《电子技术基础》课程教学大纲..
《电子技术》课程教学大纲
(Electronic Technology)
适用于（电类）各专业
参考学时：120学时
一、本课程的目的和任务
本课程是电气自动化专业的一门重要的技术基础课，是实践性很强的课程。本课程目的是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能；任务是培养学生分析问题和解决问题的能力，并为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打下良好的基础。
二、本课程的基本要求
本课程应通过各教学环节达到下列基本要求：
（一）器件方面：
1．掌握常用半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和正确使用；
2．了解线性和数字集成电路的结构和工作原理，掌握其主要性能和使用方法。（二）电路方面：
1．掌握共射与共集放大器、差动放大器、基本运算放大器、基本逻辑门和触发器等的基本性能、电路结构和工作原理；
2．掌握负反馈的基本类型及负反馈对电路性能的影响；
3．熟悉功率放大器、振荡器、稳压器、寄存器、计数器及由运算器组成的某些功能电路的工作原理、性能及应用；
4．熟悉阻容耦合放大器的频率响应；
5．熟悉中小规模集成电路组成的逻辑电路；
6．熟悉A/D、D/A转换的原理。
（三）分析方法方面：
1．掌握放大电路的微变等效电路分析方法和图解分析法；
2．能对放大、脉冲电路进行近似计算；
3．熟悉逻辑代数的基本运算关系、基本定律和卡诺图；
4．掌握逻辑电路的分析方法。
（四）基本技能方面：
1．熟悉实验中常用电子仪器的正确使用方法；
2．掌握基本的电子器件及电子电路的测试方法，初步具有一定的检测故障的能力；
3．进一步提高编写实验报告的能力；
4．具有查阅半导体器件和集成电路手册的能力；
5．初步掌握阅读和分析电子电路原理图的一般规律。
三、课程内容
绪论
电子技术的发展及其应用概况。本课程的性质、任务和要求，以及本内容和学习方法。
(一) 模拟电子技术
1.半导体二极管、三极管、场效应管：
(1)半导体物理基础
本征半导体：半导体的导电载流子——电子和空穴，空穴导电的特点。
杂质半导体：P型半导体，N型半导体，半导体中载流子的产生与复合的概念。
(2)PN结：PN结的形成，势垒的建立，半导体中载流子的漂移运动和扩散运动。PN 结的单向导电性。伏安特性曲线与主要参数。用万用表测量二极管。使用注意事项。
(3)半导体三极管：原理结构，电流分配和放大作用，共射极连接方式。三极管的特性曲线。三极管的主要参数，使用注意事项。
(4)效应管：结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数、特点及使用注意点。
金属氧化物半导体(MOS)场效应管。N沟道增强型MOS管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数、特点及使用注意点。
* N沟道耗尽型MOS管及P沟道MOS管。
2.基本放大电路
(1)放大电路的用途、分类、主要技术指标。
(2)基本放大电路的组成，放大的基本原理，各元件的作用．
(3)放大电路图解分析法：
静态情况：直流负载线、静态工作点的确定。
动态情况：放大电路在输人正弦信号时的工作情况，波形图，输出电压与输入电压的相位关系，电压放大倍数，静态工作点对波形失真的影响，交流负载线，三极管的三个工作区域。
(4)放大电路的低频小信号微变等效电路分析法；非线性电路线性化概念，h参数的引出，h参数等效电路，h参数的物理意义及其确定方法；用h参数等效电路分析放大电路，电压放大倍数，输入电阻和输出电阻。
(5)放大器的工作点稳定电路
温度对晶体管参数及工作点的影响。
射极偏置电路：电路的组成，稳定工作点的物理过程，分析计算；偏置电路参数估算。
(6)共集和共基电路
共集电极电路一射极输出器：电路的组成，分析计算及工作特点。
共基极电路：电路的组成，工作特点．三种组态(共射、共集、共基)性能的比较和应用范围。
(7)场效应管放大器。偏置方式及静态分析。场效应管的微变等效电路。
3.阻容耦合放大的频率特性
(1)放大器频率特性的概念。线性失真(频率失真和相位失真)和通频带。放大器放大倍数的分贝表示法。对数频率特性。
(2)阻容耦合单级放大器低频特性分析：隔直电容和射极旁路电容对低频特性的影响；下限频率f
L
，与电路参数的关系。
(3)阻容耦合单级放大器的高频特性。
(4)单级放大器的瞬态特性：单级放大器的阶跃响应和方波响应，上升时间t
T
，与上
限频率f
H 的关系；平顶降落δ与下限频率f
L
的关系。
(5)阻容耦合多级放大器：电压放大倍数及通频带。
*(6)放大器的干扰与噪声。
4. 反馈放大器
(1)反馈的基本概念与分类：正反馈与负反馈，电压反馈和电流反馈，串联反缋与并联反馈，反馈电路的判别方法。
(2)负反馈放大器的方框图及放大倍数的一般表达式：方框图的引出，一般化信号量，信号传输的途径，放大倍数一般表达式的推导与讨论，反馈深度，放大倍数.A与反馈系
数.F含义的推广，使用一般表达式的条件。
(3)负反馈对放大器性能的影响：提高放大倍数的稳定性，扩展频带，减少非线性失真，抑制干扰与噪声以及对输入电阻和输出电阻的影响。
(4)负反馈放大器放大倍数的近似估算。
*(5)电压串联负反馈和电流并联负反馈电路输入电阻和输出电阻表达式的推导。
