红宝石电容资料c_ZLJ

2 电容知识大全——专家超详细讲解

万鹏原创：最强最深入的电容讲座·实战篇 字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 01-18 09:39 作者: 万鹏来源: 泡泡网查看: 1718 次 本文作者万鹏简介：95年开始接触显卡，97年开始在《电脑报》、《微型计算机》上发表文章，99年进入耕宇公司，目前任职耕宇公司市场部，PCPOP技术顾问。曾用笔名：ECLIPSE、INTENSE、万大善人。假如您还没阅读过本文的上篇，那么我们强烈推荐您先阅读一遍：会攒机不叫DIY，迄今为止最深入的电容剖析。 第1页：铝电解液电容的制造过程 小地：万鹏你好，在上次的文章当中，我们了解了电容的构造、原理、阴极和阳极的分类，并且对如今性能最优秀的电解电容——固体聚合物导体电容进行了详尽的剖析。而这次，我们要谈些什么呢？ 万鹏：假如说上次我们所讲的内容，都是以理论为主的话，那么这次我们要谈的则更加的实际——这包括电容的制造过程、电容的寿命以及不同品牌、不同型号电容的性能特点。 在本章节我们首先讲一讲贴片铝电解液电容的制造方法，贴片铝电解液电容是如今的显卡上最常见的电容之一。大家看完本章后，就能明白这种电容是如何从原材料变成现在的模样了。事实上其它种类的贴片电解电容，例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似，只是阴极采用的材料不是电解液，而是固体聚合物等等。

贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容 贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤，我们就按顺序逐一为大家讲解： 第一步：铝箔的腐蚀。 假如拆开一个铝电解液电容的外壳，你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸，铝箔和电解纸贴附在一起，卷绕成筒状的结构，这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。 因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积，电容中的铝箔的表面并不是光滑的，而是经过电化腐蚀法，使其表面形成凹凸不平的形状，这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右，而经过这道工艺之后，它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的，其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟，因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。 第二步：氧化膜形成工艺。

电容器参数大全

电容器 电容器通常简称其为电容，用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I 级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 注：用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量，n为正或负整数。 主要参数的意义：标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系（ 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上； 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上； 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上； 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上； 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上； 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上；

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法： 1．直标法 指在电容器的表面直接用数字和单位符号或字母标注出标称容量和耐压等。 例某电容器上标CD—1、2200μF、35V，表示这是一个铝电解电容器，标称容量为2200μF，耐压为35V。 某电容器上标CA1—1、2.2±5%、DC63V，表示这是一个钽电解电容器，标称容量为2.2μF，允许误差为±5%，直流耐压为63V。 2．数字加字母标注法 指用数字和字母有规律的组合来表示容量，字母既表示小数点，又表示后缀单位。 例 p10表示0.1pF 1p0表示1pF 6P 8表示6.8pF 2μ2表示2.2μF 7p5表示7.5 pF 2n2表示2.2nF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μ F G1表示100μF 3．数码标注法 数码标注法多用于非电解电容器的标注，它采用三位数标注和四位数标注： 1）三位数标注法采用三位数标注的电容器，前两位数字表示标称值的有效数字，第三位表示有效数字后缀零的个数，它们的单位是pF。这种标注法中有一个特殊的，就是当第三位数字是９时，它表示有效数字乘以１０-1。 例１０２表示标称容量是１０００pF，即１nF； ４７３表示标称容量是４７０００pF，即４７nF。４７９表示标称容量是4.7pF。 2) 四位数标注法采用四位数标注的电容器不标注单位。这种标注方法是用1 ~4位数字表示电容量，其容量单位是pF；若用0.0X或0.X时，其单位为μF。

