S7-200系列PLCCPU选型型号表
注：DC/DC/DC——24VDC电源/24VDC输入/24VDC输出；
AC/DC/继电器——100～230VAC电源/24VDC输入/继电器输出；
输入接线形式简图
输出接线形式简图
一、CPU221模块接线图
二、CPU222模块接线图
三、CPU224模块接线图
四、CPU224XP模块接线图
五、CPU226模块接线图
S7-200系列PLC 数字量扩展模块接线图1、数字量输入扩展模块（EM221）接线图
输入接线形式简图
2、数字量输出扩展模块（EM222）接线图
输出接线形式简图
3、数字量输入/输出扩展模块（EM223）接线图
S7-200系列PLC 模拟量扩展模块选型型号表
S7-200系列PLC 模拟量扩展模块技术规范、接线图、输入范围配置一、模拟量扩展模块通用规范
二、模拟量扩展模块输入技术规范
三、模拟量扩展模块输出技术规范
四、模拟量扩展模块接线图
1、模拟量输入扩展模块（EM231）接线图及输入范围配置
2、模拟量输出扩展模块（EM232）接线图
3、模拟量输入/输出扩展模块（EM235）接线图及输入范围配置
S7-200系统中的数据及其格式
S7-200 CPU收集操作指令、现场状况等信息，把这些信息按照用户程序指定的规律进行运算、处理，然后输出控制、显示等信号。
所有这些信息在S7-200 PLC中，都表示为不同格式的数据，作为数据来处理；按照其自身定义，格式不同的数据表示不同含义的信息。
在S7-200中，各种指令对数据格式都有一定要求，指令与数据之间的格式要一致才能正常工作。例如，为一个整数数据使用实数（浮点数）运算指令，显然会得到不正确的结果。
数据有不同的长度（以二进制表示它们时，占据的位数不同），也就决定了数值的大小范围。模拟量信号在进行模/数（A/D）和数/模（D/A）转换时，一定会存在误差；代表模拟量信号的数据，只能以一定的精度表示模拟量信号。
?所有的数据在PLC中都是以二进制形式表示的
?数据都有其特定的长度和表示方式，称为格式
?数据的格式与用于运算、处理它的指令相关
?以不同的格式查看一个数据，或是使用不同格式的指令处理它，会得到不同的效果
表1. S7-200支持的数据格式
※ 实数不能绝对准确地表示“零” 二进制、十六进制和十进制
二进制和二进制数：所有通过S7-200 PLC处理的数据（数值、字符等等）都以二进制形式表示。在S7-200中，特别指出一个数据是二进制数并没有什么意义。
十六进制和十六进制数：在二进制数中，每4个二进制位可以分为一组；这组二进制数值的不同变化可以表示16个状态，正好是16进制数每一位数字的变化范围。因此，可以用十六进制数值方便地表示二进制数。
例如，二进制数1000_1111b分为两组来看，分别是1000b和1111b，正好可以表示16进制数字8h和Fh（0000b对应于0h，...，1111b对应于Fh）；那么这个二进制数就可以表示为8Fh。十进制和十进制数：十进制是S7-200的数学计算的基础，在S7-200中，一般都使用十进制的体系，除了时间（12/24或60进制）等特殊数据外。
二进制数用于在PLC中表示十进制数值、或者其他（如字符等）数据，而16进制用来比较简单地描述二进制数。
在S7-200中，二进制立即数表示为2#xxxx_xxxx（1字节长度），16进制立即数表示为16#xx （1字节长度）。
二进制位逻辑（bit）
PLC中以二进制“位”的数据形式来表示逻辑“1”、“0”（或者“开”、“关”）。位是最基本的数据单位。
在数据字节（Byte）中，二进制逻辑只用一个位（bit）来表示。每个字节由8个位组成。
91常用电气设备选择的技术条件
9 电气设备选择 9.1 常用电气设备选择的技术条件和环境条件 9.1.1 电气设备选择一般原则[65,63] （1）应满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展； （2）应按当地环境条件校核； （3）应力求技术先进和经济合理； （4）与整个工程的建设标准应协调一致； （5）同类设备应尽量减少品种； （6）选用的新产品均应具有可靠的试验数据，并经正比鉴定合格。 9.1.2 技术条件 选择的高压电器，应能在长期工作条件下和发生过电压、过电流的情况下保持正常运行。各种高压电器的一般技术条件如表9?1?1所示。 表9?1?1 选择电器的一般技术条件 注①悬式绝缘子不校验动稳定。