*(6)负反馈放大器的分析方法：两级电压串联负反馈放大电路方块图分析法；基本放大器和反馈网络的划分法则，电压放大倍数、输入与输出电阻的计算；电流并联负反馈放大电路的分析方法，深度负反馈放大倍数的估算。
*(7)寄生反馈及其克服办法：磁寄生耦合，寄生电容与寄生电感引起的寄生反馈，公用电源内阻引起的寄生反馈，去耦电路，通过地线的寄生反馈。
(8)负反馈放大器的稳定问题，负反馈放大器产生自激振荡的原因及稳定工作条件；反馈放大器补偿方法介绍。
(9)实用负反馈放大器电路分析举例。
5.正弦波振荡器
(1)正弦波振荡器的一般问题：正弦波振荡器的组成，振荡条件，相位平衡与振幅平衡。
(2)RC正弦波振荡器：文氏电桥振荡器，电路组成，RC串并联选频网络的选频特性，振荡频率，起振条件，稳幅措施； RC移相振荡器。
(3)LC正弦波振荡器：LC并联谐振回路的选频特性，变压器反馈式LC振荡器的电路组成，振荡频率；*电感和电容三点式振荡器，*石英振荡器。
6.功率放大器
(1)低频功率放大器概述：特点、分类及技术指标。
(2)变压器耦合功率放大器：甲类单管功率放大器，变压器的阻抗变换作用，输出功率和效率；乙类推挽功率放大器，电路组成，工作原理。
(3)互补对称功率放大器：电路组成，工作原理，输出功率及效率的计算，优缺点；实用电路举例。
7.运算放大器
(1)直接耦合放大器及其特殊问题：级间耦合及电位移动电路，直接耦合放大器中的零点漂移现象，减小零点漂移的措施。
(2)差动放大器：基本电路，工作原理，静态工作点，电压放大倍数，零点漂移的抑
制；射极耦合差动放大器的组成及抑制零点漂移的原理；差模放大倍数和共模放大倍数，共模抑制比，输入及输出电阻的计算；单端输入和单端输出差动放大器，具有恒流源的差动放大器。
(3)集成运算放大器：线性集成电路的特点，典型电路介绍，主要技术指标及使用注意点。
(4)基本运算放大器：同相输入及反相输入运算放大器，差动输入运算放大器。
(5)运算放大器的应用：电压跟随器、反相器、比例器、加法器、积分器、微分器、比较器和信号发生器的工作原理。
8.直流稳压电源
(1)整流和滤波电路：单相桥式整流电容滤波电路，电路组成，工作原理，波形图及外特性，元件参数选择；倍压式整流电路：电路组成，工作原理；复式滤波电路。
(2)稳压管及简单稳压电路：稳压管的构造，伏安特性及主要参数。简单稳压电路分析及元件参数选择。
(3)带放大器的串联反馈式稳压电路：电路的组成，稳压原理。提高稳压性能的措施；实用电路举例。
(4)集成稳压电路简介。
(二) 数字电子技术
1．脉冲数字电路的基本知识
(1)脉冲数字电路概述，脉冲波形与参数，脉冲数字电路的特点；
(2)几种常用的数制和码制；
(3)逻辑函数中三种最基本的逻辑运算；
(4)复合逻辑函数；
(5)逻辑函数的几种表示方法及其相互转换；
(6)逻辑代数：基本公式、定律和常用规则；逻辑函数的代数化简法；
(7)逻辑函数的卡诺图化简法；
(8)关于正负逻辑的规定及其转换。
2．集成逻辑门电路
(1)二极管、三极管的开关特性；
(2)分立元件门电路；
(3)TTL集成逻辑门电路：TTL与非门的工作原理，其它类型的TTL门电路；各种系
列的TTL门电路及其性能比较；
(4)TTL与非门的外特性及其主要参数；
(5)其它双极型集成逻辑门电路的特点；
(6)双极型集成逻辑门电路使用中的实际问题；
(7)CMOS集成逻辑门：CMOS反相器，其它类型的CMOS逻辑门；
(8)CMOS电路的正确使用；
(9)不同类型门电路的接口。
3．组合逻辑电路
(1)组合逻辑电路的特点；
(2)组合逻辑电路的分析方法；
(3)组合逻辑电路的设计；
(4)常用的组合逻辑电路：编码器、译码器、加法器、数值比较器及数据选择器的工作原理，用译码器芯片构成函数发生器，用数据选择器芯片构成函数发生器；
(5)组合逻辑电路中的竞争——冒险现象。
4．集成触发器
(1)基本RS触发器；
(2)几种时钟触发器的逻辑功能：同步RS触发器，主从CMOS边沿D触发器，维持阻塞边沿D触发器，负边沿JK触发器，T触发器和T‘触发器；
(3)各种触发器性能的比较；
(4)触发器的选择和使用。
5．时序逻辑电路
(1)概述；
(2)时序逻辑电路的分析方法；
(3)寄存器和移位寄存器；
(4)计数器：同步计数器、异步计数器、N进制计数器；
(5)时序逻辑电路的设计；
(6)集成时序逻辑电路应用设计举例。
6．脉冲波形发生器与整形电路
(1)555定时器及其应用：结构及工作原理，用555定时器组成的单稳态电路、施密特电路、多谐振荡器电路；
(2)集成和其它单稳态触发器；
(3)集成施密特触发器；
(4)其它多谐振荡器电路；
(5)脉冲产生与整形电路的应用。
7．D/A和A/D转换器
(1)概述；
(2)D/A转换器：T形电阻网络DAC的基本原理，集成D/A转换器的结构和应用，D/A 转换器的主要技术指标；
(3)A/D转换器：采样、保持和量化及编码，逐次逼近型A/D转换器，A/D转换器的主要技术指标；
(4)D/A和A/D转换器应用举例。
8.半导体存储器
(1)只读存储器（ROM）：固定ROM、可编程PROM、可擦除EPROM。
(2)随机存取存储器（RAM）：电路工作原理，RAM存储容量的扩展方法。
四、实践教学环节
（一）实验内容
1．常用电子仪器使用练习。
2．单管交流放大器。
3．负反馈放大器。
4． RC（或LC）正弦波振荡器。
5．运算放大器参数的测试。
6．运算放大器的线性应用。