例 47表示标称容量是47 pF ；0.56表示标称容量是0.56μF 。 采用数码标注的，有些后面带的还有字母，它表示允许误差。识别方法： D——±0.5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% 例 223J表示标称容量是22000 pF，误差为±5% 。 4．电容器容量允许误差的标注方法 电容器容量允许误差的标注方法主要有三种： 1）用字母表误差 识别方法： B——±0.1% C——±0.25% D——±0. 5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% N——±30% 例 223J表示标称容量是22000 pF，误差为±5% 。 2）直接标出误差的值 例33 pF±0.2 pF则表示电容器的标称容量是33 pF，允许误差是±0.2 pF。 3）直接用数字表示百分比的误差 例 0.33/5 则表示电容器的标称容量是0.33μF，允许误差是±5%

电容器基本知识

電容器基本知識 一、定義：由兩金屬极板加以絕緣物質隔離所構成的可儲存電能的元件稱為電容器 二、代號：“C” 三、單位：法拉(F) 微法(uF) 納法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流 因電容由兩金屬片構成，中間有絕緣物，直流電無法流過電容，但通上交流電時，由於電容能充放電所致，所以能通上交流 五、作用：濾波、耦合交變信號、旁路等 六、電容的串聯、並聯計算 1.串聯電路中，總容量=1÷各電容容量倒數之和 例： 2.並聯電路中，總容量=各電容容量之和 例： 七、電容的標示： 1.直標法：直接表示容量、單位、工作電壓等。如1uF/50V 2.代表法：用數字、字母、符號表示容量、單位、工作電壓等 如：“104”表示容量為“100000pF” “Z”表示容量誤差“+80% -20%” “”表示工作電壓“50V” 八、電容的分類 1.按介質分四大類 1).有機介質電容器(極性介質與非極性介質，一般有真合介質、漆膜介質等)

2).無機介質電容器(雲母電容器、陶瓷電容器、波璃釉電容器 3).電解電容器(以電化學方式形式氧化膜作介質，如鋁Al2O3鉭Ta2O5) 4).氣體介質電容器(真空、空氣、充氣、氣膜復合) 2.按結構分四大類 1).固定電容器 2).可變電容器 3).微調電容器(半可變電容器) 4).電解電容器 3.按用途分 1).按電壓分低壓電容器、高壓電容器 2).按使用頻率分低頻電容器(50周/秒或60周/秒)和高頻電容器(100K周/秒) 3).按電路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干擾(X2)、儲能、溫度補償等 九、我司主要使用之電容： 1).電解電容 2).陶瓷電容(包括Y電容與積層電容、SMD電容) 3).塑膠薄膜電容(包括金屬薄膜電容器、X2電容器、嘜拉電容器) 電解電容(E/C) 一、概述 電解電容的構造是由陽箔、陰箔、電解紙、電解液之結合而成的，陽箔經化成後含有一高介電常數三氧化鋁膜(Al2O3)，此氧化膜當作陽箔與陰箔間的絕緣層，氧化膜的厚度即為箔間之距離(d)，此厚度可由化成來加以控制，由於氧化膜的介電常數高且厚度薄，故電解電容器的容量較其他電容高。電解電容的實值陽极是氧化膜接觸之電解液，而陰箔只是將電流傳屋電解液而已，電解紙是用來幫助電解液及避免陽箔、陰箔直接接觸因磨擦而使氧化膜磨損。 即電解電容器是高純度之鋁金屬為陽极，以陽极氧化所開氧化膜作為電介質，以液體電解液為電解質，另與陰极鋁箔所構成之電容器。

