2013年东南大学半导体物理考研复习E卷

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东南大学考研复习卷(E 卷)

课程名称 半导体物理929 编辑时间

2013-1

得分

适用专业

电子科学与技术

考试形式

闭卷

考试时间长度 180分钟

室温下00.026k T eV = ，电子电量19

e=1.610

C -?。

一、 填空题（每空1分，共35分）

1. 用单电子近似法研究晶体中电子状态的理论称为能带论。在能带论中，费米能级是一

个非常有用的概念，在能带中引入费米能级是为了__________，费米能级与温度、杂质浓度、半导体材料的导电类型等因素有关。p 型半导体费米能级随温度升高的变化为__________。能带图中引入准费米能级的目的是为了__________。 2. 金在硅中的施主能级在价带顶上方0.35eV 处，受主能级在导带底带下方0.54eV 处。

已知硅的禁带宽度 1.12g E eV =，硅中金原子浓度为15

3

10cm -，在硅中掺入浓度为

16310cm -的硼，则该硅是__________型半导体，金的带电状态为__________。

3. 常规掺杂半导体是通过价带空穴和导带电子导电，在重掺杂的简并半导体中，杂质浓

度很高，杂质原子相互靠近，被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠，杂质能级扩展为杂质能带。重掺杂半导体还可以通过杂质带导电：杂质能带中的电子可以通过杂质原子间的__________运动参加导电。进行浅能级杂质的重掺杂常常是为了获得高电荷密度和高电导率。重掺杂的应用有__________、__________等。 4. 两块n 型硅材料，在某温度下，第一块与第二块的电子浓度之比为12/n n e =，第一块

材料的费米能级在导带底下03k T 处，那第二块材料的费米能级位置在__________，两块材料的空穴浓度之比为__________。

5. 电流连续性方程：2

2p p p p p

p p d p p D p g t x dx x εμεμτ????=---+???。若用适当频率的光脉冲照射一块均匀n 型半导体材料的局部区域，没有外场作用，且非平衡载流子的产生率为p g ，光脉冲停止后的连续性方程简化为__________；若稳定光照射均匀掺杂n 型半导体的一部分，均匀产生非平衡载流子，产生率为p g ，且电场是均匀的，则连续性方程简化为__________。

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6. PN 结的击穿有热击穿和电击穿，电击穿有雪崩击穿和齐纳击穿。齐纳击穿电压具有

__________(填

“正”或“负”)温度系数，原因是__________。对于半导体材料Si 、Ge 和GaAs ，__________最容易发生热击穿，原因是__________。

7. pn 结的n 区掺有施主杂质18

3

D N 10cm -=，p 区掺有受主杂质16

3

A N 10cm -=。pn 结

施加正向偏压f V ，电流密度为J ，反向饱和电流00p n

S p n n p

qD qD J n p L L =+。室温下本

征载流子浓度10

3

1.510i n cm -=?，非平衡载流子电子的寿命0.5n us τ=，非平衡载流子空穴的寿命5p us τ=，电子的迁移率

21350/n cm V s μ=?，空穴的迁移率

2480/p cm V s μ=?。该pn 结的接触电势差D V 为__________ ；当电流密度为

21A/cm 时，外加电压为__________。

8. 金属的电导率与温度的关系比较单一，一般随温度的升高而__________(填“增加”、

“不变”或“减小”)，原因是__________。 9. 已知未知半导体的禁带宽度 1.1g E eV =，且C V N =N ，掺有153

10cm -的施主杂质，

施主能级比C E 低0.2eV ，费米能级F E 比C E 低0.3eV ，室温下本征激发忽略不计。则半导体导带有效状态密度C N 为__________，半导体的空穴浓度为__________。

10. 异质结相对于同质结，主要优势有__________、__________、__________等。 11. 半导体非平衡载流子的注入方法有__________、__________，其中__________满足n p ?=?。

12. 室温下，硅的本征载流子浓度10

3

1.510i n cm -=?，硅的禁带宽度 1.12g E eV =，在受

主浓度为18

3

10cm -的硅(电子亲和能为4eV )表面淀积一层功函数为4.6eV 的金属。这是一个肖特基接触还是一个欧姆接触？__________。金属的功函数为多少时可以改

变这个接触的类型？__________。

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13. 根据费米分布函数，比较大小__________：

A.电子占据F E 能级的几率；

B.空穴占据F E 能级的几率；

C.电子占据F 0(E -k T)能级的几率；

D.空穴占据F 0(E -k T)能级的几率。

14. 某新型半导体的193C N 10cm -=、18

3V N 510cm -=?，禁带宽度2g E eV =，若掺入

17310cm -的施主杂质（完全电离），室温下空穴浓度为__________，费米能级的位置在禁带中央上__________。

15. 在纯半导体硅中掺入硼，在一定温度下，当掺杂浓度增加时，费米能级向__________移动；掺杂浓度一定时，温度从室温逐步上升，费米能级向__________移动。 二、 简答题（共72分）

1.(12)分假设n 型半导体中的复合中心位于禁带的上半部，间接复合理论给出小注入条件

下非平衡少数载流子的寿命010100()()()n p t n p c n n c p p p U N c c n p τ+++?==

+，其中有1

n t n

N c τ=，1

p t p

N c τ=，01C N c t E E k T

n e

--=，01V N t v E E k T

p e

--

=。半导体非平衡少数载流子的寿命与温度

的关系如图所示，解释说明这种关系。已知导带有效状态密度为302

C 2

2N 2()dn m k T h π=，

价带有效状态密度为302

V 2

2N 2()dp m k T h

π=。

2.(12)

分定性画出并解释导体、半导体和绝缘体的能带结构。

分何谓直接复合和间接复合？

3.(10)

分试画出n型半导体的费米能级随温度变化规律，并解释之。

4.(12)

5.(12)

分什么是热载流子？随着温度的升高，热载流子的迁移率将怎么变化，为什么？

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6.(14)分若在掺有受主杂质A N 的p 型衬底上采用扩散工艺又掺入一层浓度为D N 施主杂质，且D A N N ，本征载流子浓度为i n 。求：

