器和辅助存储器。 高速缓冲存储器简称快存，是一种高速、小容量存储器，临时存放指令和数据，以提高处理速度。 内存存取速度快，CPU可直接对它进行访问，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。 辅存存储容量大，价格低，CPU不能直接进行访问，通常用来存放系统程序、大型文件及数据库等。 7.2 半导体存储器分为哪两大类？随机存取存储器由哪几个部分组成？ 答：根据存取方式的不同，半导体存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM 两类。其中随机存取存储器主要由地址译码电路、存储体、三态数据缓冲器和控制逻辑组成。 7.3 什么是SRAM，DRAM，ROM，PROM，EPROM和EEPROM？ 答：SRAM：静态随机存取存储器；DRAM：动态随机存取存储器；ROM：掩膜只读存储器；PROM：可编程的只读存储器；EPROM：可擦除可编程只读存储器；EEPROM：用电可擦除可编程只读存储器。 7.4 常用的存储器片选控制方法有哪几种？它们各有什么优缺点？ 答：常用的存储器片选控制译码方法有线选法、全译码法和部分译码法。 线选法：当存储器容量不大、所使用的存储芯片数量不多、而CPU寻址空间远远大于存储器容量时，可用高位地址线直接作为存储芯片的片选信号，每一根地址线选通一块芯片，这种方法称为线选法。直观简单，但存在地址空间重叠问题。 全译码法：除了将低位地址总线直接与各芯片的地址线相连接之外，其余高位地址总线全部经译码后作为各芯片的片选信号。采用全译码法时，存储器的地址是连续的且唯一确定，即无地址间断和地址重叠现象。 部分译码法：将高位地址线中的一部分进行译码，产生片选信号。该方法常用于不需要全部地址空间的寻址、采用线选法地址线又不够用的情况。采用部分译码法存在地址空间重叠的问题。 7.5 动态RAM为什么要进行定时刷新？EPROM存储器芯片在没有写入信息时，各个单元的内容是什么？ 答：DRAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因此对DRAM必须定时进行刷新，使泄漏的电荷得到补充。 EPROM存储器芯片在没有写入信息时，各个单元的内容是1。 7.6 某SRAM的单元中存放有一个数据如5AH，CPU将它读取后，该单元的内容是什么？答：5AH。 7.7 下列ROM芯片各需要多少个地址输入端？多少个数据输出端？ （1）16×4位（2）32×8位
思考题与习题答案
思考题与习题 1 1- 1 回答以下问题： ( 1)半导体材料具有哪些主要特性？ (2) 分析杂质半导体中多数载流子和少数载流子的来源； (3) P 型半导体中空穴的数量远多于自由电子， N 型半 导体中自由电子的数量远多于空穴， 为什么它们对外却都呈电中性？ (4) 已知温度为15C 时，PN 结的反向饱和电流 I s 10 A 。当温度为35 C 时，该PN 结 的反向饱和 电流I s 大约为多大？ ( 5)试比较二极管在 Q 点处直流电阻和交流电阻的大小。 解： ( 1)半导体的导电能力会随着温度、光照的变化或掺入杂质浓度的多少而发生显着改变， 即半导体具 有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。 ( 2)杂质半导体中的多数载流子是由杂质原子提供的，例如 供一个自由电子，P 型半导体中一个杂质原子提供一个空穴， 浓度；少数载流子则是由热激发产生的。 (3) 尽管P 型半导体中空穴浓度远大于自由电子浓度，但 P 型半导体中，掺杂的杂质原子因获得一个价电子而变成带负电的杂 质离子(但不能移动)，价 电子离开后的空位变成了空穴，两者的电量相互抵消，杂质半导体从总体上来说仍是电中性的。 同理， N 型半导体中虽然自由电子浓度远大于空穴浓度，但 N 型半导体也是电中性的。 (4) 由于温度每升高10 C ，PN 结的反向饱和电流约增大 1倍，因此温度为 35C 时，反向 饱和电流为 (5) 二极管在 Q 点处的直流电阻为 交流电阻为 式中U D 为二极管两端的直流电压， U D U on ，I D 为二极管上流过的直流电流， U T 为温度的 电压当量，常温下 U T 26mV ，可见 r d R D 。 