常见的音频用电解电容

音响常用的电解电容[转] 常见的音频用电解电容系列： 三洋Sanyo：固体电容SP，SG，SEP，SVP等； 日本化工NCC：AUDIO，ASF、AWF、给各个音响厂定制的系列； 美国化工UCC：U36D，URZA和其他延续思碧继续生产的电容系列； 红宝石Rubycon：BlackGate； 尼康nichicon：MUSE系列的FW，KW、FineGold，KZ，FA，FX，ES，KG等；松下Matsushi1ta：FM，FK，FC，FJ，Pureism，AUDIO，Master，MasterII，X-Pro；伊娜ELNA：RJJ，RJH，FOR AUDIO，R2O，R2A，R3A，Starget，Cerafine，Silmic，SilmicII，给各个音响厂定制品； 欧美各国生产高品质音频用电容的厂家：法国SIC-SAFCO，瑞典RIFA，德国ROE，德国ERO，美国思碧(SP)，法国L.M.T，法国S.L.C.E，荷兰飞利浦(BC)，德国西门子，意大利A V，德国威马(WIMA)，德国FRAKO，英国BHC，丹麦杰森JENSEN，美国MIT，美国REL-CAP，美国摩罗利(Mallory)，美国伊利诺(IC)，法国苏伦(SOLEN)，瑞典EVOX，以色列威世(Vishay)。 SIC-SAFCO: SIC-SAFCO SIC-SAFCO是拥有84年厂史的法国电容厂，就是著名的特弗龙电容的生产厂。ALSIC系列电容是其生产的LL型长寿命低阻抗系列105度耐高温品种，来自法国的补品电解电容SIC-SAFCO，音色高贵。高速，高Ripple电流，低自感，极低内阻，超长寿命直逼rifa 124系列。低频下潜好，弹性十足，音色甜美温暖，声音秀气 象二八少女一样纯情，解析力也相当高。用它来摩CD机解码，做退藕部分相当完全。其高压电容十分受胆友喜欢。 ROE: ROE

电容品牌大全

电容品牌大全（转） 电容品牌大全 主板厂商惯用电容品牌 富士康Rubycon Sanyo 华擎KZG KZE 升技Rubycon 技嘉Rubycon KZG OST 磐正Sanyo OST GSC 微星KZG OST 华硕Nichicon KZG 硕泰克Sanyo Sacon 捷波GSC 七彩虹Taicon 按照Intel主板技术白皮书的介绍，主板CPU插槽附近的滤波电容单个容量最低要求为1000μF。大部分主板上常见电容的容量为2200μF，好的主板采用3500μF甚至更高容量的电容。而在Intel的原装主板上，一般单个电容容量都在3300μF以上，这就是Intel主板极其稳定的重要原因之一。可见“电容决定主板质量”这话一点不假。下面是主要电容品牌的体系图，都是从电容厂商的网站上DOWN下来的，买电容的时候可以参考一下： 目前只找到SANYO、nichicon的体系图，其它厂商只提供PDF文档，有兴趣的可以去看： SANYO: www.secc.co.jp/english/index.html nichicon: https://www.sodocs.net/doc/399103509.html, chemicon: https://www.sodocs.net/doc/399103509.html, rubycon: https://www.sodocs.net/doc/399103509.html, teapo: https://www.sodocs.net/doc/399103509.html,

OST: https://www.sodocs.net/doc/399103509.html, 总结一下，比较适合主板使用的电容必须是\"Low Impedance & ESR\"、\"Very Low Impedance & ESR\"、\"Ultra Low Impedance & ESR\" 且温度为105C的，Ultra的最好 SANYO:MV-WG、MV-WX、MV-SWG、MB-UWG、MB-EXR等系列 nichicon: H开头的系列,P开头的系列 chemicon: KZE、KZG系列 rubycon: YXF、YXG、ZL、ZLH、MBZ、MCZ系列 teapo: SC、SM、SZ系列 OST: RLP、RLZ系列 系列太多了，列举不完。在可选的系列中，再根据PDF的资料，选择寿命比较长的就好了，一般PC 只需在2000小时以上就差不多了，5000小时以上的一是难买，二是贵。 还有，就是不要迷信什么音响发烧电容、拆机电容等。这些电容，有的是85C的，有的不是LOW ESR 的，拆机电容有的生产日期距今已有十多年，就算再好也不能用。 一句话，适合的才是最好的。 电容厂商电容品牌 日系名厂Nichicon Rubycon KZG Sanyo KZE Panasonic 二线厂商OST Jackcon Nippon Teapo Taicon 其他厂商Sacon GSC Chocon Fcon 一线电容： Sanyo----三洋电容 Rubycon---红宝石 Nichicon --日系电容 KZG-------日系电容日本化工,Nippon Chemi-con

