台湾IC集成电路芯片制造厂商简介

1：几番兴衰——威盛（一）

2：几番兴衰——威盛（二）

3：威盛的兄弟——HTC

4：世界最大独立半导体代工——台积电5：“山寨机之父”——联发科技

6：半导体老大哥——联华电子

7：内存芯片大户——茂德

8：内存芯片大户——力晶

9：曾经的芯片组大厂——SiS

10：曾经的芯片组大厂——Ali

11：全球第一半导体封装大厂——日月光12：台湾半导体设备支出去年冠全球

王雪红

说到王雪红，是一位台湾IT界的传奇人物。王雪红曾获得过“年度华人经济领袖”奖，是唯一获选的女性。她在采访中曾经谈到：一直坚信中国能拥有核心技术及自主创新的能力。

台湾企业最著名的模式是代工模式，最著名的当然是鸿海集团了，代工成功后经营品牌，比如宏碁、明碁，也有非常成功的例子。与这些企业相比，威盛的路截然不同。威盛针对PC市场的事业着重在集成型芯片组，企业最广为人知的产品也是它的主板芯片组。

1990年后期，威盛开始内核逻辑事业多样化发展，公司在那开始收购并组成CPU部门，绘图部门，以及音效部门。因为芯片制造的进展，而继续增加芯片组中的集成性等级和功能性，威盛也需要这些个别的部门以维持内核逻辑市场的竞争性。

1992年，威盛总部移到台湾省台北县新店市。1996年，威盛在PC Common Architecture 标准集团扮演主要的角色，推动从ISA总线转换到PC I总线。

1999年，威盛开始陷入和Intel的专利纠纷，6月，英特尔在美国、英国、新加坡等地对威盛提出控告，要求美国商务部禁止威盛电子将与英特尔相容的芯片组输往美国。

威盛决定反击。同年7月，威盛与国家半导体签署协议，收购Cyrix的PC处理器生产部门。8月，威盛又并购了IDT，挺进CPU市场。

几番兴衰——威盛（二）

2000年2月，推出了自己的处理器——CyrixⅢ，这款处理器面向的是低端处理器市场，其矛头直指Intel的Celeron处理器。此款产品采用的是Joshua核心，但它的主频太低，兼容性较差，整体性能不近人意，并未引起多大的市场关注。不过很快，威盛电子重振旗鼓，力推采用WinChip核心的Samuel处理器，而此款处理器仍然定名为CyrixⅢ。

2000年，威盛达到了辉煌，成功地掠取一半的芯片组市占率，以629元新台币的天价荣登股王，缔造了1258亿元新台币的市值。

2001年，威盛订出的迦南计划（Project Canaan），兵分四路，进军光存储芯片、绘图芯片、CPU与网络芯片，并且收购了S3 Graphics的图形部门。

2002年，威盛收购了LSI Logic的CDMA2000设计部门，从而创建了威睿电通有限公司（VIA Telecom）。

2002年3月，威盛再次推出了采用覆晶针脚栅格数组封装的新一代VIA C3处理器，运作频率达到933MHz，同时具备了进阶的低耗电与低发热量设计。由于具备超低的1.35伏运作电压与6瓦的平均消耗电力等特色，新一代的VIA C3处理器为当时业界专成为当时笔记型计算机所设计的处理器中最为省电的一款产品。

同年7月，威盛再次推出一款为笔记本电脑量身打造的新式处理器：汉腾。“汉腾”是一款基于C3“Nehemiah”处理器内核架构的处理器，当以最高速度运行时，最大耗电量为11瓦。最小耗电量大约是8瓦，处理器中采用了“PowerSaver 2.0”节能程序技术。这种技术能够使耗电量减少50%。汉腾继承了C3处理器的众多优点。

2003年4月，威盛与英特尔双方达成和解协议。共涉及27项专利争议。根据协议内容，威盛与英特尔各自撤回所有进行中的诉讼，并就双方现有的产品线，签署为期10年的交互授权协议。

2005年2月，VIA 庆祝生产第一亿个AMD芯片组。2005年秋，威盛电子发布的C7-M 处理器是移动版C3、汉腾之后的第三款移动处理器。2006年12月15日，VIA 为提升经营效率，将组织重整成三个事业部。