7．直流稳压电源。
8．与非门电路参数的测试及逻辑功能的检验。
9．组合逻辑电路实验。
10．触发器的逻辑功能。
11．计数器。
（二）课程设计
本课程课堂教学任务完成后，应组织学生进行一次课程设计，课程设计参考题目为：1．数字钟的设计。
2．频率计的设计。
3．音频信号放大器的设计。
教师也可按教学进程自行拟定课程设计题目，具体要求按课程设计任务书的要求进行。
（三）电子技术实习实训
本实习实训应与电子技术课程设计相结合，课程设计完成后按所设计内容进行组装、调试。实习实训按电子技术实习实训教学大纲的要求进行。
五、学时分配
六、大纲说明
（一）、课程的重点和难点：
本课程的重点在于基本电路的分析和应用。
1．半导体的物理基础和半导体二极管、三极管
重点：（1）PN结特性，二极管的特性曲线及主要参数；
（2）三极管的电流分配和放大原理，三极管的特性曲线及主要参数；
说明：（1）对于器件内部物理过程的讲述，不必过于深入；
（2）在三极管的主要参数中应掌握β、I
CEO 、BV
CEO
、P
CM
及了解频率参数f
β、
f
α、f T。
2．基本放大电路
本章是本课程的基础内容
重点：（1）共射、共集和共基电路的组成和工作原理；
（2）放大电路的静态分析：用图解法和估算法确定静态工作点；
（3）放大电路的动态分析：①图解法分析动态过程；②等效电路分析法：用h参数简化等效电路计算放大器的主要指标：电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等；
（4）射极偏置电路的组成和稳定工作点的原理和方法；
说明：放大器三种组态中，重点分析共射、共集电路；
3．阻容耦合放大器的频率特性
重点：（1）放大器幅频、相频特性的基本概念，影响低频、高频特性的因素；
（2）多级放大器中频电压放大倍数的计算；
说明：（l）影响高频特性的因素只作定性分析；对影响低频特性的因素除定性
分析外，还要求推导单独考虑C
b 时的下限频率表达式，考虑C
e
时的下限频率可直接
给出公式，不作推导。
（2）放大器的瞬态特性只作定性分析；
（3）带*号为加深加宽内容；
4．场效应管放大器
重点：N沟道增强型MOS场效应管的主要参数及使用注意点；
说明：静态分析只结合自偏压电路进行，动态分析只画出微变等效电路；
5．反馈放大器
本章是本课程的重点，也是难点
重点：反馈的基本概念与分类，反馈类型的判别，负反馈放大器的方框图，放大
倍数的一般表达式及近似计算，负反馈对放大器性能的影响；
说明：负反馈放大器输入、输出电阻的计算及负反馈放大器方块图分析法以及带*号内容，一般作为加深加宽内容；
6．正弦波振荡器
重点：产生振荡的基本原理，相位、振幅平衡条件；
说明：主要熟悉RC振荡器，对于变压器反馈式LC振荡器，只要求了解工作原理及频率与参数的关系式，其它类型的振荡器只作一般了解；带*号为加深加宽内容。
7．功率放大器
重点：（1）功率放大器的主要技术指标(输出功率、效率、管耗)及各种工作状态 (甲、乙、甲乙类)的特点；
（2）互补对称式功率放大器；
说明：对互补对称功率放大器主要讲OTL电路，对变压器耦合式放大器只作一般了解；
8．运算放大器
本章是本课程重点．
重点：（1）产生零点漂移的原因及解决办法；
（2）差动放大器的工作原理及技术指标；
（3）集成运算放大器(线性组件)的主要指标、使用注意点及工作原理；
（4）反相、同相输入运算放大器；
（5）集成运算放大器的应用(主要是比例器、加法器、积分器和比较器)；
9．直流稳压电源
重点：（1）单相桥式整流电容滤波电路；
（2）带放大器的串联反馈式稳压电路的工作原理；
10．脉冲数字电路的基本知识
重点：（1）逻辑变量与逻辑函数、逻辑关系；
（2）逻辑函数各种表示方法的相互转换；
（3）逻辑代数的基本运算及基本定理；
（4）用代数法、卡诺图化简逻辑函数（不超过四个变量的函数）；
11．基本逻辑电路
重点：（1）基本逻辑门(与、或、非、与非、或非、异或)电路组成、逻辑
功能、真值表和逻辑符号；
（2）TTL与非门电路的电压传输特性、抗干扰能力，主要参数；抗干扰能力等基本概念；
12．组合逻辑电路
重点：（1）组合逻辑电路的分析方法、组合逻辑电路的设计方法；
（2）常用的组合逻辑电路；
（3）用译码器构成函数发生器的方法，用数据选择器构成函数发生器的方法；
13．触发器
本章是数字电路中的重点和难点
重点：主从JK、维持阻塞D触发器的结构、工作原理、逻辑功能；
说明：在教学时要注意分清逻辑功能和电路结构两方面的概念；
14．时序逻辑电路
重点：（1）时序逻辑电路的分析方法、时序逻辑电路的设计方法；
（2）二进制和二—十进制计数器，异步与同步计数器的概念，加法、减法计数器的原理，二进制及二—十进制计数器(从异步、同步、加法、减法中各选讲一种)；
15．脉冲波形的产生与整形
重点：集成与非门组成的单稳态触发器的工作原理，555定时器组成的各种电路；
16．D/A和A/D转换器
重点：逐次比较D/A转换的原理，D/A与A/D转换器的主要指标；
17．半导体存储器
重点：ROM与RAM存储信息的原理，存储容量与地址线的关系，半导体存储器的主要技术指标；
二、习题与作业
平时作业是消化、巩固所学内容、开阔思路的一种手段，每个学生必须按时独立完成所规定的平时作业；平时作业是检查和了解学生平时完成学习任务的重要依据。
三、教学环节
教师应依据本大纲所规定的内容进行教学，对某些章节的重点和基本内容进行较深