1- 2 理想二极管组成的电路如题 1- 2图所示。试判断图中二极管是导通还是截止，并确定 各电路的输 出电压。 解 理想二极管导通时的正向压降为零， 截止时的反向电流为零。 本题应首先判断二极管的工 作状 态，再进一步求解输出电压。二极管工作状态的一般判断方法是：断开二极管， 求解其端口 电压；若该电压使二极管正偏， 则导通； 若反偏， 则截止。 当电路中有两只或两只以上二极管时， 可分别应用该方法判断每只二极管的工作状态。 需要注意的是， 当多只二极管的阳极相连 (共阳 极接法)时，阴极电位最低的管子将优先导通；同理，当多只二极管的阴极相连(共阴极接法) 时，阳极电位最高的管子将优先导通。 (a) 断开二极管 D ，阳极电位为12V ，阴极电位为6V ，故导通。输岀电压 U O 12V 。 (b) 断开二极管 D 1、D 2, D 1、D 2为共阴极接法，其阴极电位均为 6V ，而D 1的阳极电位 为9V ， D 2的阳极电位为5V ,故D 1优先导通，将 D 2的阴极电位钳制在 7.5V ，D 2因反向偏置而 截止。输岀电压 U O 7.5V 。 N 型半导体中一个杂质原子提 因此 多子浓度约等于所掺入的杂质 P 型半导体本身不带电。因为在
第4章-存储器管理练习题(答案)
第四章存储器管理 一、单项选择题 1、存储管理的目的是（C ）。 A.方便用户 B.提高内存利用率 C.方便用户和提高内存利用率 D.增加内存实际容量 2、在（A）中，不可能产生系统抖动的现象。 A.固定分区管理 B.请求页式管理 C.段式管理 D.机器中不存在病毒时 3、当程序经过编译或者汇编以后，形成了一种由机器指令组成的集合，被称为（B ）。 A.源程序 B.目标程序 C.可执行程序 D.非执行程序 4、可由CPU调用执行的程序所对应的地址空间为（D ）。 A.符号名空间 B.虚拟地址空间 C.相对地址空间 D.物理地址空间 5、存储分配解决多道作业[1C]划分问题。为了实现静态和动态存储分配，需采用地址重定位，即把[2C]变成[3D]，静态重定位由[4D]实现，动态重定位由[5A]实现。 供选择的答案： [1]：A 地址空间B 符号名空间C 主存空间D 虚存空间 [2]、[3]：A 页面地址B 段地址C 逻辑地址D 物理地址E 外存地址F 设备地址 [4]、[5]：A 硬件地址变换机构B 执行程序C 汇编程序 D 连接装入程序 E 调试程序 F 编译程序 G 解释程序 6、分区管理要求对每一个作业都分配（A ）的内存单元。 A.地址连续 B.若干地址不连续 C.若干连续的帧 D.若干不连续的帧 7、（C ）存储管理支持多道程序设计，算法简单，但存储碎片多。 A.段式 B.页式 C.固定分区 D.段页式 8、处理器有32位地址，则它的虚拟地址空间为（B）字节。A.2GB B.4GB C.100KB D.640KB 9、虚拟存储技术是（A）。 A.补充内存物理空间的技术 B.补充相对地址空间的技术 C.扩充外存空间的技术 D.扩充输入输出缓冲区的技术 10、虚拟内存的容量只受（D）的限制。 A.物理内存的大小 B.磁盘空间的大小 C.数据存放的实际地址 D.计算机地址字长 11、虚拟存储技术与（A ）不能配合使用。
存储器 练习题答案
一、选择题 1、存储器和CPU之间增加Cache的目的是( )。 A. 增加内存容量 B. 提高内存的可靠性 C. 解决CPU与内存之间速度问题 D.增加内存容量，同时加快存取速度 2、常用的虚拟存储系统由（）两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。 A 主存-辅存 B 快存-主存 C 快存-辅存 D 通用寄存器-主存 3、双端口存储器所以能高速进行读/ 写，是因为采用（）。A．高速芯片B．两套相互独立的读写电路 C．流水技术D．新型器件 4、在下列几种存储器中，CPU可直接访问的是（）。 A. 主存储器 B. 磁盘 C. 磁带 D. 光盘 5、SRAM芯片，存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。 A．64，16 B．16，16 C．64，8 D．16，64。 6、采用虚拟存储器的主要目的是（）。 A．扩大主存储器的存储空间，并能进行自动管理和调度B．提高主存储器的存取速度 C．提高外存储器的存取速度 D．扩大外存储器的存储空间