(1)叙述空间电荷区的形成过程，画出平衡时p n -结的能带图；

(2)分析说明外加正向偏置f V 时正向扩散电流的组成成分,分析扩散区载流子的运动方向，画出外加正向偏置pn 结的能带图；

(3)若外加反向电压为r V 时，分析说明反向饱和电流的组成成分，画出外加反向偏置pn 结的能带图。

三、 计算题（共43分）

1.(13)分均匀掺杂的p 型半导体样品中掺入的施主杂质浓度为D N ，掺入的受主杂质浓度为A N ，如果两种载流子对电导率的贡献不可忽略，试推导出电导率的公式： 21/2

A D 2

A D 411(N -N )(1){[1]}2(N -N )1i p n a q a a

σμ-=++++，其中/n p a μμ=。 如果进入本征区，简化上式。

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2.(15)分在室温下，有一块本征Ge 材料，其导带有效状态密度193C N 1.0510cm -=? ，

价带有效状态密度18

3

V N 3.910cm -=?，已知室温下锗的禁带宽度0.67g E eV =。锗的电子迁移率2

3900/n cm V s μ=?，锗的空穴迁移率2

1900/p cm V s μ=?，电子的热运动速度为7

210/v cm s =?，电子的有效质量*

31

00.3310n m m g -=≈?。

(1)求电子的平均自由程l 和空穴的扩散系数p D ；

(2)求在外加电场10/V cm ε=下的电子漂移速度n v 及电流密度J ；

(3)当外加电场3

10/V cm ε>时，Ge 材料电子的漂移速度n v 将怎么变化，并加以解释。

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3.(15)分在一个足够长的条形Si 半导体样品中，横截面积为20.5cm ，掺入施主杂质，掺

杂浓度为16

3

10cm -，硅的禁带宽度 1.12g E eV =，本征载流子浓度10

3

1.510i n cm -=?。该均匀掺杂n 型Si 半导体无外场作用。在半导体的一面存在均匀稳定的光照，光被半导体表面薄层均匀吸收以18

21

510op G cm s --=?的产生率产生非平衡载流子，即小注入。室温下(300T K =)，半导体少数载流子空穴的寿命为5us ，迁移率2p 480/cm V s μ=?，半导体的长度远远大于少数载流子的扩散长度。 (1)在100x nm =处C E 和Fn E 的间隔为多少？

(2)距表面一个少数载流子的扩散长度处少子的扩散流密度为多少？

（提示：非平衡载流子的产生只是在表面非常薄的一层内发生，所以非平衡载流子的产生率只是以边界条件出现：0

op p

x d p G D dx

=?=-，非平衡载流子的连续性方程为

22p p p p p

p p d p p D p g t x dx x εμεμτ????=---+???）

东南大学考研928大纲

2008年硕士研究生入学《模电数电》课程复习与考试大纲 第一部分《模拟电子技术基础》 参考书： [1]刘京南主编：电子电路基础。电子工业出版社，2003 [2]康华光主编：电子技术基础，模拟部分，第四版。高等教育出版社，1999 一、半导体器件概述 （1）PN结及二极管 主要内容：半导体及PN结、二极管的基本特性、二极管的电路模型及 主要参数、特殊二极管 （2）半导体三极管 主要内容：三极管的基本工作原理、三极管的基本特性、三极管的电路模型及主要参数 （3）半导体场效应管 主要内容：结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数及电路模型 （4）集成运算放大器 主要内容：集成运放的基本特性、理想运放 二、基本放大电路 （1）放大电路的组成与技术指标 主要内容：放大电路的组成、放大电路的技术指标 （2）放大电路的稳定偏置 主要内容：温度对半导体器件的影响、分压式偏置电路、电流源偏置电路 （3）各种基本组态放大电路的分析与比较 主要内容：共基极放大电路、共集电极放大电路、场效应管的直流偏置电路、共源极放大电路、共漏极放大电路 三、组合放大电路 （1）一般组合放大电路 主要内容：组合放大电路的级间耦合、组合放大电路的增益、共源—-共射放大电路、共射—共基—共集放大电路 （2）差动放大电路 主要内容：基本差动放大电路、差动放大电路的传输特性（3）集成运放的典型电路

主要内容：偏置电路及输入级、中间级及输出级电路 （4）集成运放的参数及实际电路模型 主要内容：集成运放的主要参数、集成运放的实际电路模型、运放电路的调零 四、放大电路的频率响应 （1）放大电路频率响应的有关概念 主要内容：幅频响应、相频响应、波特图、上限频率、下限频率（2）单级放大电路频率响应的分析方法 主要内容：单管放大电路的高频响应、单管放大电路的低频响应（3）多级放大电路的频率响应 主要内容：多级放大电路的高频响应、多级放大电路的低频响应 五、反馈放大电路及其稳定性分析 （1）反馈的基本概念与分类 主要内容：反馈的基本概念、反馈的分类与判断、反馈放大电路的方框图表示及其一般表达式 （2）负反馈对放大器性能的改善 主要内容：提高放大倍数的稳定性、减少非线性失真、扩展通频带、对输入电阻和输出电阻的影响 （3）深度负反馈放大电路的分析计算 主要内容：深度负反馈的特点、深度负反馈放大电路的计算（4）负反馈放大电路的稳定性分析及频率补偿 主要内容：负反馈电路的稳定性分析、常用的频率补偿方法 六、波形产生与整形电路 （1）正弦波振荡电路的基本概念 主要内容：正弦波振荡器的振荡条件、正弦波振荡器的组成及分类（2）正弦波振荡电路 主要内容：RC文氏电桥振荡电路、LC三点式振荡电路、变压器反馈式振荡电路、石英晶体振荡电路 （3）非正弦振荡电路 主要内容：矩形波振荡电路、三角波振荡电路 七、信号运算和处理电路 （1）集成运放运算电路 主要内容：比例运算电路、加减运算电路、微分与积分电路、对数与反对数电路 （2）有源滤波器 主要内容：滤波器的基本概念、一阶有源滤波电路、二阶有源滤波电路、状态变量滤波器 （3）模拟乘法器