9.1.2.1 长期工作条件 （1）电压：选用的电器允许最高工作电压max U 不得低于该回路的最高运行电压z U ，即 max U ≥z U （9?1?1） 三相交流3kV 及以上设备的最高电压见表9?1?2。 （2）电流：选用的电器额定电流n I 不得低于所在回路在各种可能运行方式下的持续工作电流 z I ，即 n I ≥z I （9?1?2） 不同回路的持续工作电流可按表9?1?3中所列原则计算。 由于变压器短时过载能力很大，双回路出线的工作电流变化幅度也较大，故其计算工作电流应根据实际需要确定。 表9?1?2 额定电压与设备最高电压 kV 表9?1?3 回路持续工作电流
表9?1?4 套管和绝缘子的安全系数 注①悬式绝缘子的安全系数对应于一小时机电试验荷载，而不是破坏荷载。若是后者，安全系数则分别应为5.3和3.3。 高压电器没有明确的过载能力，所以在选择其额定电流时，应满足各种可能运行方式下回路持续工作电流的要求。 （3）机械荷载：所选电器端子的允许荷载，应大于电器引线在正常运行和短路时的最大作用力。 电器机械荷载的安全系数，由制造部门在产品制造中统一考虑。套管和绝缘子的安全系数不应小于表9?1?4所列数值。 9.1.2.2 短路稳定条件 （1）校验的一般原则： 1）电器在选定后应按最大可能通过的短路电流进行行动、热稳定校验。校验的短路电流一般取三相短路时的短路电流，若发电机出口的两相短路，或中性点直接接地系统及自耦变压器
MOS功率与选型
品牌： 美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA； NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。 MOS管选型指南. xls
关于MOS选型 第一步：选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 第二步：确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。 第三步：确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。第四步：决定开关性能
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3
MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS（ON）
设备选型
设备选型是水泥工厂设计非常重要的步骤，设备选型的优良也直接影响着水泥生产的成本节约，以及材料的减少，效率的提高。 车间设备选型一般步骤如下： 1、确定车间的工作制度，确定设备的年利用率。 2、选择主机的型式和规格，根据车间要求的小时产量、进料性质、产品质量要求以及其他技术条件，选择适当型式和规格的主机设备，务必使所选的主机技术先进，管理方便，能适应进料的情况，能生产出质量符合要求的产品。同时，还应考虑设备的来源和保证。 3、标定主机的生产能力，同类型规格的设备，在不同的生产条件下（如物料的易磨性、易烧性、产品质量要求以及具体操作条件等），其产量可以有很大的差异。所以，在确定了主机的型式和规格后，应对主机的小时生产能力进行标定。即根据设计中的具体技术条件，确定设备的小时生产能力。标定设备生产能力的主要依据是：定型设备的技术性能说明；经验公式（理论公式）的推算；与同类型同规格生产设备的实际生产数据对比。 4、计算主机的数量 ·h h l G n G = 式中：n ——主机台数， h G ——要求主机小时产量（t/h ）， ·h l G ——主机标定台时产量（t/h ）。 5、核算主机的年利用率 主机的实际年利用率和每周实际运转小时数，可用公式 ·h h l G nG ηη?= 式中：η?——主机的实际年利用率， η——预定的主机年利用率。 水泥厂主机年利用率选择参考表2-1， 表2-1 水泥厂主机年利用率（以小数表示） 主机名称 周别 每日工作班数 适宜利用率 备注 石灰石破碎 不连续周 1 0.24—0.28 也可连续周
石灰石破碎 不连续周 2 0.48—0.58 回转烘干机 连续周 3 0.70—0.80 生料磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.78 生料磨（开流） 连续周 3 0.70—0.80 机械立窑 连续周 3 0.80—0.85 旋窑 连续周 3 0.82—0.88 水泥磨（圈流） 连续周 3 0.70—0.82 水泥磨（开流） 连续周 3 0.75—0.85 水泥包装 不连续周 1 0.24—0.28 水泥散装 不连续周 2 0.48—0.56 一， 破碎设备 1，石灰石破碎设备 一般石灰和石灰石大量用做建筑材料，也适用于工业的原料。石灰石可直接加工成石料和烧制成生石灰。石灰石刚开采出来粒度较大，并且大小不一，需要使用石灰石破碎机进行破碎后再运输使用。 （1）确定破碎车间的工作制度 石灰石破碎车间采用二班制，每班工作6.5小时，每年工作290天。 （2）根据车间运作班制和主机运转小时数，确定主机的年利用率： 232902 6.5 0.4387608760k k k η????= == 式中：k ——每年工作日数， 2k ——每日工作班数， 3k ——每班主机运转小时数。 （3）主机要求小时产量： 1.31331551250 600/2902 6.50.9y H gG G t h dntk ?= = =??? ,/H G t h 要求主机小时产量 ,/y G t y 烧成车间年产熟料量 ,0.8~1,0.9k 供料不平衡系数在之间取值这里取 ,d 每年工作日数 , n 每年工作班数
IR功率MOS管选型
I D Continuous Drain Current (A)70°Micro3 Surface Mount Packages V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()?I D Continuous Drain Current 25°C (A) R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case Outline Key Part Number P D Max.Power Dissipation (W)https://www.sodocs.net/doc/cc2343572.html, N-Channel Logic Level IRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1 IRLML2803 91258 0.54 30 0.25 1.2 0.93 230 P-Channel Logic Level IRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1 IRLML5103 91260 0.54 -30 0.6 -0.61 -4.8 230 * Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7V Measured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case. 1Micro3 SO-8 D-Pak D -Pak SOT-227 Micro6 SOT-223 Micro8 2 Illustrations not to scale
各种水泵型号及参数..
“吸程”也叫“最大自吸高度”(也可以理解为“自吸的程度”)。即微型泵在不加引水的情况下，能自动将水吸上来的最大高度(泵抽水口距离待抽液面的垂直距离)。 一般水源低于等于泵的摆放位置时，就需要泵有自吸能力。例如户外旅游时，需要抽取河中的水，最好用带自吸能力的微型水泵（不可能人跑到河里先往进水管加点引水吧）。又或者抽的液体有腐蚀、不方便加引水等等场合。 例如：有种水泵，型号叫某某BSP系列，体积并不大，但标称的吸程可以到4米，确实可以不加引水到4米，算微型水泵里比较高的。 微型水泵里，不是所有的泵都有自吸能力(“吸程”)的。 有些离心式的水泵就没有自吸能力，第一次使用必须加引水才行。有的微型水泵虽然也有自吸能力，但标的“吸程”往往与“进水管里全部是空气”下，能抽起水的垂直高度有差距，甚至可能只有一半不到。所以水泵选型时，吸程是个比较重要的参数。 水泵的扬程是指水泵能把水扬高的能力。通常扬程用英文字母H表示，常用单位为米。通俗的讲扬程就是能把水泵到多高，从水面到泵体为吸程，从泵体至抽水高度为扬程，吸程和扬程之和为总扬程，如果吸程不够扬程再高也是无法泵上水耒.潜水泵除外 根据液体压强公式p=ρgh，估算大气压可压起的水柱高为h=p/ρg=10m。 各类泵的扬程计算是通过流体力学中的伯努方程式来计算的，公式可在流体力学书中查到。一般来说可用简单的方法计算，扬程等于该泵的功率乘102倍的效率再除以流量和该液体的密度 计算步骤如下： 1、计算管道的比阻S，如果是旧铸铁管或旧钢管，可用舍维列夫公式计算管道比阻 s=0.001736/d^5.3 其它管用s=10.3n^2/d^5.33,n为管道内壁糙率； 2、计算管道两端的水头差，即管道的沿程水头损失hf=sLQ^2 3、计算泵的扬程：H=hf+kh=sLQ^2+kh 式中：Q——喷射流量，以m^3/s为单位；d——管道内径；h——喷射高度，以m计；hf——管道的沿程水头损失，以m为单位；L——管道起端至末端的长度，以m为单位；k——大于1的系数，可取k=1.1（射流在空中因有空气阻力）。 WL立式污水泵性能参数表