7、双端口存储器在（）情况下会发生读/写冲突。 A. 左端口与右端口的地址码不同 B. 左、右端口的地址码相同 C. 左、右端口的数据码相同 D. 左、右端口的数据码不同 8、计算机系统中的存储器系统是指（）。 A RAM存储器 B ROM存储器 C 主存储器D主存储器和外存储器 9、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围是（）。 A 0~4MB-1 B 0~2MB-1 C 0~2M-1 D 0~1M-1 10、某一SRAM芯片，采用地址线与数据线分离的方式，其容量为512×8位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最小数目应是（）。 A 23 B 25 C 50 D 19 11、以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是（）。 A DRAM B SRAM C FLASH ROM D EPROM 12、计算机的存储器采用分级存储体系的目的是（）。A．便于读写数据B．减小机箱的体积
管理学思考题及参考答案
管理学思考题及参考答案 第一章 1、什么是管理？ 管理：协调工作活动过程（即职能），以便能够有效率和有效果地同别人一起或通过别人实现组织的目标。 2、效率与效果 效率：正确地做事（如何做） 效果：做正确的事（该不该做） 3、管理者三层次 高层管理者、中层管理者、基层管理者 4、管理职能和（或）过程——职能论 计划、组织、控制、领导 5、管理角色——角色论 人际角色：挂名首脑、领导人、联络人 信息角色：监督者、传播者、发言人 决策角色：企业家、混乱驾驭者、资源分配者、谈判者 6、管理技能——技能论 用图表达。 高层管理概念技能最重要，中层管理3种技能都需要且较平衡，基层管理技术技能最重要。 7、组织三特征？ 明确的目的 精细的结构 合适的人员 第二章 泰罗的三大实验： 泰罗是科学管理之父。记住3个实验的名称：1、搬运生铁实验，2、铁锹实验，3、高速钢实验 4、吉尔布雷斯夫妇 动作研究之父 管理界中的居里夫妇 5、法约尔的十四原则 法约尔是管理过程理论之父 记住“十四原则”这个名称就可以了。 6、法约尔的“跳板” 图。 7、韦伯理想的官僚行政组织组织理论之父。6维度：劳动分工、权威等级、正式甄选、非个人的、正式规则、职业生涯导向。 8、韦伯的3种权力 超凡的权力 传统的权力 法定的权力。 9、巴纳德的协作系统论 协作意愿 共同目标 信息沟通 10、罗伯特·欧文的人事管理 人事管理之父。职业经理人的先驱 11、福莱特冲突论 管理理论之母 1)利益结合、 2)一方自愿退让、 3)斗争、战胜另一方 4)妥协。 12、霍桑试验 1924-1932年、梅奥 照明试验、继电器试验、大规模访谈、接线试验 13、朱兰的质量观 质量是一种合用性 14、80/20的法则 多数，它们只能造成少许的影响；少数，它们造成主要的、重大的影响。 15、五项修炼 自我超越 改善心智 共同愿景 团队学习 系统思考 第三章 1、管理万能论 管理者对组织的成败负有直接责任。 2、管理象征论 是外部力量，而不是管理，决定成果。 3、何为组织文化 组织成员共有的价值观和信念体系。这一体系在很大程度上决定成员的行为方式。 4、组织文化七维度
仪器分析试卷及答案[1]