东南大学考研材料科学基础108个重要知识点

东南大学---材料科学基础108个重要知识点 1.晶体-原子按一定方式在二维空间内周期性地规则重复排列，有固定熔点、各 向异性。 2.中间相-两组元A和B组成合金时，除了形成以A为基或以B为基的固溶体外，还可能形成晶体结构与A，B两组元均不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。 3.亚稳相-亚稳相指的是热力学上不能稳定存在，但在快速冷却成加热过程中， 由于热力学能垒或动力学的因素造成其未能转变为稳定相而暂时稳定存在的一 种相。 4.配位数-晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。 5.再结晶-冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无 畸变的新晶粒，而性能也发生了明显的变化并恢复到变形前的状态，这个过程称 为再结晶。（指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程） 6.伪共晶-非平衡凝固条件下，某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得到全部的 共晶组织，这种由非共晶成分的合金得到的共晶组织称为伪共晶。 7.交滑移-当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到 与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。 8.过时效-铝合金经固溶处理后，在加热保温过程中将先后析出GP区，B ” B ' 和9o在开始保温阶段，随保温时间延长，硬度强度上升，当保温时间过长，将 析出B '这时材料的硬度强度将下降，这种现象称为过时效。 9.形变强化-金属经冷塑性变形后，其强度和硬度上升，塑性和韧性下降，这种现象称为形变强化

10.固溶强化-由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加强的现象。 11.弥散强化-许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材料内，则这种材料的强度往往会增加，称为弥散强化。 12.不全位错-柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 13.扩展位错-通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错形态。 14.螺型位错-位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。 15.包晶转变-在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相的恒温转变。 16.共晶转变-由一个液相生成两个不同固相的转变。 17.共析转变-由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。 18.上坡扩散-溶质原子从低浓度向高浓度处扩散的过程称为上坡扩散。表明扩散的驱动力是化学位梯度而非浓度梯度。 19.间隙扩散-这是原子扩散的一种机制，对于间隙原子来说，由于其尺寸较小，处于晶格间隙中，在扩散时，间隙原子从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，形成原子的移动。 20.成分过冷-界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过冷。 21.一级相变-凡新旧两相的化学位相等，化学位的一次偏导不相等的相变。 22.二级相变-从相变热力学上讲，相变前后两相的自由能（焓）相等，自由能（焓） 的一阶偏导数相等，但二阶偏导数不等的相变称为二级相变，如磁性转变，有序

东南大学物理化学2000-2005考研真题及答案

1.实验室中某一大恒温槽（例如油浴）的温度为400K，室温为300K。因恒温槽绝热不良而有4000J的热传给空气，计算说明这一过程是否为可逆？ 解： 该过程为不可逆过程。 2.有一绝热体系如图 2.1所示，中间隔板为导热壁，右边容积为左边容积的2倍，已知气体的，试求：（1）不抽掉隔板达平衡后的S。 （2）抽去隔板达平衡后的S。 解：（1）不抽掉隔板最后达热平衡，平衡后的温度为T，设左边为室1，右边为室2： 解出 （2）抽去隔板后的熵变由两部分组成，一部分为上述热熵变化，另一部分 为等温混合熵变。

3.指出下列各过程中，体系的何者为零？ （1）非理想气体卡诺循环； （2）实际气体节流膨胀； （3）理想气体真空膨胀； （4）H2(g)和O2(g)在绝热刚瓶中发生反应生成水； （5）液态水在373K及101325Pa压力下蒸发成水蒸气。 解：（1）全部为零 （2）＝0 （3） （4） （5） 4. 若令膨胀系数，，压缩系数，证明 解： (1) 对定量纯物质

(2) 将（2）带入（1）中，经整理得： (3) 因为 则又 所以 (4) 将（4）式代入（3）式得 (5) 设 则 等容时 则(6) 将（6）带入（5）式，即 因为

所以 5. 理想气体模型的要点是什么？“当压力趋近于零时，任何实际气体均趋近于理想 气体。”这种说法对否，为什么？理想溶液模型的要点是什么？“当溶液i分无限稀释时，其性质趋近于理想溶液。”这种说法对否，为什么？ 解：理想气体模型的要点是： ①分子间无作用力，分子间的作用势能为零。 ②分子可视为数学上的电，其体积为零。 当压力趋于零时，在一定温度下，气体体系的体积将趋于无穷大，分子间的平均距离r 也随之趋于无穷大。因分子间的作用力于分子间距r的6次方（斥力）成反比，随着r的增加，分子间的作用力将减弱至可忽略不计；而当p→0时，r→∞，故分子间的作用力可视为零。另外，当p→0时，V→∞，而体系中分子本身所占有的体积可视为常数，因此，随着压 力趋近于零，分子本身占有的体积与体系所占有的体积相比，可忽略不计，故此时分子的体积可视为零。 根据以上分析，可知当体系压力p趋于零时，任何实际气体均可满足理想气体模型的 两个条件，故实际气体将趋近于理想气体。 理想溶液模型的要点是（以二元溶液为例）： ①A﹑B分子的大小相同，形状相似。 ②A-A﹑B-B﹑A-B各分子对之间的作用势能函数相同。 以组分B为例，当x B→0时，x A→1,A组分符合拉乌尔定律，p A= p*A˙x A。 而对B组分而言，B分子周围被大量的A分子所包围，而实际溶液中B-B分子对与B-A 分子对之间的作用力不相同，因而与B组分相比，此时B分子的受力情况有很大变化，故B 的分压不再服从拉乌尔定律，而服从亨利定律p B=k˙˙x B。所以当x i趋近于零时，其性质趋 近于理想溶液的说法是不对的。 6. 化学反应达到平衡时的宏观特征和微观特征是什么？ 解：宏观特征：化学反应达到平衡时反应正向进行的速率与逆向进行的速率相等，体系各组分的数量不再随时间而改变，宏观上反应处于静止状态。 微观特征：反应并未停止，只是正向进行的速率与反向进行的速率相等而已。 7. 下列说法是否正确，为什么？ 反应平衡常数数值改变了，化学平衡一定会移动；反之，平衡移动了，反应平衡常数 值也一定会改变。