电容大小识别大全

电容大小识别 上图举出了一些例子。其中，电解电容有正负之分，其他都没有。 电容的容量单位为：法（F）、微法（uf），皮法（pf)。一般我们不用法做单位，因为它太大了。各单位之间的换算关系为： 1F =1000mF=1000×1000uF 1uF=1000nF =1000×1000pF 电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障（常见电容爆裂）。 电容的容量标识的几种方法： 一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。 二、使用单位nF： 如上图的涤纶电容，标称4n7=4.7nF=4700pF。 还有的例如：10n=0.01uF；33n=0.033uF。后面的63是指电容耐压63v. 三、数学计数法： 如上图瓷介电容，标值104，容量就是：10X10000pF=0.1uF. 如果标值473，即为47X1000pF=0.047uF。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。 又如：332=33X100pF=3300pF 102=10×102pF=1000pF 224=22×104pF=0.22 uF 四、电容容量误差表： 符号 F G J K L M

电容基本知识

产品说明 贴片电容产品规格说明及选用基本知识 电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上分主要有：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨. 如何理解电容介质击穿强度 介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。 当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温 度密切相关，介质强度隨温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降，而且和绝缘电阻一样，介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大，因此介 质强度反比于介质层厚度。类似地，介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作 电压的2.5倍）時，不发生击穿失效。 如何理解绝缘电阻IR 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。 绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子键和共价键牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率 是有限，并非无穷大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。 电容器的射频电流与功率 这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决 定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作，它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。 最大的额定电压决定于电容器的阻抗（Xc），就好像功率损耗决定于电阻的阻抗，或者叫做电容的等效电阻（ESR） Xc是由公式：Xc＝1/[2πFC]计算出来，这里的F是频率，单位是Hz；C是容量，单位是F。 在没有超出电容器的额定电压情况下，允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的：I=Er/Xc这里的Er是电容器的额定电压，电流是峰值电流，单位是A。 流过电容的实际电流是这样计算出来：I=Ea/Xc，这里的Ea是应用电压或者是实际工作。 下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。 例1：0.1pF，500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10－12)]＝1591ohms 电流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms. 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例2：1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10－12)]＝159ohms 电流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 例3：10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上： 等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10－12)]＝15.9ohms 电流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms 如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。 结论：最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率，在功率极限下工作 的电流峰值是7A，平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下，电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作，它的实际最大工作电流是2Arms，如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。 如何理解电容器的静电容量 A.电容量 电容器的基本特性是能够储存电荷（Q），而Q值与电容量（C）和外加电压（V）成正比。 Q=CV 因此充电电流被定义为： =dQ/dt=CdV/dt 当外加在电容器上的电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，我们将电容量定义为1法拉。 C=Q/V=库仑/伏特=法拉 由于法拉是一个很大的测量单位，在实际使用中很难达到，因此通常采用的是法拉的分数，即： 皮法（pF）=10-12F 纳法（nF）=10-9F 微法（mF）=10-6F B.电容量影响因素 对于任何给定的电压，单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数： C=KA/f(t) K=介电常数 A=电极面积 t=介质层厚度 f=换算因子 在英制单位体系中，f=4.452，尺寸A和t的单位用英寸，电容量用皮法表示。单层电容器为例，电极面积1.0×1.0″，介质层厚度0.56″，介电常数2500， C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF 如果采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸单位改为cm， C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF 正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系，增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而，对于单层电容器来说，无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此，平行 列阵迭片电容器的概念被提出，用以制造具有更大比体积电容的完整器件。 在这种“多层”结构中，由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄，电极面积A得以大大增加，因此电容量C会随着因子N（介质层数）的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。 C=KA’N/4.452（t’） 以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量，现在如果采用相同的介质材料，以厚度为0.001″的30层介质相迭加成尺寸仅为0.050×0.040×0.040″的多层元件即可获得（这里重合电极面积A’为0.030×0.020″）。 C=2500（0.030）（0.020）30/4.452（0.01）=10107pF 上面的实例表明在多层结构电容器尺寸相对于单层电容器小700倍的情况下仍能提供相同的电容量。因此通过优化几何尺寸，选择有很高介电常数和良好电性能（能在形成薄层结构后保持良好的绝 缘电阻和介质强度）的介质材料即可设计和制造出具有最大电容量体积系数的元件。 电容的型号命名 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 电容的标志方法 （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、U、M、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10PF 的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1PF，C——±0.2PF，D——±0.5PF，F——±1PF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为PF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰耐压 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4）进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。