入的讲解和归纳，以加深学生对基本概念、基本原理、基本方法的理解与掌握，对课程中的一些难点也应进行必要的讲解。在每章内容讲授完毕后，应布置一定量的作业，并认真批改。本大纲中的学时分配可供参考。
四、教学方法
本课程的教学环节包括：课堂讲授、课外作业、实验和考试等。通过各个教学环节重点培养学生分析问题和解决问题的能力。
1．课堂讲授
着重讲授基本原理和分析方法，对重点内容讲深、讲透，鼓励学生自学和课上讨论，调动学生的学习主动性。采用多媒体教学，加大信息量，培养学生的创新意识。
4．实验
设置 10个实验项目，培养学生的创新意识和动手能力。
5．课外习题
课外习题是学生巩固和掌握所学课程的必须教学环节，要求学生独立完成。通过批改，及时了解所学课程的情况，以便课外辅导时作为信息依据。
6．考试
考试形式采用笔试，考试题型分为：简答题、判断题、选择题、计算题等。采用笔试加实验考核的评分方式。
五、本课程与其他有关课程的联系和分工
本课程的先修课程是高等数学和电路原理，后续课有计算机原理、变流技术、微机控制技术等。
建议参考书
1、周良权，《模拟电子技术基础》，高教出版社，2002年12月第二版，高职高专“十五”国家级规划教材
2．周良权，《数字电子技术基础》，高教出版社，2002年12月第二版，高职高专“十五”国家级规划教材
3．清华大学电子学教研组，《模拟电子技术基础简明教程》，高教出版社，1998第二版
4．清华大学电子学教研组，《数字电子技术基础简明教程》，高教出
版社1998第二版
5．康华光，《电子技术基础》，高教出版社，1988第三版
撰稿人（签名）-----------------------------
教研室主任（签名）------------------------------
系主任（签名）--------------------------------
电子技术基础试题
电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）
中等职业技术学校：电子技术基础试题库3Word版
中等职业技术学校电子技术应用专业参考试题3 一、选择题 1. 硅二极管的导通电压为（）。 A.0.2V B.0.3V C.0.5V D.0.7V 2.二极管的内部是由（）所构成的。 A.两块P型半导体 B.两块N型半导体 C.一个PN结 D.两个PN结 3.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（）的关系曲线。 A.V D—I D B.V D—R D C.I D—R D D.f—I D 4.二极管的正极电位是－10V，负极电位是－5V，则该二极管处于（）。 A.导通 B.截止 C.击穿 D.热击穿 5.下列二极管可用于稳压的是（）。 A.2AU6 B. 2BW9 C.2CZ8 D.2DP5 6.若把二极管直接同一个电动势为1.5V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管( ) A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 1．用万用表测得PNP三极管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=0.7V，V E=1V则晶体管工作在（）状态。 A. 放大 B.截止 C.饱和 D.损坏 2．在三极管的输出特性曲线中，当I B减小时，它对应的输出特性曲
线
（） A.向下平移 B.向上平移面 C. 向左平移 D. 向右平移 3.工作在放大区的某三极管，如果当I B从10μA增大到30μA时，I C 从2mA变为3mA，那么它的β约为( ) A.50 B. 20 C. 100 D.10 4.工作于放大状态的PNP管，各电极必须满足（） A.V C > V B > V E B.V C < V B < V E C.V B > V C > V E D.V C > V E > V B 5.三极管的主要特性是具有（）作用。 A.电压放大 B.单向导电 C.电流放大 D.电流与电压放大 6.一个正常放大的三极管，测得它的三个电极c、b、e的电位分别为6V、3.7V、3.0V，则该管是（）管。 A.锗PNP B.锗NPN C.硅PNP D.硅NPN 7.三极管各极对地电位如图1-3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是( ) 8.当三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
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练习题1 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题2分，总计40分)。 1、半导体二极管的主要特点是具有( )。 (a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用 2、在RC桥式正弦波振荡电路屮，当满足相位起振条件吋，则其屮电压放大电路的放大倍数必须满足( )才能起振。 (a) A v = 1 (b) A v = 3 (c) A v < 3 (d) A v >3 3、所谓晶体管输出特性曲线屮的线性区域是指( )□ (a)放大区(b)饱和区(c)截止区 4、要使放大器的输入电阻提高，输出电阻减小，该放大器应引入( )。 (a)电流申联负反馈個电压并联负反馈 ?电流并联负反馈(d)电压串联负反馈 5、理想运算放大器的开环电压放大倍数Ao是( )o (a)无穷大(b)零(c)约120dB 6、电路如图所示，其电压放大倍数等于( )o (a) I (b)2 (c)零 7、运算放大器电路如图所示，/?F1和/?F2均为反馈电阻，其反馈极性为()。 (a) /?F1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈 ⑹Rpi和RF2引入的均为负反馈 (c) /?FI和RF2引入的均为正反馈(d) /?F1引入的为负反馈，/?F2引入的为正反馈 41