2007年7月，VIA 因新一代Intel授权无法顺利取得，决定放弃毛利低且市场成熟的芯片组事业，转而聚焦于自家的CPU Platform，生产支持C7的芯片组。原有的三个事业部再度缩减为两个。

现在的威盛，主要致力于嵌入式解决方案和移动平台相关的业务。

威盛的兄弟——HTC

既然提到威盛，就不能不说HTC（宏达），目前手机领域赫赫有名的WM和Android平台厂商。要说和威盛的关系，主要是董事长都是同一个人——王雪红。

宏达成立于1997年5月15日，是威盛转投资的公司，全球最大的智能手机代工厂商，全球最大的Windows Mobile智能手机生产厂商，微软Windows Mobile最紧密的合作伙伴之一，垄断了Windows Mobile手机80%左右的市场份额。旗下拥有Qtek通路品牌，拥有多普达的股权，并提供技术和手机给多普达。

宏达现任董事长是王雪红，运行长是周永明。2008年6月，公司正式英文名称自High Tech Computer Corporation更名为HTC Corporation。宏达电公司口号为“smart mobility”，常出现于公司商标上。另外，为强调创新精神，另一句口号“HTC Innovation”也常出现于其产品以及广告上。2009年10月，宏达电提出新品牌定位Quietly Brilliant。

宏达成立之初并没有很成功的产品，知名度不高，后来研发出的iPAQ产品才真正奠定了其在PDA市场的领先地位，并逐步成为世界最大的PDA代工厂商（最大客户是HP、Dell）。2002年，微软公布其Pocket PC Phone Edition操作系统，宏达电随即研发出全球第一款搭载其系统的PDA Phone，但HP、Dell等大厂并没有买单，却被欧洲多数电讯运营商看中，与宏达签下了大量订单，在欧洲推出后亦取得不错的销量，逐步提高了宏达的业界知名度。

HTC的智能手机通常拥有多个客制化版本，主要以其研发代号区分，如著名的CHT9000研发代号是Hermes，其中又会根据运营商的需求作些许变化，即Hermes分为100、200与300型，这些型号有一些略微的差别，表现在外观不同，有无网络摄影机、有无Wi-Fi、电脑存储器大小等，所有相同代号（如Hermes 100）的不同版本（如Dopod 838 Pro，O2 Xda Trion）手机的配置基本上是相同的。

同时，HTC亦有自主品牌的手机在销售，Hermes 100是HTC Z，Hermes 200是HTC TyTN，被称为宏达电原型机。通常宏达电的新产品会先在欧美地区上市，待市场成熟后才会在台湾、香港和大陆推出。目前在大陆，宏达主要以多普达作为子品牌销售。

近年来由于受到新兴厂商崛起的压力，宏达开始转型，摒弃之前的Qtek创立自主品牌HTC，并陆续推出了Touch系列手机，外观时尚超前，打破了Windows Mobile智能手机的呆板，并在其中采用Touch FLO触控技术，被认为是苹果iPhone的强劲对手。宏达亦利用其在智能手机方面的优势，推出了性能强大的类似UM PC产品HTC Shift，在其中装配了Windows Mobile 6和Windows Vista双系统，以进军UM PC市场。

世界最大独立半导体代工——台积电

台湾集成电路制造股份有限公司(LSE：TMSD)，简称台积电或台积，英文简写“TSMC”。台积电是世界上最大的独立半导体晶圆代工企业，与联华电子并称“晶圆双雄”。本部以及主要营业皆设于台湾新竹市新竹科学工业园区。台积电创立于1987年，2006年6月30日的公司市值为465亿8千万美金。

台积电上市于纽约股票交易所(NYSE：TSM)。公司的董事长为张忠谋博士，执行长（CEO）、总经理为蔡力行博士。飞利浦拥有16.2%的股权，已经于2008年中全部出清。