常见mos管的型号参数
电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ止静电。 TO-220 TO-252 TO-3
附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为１脚 注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304
SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558
mos管选型指导
MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如
电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 第二步：确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术，其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中，晶片中嵌入了一个深沟，通常是为低电压预留的，用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响，开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如，飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术，针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要，因为当标准MOSFET的击穿电压升高时，RDS(ON)会随之呈指数级增加，并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在击穿电压达到600V的情况下，实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说，这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步：确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
200QJ型潜水泵参数(选型参考)
200QJ型潜水泵参数（选型参考） 型号流量m3/h扬程m电机功率kw 200QJ20-40/320404 200QJ20-54/42054 5.5 200QJ20-67/520677.5 200QJ20-93/720939.2 200QJ20-108/82010811 200QJ20-121/92012113 200QJ20-148/112014815 200QJ20-175/132017518.5 200QJ20-202/152020222 200QJ20-243/182024325 200QJ20-270/202027030 200QJ32-26/232264 200QJ32-39/33239 5.5 200QJ32-52/432527.5 200QJ32-78/6327811 200QJ32-91/7329113 200QJ32-104/83210415 200QJ32-130/103213018.5 200QJ32-156/123215625 200QJ32-195/153219530 200QJ32-234/183223437 200QJ32-247/193224737 200QJ32-260/203226045 200QJ40-26/24026 5.5 200QJ40-39/340397.5 200QJ40-52/440529.2 200QJ40-65/5406511 200QJ40-78/6407815 200QJ40-104/84010418.5 200QJ40-117/94011722 200QJ40-143/114014325 200QJ40-169/134016930 200QJ50-13/150134 200QJ50-26/25026 5.5
常用mos管(选型)
常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应
常见立式多级泵型号规格用途参数及选型分析