电容器技术要求

介休瑞东煤业35kV变电站 磁控式高压无功动态补偿装置 技术规范书 晋中电力设计院 二〇一一年二月

1 工程概况 1.1 项目名称：介休瑞东煤业35kV变电站工程 1.2 项目单位：介休义棠瑞东煤业有限公司 1.3 工程规模：变电站主变容量为2×10000kV A，2台主变互为备用。35kV部分为单母分段接线方式，二回进线，分别由介休110kV变电站和灵石110kV英武变电站引入。10kV部分亦为单母分段接线方式。出线24回，本期22回出线。 1.4 工程地址：介休瑞东煤业35kV变电站 1.5 交通、运输：汽运 1.6工程布置：电容器成套装置采用室内柜式安装，磁控电抗器室外安装，控制屏放于主控室。 2.环境条件 注：1. 环境最低气温超过-25℃, 需要进行参数修正； 2. 污秽等级为Ⅳ级，需要进行参数修正； 3. 海拔高度大于1000米，需要进行参数修正。 3.系统运行条件 3.1 系统标称电压：10kV 3.2 最高运行电压：12kV 3.3 额定频率：50Hz 3.4 中性点接地方式：非有效接地 3.5 电容器组接线方式：星形 3.6 辅助电源：DC220V 4.装置要求 设备安装于10kV侧，电容器滤波安装容量6000kvar,分5次、7次、11次兼高通三个滤波支路，（各个投标厂家需根据经验对各个滤波支路分组并提供容值、电抗值详细计算说明书），另根据煤矿负荷波动，配磁控电抗器4500kvar实现系统所需无功的动态连续

5.设备名称及数量 磁控式高压动态无功补偿装置10kV-6000kvar 2套，每套设备主要配置如下：序号名称型号及规格单位数量备注 1 滤波支路5 次 隔离开关GN19-12/630 组 1 2 避雷器HY5WR-17/45 只 3 3 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 4 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 5 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 6 滤波电抗器LKSGKL-10-84-4 台 1 7 附件足量 8 7 次隔离开关GN19-12/630 组 1 9 避雷器HY5WR-17/45 只 3 10 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 11 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 12 滤波电容器AAM-12/√3-300-1W 或AFM-12/√3-300-1W 台9 总容量1800kvar 13 滤波电抗器LKSGKL-10-36-2 台 1 14 附件足量 15 11 次 兼 高 通隔离开关GN19-12/630 组 1 16 避雷器HY5WR-17/45 只 3 17 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 18 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 19 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 20 滤波电抗器LKSGKL-10-16.8-0.8 台 1 21 高通电阻器套 1 22 附件足量 23 磁 控 支隔离开关GN19-12/1250 组 1 24 电流互感器JQJC-10 300/5A 只 3 25 磁控电抗器4500kvar 台 1

pn结电容(pnjunctioncapacitance)物理知识大全-最新教学文档

pn结电容（p-njunctioncapacitance）物理知 识大全 苏霍姆林斯基说：让学生变得聪明的办法，不是补课，不是增加作业量，而是阅读、阅读、再阅读。学生知识的获取、能力的提高、思想的启迪、情感的熏陶、品质的铸就很大程度上来源于阅读。我们应该重视它，欢迎阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全。 pn结电容（p-njunctioncapacitance） pn结电容(p-njunctioncapacitance) pn结具有电容特性。pn结电容包括势垒电容和扩散电容两部分。pn结的耗尽层宽度随加在pn结上的电压而改变。当pn结加正向偏压时，势垒区宽度变窄、空间电荷数量减少，相当于一部分电子和空穴存入势垒区。正向偏压减小时，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这相当于一部分电子和空穴的取出。对于加反向偏压情况，可作类似分析。pn结的势垒宽度随外加电压改变时，势垒区中电荷也随外加电压而改变，这和电容器充放电作用相似。这种pn结的电容效应称势垒电容。另外，在正偏结中，有少数非平衡载流子分别注入n区和p区的一个扩散长度范围内(称做扩散区)，其密度随正向电压的增加而增加，即在两个扩散区内储存的少数非平衡载流子的数目随pn结的正向电压而变化。这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称