年度中国医学院校及附属医院排名前五十强

年中国医学院校及附属医院排名(前五十强) 根据国家重点学科及实验室、省部级重点学科及实验室、博士点、院士、长江学者、国家杰青、国家人 才计划、论文数量、博导数量、附属医院实力综合评价）（括号里为主要闻名附属医院） 1.清华大学北京协和医学院（北京协和医院、阜外心血管病医院、肿瘤医院） 2.北京大学医学部（人民医院、第一医院、第三医院、积水潭医院、肿瘤医院、口腔医院） 3.复旦大学上海医学院（中山医院、妇产科医院、华山医院） 4.上海交通大学医学院（瑞金医院、仁济医院、新华医院、上海九院） 5.华中科技大学同济医学院（同济医院、武汉协和医院、梨园医院） 6.中山大学中山医学院（中山一院、中山二院、肿瘤医院） 7.四川大学华西医学中心（华西医院、华西口腔医院） 8.第二军医大学（长征医院、长海医院、东方肝胆医院） 9.第四军医大学（唐都医院、西京医院、口腔医院） 10.第三军医大学（西南医院、大坪医院、新桥医院） 11.中南大学湘雅医学院（湘雅一院、湘雅二院） 12.北京中医药大学（东直门医院、护国寺中医医院） 13.浙江大学医学院（浙医一院、浙医二院、邵逸夫医院） 14.中国医科大学（盛京医院、中国医大一院、中国医大四院） 15.南方医科大学（南方医院、珠江医院） 16.首都医科大学（同仁医院、宣武医院、安贞医院、佑安医院） 17.哈尔滨医科大学（附属一院、二院、肿瘤医院） 18.广州中医药大学（第一附属医院、第二附属医院） 19.吉林大学白求恩医学部（白求恩第一医院、白求恩第二医院、白求恩第三医院） 20.山东大学医学院（齐鲁医院、山大二院、省立医院） 21.西安交通大学医学院（第一医院、第二医院、第三医院） 22.重庆医科大学（第一医院、第二医院、儿童医院） 23.天津医科大学（总医院、医大二附属医院、肿瘤医院） 24.武汉大学医学院（湖北省人民医院、中南医院） 25.上海中医药大学（曙光医院、龙华医院、中医医院） 26.南京大学医学院（鼓楼医院） 27.南京医科大学（第一附属、第二附属医院） 28.汕头大学医学院（第一附属、第二附属，附属肿瘤医院） 29.山东中医药大学（第一附属、第二附属医院） 30青岛大学医学院（青岛大学医疗集团） 31.河北医科大学（附属第一医院、第二医院、第三医院、第四医院） 32.郑州大学医学院（第一附属医院、第二附属医院） 33.苏州大学医学院（附属第一医院） 34.安徽医科大学（第一附属医院、附属省立医院）

2019年东北大学材料工程考研经验分享

东北大学材料工程考研经验 一．东北大学材料工程考研情况 东北大学材料工程近几年计划都在200人左右，其中保研占比很小可忽略，而报考人数在500左右，所以竞争压力不是很大，结合考试难度来说东北大学材料工程（专硕）是性价比极高的一个选择。去年由于数学难度上升和专业课变动较大，最高分为378，而往年400有不少，往年340稳上，去年校线300以上都要，就这样招生计划也没有完成，300以上只有140人。东北大学地处沈阳，东北第一大城市，与中科院金属所有紧密合作（联合培养），东大的材料偏向黑色金属多一点，但近年来方向越来越多，逐渐在打破这种只玩钢铁的外界思维定势。东大材料院坐拥ral（轧制技术与连轧自动化国家重点实验室）。金属材料类同学的考研方向一般为中南，北科，东北大学等。不得不说东北大学是性价比之王，考研是打成功率，看谁能上，择校相当重要。如果学弟学妹们觉得不是很把握的话，可以在新祥旭报个一对一的辅导班，专业课是东北大学的研究生学长讲的，学长专业课成绩非常好，专业课讲的比较好的，上课效果很好，我也报过，是新祥旭安排的这个学长的辅导下成功考上东北大学的。 二．初试 1.参考书目及专业课相关资料 初试是英语二，数学二，金属学与热处理（835） 重点说专业课，金属学与热处理要比各类材料科学基础的难度小，往年的机理性考题较少，主要集中在工艺考察上，试题有很大的重复率，所以复习起来好上手，做题也有成就感，这也是东大材料工程性价比高的所在。但你简单大家都会简单，谁细心就会是最后的赢家。 专业课变化，去年专业课有30分的题目变化巨大，并不是照搬或改编往年题目，而是贴近热处理课本进行出题，这也将会是今后东大材料工程考研的一个必然的趋势，而注重课本和课后习题也是我对大家的建议。去年100以上就是很好的成绩了，多看课本，你就会有话说，不需要一字不差的写上去，用自己的话复述出来就很棒，老师也喜欢。还有就是答题时，要分点作答，这样老师会更喜欢。金属学与热处理去年的题量也有不小的增加，从头到尾一直不停的写也差点没写完，几乎考虑的时间加起来不足五分钟，基本就是一发卷子就蒙头写。只要平时真题背了，课后题看了，课本认真过了，你绝对有话说。最后就是图，课本上的能记住的图都熟稔于心，往试卷上一画，老师立马对你心动，画的人不多，你图文并茂，分绝对不低。 专业课的初复试资料我是在专业课老师推荐下淘宝大师兄考研买的，这家只做东北大学各专业考研。里面的真题很有价值，其他的内容一般，真题答案有1/4还得靠自己在课本中总结，答题分点，分点，分点，就是强行分也得分。 时间段的话，建议暑假就得开始过专业课的课本，暑假结束就得过完，其中有的同学难免会遇到实习种种，这并不是借口，你以为就你实习嘛？ 三．复试 1.笔试参考书目 工程材料学（连法增） 这本书是东大自己出版的，其实能搞到真题的话其他资料就别买了，作用不大，

东南大学物理化学2019考研真题

一、选择（15×2） 1.Cp>Cv 2.已知戊烷Δc H m,H2O、CO2的Δc H m，求戊烷的Δr H m 3.将NH2CO2NH4（s）放入真空容器中分解，达到如下分解平衡 NH2CO2NH4（s）=2NH3（g）+CO2(g) 则系统的组分数和自由度数（真题类似这道，只不过是恒温400K，分解产物有3种，忘了具体的了） 4.298K，，当H2SO4溶液的浓度从0.01mol/kg增加到0,1mol/kg时，其电导率k和摩尔电 导率(k增加，摩尔电导率减小) 5.一个三通管，堵住左边，右边有小泡，堵住右边，左边有小泡，两边都不堵，什么现象 6.丁达尔现象是发生光的什么作用的结果 7.ＫＩ过量制备ＡｇＩ，哪个聚沉能力最强 8.重结晶出来的固体比溶液中的化学式高还是低 9.随着电流密度的增加，阳极电势和阴极电势如何变化 10.沈文霞P318,18 11.沈文霞P３２１,２９ 二、简答（5道、50分） 1．理想气体自状态1经绝热可逆过程膨胀到状态2后，请说明状态1和状态2之间不可能存在绝热不可逆过程 2. 热力学与电学联系的函数。实验可以测出哪些电力学数据 3.解释动电现象，并说出启示、 4. 一道很简单的相图题，写出每个相区的稳定相，画a、b的步冷曲线 5. （沈文霞P108）