仪器分析试卷(2005.6.25) 一、选择题(共15题22分) 1.所谓真空紫外区,所指的波长范围是( ) (1)200～400nm(2)400～800nm(3)1000nm(4)10～200nm 2.比较下列化合物的UV－VIS吸收波长的位置（λmax）( ) (1)a>b>c(2)c>b>a(3)b>a>c(4)c>a>b 3.可见光的能量应为( ) (1)1.24×104～1.24×106eV(2)1.43×102～71eV (3)6.2～3.1eV(4)3.1～1.65eV 4.电子能级间隔越小,跃迁时吸收光子的( ) (1)能量越大(2)波长越长(3)波数越大(4)频率越高 5.荧光分析法和磷光分析法的灵敏度比吸收光度法的灵敏度( ) (1)高(2)低(3)相当(4)不一定谁高谁低 6.三种原子光谱(发射、吸收与荧光)分析法在应用方面的主要共同点为( ) (1)精密度高,检出限低(2)用于测定无机元素 (3)线性范围宽(4)多元素同时测定 7.当弹簧的力常数增加一倍时,其振动频率( ) (1)增加倍(2)减少倍(3)增加0.41倍(4)增加1倍 8.请回答下列化合物中哪个吸收峰的频率最高？( 4) 9.下列化合物的1HNMR谱,各组峰全是单峰的是( ) (1)CH3-OOC-CH2CH3(2)(CH3)2CH-O-CH(CH3)2 (3)CH3-OOC-CH2-COO-CH3(4)CH3CH2-OOC-CH2CH2-COO-CH2CH3 10.某化合物的相对分子质量M r=72,红外光谱指出,该化合物含羰基,则该化合物可能的分子式为( ) (1)C4H8O(2)C3H4O2(3)C3H6NO(4)(1)或(2) 11.物质的紫外-可见吸收光谱的产生是由于( )
2015 2016 01 存储器练习题 带参考答案
2015-2016-01-存储器练习题. 带参考答案
A 存储器的读出时间 B 、存储器的写 一、选择题（75+7题） 1、 计算机系统中的存储器系统是指（D ）。 A RAM 存储器 B 、ROM 存储器 C 主存储器 D 、主存储器和外存储器 2、 存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要 用来（C ）。 A 、存放数据 B 、存放程序 放数据和程序 D 存放微程序 3、 存储单元是指（B ）。 A 、存放一个二进制信息位的存储元 存放一个机器字的所有存储元集合 C 存放一个字节的所有存储元集合 存放 两个字节的所有存储元集合 4、 计算机的存储器米用分级存储体系的主要目 的是（D ）。 A 便于读写数据 C 便于系统升级 价格 和存取速度之间的矛盾 B 、 B 、减小机箱的体积 D 解决存储容量、
5、存储周期是指（C ）。 A存储器的读出时间B、存储器的写
入时间 C存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 6、和外存储器相比，内存储器的特点是（C ） A容量大，速度快，成本低 大，速度慢，成本高 C容量小，速度快，成本高小，速度快，成本低 7、某计算机字长16位，它的存储容量按字编址，那么它的寻址范围是B、容量D容量 A、0 ?64K B、0 ?32K D 0?32KB &某SRAM芯片，其存储容量为 芯片的地址线和数据线数目为（ A 64,16 B、16,64 16,16 9、某DRAM芯片，其存储容量为芯片的地址线和数据线数目为（ A 8,512 B、512,8 19，8 （B C、 64K若 ）。 0 ? 64K B 64KX 16 位， D ）。 C 64,8 512KX8 位， D ）。 C 18,8 D 、
第1章思考题及参考答案
第一章思考题及参考答案 １. 无多余约束几何不变体系简单组成规则间有何关系？ 答：最基本的三角形规则，其间关系可用下图说明： 图a 为三刚片三铰不共线情况。图b 为III 刚片改成链杆，两刚片一铰一杆不共线情况。图c 为I 、II 刚片间的铰改成两链杆（虚铰），两刚片三杆不全部平行、不交于一点的情况。图d 为三个实铰均改成两链杆（虚铰），变成三刚片每两刚片间用一虚铰相连、三虚铰不共线的情况。图e 为将I 、III 看成二元体，减二元体所成的情况。 2．实铰与虚铰有何差别？ 答：从瞬间转动效应来说，实铰和虚铰是一样的。但是实铰的转动中心是不变的，而虚铰转动中心为瞬间的链杆交点，产生转动后瞬时转动中心是要变化的，也即“铰”的位置实铰不变，虚铰要发生变化。 3．试举例说明瞬变体系不能作为结构的原因。接近瞬变的体系是否可作为结构？ 答：如图所示AC 、CB 与大地三刚片由A 、B 、C 三铰彼此相连，因为三铰共线，体系瞬变。设该 体系受图示荷载P F 作用，体系C 点发生微小位移 δ，AC 、CB 分别转过微小角度α和β。