产品概述 立式多级泵采用多个导水段、叶轮组合而成，具有扬程、压力大的典型优点。非常适用于高楼层自来水增压、远距离输水和需要压力较大的实验设备增压等场合使用。当然，需要立式多级泵的场合远不止以上所提的几个场合，为了满足各 种场合使用，商家也推出了形形色色的立式多级泵，尽管型号多样化，但水泵外观样式大致相同（进出水口位于同一直线和下进水上出水的形式）及工作原理相 同。绝大多数都是离心泵的工作原理。以下介绍的也全部是离心式多级泵，可以满足小区，大型建筑群（如学校、部队、大型工厂等）,别墅群等场合生活供水；大厦，写字楼等商业建筑群空调制冷系统增压和消防增压；自来水厂远距离增压；各种建筑施工现场抽吸不含杂质的清水。 选型分析 以下所提的产品型号全部以的产品为例。我从常见的几个用途出发以举例的形式分析，供选型有需要的朋友参考： 生活供水：理论上说，生活供水增压可以选择以下几个类型（、、、）的任意一种，但是从卫生和工作效率来说，不可随意选。CRF属于最新推出的系列产品，不管是外观还是工作效率，CRF在各方面都是做得最好的。如果您需要高效又清洁的增压水泵，CRF当然是您的首选！对于一般规模的的生活供水，DL系列泵 可不考虑。DL属于低转速高扬程（30-250m ）大流量（12-500m 3/h ）泵，尽管采用HT200铸铁制造，但是其价格往往比CRF全不锈钢多级泵价格还高。VP系列产品属于小流量（4-30m Eh ）高扬程离心泵，其除叶轮采用H62黄铜制造外，其他全部采用铸铁，因此，VP型多级泵的在同等参数下，其价格最低，如无特别要求，采用VP 立式多级泵做生活泵也是非常不错的。GDL属于制造工艺比较陈旧的产品，属于中等
水泵选型参数表
1NKG 100-80-160/166 A1-F-A-E-BQQE 注意！产品图片可能与实际产品不同 产品号码:根据请求 非自吸式单级涡壳离心泵是根据 ISO5199 标准设计的，其尺寸和额定性能符合 ISO 2858 标准。 法兰为 PN16 型，其尺寸符合 EN 1092-2 标准。 该水泵有一个轴向吸入口、一个径向排泄口和水平轴。 它采用了回拉设计，使得维护人员能够在不松动电机、泵壳和管道的情况下就能拆卸联轴器、轴承支架和叶轮。 该水泵采用了油脂润滑的重型轴承。 非平衡式 O 型轴封符合 DIN EN 12756 标准。 水泵上安装了一台风冷的底座安装型异步电动机。 泵体和电机安装在同一个基座框架上。 液体: 输送的液体:乙二醇 液体温度范围:0 .. 90 ℃ 浓度:30 % 液体温度:0 ℃ 密度:1052 千克/米3 运动粘度: 3.95 毫米2/秒 技术: 泵速度数据:2932 转数／分钟 实际计算流量:95.2 米3/小时 引起的泵扬程:33.5 米 叶轮实际直径:166 毫米 轴封:BQQE 次轴封:NONE 曲线公差:ISO 9906:1999 Annex A 材料: 泵壳:铸铁 EN-GJL-250 ASTM A48-40 B 叶轮:铸铁 EN-GJL-200 ASTM A48-30 B 橡胶:EPDM 安装: 最大环境温度:60 ℃ 最大运行压力:16 巴 法兰标准:EN 1092-2 泵入口:DN 100 泵出口:DN 80 压力级:PN16 联轴器型号:标准 Base frame: C - Channel 电气数据: 电机型号:160MD IE Efficiency class:IE2
常用MOS管选型参考
常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应
设备选型
第五章设备选型 设备选型与计算是选煤厂设计中的重要步骤。选型的好坏，不仅体现设计人员和设计本身的水平，更重要的是关系到选煤厂投产后的生产效率。近年来，我国选煤设备发展迅猛，设备的品种、规格日渐繁多，国产的、引进的、仿制的应有尽有。随着科学技术的发展和原煤入选量增大，选煤设备向大型化、高效化方向发展。由于地方小煤矿的崛起，各种小型的、成套的选煤设备也随之发展起来。这使设备选择的范围更宽，但难度也相应增大。这就需要更好地了解各种设备的性能及适用条件，正确计算与选型。 5.1 工艺设备选型与计算的原则和规定 5.1.1 设备选型与计算的任务及原则 设备选型与计算的任务是根据已经确定的工艺流程及各作业的数、质量，并考虑原煤特征和对产品的需求，选出适合生产工艺要求的设备型号与台数，从而使选煤厂投产后达到设计所要求的各项生产指标。 设备选型时应注意以下几项原则： （1）所选设备的型号与台数，应与所设计厂型相匹配，尽量采用大型设备，充分考虑机组间的配合，使设备与厂房布置紧凑，便于生产操作。 （2）所选设备的类型应适合原煤特征和产品质量要求。 （3）做到技术先进、性能可靠，应优先选用高效率、低能耗、成熟可靠的新产品。 （4）经济实用，综合考虑节能、使用寿命和物品备件等因素，尽可能选用同类型、同系列的设备产品，以便于维修和备件的更换。优先选用具有“兼容性”的系列设备，以便于新型设备对老型设备的更换，也便于更新和改扩建。 （5）在设备选用过程中，要贯彻国家当前的技术经济政策，考虑长远规划。设备招标应考虑性能价格比，切忌一味最求低价格。 （6）噪声应小于85dB。 5.1.2 设备生产能力与台数的确定原则 （1）设备生产能力的确定原则 在设计中常用的确定设备能力的方法有：单位负荷定额，产品目录保证值以及理论计算公式或经验公式。