台积电有一座六吋晶圆厂(晶圆二厂)、五座八吋晶圆厂(晶圆三、五、六、七、八厂)、两座十二吋晶圆厂(晶圆十二厂和晶圆十四厂)、一座八吋晶圆厂。此外有位于美国华盛顿州的转投资企业——WaferTech八吋晶圆厂，以及与飞利浦及新加坡私人投资公司合资设立的SSMC。

张忠谋1931年生于浙江宁波，1949年赴美国留学，先后获得麻省理工学院机械系硕士和斯坦福大学电机系博士学位。27岁那年，作为麻省理工学院毕业的硕士生，他与半导体开山鼻祖、英特尔公司创办人摩尔同时踏入半导体业，与集成电路发明人杰克.科比同时进入美国德州仪器公司。

1972年，张忠谋先后就任德州仪器公司副总栽和资深副总裁，是最早进入美国大型公司最高管理层的华人。1985年，他辞去在美国的高薪职位返回中国台湾，出任台湾工业技术研究院院长。1986年，创建全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造公司，并迅速发展为台湾半导体业的领头羊。

因其在半导体业的突出贡献，被美国媒体评为半导体业50年历史上最有贡献人士之一和全球最佳经理人之一。国际媒体称他是“一个让对手发抖的人”，而台湾岛内则尊他为“半导体教父”，因为是他开创了半导体专业代工的先河。

2005年6月，张忠谋辞去台积电CEO职务，将权杖交予其一手培养起来的接班人蔡力行。蔡力行就职后，张忠谋只作为台积电的“精神领袖”而存在，除了定期与高层主管碰头，他把更多时间花在了演讲、读书以及自己喜爱的古典音乐和文化上。

2009年6月，张忠谋以78岁高龄，重新担任公司CEO，同时兼任现有的董事长职位。原CEO蔡力行转而担任台积电新成立的“新事业组织”总经理，直接向张忠谋汇报。张忠谋重任CEO后表示，台积电过去专注代工本业，但半导体产业成长趋缓，三年后最多也只会回复到2008年的水准，未来即使景气稍好，成长也有限。为找出未来成长之道，台积电决定建立一个或是多个“新事业”，交由蔡力行负责，正因为新事业的重要性，所以“一定要派最优秀经理人专心投入”。

力晶半导体现有八吋晶圆厂一座（8A厂），十二吋晶圆厂三座（12AB 吋厂产能最大的存储器芯片制造公司。

最后说一下台湾半导体企业在全球的地位。2007年全球半导体材料市场比前年增长14%，约达423.93亿美元规模，其中台湾省因成为全球最大晶圆及封装代工生产重镇，又是12寸DRAM厂最密集地区，已成为全球第二大半导体制造材料市场，当然也成为全球第二大再生晶圆(Reclaim Wafer)市场。

台湾省和韩国12英寸晶圆的产量在全球最高。今年第四季度台湾半导体制造商预期将制造59.5万个12英寸晶圆，比上年同期增长16%。过去五个季度以来，台湾12英寸晶圆的增长幅度超过了10%。

在区域市场变化上，日本在雄厚晶圆制造和封装市场基础下，2007年以22%的占有率成为全球最大的材料市场，台湾因为拥有全球最大的晶圆制造及封装测试代工厂，因此在过去4年晶圆和封装产业强劲增长的带动下，已经跃居全球第二大半导体材料市场，整体规模达78.59亿美元。

另外在2010年，国际半导体设备材料产业协会（SEMI）公布的半导体设备市场报告指出，台湾2009年设备支出高达43.5亿美元，是全球半导体设备支出最高的地区。

报告指出，受到景气影响，2009年全球半导体设备销售额仅达159.2亿美元，较2008年的销售总额减少46%.而随着景气复苏，晶圆厂和记忆体厂上修2010年的资本支出，预估今年晶圆厂的设备采购金额将可望较去年成长88%,而台湾市场更将成长100%,继续稳坐全球半导体设备采购市场龙头。

该报告指出，2009年的全球半导体设备销售总值以区域市场来看，各地区的设备支出跌幅皆达两位数，而台湾则在台积电、日月光等大厂的护航下，仅减少13.2%，成为2009年半导体设备支出最高的地区。其次是北美地区的33.9亿美元，接下来的排名依序为南韩、日本、东南亚等其他区域，及欧洲与中国大陆。