微小位移 后三铰不再共线变成几何不变体系，在变形后的位置体系能平衡外荷P F ，取隔离体如图所 示，则列投影平衡方程可得 210 cos cos 0x F T T βα=?=∑，21P 0 sin sin y F T T F βα=+=∑ 由于位移δ非常小，因此cos cos 1βα≈≈，sin , sin ββαα≈≈，将此代入上式可得 21T T T ≈=，()P P F T F T βαβα +==?∞+， 由此可见，瞬变体系受荷作用后将产生巨大的内力，没有材料可以经受巨大内力而不破坏，因而瞬变体系不能作为结构。由上分析可见，虽三铰不共线，但当体系接近瞬变时，一样将产生巨大内力，因此也不能作为结构使用。 4．平面体系几何组成特征与其静力特征间关系如何? 答：无多余约束几何不变体系?静定结构（仅用平衡条件就能分析受力） 有多余约束几何不变体系?超静定结构（仅用平衡条件不能全部解决受力分析） 瞬变体系?受小的外力作用，瞬时可导致某些杆无穷大的内力 常变体系?除特定外力作用外，不能平衡 5． 系计算自由度有何作用？ 答：当W >０时，可确定体系一定可变；当W <０且不可变时，可确定第４章超静定次数；W ＝０又不能用简单规则分析时，可用第２章零载法分析体系可变性。 6．作平面体系组成分析的基本思路、步骤如何？ 答：分析的基本思路是先设法化简，找刚片看能用什么规则分析。
仪器分析练习题及答案
1. 对下列的物理量单位进行换算： (1) 150pm X射线的波数（cm-1）； (2) 670.7nm Li线的频率（Hz）； (3) 3300cm-1波数的波长（μm）。 2. 计算下列电磁辐射的频率（Hz）、波数（cm-1）及光量子的能量（用电子伏eV、尔格erg及千卡/摩尔表示）： (1) 波长为589.0nm的钠D线； (2) 在12.6μm的红外吸收峰。 3. 将波长为443nm的光通过折射率为1.329的甲醇溶液时，试计算： (1) 在甲醇溶液中的传播速度； (2) 频率； (3) 能量（J）； (4) 周期（s）。 4. 辐射通过空气（n=1.00027）与某玻璃（n=1.7000）界面时，其反射损失的能量大约有多少？ 5. 何谓光的二象性？何谓电磁波谱？ 6. 请按照能量递增和波长递增的顺序，分别排列下列电磁辐射区：红外线，无线电波，可见光，紫外光，X射线，微波。 7. 光谱法的仪器通常由哪几部分组成？它们的作用是什么？
1. 原子发射光谱是怎样产生的？为什么各种元素的原子都有其特征的谱线？ 2. 光谱仪的意义是什么？为何写出Mg285.2nm共振线的光谱线跃迁表达式？ 3. 试比较原子发射光谱中几种常用激发光源的工作原理、特性及适用范围。 4. 简述ICP光源的工作原理及其优点？ 5. 光谱仪的主要部件可分为几个部分？各部件的作用如何？ 6. 棱镜摄谱仪和光栅摄谱仪的性能各用那些指标表示？各性能指标的意义是什么？ 7. 比较摄谱仪及光电直读光谱仪的异同点？ 8. 分析下列试样时应选用何种激发光源？ ⑴矿石的定性、半定量分析； ⑵合金中铜的定量分析（0.x～x%）； ⑶钢中锰的定量分析（0.0x～0.x%）； ⑷头发中各元素的定量分析； ⑸水质调查中Cr、Mn、Cu、Fe、Zn、Pb的定量分析。 9. 影响原子发射光谱的谱线强度的因素是什么？产生谱线自吸及自蚀的原因是什么？ 10. 解释下列名词：
2015-2016-01存储器练习题带参考答案讲解
存储器练习题参考答案 一、选择题（75+7题） 1、计算机系统中的存储器系统是指( D )。 A、RAM存储器 B、ROM存储器 C、主存储器 D、主存储器和外存储器 2、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来( C )。 A、存放数据 B、存放程序 C、存放数据和程序 D、存放微程序 3、存储单元是指( B )。 A、存放一个二进制信息位的存储元 B、存放一个机器字的所有存储元集合 C、存放一个字节的所有存储元集合 D、存放两个字节的所有存储元集合 4、计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是( D )。 A、便于读写数据 B、减小机箱的体积 C、便于系统升级 D、解决存储容量、价格和存取速度之间的矛盾 5、存储周期是指( C )。 