8、直流稳压电源屮滤波电路的Fl的是( )。 Q)将交流变为直流(b)将高频变为低频(c)将交流成分滤掉 9、姜消除乙类推挽放大器的交越失真，应改用( )推挽功率放大器。 (a)甲类(b)甲乙类(c)内类 10、整流电路如图所示，输出电流平均值厶=50 mA ,则流过每个二极管的电流平均值厶是( )o (a) ￡ =50 mA (b) ￡ =25 mA (c)厶=12.5 mA O ----- ——r^— --------------- + ZK D, ZK D2 11、余3 码01101001 对应的8421 BCD 码为( )。 (a) 00110110 (b) ()0111001 (c) 01100110 (d) 10011100 12、组合逻辑电路通常由( )组合而成。 (a) fl电路(b)触发器(c) 计数器(d)寄存器 13、已知逻辑函数式F二A3C + 4BC +ABC ,化简为最简与或式是 ( )o (a) F = A'B + B'C (b) F = A'C +AB (c) F = A*C + BC 14、为实现将D触发器转换为T触发器图1所示的虚框内应是( )o (a)或非门(b)与非门(c)异或门(d)同或门
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一、填空题 1．已知图中 U1＝2V， U2＝-8V，则U AB＝-10。 2．电路的三种工作状态是通路、断路、短路。 3．有三个6Ω的电阻，若把它们串联，等效电阻是 18 Ω；若把它们并联，等效电阻 2Ω；若两个并联后再与第三个串联，等效电阻是 9 Ω。 4．用电流表测量电流时，应把电流表串联在被测电路中；用电压表测量电压时，应把电压表与被测电路并联。 5．电路中任意一个闭合路径称为回路；三条或三条以上支路的交点称为节点。 6．电路如图所示，设U=12V、I=2A、R=6Ω，则U AB= -24 V。 7．直流电路如图所示，R1所消耗的功率为2W，则R2的阻值应为 2 Ω。 8．电路中电位的参考点发生变化后，其他各点的电位均发生变化。 9．在直流电路中，电感可以看作短路，电容可以看作断路。 9．我国工业交流电采用的标准频率是 50 Hz。 10．三相对称负载作三角形联接时，线电流I L与相电流I P间的关系是：I P＝3 I L。 11．电阻元件是耗能元件，电容元件是储能元件。
12．已知一正弦电压u=311sin(628t-60o)V ，则其最大值为 311 V ，频率为 100 Hz ，初相位为 -60o 。 13．在纯电阻交流电路中，已知电路端电压u=311sin(314t-60o)V ，电阻R=10Ω，则电流I=22A,电压与电流的相位差φ= 0o ，电阻消耗的功率P= 4840 W 。 14．三角形联结的三相对称负载，若线电压为380 V ，则相电压为 380 V ；若相电流为10 A ，则线电流为 17.32 A 。 15．式Q C =I 2X C 是表示电容元件在正弦电路中的 无功 功率计算公式。 16．正弦交流电压的最大值U m 与其有效值U 之比为 2 。 17．电感元件是一种储能元件，可将输入的电能转化为 磁场 能量储存起来。 18．若三相电动势依次达到最大值的次序为e 1—e 2—e 3，则称此种相序为 正序 。 19．在正弦交流电路中，电源的频率越高，电感元件的感抗越 大 。 20．已知正弦交流电压的有效值为200V ，频率为100Hz ，初相角为30o，则其瞬时值表达式u= 282.8sin （628t+30o） 。 21．正弦量的三要素是 最大值或有效值 、 频率 和 初相位 。 22．对称三相电源是指三个 幅值 相同、 频率 相同和 相位互差120o 的电动势电源。 23．电路有 通路 、 开路 和 短路 三种工作状态。当电路中电流0 R U I S 、端电压U ＝0时，此种状态称作 短路 ，这种情况下电源产生的功率全部消耗在 内阻 上。
中职电工电子技术基础课程标准