打卡制度

常见电子元件选型方法

电子元器件选型 目录 一、集成电路 (1) 二、二极管 (2) 三、功率MOS (2) 四，三极管 (3) 五，电解电容 (3) 六，瓷片电容 (4) 七，薄膜电容 (4) 八，电阻 (5) 九，磁性元件 (6) 十，金属氧化物压敏电阻MOV (7) 十一，印刷电路板 (7) 十二，保险丝 (8) 十三，光耦 (8) 电子元器件选型主要注意的几个参数和标准，大家可以参考一下，这些都是比较保守的值，在实际使用中还可以根据需要适当提高。 一、集成电路 因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。 我们通常规定： 1，最大工作电压，不超过额定电压80% 2，最大输出电流，不超过额定电流75% 3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%

二、二极管 二极管种类繁多，特性不一。故而，有通用要求，也有特别要求： 通用要求： 长期反向电压<70%～90%×VRRM（最大可重复反向电压） 最大峰值反向电压<90%×VRRM 正向平均电流<70%～90%×额定值 正向峰值电流<75%～85%×IFRM正向可重复峰值电流 对于工作结温，不同的二极管要求略有区别： 信号二极管< 85～150℃ 玻璃钝化二极管< 85～150℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃ 整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃ 肖特基二极管< 85～115℃ 稳压二极管（<0.5W）<85～125℃ 稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃ Tcase(外壳温度)≤0.8×Tjmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。这是一个可供参考的经验值。 这里很多指标给的是个范围，因为不同的可靠性要求和成本之间有矛盾。所以给出一个相对比较注重可靠性的和一个比较注重成本的两个值供参考。下面同理。 三、功率MOS VGS<85%×VGSmax(最大栅极驱动电压) ID_peak<80%×ID_M(最大漏极脉冲电流)

集成电路IC设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具 IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。 前端设计的主要流程： 1、规格制定 芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。 2、详细设计 Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。 3、HDL编码 使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。 4、仿真验证 仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。仿真验证工具Mentor公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。 5、逻辑综合――Design Compiler 仿真验证通过，进行逻辑综合。逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基

电子元件符号、作用、单位大全

电子元器件基础知识（1）——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Q、K Q、MQ表示。一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、 N-无机实心、J-金属膜、丫-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）――电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10A6uF=10A12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用 字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D- 铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、0-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、丫-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）――电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利（H）、毫亨利（mH）、微亨利（uH），1H=10A3mH=10A6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2冗fL 3、

(整理)集成电路IC知识

集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T：TTL；品种序号码（拼音字母）A：陶瓷扁平； H：HTTL；（三位数字） B ：塑料扁平； E：ECL； C：陶瓷双列直插； I：I-L； D：塑料双列直插； P：PMOS； Y：金属圆壳； N：NMOS； F：金属菱形； F：线性放大器； W：集成稳压器； J：接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T：TTL；品种代号C：（0-70）℃；W：陶瓷扁平； H：HTTL；（器件序号）E ：（-40~85）℃；B：塑料扁平； E：ECL； R：（-55~85）℃；F：全密封扁平； C：CMOS； M：（-55~125）℃；D：陶瓷双列直插； F：线性放大器； P：塑料双列直插； D：音响、电视电路； J：黑瓷双理直插； W：稳压器； K：金属菱形； J：接口电路； T：金属圆壳； B：非线性电路； M：存储器； U：微机电路；其中，TTL中标准系列为CT1000系列；H 系列为CT2000系列；S系列为CT3000系列；LS系列为CT4000系列； 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T：TTL电路；字母表示器件系C：（0~70）℃F：多层陶瓷扁平； H：HTTL电路；列品种G：（-25~70）℃B：塑料扁平； E：ECL电路；其中TTL分为：L：（-25~85）℃H：黑瓷扁平； C：CMOS电路；54/74XXX；E：（-40~85）℃D：多层陶瓷双列直插； M：存储器；54/74HXXX；R：（-55~85）℃J：黑瓷双列直插； U：微型机电路；54/74LXXX；M：（-55~125）℃P：塑料双列直插； F：线性放大器；54/74SXXX； S：塑料单列直插； W：稳压器；54/74LSXXX； T：金属圆壳； D：音响、电视电路；54/74ASXXX； K：金属菱形； B：非线性电路；54/74ALSXXX； C：陶瓷芯片载体； J：接口电路；54/FXXX。 E：塑料芯