三、大题（7道、70分） 1.热力学计算题，给出P1、V1，先是恒压膨胀到V2，再是恒体积提高压强，计算过程的W、Q、ΔU、ΔH 2．已知100摄氏度水的Δfus H m,-10摄氏度的Δvap Hm,冰、水、水蒸气的定压热容求0摄氏度的标准摩尔升华焓。 3.有一绝热系统，中间隔板为导热壁，右边容积为左边的2倍，已知气体的C v,m=28.03J.mol-1，分别求：（a）不抽掉隔板达到平衡后的ΔS （b）抽去隔板达到平衡后的ΔS 4.苯和甲苯的混合物在101.325Kpa沸腾，给出P*（甲苯）、P*（苯） 求气相液相组成 +20.4 5.ln(K/h-1)=- 8389 (T/K) (a)30摄氏度时，求转化率 （b）30摄氏度，转化率为30%时不能用，求保质期 6.电学里很简单的一道题(a)写出电极反应和电池反应（b）求E、温度系数（c）求a±γ± 7.电学里很简单的一道题

东南大学材料科学专业课考研经验分享

一、前言 （一）在谈及考研的具体方法时，我想这时候对你们而言，还有比复习数学、英语更重要的事情。 首先，对于不是跨专业考研的同学而言，现在一定要上好专业课。这不仅可以减轻你后期复习专业课的时间，而且对你的复试也至关重要!我在复试之前联系的导师，见导师的时候导师特别问了我的本科专业课学习情况，因为对于导师而言，招一个只会考试，没有其它专业课知识的学生是没有什么用的。并且，在复试的时候，面试老师会问及许多本科专业课问题，而东南的复试是占了很大比例的。这就要求对一些想找个好导师的学生而言，本科的专业课学习很重要。当然，到大四上的时候，虽然有一两门专业课很重要，但由于考研时间紧迫也不得不放弃了，但是你们这时候大三一定要好好学习专业课，不必担心时间不够复习，还有些人到九月份复习也能考到400+的，所以不必担心。 （二）这时候尽量先把报考学校确定了。 可能很多学长会对你们说，先复习数学英语，专业课到九月份也不迟。不过我的建议是尽量先确定学校。因为不同学校的专业课即便是同一本书但考核的模式是完全不同的。就以东南和交大为例说明，那些交大专业课120+（今年已经很牛了），拿到东南的题目很多都不会做，这就体现在命题思路的差异上。确定好学校之后你的考研就有一个明确的方向了，你可以合理地安排专业课、数学、英语所用的时间。 下面本人就详细介绍一下我的复习方法，这也是仅供参考，不同的人的复习方法和对每门课的熟悉程度是不同的。还有就是希望诸位能多上论坛看看那些大神的复习方法，再结合自己的情况，制定自己的学习计划，别跟着一个人的模式走，因为很可能并不适合你。我在搜集信息的时候就看了许多帖子，并且根据自己的复习情况灵活制定自己的复习计划。 二、材料科学基础 关于东南材料到底怎么样，我也不做过多赘述，单论材料而言，东南并不怎么样，性价比不高，2011年往前复试线最高也只有340+甚至更低，但是12年直飙到364，今年356，相对而言性价比不高。很多人选择东南材料在于东南学校的名气，而且材料学院也有一些比较牛的导师。 1．首先很多人面对的一个问题就是选物理化学还是材料科学基础。本人选的是材科基，对物理化学了解不深，只简单介绍一下。物理化学就是天津大学那个版本的，量子力学往后不考，把课后习题都弄懂基本上就可以了。而材科基出题比较细，难度较大，想考135+难度较大，而物理化学相对容易出高分一点。但是选择材科基在复试的时候比较有优势。一个是笔试，笔试最难的是材料导论（选导论容易刷高分），而这两年材料导论每年都有40几分考的是材科基，面试时很多专业课问题材科基都有涉及。 2．关于材科基第二个问题可能就是用书的问题了。东南大学参考书目是上海交大那本材料科学基础，但是东南本科用的是陶杰主编的那本红色的材料科学基础。大多人用的都是红色那本。红皮书是东南和南航几个学校自己编的，也是他学校本科自己用的，所以考试不会跳出这个范围。这本书错误较多，但比交大的详细很多，而且很多都是东西书上讲得比较明确，而交大那本书很多东西都要自己理解了才能得出结果，而东南那本书可能就是结果清清楚楚都写出来了。本人专业课140+，用的是交大的那本书，但也买了红皮书（遇到问题时查询用的），交大那本书看着清爽，不像红皮书密密麻麻的。自己根据自己情况选吧。对于书本要强调的仍然是，选好后就不要换了，书在精不在多！有些人把两本书都看个一两遍完全没必要。我只看上交的材科基，认认真真地看了六遍，做了三本笔记，基本上考试的时

中国医学院校最新排名

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东南大学翻译硕士考研考研分数线,考试大纲

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被裁判记名Taken name by referee 擅自离场Leave the court 驱逐离场Marching order expeled 上半场First half 半场Half time 休息Interval 暂停Out of play time out 下半场Second half 加时比赛Extra game 接近完场Closing minutes 时间到Time up 终场Full-time 射入一球Scored a goal 首开记录On the scoreboard 一面倒Lopsided win oneside game 攻势Attack 守势Defense 对抗Versus 实力相等Deadlock 巅峰状态Fitness form 一比零One to naught 得分相等Tie score 平Draw 零分Shut out skunk 险胜Narrow victory 胜Win 败Lose 和局Tie game 突破 thrust 劲射 thump 跟进 trail 短距离快速传球 flip 令人猝不及防的速射 snap shot 盯人 mark an opponent 三角传球 triangular passing 倒钩球overhead volley