中职 机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业 和农业机械使用与维护专业 电工电子技术基础课程标准 一、适用对象 中职三年制机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业。 二、课程性质 中等职业教育电工电子技术基础课程是中等职业学校机械加工技术专业、数控技术应用专业、计算机应用专业和农业机械使用与维护专业等电类和非电类专业的一门专业基础课程，它包含了电工电子技术中最基本的内容，使学生掌握专业必备的电工和电子技术基础知识和基本技能，具备分析和解决生产生活中一般电工电子技术问题的能力，具备学习后续专业技能课程的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，提高学生的综合素质与职业能力，增强学生适应职业变化的能力，为学生职业生涯的发展奠定基础，是培养公民素质的基础课程。同时，它为学生的终身发展，形成科学的世界观、价值观奠定基础，对提高全民族素质具有重要意义。它的任务是：阐明直流电路和正弦交流电路的基本概念和基本原理；电磁现象的基本现象和规律；晶体二极管、三极管和晶闸管的等特性及其应用；低频放大电路、脉冲数字电路、直流电源电路结构和工作原理。 三、参考学时 中等职业教育电工电子技术基础课程的教学时数，建议根据专业不同，有所区别，各专业的教学时数分别为： ㈠、28学时（适用于机械加工技术专业、数控技术应用专业和计算机应用专业） ㈡、60学时（适用于农业机械使用与维护专业） 这一课程的教学统一安排在第一学年第二学期，具体学时分配建议在第七部分：内容纲要中。 四、课程的基本理念 中等职业教育电工电子技术基础课程根据社会发展、学生发展的需要，精选最基本的体现专业基础的电工电子技术知识，增加一些问题探究等内容，构建简明合理的知识结构。中等职业教育电工电子技术基础课程教学要以应用技术专业为导向，以提升学生电工电子技术知识，了解焊接设备的组成结构和工作原理与安全技术能力、以提高焊接职业素质、符合焊接职业资格标准的需要为目标，以强化应用为重点。 在本课程的实施中，要根据三年制中等职业教育学生的认知水平，提出与学生认知基础相适应的逻辑推理、数据处理等能力要求，适度加强贴近生活实际与所学专业相关的电工电子技术应用意识，避免繁杂的运算。同时，要展现知识形成和发展的过程，为学生提供感受和体验的机会，激发学生兴趣，培养学生合作交流的能力。 五、课程设计思路 中等职业教育电工电子技术基础课程以“凸现学生是教学的主体地位，理论教学为实习服务，根据企业需要，本着必需、够用原则，将内容模块化，教与学进程一体化”的总体设计要求。本课程要求学生掌握电路基础、电工技术、模拟电子技术、数字电子技术这四部分内容的基本概念和基本规律，彻底打破原有的学科体系设计思路，紧紧围绕专业工作任务完成的需要来选择和组织教学内容，突出项目任务与电工电子知识的联系，让学生在职业实践活动的基础上掌握电工电子知识，增强理论教学内容与职业岗位能力要求的相关性，提高学生的就业能力。
(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ） 10.电路如下图所示，若初态都为0，则=1的是（） 精品文档 注：将选择题和判断题答案填写在上面的表格里，否则该题不得分 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较，JK触发器增加了功能； 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式； 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线； 24.常见的滤波器有、和； 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只，按右图所示方法接入电路，则V0= 。 四、应用题（本大题共3小题，共35分，要求写出演算过程） 26.（10分）某JK触发器的初态Q=1，CP的下降沿触发，试根据下图所示的CP、J、K的波形，画出输出Q和Q的波形。27.（9分）如下图所示电路，测得输出电压只有0.7V，原因可能是： （1）R开路；（2）R L开路；（3）稳压二极管V接反； （4）稳压二极管V短路。应该是那种原因，为什么？ 28.（16分）分析下图所示电路的工作原理，要求： （1）列出状态表，状态转换图；（2）说明计数器类型。 精品文档 参考答案及评分标准 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 二、判断题（本大题共5小题，每小题3分，共15分） 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 21.不确定，翻转 22.并行和串行 23.V D -I D 24.电容、电感、复式 25.5.3V 四、应用题（本大题共3小题，共30分，要求写出演算过程） 26. 27.解：稳压二极管V 接反，变成正向偏置，稳压二极管正向导通时，压降是0.7V 28.解：计数前，各触发器置0，使Q 2Q 1Q 0=000 （1）第一个CP 作用后，Q 0=0→1，0Q =1→0=CP 1，对F 1触发无效，所以Q 1保持0态不变。而F 2没有接到任何触发信号，所以Q 2亦保持0态不变。第二个CP 作用后，Q 0=1→0，而0Q =0→1=CP 1，对F 1属有效触发，所以Q 1=0→1。而1Q =1→0=CP 2，对F 2无效，所以F 2仍为原态即0态。依次按规律分析，可得如下计数状态表为 （2）从状态表和电路结构可知，该计数电路为三位异步二进制加法计数电路。 电子技术基础期末试题（一） 一、填空题（每空2分，共54分） 1．三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。 2．整流电路的作用是将电压变换为电压。3．PN结的单向导电性表现为时导通；时截止。4．交流负反馈能改善放大器的性能，直流负反馈能稳定放大器的，负反馈能增大输入电阻、减小输出电阻。 5．