为pn结的扩散电容。pn结电容是可变电容。势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化。pn结电容使电压频率增高时，整流特性变差，是影响由pn结制成器件高频使用的重要因素。利用pn结电容随外加电压非线性变化特性，可制成变容二极管，在微波信号的产生和放大等许多领域得到广泛的应用。 感谢阅读pn结电容(p-njunctioncapacitance)物理知识大全，希望大家从中得到启发。

电容枕技术规格书

1.总则 本技术条件规定了轨道电路专用枕的技术要求、检验法、检验规则、标志及合格证明书、存放、装卸和运输、质保期。 2.名次术语 本技术条件适用于轨道电路专用枕（以下简称专用枕）中下列型号的轨枕： 新II型电容枕（代码XIID） IIIa型电容枕（代码IIIaD） IIIb型电容枕（代码IIIbD） IIIa型电气绝缘节专用枕（代码IIIaZ） IIIb型电气绝缘节专用枕（代码IIIbZ）。 3.采用技术标准 下列文件中的条款通过本技术条件的引用而成为本技术条件的条款。凡是注明日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的容）或修订版均不适用于本技术条件，然而，鼓励根据本技术条件达成协议的各研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本适用于本技术条件。 GB175 硅酸盐水泥、普通硅酸盐水泥 GBJ119 混凝土外加剂应用技术规 GB/T5223 预应力混凝土用钢丝 GB/T701 低碳钢热轧圆盘条 GB/T343 一般用途低碳钢丝 GB/T50081普通混凝土力学性能试验法标准 TB10210 铁路混凝土与砌体工程施工及验收规

TB/T2922铁路混凝土用骨料碱活性试验法 TB/T3054铁路混凝土工程预防碱骨料反应技术条件 TB/T2181 混凝土拌合物稠度试验法跳桌增实法 TB10425 铁路混凝土强度检验评定标准 TB/T2190 预应力混凝土枕I型、II型及III型 TB/B1878 预应力混凝土枕疲劳试验法 TB/B1879 预应力混凝土枕静载抗裂试验法 生产轨道电路专用枕满足上述技术条件标准，符合“研线0308”图纸的要求 4.技术要求 4.1 材料规格和要求 4.1.1 原材料及专用枕预埋件应有合格证明书和复验报告单。 生产轨道电路专用枕原材料及专用枕预埋件进厂均有合格证明书和复验报告单。并按TB 10210对材料复检，格执行工厂的质量管理体系文件以及原材料检验制度的规定，不合格者不允发放使用。 4.1.2 水泥采用不低于42.5强度等级的硅酸盐水泥或普通硅酸盐水泥，水泥碱含量应不超过0.60%，其技术要求应符合GB175的规定。 生产轨道电路专用枕采用强度等级为42.5的普通硅酸盐水泥，其技术要求应符合GB/T 175的规定。主要技术要求如下： ⑴普通水泥中烧失量不得大于5.0%。 ⑵水泥中氧化镁含量不宜超过5.0%。如果水泥经压蒸安定性合格，则水泥中氧化镁的含量允放宽到6%。 ⑶水泥中三氧化硫含量不得超过3.5%。