东南大学材料科学与工程学院

东南大学材料科学与工程学院 研究生奖学金评比办法（修订） 根据东南大学研究生手册有关文件规定，按照“培养和造就高层次、高质量社会主义建设者和接班人”的基本要求，制定以下办法作为我院研究生奖学金评比的主要依据 一、基本条件 1、在籍在册全日制的研究生（定向、委培研究生除外）本人提出申请，参评 硕士研究生在读时间不得超过2.5年，参评博士研究生在读时间不得超过4年（硕博连读生、直博生在读时间不得超过5年，优秀博士学位论文培育对象不受此限）。 2、原则上在学制内的博士生二年级以上（含二年级）和硕士二、三年级同学 中评比，已取得攻读博士资格的同学在同等情况下优先考虑 3、受校纪处分者，从被查出之日起一年内不得参加奖学金评比 4、申请者须修满本专业培养方案所规定的学分，无不及格科目 5、原则上每位研究生在一学年内只能获得一次奖学金 6、获得研究生国家奖学金的同学不可再申报其他奖学金 7、再次参与评奖的研究生只能提交前次获奖时间后的文章和科研成果 8、申请研究生的所有文章和科研成果必须第一署名单位是东南大学 二、评比方法 由学院评审委员会对申请者进行综合评比：学习成绩、科研情况、品行得分（操行等级、团体活动）三部分形成综合得分，按综合得分高低排序进行评比，博士生跨年级排序评比，硕士生按年级排序评比。 1.学习成绩： 以规格化成绩为准。 2.科研得分： I.发表论文：

1)除《Science》《Nature》上申请者署名单位为东南大学外，申请者 的所有论文必须第一署名单位为东南大学。 2)论文署名为第一作者，SCI源刊刊出计8分（影响因子大于等于3 的计16分）；EI源刊刊出计5分；其他的国内核心刊物和一般国 际学术刊物计2分。 3)国际会议论文集正式出版的论文参照本条第（2）款规定计分。 4)除《Science》《Nature》外，博士生参评的论文必须署名为第一作 者，且以正式刊出为准。 5)第一作者为指导老师（或协助指导老师），硕士生为第二作者的论 文参照参照本条第（2）款规定减半计分。 6)硕士生参评论文一般以正式刊出为准，如已被SCI、EI源刊录用但 尚未正式刊出，可提供录用佐证材料（国内刊物提供录用函及版面 费发票复印件；国外刊物提供录用状态网页截图打印件等材料）， 经导师签字认可后，由学院评审委员会审核后参照本条第（2）款 规定计分。 7)《Science》《Nature》上发表论文，第一作者50分，第二作者30 分，第三作者15分，且有录用证明即可参评。 8)以上条款规定之外的其余论文一律不计分。 II.发明专利： 1)公开专利，在学生中排名第一的计3分，第二的计1.5分。 2)授权专利，在学生中排名第一的计6分，第二的计3分。 3)在学生中排名第三及之后者不计分。 4)已获奖的作为申报依据的公开专利转为授权专利，再次参评可加算 补差，学生中排名第一的补3分，学生中排名第二的补1.5分。 5)国际专利计分按本条第（1）、（2）款分值的2倍计算。 III.其他： 1)研究生在读期间，正式出版的本专业著作由申请者本人撰写五万字 以上，并在著作中以东南大学研究生身份出现的，计8分。

半导体物理样卷 SEU

东南大学考试卷（卷）Array课程名称半导体物理考试学期得分 适用专业电子科学考试形式闭卷考试时间长度120分钟一、填空（每空1分，共27分） 1．纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时从Si中夺取，在Si晶体的共价键中产生了一个，这种杂质称杂质；相应的半导体称型半导体。 2．当半导体中载流子浓度存在浓度梯度时，载流子将做运动；半导体存在电势差时，载流子将做运动，其运动速度正比于，比例系数称为。 3．np>n i2意味着半导体处于状态，其中n= ； p 。这时半导体中载流子存在净复合还是净产生？。4．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。 5．非平衡载流子通过而消失，叫做寿命τ，寿命τ与在中的位置密切相关，当寿命τ趋向最小。 6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是和 。前者在下起主要作用，后者在下起主要作用。 7．半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能（增大、减小、不变？），禁带宽度（增大、减小、不变？）。 8．p-n结电容包括电容和电容，在反向偏压下，电容起主要作用。 二、简要回答（共40分） 1．什么是直接复合？什么是间接复合？试述它们在半导体器件中的作用。 2 何谓非简并化半导体？何谓简并化半导体？ 3．下图分别是半导体材料Si、Ge、GaAs的能带结构示意图。 共 3 页第1 页

共 3 页 第 2 页 （1）请指出图a 、图b 、 图c 分别对应何种材料，您判断的依据是什么？ （2）在三幅图中，价带对于同一个K ，E(K)可以有两个值，表明对应两种有效质量不同的空穴，即重空穴和轻空穴。试指出曲线1、2分别对应哪种空穴，依据是什么？ 4．当GaAs 样品两端加电压时，样品内部便产生电场E 。电子的平均漂移速度v d 随电场的变化关系如下图所示，请解释之。 5．若在掺有受主杂质N A 的p 型衬底上采用扩散工艺又掺入一层浓度为N D 施主杂质，且N D >>N A ，本征载流子浓度为n i 。（1）写出接触电势差V D 的表达式；（2）画出平衡时p-n 结的能带图，请问p 区和n 区哪边的势垒宽度宽？（3）说明外加正向偏置时，正向扩散电流的主要成分是电子电流还是空穴电流？（4）若外加正向电压为V f 时，分别写出注入p 区和n 区的载流子浓度？ 三、 计算（共33分） 1．（8分）早期锗硅等半导体材料常利用测其电阻率的办法来估计纯度，若测得室温下电阻率为10cm ?Ω，试估计N 型锗的纯度，并讨论其局限性。（300K 较纯锗样品的电子迁移