正弦波振荡器起振的幅度平衡条件为，相位平衡条件为△，n为整数。 6．硅二极管的导通电压为 V，锗二极管的导通电压为 V。 7．完成变换：（365）10＝（）2＝（）16 ＝( )8421BCD 8.分析集成运放电路要用到重要的两个概念和。9．开关型稳压电路的调整管工作在状态；普通线性稳压电路的调整管工作在状态。 10. 具有“有1出0，全0出1”的逻辑功能的逻辑门是门；与非门电路的逻辑功能为“、”。11. 双向晶闸管等同于两个单向晶闸管。 二、选择题（每小题3分，共33分） 12．基本RS触发器不具备的功能是( ) A. 置0 B. 置1 C. 保持 D. 翻转13．与非门的逻辑函数表达式为（） A. AB B. A+B C. AB D. A B + 14．用万用表测二极管的正、反向电阻几乎都趋于无穷大，则二极管（） A．正常 B.开路 C.短路 D.性能低劣15.逻辑函数式EFG Y=，可以写作（） A．G F E Y+ + = B．Y = E+F+G C．G F E Y? ? = D．FG E Y+ = 16.逻辑函数式AA+0+A,简化后的结果是（） A．1 B．A C．AA D． 0 17由NPN 型三极管构成的共射放大电路输出电压波形如图所示，该电路中存在（ ） A.线性失真，饱和失真 B.非线性失真，饱和失真 C.线性失真，截止失真 D.非线性失真，截止失真 18.图示电路中二极管的导通电压为0.7 V ，则输出电压Uo 等于 （ ） A.0V B.-2.3V C.2.3V D.-2V 19．逻辑函数EF F E F E ++，化简后答案是（ ） A ．EF B ．F E F E + C ．E+F D ．E+F 20. 单相桥式整流电容滤波电路中变压器次级电压U 2=10V ，则负载两端电压为（ ） A.9V B.10V C.12V D.15V 21.八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端个数是（ ） A 、2个 B 、3个 C 、4个 D 、8个 22.测得放大电路中，三极管三个极的电位分别如图所示，则此管 是（ ） A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D. PNP 型锗管 三、判断题（每小题3分，共33分） （ ）23.组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。 （ ）24.负载要求得最大功率的条件是R=2r ，r 为电池内阻。 （ ）25.u i = 102sin ωt V 的最大值是10V 。 （ ）26.电位大小与参考点无关，电压大小与参考点有关。 （ ）27.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。 （ ）28.三极管内部电流不满足基尔霍夫第一定律。 （ ）29.与甲类功放相比，乙类功放的主要优点是没有失真。 （ ）30.用频率计测量1兆Hz 的方波信号，低通滤波器应处于“关”的位置。 （ ）31.共阴接法LED 数码管是用输出低电平有效的显示译 u o t 12v 0v 11.3v 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热 《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_） 第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（） 2015学年第1学期 《电子技术基础》期末试卷 （A卷，四大题型34小题） 考试形式：闭卷 一、填 空题 （10小 题，20空格，每空格1分，共20分。） 1、直流放大器产生零点漂移的原因是：________________；________________。 2、差分放大电路的共模抑制比KCMR的含义是___________________________________，KCMR越大，抑制零漂的能力越强。 3、集成运放在应用时，电路中需加保护电路，常用的保护电路有：________________保护；________________保护；________________保护。 4、要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用________________反馈；要求放大电路输入电阻小、输出电阻大，可采用________________反馈。 5、如果要求稳定放大器输出电压，并提高输入电阻，则应该对放大器施加_______________反馈；如果要求稳定放大器输出电流，并提高输出电阻，则应该对放大器施加_______________反馈。 6、如要产生较高频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生较低频率的信号，可选用________________振荡器，如要产生频率________________的信号，可选用石英晶体振荡器。 7、放大器能否正常工作的首要重要条件是有合适的________________。 8、在单级共射极放大电路中，输入电压和输出电压的频率________________，________________电压被放大，而相位________________。 