电子元件符号大全资料

电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-

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集成电路ic封装种类、代号、含义

【引用】集成电路IC封装的种类、代号和含义 2011-03-24 15:10:32| 分类：维修电工| 标签：|字号大中小订阅 本文引用自厚德载道我心飞翔《集成电路IC封装的种类、代号和含义》 IC封装的种类,代号和含 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat PACkage with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等 多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded Chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。 此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(Chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。9、DFP(dual flat PACkage) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本 上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic PACkage) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。

集成电路电子元器件型号及功能查询

集成电路|电子元器件型号及功能查询(常用部份二) 1710 视频信号处理集成电路 0206A 天线开关集成电路 03VFG9 发射压控振荡集成电路 1021AC 发射压控振荡集成电路 1097C 升压集成电路 140N 电源取样比较放大集成电路 14DN363 伺服控制集成电路 15105 充电控制集成电路 15551 管理卡升压集成电路 1N706 混响延时集成电路 20810-F6096 存储集成电路 2252B 微处理集成电路 2274 延迟集成电路 24C01ACEA 存储集成电路 24C026 存储集成电路 24C04 存储集成电路 24C64 码片集成电路 24LC16B 存储集成电路 24LC65 电可改写编程只读存储集成电路 27C1000PC-12 存储集成电路 27C2000QC-90 存储集成电路 27C20T 存储集成电路 27C512 电可改写编程只读存储集成电路 2800 红外遥控信号接收集成电路 28BV64 码片集成电路 28F004 版本集成电路 31085 射频电源集成电路

32D54 电源、音频信号处理集成电路 32D75 电源、音频信号处理集成电路 32D92 电源中频放大集成电路 4066B 电子开关切换集成电路 4094 移位寄存串入、并出集成电路424260SDJ 存储集成电路 4260 动态随机存储集成电路 4270351/91B9905 中频放大集成电路4370341/90M9919 中频处理集成电路4464 存储集成电路 4558 双运算放大集成电路 4580D 双运算放大集成电路 47C1638AN-U337 微处理集成电路 47C1638AU-353 微处理集成电路 47C432GP 微处理集成电路 47C433AN-3888 微处理集成电路 49/4CR1A 中频放大集成电路 5101 天线开关集成电路 5G052 发光二极管四位显示驱动集成电路5G24 运算放大集成电路 5W01 双运算放大集成电路 649/CRIA70612 中频放大集成电路 673/3CR2A 多模转换集成电路 74122 可重触发单稳态集成电路 74HC04 逻辑与非门集成电路 74HC04D 六反相集成电路 74HC123 单稳态集成电路 74HC125 端口功能扩展集成电路 74HC14N 六反相集成电路