QJ型深井潜水泵型号及参数
QJ型深井潜水泵型号及参数 一、QJ型深井潜水泵工作原理： 开泵前，吸入管和泵内必须充满液体。开泵后，叶轮高速旋转，其中的液体随着叶片一起旋转，在离心力的作用下，飞离叶轮向外射出，射出的液体在泵壳扩散室内速度逐渐变慢，压力逐渐增加，然后从泵出口，排出管流出。此时，在叶片中心处由于液体被甩向周围而形成既没有空气又没有液体的真空低压区，液池中的液体在池面大气压的作用下，经吸入管流入泵内，液体就是这样连续不断地从液池中被抽吸上来又连续不断地从排出管流出。二、QJ型深井潜水泵的用途与特点： QJ型井用潜水电泵是根据国家标准设计的节能产品，广泛用于农田灌溉、工矿企业的供排水和高原、山区的人、畜用水。 该型泵由QJ潜水泵和YQS型潜水电机组成一体潜入水下进行工作。具有结构简单、体积小、重量轻、安装、维修方便，运行安全、可靠、高效节能等特点。 QJR型系列井用耐热潜水泵是与井用耐热潜水三相异步电动机直接联成一体，组装成的耐热潜水电泵，耐热水温可达100°C，是潜入井中，提取地热水的有效机具；地热是一种最廉价，最清洁，用之不竭的最新能源，现今广泛应用于采暖，医疗，洗浴，养殖，种植，工农业，厂矿企业，娱乐服务，保健设施等许多方面。它具有泵机合一，结构简单，运行可靠，无噪音，性能优良，机组效率高，安装维修方便；并具有耐热，防腐，抗老化等诸多优点，是堤取地热水的最新产品。 种类 1、立式竖直使用，比如在一般的水井中； 2、斜式使用，比如在矿井有斜度的巷道中；
3、卧式使用，比如在水池中使用 三、QJ型深井潜水泵注意事项： 1.井用潜水泵应使用在含砂量低于0.01%的清水源，泵房内设预润水箱，容量应满足一次启动所预润水量。 2.新装或经过大修的深井泵，应调整泵壳与叶轮的间隙，叶轮在运转中不得与壳体摩擦。 3.深井泵在运转前应将清水通入轴与轴承的壳体内进行预润。 4.深井泵启动前，检查项目应符合下列要求： 1）底座基础螺栓已紧固； 2）轴向间隙符合要求，调节螺栓的保险螺母已装好； 3）填料压盖已旋紧并经过润滑； 4）电动机轴承已润滑；
七步掌握MOS管选型技巧
七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。
第二步是确定电压 额定电压越大，器件的成本就越高。从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。 此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外，不同应用的额定电压也有所不同；通常便携式设备选用20V的MOS 管，FPGA电源为20～30V的MOS管，85～220VAC应用时MOS管VDS为450～600V。 第三步为确定电流 确定完电压后，接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定，MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流；与电压的情况相似，MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的导通电阻RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算（Iload：最大直流输出电流），由于导通电阻会随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说，这就需要折中权衡。 对便携式设计来说，采用较低的电压即可(较为普遍)；而对于工业设计来说，可采用较高的电压。需要注意的是，RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响，因为有些技术在提高最大VDS（漏源额定电压）时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片
常用MOS管型号参数
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
MOS管常见型号 全
MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F