9、在桥式整流电路中，若输出电压为9V，负载中的电流为1A，则每个整流二极管应承受的反向电压为________________。 10、已知下图中三极管各极的电位，该三极管将处于________________工作状态。 二、判断题（11小题，每小题2分，共22分。将叙述 班级： 姓名：学号：题号一二三四总分 得分 题 号 123456789101112 答 案 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.sodocs.net/doc/4c14754904.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.sodocs.net/doc/4c14754904.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.sodocs.net/doc/4c14754904.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.sodocs.net/doc/4c14754904.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.sodocs.net/doc/4c14754904.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 《电子技术基础》练习题库 第一章思考复习题 1.填空题 (1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____. (2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数 载流子_____导电. (3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时 ______.。 (4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极 管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多, 所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向 电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管. (5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区. (6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器 件. (7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结 _________偏置. (8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和 _________区. (9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变, 体现了三极管的___________特性. (10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和 _______________,选择时应适当留有余地. (11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue; 而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue. (12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效 应管. (13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在 工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs 不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0. (14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控 制及放大作用. (15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳 定性比较_________. 2.选择题 (1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________. ①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少 (2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为 ______. ①负电②正电③电中性 (3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______. ①正向特性②反向特性③反向击穿特性(完整版)电子技术基础复习题及答案
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