【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解

【集成电路(IC)】电子专业术语英汉对照加注解 电子专业英语术语 ★rchitecture（结构）：可编程集成电路系列的通用逻辑结构。 ★ASIC（Application Specific Integrated Circuit－专用集成电路）：适合于某一单一用途的集成电路产品。 ★ATE（Automatic Test EQUIPment－自动测试设备）：能够自动测试组装电路板和用于莱迪思ISP 器件编程的设备。 ★BGA（Ball Grid Array－球栅阵列）：以球型引脚焊接工艺为特征的一类集成电路封装。可以提高可加工性，减小尺寸和厚度，改善了噪声特性，提高了功耗管理特性。 ★Boolean Equation（逻辑方程）：基于逻辑代数的文本设计输入方法。 ★Boundary Scan Test（边界扫描测试）：板级测试的趋势。为实现先进的技术所需要的多管脚器件提供了较低的测试和制造成本。 ★Cell-Based PLD（基于单元的可编程逻辑器件）：混合型可编程逻辑器件结构，将标准的复杂的可编程逻辑器件（CPLD）和特殊功能的模块组合到一块芯片上。 ★CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor－互补金属氧化物半导体）：先进的集成电路★加工工艺技术，具有高集成、低成本、低能耗和高性能等特征。CMOS 是现在高密度可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★CPLD（Complex Programmable Logic Device－复杂可编程逻辑器件）：高密度的可编程逻辑器件，包含通过一个中央全局布线区连接的宏单元。这种结构提供高速度和可预测的性能。是实现高速逻辑的理想结构。理想的可编程技术是E2CMOS?。 ★Density （密度）：表示集成在一个芯片上的逻辑数量，单位是门（gate）。密度越高，门越多，也意味着越复杂。 ★Design Simulation（设计仿真）：明确一个设计是否与要求的功能和时序相一致的过程。★E2CMOS?（Electrically Erasable CMOS－电子可擦除互补金属氧化物半导体）：莱迪思专用工艺。基于其具有继承性、可重复编程和可测试性等特点，因此是一种可编程逻辑器件（PLD）的理想工艺技术。 ★EBR（Embedded BLOCk RAM－嵌入模块RAM）：在ORCA 现场可编程门阵列（FPGA）中的RAM 单元，可配置成RAM、只读存储器（ROM）、先入先出（FIFO）、内容地址存储器（CAM）等。 ★EDA（Electronic Design Automation－电子设计自动化）：即通常所谓的电子线路辅助设计软件。 ★EPIC （Editor for Programmable Integrated Circuit－可编程集成电路编辑器）：一种包含在★ORCA Foundry 中的低级别的图型编辑器，可用于ORCA 设计中比特级的编辑。★Explore Tool（探索工具）：莱迪思的新创造，包括ispDS+HDL 综合优化逻辑适配器。探索工具为用户提供了一个简单的图形化界面进行编译器的综合控制。设计者只需要简单地点击鼠标，就可以管理编译器的设置，执行一个设计中的类似于多批处理的编译。 ★Fmax：信号的最高频率。芯片在每秒内产生逻辑功能的最多次数。 ★FAE（Field Application Engineer－现场应用工程师）：在现场为客户提供技术支持的工程师。 ★Fabless：能够设计，销售，通过与硅片制造商联合以转包的方式实现硅片加工的一类半导体公司。

超详细的电子元器件选型指南(电阻器)

超详细的电子元器件选型指南（电阻器） 电阻器，简称电阻（Resistor,通常用“R”表示）是电路元件中应用最广的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其性能好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还可作为消耗电能的负载、分流器、分压器、稳压电源中的取样电阻、晶体管电路中的偏置电阻等。 一、基础知识 1.电阻的分类 电阻器的种类有很多，通常分为三大类：固定电阻、可变电阻、特殊电阻。固定电阻按照制作材料和工艺的不同，主要分为以下四大类： 2.电阻的型号命名方法 电阻器、电位器的命名由四部分组成：主称、材料、特征和序号。

3.主要性能指标 （1）标称阻值 产品上标示的阻值，单位为欧，千欧，兆欧，标称阻值都应符合下表所列数值乘 以10n倍（n为整数）。

（2）允许误差 电阻和电位器实际阻值对于标称阻值的最大允许偏差范围，它表示产品的精度。允许误差的等级如下表所示。 （3）额定功率 在规定的环境温度和湿度下，假定周围的空气不流通，在长期连续负载而不损坏或基本不改变性能的情况下，电阻器上允许消耗的最大功率，一般选用其额定功率比它在电路中消耗的功率高1-2倍。额定功率分19个等级，常用的有0.05W、0.125W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W、5W、7W、10W。 （4）最高工作电压 电阻在长期工作不发生过热或电击穿损坏时的电压。如果电压超过规定值，电阻器内部产生火花，引起噪声，甚至损坏。 （5）稳定性 稳定性是衡量电阻器在外界条件（温度、湿度、电压、时间、负荷性质等）作用下电阻变化的程度。