电容知识介绍

电容知识介绍 一、电容的基础知识： 电容是一种最基本的电子元器件，基本上所有的电子设备都要用到。小小一颗电容却是一个国家工业技术能力的完全体现，世界上最先进的电容设计和生产国是美国和日本，我国自主力量还很薄弱，并且生产的产品也都以低档为主。 电容的基本单位为法拉（F），常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是： 1法拉（F）= 106微法（μF） 1微法（μF）= 103纳法（nF）= 106皮法（pF） 1pF = 10-12F 1nF = 10-9F= 103 ×10-12F= 102pF 1uF = 10-6F= 106 ×10-12F= 105pF 104表示0.1uF，105表示1 uF， 106表示10uF，226表示22 uF。 电容的误差等级一般分为3级：I级±5%（J），II级±10%（K），III级±20%（M）0402封装：1.0mm长×0.5mm宽 0603封装：1.6mm长×0.8mm宽（60mil×0.0254=1.524mm，30mil=0.762mm）0805封装：2.0mm长×1.25mm宽（80mil×0.0254=2.032mm，50mil=1.27mm）1206封装：3.2mm长×1.6mm宽 1210封装：3.2mm长×2.5mm 宽 1812封装：4.5mm长×3.2mm宽 2010封装：5.0mm长×2.5mm 宽 2225封装：5.6mm长×6.5mm宽 2512封装：6.5mm长×3.2mm宽 A型钽电容：3.2mm长×1.6mm宽×1.6mm高 B型钽电容：3.5mm长×2.8mm宽×1.9mm高 C型钽电容：6.0mm长×3.2mm宽×2.5mm高 D型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×2.8mm高 E型钽电容：7.3mm长×4.3mm宽×4.0mm高

电容的分类知识大全

1 电容器种类 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 1.1 电解质电容器种类: 依照细部材质、形状、功能特性可再区分为标准型(>11mm高度), 迷你型(7mm高度), 超迷你型(5mm高度), 耐高温型(105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型(7mm高度), 双极性 型, 无极性型, 及低内阻型(Low ESR)等. 1.2 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片(105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 电解电容器是指在铝、钽、铌、钛等金属的表面采用阳极氧化法生成一薄层氧化物作为电 介质，以电解质（常为液体、半液体或胶状的电解液）作为阴极而构成的电容器。电解电容 器的阳极通常采用腐蚀箔或者粉体烧结块结构，其主要特点是单位面积的容量很高，可以做到几万甚至几十万微法的容量,在小型大容量化方面有着其它类电容器无可比拟的优势。目 前工业化生产的电解电容器主要是铝电解电容器和钽电解电容器。 由于构成电解电容器两电极的材料不同，因此有极性的区分，一般极性在壳体上有标注,有时也用引线的长短来表示，长线为正，短线为负,在电路中使用时正、负极不能接错。当 极性被反接或两端所加电压超出规格时因漏电流急剧增大发热，电解液将被气化而爆出,即发生所谓击穿。电解电容器特性受温度、频率的影响很大。 铝电解电容器

铝电解电容器采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。铝电解 电容器制造时是将电解质吸附在吸水性好、拉力强的衬垫上，另外再加一层铝箔作为负极引线，然后与正极铝箔一起卷绕起来放入铝壳或塑料壳中封装。 铝电解电容器单位体积所具有的电容量特别大，可以做到数万微法的大容量，这一点它 比其他类型的电容器有不可比拟的优势.铝电解电容器在工作过程中具有"自愈"特性。不过应注意铝电解电容器经受电击穿后很难完全自愈，即使能勉强使用也极不可靠。 铝电解电容器也有很显著的缺点： 1、其绝缘性能较差。铝电解电容器在所有类别的电容器中绝缘性能几乎是最差的,特别是高压大容量铝质电解电容器的漏电流可达1mA。漏电流会随着温度和电压的升高而增大。 2、损耗因子较大。由于电解质的导电性不太好，电阻较大，因此损耗较大，低压铝电 解电容器的DF（损耗因子）通常在10％以上。Tanδ（损耗角正切值）随着测量频率的增 加而变大，随测量温度的下降而增大。 3、温度特性及频率特性均较差。铝电解电容器的容量随频率的增加而减小；随着温度 的下降，电容量会变小。铝电解电容其一般只能在－20℃～＋70℃的范围内使用（低温时 阴极电解液会固结，高温时会使得电解电容器的性能迅速劣化，寿命及静电容量都缩短到只有原來的几分之一），也有在—40℃～＋105℃范围内应用的型号，要根据设备的运行环境 温度选择合适的温度范围。 4、铝电解电容器的性能容易劣化。使用经过长期存放的铝电解电容器，不宜突然施加 额定工作电压，而应逐渐升压至额定电压。 5、传统铝电解电容器由于采用电解液作为阴极，在片式化方面存在较大的障碍，故其 片式化进程落后于陶瓷电容器及金属化薄膜电容器。 铝电解电容器具有极性。如果极性接反,电容器的漏电流会急剧增大，芯子严重发热，导 致电容器失效，并可能燃烧爆炸，损害线路板上的其它器件。所以使用时要注意极性问题。 不过近年来也出现了无极性铝电解电容器，它适宜在要求容量大、体积小、耐压高、有电平翻转可能的电路中选用。但要注意，除非必要，一般不选用无极性铝电解电容器，因为和普通的极性铝电解电容器相比，它成本高，等效串联电阻大，且长期在极性状态下工作后介质 的翻转性能会变差。 近年来出现一种PA-Cap系列聚合物固体片式铝电解电容器，采用导电性高分子聚合物 材料作为固体电解质制成,相对于其它电解电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）值、有更好的容量频率曲线、稳定的温度特性，电性能也更好一些。在高频滤波、抗干扰、电源补 偿等电路中可以用作传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品。 钽电解电容器