东南大学物理化学2018考研真题

2018 物化真题 一、选择题 1、物质的量为n 的纯理想气体，该气体的哪一组物理量确定后，其它状态函数方有定值？ A 、 p B 、V C 、T 、U D 、T 、p 2，下列关系式中能适用于一切体系的是（ ） A 、p T V S p d d ??? ????-= B 、T Q S R δ=d C 、S S S i e d d d += D 、surr sy st d d d S S S += 3，马拉松运动员喝什么？ A ， 白开水 B ，茶水， C ，等渗含电解质水 D ，20%葡萄糖溶液 4，理想气体恒外压从10L 膨胀到16L ，具体吸热多少，让求△H 值 5. 反应△G 数值给出，问反应自发方向与否， 6. 温度上升10K 反应速率增加几倍？答案是2-4 7.一毛细玻璃管伸出水面，把毛细管往下移1/2h ，液面如何变化 凸液面凹液面变化之类的 8、某化学反应的方程式为2A →P ，则在动力学研究中表明该反应为 A 、二级反应 B 、基元反应 C 、双分子反应 D 、以上都无法确定 填空 1，在一个绝热箱内装有浓硫酸和水，开始中间用隔膜分开，然后弄破隔膜，使水和浓硫酸混合。以水和硫酸为体系，则Q 0；W 0，?U 0。 2，光化学反应最本质的特点还是区别来这，，， 3.物理化学领域至少三个科学家及其贡献 4，寻找物理化学常数的途径至少三个 5.常见胶体至少三个 6.热力学上金刚石没有石墨稳定，但是为什么金刚石还是能够稳定存在？ 7.H +,CH3COO -,Cl -,Na +的摩尔电导率给出来，求NaCl 摩尔电导率 8，举例参比电极，至少两个 简答 1， 图文并茂说出表面张力是什么及其产生根本原因 2， 图文并茂说明催化剂发生作用途径 3， 卡诺定理△T 变化。推导论证是降低低温有利还是升高高温更有利 4， 三个乙烯与氧气的反应，一个是银催化生成环氧乙烷，一个是钯催化生成乙醛，一个是无催化剂生成二氧化碳和水，同时给出三个反应的K 值。阐述催化剂发生加速作用的选择性及其作用途径，，好像是这样，，

东南大学2018年化学化工学院硕士研究生招生目录_东南大学考研网

东南大学2018年化学化工学院硕士研究生招生目录专业代码、名称及研究方向人数考试科目备注 019化学化工学院(52090622-6317) 070300化学 01(全日制)无机化学 02(全日制)分析化学 03(全日制)有机化学 04(全日制)物理化学 05(全日制)药物化学155 ①101思想政治理论 ②201英语一③728物理化 学（化）④908有机化学或 924无机与分析化学 化学理论笔试包括有机、 无机、分析、物化 复试科目:577化学理论和 分析实验或578化学理论 和有机实验或580化学理 论和无机实验 080501材料物理与化学 01(全日制)材料结构与物性 02(全日制)有机功能材料 03(全日制)纳米材料与分子器件04(全日制)结构与功能复合材料05(全日制)金属配合物及其应用 ①101思想政治理论 ②201英语一③302数学二 ④955物理化学（化） 化学理论笔试包括有 机、无机、分析、物化 复试科目:577化学理论和 分析实验或578化学理论 和有机实验或580化学理 论和无机实验 081700化学工程与技术 01(全日制)绿色化学工艺 02(全日制)多相流反应与催化03(全日制)新能源与材料 04(全日制)高分子科学与工程05(全日制)生物分子工程 ①101思想政治理论 ②201英语一③302数学二 ④955物理化学（化） 化学理论笔试包括有 机、无机、分析、物化 复试科目:577化学理论和 分析实验或578化学理论 和有机实验或580化学理 论和无机实验

085216化学工程(专业学位) 01(全日制)化学工程 02(全日制)化学工艺 03(全日制)应用化学 04(全日制)工业催化 05(全日制)环境化工 06(全日制)功能高分子材料 ①101思想政治理论 ②201英语一③302数学二 ④955物理化学（化） 授予工程硕士专业学 位 复试科目:579化工原理 文章来源：文彦考研

2011东南大学半导体物理试卷

共 10 页 第 1 页 东 南 大 学 考 试 卷（卷） 课程名称 半导体物理 考试学期 11-12-2 得分 适用专业 电子科学与技术 考试形式 闭卷 考试时间长度 120分钟 室温下，硅的相关系数：10300.026, 1.510,i k T eV n cm -==? 1932.810c N cm -=? 1931.110v N cm -=?，电子电量191.610e C -=?。 一、 填空题（每空1分，共35分） 1. 半导体中的载流子主要受到两种散射,对于较纯净的半导体 散射起主要作 用，对于杂质含量较多的半导体，温度很低时，______________散射起主要作用。 2.非平衡载流子的复合率 ，t N 代表__________，t E 代表__________，当2i np n -为___________时，半导体存在净复合，当2i np n -_______时，半导体处于热平衡状态。杂质能级位于___________位置时，为最有效复合中心，此杂质称为____________杂质。 3.纯净的硅半导体掺入浓度为17 3 10/cm 的磷，当杂质电离时能产生导电________，此时杂质为_________杂质，相应的半导体为________型。如果再掺入浓度为16 3 10/cm 的硼，半导体是_______型。假定有掺入浓度为15 3 10/cm 的金，则金原子带电状态为__________。 4.当PN 结施加反向偏压，并增到某一数值时，反向电流密度突然__________开始的现象称为击穿，击穿分为___________和___________。温度升高时，________击穿的击穿电压阈值变大。 5. 当半导体中载流子浓度存在_________时，载流子将做扩散运动，扩散流密度与_______成正比，比例系数称为_________；半导体存在电势差时，载流子将做 运动，其运动速度正比于 ，比例系数称为 。 6. GaAs 样品两端加电压使内部产生电场，在某一个电场强度区域，电流密度随电场强度的增大而减小，这区域称为________________，这是由GaAs 的_____________结构决定的。 20() 2t i t i i N C np n U E E n p n ch k T -= ?? -++ ? ??

东南大学2016医学院国家奖学金评定细则

东南大学医学院研究生国家奖学金评定细则 第一章总则 第一条研究生国家奖学金由中央财政出资设立，用于奖励普通高等学校（以下简称高等学校）中表现优异的全日制研究生，旨在促进研究生培养机制改革，提高研究生培养质量。根据《东南大学研究生国家奖学金管理暂行办法》，结合我院实际，制定本办法。 第二章评审机构 第二条医学院成立研究生国家奖学金评审委员会，负责本院研究生国家奖学金的申请组织、初步评审等工作。该委员会由医学院全体党政领导、研究生导师代表、研究生辅导员、研究生秘书、研究生代表组成，由医学院院长任主任委员。当年评审委员会成员名单于评审前向全院公布。 第三章申请对象及申请条件 第三条在校正常学习年限内取得正式学籍、完成注册并符合下列申请条件的全日制研究生，均可申请研究生国家奖学金。 硕博连读生在注册为博士研究生之前，以硕士研究生身份申请国家奖学金；注册为博士研究生后，以博士研究生身份申请国家奖学金。 直博生在课程学分修完前以硕士研究生身份参与评定。本硕连读研究生在注册为硕士研究生后，以硕士研究生身份申请国家奖学金。