温度系数a，表示温度每变化1度时，电阻器阻值的相对变化量; 电压系数av，表示电压每变化1伏时，电阻器阻值的相对变化量。 二、电阻器选型与运用 在电子电路设计的时候，应根据电子设备的技术指标、电路的具体要求和电阻的特性参数“因地制宜”地来选用电阻的型号和误差等级；额定功率应大于实际消耗功率的1.5-2倍；电阻装接前要测量核对，尤其是要求较高时，还要人工老化处理，提高稳定性。下面是有关电阻的选型基本原则。 1.电阻器的归一化选型 归一化选型原则只是针对电阻选型的一个“轮廓”，根据以往工程师的选型经验总结出来的，具有大众化的选型意义，在要求严格的电路设计中，还需要根据具体电路设计中的电器要求对电阻选型进行进一步的考量。 （1）金属膜电阻器：1W以下功率优选金属膜电阻；1W及1W以上功率优选金属氧化膜电阻； （2）熔断电阻器：不推荐使用。反应速度慢，不可恢复。建议使用反应快速、可恢复的器件，以达到保护的效果，并减少维修成本。 （3）绕线电阻器：大功率电阻器。 （4）集成电阻器：贴片化。插装项目只保留并联式，插装的独立式项目将逐步淘汰，用同一分类的片状集成电阻器替代。 （5）片状厚膜电阻器：在逐步向小型化、大功率方向发展，优选库会随着适应发展方向的变化而动态调整。这类电阻器是小功率电阻的优选对象。 （6）片状薄膜电阻器：建议使用较高精度类别。

IC的种类及用途

IC的种类及用途 在电子行业，集成电路的应用非常广泛，每年都有许许多多通用或专用的集成电路被研发与生产出来，本文将对集成电路的知识作一全面的阐述。 一、集成电路的种类 集成电路的种类很多，按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号。所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。所谓数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。目前，在家电维修中或一般性电子制作中，所遇到的主要是模拟信号；那么，接触最多的将是模拟集成电路。 集成电路按其制作工艺不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件。无源元件的数值范围可以作得很宽，精度可以作得很高。但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这便是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1μm～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。 按集成度高低不同，可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类。对模拟集成电路，由于工艺要求较高、电路又较复杂，所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路，集成50－100个元器件为中规模集成电路，集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路，一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路，集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路，集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路，集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路。

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、

3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:

最常用的电子元件型号

最常用的电子元件型号 整流二极管: 1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N5400~1N5408 0V~1000V/3.0A 开关二极管: 1N4148 1N4150 1N4448 肖特基二极管: 1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小电流低压降 光电耦合器: 4N35 4N36 4N37 晶体三极管: PNP:8050 9015 A92 NPN:9012 9013 9014 9015 9018 D/A转换器: AD7520 AD7521 AF7530 AD7521 8位:DAC0830 DAC0832 (D/A ) 12位:AD7541 (D/A) 8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D) 跨导运算变压器: CA3080 CA3080A OTA BiMOS运算变压器: CA3140 CA3140A 双向触发二极管: DB3 快恢复二极管: FR101~FR107 50V~1000/1.0A 三位半A/D转换器: ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117 载波稳零运算放大器: ICL7650

CMOS电源电压变换器: ICL7660/MAX1044 单片函数发生器: ICL8038 通用计数器: ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz 带BCD输出10MZ通用计数器: ICM7226A ICM7226B 单/双通用定时器: ICM7555 ICM7555 DTMF 收发器: ISO2-CMOS MT8880C JFET输入运算放大器: LF351 FJET输入宽带高速双运算放大器: LF353 三端可调电源: LM117 LM317A LM317 低功耗四运算放大器: LM124 LM124 LM324 LM2920 三端可调负电压调整器: LM137 LM337 低功耗四电压比较器: LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302 可关断开关电源: LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、LM2576-ADJ 低功耗双运算放大器: LM158 LM258 LM358 LM2904