XX公司10kV系统电容器补偿成套装置 技术规格书

技术规格书 1．总则： 1.1本技术规格书适用于XX公司炼铁工程10kV高压配电室10kV系统电容器补偿成套装臵的设备制造。它提出了对装臵所需的功能设计、结构、安装、试验及服务等方面的技术要求。 1.2 本技术规格书中提出的是最低限度的技术要求,并未对一切技术细节做出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文，供方应提供符合本技术规格书内容要求的优质产品。 1.3 如果供方没有以书面形式对本技术规格书的条文提出异议,则表示供方提供的设备完全符合本技术规格书的要求。 1.4 本技术规格书所使用的标准如遇与供方所执行的标准不一致时，按较高标准执行。 1.5 供方必须有权威机构颁发的ISO-9000系列的认证证书或等同的质量保证体系认证证书。供方应设计、制造和提供过同类设备，且使用条件应与本工程相类似，或较规定的条件更严格，至少有 3 年以上的商业运行经验。 1.6本技术规格书经需方、设计方双方确认后作为设备招标的技术附件，与相关的文件具有同等的效力。 1.7 未尽事宜需各方密切配合，随时协商解决。 2．供货范围： 本技术协议所涉及的供货范围为:炼铁工程高炉主控中心高炉高压配电室、联合泵站高压配电室、上料系统高压配电室、烧结配电室、料场E1配电室、E2配电室、E3配电室、E4配电室、E5配电室、E6配电室的10kV系统电容器补偿装臵。 3．技术要求 3.1高压电容器成套装臵为户内式。具体型号及数量详见有关电气设备图纸。3.2应遵循的主要现行标准 GB50227-95 《并联电容器装臵设计规范》 GB311 《高电压试验技术》、《高压输变电设备的绝缘配合》 DL/T620-1997 《交流电气装臵的过电压保护和绝缘配合》

常用电容知识与种类_大全

一：电解电容： 1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 二：无极电容： 1．瓷片电容： A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大， 稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。 B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定 性好/ 应用：高频电路。 2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小 型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种 叫II型，容量大，但性能一般 3．CY-云母电容：电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路 5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变 电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用： 通讯，广播接收机等。 6．薄膜介质微调电容器：可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿陶瓷介质微调电容器可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小， 体积较小应用：精密调谐的高频振荡回路。 7．CL-聚酯涤纶电容（常见绿皮封装CL11）：电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。 CL21：金属化聚脂膜电容，红皮环氧树脂封装/或黄皮塑壳封装（外观类似CBB电容）。 CL21X/CL23/CL233X：超小型金属化聚脂膜电容，红皮、环氧树脂封装/或多色塑壳封装。8．CB/PS-聚苯乙烯电容（常见水晶封装）：电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，