第四条研究生国家奖学金基本申请条件： 1．热爱社会主义祖国，拥护中国共产党的领导； 2．遵守宪法和法律，遵守学校规章制度； 3．诚实守信，道德品质优良； 4．完成课程学习和必修环节，成绩优良，其中硕士研究生的学位课规格化平均成绩位于本年级前25%。参加中期考核者必须考核通过。科研成果显著。 第五条符合下列条件之一者，可破格申请研究生国家奖学金： 1.在社会主义精神文明建设中表现突出，具有见义勇为、助人为乐、奉献爱心、服务社会、自立自强的实际行动，在本校、本地区产生重大影响，在全国产生较大影响，有助于树立良好社会风尚，获得中国青年五四奖章、全国十大杰出青年等全国性荣誉称号。 2.科研成果突出。博士生在《Science》、《Nature》上发表学术论文或作为主要完成人获得省部级一等奖及以上科研成果（含自然科学/技术发明/科技进步）；硕士生以第一作者在SCI、SSCI、A&HCI 源刊上正式发表论文或获得省部级二等奖及以上科研成果（含自然科学/技术发明/科技进步）。 3.在学科竞赛中取得突出成绩，参加国际或全国性学科竞赛（由学校研究生国家奖学金评审领导小组认定）获得一等奖的第1获奖人、获得特等奖的第1和第2获奖人。 第六条已获得该奖项的研究生再次申请时，应当提供全新的申报材料。

东南大学材料科学与工程学院

东南大学材料科学与工程学院 研究生国家奖学金评比条例 （试行） 一、参评基本条件 1、凡在《东南大学研究生学籍管理规定》的在校最长学习年限内取得正式学 籍、完成注册并符合下列申请条件的全日制研究生均有资格申请。硕博连读研究生、本科直博研究生、本硕连读研究生按《东南大学研究生国家奖学金管理暂行办法》相关规定申请。 2、参评者须热爱社会主义祖国，拥护中国共产党的领导。 3、参评者须遵守宪法和法律，遵守学校规章制度。 4、参评者须诚实守信，道德品质优良。 5、参评者须已完成课程学习和必修环节，成绩优良，其中硕士生的学位课规 格化成绩位于所在年级前15%，博士生平均成绩在75分以上。参加中期考核者必须考核通过。科研成果显著。 6、如不符合第5条要求，但在道德风尚、科学研究、学科竞赛、创新发明、 社会实践、社会工作等某一方面表现特别优秀，满足下列条件之一者，可破格申请国家奖学金（以下荣誉或成果需在研究生在读期间以东南大学为署名单位获得）： （1）在社会主义精神文明建设中表现突出，具有见义勇为、助人为乐、奉献爱心、服务社会、自立自强的实际行动，在本校、本地区产生 重大影响，在全国产生较大影响，有助于树立良好的社会风尚，获 得中国青年五四奖章、全国十大杰出青年等全国性荣誉称号。 （2）在科学研究中取得突出成绩。博士生在《science》、《nature》上发表学术论文或作为主要完成人获得省部级一等奖及以上科研成果 （含自然科学/技术发明/科技进步）；硕士生在SCI、SSCI、A&HCI 源刊上正式发表论文（申请者为第一作者）或获得部省级二等奖及 以上科研成果（含自然科学/技术发明/科技进步）。

核心期刊《东南大学学报医学版》

期刊名称：东南大学学报(医学版) 英文名称：Journal of Southeast University(Medical Science Edition)期刊级别：核心期刊CA 曾用刊名：南京铁道医学院学报 主办单位：东南大学 出版周期：双月 ISSN：1671-6264 CN：32-1647/R 出版地：江苏省南京市 语种：中文 开本：大16开 邮发代号：28-265 创刊时间：1960 编辑QQ：2315126918 专辑名称：医药卫生科技 专题名称：医药卫生综合 出版文献量：4962 篇 评价信息 （2017版）复合影响因子：1.039 （2017版）综合影响因子：0.878 该刊被以下数据库收录：

CA 化学文摘(美)(2014) 北京大学《中文核心期刊要目总览》来源期刊： 2014年版; 期刊荣誉： Caj-cd规范获奖期刊; 《东南大学学报(医学版)》杂志简介 是由中华人民共和国新闻出版总署、正式批准公开发行的优秀期刊。自创刊以来，以新观点、新方法、新材料为主题，坚持"期期精彩、篇篇可读"的理念。东南大学学报内容详实、观点新颖、文章可读性强、信息量大，众多的栏目设置，东南大学学报公认誉为具有业内影响力的杂志之一。东南大学学报并获中国优秀期刊奖，现中国期刊网数据库全文收录期刊。 《东南大学学报(医学版)》创刊于1960年，本刊现由教育部主管、东南大学主办，为综合性医学学术期刊，主要刊登基础医学、临床医学、公共卫生与预防医学、中西医结合、药学等方面的研究成果及新技术新方法，病例报告以及综述等；并以分子遗传、影像医学、心脏介入、急诊医学为办刊特色。 《东南大学学报(医学版)》收录情况 国家新闻出版总署收录、中国知网收录、维普期刊网收录、万方数据库收录、化学文摘、哥白尼索引、中国学术期刊综合评价数据库、中国学术期刊(光盘版)、中国核心期刊(遴选) 数据库、天元数据网、中国药学文摘、中国医学文摘各分册收录 《东南大学学报(医学版)》主要栏目设置 实验研究与调查研究、临床研究、综述、技术方法 论文快速发表绿色通道—期刊之家网 学术论文刊出发表流程：收稿---稿件初审---约定期刊---安排杂志社审稿--修改定稿---确认---杂志社发采稿通知---发表见刊---接收期刊样册---知网收录 本刊声明：期刊之家网与多家核心学术期刊杂志社结成了学术联盟，如果您有学术论文需要发表到统计源期刊(中国科技核心期刊)、中文核心期刊（北大核心）、南大核心（cssci）或SCI检索收录期刊等需求的作者请及时与我们联系，进行学术期刊选刊与时间安排等相关事务联系李老师QQ：3078688501 或1163394265 论文刊发时间：从收到论文版面费起3-4个月(特殊情况除外)，针对需要快速发表的作者提供绿色通道服务。