IC集成电路型号大全及40系列芯片功能大全

CD4000 双3输入端或非门单非门 CD4001 四2输入端或非门 CD4002 双4输入端或非门 CD4006 18位串入/串出移位寄存器 CD4007 双互补对加反相器 CD4008 4位超前进位全加器 CD4009 六反相缓冲/变换器 CD4010 六同相缓冲/变换器 CD4011 四2输入端与非门 CD4012 双4输入端与非门 CD4013 双主-从D型触发器 CD4014 8位串入/并入-串出移位寄存器 CD4015 双4位串入/并出移位寄存器 CD4016 四传输门 CD4017 十进制计数/分配器 CD4018 可预制1/N计数器 CD4019 四与或选择器 CD4020 14级串行二进制计数/分频器 CD4021 08位串入/并入-串出移位寄存器CD4022 八进制计数/分配器 CD4023 三3输入端与非门 CD4024 7级二进制串行计数/分频器 CD4025 三3输入端或非门 CD4026 十进制计数/7段译码器 CD4027 双J-K触发器 CD4028 BCD码十进制译码器 CD4029 可预置可逆计数器 CD4030 四异或门 CD4031 64位串入/串出移位存储器 CD4032 三串行加法器 CD4033 十进制计数/7段译码器 CD4034 8位通用总线寄存器 CD4035 4位并入/串入-并出/串出移位寄存CD4038 三串行加法器 CD4040 12级二进制串行计数/分频器 CD4041 四同相/反相缓冲器 CD4042 四锁存D型触发器 CD4043 三态R-S锁存触发器("1"触发) CD4044 四三态R-S锁存触发器("0"触发) CD4046 锁相环 CD4047 无稳态/单稳态多谐振荡器 CD4048 四输入端可扩展多功能门 CD4049 六反相缓冲/变换器

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装

瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质

集成电路(IC)EMC测试

集成电路的EMC测试北京世纪汇泽科技有限公司

前言 世界范围内电子产品正在以无线、便携、多功能与专业化得趋势快速发展，纯粹的模拟电子系统越来越难以进入人们的视线，取而代之的集成电路在数字电子产品与电子系统中扮演了“超级明星”的角色，而这个主角被接纳的程度也在随着集成电路产业的发展不断加深，从1965年Gordon Moore提出摩尔定律至今，集成电 路一直保持着每18-24个月集成度翻番、价格减半的发展趋势，这为集成电路的大范围、多层次应用奠定了基础。尤其在消费类产品领域，这种发展趋势尤为明显，各种数码类产品的普及就是很好的说明。 同时，这种快速发展也造成了电子系统电磁兼容性问题的日益突出，更高的集成度和使用密度，是片内和片外耦合的发生几率大大提高。在电子产品和电子系统中，通常集成电路是最根本的骚扰信号源，它把直流供电转换成高频的电流、电压，造成了无意发射和耦合。而当其输入或供电受到干扰时，误动作的可能性将大大增加，甚至造成硬件损坏。 这种情况下，如何衡量集成电路电磁兼容性的问题日渐凸显起来。这种衡量方法，或者称作新的测试标准和测试方法，将作用于集成电路的设计、生产、质量控制、采购乃至应用调试等诸多方面，成为整个集成电路相关产业的关注焦点。

标准产生的背景 早在1965年美国军方已就核爆电磁场对导弹发射中心设备的影响做出了分析研究，并开发了专门的SPECTRE软件，用于模拟核辐射对电气电子元件的作用。在随后的二十多年中，各种仿真模型、测试方法和统计结果不断涌现，在集成电路电磁兼容领域积累了大量的理论基础和可供分析比较的实测数据。 其中主要测试方法包括： ?北美的汽车工程协会（SAE）建议的使用TEM小室测量集成电路的辐射发射 ?SAE提出的磁场探头和电场探头表面扫描测量集成电路的辐射发射 ?荷兰某公司建议的使用工作台法拉第笼（WBFC）进行集成电路传导发射测量 ?德国标准化组织VDE建议的使用1?电阻进行地回路传导电流测量 ?日本的研究人员建议的使用磁场探头进行传导发射测量 ?Lubineau和Fiori等人对抗扰度测试方法和试验结果的研究等等 1997年10月，国际电工委员会（IEC）第47A技术分委会下属第九工作组（WG9）成立，专门负责对各种已建议的测试方法进行分析，最终出版了针对EMI 和EMS的工具箱式的测试方法集合——IEC61967系列和IEC62132系列标准，标准IEC62215也已出版，与IEC62132互补，更加全面地考虑到了集成电路遭受电磁干扰时的情形。