A、存储器的读出时间 B、存储器的写入时间 C、存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔 D、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔 6、和外存储器相比，内存储器的特点是( C )。 A、容量大，速度快，成本低 B、容量大，速度慢，成本高 C、容量小，速度快，成本高 D、容量小，速度快，成本低 7、某计算机字长16位，它的存储容量64K，若按字编址，那么它的寻址范围是( B )。 A、0～64K B、0～32K C、0～64KB D、0～32KB 8、某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。 A、64,16 B、16,64 C、64,8 D、16,16 9、某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为( D )。 A、8,512 B、512,8 C、18,8 D、19，8 10、某机字长32位，存储容量1MB，若按字编址，它的寻址范围是( C )。 A、0～1M B、0～512KB C、0～256K D、0～256KB 11、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是( A )。 A、0～1M B、0～4MB C、0～4M D、0～1MB 12、某计算机字长32位，其存储容量为4MB，若按半字编址，它的寻址范围( C )。 A、0～4MB B、0～2MB C、0～2M D、0～1MB 13、某计算机字长为32位，其存储容量为16MB，若按双字编址，它的寻址范围是( B )。 A、0～16MB B、0～8M C、0～8MB D、0～16MB 14、某SRAM芯片，其容量为512×8位，加上电源端和接地端，该芯片引出线的最小数目应为( D )。 A、23 B、25 C、50 D、19 15、相联存储器是按( C )进行寻址的存储器。 A、地址指定方式 B、堆栈存取方式 C、内容指定方式 D、地址指定与堆栈存取方式结合 16、主存储器和CPU之间增加cache的目的是( A )。 A、解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B、扩大主存储器的容量
(完整版)仪器分析试题及答案
(完整版)仪器分析试 题及答案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
复习题库 绪论 1、仪器分析法：采用专门的仪器，通过测量能表征物质某些物理、化学特性的物理量，来对物质进行分析的方法。 （ A ）2、以下哪些方法不属于电化学分析法。 A、荧光光谱法 B、电位法 C、库仑分析法 D、电解分析法 （ B ）3、以下哪些方法不属于光学分析法。 A、荧光光谱法 B、电位法 C、紫外-可见吸收光谱法 D、原子吸收法（ A ）4、以下哪些方法不属于色谱分析法。 A、荧光广谱法 B、气相色谱法 C、液相色谱法 D、纸色谱法 5、简述玻璃器皿的洗涤方法和洗涤干净的标志。 答：（1）最方便的方法是用肥皂、洗涤剂等以毛刷进行清洗，然后依次用自来水、蒸馏水淋洗。（3分） （2）玻璃器皿被污染的程度不同，所选用的洗涤液也有所不同：如： ①工业盐酸——碱性物质及大多数无机物残渣（1分） ②热碱溶液——油污及某些有机物（1分） ③碱性高锰酸钾溶液——油污及某些有机物（1分） （3）洗涤干净的标志是：清洗干净后的玻璃器皿表面，倒置时应布上一层薄薄的水膜，而不挂水珠。（3分） 6、简述分析天平的使用方法和注意事项。 答：（1）水平调节。观察水平仪，如水平仪水泡偏移，需调整水平调节脚，使水泡位于水平仪中心。（2分） （2）预热。接通电源，预热至规定时间后。（1分） （3）开启显示器，轻按ON键，显示器全亮，约2 s后，显示天平的型号，然后是称量模式0.0000 g。（2分） （4）称量。按TAR键清零，置容器于称盘上，天平显示容器质量，再按TAR 键，显示零，即去除皮重。再置称量物于容器中，或将称量物（粉末状物或液